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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL
ESCOLA DE ENGENHARIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

ROBERTO JOS CABRAL

ANLISE NUMRICA DE CURTO CIRCUITO
UTILIZANDO COMPONENTES SIMTRICAS E
COMPONENTES DE FASES PARA OBTER NDICES DE
AFUNDAMENTOS DE TENSO

Porto Alegre
2010

ROBERTO JOS CABRAL


Dissertao de mestrado apresentada ao
Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica, da Universidade Federal do Rio
Grande do Sul, como parte dos requisitos
para a obteno do ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica.
rea de concentrao: Sistemas de Energia.

ORIENTADOR: Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella.
CO-ORIENTADOR: Prof. Dr. Roberto Chouhy Leborgne.

Porto Alegre
2010

ROBERTO JOS CABRAL


Esta dissertao foi julgada adequada para a
obteno do ttulo de Mestre em Engenharia Eltrica
e aprovada em sua forma final pelo Orientador e
pela Banca Examinadora.

Orientador: ______________________________________
Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella, UFRGS
Doutor pela Universidade Federal de Santa Catarina
Florianpolis, Brasil.

Banca Examinadora:

Prof. Dr. Thiago Cl de Oliveira, UNIFEI
Doutor pela Universidade Federal de Itajub Minas Gerais, Brasil.

Prof. Dr. Marcos Tello, PUCRGS
Doutor pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul Porto Alegre,
Brasil.

Prof. Dr. Arturo Suman Bretas, UFRGS
Doutor pela Virginia Polytechnic Institute and State University Blacksburg,
Estados Unidos.

Coordenador do PPGEE: ___________________________
Prof. Dr. Alexandre Sanfelice Bazanella.

Porto Alegre, Agosto de 2010.

Dios nos hizo perfectos y no escoge a los capacitados, si no que capacita a los escogidos.
Hacer o no hacer algo, solo depende de nuestra voluntad y perseverancia.

Deus nos fez perfeitos e no escolhe os capacitados, e sim capacita os escolhidos.
Fazer ou no fazer algo, s depende de nossa vontade e perseverana.

Albert Einstein.

DEDICATRIA
Dedico este trabalho especialmente, a toda minha famlia, pelo amor e apoio em
todos os momentos da minha vida e, Carolina por toda pacincia, dedicao e amor
incondicional.

AGRADECIMENTOS
Sou muito grato ao Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica, PPGEE,
desta Universidade, aos seus professores e funcionrios por garantirem uma
infraestrutura adequada para realizar este trabalho de pesquisa.
Aos Profs. Drs. Alexandre Sanfelice Bazanella, meu orientador, Roberto Chouhy
Leborgne, meu co-orientador, e Arturo Suman Bretas pela confiana em mim
depositada, pelo apoio, dedicao e ensino que recebi e, especialmente, pela amizade
demonstrada.
Aos meus pais pelo apoio e suporte dado em toda a minha vida, pelo amor,
dedicao e confiana depositada em mim, pela educao e conhecimentos transmitidos
com dedicao e muito amor.
Carolina pelo seu amor, presena, compreenso e amizade ao longo destes anos.
Aos meus irmos Yamila e Cristian. Aos meus avs Elsa, Jos, Susana, Bronislao e
a todos meus familiares pelo amor, dedicao e confiana depositada em mim e pelo
apoio que me deram em todos os momentos.
Um agradecimento muito especial aos meus amigos Martn Cruz Rodrguez Paz,
Renato Gonalves Ferraz e Mario Orlando Oliveira pelo apoio, ajuda nos trabalhos e
principalmente pela sincera amizade, fato que tornou agradvel e inesquecvel o perodo
de convivncia que tivemos em Porto Alegre.
Aos colegas do LASEP pelas oportunidades de trabalho em conjunto, conversas,
mates, terers, ...: Felipe H. Garca, Jos N. de Nunez, Mariana Resener, Denise P.
Marzec, Daniel Gazzana, Ronald O. Paucar, Gustavo D. Ferreira, Hernn S. Oviedo e
Leonardo Iurinic. Ao colega e amigo Diogo de Oliveira Fialho Pereira, por toda a ajuda
prestada.
Aos amigos do LASCAR por compartilhar os cafs da tarde. Ao colega Rodrigo H.
Salim pela disposio e ajuda brindada no programa F-Sim.
Aos meus amigos argentinos: Nestor, Natalia, Lus, Luciana, Liliana, Carolina,
Monica, Gabriel, Guillermo, Miguel, Mariela, Facundo, Viviana, Alejandro e Anselmo;
obrigado pelo apoio recebido e por compartilhar comigo a experincia de viver e
estudar no Brasil.
Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior, CAPES, pelo
apoio financeiro que permitiu a realizao deste trabalho.
Ao povo argentino, cujas razes eu levo guardada no meu corao, obrigado por toda
a minha formao recebida tanto profissional como pessoal.
Ao povo brasileiro e todas as demais pessoas que, direta ou indiretamente, ajudaram
e tornaram possvel a realizao deste trabalho.

RESUMO
O presente trabalho apresenta estudos tericos e uma reviso bibliogrfica sobre
diversos aspectos relevantes qualidade da energia eltrica, principalmente os
afundamentos de tenso em sistemas de energia eltrica. A avaliao da eficincia de
um sistema eltrico de potncia quantificada por diversos fatores de qualidade,
destacando-se a continuidade do fornecimento de energia eltrica aos consumidores.
Nesse contexto, a anlise de faltas muito importante e demanda especial ateno
quando do projeto do esquema de proteo e dos ndices de qualidade do sistema
eltrico de distribuio.
Assim sendo, o presente trabalho apresenta uma comparao entre os mtodos de
clculo de curtos circuitos convencionais: Mtodo das Componentes Simtricas e o
Mtodo das Componentes de Fases. Tambm apresentada uma nova aproximao da
obteno da matriz de impedncia de cada elemento do sistema eltrico de potncia,
para a resoluo pelo Mtodo das Componentes Simtricas em sistemas
desequilibrados.
Usando um modelo particular de um sistema eltrico de distribuio so efetuadas
simulaes computacionais para avaliar o desempenho do algoritmo proposto. As
simulaes de curtos circuitos so realizadas com rotinas no ambiente MatLab e logo
comparadas com os resultados do programa ATP/EMTP. Os clculos de afundamentos
de tenso so realizados para diferentes tipos de faltas: trifsica-terra (FFFT), fase-terra
(FT), fase-fase (FF) e fase-fase-terra (FFT). Apesar de o trabalho estar centrado em
sistemas de distribuio, as concluses podem ser referidas a qualquer tipo de sistema
de energia eltrica. Os resultados obtidos nessas simulaes mostram que a
aproximao proposta que consiste da obteno da impedncia de componentes
simtricas de cada elemento, apresenta um timo desempenho.
O objetivo desta comparao identificar o mtodo de clculo de curto-circuito que
oferea a viabilidade de simplificao nos procedimentos de clculo, como tambm na
modelagem dos componentes do sistema eltrico de energia, mantendo continuamente
uma boa preciso dos resultados dentro dos limites de tolerncia. Com esta
simplificao se pode reduzir significativamente o tempo das simulaes, o processo de
anlise e tomada de deciso mais gil e eficiente.

Palavras-chave: Qualidade da Energia Eltrica, Afundamentos de Tenso,
Caracterizao dos Afundamentos de Tenso, Clculo de Curtos Circuitos,
Mtodo das Componentes Simtricas, Mtodo das Componentes de Fases,
Programa ATP/EMTP.

ABSTRACT
This work presents theoretical studies and a literature review on various aspects relevant
to the quality of electric power, especially voltage sags in electric power systems.
Assessing the efficiency of a power system is quantified by several quality factors,
highlighting the continued supply of electricity to consumers. In this context, the
analysis of faults is very important and demand special attention when designing the
protection scheme and the quality indexes of the electrical system of distribution.
Therefore, this work presents a comparison between the calculation methods of
conventional short circuit: Method of Symmetrical Component and Method of Phases
Components. It also presents a new approach to obtaining the impedance matrix of each
element of the electric power system for the resolution by the Method of Symmetrical
Components in unbalanced systems.
Using a particular model of an electric distribution system computer simulations are
carried out to evaluate the performance of the algorithm. Simulations of short circuits
are performed with routines in MatLab environment and then compared with the results
of the software ATP/EMTP. The calculations of voltage sags are performed for different
types of faults: three-phase- ground (FFFT), phase-ground (FT), phase-phase (FF) and
phase-phase- ground (FFT). Although the work is centered on distribution systems, the
findings can be referred to any type of power system. The results obtained in these
simulations show that the proposed approach consists of obtaining the impedance of
symmetrical components of each element, presents a great performance.
The purpose of this comparison is to identify the method of calculating short-circuit that
provides the feasibility of simplifying the calculation procedures, but also in the
modeling of system components, electric power, continuously keeping a good accuracy
of results within the tolerance limits. With this simplification can significantly reduce
the time of simulations, the process of analysis and decision making more agile and
efficient.

Keywords: Power Quality, Voltage Sags, Characterization of Voltage Sags,
Calculation of Short Circuit, Method of Symmetrical Components, Method of
Phase Components, Software ATP/EMTP.

SUMRIO
LISTA DE ILUSTRAES .................................................................................................. 13
LISTA DE TABELAS ............................................................................................................ 16
LISTA DE ABREVIATURAS ............................................................................................... 18
LISTA DE SIMBOLOS ......................................................................................................... 21
1 INTRODUO ............................................................................................................... 25
1.1 Definio de Qualidade de Energia Eltrica ............................................................ 25
1.2 Motivao do trabalho ............................................................................................... 25
1.3 Objetivos ...................................................................................................................... 27
1.4 Estrutura do trabalho ................................................................................................. 27
1.5 Resumo ......................................................................................................................... 28
2 AFUNDAMENTOS DE TENSO ................................................................................. 29
2.1 Introduo ................................................................................................................... 29
2.2 Definies de Afundamentos de Tenso ................................................................... 29
2.3 Caracterizao dos Afundamentos de Tenso ......................................................... 31
2.3.1 Magnitude ................................................................................................................ 31
2.3.2 Durao .................................................................................................................... 32
2.3.3 Frequncia de ocorrncia ......................................................................................... 33
2.3.4 Diagrama fasorial (Tipos A, B, C, D, E, F, G) ........................................................ 34
2.3.5 Perfil de tenso ......................................................................................................... 41
2.3.6 Salto de ngulo de fase (phase-angle jump) ............................................................ 44
2.3.7 Ponto de incio e ponto de fim do afundamento ...................................................... 45
2.4 Causas dos Afundamentos de Tenso ....................................................................... 46
2.4.1 Faltas ........................................................................................................................ 46
2.4.2 Descargas atmosfricas ............................................................................................ 46
2.4.3 Energizao e partidas de cargas ............................................................................. 47
2.4.4 Conexo de parte ou da totalidade do sistema logo aps uma interrupo .............. 48
2.4.5 Causas diversas ........................................................................................................ 48
2.5 Consequncias do Afundamento de Tenso nas Cargas ......................................... 48
2.5.1 Informao fornecida pelo fabricante ...................................................................... 48
2.5.2 Resultados de levantamentos experimentais ............................................................ 49

2.6 rea de Vulnerabilidade ou Regio de Sensibilidade ............................................. 50
2.7 Normas ou Recomendaes Nacionais e Internacionais ......................................... 51
2.7.1 ANEEL Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema
Eltrico Nacional (PRODIST) Mdulo 8 Qualidade da Energia Eltrica .............. 51
2.7.2 ONS Sub-mdulo 2.8 Procedimentos de Rede..................................................... 51
2.7.3 IEEE Std. 1159-2009 IEEE Recommended Practice for Monitoring Electric
Power Quality ......................................................................................................... 52
2.7.4 IEEE Std. 1250-1995 IEEE Guide for Service to Equipment Sensitive to
Momentary Voltage Disturbances .......................................................................... 52
2.7.5 IEEE Std. 446-1995 IEEE Recommended Practice For Emergency and
Standby Power Systems for Industrial and Commercial Applications
(Orange Book) ......................................................................................................... 52
2.7.6 IEEE Std. 493-2007 IEEE Recommended Practice for the Design of Reliable
Industrial and Commercial Power Systems (Gold Book) ...................................... 53
2.7.7 IEEE Std. 1100-1999 IEEE Recommended Practice For Powering and
Grounding Electronic Equipment (Emerald Book) ................................................ 53
2.7.8 IEEE Std. 1346-1998 IEEE Recommended Practice For Evaluating Electric
Power System Compatibility With Electronic Process Equipment ....................... 53
2.7.9 IEEE P1433 A Standard Glossary of Power Quality Terminology ..................... 53
2.7.10 IEEE P1564 Voltage Sags Indices ....................................................................... 54
2.7.11 IEC 61000 Electromagnetic Compatibility .......................................................... 54
2.7.12 IEC 61000-4-30*, 2003-2 Electromagnetic Compatibility (EMC) - Part 4-30:
Testing and Measurement Techniques - Power Quality Measurement
Methods .................................................................................................................. 54
2.7.13 IEC 61000-2-1 (1990-05) clause 8 Voltage Dips and Short Supply
Interruption ............................................................................................................. 54
2.7.14 SEMI F42-0999 Test Method For Semiconductor Processing Equipment
Voltage Sag Immunity ........................................................................................... 55
2.7.15 SEMI F47-0200 Specification for Semiconductor Processing Equipment
Voltage Sag Immunity ........................................................................................... 55
2.7.16 SEMI F47-0706 Specification for Semiconductor Processing Equipment
Voltage Sag Immunity ............................................................................................. 55
2.7.17 Curva CBEMA (Computer Business Equipment Manufacturers Association)
e a curva ITIC (Information Technology Industry Council) .................................... 56
2.8 Resumo ......................................................................................................................... 58
3 MTODOS DE SIMULAO ...................................................................................... 59
3.1 Introduo ................................................................................................................... 59
3.2 Mtodos de clculo de afundamentos ....................................................................... 60
3.2.1 Metodologia da Distncia Crtica ............................................................................ 60
3.2.2 Metodologia das posies de falta ........................................................................... 61
3.2.3 Metodologia das Posies de Falta versus Metodologia da Distncia Crtica ......... 63
3.3 Desempenho de uma barra ........................................................................................ 63
3.4 Ferramentas de Simulao de curtos-circuitos (Programas) ................................. 65
3.4.1 Programa ANAFAS - Modelo de Componentes Simtricas (Sistemas
Equilibrados) ............................................................................................................ 65
3.4.2 Programas de Transitrios Eletromagnticos (Sistemas equilibrados e
desequilibrados) ....................................................................................................... 65
3.5 Clculo de faltas pelo mtodo das componentes de fases ........................................ 67
3.5.1 Falta Fase-Terra ....................................................................................................... 69

3.5.2 Falta Fase-Fase-Terra ............................................................................................... 71
3.5.3 Falta Fase-Fase ......................................................................................................... 72
3.5.4 Falta Trifsica .......................................................................................................... 74
3.6 Clculo de faltas pelo Mtodo de Componentes Simtricas ................................... 75
3.6.1 Componentes Simtricas .......................................................................................... 75
3.6.2 Modelo de impedncias de sequncias .................................................................... 79
3.6.3 Mtodos para clculo de impedncias de sequncias para Sistemas
Desequilibrados ........................................................................................................ 86
3.6.4 Clculo de faltas ....................................................................................................... 90
3.7 Aproximao proposta para clculo de impedncias de Sequncias para
Sistemas Desequilibrados ........................................................................................... 94
3.8 Resumo ......................................................................................................................... 97
4 IMPLEMENTAO DOS MTODOS DE CLCULO DE CURTO-
CIRCUITO .................................................................................................................... 98
4.1 Introduo ................................................................................................................... 98
4.2 Impedncia de Falta ................................................................................................... 98
4.2.1 Frequncia de ocorrncia de faltas em linhas de distribuio ................................ 100
4.2.2 Anlise probabilstica de faltas em linhas de acordo com o nvel de tenso ......... 100
4.3 Tenso Pr-Falta ....................................................................................................... 101
4.4 Sistema eltrico estudado ......................................................................................... 102
4.4.1 Alimentadores ........................................................................................................ 102
4.4.2 Cargas..................................................................................................................... 103
4.4.3 Impedncia de curto circuito equivalente da rede e do transformador .................. 105
4.5 Comparaes das metodologias ............................................................................... 105
4.6 Resumo ....................................................................................................................... 106
5 RESULTADOS OBTIDOS ........................................................................................... 107
5.1 Introduo ................................................................................................................. 107
5.2 Influncia do desequilbrio ....................................................................................... 107
5.2.1 Influncia do desequilbrio na barra da Subestao ............................................... 107
5.2.2 Influncia do desequilbrio na barra do consumidor sensvel (barra 9) ................. 110
5.3 Influncia do valor da impedncia de falta ............................................................ 112
5.3.1 Influncia do valor da impedncia de falta na barra da Subestao ...................... 112
5.3.2 Influncia do valor da impedncia de falta na barra do consumidor sensvel
(barra 9) .................................................................................................................. 115
5.4 Influncia dos tipos de faltas simuladas .................................................................. 117
5.4.1 Falta Trifsica monitorada na barra da subestao ................................................ 117
5.4.2 Falta Trifsica monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) .................. 120
5.4.3 Falta Monofsica monitorada na barra da subestao ........................................... 122
5.4.4 Falta Monofsica monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) ............. 124
5.4.5 Falta Bifsica-Terra monitorada na barra da Subestao ....................................... 127
5.4.6 Falta Bifsica-Terra monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) ......... 130
5.4.7 Falta Bifsica monitorada na barra da Subestao ................................................. 132
5.4.8 Falta Bifsica monitorada na barra do consumidor sensvel (barra 9) ................... 135
5.5 Resumo ....................................................................................................................... 137
6 CONCLUSES ............................................................................................................. 139
6.1 Sugestes para trabalhos futuros ............................................................................ 141

REFERNCIAS ................................................................................................................... 142

LISTA DE ILUSTRAES
Figura 2.1: Definies de eventos de variao de tenso (IEEE Std. 1159-1995). ........ 31
Figura 2.2: Magnitude e durao de um afundamento de tenso de 20%(IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................................. 32
Figura 2.3: Magnitude e durao de afundamento de tenso monofsico (ESKOM
NRS -048, 2009). ........................................................................................... 33
Figura 2.4: Magnitude e durao de afundamento de tenso trifsico. .......................... 33
Figura 2.5: Quatro tipos de afundamentos devido falta trifsica e monofsica
(BOLLEN; GU, 2006). .................................................................................. 35
Figura 2.6: Trs tipos de afundamentos devido falta bifsica (BOLLEN; GU, 2006). 35
Figura 2.7: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo A. ...................... 37
Figura 2.8: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo B. ...................... 37
Figura 2.9: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo C. ...................... 37
Figura 2.10: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo D. .................... 38
Figura 2.11: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo E. .................... 38
Figura 2.12: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo F. .................... 39
Figura 2.13: Diagrama fasorial e formas de onda - Afundamento Tipo G. .................... 39
Figura 2.14: Afundamento de tenso provocado pela partida de motor (GMEZ, 2005).
....................................................................................................................... 42
Figura 2.15: Afundamento de tenso causado por energizao de transformador (IEEE
P1564 e CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................... 42
Figura 2.16: Variao da magnitude de um afundamento de tenso por ionizao de
falha (GMEZ, 2005). .................................................................................. 43
Figura 2.17: Variao da magnitude de um afundamento de tenso por desionizao de
falha (GMEZ, 2005). .................................................................................. 43
Figura 2.18: Argumento da tenso e salto de ngulo de fase (LEBORGNE, 2007). ..... 45
Figura 2.19: Afundamento de tenso causado pela partida de um motor (IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001). ............................................................................. 47
Figura 2.20: Afundamento de tenso RMS e Instantneo (IEEE P1564 e CIGRE WG
36-07, 2001). .................................................................................................. 47
Figura 2.21: Nveis tpicos de imunidade dos acionamentos para motores definidos, pela
IEEE Std. 1346-1998 e IEC 61000-4-11-1994. ............................................. 50
Figura 2.22: Linhas de igual magnitude de afundamentos de tenso (GMEZ, 2005). 51
Figura 2.23: Curva de tolerncia segundo a norma SEMI F47-0200. ............................ 55
Figura 2.24: Curva SEMI F47-0706. .............................................................................. 56
Figura 2.25: Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional
adaptado da norma IEEE Std. 446 - 1987. Curva CBEMA (POMILIO, 2007).
....................................................................................................................... 57

Figura 2.26: Envelope de tolerncia de tenso tpico para sistema computacional
adaptado da norma IEEE Std. 446 - 1987. Curva ITIC (POMILIO, 2007). .. 57
Figura 2.27: Comparao de curvas CBEMA, ITIC e SEMI F47 (GMEZ, 2005). ..... 58

Figura 3.1: Diagrama simplificado indicando o PAC. ................................................... 61
Figura 3.2: Diagrama unifilar, mtodo do curto-deslizante. .......................................... 62
Figura 3.3: Posies de falta. .......................................................................................... 62
Figura 3.4: Representao trifsica do sistema de potncia (STAGG; EL-ABIAD,
1968). ............................................................................................................. 67
Figura 3.5: Representao trifsica do sistema de potncia com falta na barra p
(STAGG; EL-ABIAD, 1968). ....................................................................... 68
Figura 3.6: Falta Fase-Terra (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). .................. 70
Figura 3.7: Corrente de linha no alimentador trifsico (MAKRAM; BOU-RABEE;
GIRGIS, 1987). .............................................................................................. 71
Figura 3.8: Falta Fase-Fase-Terra (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). ......... 71
Figura 3.9: Falta Fase-Fase (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). ................... 72
Figura 3.10: Falta Trifsica (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987). ................... 74
Figura 3.11: Representao vetorial das Componentes Simtricas (FORTESCUE,
1918). ............................................................................................................. 75
Figura 3.12: Carga equilibrada conexo estrela Y (SAADAT, 2002). ....................... 79
Figura 3.13: Fluxo de corrente de sequncia zero com retorno de terra (SAADAT,
2002). ............................................................................................................. 81
Figura 3.14: Linha assimtrica (ANDERSON, 1973). ................................................... 81
Figura 3.15: Equivalente trifsico de sequncia zero de bancos de transformadores
(KUNDUR, 1994). ......................................................................................... 83
Figura 3.16: Gerador trifsico equilibrado (SAADAT, 2002). ...................................... 84
Figura 3.17: Redes de sequncias (SAADAT, 2002). .................................................... 86
Figura 3.18: Falta Fase-Terra (SAADAT, 2002). .......................................................... 90
Figura 3.19: Conexo das redes de sequncia para uma falta fase-terra (SAADAT,
2002). ............................................................................................................. 90
Figura 3.20: Falta Fase-Fase (SAADAT, 2002). ............................................................ 91
Figura 3.21: Conexo das redes de sequncia para uma falta fase-fase (SAADAT,
2002). ............................................................................................................. 91
Figura 3.22: Faltas Fase-Fase-Terra (ANDERSON, 1973). ........................................... 92
Figura 3.23: Conexo das redes de sequncia para uma falta fase-fase-terra
(ANDERSON, 1973). .................................................................................... 92
Figura 3.24: Faltas Trifsica-Terra (ANDERSON, 1973). ............................................ 93
Figura 3.25: Conexo das redes de sequncia para uma Falta Trifsica-Terra
(ANDERSON, 1973). .................................................................................... 94

Figura 4.1: Diagrama unifilar do sistema teste de 13 barras do IEEE modificado. ..... 102

Figura 5.1: Distribuio de frequncia relativa acumulada de afundamentos SEP
equilibrado. .................................................................................................. 108
desequilibrado. ............................................................................................. 108
Figura 5.3: Erro Quadrtico Mdio SEP equilibrado barra da subestao. .................. 109
Figura 5.4: Erro Quadrtico Mdio SEP desequilibrado barra da subestao.............. 109
equilibrado. .................................................................................................. 110

desequilibrado. ............................................................................................. 111
Figura 5.7: Erro Quadrtico Mdio SEP equilibrado barra do consumidor sensvel. .. 111
Figura 5.8: Erro Quadrtico Mdio SEP desequilibrado barra do consumidor sensvel.
..................................................................................................................... 112
Figura 5.9: Influncia da resistncia de falta SEP equilibrado com R
f
= 0 . .............. 113
Figura 5.10: Influncia da resistncia de falta SEP desequilibrado com R
f
= 0 . ...... 113
f
= 25 . .......... 114
f
= 25 . .... 114
f
= 0 . ............ 115
f
= 0 . ...... 115
f
= 25 . .......... 116
f
= 25 . .... 116
Figura 5.17: # Sag Total FFFT % barra da subestao SEP equilibrado. .................... 118
Figura 5.18: # Sag Total FFFT % barra da subestao SEP desequilibrado. ............... 118
Figura 5.19: Falta FFFT barra da subestao SEP equilibrado. ................................... 119
Figura 5.20: Falta FFFT barra da subestao SEP desequilibrado. .............................. 119
Figura 5.21: # Sag Total FFFT % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ..... 120
Figura 5.22: # Sag Total FFFT % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. 120
Figura 5.23: Falta FFFT barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ................... 121
Figura 5.24: Falta FFFT barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .............. 122
Figura 5.25: # Sag Total FT % barra da subestao SEP equilibrado. ......................... 122
Figura 5.26: # Sag Total FT % barra da subestao SEP desequilibrado. ................... 123
Figura 5.27: Falta FT barra da subestao SEP equilibrado. ....................................... 124
Figura 5.28: Falta FT barra da subestao SEP desequilibrado. .................................. 124
Figura 5.29: # Sag Total FT % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ......... 125
Figura 5.30: # Sag Total FT % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .... 125
Figura 5.31: Falta FT barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ........................ 126
Figura 5.32: Falta FT barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .................. 127
Figura 5.33: # Sag Total FFT % barra da subestao SEP equilibrado........................ 127
Figura 5.34: # Sag Total FFT % barra da subestao SEP desequilibrado. ................. 128
Figura 5.35: Falta FFT barra da subestao SEP equilibrado. ..................................... 129
Figura 5.36: Falta FFT barra da subestao SEP desequilibrado. ................................ 129
Figura 5.37: # Sag Total FFT % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ....... 130
Figura 5.38: # Sag Total FFT % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. . 130
Figura 5.39: Falta FFT barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ...................... 131
Figura 5.40: Falta FFT barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. ................ 132
Figura 5.41: # Sag Total FF % barra da subestao SEP equilibrado. ......................... 132
Figura 5.42: # Sag Total FF % barra da subestao SEP desequilibrado. .................... 133
Figura 5.43: Falta FF barra da subestao SEP equilibrado. ........................................ 134
Figura 5.44: Falta FF barra da subestao SEP desequilibrado. .................................. 134
Figura 5.45: # Sag Total FF % barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ......... 135
Figura 5.46: # Sag Total FF % barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. .... 135
Figura 5.47: Falta FF barra do consumidor sensvel SEP equilibrado. ........................ 136
Figura 5.48: Falta FF barra do consumidor sensvel SEP desequilibrado. ................... 137

LISTA DE TABELAS
Tabela 2.1: Perodo mnimo de monitorao para uma determinada preciso. .............. 34
Tabela 2.2: Representao matemtica para cada tipo de afundamento de tenso com
severidade h (BRITO; LEAO, 2006; RIBEIRO; MENDES, 2009). ........... 40
Tabela 2.3: Relao entre tipo de falta, tipo de afundamento e conexo da carga. ........ 41
Tabela 2.4: Relao entre afundamentos de tenso em cargas com conexo estrela e
delta. ............................................................................................................ 41
Tabela 2.5: Transformao do tipo de afundamento no secundrio do transformador. . 41
Tabela 2.6: Nveis de imunidade definidos pela IEEE Std. 1346 - 1998. ...................... 49

Tabela 3.1: Descrio das posies de falta. .................................................................. 62

Tabela 4.1: Distribuio de probabilidade de impedncia de falta............................... 100
Tabela 4.2: Distribuio de probabilidade de tipos de falta. ........................................ 100
Tabela 4.3: Taxa de falta para linhas de transmisso e distribuio. ............................ 100
Tabela 4.4: Exemplo da influncia da tenso pr-falta. ............................................... 101
Tabela 4.5: Dados dos Alimentadores. ......................................................................... 102
Tabela 4.6: Dados das cargas caso A (V
deseq
= 0 %). ................................................... 104
Tabela 4.7: Dados das cargas caso B (V
deseq
= 3,65 %). ............................................... 105

Tabela 5.1: Desempenho total do SEP monitorado na barra da Subestao. ............... 109
Tabela 5.2: Desempenho total do SEP monitorado na barra do consumidor sensvel. 110
Tabela 5.3: Desempenho do SEP para R
f
= 0 monitorado na barra da Subestao. . 113
f
= 25 monitorado na barra da Subestao. 114
f
= 0 monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 116
f
sensvel. ..................................................................................................... 117
Tabela 5.7: Desempenho do SEP para falta FFFT monitorado na barra da Subestao.
................................................................................................................... 118
Tabela 5.8: Desempenho do SEP para falta FFFT monitorada na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 121
Tabela 5.9: Desempenho do SEP para falta FT monitorado na barra da Subestao. .. 123
Tabela 5.10: Desempenho do SEP para falta FT monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 126
Tabela 5.11: Desempenho do SEP para falta FFT monitorado na barra da Subestao.
................................................................................................................... 128
Tabela 5.12: Desempenho do SEP para falta FFT monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 131

Tabela 5.13: Desempenho do SEP para falta FF monitorado na barra da Subestao. 133
Tabela 5.14: Desempenho do SEP para falta FF monitorado na barra do consumidor
sensvel. ..................................................................................................... 136

LISTA DE ABREVIATURAS
A Ampre
ANAFAS Programa de Anlise de Faltas Simultneas
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica
ASD Adjustable Speed Drives - Variador de Velocidade Ajustvel
ATP Alternative Transient Program - Software Alternativo de Transitrios
CA Corrente Alternada
CBEMA Computer and Business Equipment Manufacturers Association
CC Corrente Contnua
CIGRE Conseil International des Grands Rseaux lectriques Conselho
Internacional de Grandes Sistemas Eltricos
COPEL Companhia Paranaense de Energia
DFT Discrete Fourier Transform - Transformada Discreta de Fourier
ELECTROTEK Electrotek Concepts, Inc.
EMTP Electromagnetic Transient Program - Software de Transitrios
Eletromagnticos
EPRI Electric Power Research Institute - Instituto de Pesquisa de Energia
Eltrica
ESKOM Electricity Supply Commission - Comisso de Abastecimento de
Eletricidade
EUA Estados Unidos de Norte Amrica
FEM Fora Eletromotriz
FF Falta Fase-Fase ou Bifsica
FFFT Falta Trifsica-Terra
FFT Falta Fase-Fase-Terra ou Bifsica-Terra
FT Falta Fase-Terra ou Monofsica-Terra
GMD Distncia Mdia Geomtrica

HV High Voltage - Alta Tenso
IEC International Electrotechnical Commission - Comisso Eletrotcnica
Internacional
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers - Instituto de
Engenheiros Eletricistas e Eletrnicos
ITIC Information Technology Industry Council - Informao do Conselho
da Indstria de Tecnologia
LV Low Voltage - Baixa Tenso
m metro
MatLab Matrix Laboratory - Laboratrio de Matrizes
MCF Mtodo de Componentes de Fases
MCS Mtodo de Componentes Simtricas
NRS National Rationalized Specification - Especificao Nacional
Racionalizado
ONS Operador Nacional do Sistema Eltrico
PAC Ponto do Acoplamento Comum
PC Computador Pessoal
PLC Controlador Lgico Programvel
PRODIST Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico
Nacional
PSCAD Power System CAD - Desenho Assistido por Computador de Sistemas
de Potncia
pu Por Unidade
QEE Qualidade da Energia Eltrica
RMS Root Mean Square - Raiz Mdia Quadrtica (valor eficaz)
RMSE Root Mean Square Error - Erro Mdio Quadrtico
s segundo
SBQEE Seminrio Brasileiro de Qualidade da Energia Eltrica
SDEE Sistema(s) de Distribuio de Energia Eltrica
SEMI Semiconductor Equipment and Material International - Equipamentos
e Material Semicondutor Internacional
SEP Sistema(s) Eltrico(s) de Potncia
SIN Sistema Interligado Nacional

SPICE Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis - Programa de
Simulao com nfases em Circuitos Integrados
UNIPEDE Union of International Producers and Distributors of Electricity
Energy - Unio Internacional dos Produtores e Distribuidores de
Energia Eltrica
UPS Uninterrupted Power System - Sistemas de Potncia Sem Interrupo
V Volt
VA Volt Ampre
VTCD Variao de Tenso de Curta Durao
W Watt

LISTA DE SIMBOLOS
012
Z Impedncia de sequncias pela simplificao proposta

P
Z Impedncia mdia prpria
012
M
Z Impedncia mtua de sequncias pela simplificao proposta
012
P
Z Impedncia prpria de sequncias pela simplificao proposta
ii
z Impedncia prpria do condutor i
M
Z Impedncia mdia mtua
in
z Impedncia mtua entre o condutor i e o neutro n
ij
z Impedncia mtua entre os condutores i e j
nn
z Impedncia prpria do neutro n
#sags Matriz desempenho de cada barra
* Complexo Conjugado
B Barra observada
D Distncia entre condutores de fases
D
ij
Distncia Mdia Geomtrica entre as fases ij
D
in
Distncia Mdia Geomtrica entre a fase i e neutro n
D
n
Distncia entre um condutor de fase e neutro
E
012
FEM de sequncia 012
E
abc
FEM de fase abc
f
0
Frequncia fundamental
fp Local de falta simulado
GMR
i
Radio mdio geomtrico do condutor i
GMR
n
Radio mdio geomtrico do neutro n
h Severidade na magnitude e na abertura angular resultante do
afundamento de tenso

I Corrente eficaz para carga modelada de valor constante
I
012
Corrente de sequncia 012
I
abc
Corrente de fase abc
I
ij
Corrente de um trecho de linha ij
I
k
Corrente da barra em falta
L

Comprimento do arco eltrico
L
0
Comprimento inicial do arco
L
critica
Distncia crtica
R
arco-eltrico
Resistncia do arco
R
cc
Resistncia de curto-circuito da Rede
R
f
Resistncia de falta
r
i
Resistncia do condutor i
S Potncia aparente para carga modelada de valor constante
T
afundamento
Tempo de durao do afundamento de tenso
U Tenso eficaz para carga modelada de valor constante
v Tenso em pu
V(0) Tenso fundamental no instante zero
V(t) Valor eficaz da tenso durante o afundamento
V
012
Tenso de sequncia 012
V
abc
Tenso de fase abc
V
deseq
Grau de desequilbrio do SEP
V
i
Tenso da barra genrica i
V
j
Tenso da barra genrica j
V
k
Tenso da barra em falta
V
mn
Tenso de fase na linha mn
V
Nom
Tenso Nominal
V
PAC
Magnitude do afundamento de tenso no PAC
V
RMS
Valor eficaz da tenso
V
sag
Matriz de afundamentos de tenso
V
sag_b
Matriz de afundamentos de tenso binria
v
vento
Velocidade do vento transversal
x Limiar de tenso eficaz
X
cc
Reatncia de curto-circuito
X
d
Reatncia sncrona

X
d
Reatncia transitria
X
d
Reatncia sub-transitria
X
L
Reatncia de disperso
X
n
Impedncia de neutro ou retorno por terra
Y Conexo Estrela
Y
abc
Matriz admitncia paralela da linha em componentes de fase
z Impedncia do alimentador
Z Impedncia para carga modelada de valor constante
Z
0
Impedncia prpria de sequncia zero
Z
01
Impedncia mtua de sequncia zero e positiva
Z
012
Impedncia de sequncia 012
Z
012
cc_equivalente
Impedncia de curto-circuito equivalente de sequncia 012
Z
02
Impedncia mtua de sequncia zero e negativa
Z1 Impedncia equivalente da fonte no ponto de falta
Z
1
Impedncia prpria de sequncia positiva
Z
10
Impedncia mtua de sequncia positiva e zero
Z
12
Impedncia mtua de sequncia positiva e negativa
Z2 Impedncia da linha entre a barra de acoplamento e o ponto de falta
Z
2
Impedncia prpria de sequncia negativa
Z
20
Impedncia mtua de sequncia negativa e zero
Z
21
Impedncia mtua de sequncia negativa e positiva
Z
aa
Impedncia prpria da fase a
Z
ab
Impedncia mtua entre as fases a e b
Z
abc
Matriz impedncia srie da linha em componentes de fase
Z
ac
Impedncia mtua entre as fases a e c
Z
Barra
Impedncia de barra
Z
bb
Impedncia prpria da fase b
Z
bc
Impedncia mtua entre as fases b e c
Z
cc
Impedncia prpria da fase c
Z
cc_equivalente
Impedncia de curto-circuito equivalente
Z
cc_Rede
Impedncia de curto-circuito da Rede
Z
cc_Trafo
Impedncia de curto-circuito do Trafo da subestao
Z
f
Impedncia de falta
Z
ij
Impedncia de um trecho de linha ij

Z
kk
Impedncia da barra em falta
Z
m
Impedncia mtua
Z
M
Impedncia mtua
Z
M0
Impedncia mtua de sequncia positiva
Z
M1
Impedncia mtua de sequncia negativa
Z
M2
Impedncia mtua de sequncia zero
Z
n
Impedncia de neutro ou retorno por terra
Z
nova
Impedncia de barras modificada
Z
P
Impedncia prpria
Z
S
Impedncia prpria
Z
S0
Impedncia prpria de sequncia zero
Z
S1
Impedncia prpria de sequncia positiva
Z
S2
Impedncia prpria de sequncia negativa
Conexo Delta
Vetor frequncia de faltas
Taxa de falhas para linhas de transmisso e distribuio
pi = 3,14159265...
Probabilidade de ocorrncia de faltas
0
(t) Argumento da tenso fundamental no instante t (50 ou 60 Hz)
Salto de ngulo de fase
(t) Salto de ngulo de fase no instante t
Ohm
25

1 INTRODUO
1.1 Definio de Qualidade de Energia Eltrica
A definio de Qualidade de Energia muito ampla. Pode-se definir como ausncia
de interrupes, sobre-tenses, deformaes produzidas por harmnicas na rede e
variaes de tenses. Alm disso, lhe dizem respeito a estabilidade de tenso, a
frequncia e a continuidade do servio eltrico. Atualmente a qualidade da energia
objeto de uma ateno contnua. Nos anos recentes, esta ateno tem sido de maior
importncia devido ao incremento do nmero de cargas sensveis nos sistemas eltricos.
O problema da qualidade da energia pode ser visto sob trs perspectivas diferentes.
A primeira delas, a correspondente ao lado dos consumidores depois do medidor de
energia, o impacto dos distrbios nos equipamentos. A segunda, tambm do lado dos
consumidores, que os fabricantes de equipamentos devem conhecer os nveis destes
distrbios e a frequncia com que ocorrem, para assim determinar uma tolerncia
razovel para seus equipamentos. A terceira, que concerne a ambos os lados do
medidor, como os distrbios ocasionados por um consumidor afetam a outros
consumidores que esto conectados na mesma rede de distribuio.
De acordo com a norma Std. 1159 do Instituto de Engenheiros Eletricistas e
Eletrnicos (IEEE), o conceito de Qualidade de Energia Eltrica (QEE) na norma IEEE
chama-se de Power Quality definido como: A Qualidade de Energia consiste no
subministro e aterramento eltrico de equipamentos sensveis, de maneira que sua
operao seja adequada. (IEEE Std. 1159, 2009).
O Comit Eletrotcnico Internacional (IEC) ainda no utilizado esta terminologia
em nenhuma de suas normas e utiliza o termo de Compatibilidade Eletromagntica
(IEC Std. 60050-161, 1990; IEC Std. 62051, 1999). A compatibilidade eletromagntica
a capacidade de um equipamento ou sistema de funcionar adequadamente em seu
ambiente eletromagntico sem introduzir distores eletromagnticas intolerveis a
qualquer elemento desse ambiente (IEC Std. 61000-4-30, 2003).
1.2 Motivao do trabalho
O cenrio da energia eltrica tem sofrido grandes mudanas ao longo dos ltimos
anos. O perfil das cargas que existem no sistema eltrico de potncia vem mudando de
caractersticas. Antigamente existiam em maior quantidade os equipamentos robustos
(eletromecnicos) e com o passar dos anos os equipamentos tornaram-se, dia-a-dia, com
26

mais componentes eletrnicos, dessa forma o conceito de QEE adquiriu uma maior
importncia.
Os problemas vm-se agravando por diversas razes; as mais importantes so:
- Maior quantidade de cargas no-lineares, devido ao crescente interesse pela
racionalizao e conservao da energia eltrica tem aumentado o uso de
equipamentos que acrescentam os nveis de distores harmnicas e podem
levar o sistema a condies de ressonncia.
- Maior sensibilidade dos equipamentos aos efeitos dos distrbios de QEE.
A sensibilidade dos dispositivos eletrnicos s variaes momentneas de tenso
tem aumentado significativamente e dependem em grande medida dos tipos de
distrbios na rede de energia eltrica, tornando-se necessrio o conhecimento da QEE
fornecida pelas concessionrias. Os aspectos da QEE que antes no eram considerados,
e nem eram avaliados pelas concessionrias e pelos consumidores, agora se tornam
pontos decisivos a serem analisados.
As variaes de tenso, conhecidas tambm como Voltage Sags (IEEE Std. 446,
1987; IEEE Std. 446, 1995; IEEE Std. 1250, 1995; IEEE Std. 1159, 2009) ou Voltage
Dips (IEC Std. 61000-2-1, 1990; IEC Std. 61000-4-11, 1994; IEC Std. 61000-4-34,
2005), no mbito internacional e neste trabalho, denominados Afundamentos de
Tenso, so os principais desafios a serem enfrentados por empresas de energia,
fornecedores de equipamentos eltricos e consumidores. Os afundamentos de tenso
em combinao com a sensibilidade dos equipamentos modernos produzem
interrupes que afetam consideravelmente os processos industriais (LEBORGNE,
2003).
Com a mudana das caractersticas das cargas, os distrbios da QEE passaram a
gerar funcionamento incorreto, desligamentos e at danos em equipamentos sensveis,
trazendo grande prejuzo econmico. Dentre os vrios distrbios da QEE, o
afundamento de tenso citado como o distrbio nmero um dentre os que causam
prejuzos aos consumidores industriais (STECIUK; REDMON, 1996; BOLLEN, 2000;
GMEZ, 2005; IEEE Std. 493, 2007).
Mencionam-se algumas razes fundamentais que posicionam o destaque dos
afundamentos de tenso dentro do cenrio da QEE (LEBORGNE, 2003):
- Os afundamentos so inerentes e inevitveis operao do sistema eltrico,
devido vasta extenso e vulnerabilidade das linhas de transmisso e
distribuio;
- A QEE um fator determinante para a competitividade entre as empresas
concessionrias de energia, sendo que devero oferecer contratos diferenciados
de acordo com os requisitos de QEE exigidos pelos processos dos consumidores;
- Prejuzos substanciais dos consumidores devido s interrupes de processos,
quantificados pelas perdas de produo, de insumos e os custos associados
mo de obra e a reparos de equipamentos estragados.
Desta forma, o afundamento de tenso um problema complexo de ser estudado,
pois envolve informaes a respeito da energia fornecida pelas concessionrias,
conhecimento da real sensibilidade das cargas expostas e um estudo a respeito do
impacto econmico nos sistemas consumidores afetados (CARVALHO, 1999).
27

1.3 Objetivos
Os estudos que envolvem afundamentos de tenso so analisados a partir da
monitorao das tenses do sistema eltrico ou atravs da utilizao de metodologias de
predio. Neste ltimo caso utilizam-se programas computacionais para calcular os
valores de afundamentos de tenso, estimar a durao dos afundamentos de tenso e a
escolha de dados estatsticos de faltas para determinar o nmero de ocorrncia destes
distrbios em linhas de distribuio e transmisso.
A eficincia dos programas computacionais junto com a disponibilidade de
softwares no mercado e a possibilidade de utilizar mtodos de simulao, se pode
representar o sistema eltrico com todos seus componentes dando aos setores de
engenharia solues aos problemas.
Neste contexto, esta dissertao tem como objetivo realizar uma anlise comparativa
de resultados de simulaes de afundamentos de tenso utilizando trs metodologias por
meio de programas de clculo de curto circuito. Sendo o primeiro um programa de
clculo de curto circuito pelo Mtodo de Componentes Simtricas (MCS), o segundo
programa pelo Mtodo de Componentes de Fases (MCF) e o terceiro programa de
transitrios eletromagnticos, os quais utilizam mtodos de clculo e de representao
dos componentes da rede eltrica distintos.
Nos primeiro e segundo programas so utilizadas rotinas de clculo de curto circuito
no ambiente MatLab (MATHWORKS, 2001; CHAPMAN, 2003) e so baseados na
resoluo no regime permanente. Por outra parte no terceiro programa utilizado o
software ATP/EMTP (BONNEVILLE, 2010), o qual sua resoluo para o clculo de
curto circuito no domnio do tempo.
A comparao destes dois programas de clculo de curto circuito (MCF e MCS)
com o programa ATP/EMTP pretende avaliar as diferenas destes mtodos, e visando
se a modelagem simplificada do Mtodo de Componentes Simtricas para sistemas
desequilibrados d sua preciso nos resultados dentro dos limites apropriados.
Para satisfazer o objetivo geral deste trabalho se teve que cumprir uma srie de
itens:
- Compilao temtica e bibliogrfica para conhecer o estado da arte ao incio do
trabalho.
- Pesquisa de cada uma das possibilidades mais habituais de clculo e
representao da matriz impedncia encontradas na literatura.
- Desenvolvimento de uma metodologia capaz de ser aplicada de forma geral a
simulao de SEP em computadores pessoais a partir de dados.
- Comprovao e verificao dos modelos matemticos existentes. Proposta e
desenvolvimento de uma nova forma de clculo da matriz impedncia dos
parmetros eltricos envolvidos no SEP.
1.4 Estrutura do trabalho
O trabalho apresenta-se em seis captulos, estruturados da seguinte forma:
- O Captulo 1 uma introduo aos conceitos de qualidade da energia eltrica e
de afundamentos de tenso, onde apresentada uma reviso bibliogrfica sobre
ditos temas.
28

- No Captulo 2 so abordados os conceitos e definies, anlise das causas,
consequncias, resultados de levantamentos experimentais, apresentao de
diversas metodologias de classificao de afundamentos de tenso pelas normas
e recomendaes prticas tanto nacionais como internacionais e o conceito de
rea de vulnerabilidade. Analisa-se tambm a completa caracterizao dos
afundamentos de tenso. No caso clssico atravs de dois parmetros a
magnitude do valor eficaz RMS e durao para eventos monofsicos e trifsicos.
E a caracterizao alternativa, onde se tem em conta a assimetria e o
desequilbrio dos fasores de tenso, a frequncia de ocorrncia e os distintos
tipos de diagrama fasorial dos fasores de tenso. Apresentam-se tambm as
definies de perfil de tenso, salto de ngulo de fase que em ingls chama-se de
phase-angle jump e tambm o ponto de incio e ponto de fim de um
afundamento de tenso.
- O Captulo 3 versa sobre mtodos de simulao: as ferramentas de simulao
(softwares comerciais) e os distintos mtodos de clculo de curto circuito:
simulaes pelo mtodo das componentes simtricas e componentes de fases.
Menciona-se tambm a diferena entre o mtodo de componentes simtricas
para sistemas equilibrados (mtodo convencional) como tambm os
desenvolvimentos para sistemas desequilibrados proposto nesta dissertao de
mestrado. Os equacionamentos gerais para cada mtodo de simulao e os tipos
de faltas so descritos em detalhes, bem como as modificaes propostas para o
algoritmo de componentes simtricas que constituem o estado da arte existente e
os modelos matemticos utilizados. Define-se tambm, as ferramentas e
algoritmos de anlise: os mtodos da distncia crtica e das posies de falta, e
uma comparao entre eles, e finalmente desempenho de uma barra.
- No Captulo 4 apresentado o estudo de caso, ou seja, a implementao dos
mtodos de clculo de curto circuito, o sistema eltrico de distribuio estudado,
as simulaes pelos mtodos descritos no captulo anterior.
- No Captulo 5 apresentam-se os resultados das comparaes dos mtodos de
simulao obtidos atravs da utilizao dos desenvolvimentos propostos. Desta
forma comparam-se os resultados obtidos pelos mtodos das componentes
simtricas para sistemas desequilibrados, das componentes de fases, e o software
ATP/EMTP utilizado como valor de referncia.
- No Captulo 6 so apresentadas as concluses finais deste trabalho, elucidando
os conhecimentos agregados durante o desenvolvimento do mesmo e apresenta-
se tambm a proposta para trabalhos futuros.
1.5 Resumo
Neste primeiro captulo uma introduo geral ao contexto dentro do qual se
desenvolve o trabalho, atravs de uma apresentao resumida dos conceitos de
qualidade de energia eltrica e dos mtodos de clculo de curto circuito vinculados ao
estudo de sistemas eltricos de potncia e as tcnicas de simulao por computador.
Tambm se detalha a justificao da importncia do trabalho desenvolvido em captulos
posteriores.
Alm disso, inclui os objetivos a seguir durante a evoluo do trabalho, tanto gerais
como os particulares, detalhando-se a estrutura geral da dissertao.
29

2 AFUNDAMENTOS DE TENSO
2.1 Introduo
Neste captulo so abordadas as definies e os conceitos bsicos para o
entendimento deste importante distrbio da qualidade da energia eltrica.
Sero apresentadas as definies do afundamento de tenso e suas principais causas.
Estas so: faltas, descargas atmosfricas, energizao e partidas de cargas, conexo do
sistema logo aps uma interrupo, causas diversas. Tambm ser apresentada uma
caracterizao dos afundamentos de tenso e um resumo das principais normas e
recomendaes nacionais e internacionais que abordam os afundamentos de tenso.
2.2 Definies de Afundamentos de Tenso
Sabe-se que um afundamento de tenso uma reduo do valor eficaz RMS da
tenso por um perodo de curta durao, seguido de sua restaurao. Existem
divergncias nas normas quanto metodologia para sua quantificao. A seguir se
mostrar o conceito de afundamento de tenso segundo as diversas instituies:

a. A norma (IEEE Std. 1159, 2009) define afundamento de tenso como: um
decrscimo entre 0,1 e 0,9 pu do valor eficaz da tenso nominal, com durao
entre 0,5 ciclo e 1 minuto. Para um decrscimo com intensidade menor do que 0,1
pu considerado interrupo (IEEE Std. 493, 2007).

b. Segundo a norma (IEC Std. 61000-4-30, 2003) o Afundamento de Tenso
denomina-se de Dip ou Voltage Dip como: uma reduo sbita do valor eficaz
(RMS) da tenso entre 0,01 e 0,9 pu de um ponto do sistema eltrico, seguido de
seu restabelecimento aps um curto perodo de tempo, de 0,5 ciclo a 60 segundos.

c. Segundo o ONS do Brasil, Procedimentos de Rede, no item Padres de
Desempenho da Rede Bsica no Submdulo 2.8, dentre o gerenciamento dos
indicadores de desempenho da Rede Bsica e seus componentes, definem-se as
Variaes de Tenso de Curta Durao (VTCD) como: um evento aleatrio de
tenso caracterizado por desvio significativo, por curto intervalo de tempo, do valor
eficaz da tenso, que por a sua vez dividida em trs fenmenos: Interrupo,
Afundamento e Elevao de Tenso, cada uma delas divididas em momentnea e
temporria (OPERADOR NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO, 2009).

30

Denomina-se:
- Afundamento Momentneo de Tenso o evento em que o valor eficaz da
tenso superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu da tenso nominal,
durante um intervalo de tempo com durao superior ou igual a um ciclo
(16,67 ms ou 0,01667segundos) e inferior ou igual a 3 segundos.
- Afundamento Temporrio de Tenso o evento em que o valor eficaz da
tenso superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu da tenso nominal,
durante um intervalo de tempo com durao superior a 3 segundos e inferior
ou igual a 1 minuto ou 60 segundos.
d. Segundo a ANEEL, o Afundamento Momentneo de Tenso definido como:
evento em que o valor eficaz da tenso do sistema se reduz, momentaneamente,
para valores abaixo de 90% da tenso nominal de operao, durante intervalo
inferior a 3 segundos.
Nos Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica (PRODIST) Mdulo 8 -
Qualidade da Energia Eltrica so definidos os Afundamentos de Tenso
Momentneo e Temporrio:
- Afundamento Momentneo de Tenso: Amplitude da tenso (valor eficaz)
em relao tenso de referncia seja superior ou igual a 0,1 e inferior a
0,9 pu e durao da variao superior ou igual a 1 ciclo e inferior ou igual
a 3 segundos.
- Afundamento Temporrio de Tenso: Amplitude da tenso (valor eficaz) em
relao tenso de referncia superior ou igual a 0,1 e inferior a 0,9 pu e
Durao da Variao superior a 3 segundos e inferior ou igual a 3 minutos.
Os afundamentos de tenso com durao maior que 1 minuto, usualmente so
estudados sob a denominao de sub-tenso ou baixa tenso, (BOLLEN, 2000;
DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY, 2004).
Os parmetros mais importantes do afundamento de tenso so a magnitude
expressa como % ou pu do valor Nominal da tenso, e a durao expressa em ciclos,
milissegundos ou segundos (GMEZ, 2005). E, ainda, segundo (BOLLEN, 2000),
existem outros parmetros que permitem ampliar a caracterizao destes distrbios que
sero analisados no capitulo 3.
Na Figura 2.1 se observam os conceitos de variaes de tenso em funo do tempo
pela norma (IEEE Std. 1159, 2009). Nessa norma so definidas trs faixas importantes
para a definio do afundamento de tenso:
- De curtssima durao (instantneo): durao entre 0,5 e 30 ciclos;
- De curta durao (momentneo): durao entre 30 ciclos e 3 segundos;
- Temporrio: durao entre 3 segundos e 1 minuto.

Segundo a Figura 2.1, define-se os seguintes eventos de variao de tenso:
- SPIKE: Elevao de tenso transitria.
- NOTCH: Sub-tenso transitria.

2.3
O
so a
infor
A
como
O
ser e
trifs
A
parm
2.3.1
A
valor
(200
a oco
Figura 2.1
Caract
Os principai
a magnitude
rmaes sati
Ao analisar
o a assimetr
O comportam
mpregado p
sicos.
A completa
metros:
- Magn
- Dura
- Frequ
- Diag
- Perfi
- Salto
- Pont
1 Magnitu
A magnitud
r da tenso
1), a magni
orrncia do
: Definies
terizao
is parmetr
e e a dura
isfatrias so
afundamen
ria e o deseq
mento din
para caracte
a caracteriz
nitude;
ao;
uncia de o
grama fasori
il da tenso;
o de ngulo
o de incio e
ude
e e durao
eficaz em f
itude do afu
evento (Fig
s de eventos
dos Afun
os que cara
o, os quai
obre o fenm
ntos de tens
quilbrio da
mico assoc
erizar tanto o
zao de u
ocorrncia;
ial (Tipos A
;
de fase (ph
e ponto de f
o do evento
funo do te
undamento d
gura 2.2).
de variao
damentos
acterizam u
is, somados
meno (CAR
o trifsico
as tenses.
ciado evol
os afundam
um afundam
ABCDEFG)
ase angle ju
fim.
o podem ser
empo. Segu
de tenso
o de tenso (
s de Tens
um afundam
s frequnc
RVALHO et
s, outros pa
luo da for
mentos de ten
mento de t
;
ump);
r determina
undo IEEE P
o menor va
(IEEE Std. 1
o
mento de ten
cia de ocorr
t al., 2005).
armetros s
rma de ond
nso monof
tenso requ
das a partir
P1564 e CI
alor da tens

1159-1995).
nso monof
rncia, forn
.
o incorpor
da, tambm
fsicos quan
uer os segu
r da evolu
IGRE WG 3
o eficaz du
31
fsico
necem
rados,
pode
nto os
uintes
o do
36-07
urante

O
(0,9
McG
Apro
const

Fig
S
consi
quan
2.3.2
C
efica
de re
O
90 %
2004
A
O
(ESK
O
most
O afundame
a 0,1pu),
GRANAGHA
oximadamen
tante (HEY

gura 2.2: Ma
Se a tenso
idera-se se
ndo a tenso
2 Durao
Considera-se
az torna-se m
eferncia (te
O fim do af
% da tenso
4; GMEZ
A durao d
- Men
- De 1
- De 2
Os itens ante
KOM-NRS-
O conceito
trado na Fig
ento de tens
em um o
AM; BEA
nte 70 %
YDT, 1991; H
agnitude e d
eficaz inf
uma interr
o eficaz in
o
e que se in
menor do q
enso de con
fundamento
de refernc
2005).
dos afundam
or do que 6
50 a 300 m
2 a 20 segun
es indicado
-048, 1996;
de magnit
gura 2.3.
o tem um
ou mais c
ATY, 2004
a 80 % d
HEYDT; K
durao de u
C
ferior a 10
rupo. Por
ferior a 1 %
niciou um a
que o valor l
ntrato, Nom
de tenso
cia (BOLLE
mentos de ten
ciclos para
milissegundo
ndos Arranq
s so vlido
UNIPEDE,
tude e dur
nvel de ma
condutores
4; GME
dos afundam
KARADAY

um afundam
CIGRE WG
% da tens
r outro lado
% da tenso
afundamento
limite estab
minal, Opera
definido n
EN, 2000; D
nso indica
a faltas gera
os faltas nos
que de Moto
os tanto par
, 2000; ESK
rao do a
agnitude (in
de fase (
EZ 2005;
mentos de
Y; CUMMIN
mento de ten
36-07, 2001
o de refern
o, a norma
de refernc
o de tenso
belecido pel
ativa ou Pr
no moment
DUGAN; M
a a possvel
das no nve
s Sistemas d
or.
ra eventos m
KOM-NRS-
fundamento
ntensidade)
(BOLEN, 2
IEEE Std
tenso so
NGS, 1999)
nso de 20%
).
ncia, segun
IEC, consi
ia.
o quando o
la norma de
Falta).
to que a ten
cGRANAG
causa do m
el de Transm
de Distribui
monofsicos
-048, 2009)
o de tenso
de 90 % a
2000; DUG
d. 493, 2
o de magn
).
%(IEEE P156
ndo norma I
dera interru
valor de te
e 90 % da te
nso supe
GHAM; BEA
mesmo:
misso;
o;
s como trif
.
o monofs
32
10 %
GAN;
2007).
nitude
64 e
IEEE,
upo
enso
enso
rior a
ATY,
sicos
ico

Figu
U
difer
Tamb
trifs
2001
most
para
proce
parm
de um

2.3.3
A
afund
ra 2.3: Mag
Uma falta n
renciar a ma
bm se dev
sicos, sendo
1. Os conce
trados na F
avaliao
edimento ch
metros nic
ma fase (LE
Figur
3 Frequn
A frequnci
damentos p
gnitude e du
o sistema d
agnitude e a
ve definir co
o que para
eitos de ma
igura 2.4. T
do impa
hamado de
cos (magnitu
EBORGNE,
ra 2.4: Magn
ncia de ocor
ia de ocorr
por ano, ou
rao de afu
de potncia
a durao d
omo caracte
estes deve
agnitude e
Tanto para
acto de fe
agregao
ude, dura
, 2003).
nitude e dur
rrncia
rncia de
u seja, a q
undamento
048, 2
pode afetar
do afundame
erizar os af
e-se seguir
durao do
o clculo d
enmenos
de fases, co
o, etc.) a um
rao de afu
afundament
quantidade
de tenso m
2009).
r uma, duas
ento de tens
fundamento
a IEEE P1
o afundame
dos indicad
sobre equ
onsistindo e
m afundame
ndamento d
tos conside
de vezes
monofsico (E
s ou as trs
so resultan
s de tenso
1564 e CIG
ento de tens
dores de de
uipamentos
em atribuir
ento que se
de tenso tri
era-se com
que cada c

ESKOM N
fases. Pode
nte em cada
para os ev
GRE WG 3
so trifsico
sempenho
utilizad
um conjun
registre em

fsico.
mo o nmer
combinao
33
NRS -
em-se
a fase.
ventos
36-07,
o so
como
do o
nto de
m mais
ro de
o dos
34

parmetros, amplitude e durao, ocorre em determinado perodo de tempo, ao longo do
qual um barramento tenha sido monitorado (IEEE Std. 493, 2007). Conecta-se um
medidor a uma barra do sistema e aps um ano de monitorao tem-se o desempenho da
mesma. (DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY, 2004; GMEZ, 2005).
Num mtodo de estimativa necessitamos de dados estatsticos a respeito da
frequncia de ocorrncia de faltas no sistema. importante ressaltar que quanto mais
perto do real estes dados estiverem, mais precisa ser a estimativa.
Para eventos que no so to comuns, um longo perodo de monitorao
necessrio para obter resultados estatsticos confiveis. A Tabela 2.1 (CONRAD;
LITTLE; GRIGG, 1991; COMPANHIA PARANAENSE DE ENERGIA, 1996) mostra
o resultado de um estudo feito a respeito do tempo necessrio para monitorao de
afundamento de tenso. Para um evento que ocorra uma vez por semana, tm que
monitorar quatro meses para obter uma preciso de 50 % e sete anos para obter uma
preciso de 90 %.
Tabela 2.1: Perodo mnimo de monitorao para uma determinada preciso.
Frequncia do evento 50% de preciso 90% de preciso
1 por dia 2 semanas 1 ano
1 por semana 4 meses 7 anos
1 por ms 1 ano 30 anos
1 por ano 16 anos 400 anos
Os nmeros da Tabela 2.1 foram obtidos a partir de uma estatstica baseada na
distribuio de Poisson.
O nmero de ocorrncia de afundamento de tenso est relacionado com o sistema
de religamento do sistema de proteo e com a origem dos curtos-circuitos no sistema
eltrico.
Existem tambm outras duas metodologias para contabilizar os afundamentos de
tenso devidos aos religamentos. A primeira metodologia considera todos os
afundamentos de tenso registrados, resultando em um nmero sobrestimado de
eventos. A segunda metodologia consiste em associar os registros de afundamentos
falta que os originou e, desta maneira, para cada falta na rede ser contabilizado um
nico distrbio. A sequncia de afundamentos pode se agrupar pelo meio de agregao
temporal dos distrbios. Com ajuda de uma janela de tempo so agregados todos os
eventos (afundamentos de tenso) que acontecem naquele intervalo em estudo.
Geralmente utilizado um intervalo de agregao de aproximadamente um minuto, para
acomodar a sequncia de operao tpica dos religadores automticos (LEBORGNE,
2003).
2.3.4 Diagrama fasorial (Tipos A, B, C, D, E, F, G)
Diferentemente dos outros mtodos, onde a caracterizao do afundamento de
tenso feita atravs da magnitude e da durao, este mtodo proposto por M. H. J.
Bollen (2000) considera a assimetria e desequilbrio dos fasores de tenso durante o
distrbio. Devido a isto, efeitos importantes podem ser desprezados, permitindo que os
comportamentos dos equipamentos sensveis, principalmente os trifsicos, possam ser
avaliados diante destas outras caractersticas dos afundamentos de tenso (BOLLEN,
2000; BOLLEN; GU, 2006).

O
trifs
eltri
Para
posit
facili
afund
Se a
muda
difer
de al

Fig
O
por f
mono
ser c
Y.
O mtodo c
sicas, bifsi
icos estrela
o caso das
tiva, negati
itar o dese
damentos d
as impednc
ana nas te
rena no
ltas impedn
Figura 2.5
gura 2.6: Tr
Os afundam
faltas assim
ofsicas, os
ausado por
consiste na
icas e mono
e delta (Y e
componen
va e zero
envolvimen
de tenso trif
cias de seq
enses das f
significativ
ncias, a sob
5: Quatro tip
rs tipos de a
mentos de t
mtricas sen
s de tipo C
uma falta m
a teoria das
ofsicas; as
e ); e dos
ntes simtric
da fonte s
nto analtic
fsicos dese
quncia pos
fases no fa
va. Se o sist
re tenso na
pos de afund
(
afundament
tipo A so
ndo que os
C e D pode
monofsica
s componen
diferentes
diferentes t
cas consider
so todas ig
o, o que
equilibrados
sitiva e zer
faltosas. Se
tema ater
as fases no
damentos de
(BOLLEN;
tos devido
o devido s
afundamen
em ser devi
e a medio
ntes simtr
conexes u
tipos de con
ra-se que as
guais, esta
resulta em
s mostrados
ro so difer
o sistema
rrado atrav
o faltosas po
evido falta
GU, 2006).
falta bifsic
faltas trif
ntos de tip
ido faltas
o realizada
ricas e con
utilizadas no
nexes dos t
s impednc
simplifica
m sete tipo
s na Figura
rentes, tamb
aterrado s
s de resist
ode ser de m

a trifsica e m
.

ca (BOLLE
sicas (sim
po B so
bifsicas. O
a aps um t
nsidera as f
os equipam
transformad
cias de sequ
o feita
os principai
2.5 e Figur
bm existe
solidamente
ncias ou at
mais de 70%
monofsica
EN; GU, 200
tricas) e de
devido s
O tipo C
transformad
35
faltas:
mentos
dores.
uncia
para
is de
a 2.6.
uma
e esta
travs
%.
06).
emais
faltas
pode
dor -
36

- Falta Trifsica-Terra: o afundamento gerado equilibrado e no sofre influncia
do tipo de conexo do transformador e nem da carga. Chama-se afundamento de tipo
A. Este tipo de afundamento mostra-se na Figura 2.7.

- Falta Fase-Terra: existe afundamento desequilibrado de tenso, ou seja,
afundamento somente na fase defeituosa e dizer afundamentos de tipo B como se
mostra na Figura 2.8. Este tipo de afundamento contm componente de tenso de
sequncia zero, raramente percebidos nos terminais das cargas, devido filtragem dos
transformadores com conexo -Y. No caso em que a carga estiver ligada em Y, no
existir mudana no afundamento, ou seja, segui sendo afundamento do tipo B.
Contudo, se a carga estiver conectada em sentir uma queda na amplitude e mudana
no ngulo das duas fases no faltosas, e a terceira fase retornar posio normal, este
tipo de afundamento chamado de tipo C e mostrado na Figura 2.9.
O diagrama fasorial tipo C tambm representa a transformao do afundamento
atravs de um transformador -Y, onde a carga conectada em Y no secundrio. No
caso que a carga estiver conectada em , ir experimentar uma queda de tenso nas trs
fases com mudana de ngulo em duas delas, o diagrama fasorial que representa este
tipo de afundamento mostrado na Figura 2.10 e chamado de afundamento Tipo D.

- Falta Fase-Fase: existe afundamento desequilibrado de tenso, ou seja,
afundamento de tenso e mudana de ngulo nas duas fases faltosas, sendo que a
terceira no se modifica nem em mdulo nem ngulo, chama-se afundamento do Tipo
C. Em caso que a carga seja conectada em Y no existir mudana no afundamento,
mas se ela estiver conectada em , existir afundamento nas trs fases e mudana de
ngulo em fases faltosas, chama-se afundamento do Tipo D.
Se a falta Fase-Fase ocorre no lado primrio de um transformador conectado em -
Y uma carga conectada em Y no secundrio experimentar um afundamento do Tipo
D, se uma carga conectada em sentir um afundamento do Tipo C.
- Falta Fase-Fase-Terra: existe afundamento desequilibrado de tenso, ou seja,
afundamento de tenso e mudana de ngulo nas duas fases faltosas, sendo que a
terceira se modifica em mdulo, mas no em ngulo, este tipo de afundamento chama-
se afundamento do Tipo F e mostrado na Figura 2.12.

Para os distintos tipos de falta Fase-Fase-Terra existe um equivalente de falta Fase-
Terra. Por exemplo, um afundamento de Tipo F equivalente a um de Tipo D,o
afundamento de Tipo G (Figura 2.13) equivalente a um de Tipo C e o
afundamento de Tipo E equivalente a um de Tipo B. O afundamento de tenso
Tipo E mostrado na Figura 2.11.
Na continuao se descreve cada um dos tipos de afundamentos:

- Afundamento Tipo A
( ) (0)
1 1
( ) ( 3 )
2 2
1 1
( ) ( 3 )
2 2
Va V j
Vb V j V
Vc V j V
= +
=
= +
(2.1)

- Afu
- Afu
Figura
undamento T
Figura
undamento T
Figura
a 2.7: Diagra
Tipo B
a 2.8: Diagra
Tipo C
a 2.9: Diagra

ama fasorial

Va
Vb
Vc
=
=
=

ama fasorial
(1)
(
(
Va
Vb
Vc
=
=
=

ama fasorial
l e formas d
( ) (0)
1 1
( ) (
2 2
1 1
( ) (
2 2
V j
j
j
+

+
l e formas d
) (0)
1 1
) ( 3
2 2
1 1
) ( 3
2 2
j
j
j
+

+
l e formas d
e onda - Afu
3)
3)

e onda - Afu
3 )
3 )
V
V

e onda - Afu
undamento
undamento
undamento

Tipo A.

Tipo B.

Tipo C.
37
(2.2)
(2.3)

- Afu

- Afu

- Afu
undamento T
Figura
undamento T
Figura
undamento T
Tipo D
V
V
V
2.10: Diagra
Tipo E
2.11: Diagr
Tipo F
Va
Vb
Vc
( ) (
1
( )
2
1
( )
2
Va V j
Vb V
Vc V
= +
=
= +

ama fasoria
Va
Vb
Vc
=
=
=

ama fasoria
( ) (0
1
( )
2
1
( )
2
V j
V
V
= +
=
= +
(0)
1
( 3 )
2
1
( 3 )
2
j V
j V
+
al e formas d
(1) (0)
1
( )
2
1
( )
2
j
V j
V j
= +
=
= +
al e formas d
0)
1 1
( 3
3 6
1 1
( 3
3 6
j
j
+
+

de onda - Af
1
( 3 )
2
1
( 3 )
2
j V
j V

de onda - Af
3 )
3 )
V
V

fundamento

fundamento

Tipo D.

Tipo E.

38
(2.4)
(2.5)
(2.6)

- Afu

A
carac
afund
atrav
Segu
se se
tipo d
G (B
no
de tr
E, o
sequ
sequ
tens
O
cinco
estre
Figura
undamento T
Figura
As propaga
ctersticas n
damento e a
vs dos qua
undo os auto
ete tipos de
de conexo
BOLLEN, 2
considerad
ansformado
s quais tm
ncia zero.
ncia zero
o de sequn
Os afundam
o tipos de
la com um
2.12: Diagr
Tipo G
Va
Vb
Vc
=
=
=
2.13: Diagra
aes dos
no apenas
a carga, ma
is se propa
ores Bollen,
afundamen
do transfor
000) descri
da a elimina
ores. Destes
m origem e
Quando a
em aberto,
ncia zero (B
mentos de te
conexes d
lado no a

ama fasoria
2 1
( )
3 3
1 1
(
3 6
1 1
(
3 6
V
V
V
= +
=
=

ama fasoria
afundamen
devido
as tambm p
gam e da c
, M. H. J. e
nto de tens
rmador e da
itos anterior
ao da ten
s afundamen
em faltas fa
aplicados ao
esses afund
BRITO; LEA
enso sofre
de transform
aterrado (YN
al e formas d
(0)
1
) ( 3
2
1
) ( 3
2
j
V j V
V j V
+
+
al e formas d
ntos de ten
impedncia
por causa do
conexo da
Zhang, L. (
o trifsicos
a carga, clas
rmente. Por
so de sequ
ntos de tens
ase-terra e
o primrio
damentos d
AO, 2006).
em modifica
madores: es
Ny, Yyn);
de onda - Af
)
)
V
V

de onda - Af
nso pela r
a de transf
o tipo de co
prpria car
(BOLLEN,
s como resu
ssificados c
rm, nesses
uncia zero
so especifi
fase-fase-te
de transfor
de tenso mu
aes ao pa
strela-estrela
delta-delta
fundamento
fundamento
rede eltric
ferncia ent
onexo dos
rga (BRITO
1997; ZHA
ultado do ti
omo tipo A
estudos, po
em alguns t
icados some
erra, aprese
rmadores c
udam suas
assar atrav
a aterrada (
(Dd); estre

Tipo F.

Tipo G.
ca mudam
tre a origem
transforma
O; LEAO, 2
ANG, 2000)
ipo de falta
A, B, C, D, E
or simplific
tipos de con
ente os tipo
entam tens
com circuito
component
s dos segu
(YNyn); es
ela aterrada-
39
(2.7)
suas
m do
adores
2006).
) tem-
a e do
E, F e
cao,
nexo
os B e
o de
os de
tes de
uintes
strela-
-delta
40

(YNd) e estrela no aterrada-delta (Yd) (BRITO; LEAO, 2006). Uma questo
importante para destacar que as tenses no secundrio de transformadores com
conexo estrela-estrela com resistncia de terra dependem da magnitude da resistncia.
Para valores de resistncias baixas, o transformador comporta-se como solidamente
aterrado e as tenses de sequncia zero do primrio e do secundrio tornam-se iguais.
Para valores muito elevados de resistncia, o transformador comporta-se como um Yy
no aterrado; logo, ocorre remoo da tenso de sequncia zero do primrio.
Define-se uma varivel de nome h (0 h 1) qual indica a severidade na magnitude
e na abertura angular resultante do afundamento de tenso. Para um dado valor de h, os
diferentes tipos de afundamentos de tenso apresentam diferentes severidades, onde so
apresentados na Tabela 2.2 (BRITO; LEAO, 2006; RIBEIRO; MENDES, 2009) Em
geral, a menor magnitude entre as trs tenses fase-neutro ou fase-fase define a
severidade de um afundamento de tenso (DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY,
1996).
Tabela 2.2: Representao matemtica para cada tipo de afundamento de tenso com
severidade h (BRITO; LEAO, 2006; RIBEIRO; MENDES, 2009).
Tipo A Tipo B
1 3
2 2
1 3
2 2
a
b
c
V hV
V hV j hV
V hV j hV
=
=
= +

1 3
2 2
1 3
2 2
a
b
c
V hV
V V j V
V V j V
=
=
= +

Tipo C Tipo D
1 3
2 2
1 3
2 2
a
b
c
V V
V V j hV
V V j hV
=
=
= +

1 3
2 2
1 3
2 2
a
b
c
V hV
V hV j V
V hV j V
=
=
= +

Tipo E Tipo F
1 3
2 2
1 3
2 2
a
b
c
V V
V hV j hV
V hV j hV
=
=
= +

( )
( )
1 3
2
2 12
1 3
2
2 12
a
b
c
V hV
V hV j h V
V hV j h V
=
= +
= + +

Tipo G
( )
( )
( )
1
2
3
1 3
2
6 2
1 3
2
6 2
a
b
c
V h V
V h V j hV
V h V j hV
= +
= +
= + +

Na Tabela 2.3 pode-se observar o tipo do afundamento que experimenta uma carga
dependendo da sua conexo: estrela (tenso linha-neutro) ou delta (tenso linha-linha)
em funo do tipo de falta: trifsica (FFF ou FFFT), bifsica (FF), bifsica-terra (FFT) e
fase-terra (FT) (BRITO; LEAO, 2006).
41

Tabela 2.3: Relao entre tipo de falta, tipo de afundamento e conexo da carga.
Tipo de
falta
Conexo da carga
Estrela Y Delta
FFFT A A
FFT E F
FF C D
FT B C

A Tabela 2.4, construda a partir das expresses da Tabela 2.2, apresenta a relao
existente entre os afundamentos de tenso dependendo do tipo de conexo da carga
(BRITO; LEAO, 2006).

Tabela 2.4: Relao entre afundamentos de tenso em cargas com conexo estrela e delta.
Conexo da
carga
Tipo de afundamento no primrio
Estrela A B C D E F G
Triangulo A C D C F G F

Na Tabela 2.5 mostra as anlises e clculos dos afundamentos de tenso, o tipo de
conexo dos transformadores existentes entre o local da falta e a carga poder
influenciar significativamente na magnitude e no ngulo de fase do afundamento
(RIBEIRO; MENDES, 2009).
Tabela 2.5: Transformao do tipo de afundamento no secundrio do transformador.
Conexo do
transformador
Tipo de afundamento no primrio
A B C D E F G
YNyn A B C D E F G
Yy, Dd, Dz A D C D G F G
Yd, Dy, Yz A C D C F G F
2.3.5 Perfil de tenso
Segundo vrios autores (DUGAN; McGRANAGHAM; BEATY, 2004; GMEZ
2005; BOLLEN; GU, 2006) o perfil da tenso durante um afundamento pode indicar a
origem do mesmo. Distintos casos sero detalhados a seguir.
A partida de um motor tem dois picos, um de magnitude baixa, ao inicio, devido
conexo de circuito indutivo, seguida de uma reta quase constante at que chega a uma
velocidade de regime e a magnitude aumenta rapidamente como mostrada na Figura
2.14. Em outras palavras a tenso tem um comportamento inverso corrente de partida.
No caso da energizao de transformadores, o afundamento de tenso mximo
apresenta-se em uma fase devido s condies de magnetismo remanente e ngulo de
conexo. No registro de tenso nota-se a queda brusca e a recuperao suave. Sua
caracterstica de afundamento de forma de onda deformada e unidirecional com
atenuao exponencial (GREENWOOD, 1991; BOLLEN; GU, 2006).

Fig
U
vazio
tens
grand
(IEE
clara
tens
deter
trans
Fig
O
apres
sobre
moto
A
afund
rea
impe
falta
2.17.
ura 2.14: Af
Um exemplo
o mostrad
es eficazes
de corrente
EE Std. 493
amente visv
o devido
rminada pel
sformador (B
gura 2.15: A
Outra causa
senta ao re
e corrente
ores e equip
A causa ma
damentos d
o da carg
edncia de
e aumentan
.
fundamento
o de uma q
do na Figur
s RMS duran
e (corrente
3, 2007; IE
vel. Esta
energizao
lo decaimen
BOLLEN; G
Afundamento
a do afunda
conectar um
devida
amentos qu
ais frequen
de magnitud
a (IEEE S
evida ao ar
ndo o afund
o de tenso p
queda de ten
a 2.15, ond
nte um ciclo
inrush ou
EEE Std.
uma parte
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nto do valo
GU, 2006).
o de tenso c
P1564
amento de
m sistema a
perda de d
ue permanec
nte dos afu
de no cons
Std. 493, 20
rco que ion
damento de
provocado p
nso devido
de em dita f
o at cerca
de magne
1159, 2009
e important
ormador. Ou
or da const
causado por
4 e CIGRE W
tenso bast
aps um pe
diversidade
ceram conec
undamentos
stante devid
007; IEEE
niza o ar pr
e tenso, co
pela partida
o energiza
figura se m
de 30 ciclos
tizao) qu
9). O dese
te para con
utra parte
ante de tem
r energiza
WG 36-07, 2
tante freque
erodo curto
de cargas d
ctados, part
s de tenso
do varia
Std. 1159
ovocando u
omo mostra

de motor (G
ao de um
mostra o com
s. A energiz
ue se estab
equilbrio e
nceituar o
a recupera
mpo do flux
o de transfo
2001).
ente a so
o ou longo
do sistema,
tindo simult
o so as fa
o da imped
9, 2009). E
um aumento
ado na Figu
GMEZ, 20
transforma
mportament
zao leva a
biliza lentam
entre as fa
afundament
o expone
xo do ncle
ormador (IE
obrecarga q
de tempo.
, ou seja, s
taneamente.
altas que g
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Esta varia
o da corren
ura 2.16 e F
42
005).
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.
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Figura

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A
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E
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Fig
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sistem
de um
moto
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O
(Pon
A

ura 2.16: Va
A partida ou
fases segui
ma corrente
vras, a parti
Em sistemas
urta durao
LEN, 2006)
gura 2.17: V
Torna-se fun
ma eltrico
ma falta. In
ores, suaviza
perao (G
O mesmo co
nto do Acop
A modelage
- Gran
- Falta
- A co
sema
- A po
(disp
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u arranque d
idas por um
e nas trs fa
da do moto
s de baixa t
o de tenso
).
Variao da m
ndamental o
, como por
nicialmente
ando as ten
MEZ et al
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m exata da
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osio e c
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magnitude de
de motores
ma lenta re
ases, a qued
r resulta em
tenso, gran
o durante a
magnitude d
o conhecim
exemplo, m
tais cargas
nses iniciai
l., 2002).
nto ocorre q
omum).
carga um
de tipos de
ao precisa
variante d
o do ano e co
onsumo da
e um afunda
(GMEZ
leva a uma
ecuperao.
da de tenso
m um afunda
ndes cargas
partida ou
de um afund
falha (GM
mento do com
motores de
s comportam
is e finais, o
quando se d
ma tarefa dif
cargas;
a a respeito
a carga de
ondies cl
as cargas n
amento de te
Z, 2005).
queda de t
Como um
o a mesm
amento equ
s monofsic
at mesmo
damento de
MEZ, 2005).
mportament
grande pot
m-se como
ou seja, suav
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cil devido a
da composi
ependendo
imatolgica
no so ge
enso por io
enso sbit
m motor de
ma nas trs f
ilibrado.
cas podem
durante a o

tenso por d
to das carga
tncia, dura
geradores
vizando no
cogerao
a vrios fato
io da carg
das horas
as e atmosf
eralmente d
onizao de
a simultne
induo le
fases. Em o
levar a redu
operao no
desionizao
as conectad
ante a ocorr
e a seguir
decrscimo
jusante do
ores:
ga;
do dia, dia
ricas;
dados acess
43
falha
ea nas
eva a
outras
ues
ormal
o de
das ao
rncia
como
o e na
PAC
as da
sveis
44

A seguir, so apresentados modelos tpicos de cargas:
- Impedncia constante;
- Corrente constante;
- Potncia constante;
- Polinomial: uma relao de potncia/tenso de expresso polinomial;
- Exponencial: uma relao de potncia/ tenso de expresso exponencial;
- Dependente da frequncia: uma funo exponencial ou polinomial
multiplicada pelo um fator ou termo que tem a varivel frequncia.
No caso de uma recuperao de tenso aps a eliminao da falta, o instante da
recuperao da tenso, corresponde ao momento quando o disjuntor elimina a falta do
sistema. Os disjuntores eliminam a falta quando a corrente de falta tem um cruzamento
por zero. Seja cos o fator de potncia da corrente de falta. Ento, a corrente passando
por zero ocorre em um ngulo para a tenso pr-falta ou 180 mais tarde. O ponto da
onda de recuperao de tenso aps um afundamento devido a uma falha , portanto,
ou +180 (BOLLEN; GU, 2006).
A tenso aps a recuperao pode ser escrito como:
( ) ( ) v t Sen t e = + (2.8)
Com t = 0 no instante em recuperao. A recuperao da falta nem sempre ocorre no
mesmo instante para as trs fases. O ngulo da corrente de falta ser diferente para
diferentes tipos de defeitos, mas em geral eles so encontrados no mesmo intervalo de
valores: 45 a 60 para faltas em sistemas de distribuio; de 75 at 85 para faltas em
sistemas de transmisso. Consideramos apenas sistemas solidamente aterrados na
presente seco (BOLLEN; GU, 2006).
2.3.6 Salto de ngulo de fase (phase-angle jump)
A tenso fundamental de curto pode ser usada para caracterizar o evento. A
vantagem de usar a tenso fundamental que a informao do ngulo de fase obtida.
Para obter a tenso fundamental o conceito de janela deslizante usado tal como ocorre
para a obteno da tenso eficaz. Vrios mtodos so possveis para extrair as
componentes fundamentais da tenso. O mtodo mais utilizado a Transformada de
Fourier Discreta (DFT). Os diferentes mtodos do todos os mesmos resultados para um
sinal estacionrio, mas so diferentes para os transitrios no afundamento de tenso, que
ocorrem no inicio e recuperao de tenso (IEEE Std. 493, 2007).
Aplicando o conceito de janela deslizante os resultados sero uma tenso complexa
como uma funo do tempo. O valor absoluto desta tenso complexa est prximo do
valor da tenso eficaz. O comportamento de ngulo de fase descrito a seguir.
O salto de ngulo de fase (t) em ingls chamado phase-angle jump ou phase shift
caracterizado pela diferena entre o argumento do sinal real de tenso V(t) medido no
instante t e o argumento de um fasor que representa a evoluo da tenso no tempo de
uma senoide ideal, conforme expresso
0
(t). O salto de fase (t) calculado atravs da
expresso (2.10). Em outras palavras: a diferena entre os ngulos de fase das tenses
fundamentais existentes antes e durante o afundamento de tenso (IEEE P1564 e
CIGRE WG 36-07, 2001).

A
garan
O
A
ideal
2.3.7
O
quan
carac
limit
ser o
P156
O
quan
A expresso
ntir que o n
Onde:
f
0

0
(t)
(t)
A Figura 2.1
l (
0
), bem c
Figura 2.18
7 Ponto de
O ponto de
ndo inicia o
cterstica de
taes na di
obtido atrav
64 e CIGRE
O ponto de
ndo a mesm
o seguinte
ngulo result
frequncia
) argume
evolu
salto de
18, mostra
como para u
8: Argument
e incio e po
incio do
o afundame
e simples d
gitalizao
vs da utili
E WG 36-07
e fim de af
ma volta a
( )
0
t | =
( ) t =
( ) = t
(derivada
tante no inte
( ) = t ar
a fundament
ento da ten
o sem dist
ngulo de fa
o argument
um afundam
to da tenso
onto de fim
afundament
ento (IEEE
efinio n
dos sinais d
izao de f
7, 2001; IEE
fundamento
seu valor
( ) { }
arg 0 V =
( ) { } t V arg =
(
( )
=
j
V
t V
2
0
arg
das expres
ervalo -180
(
( )
V
V
exp 0
rg
tal (50 ou 60
nso fundam
trbio;
ase no insta
to da tenso
mento de ten
e salto de
m do afunda
to represe
P1159.2,
o fcil de
da tenso. O
filtros pass
EE Std. 493
o represen
de refernc
0
2 f t t +
( ) t
0
|
)
)
`
t f
0
2t

ses anteri
e 180.
( )
{ }
)
`
t f j
t
0
2 p t

0 Hz);
mental no
nte t.
o fundamen
nso ( arg(V
ngulo de fas
amento
entado pelo
1998; IEEE
e ser extrad
O ponto de i
a alto, util
, 2007).
ntado pelo
cia (IEEE

ores) pode

instante t,
ntal para um
V(t)) ).

se (LEBORG
o ngulo de
E Std. 1159
da das med
inicio do af
izados em
ngulo de
P1159.2, 1

(
(
ser usada
(
consideran
ma onda sen
GNE, 2007)
e fase da te
9.3, 2003).
dies, devi
fundamento
wavelets (
e fase da te
1998; IEEE
45
(2.9)
(2.10)
(2.11)
para
(2.12)
ndo a
noidal
).
enso
Esta
do s
pode
(IEEE
enso
E Std.
46

1159.3, 2003). Este ngulo no est definido para afundamentos devido a partidas de
motores e energizao de transformadores (IEEE P1564 e CIGRE WG 36-07, 2001).
Alguns tipos de equipamentos, sobre tudo os rels eletromecnicos e contatores,
demonstraram ser afetados pelo ponto da onda de tenso do terminal no instante que
comea o afundamento de tenso (DJOKIC, MILANOVIC, KIRSCHEN, 2004).
2.4 Causas dos Afundamentos de Tenso
Os principais fenmenos que provocam afundamentos de tenso na rede eltrica
so:
2.4.1 Faltas
Falta em um circuito eltrico caracterizada por qualquer falha que interfira no
fluxo de corrente deste circuito (GRAINGER; STEVENSON, 1996).
Trata-se de sobrecargas excessivas (curtos-circuitos), produzindo o funcionamento
anormal do sistema. Estima-se que as faltas distribuem-se, quanto ao nmero de
ocorrncias, da seguinte maneira: 50% monofsicas; 20% bifsicas e 30% trifsicas
(EPRI, 1983; GMEZ, 2005). Estes valores so restritos a cada situao no se pode
afirmar que so vlidos sempre.
Os curtos-circuitos no sistema eltrico causam a abertura de disjuntores para isolar o
defeito do sistema eltrico restante. Se o defeito no isolado o distrbio transmitido
ao sistema eltrico restante, causando sub-tenses ou sobre-tenses, e tambm
interrupes.
No prximo capitulo, sero descritos os tipos de faltas que podem ocorrer em um
SEP.
2.4.2 Descargas atmosfricas
As descargas atmosfricas tanto diretas e indiretas sobre as linhas de transmisso e
distribuio causam os fenmenos denominados surtos de tenso (sobre tenses), e estes
so caracterizados pelo tempo de subida (ou tempo de crista), tempo de queda (ou
tempo de cauda) e pelo valor de pico da tenso. Em geral, os surtos so caracterizados
por serem de frequncia normalmente superior a 5 kHz e durao menor que 200 s.
Em sistemas com boa manuteno as faltas que acontecem so devidas quase
exclusivamente a fenmenos atmosfricos, e estes podem ser controlados, mas no
evitados. Os supressores de surto (para-raios polimricos) de sobre-tenso impedem os
danos aos dispositivos do circuito, mas a sua interveno gera afundamentos de tenso.
Segundo (GMEZ, 2005; SANKARAN, 2002) em certos sistemas de distribuio as
descargas atmosfricas causam de 70 % a 80 % dos afundamentos de tenso. As sobre
tenses, que em alguns casos rompem a isolao da cadeia de isoladores, ocasionam
curtos circuitos fase-terra. Que pode se correlacionar com o nmero esperado de
afundamentos de tenso como o nvel cerunico da regio (CONRAD; LITTLE;
GRIGG, 1991). De fato no todas as descargas atmosfricas resultam em curtos-
circuitos e consequentemente em afundamentos de tenso; a maioria dos sistemas
eltricos projetado para manter operao normal para perto de 95% das sobre tenses
de origem atmosfricas.

2.4.3
A
ou c
afund
afund
ilumi
de um
Fig
O
por e
banc
sistem
eltri
onda
1159
tamb
Figu
3 Energiza
A energiza
com baixos
damentos d
damentos s
inao (G
m motor se
gura 2.19: A
Os chaveam
exemplo: a
os de capa
ma eltrico
ica, mas po
a da energia
9, 2009). Po
bm o valor
ura 2.20: Af
ao e part
o e partid
nveis de
de tenso (SA
so motores
MEZ, 2005
observa na
Afundamento
mentos de eq
a entrada em
citores, lon
. Estes em
dem trazer
a eltrica for
odem-se ob
instantneo
fundamento
tidas de car
da de cargas
agregao,
ANKARAM
s, transform
5). O compo
Figura 2.19
o de tenso c
C
quipamento
m operao
ngas linhas
geral, no
transtornos
rnecida pela
servar tais
o, na Figura
de tenso R
rgas
s indutivas,
produz tra
M, 2002). A
madores e
ortamento d
9.
causado pel
CIGRE WG
os que dema
o ou a ene
de transmis
chegam a i
s ao process
a concessio
comportam
a 2.20.
RMS e Insta
07, 2
tambm ch
ansitrios d
As principai
tambm al
da tenso ef
la partida de
36-07, 2001
andam altas
ergizao de
sso pode
interromper
so de produ
onria (IEEE
mentos da te
antneo (IEE
001).
hamadas ca
de conexo
s cargas cuj
guns tipos
ficaz provoc

e um motor
).
s correntes
e grandes t
em produzi
r o fornecim
o pois alt
E Std. 446,
enso do va
EE P1564 e C
argas indivi
que causa
ja partida pr
de circuito
cada pela pa
(IEEE P156
de energiza
transformad
ir transitri
mento de en
teram a form
1987; IEEE
alor eficaz,

CIGRE WG
47
iduais
am os
roduz
os de
artida
64 e
ao -
dores,
os ao
nergia
ma da
E Std.
como
G 36-
48

2.4.4 Conexo de parte ou da totalidade do sistema logo aps uma interrupo
A conexo de parte ou da totalidade do sistema, instantes aps uma interrupo,
denomina-se partida em quente se a interrupo foi de uma durao da ordem de 3 a 10
minutos e partida em frio em caso contrrio. Estudos sobre partidas em quente esto
relacionados com esquemas de proteo usando religadores e fusveis (GMEZ, 2005).
A reduo repentina da tenso de fornecimento, seguida por sua recuperao tal como
descrito, causa o fenmeno descrito como afundamento de tenso.
2.4.5 Causas diversas
Existem diversos fatores que contribuem para ocorrncia de curtos circuitos como as
queimadas acidentais ou intencionais debaixo de linhas de transmisso, sub-transmisso
e distribuio, contatos acidentais nas redes de distribuio, vendavais, vandalismo,
acidentes rodovirios, ramos de rvores, contatos de aves e animais, etc. (SANKARAN,
2002; LEBORGNE, 2003).
Outras causas so a poluio ambiental e a maresia. No caso da fuligem ambiental
gerada pelas indstrias, automotores, etc., esta depositada sobre os isoladores e
equipamentos, e em contato com a umidade provoca a ocorrncia de faltas a terra
(correntes de contorno) devido s sobre tenses tanto de manobra ou de origem
atmosfrica (LEBORGNE, 2003).
2.5 Consequncias do Afundamento de Tenso nas Cargas
A sensibilidade dos equipamentos que experimentam o efeito do afundamento de
tenso depende diretamente da capacidade (imunidade) do equipamento de uso final da
energia. A capacidade est relacionada com a tenso mnima para funcionamento
estvel (tenso de projeto) e com a energia armazenada no equipamento em estudo, seja
no campo eltrico, magntico ou na inrcia das massas em rotao.
A competitividade entre os fabricantes provocou a reduo do armazenamento de
energia nos dispositivos, devido a isto so mais susceptveis aos afundamentos de
tenso (GMEZ, 2005).
As fontes de informao atuais so duas:
- Informao fornecida pelo fabricante;
- Resultados de levantamentos de dados experimentais.
2.5.1 Informao fornecida pelo fabricante
Trata-se simplesmente de um par de pontos ou pares ordenados de pontos ou
tambm grficos de coordenadas similares as curvas CBEMA e ITIC. O usurio, ao
contar com coordenadas de um s ponto define dois segmentos, um vertical e outro
horizontal. Significa que o equipamento suporta interrupes de menor durao que a
coordenada de tempo e suporta por tempo indefinido qualquer afundamento de tenso
de magnitude maior que a coordenada do ponto (GMEZ, 2005).
De maior utilidade seria se o fabricante de equipamentos sensveis proporcionasse
informao sobre o nvel de imunidade de seus aparelhos como o caso de curva
tempo-tenso que somente dar um ponto relacionado com a curva.
49

A norma (IEEE Std.1346, 1998), seguindo o critrio do ponto nico, estabelece
valores de tolerncia de tenso para os equipamentos sensveis indicando trs valores
correspondentes faixa tpica superior, meio e baixo, disponveis no mercado.
As cargas mais sensveis aos afundamentos de tenso so: PLCs, Acionamento de
motores (variador de velocidades), Rels, Contatores, PCs. Os citados valores se
transcrevem na Tabela 2.6 seguinte e a modo de exemplo, se mostra na Figura 2.21 os
valores tpicos de acionamento de motores.
A imunidade ou tolerncia de todos estes equipamentos diversa, at para um
mesmo tipo de equipamento a imunidade depende da marca e do modelo do
equipamento. A Tabela 2.6, tomada da norma IEEE Std. 1346, 1998 d faixas de
imunidade de distintos tipos de equipamentos atualmente em uso.
Tabela 2.6: Nveis de imunidade definidos pela IEEE Std. 1346 - 1998.
Imunidade
Equipamento
Mnima
% ms
Mdia
% ms
Mxima
% ms
PLC

75 15 62 270 48 620
Porto (Card) de entrada PLC 82 20 55 40 32 40
ASD 82 15 77 50 60 85
Rel AC 77 10 68 15 60 35
Arrancador 60 15 50 50 40 85
PC

80 35 60 50 50 65
Os valores apresentados na Tabela 2.6 devem ser interpretados da seguinte forma.
Uma imunidade de 15 ms e 75 % implica que o equipamento pode tolerar uma tenso
de zero Volts durante 15 milissegundos e uma tenso de 75 % do valor nominal de
forma indefinida. Um afundamento de tenso de maior durao que 15 ms e de maior
magnitude que 75 % produzir a desconexo ou o mau funcionamento do equipamento.
2.5.2 Resultados de levantamentos experimentais
Devido aos problemas causados pelos afundamentos de tenso e pela falta de
informao dos fabricantes de equipamentos, iniciaram-se levantamentos experimentais
dos equipamentos disponveis no mercado. Primeiramente na dcada de 1970 com os
primeiros PCs, seguindo com equipamentos industriais e eletrodomsticos, continuando
na atualidade com os equipamentos industriais de ltima gerao (GMEZ, 2005).
Na dcada de 1970, quando surgiram os problemas antes nomeados, as cargas
apresentavam uma alta indisponibilidade devido a sua elevada sensibilidade. De fato os
sistemas eltricos nesse momento no se encontravam projetados para as cargas
altamente sensveis.
Na atualidade as curvas de sensibilidade frente a afundamentos de tenso so
determinadas pelos levantamentos nos equipamentos individuais, linhas de produo e
nas plantas industriais completas. Na Figura 2.21 pode-se observar a curva de tolerncia
de afundamento de tenso de um acionamento de um motor de 5 HP (IEC 61000-4-11,
1994; IEEE Std. 1346, 1998).

Fig
2.6
regi
rea
uma
ampl
O
topol
A
magn
deno
A
vulne
de ve
maio
A
limit
carga
afund
ou r
A
sistem
barra
dentr
desli
gura 2.21: N
rea d
rea de vul
o de sensib
de vulnerab
carga espe
litude.
Os afundam
logia da red
A zona ond
nitude prov
ominada de
As reas de
ervel para
elocidade (G
or ser a sua
A rea de v
te de tenso
a do consum
damento de
rea de vulne
A rea de vu
ma eltrico
a (carga) es
ro da rea
gamentos re
veis tpicos
e Vulnera
lnerabilidad
bilidade (DU
bilidade foi
ecfica esta
mentos de t
de e especia
de a ocorrn
oca falha n
rea de vuln
e vulnerabil
um PLC m
GMEZ, 20
a rea de vu
vulnerabilid
de afundam
midor. Sabe
e tenso que
erabilidade
ulnerabilida
. A Figura
pecfica. Ist
a de 50%
eferidos a a
de imunida
IEEE Std. 1
abilidade
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52

procedimentos para o gerenciamento dos indicadores e os padres de desempenho do
Sistema Interligado Nacional (SIN), incluindo os de frequncia, de tenso, de
continuidade de servio e das funes de transmisso da rede bsica (OPERADOR
NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO, 2009).
Os documentos no mbito Internacional que abordam os afundamentos de tenso e a
QEE so normas e recomendaes da IEEE, IEC, SEMI, CBEMA e ITIC, que sero
detalhados a continuao.
2.7.3 IEEE Std. 1159-2009 IEEE Recommended Practice for Monitoring
Electric Power Quality
Esta norma auxilia na monitorao e tambm na interpretao de resultados das
medies de distrbios da QEE. Define tambm cada tipo de distrbio em funo das
suas caractersticas como sendo a intensidade e durao.
a. Chama se Voltage Sag, Voltage Dip ou afundamento de tenso a reduo da
tenso eficaz para um valor entre 0,1 e 0,9 pu para o perodo de tempo compreendido
entre 0,5 ciclos e 1 minuto para frequncia nominal do sistema de potencia. Onde,
por sua vez, tem uma classificao adicional que depende da durao do
afundamento:
- Instantneos: entre 0,5 ciclos e 30 ciclos;
- Momentneos: entre 30 ciclos e 3 segundos;
- Temporrios: entre 3 segundos e 1 minuto.

b. A interrupo de curta durao um tipo de interrupo caracterizada por uma
completa perda de tenso, o seja, tenses menores do que 0,1pu (V
RMS
< 0,1 pu) em
um ou mais condutores de fase para um perodo de tempo entre 0,5 ciclos e 3
segundos;

c. Chama-se Swell a um aumento na tenso eficaz (V
RMS
) na frequncia de
alimentao para as duraes entre 0,5 ciclos a 1 min. Os valores tpicos de tenso
eficaz esto entre 1,1 a 1,8 pu.
2.7.4 IEEE Std. 1250-1995 IEEE Guide for Service to Equipment Sensitive to
Momentary Voltage Disturbances
- Efeitos dos afundamentos de tenso em computadores e em outros equipamentos
sensveis.
- Prope mtodos de mitigao para funcionamento satisfatrio de ditos
equipamentos sensvel.
2.7.5 IEEE Std. 446-1995 IEEE Recommended Practice For Emergency and
Standby Power Systems for Industrial and Commercial Applications
(Orange Book)
- Conceitua o afundamento de tenso focando a sensibilidade de equipamentos e
os efeitos de partidas de motores e d recomendaes para ser utilizadas no
projeto para evitar os problemas dos afundamentos em aplicaes industriais e
comerciais.
53

2.7.6 IEEE Std. 493-2007 IEEE Recommended Practice for the Design of
Reliable Industrial and Commercial Power Systems (Gold Book)
- O objetivo desta atualizao da norma IEEE Std. 493 (1990-1997) apresentar
os fundamentos da anlise econmica da confiabilidade para sistemas de
distribuio industrial e comercial.
- As metodologias so apresentadas para estimar as caractersticas dos
afundamentos de tenso (magnitude, durao e frequncia de ocorrncia)
baseadas em simulao de curto circuito, dados de confiabilidade da
concessionria e tempo de atuao da proteo.
- A intensidade do afundamento pode ser obtida atravs do clculo do curto
circuito quando so conhecidas as impedncias da rede, a impedncia da falta e a
localizao da falta.
- Conhecendo-se os tempos tpicos de atuao das protees envolvidas pode se
estimar a durao do evento.
- A frequncia de ocorrncia de afundamentos de tenso, ou seja, o nmero de
afundamentos de tenso para qualquer barra em interesse se pode estimar atravs
do conhecimento das estatsticas de faltas do sistema.
- Os afundamentos de tenso so importantes para a confiabilidade industrial.
2.7.7 IEEE Std. 1100-1999 IEEE Recommended Practice For Powering and
Grounding Electronic Equipment (Emerald Book)
- Recomendaes para alimentao e aterramento para melhorar o desempenho de
equipamentos eletrnicos e segurana da instalao.
- Critrios e metodologias para a monitorao de afundamentos de tenso
baseados nas curvas CBEMA/ITIC.
2.7.8 IEEE Std. 1346-1998 IEEE Recommended Practice For Evaluating
Electric Power System Compatibility With Electronic Process Equipment
- Metodologia para avaliao tcnica e financeira de compatibilidade entre a rede
de suprimento de energia e os processos industriais durante um afundamento de
tenso.
- Recomenda metodologias de anlise da compatibilidade entre a rede de
suprimento e as cargas. utilizada durante a fase de projeto de instalaes
novas. Tanto que para redes j existentes no prope solues aos problemas da
QEE.
2.7.9 IEEE P1433 A Standard Glossary of Power Quality Terminology
- Desenvolvimento de um conjunto nico de definies para todos os tipos de
distrbios da QEE.
54

2.7.10 IEEE P1564 Voltage Sags Indices
- Descreve os ndices de afundamentos de tenso atravs da anlise da forma de
onda registrada durante distrbios da QEE.
2.7.11 IEC 61000 Electromagnetic Compatibility
Esta norma descreve os fenmenos (Compatibilidade Eletromagntica) e fornece
parmetros que auxiliam a fabricantes e usurios de equipamentos eletroeletrnicos do
ponto de vista de emissividade e imunidade frente aos distrbios de QEE. A norma est
dividida em normas bsicas e genricas.
As normas bsicas dizem respeito a aspectos gerais como, por exemplo,
caracterizao dos fenmenos, metodologias e tcnicas de ensaio. Em quanto s
genricas dizem respeito as famlias de produtos novos, onde se tem duas categorias:
- Residenciais, Comerciais e Industriais Leves.
- Industriais.
2.7.12 IEC 61000-4-30*, 2003-2 Electromagnetic Compatibility (EMC) - Part 4-30:
Testing and Measurement Techniques - Power Quality Measurement
Methods
- Primeira norma internacional com definio e mtodo de medio para a
caracterizao mais comum de afundamentos de tenso magnitude e durao.
- Define mtodos de medio para instrumentos de QEE em 50 e 60 Hz.
- Esta norma assegura que diferentes instrumentos de QEE usem as mesmas
definies, e tcnicas de medio, para vrios parmetros de QEE: afundamento,
swells (elevaes), frequncia, harmnicos, flicker (flutuaes), etc.
- Equipamentos em no conformidade com a norma podem usar suas definies
prprias.

A norma IEC 61000-4-30 (2003) define Variaes de Tenso de Curta Durao como:
- Voltage Sag ou Voltage Dip: a reduo temporria da tenso num ponto do
sistema eltrico abaixo de um limiar.
- Interruption: a reduo da tenso num ponto do sistema eltrico abaixo de um
limiar.
- Swell: aumento temporal da tenso no ponto do sistema eltrico por acima de
um limiar.
2.7.13 IEC 61000-2-1 (1990-05) clause 8 Voltage Dips and Short Supply
Interruption
- Esta norma descreve os afundamentos, considerando os parmetros intensidade e
durao, as causas e os efeitos sobre cargas sensveis.

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2.7.1
-
2.7.1
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59

3 MTODOS DE SIMULAO
3.1 Introduo
Sistemas eltricos de potncia esto frequentemente expostos a interrupes,
principalmente devido s faltas e/ou operao incorreta (HOROWITZ; PHADKE,
2009). Uma falta, no contexto de SEP, definida como qualquer distrbio que interfere
no fluxo de potncia normal da rede eltrica (GRAINGER; STEVENSON, 1996). As
faltas afetam a confiabilidade do SEP, a segurana e a qualidade da energia eltrica
fornecida, e podem ser consideradas como um fenmeno estocstico.
Os mtodos de anlise de faltas so uma importante ferramenta para determinar as
tenses e correntes do SEP durante a ocorrncia de distrbios. Eles fornecem
importantes informaes para o ajuste, a coordenao das protees e para a anlise da
eficincia do sistema, bem como para a especificao de equipamentos. Na atualidade,
so propostas e utilizadas trs abordagens para a anlise de faltas (HALPIN; GRIGSBY,
1994):
- Anlise clssica por meio das componentes simtricas;
- Anlise por componentes de fases;
- Anlise mediante simulaes no domnio de tempo.
A anlise clssica de faltas no SEP se baseia na abordagem de componentes
simtricas (ANDERSON, 1973; HALPIN et al., 1994). O problema de determinar as
correntes e as tenses em curtos circuitos desequilibrados (tais como faltas fase-terra,
faltas fase-fase, faltas fase-fase-terra e abertura de condutores) foi um dos primeiros a
ser solucionados pelo mtodo das componentes simtricas (HARDER, 1937; AMCHIN;
GROSS, 1951). O mtodo das componentes simtricas transforma um conjunto de
correntes e tenses desequilibradas em componentes de sequncia positiva, negativa e
zero. O resultado final obtido pela combinao das diferentes sequncias para assim
achar o conjunto de correntes e tenses da rea em falta (ROYTMAN et al., 1982). No
mtodo das componentes simtricas os alimentadores e linhas de transmisso so
considerados trifsicos e idealmente transpostos e as cargas so consideradas idealmente
equilibradas. Assim, no caso de alimentadores ou linhas no transpostas, ou na presena
de laterais monofsicos, ou bifsicos o mtodo das componentes simtricas no de
fcil implementao (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987).
A abordagem da tcnica de anlise das componentes de fases foi originalmente
proposta por Laughton (1968) para levar em considerao o desequilbrio dos elementos
em sistemas de distribuio (HALPIN; GRIGSBY, 1995). No mtodo das componentes
60

de fases, as tenses e correntes do SEP esto relacionados atravs das matrizes de
impedncia e de admitncia com base na representao de estruturas de fases,
considerando as assimetrias tpicas da topologia de sistemas de distribuio submetidos
a faltas assimtricas (LAUGHTON, 1969). Entretanto, os resultados das anlises de
faltas no SEP dependem da impedncia de falta (DAGENHART, 2000).
No SEP duas faltas podem acontecer ao mesmo tempo em diferentes locais,
particularmente em sistemas com neutro no aterrado. Como conhecida, uma falta a
terra em um sistema no aterrado resulta em um incremento na tenso da fase em falta e
um incremento na sobre tenso de arco. Por outro lado, se no acontecer falta o
sistema pode estar numa condio de carga desequilibrada e pode ser representado por
mltiplas faltas shunt assimtricas (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987).
Quando um condutor avariado por uma falta fase terra ou entre fases pode
acontecer a no simultaneidade da abertura do disjuntor dos circuitos nos terminais da
linha avariada. Similares faltas podem acontecer enquanto o terceiro condutor aberto e
operando a linha com duas fases o sistema pode estar em condio de tenses
desequilibradas (MAKRAM; BOU-RABEE; GIRGIS, 1987).
O nmero de mtodos para a execuo de clculos de faltas simultneas incluindo
duas faltas foi estudado usando a anlise de componentes simtricas (ANDERSON,
1973). Esses mtodos so limitados para pequenos sistemas e envolvem algumas
suposies como assim tambm condutores transpostos e cargas equilibradas.
Em continuao sero apresentadas diversas metodologias de clculo de
afundamentos de tenso, quando da ocorrncia de defeitos no SEP.
3.2 Mtodos de clculo de afundamentos
3.2.1 Metodologia da Distncia Crtica
O Mtodo da Distncia crtica adequado para aplicaes em sistemas eltricos de
potncia radiais. O princpio desse mtodo baseado na determinao da posio da
falta no alimentador que gera um valor pr-determinado de afundamento de tenso
numa barra de interesse. O clculo realizado de forma analtica, usando expresses
simples permitindo localizar, no sistema, a posio da falta que gerou um afundamento
de tenso de determinada amplitude. A distncia deste ponto at barra de interesse
denominada de distncia crtica, sendo que os afundamentos de tenso mais severos
estaro associados ocorrncia de curtos-circuitos aqum da distncia crtica L
crtica

calculada (CARVALHO FILHO, 2000; LEBORGNE, 2003). Com este mtodo
possvel a diviso do sistema atravs de reas de vulnerabilidade.
Adotando-se a barra mostrada no diagrama da Figura 3.1 como sendo o ponto de
acoplamento comum (PAC), a magnitude do afundamento de tenso registrada nesta
barra, devido a um defeito trifsico no ponto A, pode ser calculada por intermdio da
expresso seguinte, adotando-se tenso pr-falta de 1 pu (LEBORGNE, 2003).

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Z Z Z
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a influncia
de tenso
o mtodo do
onde se pod
ha. Neste ca
i (CARGA)
do afundame
linha entre
uivalente da
falta em .
.1: Diagram
crtica
) pode
o com a equ
00; LEBOR
crtic
L
rtica em km
alimentador
s para exe
es:
adores ligad
nidade de c
o;
dos aliment
e.
osies de f
s de falta de
mplitude pa
izado no c
grande port
simulao
mente nas lin
a da posio
(CARVAL
o curto-circ
dem observa
aso, deseja-
) medida q
ento de tens
a barra de a
a fonte no p
ma simplifica
e ser determ
uao seguin
RGNE, 2003
1
1
cr
ca
V Z
z V
=
m;
por unidad
ecutar uma
dos no PAC
compriment
tadores ou l
falta
etermina o
ara uma bar
lculo dos
te (CARVA
de faltas e
nhas de tran
o da falta ta
LHO, 1999
cuito desliza
ar diversos
-se conhece
que o ponto
so no PAC
acoplament
ponto de aco
ado indicand
minada em
nte que desp
3):
rtica
crtica
V

e de compri
anlise c
C;
to de cada
inhas de tra
nmero esp
rra especfic
afundamen
ALHO FILH
em posies
nsmisso e d
anto na amp
9; LEBOR
ante. Este m
pontos de
er o compor
de defeito
C em pu;
to e o ponto
oplamento e
do o PAC.
m funo d
preza a imp

imento em
completa n
um dos a
ansmisso.
perado de a
ca do sistem
ntos de tens
HO, 2000).
s progressiv
distribuio
plitude como
RGNE, 200
mtodo enco
simulao d
rtamento da
deslocado
o de falta em
em ;

da tenso c
pedncia de

/km.
num sistem
alimentadore
afundament
ma. Esse m
so em sist
. Este mto
vas ao long
o. Desta man
o na dura
03). Tamb
ontra-se ilus
de curto-cir
a tenso na
o de posio
61
m ;
crtica
e falta
(3.2)
ma de
es ou
tos de
todo
temas
odo
go do
neira,
o dos
m
strado
rcuito
barra
o.

C
sube
Figur

A
progr
A pre
F
Cada posi
stao e fal
ra 3.3 e Tab
Po
A cada posi
rama de cl
eciso deste
Figura 3.2: D
o de falta
ltas entre 0
bela 3.1.
Tab
osies de fa
1

2

3
4
5
6

7
8
io de falta
lculo de cur
e resultado
Diagrama u
a representa
0 %, 25 %,
Figura 3
bela 3.1: Des
alta
Fal
Fa
Falt
a associad
rto circuito
maior se f
unifilar, mt
a faltas num
50 %, 75 %
3.3: Posies
scrio das p
D
lta no barram
alta numa linh
Falta
Falta
Falta
Falta a
Falta
ta no barrame
do um nm
feito o c
forem acres
todo do curt
ma certa p
% e 100 %
s de falta.
posies de f
Descrio
mento da sub
ha, prxima
a 25% da lin
a 50% da lin
a 75% da lin
a 100% da li
a a 0% da lin
ento da sube
mero esperad
lculo da am
centadas m
to-deslizante
parte do sis
% da linha s

falta.
bestao loca
subestao
nha
nha
nha
inha
nha
estao remot
do de faltas
mplitude do
mais posie

e.
stema, falta
o mostrad
al
o
ta
s. Atravs d
os afundame
s de falta.
62
as na
das na

de um
entos.
63

3.2.3 Metodologia das Posies de Falta versus Metodologia da Distncia Crtica
Os mtodos anteriormente citados so bem diferentes. Sendo o mtodo das posies
de falta um mtodo mais preciso e de uso mais geral, porem o mtodo da distncia
crtica tem bons resultados quando utilizado para sistemas radiais ou em sistemas
eltricos em que esta aproximao pode ser feita.
O mtodo das posies de falta necessita de uma modelagem de todo o sistema,
enquanto o mtodo das distncias crticas necessita dos seguintes dados:
- O nmero de linhas que se originam na subestao;
- O nvel de falta na subestao;
- A impedncia por unidade de comprimento de cada alimentador;
- As taxas de faltas das linhas.
3.3 Desempenho de uma barra
As linhas de transmisso e de distribuio so normalmente os principais
componentes considerados para determinar o desempenho de uma barra (ou
desempenho do SEP) ante os afundamentos de tenso.
Para a estimao do nmero de ocorrncias dos afundamentos de tenso por ano, so
utilizadas as estatsticas de taxas mdias de falta em linhas.
Os resultados de magnitude de afundamento dado em pu em cada barra observada
B
m
obtidos para cada local de falta simulado fp
n
podem ser armazenados em uma
matriz conhecida como matriz de afundamento V
sag
. A dimenso da matriz V
sag

dada pelo nmero de pontos de faltas simulados fp
n
e pelo nmero de barras
observadas B
m
(OLGUIN; VUINOVICH; BOLLEN, 2006). A matriz afundamento de
tenso [V
sag
] de dimenso [B
m
x fp
n
] da forma do exemplo abaixo.
fp
1
fp
2
fp
3
fp
4
... fp
n

B
1
0,50 0,92 0,96 0,77 ... 0,57
B
2
0,23 0,98 0,49 0,82 ... 0,82
B
3
0,66 0,78 0,99 0,95 ... 0,78

B
m
0,78 0,55 0,91 0,93 ... 0,69
Ou na forma matricial:
0, 50 0, 92 0, 96 0, 77 0, 57
0, 23 0, 98 0, 49 0, 82 0, 82
0, 66 0, 78 0, 99 0, 95 0, 78
0, 78 0, 55 0, 91 0, 93 0, 69
sag
V
(
(
(
( =
(
(
(

(3.3)
A matriz V
sag
transformada em uma matriz binria, onde seus elementos so 0
(zero) se a magnitude do afundamento de tenso maior do que o valor de limiar
escolhido (tipicamente 0,9 pu) e os elementos da matriz so 1 (um) se a magnitude do
64

afundamento de tenso menor do que o limiar de afundamento. A matriz afundamento
de tenso binria V
sag_b
de dimenso [B
m
x fp
n
] para o exemplo considerado:

fp
1
fp
2
fp
3
fp
4
... fp
n

B
1
1 0 0 1 ... 1
B
2
1 0 1 1 ... 1
B
3
1 1 0 0 ... 1

B
m
1 1 0 0 ... 1

Ou na forma matricial:
_
1 0 0 1 1
1 0 1 1 1
1 1 0 0 1
1 1 0 0 1
sag b
V
(
(
(
( =
(
(
(

(3.4)
Para obter o desempenho de cada barra, ou seja, o nmero esperado de
afundamentos de tenso por ano, necessrio conhecer a frequncia de ocorrncia de
cada uma das faltas simuladas. Estas frequncias podem ser organizadas em um vetor
chamado de vetor frequncia de ocorrncia ou frequncia de faltas:
1
2
3
n
(
(
(
( =
(
(
(

(3.5)
Onde os
i
representam a frequncia de ocorrncia de afundamentos de tenso em
cada barra do sistema, da barra 1 at a barra n.
O produto da matriz de afundamentos de tenso binria V
sag_b
vezes o vetor de
frequncia de faltas chama-se desempenho de cada barra #sags.
# _ sags Vsag b = (3.6)
Assim, o vetor desempenho de cada barra #sags possui tantos elementos quantas
barras observadas, e cada elemento indica o nmero de afundamentos por ano em cada
barra, ou seja, o desempenho de cada barra (OLGUIN, 2005).
65

3.4 Ferramentas de Simulao de curtos-circuitos (Programas)
A seguir sero apresentados e detalhados os distintos softwares disponveis no
mercado que so utilizados pelas companhias de energia eltrica. Um deles o
programa ANAFAS baseado no mtodo das componentes simtricas e os outros so:
ATP/EMTP, PSCAD/EMTDC, PSS/E, Simulink e SimPowerSystems de MatLab, entre
outros. Estes ltimos baseiam-se na simulao de transitrios eletro-magnticos dando
solues no domnio do tempo, ou seja, o comportamento instantneo da tenso e da
corrente (ZAMORA et al., 2005).
3.4.1 Programa ANAFAS - Modelo de Componentes Simtricas (Sistemas
Equilibrados)
O programa ANAFAS fornece solues no regime permanente, ou seja, fasores do
afundamentos de tenso (ANAFAS, 2007). uma ferramenta interativa para anlise de
faltas em sistemas eltricos de qualquer porte, permitindo a modelagem fiel do sistema
(carregamento pr- falta, representao das cargas e da capacitncia das linhas, etc.) e a
simulao de diversos tipos de defeito, que podem ser compostos para definio de
faltas simultneas (CARVALHO, 1999).
um programa flexvel, permitindo a execuo de estudos individuais, onde o
usurio define cada caso; estudos macros, onde os casos so gerados automaticamente
pelo ANAFAS; soluo orientada a ponto de falta, cujo relatrio de resultados apresenta
as tenses e correntes de falta e de contribuio; soluo orientada a ponto de
monitorao, cujo relatrio de resultados apresenta o valor de grandezas definidas pelo
usurio (combinao linear de medies). Tambm permite que uma linha seja dividida
em intervalos de at 1 %, o que significaria 101 pontos intermedirios (de 0 % a 100
%). Para um sistema em estudo pode-se simular curtos circuitos FT, FF, FFT e FFFT
em todos os 101 pontos em cada linha do sistema (ANAFAS, 2007).
3.4.2 Programas de Transitrios Eletromagnticos (Sistemas equilibrados e
desequilibrados)
A simulao do SEP atravs softwares de transitrios eletromagnticos fornece
como resultado a forma de onda da tenso no domnio do tempo, a fim de se obter a
oscilografa do afundamento de tenso.
O estudo dos transitrios em SEP possibilita a compreenso dos distrbios que
podem ocorrer, auxiliando o projeto destes sistemas de forma a aumentar a
confiabilidade e segurana na operao dos mesmos, diminuindo a probabilidade de
falhas em equipamentos.
O software ATP/EMTP (Alternative Transients Program / Electro Magnetic
Transients Programs) mundialmente utilizado para estudo que envolve o regime
transitrio (transitrios eletromagnticos) em SEP e possui comprovada eficincia
(ZAMORA et al., 2005). Tambm possui uma extensa capacidade de modelagem e
recursos adicionais importantes (BONNEVILLE, 2010).
O programa ATP/EMTP permite a simulao de transitrios eletromagnticos em
redes polifsicas (trifsicas sem neutro, trifsicas com neutro, bifsicas e monofsicas),
com configuraes arbitrrias, atravs de um mtodo que utiliza a matriz de admitncia
de barras. A formulao matemtica baseada no mtodo das caractersticas chamado
mtodo de Bergeron utilizado para elementos com parmetros distribudos e o mtodo
66

da regra de integrao trapezoidal para elementos com parmetros concentrados
(DOMMEL, 1987; BIANCHI LASTRA, 1991; CAUE, 2001).
Como um programa digital no permite obter uma soluo contnua no tempo so
calculados valores em intervalos de tempo discretos (BIANCHI LASTRA, 1991).
O programa permite a representao de no linearidades, elementos com parmetros
concentrados, elementos com parmetros distribudos, chaves, transformadores,
reatores, geradores, etc., como assim tambm incorporar modelos especficos para casos
particulares por meio de cartes de programao (GISEP-CAUE, 1997).
De uma forma geral, so considerados parmetros em componentes de fases e em
componentes de sequncia (zero e positiva), dependendo do tipo de modelo.
A ferramenta a ser utilizado para automatizar as simulaes dos diversos casos de
faltas no software ATP/EMTP, atravs de uma interface em sistema operacional
Windows, chamada de F-Sim e programada atravs da linguagem C++, torna possvel
simulaes automticas dos casos de faltas pr-selecionadas pelo usurio (SALIM,
2007).
Os parmetros de falta so:
- Tipo da falta (Fase-Terra, Fase-Fase Terra, Fase-Fase, Trifsica Terra);
- Resistncia de falta;
- Local da falta;
- Instante de inicio de ocorrncia da falta e instante de extino da falta (para
faltas temporrias).
Aps escolher os parmetros da falta, so realizadas as simulaes. A simulao
alm de determinar os casos de falta a serem analisados, ao usurio cabe, ainda escolher
quais os tipos de arquivo que deseja manter aps as simulaes, ou seja, resultados das
simulaes no formato padro do ATP (*.pl4) ou ainda arquivos com resultados de
simulaes no formato (*.mat) de MatLab (2001), no caso do ATP (SALIM, 2008). A
ferramenta desenvolvida basicamente l o carto de entrada que representa o sistema em
regime permanente e cria novos cartes sistematicamente, inserindo as informaes da
falta nestes novos cartes. Para tanto, utilizada a linguagem de programao especfica
de cada um dos softwares de simulao (DOMMEL, 2002).
Em funo da complexidade na modelagem dos componentes do sistema, os
programas de transitrios eletromagnticos exigem maior esforo computacional.
Atualmente a grande evoluo da tecnologia dos microprocessadores, realiza
processamentos dentro de limites de tempo aceitveis.
As vantagens da simulao destes programas so: a exatido dos resultados e o
completo fornecimento de informaes relativas aos parmetros do distrbio
(DOMMEL; LIU, 1995), ou seja, a intensidade, durao e evoluo do valor eficaz do
afundamento de tenso em funo do tempo.

3.5
A
perm
Figu

E
com
A
-
-

O
(196
nome
deseq
trans
polif
abert
impe
qualq
(MA
O
corre
U
elem
tens
1968
A
impe
impe
Clculo
A representa
manente m
ura 3.4: Rep
Em geral co
a represent
A representa
Represen
ou sub-tr
Ajuste do
O mtodo d
8), e tem si
e, utiliza a
quilbrio co
sposta, paco
fsica. Cons
tura de fase
edncia bas
quer tipo d
AKRAM; BO
O uso da m
entes de cur
Um dos ava
mentos desta
es associad
8).
A representa
edncia de
edncia inte
o de falta
ao do sist
mostrada na F
presentao
om suficien
ao simpli
ao simplif
ntao de ca
ransitria.
os taps dos
das compo
ido usado p
estrutura d
ondicionado
ote de cond
sequentemen
es e condu
se. Assim,
de falta m
OU-RABEE
atriz imped
rto-circuito
nos que,
a matriz po
das a vrios
ao do sist
barra Z
Bar
erna com as
s pelo m
tema eltric
Figura 3.4.
trifsica do
nte exatido
ificada (STA
ficada do si
ada mquin
transformad
onentes de
para resolve
de fases pa
o pelas gran
dutores, en
nte a remo
utores podem
o mtodo
ltipla ou si
E; GIRGIS,
dncia de ba
e tenses du
, uma vez q
odem ser u
s tipos de fa
tema com fa
rra
repre
derivaes
todo das
co de potn
o sistema de
o os estudo
AGG; EL-A
stema eltri
na pela tens
dores nos v
fases origi
er os proble
ara a repres
ndes cargas
ntre outros,
o e adio
m ser simu
de compo
imples ocor
1987; HAL
arra Z
Barra
f
urante a falt
que a matriz
usados dire
altas e locali
alta na barr
sentada po
represent
compone
ncia trifsico
potncia (S
s de curto
ABIAD, 196
ico de potn
o constant
valores nomi
inalmente f
emas de de
entao do
monofsica
refletido
o de linhas,
uladas pela
onentes de
rrendo em
LPIN; GRIG
fornece um
ta.
z de imped
etamente pa
izao de fa
a p mostr
or meio do
tada, incluin
entes de fa
o para cond
STAGG; EL
circuito po
68).
ncia trifsic
te e sua reat
inais.
foi proposto
sequilbrio,
s elemento
as, alimenta
o na matriz
, a mudana
modifica
fases t
qualquer l
GSBY, 1995
meio prtic
ncia de bar
ara calcular
altas (STAG
rada na Figu
o teorema
ndo a reatn
ases
dies de re

L-ABIAD, 19
odem ser ob
o obtida p
tncia trans
o por Laug
, e como di
s do circui
ador ou linh
z de imped
a na imped
o da matr
til para an
ugar do sis
5).
co de clcu
rra formad
r as corren
GG; EL-AB
ura 3.5. A m
de Theven
ncia da mq
67
egime
968).
btidos
pela:
sitria
ghton
iz seu
ito. O
ha no
dncia
ncia,
riz de
nalisar
stema
ulo de
da, os
ntes e
BIAD,
matriz
nin, a
quina,

e a t
falta)
Figu
D
O
A
enso de ci
).
ura 3.5: Rep
De acordo c
Onde
(0)
abc
E
A matriz imp
ircuito aber
resentao t
om a Figura
o vetor ten
pedncia de
Z
rto represe
trifsica do
a 3.5 a equa
( )
abc
F
E =
so pr-falt
E
e barra
abc
Bar
Z
11
1
1
ab
abc ab
Barra p
ab
n
Z
Z Z
Z
entado pela
sistema de p
EL-ABIA
ao do siste
(0)
abc ab
Ba
E Z =
a e
( )
abc
F
I

o
1(0
(0) (0
(0
abc
abc abc
p
abc
n
E
E E
E
( ) (
0
0
abc abc
F p F
I I
c
rra

1
1
bc ab
p
bc ab
pp
bc ab
np
Z
Z
Z
as tenses d
potncia com
AD, 1968).
ema durante
( )
bc abc
arra F
I
vetor corre
)
0)
0)
c
c
c
(
(
(
(
(
(
(

) F
(
(
(
(
(
(
(

1
bc abc
n
bc abc
p pn
bc abc
nn
Z
Z
Z
de barra ant
m falta na b
e a falta :

ente de falta

c
c
c
(
(
(
(
(
(
(

tes da falta

arra p (STA

a na barra p:

68
(pr-
AGG;
(3.4)
:
(3.5)
(3.6)
(3.7)
69

Para caso genrico
( ) (0) ( )
abc abc abc abc
n F n np p F
E E Z I =

(3.8)
Os elementos de
abc
Barra
Z so matrizes de dimenso 3x3. A equao
( )
abc
p F
E

pode ser
escrita da forma:
1( ) 1(0) 1 1( )
( ) (0) ( )
( ) (0) ( )
abc abc abc abc
F p F
abc abc abc abc
p F p pp p F
abc abc abc abc
n F n np p F
E E Z I
E E Z I
E E Z I
( (
( (
( (
( (
=
( (
( (
( (

(3.9)
O vetor de tenso durante a falta na barra p da forma indicada na equao (3.5).
( ) ( )
abc abc abc
p F f p F
E Z I = (3.10)
Onde
abc
f
Z a matriz impedncia de falta. Os elementos da matriz
abc
f
Z so de
dimenso 3x3 e dependem do tipo de falta.
3.5.1 Falta Fase-Terra
Para calcular uma falta fase (a) para-a terra (g), a matriz impedncia de barra
abc
Barra
Z

modificada para considerar a impedncia de falta (resistncia de arco) R
f
nos
elementos diagonais da falta na barra p. Se a falta sobre o alimentador, um novo n K
automaticamente introduzido sobre esse alimentador ou linha, como mostrado na
Figura 3.6. A matriz impedncia de barras se torna de dimenso (n + 3) x (n + 3) em
lugar de n x n, onde n o nmero e ns.
A matriz impedncia de barras modificada Z
nova
pode se ento expressar como:
nova Barra f
Z Z Z = + (3.11)
Onde:
Z
f
= R
f
+ j 0;
R
f
= resistncia de arco em .

A diferena entre Z
nova
e Z
Barra
a impedncia Z
f
no ponto de conduo na fase
faltosa em um n K. Assim:
( , ) ( , ) nova K K Barra K K f
Z Z Z = + (3.12)
A corrente de falta I
f
calculada por:
( , ) ( , )
/ /
f f nova K K pr falta nova K K
I V Z V Z
= = (3.13)

O
1
A
princ
calcu
O
O
devid
falta
cada
L
em c
para
Figur
Onde:
V
f
= v
1pu).
Figura 3
Agora, cons
cpios de su
ulada, I
f
, e u
Ou, na form
Onde i =1
do injeo
fase-terra (
barra, ou se
Logo que s
cada alimen
cada alime
ra 3.7.
valor negati
3.6: Falta Fa
siderando o
uperposio
usando a ma
ma matricial:
=
(
(
(
(
(
(
(
A
A
A
A
2
1
N
K
V
V
V
V
N e K esc
o da corrent
(a-g) e as t
eja:
o obtidas a
ntador pode
entador e a
ivo da tens
ase-Terra (M
o n K co
de tenso e
atriz imped
i
V A =

( )
( )
( )
( )
1 ,
1 ,
1 , 2
1 , 1
N Z
K Z
Z
Z
colhido com
te de falta.
tenses pr-
ps falt
V

as tenses em
e ser facilm
diferena d
abc
mn
I =
o pr-falta
MAKRAM;
omo o n
em cada bar
dncia de ba
( , ) i K f
Z I Z = =
( )
( )
(
( ,
,
, 2
, 1
K N Z
K K Z
K Z
K Z
mo o n falt
A soma da
-falta nas b
ta i p
V V = A +
m cada barr
mente encon
de tenso, co
(
abc abc
mn m
Y V =
V
k
em um n

BOU-RABE
faltoso na
rra devido
arras, vem:
nova f
Z I
) (
) (
) (
) (
2
1
N Z
K Z
Z
Z
toso. V
i
s
superposi
barras, d o
pr falta
V

ra (V
ps-falta
)
ntrado utili
omo desc
)
abc
n
V
n faltoso K
EE; GIRGI
Figura 3.6
injeo da

)
)
)
)
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
0
0
0
,
,
, 2
, 1
f
I
N N
N K
N
N
o a superpo
o de tens
valor final

), o sentido
izando a m
crito na equ

K (V
k
= V
pr-
IS, 1987).
6, utilizand
corrente de
(
(
osio de ten
es devido a
l das tense
(
de corrente
matriz admit
uao (3.17)
(
70
-falta
=
do os
e falta
(3.14)
(3.15)
nses
a uma
es em
(3.16)
e I
linha

tncia
) e na
(3.17)

F
3.5.2
N
3.8,
falta

A
O
Figura 3.7: C
2 Falta Fa
No caso de
a matriz im
Z
fL
e Z
fM
, c
Figura 3.8
A corrente d
Ou na forma
Corrente de
ase-Fase-Te
uma falta f
mpedncia d
como segue
Z
n
Z
: Falta Fase
de falta para
I
I
a genrica:
linha no ali
erra
fase-fase-te
de barras
e:
( , ) nova L L
Z Z =
( , ) ova M M n
Z =
e-Fase-Terra
a falta fase-f
( fL
fM nov
I Z
I Z
'
(
=
(
'

I
imentador tr
GIRGIS
erra (bc-g) n
modificada
( , ) nova L L B
Z Z ' =
( , ) nova M M
Z ' =
a (MAKRAM
fase-terra
( , )
( , ) (
L L nova
va M L M
Z
Z
' '
'
1
f nova
I Z V
=
rifsico (MA
S, 1987).
nos ns L e
a para inclu
( , ) Barra L L f
Z +
( , ) Barra M M
Z +
M; BOU-RA
dada por:
1
( , )
, )
a L M f
M M fM
V
V
(
(

f
V
AKRAM; B
e M, como
uir as duas
( ) f L

( ) f M
Z

ABEE; GIR
fL
fM
(
(

OU-RABEE
mostra a F
impednci
(
(
RGIS, 1987).
(
(
71

E;
Figura
ias de
(3.18)
(3.19)
(3.20)
(3.21)

O

A
obtid
O
O
A
linha
3.5.3
A
most

Onde:
V
fL
=
V
fM
=
As tenses
das por:
Ou, na form
Onde:
i = 1 N
A tenso tot
a I
linha
, so o
3 Falta Fa
A falta fase-
tra a Figura
Figura
= -V
L
(Tens
= -V
M
(Tens
sobrepostas
(
(
(
(
(
(
(
(
A
A
A
A
A
2
1
N
M
L
V
V
V
V
V
ma genrica:
N , j = 1
tal de cada
obtidas das e
ase-Fase
-fase (bc) re
3.9.
3.9: Falta F
o pr-falta
so pr-falta
s devido
( )
( )
( )
( )
( )
=
1 ,
1 ,
1 ,
1 , 2
1 , 1
N Z
M Z
L Z
Z
Z
i
V A =
N.
barra V
ps-f
equaes (3
esulta quand
Fase-Fase (M
no n L);
a no n M).
injeo da
( , ) i j f
Z I Z = =
falta
e a cor
3.16) e (3.17
do duas fase
MAKRAM; B

corrente d
( )
( )
( )
( )
( )
(
(
(
(
(
(
(
(
(
,
1 ,
,
, 2
, 1
N N Z
M Z
N L Z
N Z
N Z
nova f
Z I

rrente em c
7).
es so curto
BOU-RABE
de falta nos
(
(
(
(
(
(
(
(
(
0
0
0
fM
fL
I
I

ada fase do
o-circuitada

EE; GIRGIS
ns M e L
(
(
o alimentad
as em p e q
S, 1987).
72
L so
(3.22)
(3.23)
dor ou
como
73

A matriz Z
barra
modificada como foi descrito previamente para incluir o novo n
bifsico onde acontece a falta. Os elementos de Z
barra
correspondentes ao n p e q so
aumentados para incluir a resistncia de falta, visto j na equao (3.12). Assim tem-se:
( , ) ( , ) ( , )
/ 2
nova p p nova p p Barra p p f
Z Z Z R ' = = + (3.24)
( , ) ( , ) ( , )
/ 2
nova q q nova q q Barra q q f
Z Z Z R ' = = + (3.25)
As correntes de falta injetadas nos ns p e q so obtidas como segue:
( , ) ( , )
( , ) ( , )
fp p p nova p q f
fq nova p q q q f
V Z Z I
V Z Z I
' '
( ( (
=
( ( (
' '

(3.26)
Isolando a corrente de falta:
( , ) ( , ) ( , )
2
f
f
p p nova p q q q
V
I
Z Z Z
=
' ' ' + +
(3.27)
Onde a tenso de falta :
f fq fp
V V V = (3.28)
Assim, as tenses superpostas so obtidas como: (AV = Z
nova
I
falta
).
(1,1) (1, ) (1, ) (1, ) 1
( ,1) ( , ) ( , ) ( , )
( ,1) ( , ) ( , ) ( , )
(1, ) ( , ) ( , ) ( , )
0
0
p q N
p p p q p p N p f
q q p q q q N q f
N p N q N N N M
Z Z Z Z V
Z Z Z Z V I
Z Z Z Z V I
Z Z Z Z V
A ( ( (
( ( (
( ( (
( ( ( A
=
( ( (
A
( ( (
( ( (
( ( (
A
( (

(3.29)
Ou na forma genrica:
( , ) i i j f nova f
V Z I Z I A = = (3.30)
Onde i = 1 N , j = 1 N.

A tenso total de cada barra V
ps-falta
e a corrente em cada fase do alimentador I
linha
,
so obtidas das equaes (3.16) e (3.17).

3.5.4
A
semp
junto
A
dos n
A
injeta
obtid
O

4 Falta Tr
A falta trif
pre, este tip
o com as ten
Figura
A matriz im
ns R, S e T
As corrente
ada no rest
das como:
Onde:
V
fR
=
V
fS
=
V
fT
=
rifsica
sica-terra (
po de falta
nses superp
3.10: Falta T
mpedncia de
T incluam a r
no
Z
no
Z
nov
Z
s de falta e
o dos ns
I
I
I
= - tenso p
= - tenso p
= - tenso p
abc-g) ou s
a mais se
postas.
Trifsica (M
e barra Z
Barr
resistncia d
( , ) ova R R nov
Z' =
( , ) ova S S nov
Z' =
( , ) va T T nova
Z' =
em este n
zero. Por
( ,
( ,
( ,
fR R R
fS S R
fT T R
I Z
I Z
I Z
' (
(
' =
(
(
'

pr-falta no
pr-falta no
pr-falta no
s trifsica
evera de tod
MAKRAM;
ra
modific
de falta R
f

( , ) va R R Bar
Z =
( , ) va S S Barr
Z =
( , ) a T T Barr
Z =
trifsico (
tanto, as c
) ( , )
) ( , )
) ( , )
R R S
R S S
R R S
Z
Z
Z
'
'
'
n R.
n S.
n T.
so as falt
das. Ela r
BOU-RABE
cada para qu
como nas s
( , ) rra R R fR
R +
( , )
/
ra S S fS
R +
( , )
/
ra T T fT
R +
(R, S e T)
correntes de
1
( , )
( , )
( , )
R T f
S T f
T T f
Z V
Z V
Z V
' (
(
'
(
(
'

tas menos p
representada

EE; GIRGIS
ue os eleme
eguintes eq
/ 2
/ 2
/ 2
so I
fR
, I
fS
e falta I
f
nes
fR
fS
fT
V
V
V
(
(
(
(

provveis. C
a na Figura
S, 1987).
entos da dia
quaes:
(
(
(
, I
fT
. A cor
stes trs n
(
74
Como
a 3.10
gonal
(3.31)
(3.32)
(3.33)
rrente
s so
(3.34)

A
como
A
so o
3.6
3.6.1
E
faltas
1973
solic
Pode
tipos
nece
A
fases
equil
(SAA
teore
deseq
corre
(FOR
O
Figu
As tenses s
o:
A
A tenso tot
obtidas das e
Clculo
1 Compon
Em mais de
s bifsicas
3). Apenas n
itados, com
e-se, ento,
s de faltas,
ssrios clc
As compone
s desequilib
libradas li
ADAT, 200
ema de For
quilibrado)
ente de tod
RTESCUE,
Os fasores tr
ura 3.11: Re
superpostas
(1,1 1
( ,1
( ,1
( ,1
( ,
R R
S S
T T
N N
Z V
Z V
Z V
Z V
Z V
A (
(
(
(
(
=
(
(
(
(
(
tal de cada b
equaes (3
o de falta
nentes Sim
70% dos cu
15%, bifsi
no curto-cir
m as corrent
representar
originam-s
culos para d
entes simt
bradas poss
inearmente
02), cuja som
rtescue: pod
como comb
do o sistem
1918).
rifsicos de
epresenta
s V
i
em ca
1) (1
1) (
1) (
1) (
1) (
R
S
T
N
Z
Z
Z
Z
Z
barra V
ps-fa
3.16) e (3.17
s pelo M
tricas
urtos-circuit
icas terra
rcuito trifs
tes de falta
r apenas um
se comporta
eterminar a
tricas perm
sam ser su
independe
ma igual a
de represen
binao line
ma basta ad
correntes d
o vetorial da
ada n so o
, ) (1, )
, ) ( , )
, ) ( , )
, ) ( , )
, ) ( ,
R S
R R R S
S R S S
T R T S
N R N S
Z
Z
Z
Z
Z
)
alta
e a corre
7).
todo de C
tos, a falta
10% ou at
sico, os con
de mesmo
m condutor d
amentos as
a assimetria
mitem que q
ubstitudas
entes cham
ao sistema o
ntar-se qual
ear deles. P
dicionar as
de sequncia

as Compone
obtidas usa
(1, )
( , )
( , )
( , )
T
R T
S T
T T
Z
Z
Z
Z

( , ) N T
Z
ente em cad
Compone
do tipo fas
mesmo tr
ndutores da
valor, mas
de quaisque
ssimtricos
das tenses
quantidades
separadame
madas de
original (FO
quer sistem
Para determi
s respostas
as so mostr
entes Simtr
ando a matr
(1, )
( , )
( , )
( , )
N
R N
S N
T N
Z
Z
Z
Z

( , ) N N
Z
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(

da fase do a
ntes Sim
se-terra, ma
rifsicas 5%
as trs fases
defasados d
er das fases
no sistema
s e correntes
de corrent
ente por tr
compone
ORTESCUE
ma trifsico
inar a respo
dos vetore
rados na Fig
ricas (FORT
riz Z
Barra
ori
0
0
R
S
T
I
I
I
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
alimentador
tricas
as podem oc
% (ANDER
s so igualm
de 120 ent
. Para os de
a eltrico, s
s.
tes e tens
rs compon
entes sim
E, 1918). Es
(equilibrad
osta de tens
es de sequ
gura 3.11.

TESCUE, 19
75
iginal
(3.35)
I
linha
,
correr
SON,
mente
tre si.
emais
sendo
es de
nentes
tricas
te o
do ou
o ou
uncia
918).
76

Os trs fasores so escritos como:
1 1 1
1 1 2 1
1 1 1
0
240
120
a a a
b a a
c a a
I I I
I I a I
I I aI
= Z =
= Z =
= Z =
(3.36)
Onde se define o operador a, tal que:
2
3
1 120 0, 5 0, 866
1 240 0, 5 0, 866
1 360 1 0
a j
a j
a j
= Z = +
= Z =
= Z = +
(3.37)
Sabendo que:
2
1 0 a a + + = (3.38)
No caso da sequncia positiva a sequncia de fases dos fasores abc mostrado na
Figura 3.11(a). Para o caso de sequncia negativa a sequencia de fases acb
representada na Figura 3.11(b):
2 2 2
2 2 2
2 2 2 2
0
120
240
a a a
b a a
c a a
I I I
I I aI
I I a I
= Z =
= Z =
= Z =
(3.39)
Os fasores de sequncia zero, os quais esto em fase, como mostrado na Figura 3.11
(c), so dados por:
0 0 0
a b c
I I I = = (3.40)
Os ndices 1, 2, 0 so usados para representar a sequncia positiva, negativa e zero,
respectivamente.
A teoria de componentes simtricas foi desenvolvida por Dr. Charles LeGeyt
Fortescue em 1918 e trata-se de uma poderosa ferramenta matemtica que converte um
sistema de n fasores desequilibrados em n sistemas equilibrados, denominados
componentes simtricas dos fasores originais, sendo muito til no clculo de curtos-
circuitos desequilibrados conhecido como Mtodos de Componentes Simtricas
aplicado a solues de sistemas polifsicos. O mtodo consiste em determinar as
componentes simtricas da corrente de falta. A teoria bsica para resolver um sistema
trifsico de trs fasores desequilibrados, segundo o Teorema de Fortescue
(FORTESCUE, 1918) pode ser decomposto em trs sistemas trifsicos de trs fasores
equilibrados chamados de componentes simtricas de sequncia que so
(STEVENSON, 1986):
- Componente de sequncia positiva, composto por trs fasores equilibrados de
igual magnitude defasados de 120 graus um de outro, com a sequncia de fase
idntica do sistema trifsico original. Convencionalmente adota-se sequncia
abc e ndice 1 (um);
77

- Componente de sequncia negativa, composto por trs fasores equilibrados de
igual magnitude, defasados de 120 graus, que tem uma sequncia de fase oposta
do sistema trifsico original e convencionalmente adota-se sequncia acb e
ndice 2 (dois);
- Componente de sequncia zero, composto por trs fasores equilibrados de igual
magnitude e com deslocamento de fase zero um de outro. Convencionalmente
adota-se ndice 0 (zero).
Considerando o sistema trifsico com correntes desequilibradas, na equao (3.40),
acha-se como a soma das trs componentes de sequencias:
0 1 2
0 1 2
0 1 2
a a a a
b b b a
c c c c
I I I I
I I I I
I I I I
= + +
= + +
= + +
(3.40)
Considerando a definio das componentes simtricas pode-se reescrever em termos
de componentes de fase, onde:
0 1 2
0 2 1 2
0 1 2 2
a a a a
b a a a
c a a a
I I I I
I I a I aI
I I aI a I
= + +
= + +
= + +
(3.41)
Ou tambm da seguinte forma:
0
2 1
2 2
1 1 1
1
1
a a
b a
c a
I I
I a a I
I a a I
(
( (
(
( (
=
(
( (
(
( (

(3.42)
Em notao matricial:
012 abc
a
I A I = (3.43)
Na equao (3.43) a matriz A conhecida como a matriz de transformao de
componentes simtricas que transforma os fasores de fase I
abc
em fasores de
componentes simtricas I
012
.
2
2
1 1 1
1
1
A a a
a a
(
(
=
(
(

(3.44)
Pode-se achar a corrente de componentes simtricas em notao matricial, atravs
de:
012 1 abc
a
I A I
= (3.45)
78

Onde A
-1
dada por:
1 2
2
1 1 1
1 1
1 *
3 3
1
A a a A
a a
(
(
= =
(
(

(3.46)
Sendo A* o conjugado complexo. Assim substituindo em (3.45) vem:
0
1 2
2 2
1 1 1
1
1
3
1
a a
a b
a c
I I
I a a I
I a a I
(
( (
(
( (
=
(
( (
(
( (

(3.47)
Expresses similares tambm existem para as tenses no sistema. Assim, para
tenses de fase desequilibrada em termos de componentes simtricas tem-se:
0
2 1
2 2
1 1 1
1
1
a a
b a
c a
V V
V a a V
V a a V
(
( (
(
( (
=
(
( (
(
( (

(3.48)
Em notao matricial, pode-se escrever:
012 abc
a
V A V = (3.49)
As componentes simtricas em termos de tenses desequilibradas so:
0
1 2
2 2
1 1 1
1
1
a a
a b
a c
V V
V a a V
V a a V
(
( (
(
( (
=
(
( (
(
( (

(3.50)
Em notao matricial, vem:
012 1 abc
a
V A V
= (3.51)
A potncia aparente pode ser expressa em termos de componentes simtricas. A
equao (3.52) mostra que a potncia total desequilibrada pode ser obtida como:
* 012 0 0* 1 1* 2 2*
(3 )
3( ) 3 3 3
abcT abc abcT
a a a a a a
S V I V I V I V I V I
= = = + + (3.52)

3.6.2
D
utiliz
ofere
sequ
sequ
3.6.2
U
Z
m
co
de ne
A
P
S
D
E
2 Modelo
Descrevem-
zados no S
ecida ao flu
ncia posit
ncia zero p
2.1 Impe
Uma carga t
omo a most
eutro ou terr
Figura
As tenses f
Pelas leis de
Substituindo
De forma co
Escrevendo
de imped
se as imp
SEP apresen
uxo da corre
tiva e d
por Z
0
.
dncias de
trifsica equ
trada na Fig
ra Z
n
.
a 3.12: Carg
fase-terra s
e Kirchhoff
o (3.54) em
V
V
V
ompacta, esc
abc
V em term
ncias de se
pedncias q
ntam as dif
ente de sequ
denotada po
cargas con
uilibrada co
gura 3.12, e
ga equilibra
o:
a s a
b m
c m
V Z I
V Z I
V Z I
=
=
=
das corrent
I
(3.53), e re
a s
b m
c m
V Z
V Z
V Z
+ (
(
= +
(
( +

creve-se:
V
mos das com
AV
quncias
que os dif
ferentes co
uncia posit
or Z
1
, a de
nectadas em
m elemento
e o neutro da
da conexo
a m b
a s b
a m b
Z I Z
I Z I Z
I Z I Z
+ +
+ +
+ +
es, tem-se:
n a b
I I I = + +
escrevendo
n m
n s
n m
Z Z Z
Z Z Z
Z Z Z
+
+ +
+ +
abc abc
a
V Z I =
mponentes
012 abc
a
V Z A =
ferentes eq
orrentes de
tiva conhe
e sequncia
m Y
os ou imped
a carga ater
estrela Y
m c n n
m c n n
s c n n
Z I Z I
Z I Z I
Z I Z I
+
+
+
c
I +
em forma m
n m
n m
n s n
Z Z Z
Z Z Z
Z Z Z
+
+
+
abc
a

simtricas,
012
a
I
quipamentos
sequncias
ecida como
a negativa
dncias prp
rrado atrav
(SAADAT,

matricial, v
n a
n b
n c
I
I
I
( (
( (
( (
( (

obtem-se:

s ou elem
s. A imped
o impednc
por Z
2
, e
prias Z
s
e m
s da imped

, 2002).
(
(
em:
(
(
(
79
mentos
dncia
cia de
a de
mtuas
dncia
(3.53)
(3.54)
(3.55)
(3.56)
(3.57)
80

Multiplicando ambos os membros por A
-1
vem:
012 1 012 012 012 abc
a a a
V A Z AI Z I
= = (3.58)
Fazendo as multiplicaes das matrizes de impedncias resulta:
012 1
3 2 0 0
0 0
0 0
s n n
abc
s m
s m
Z Z Z
Z A Z A Z Z
Z Z
+ + (
(
= =
(
(

(3.59)
Para o caso em que as cargas no apresentam as impedncias mutuas Z
m
= 0, resulta:
012
3 0 0
0 0
0 0
s n
s
s
Z Z
Z Z
Z
+ (
(
=
(
(

(3.60)
3.6.2.2 Impedncias de Linhas (Sistemas Equilibrados)
Para dispositivos estticos como as linhas, a sequncia de fase no tem efeito na
impedncia; porque as tenses e correntes encontram a mesma geometria na linha,
independentemente da sequncia. Assim, as impedncias de sequncia positiva e
negativa tm o mesmo valor, Z
1
= Z
2
(SAADAT, 2002). As impedncias de sequncia
positiva e negativa de circuitos lineares, simtricos e estticos so idnticas, pois nestes
as impedncias independem da ordem das fases, desde que as tenses sejam
equilibradas (ROBBA et al., 1996). A impedncia de sequncia zero de uma linha difere
da impedncia de sequncia positiva e negativa (STEVENSON, 1974).
As correntes de sequncia zero esto em fase e fluem atravs dos condutores a, b e c
da linha, retornando pelo condutor de neutro aterrado. A impedncia de sequncia zero
Z
0
inclui o caminho de retorno atravs do solo (SAADAT, 2002). A determinao da
impedncia de sequncia se faz pelas equaes de Carsons (CARSON, 1928). Para
uma linha, como a mostrada na Figura 3.13. A reatncia de sequncia zero pode ser
expressa como:
0 1
3
n
X X X = + (3.61)
Pode-se mostrar que (CARSON, 1928):
2 0, 2ln
n
n
D
X f
D
t
| |
=
|
\ .
(3.62)
Onde:
D Distncia entre condutores de linha;
D
n
Distncia entre condutores e terra;
f Frequncia da rede;
X
n
Reatncia de sequncia zero em m/km.

A
que t
Figu
3.6.2
C
cada
mn.
E
A

A impednc
trs vezes a
ura 3.13: Flu
2.3 Impe
Considerand
fase so d
Em termos d
0
1
2
mn
mn
mn
V
A V
V
(
(
=
(
(

cia de sequ
impedncia
uxo de corre
dncias sr
do a Figura
distintas, a e
Figura 3.
de compone
aa ab
ba bb
ca cb
Z Z
Z Z
Z Z
ncia zero d
a de sequn
ente de sequ
ries de linh
a 3.14 (AND
equao (3.
mn a
mn b
mn c
V
V
V
(
(
=
(
(

.14: Linha a
entes simtr
ac a
bc b
cc c
Z I
Z A I
Z I
(
(
(
(

de linhas d
ncia positiva
uncia zero c
has areas a
DERSON,
63) mostra
aa ab
ba bb
ca cb
Z Z
Z Z
Z Z
assimtrica (
ricas, tem-se
0
1
2
mn
mn
mn
V
V
V
( (
( (
( (
( (

de transmiss
a (SAADAT
com retorno
assimtrica
1973), ond
as tenses
b ac a
b bc b
b cc c
Z I
Z I
Z I
( (
( (
( (
( (

(ANDERSO
e:
1
aa
ba
ca
Z
A Z
Z
(
(
=
(
(

so normalm
T, 2002).

o de terra (S
as
de as imped
de fase no
(

ON, 1973).
a ab ac
a bb bc
a cb cc
Z Z
Z Z
Z Z
mente ma
SAADAT, 20
dncias sri
o trecho da
(
c a
c b
c c
I
A I
I
( (
( (
( (
( (

(
81
ais do
002).
ies de
linha
(3.63)

(3.64)
82

Ou seja, pode-se definir:
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
0 0 2 2 1 1
1
012 1 1 0 0 2 2
2 2 1 1 0 0
2
2
2
S M S M S M
mn abc S M S M S M
S M S M S M
Z Z Z Z Z Z
Z A Z A Z Z Z Z Z Z
Z Z Z Z Z Z
+ + + (
(
= = + + +
(
(
+ + +

(3.65)
Onde:
Z
S0
= (1/3)(Z
aa
+Z
bb
+Z
cc
) (3.66)
Z
S1
= (1/3)(Z
aa
+aZ
bb
+a
2
Z
cc
) (3.67)
Z
S2
= (1/3)(Z
aa
+ a
2
Z
bb
+aZ
cc
) (3.68)
Z
M0
= (1/3)(Z
bc
+Z
ca
+Z
ab
) (3.69)
Z
M1
= (1/3)(Z
bc
+aZ
ca
+a
2
Z
ab
) (3.70)
Z
M2
= (1/3)(Z
bc
+ a
2
Z
ca
+aZ
ab
) (3.71)
Se as impedncias prprias forem iguais entre si e mtuas das trs fases tambm
iguais entre si (linha simtrica), tem-se o seguinte caso particular:
Z
S0
= Z
aa
(3.72)
Z
S1
= Z
S2
= 0 (3.73)
Z
M0
= Z
bc
(3.74)
Z
M1
= Z
M2
= 0 (3.75)
Ou seja, os termos fora da diagonal da matriz Z
mn-012
so nulos.
Portanto, as correntes de componentes simtricas em impedncias que circulam
atravs de linhas simtricas originam apenas quedas de tenso de igual sequncia, ou
seja, os circuitos de sequncia positiva, negativa e zero esto desacoplados. Contudo, se
as impedncias das linhas forem distintas, as quedas de tenso de qualquer sequncia
so dependentes das correntes das trs sequncias, ou seja, existe um acoplamento entre
as sequncias e o dito acoplamento no recproco (ANDERSON, 1973; ROBBA et al.,
1996). Desta maneira, o clculo utilizado pelo mtodo de componentes simtricas se
torna mais complexo para circuitos ou sistemas desequilibrados com suas impedncias
em srie desiguais.
3.6.2.4 Impedncias de sequncia de transformadores
Em transformadores de potncia, as perdas e as correntes de magnetizao so da
ordem de trs por cento (3 %) (SAADAT, 2002). Os transformadores so modelados
com as impedncias srie de disperso. Como o transformador um dispositivo esttico,
a impedncia de disperso no muda seu valor se a sequncia de fase trocada
(SAADAT, 2002). Por essa razo, as impedncias de sequncia positiva e negativa so

as m
imp
O
dos b
algum
sequ
F
3.6.2
C
poss
redes
para
N
aterra
mesmas. Em
pedncia de
O equivalen
bobinados
mas das c
ncia zero.
Figura 3.15:
2.5 Impe
Como se est
vel represe
s de sequn
representar
Na Figura 3
ado por me
um banco d
e disperso Z
nte do circui
e do aterra
onfigurae
Equivalent
dncias de
t considera
ent-las por
ncia, um circ
r as vrias c
3.16, est r
eio de uma
de transform
Z
L
, portanto
ito de impe
amento do n
es dos tran
te trifsico d
sequncia
ando o desa
r meio de c
cuito para c
ondies de
epresentado
impedncia
madores, a i
o temos:
Z
0
= Z
L
dncia para
neutro (KU
nsformador
de sequncia
(KUNDU
de mquin
acoplament
circuitos eq
cada sequn
e faltas assim
o o diagram
a. Este exem
impedncia
Z
L

a sequncia
UNDUR, 19
res e seus
a zero de ban
UR, 1994).
na sncrona
o entre as i
quivalentes
cia. Essas r
mtricas (S
ma de um g
mplo serve
de sequnc
zero depen
994). A Fig
circuitos
ncos de tran
a
impedncia
monofsico
redes podem
TEVENSO
gerador snc
para ilustra
cia zero si
(
nde das cone
gura 3.15 m
equivalente

nsformadore
s de sequn
os, chamado
m ser interlig
ON, 1974).
crono em v
ar a obten
83
imilar
(3.76)
exes
mostra
es de
es
ncia
os de
gadas
vazio,
o de

suas
quais
E
trans
corre
trans
proxi
em
dime
perm
caso
eletro
A
onde
-
-
-
3.6.2
A
de um
A
um v
equivalente
s so valida
Em uma m
sitrio. Para
ente sub-tra
sitria, de a
imidade de
conta as c
ensionament
manente. Ca
de solu
omagntico
As indutnc
e:
A reatn
X
d
ou X
A reatn
de sequ
A reatn
2.6 Redes
A Figura 3.1
ma impedn
F
A mquina
vetor de faso
es redes de
as para a con
quina pos
a a maioria
ansitria d
at 30 ciclos
mquinas s
correntes n
to. Contud
so contrrio
o por me
os).
ias das mq
ncia de sequ
X
d
.
ncia de sequ
ncia positiv
cia de sequ
s de sequn
16 apresenta
ncia Z
n
. Ond
Figura 3.16:
sncrona ge
ores de sequ
sequncias
ndio de re
ssvel ter-se
a das mqu
de at 2 cicl
s (0,5 s) (G
sncronas, c
nos regime
do, esse t
o, outros m
eio de equ
quinas sncr
uncia posi
uncia negat
va.
X
ncia zero
X
ncia para g
a um gerado
de o gerador
Gerador tri
era trs FEM
uncia posit
E
s. No caso,
egime perm
e o regime p
uinas sncro
los (33 ms)
GROSS, 198
com seus di
es citados,
trabalho se
mtodos de s
uaes dif
ronas depen
tiva vari
tiva aprox
X
2
X
d
aproximad
X
0
X
L
geradores c
or sncrono
r alimenta u
ifsico equil
MS interna
tiva.
2
1
abc
E a E
a
(
(
=
(
(

sero vistas
manente da m
permanente
onas, o per
para rede
86). Assim,
spositivos d
pois pode
e restringir
soluo dev
ferenciais (
ndem da seq
vel de aco
ximadamen

damente a r

arregados
trifsico co
uma carga tr
librado (SAA
as balancead
a
E
s as reatnc
mquina sn
e e regimes
rodo de pr
de 60 Hz; e
, para proje
de proteo,
em ser pre
r ao estu
vem ser util
(programas
quncia de
rdo com as
nte a reatnc

eatncia de
om o neutro
rifsica des

ADAT, 2002
das, e rep
cias sncron
crona.
sub-transit
redominnc
e para a cor
etar uma red
, necessr
eponderante
udo em re
izados com
de transit
fase da corr
s reatncias
cia subtrans
(
disperso X
(
o aterrado at
equilibrada
2).
presentado
(
84
as, as
rio e
cia da
rrente
de na
rio ter
es no
egime
mo o
trios
rente,
s X
d
,
sitria
(3.77)
X
L
.
(3.78)
travs
a.
como
(3.79)
85

A mquina geradora abastece a uma carga trifsica equilibrada. Aplicando a lei de
Kirchhoff das tenses no circuito das cargas equilibradas, obtido:
a a s a n n
b b s b n n
c c s c n n
V E Z I Z I
V E Z I Z I
V E Z I Z I
=
=
=
(3.80)
Substituindo I
n
= I
a
+ I
b
+ I
c
em (3.81) e escrevendo em forma matricial, tem-se:
a a s n n n a
b b n s n n b
c c n n s n c
V E Z Z Z Z I
V E Z Z Z Z I
V E Z Z Z Z I
+ ( ( ( (
( ( ( (
= +
( ( ( (
( ( ( ( +

(3.81)
Na forma matricial compacta vem:
V
abc
= E
abc
Z
abc
I
abc
(3.82)
Transformando as tenses e correntes para componentes simtricas e operando nas
equaes, obtm-se:
AV
a
012
= AE
abc
Z
abc
AI
a
012
(3.83)
V
a
012
= E
012
A
1
Z
abc
AI
a
012
= E
012
Z
012
I
a
012
(3.84)
Onde:
0
012 1
2
3 0 0 0 0
0 0 0 0
0 0 0 0
s n
s
s
Z Z Z
Z Z Z
Z Z
( + (
(
(
= =
(
(
(
(

(3.85)
O gerador gera FEMS equilibradas, somente existem tenses de sequncia positiva.
012
0
0
a a
E E
(
(
=
(
(

(3.86)
Finalmente substituindo:
0 0 0
1 1 1
2 2 2
0 0 0
0 0
0 0 0
a a
a a a
a a
V Z I
V E Z I
V Z I
( ( (
(
( ( (
(
=
( ( (
(
( ( (
(

(3.87)
Tm-se trs circuitos independentes e s um deles tem a fonte de tenso, como se
apresenta na Figura 3.17.

-
-
-
-
-
-
-
-
3.6.3
O
alime
elem
dema
elem
elem
U
que t
e o t
importante
As trs s
Somente
no estud
Somente
de sequ
As corre
redes da
O neutro
mas a te
sequnci
A imped
3Z
n
.
Os trs s
corrente
correntes
As tens
3 Mtodos
Desequi
O mtodo d
entao tr
mento do sist
ais element
mentos da dia
mentos fora d
Um caso pa
todos os ele
termo sim
Figura 3
e fazer as se
equncias s
e a rede de
do de curto c
e a rede de
ncia positiv
entes de seq
s mesmas s
o do sistema
erra a refe
ia zero s p
dncia de at
sistemas de
e a tenso
s e tenses d
es pr-falta
s para c
librados
das Compon
rifsico, sim
tema estuda
tos compon
agonal da m
da diagonal
articular
ementos da
trico signif
3.17: Redes
eguintes obs
so indepen
sequncia p
circuito trif
sequncia p
va causa que
quncia neg
equncias.
a a refern
erencia para
odem fluir p
terramento
sequncia
podem ser
de compone
a so consid
lculo de
nentes Sim
mtrico e eq
ado: linhas,
nentes do si
matriz imped
principal s
a
abc
b
c
Z
Z Z
Z
o sistema s
diagonal pr
fica que tod
de sequnci
servaes:
ndentes.
positiva a
sico.
positiva tem
eda de tens
gativa e zer
ncia para as
a a rede de
pelo circuit
influencia n
podem ser
determinad
entes simtr
deradas igua
impednc
tricas conv
quilibrado,
, cargas, tra
istema si
dncia so c
o chamado
aa ab a
ba bb b
ca cb c
Z Z
Z Z
Z Z
ser simtric
rincipal (im
dos os elem
as (SAADA
mesma que
m fonte de t
o de sequ
ro s ocasio
redes de se
sequncia z
o se o neutr
na rede de
resolvidos
das pelo pri
ricas, respec
ais a 1 pu em
cias de se
vencional c
ou seja, a
ansformador
imtrica. On
chamados d
os de imped
ac
bc
cc
(
(
(
(

co e equilib
mpedncias p
mentos fora
AT, 2002).
e o diagram
tenso; por
ncia positiv
onam queda
equncia pos
zero. Porm
ro estiver at
sequncia z
separadame
incpio da s
ctivamente.
m todas as b
equncias
considera q
matriz imp
res, bancos
nde, na equ
de impednc
dncias mtu

brado. Equi
prprias) s
a da diagon
ma unifilar u
m s a cor
va.
as de tens
sitiva e neg
m as corrent
terrado.
zero como s
ente por fas
superposi

barras do SE
para Sist
que o sistem
pedncia de
de capacito
uao (3.88
cias prpria
uas. Assim,
(
librado sign
o iguais en
nal (imped
86

usado
rrente
o nas
ativa,
tes de
sendo
ses. A
o das
EP.
temas
ma de
cada
ores e
8), os
s e os
,
(3.88)
nifica
ntre si
ncias
87

mtuas) tambm so iguais entre si. Resultando, assim, uma matriz onde as impedncias
prprias so iguais Z
P
= Z
aa
= Z
bb
= Z
cc
e as impedncias mtuas tambm so iguais Z
M

= Z
ab
= Z
ba
= Z
bc
= Z
cb
= Z
ca
= Z
ac
. Na equao (3.89), apresenta-se o conceito antes dito.
Z
abc
uma matriz de um elemento qualquer do SEP, ou seja:
P M M
abc
M P M
M M P
Z Z Z
Z Z Z Z
Z Z Z
(
(
=
(
(

(3.89)
Onde:
Z
P
impedncias prprias Z
aa
, Z
bb
e Z
cc
,
Z
M
impedncias mtuas Z
ab
, Z
bc
, e Z
ca
.
Tais consideraes do bons resultados em sistemas de transmisso de alta e extra
alta tenso onde as impedncias prprias da linha so iguais e so linhas transpostas ao
longo de seu percurso de modo que as impedncias mtuas so idealmente zero. No
entanto apresentam inconvenientes em sistemas de distribuio de mdia e baixa tenso
onde raramente as linhas so transpostas e o acoplamento mtuo entre as fases no so
iguais resultando assim uma linha com impedncias prprias e mtuas da matriz
impedncia diferentes entre elas (Z
P
Z
aa
Z
bb
Z
cc
e Z
M
Z
ab
Z
bc
Z
ca
). Devido ao
fato de serem sistemas trifsicos de distribuio desequilibrados e no transpostos com
cargas tambm desequilibradas, resulta ento que a matriz de impedncia de sequncia
tem elementos fora da diagonal distintos de zero.
Para achar a matriz impedncia de Componentes Simtricas Z
012
de cada elemento
do sistema de distribuio, pre-multiplica-se e pos-multiplica-se a matriz Z
abc
pela
matriz de transformao A, como mostrado na equao (3.90).
012 1 abc
Z A Z A
= (3.90)
Esta matriz tem seus elementos todos distintos entre si. Na literatura pesquisada
encontra-se uma aproximao para sistemas desequilibrados (KERSTING, 2007;
GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008), onde se prope modificar a matriz de
impedncia Z
abc
de uma linha assimtrica do sistema, idealizando como uma
impedncia de linha transposta onde suas impedncias mtuas so iguais e com
impedncias prprias iguais. Os autores propem aproximar a impedncia prpria
P
Z como uma mdia entre as impedncias prprias, e uma impedncia mtua
M
Z como
a mdia entre as impedncias mtuas. Ditas impedncias so definidas como:
( )
1
3
P aa bb cc
Z Z Z Z = + + (3.91)
( )
1
3
M ab bc ca
Z Z Z Z = + + (3.92)

88

A matriz de impedncia mdia de fases :
P M M
abc
M P M
M M P
Z Z Z
Z Z Z Z
Z Z Z
(
(
=
(
(

(3.93)
A equao (3.93) usada como a matriz de impedncia de fases, resultando uma
matriz de impedncia de sequncia diagonal, onde os termos fora da diagonal so zero
(KERSTING, 2002). A matriz de impedncia de sequncia determinada como:
00
+2
P M
Z Z Z = (3.94)
11 22
-
P M
Z Z Z Z = = (3.95)
00
012 11
22
0 0
0 0
0 0
Z
Z Z
Z
(
(
=
(
(

(3.96)
Outra aproximao apresentada pelos mesmos autores (KERSTING, 2007;
GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008). Esta segunda aproximao, a qual
comumente usada para determinar as impedncias de sequncia diretamente do conceito
de Distncia Mdia Geomtrica (GMD), em ps. A GMD entre as fases ij (D
ij
), em ps,
definida como:
3
ij ij ab bc ca
D GMD D D D = = (3.97)
A GMD entre a fase i e o neutro n (D
in
), em ps, dada por:
3
in in an bn cn
D GMD D D D = = (3.98)
A unidade de D
ij
e D
in
em ps.
Para determinar os valores de impedncias prprias e mtuas de uma linha,
utilizam-se as seguintes equaes:

1
0, 0953 0,12134 ln 7, 93402
ii i
i
z r j
GMR
( | |
= + + +
( |
\ .
(3.99)
1
0, 0953 0,12134 ln 7, 93402
nn n
n
z r j
GMR
( | |
= + + +
( |
\ .
(3.100)
89

1
0, 0953 0,12134 ln 7, 93402
ij
ij
z j
D
( | |
= + + ( |
|
(
\ .
(3.101)
1
0, 0953 0,12134 ln 7, 93402
in
in
z j
D
( | |
= + +
( |
\ .
(3.102)
Onde:
ii
z impedncia prpria do condutor i, em /milha;
ij
z impedncia mtua entre os condutores i e j, em /milha;
nn
z impedncia prpria do neutro n, em /milha;
in
z impedncia mtua entre o condutor i e o neutro n, em /milha;
i
r resistncia do condutor i, em /milha;
n
r resistncia do neutro n, em /milha;
i
GMR radio mdio geomtrico do condutor i, em ps;
n
GMR radio mdio geomtrico do neutro n, em ps.
Aplicando a reduo de Kron na equao (3.102) e fazendo a transformao de
impedncia de fases a impedncia de sequncias nas seguintes equaes se obtm as
impedncias de sequncias zero, positiva e negativa, em /milha.
2
00
2 3
in
ii ij
nm
z
z z z
z
| |
= +
|
\ .
(3.103)
11 22
0,12134 ln
ij
ii ij i
i
D
z z z z r j
GMR
| |
= = = +
|
\ .
(3.104)
As equaes (3.103) e (3.104) so conhecidas como as equaes padro para o
clculo de impedncias de linhas quando se assume que o sistema trifsico equilibrado
e transposto (KERSTING, 2007).
No entanto, a principal aplicao de componentes simtricas para o estudo das
faltas assimtricas; proteo de sequncia negativa, clculos de estabilidade e
modelagem de mquinas so alguns outros exemplos. Supe-se que o sistema
perfeitamente simtrico antes que ocorra uma condio de desequilbrio, a assimetria
ocorre apenas no ponto de falta. A parte simtrica da rede considerada isolada, para
que uma condio desequilibrada seja aplicada no ponto de falta. Em outras palavras, a
parte desequilibrada da rede pode ser pensada para ser conectada ao sistema equilibrado
ao ponto de falta. Praticamente, os sistemas de potncia no so perfeitamente
equilibrados e alguma assimetria sempre existe. No entanto, o erro introduzido por
ignorar essa assimetria pequeno. Isto pode no ser verdadeiro para os sistemas
altamente desequilibrados e com cargas monofsicas.

3.6.4
F
obser
impe
falta.
impe
(SAA
de ac
A
assim
3.6.4
C
Z
f
, na
A
segui
O
de im
por f
A
cone
Figu
4 Clculo
Foi visto qu
rvado que,
edncia de b
. Para obte
edncia de
ADAT, 200
cordo com c
A seguir, ap
mtricas (FT
4.1 Falta
Considerand
a barra k, co
Assim, em
intes:
Onde Z
1
kk
, Z
mpedncias
fase, so:
A equao
ctadas em s
ura 3.19: Co
de faltas
ue se a red
para uma
barra Z
barra

r a soluo
barra Z
barr
02), onde as
cada tipo de
presentam-s
T, FF, FFT)
Fase-Terr
do uma falta
omo se apre
Figura
geral para
0
k
I
Z
2
kk
, Z
0
kk
s
das barras
(3.105) re
srie, confor
onexo das r
de equilib
falta na b
so as imp
o do SEP p
ra
para cad
s impednci
e falta.
se as equa
.
ra
a entre a fa
esenta na Fi
a 3.18: Falta
uma falta
0 1 2
k k k
I I = = =
o os eleme
e V
k
(0) a

epresenta u
rme mostra
redes de seq
brada, a ma
barra k, os
pedncias d
para faltas
da uma das
ias de sequ
es para c
ase a e a ter
gura 3.18.
a Fase-Terra
na barra k
1 2
k
kk kk
V
Z Z
=
+ +
entos das d
a tenso pr
01 abc
k k
I A I =
um circuito
do na Figu
uncia para
atriz de im
elementos
de Thvenin
simtricas e
s sequncia
ncias Z
0
kk
calcular as
rra atravs d

a (SAADAT
k, as corre
0
(0)
3
k
kk f
Z Z + +
diagonais da
-falta na ba
12

o onde as
ura 3.19.
a uma falta f
mpedncias
da diagon
n em cada f
e assimtric
as obtida
, Z
1
kk
e Z
2
k
faltas sim
de uma imp
, 2002).
entes de se

as correspon
arra k. As co

redes de
fase-terra (S
simtrica
nal da matr
fase no pon
cas, a matr
a separadam
kk
so conec
tricas (FFF
pedncia de
quncias s
(3
ndentes ma
orrentes de
(3
sequncia

SAADAT, 20
90
a. Foi
riz de
nto da
riz de
mente
ctadas
FT) e
e falta
o as
3.105)
atrizes
falta,
3.106)
esto
002).

3.6.4
C
barra

A
O
barra
A
como

Fig

3.6.4
S
na Fi
4.2 Falta
Considere-se
a k, como m
As compone
Onde Z
1
kk
,
as, V
k
(0) a
A equao (
o mostrado
ura 3.21: Co
4.3 Falta
Seja a falta
igura 3.22.
Fase-Fase
e uma falta
mostrado na
Figura
entes de seq
Z
2
kk
, so o
a tenso pr-
(3.105) repr
o na Figura 3
onexo das
Fase-Fase
entre as fas

entre as fas
Figura 3.20
a 3.20: Falta
quncia da c
1
k
I I =
os elemento
-falta. As co
a
k
I
resenta o ci
3.21.
redes de seq
-Terra
ses c e b e a
ses b e c, atr
0.
a Fase-Fase
corrente de f
0
o
k
I =
2
1
(
k
k
kk k
V
I
Z Z
=
+
os das diag
orrentes de
012 abc
k
A I =
ircuito cuja
quncia para
a terra, atra
ravs de um

(SAADAT,
falta so as
2
(0)
kk f
Z +

gonais das m
falta por fas

as redes de
a uma falta
vs da impe
ma impednc
2002).
seguintes:

matrizes de
se so:

sequncia e

fase-fase (S
edncia Z
f
,
cia de falta
(3
(3
impednci
(3
esto conec
AADAT, 20
, como mos
91
Z
f
na
3.107)
3.108)
ias de
3.109)
ctadas
002).
strado

A
O
barra
O
A
esto

Figu
As compone
Onde Z
1
kk
, Z
as e V
k
(0)
Onde a corre
As equaes
o conectada
ra 3.23: Con
Figura 3.22
entes de seq
I
Z
2
kk
, Z
0
kk
s
a tenso pr
ente de falta
s (3.111) e
s como mos
nexo das re
2: Faltas Fas
quncias das
0
k
I =
1
1
k
kk
I
Z Z
=
+
2
k
I =
o os elemen
-falta. A co
k
I
a em coorde
e (3.112) re
stra a Figur
edes de sequ
se-Fase-Terr
s correntes d
2
2 0
kk f
kk kk
Z Z
Z Z
+
+ +
2
2
(0)
(
k
kk
f
kk
V
Z Z
Z
Z
+
+
+
0
2 0
2
kk f
kk kk
Z Z
Z Z
+ +
ntos das dia
orrente de f
( )
b
k
F I I = =
enadas de fa
012 abc
k k
I AI =
epresentam
ra 3.23.
uncia para
197

ra (ANDER
de faltas so
1
2
f
k
f
I
Z
0
0
)
)(
2 )
f kk f
kk f
Z Z Z
Z Z
+
+
1
2
f
k
f
I
Z
agonais das
falta:
c
k
I
ase ;
2

um circuito
uma falta fa
73).
RSON, 1973)
o as seguint

)
f

matrizes de

o cujas red
ase-fase-terr
.
tes:
(3
(3
(3
e impednci
(3
(3
des de sequ
ra (ANDER
92
3.110)
3.111)
3.112)
ias de
3.113)
3.114)
uncia

RSON,

3.6.4
C
Figur
P
corre
A
O
barra
3.6.4
U
subst
na ba
4.4 Falta
Considere-se
ra 3.24.
Para imped
ente de falta
As compone
Onde Z
1
kk
, Z
a e V
k
(0) a
4.5 Tens
Usando as
tituindo-se
arra i, duran
s Trifsica
e a falta trif
Figura 3.24
ncias de fa
a, em forma
entes de seq
Z
2
kk
, Z
0
kk
s
a tenso pr-
es e corren
componen
na equao
nte a falta.
-Terra
fsica terr
4: Faltas Tri
lta Z
f
iguai
a genrica,
120
(
k
I F
quencia das
1
k
I
2
k
I
3
k
I
so os elem
-falta. Onde
I
ntes de bar
tes de seq
o (3.120) ob
0
1
2
( )
( )
( )
i
i
i
V F
V F
V F
a, atravs d
ifsica-Terr
is, as corren
:
120
(0
)
k
kk
V
F
Z
=
+
correntes d
1
(0)
k
kk f
V
Z Z
=
+
2
(0)
k
kk f
V
Z Z
=
+
3
(0)
k
kk f
V
Z Z
=
+
mentos da di
e a corrente
012 abc
k k
I AI =
rra durante
quncia das
btm-se as t
0 0
1
2 2
0
(0)
0
ik k
i
ik k
Z I
V Z
Z I
=
=
=
da impednc

ra (ANDERS
ntes de falta
0)
f
Z

e faltas so

iagonal das
de falta em

e as faltas
s correntes
tenses de c
1 1
ik k
Z I
cia Z
f
, como
SON, 1973).
a nas trs fas

as seguinte
matrizes d
m coordenad

s de falta
componente

o se mostra
.
ses so igua
(3
es:
(3
(3
(3
de impednc
das de fase
(3
(
0
k
I ,
1
k
I e
es de sequ
(3
93
do na
ais. A
3.115)
3.116)
3.117)
3.118)
cia de
:
3.119)
2
k
I ),
ncias
3.120)

O
impe
A
A
O
nega
A
sequ
3.7
J
Sim
traba
sequ
impe
Onde V
i
1
(0)
edncias de
As tenses d
As compone
Onde z
ij
0
, z
ativa, respec
As equae
ncia esto
Figura 3.2
Aproxi
Sequ
J visto as
tricas de ca
alho, pro
ncia de cad
descrito, a
edncia de l
) = V
i
(0)
sequncia d
de barras du
entes de seq

z
ij
1
, z
ij
2
so
ctivamente,
s (3.122),
conectadas
25: Conexo
imao
uncias p
distintas a
ada element
posta uma
da elemento
a seguir um
inha do SEP
a tenso
da matriz Z
urante a falta

a
i
V
quncia das
0
k
I =
1
k
I =
2
k
I =
as imped
que unem a
I
(3.123) e (
s como most
o das redes d
proposta
para Sistem
aproxima
to do SEP (
aproxima
o do SEP, p
m exemplo d
P.
o pr-falta
012
barra
Z da barr
a so:
012 abc
i
AV =
correntes n
0 0
0
( )
i j
ij
V F V
z
1 1
1
( )
i j
ij
V F V
z
=
2
2
( )
i j
ij
V F V
z
=
ncias das
as barras i e
012 abc
ij ij
I AI =
(3.124) rep
tra a Figura
de sequncia
(ANDERSO
para
mas Dese
es para ob
(supondo o
o para ob
para a resolu
de aplicao
na barra i
ra em falta k

as linhas i -
( ) F

1
( ) F

2
( )
j
V F

linhas de
j. As corren

presentam u
a 3.25.
a para uma
ON, 1973).
clculo
equilibrad
bteno de
sistema equ
bteno da
uo pelo M
o da aproxim
e
0
ik
Z ,
0
i
Z
k.

- j sero ent

sequncia
ntes nas fas
um circuito
Falta Trifs
de imp
dos
matrizes d
uilibrado e
matriz de
MCS.
mao prop
0
ik
e
0
ik
Z s
(3
o:
(3
(3
(3
zero, posit
ses sero:
(3
o cujas rede
sica-Terra
pedncias
de Compon
simtrico),
e impednc
osta para ob
94
o as
3.121)
3.122)
3.123)
3.124)
tiva e
3.125)
es de

de
nentes
neste
ia de
bter a
95

Pode-se observar na equao (3.126) a matriz de impedncia de fase de um
segmento de linha entre duas barras em /km (estudado no captulo 4).
0, 2153 0, 6325 0, 0969 0, 3117 0, 0982 0, 2632
0, 0969 0, 3117 0, 2097 0, 6511 0, 0954 0, 2392
0, 0982 0, 2632 0, 0954 0, 2392 0, 2121 0, 6430
abc
j j j
Z j j j
j j j
+ + + (
(
= + + +
(
( + + +

(3.126)
A matriz de impedncia de fase Z
abc
pode ser transformada em uma matriz de
impedncia de sequncia Z
012
, aplicando a transformao de sequncias, resultando na
equao (3.127).
00 01 02
012 1 10 11 12
20 21 22
abc
Z Z Z
Z A Z A Z Z Z
Z Z Z
(
(
= =
(
(

(3.127)
Na matriz de impedncia de sequncia, o termo 1,1 a impedncia de sequncia
zero, o termo 2,2 a impedncia de sequncia positiva, e o termo 3,3 a impedncia de
sequncia negativa. Os termos 2,2 e 3,3 so iguais, o que demonstra que para os
segmentos de linha, as impedncias de sequncia positiva e negativa so iguais. Note-se
que os termos fora da diagonal no so zero. Isto implica que existe acoplamento mtuo
entre as sequncias. Este um resultado da assimetria no espaamento entre as fases.
Como os termos fora da diagonal no so zeros, a linha representada com trs redes de
sequncia linearmente dependentes ou mtuas entre elas. Na equao (3.128) se observa
a matriz de impedncia de sequncia com todos os elementos em /km.
012
0, 4060 1,1849 0, 0185 0, 0123 0, 0142 0, 0102
0, 0142 0, 0102 0,1155 0, 3708 0, 0256 0, 0371
0, 0185 0, 0123 0, 0257 0, 0370 0,1155 0, 3708
j j j
Z j j j
j j j
+ + (
(
= + +
(
( + +

(3.128)
No entanto, note-se que os termos fora da diagonal
012
M
Z so pequenos em relao
aos termos diagonais
012
P
Z , em uma relao entorno de 5 % no mximo.
012
012
100% 5%
M
P
Z
Z
s (3.129)
Na aproximao proposta uma vez calculada a matriz de componentes simtricas
Z
012
de um sistema desequilibrado por meio da transformao de sequncias, so
escolhidos somente os elementos da diagonal principal. Porm a matriz
012
Z

ser
diagonal, com as impedncias de sequncias zero, positiva e negativa, desprezando-se
as impedncias mtuas para os clculos, devido a que seus valores so desprezveis em
comparao com os valores da diagonal principal. A matriz de impedncias de
sequncia para sistemas desequilibrados pela aproximao proposta mostrada na
equao (3.130), onde se pode observar que s existem elementos na diagonal principal.
96

00
012 11
22
0 0 0, 4060 1,1849 0 0
0 0 0 0,1155 0,3708 0
0 0 0 0 0,1155 0,3708
Z j
Z Z j
Z j
( + (
(
(
= = +
(
(
(
( +

(3.130)
Ainda, os termos fora da diagonal so todos iguais a zero, significando que no h
acoplamento mtuo entre as redes de sequncia, considerao feita que as trs
sequncias sejam linearmente independentes. tambm de salientar que na matriz de
impedncia aplicando a simplificao proposta, os elementos de sequncia zero,
positiva e negativa so exatamente iguais s impedncias de sequncia que foram
inicialmente calculados da matriz de impedncia de fase original. Os resultados deste
exemplo, no devem ser interpretados para significar que uma linha de distribuio
trifsica pode-se presumir ter sido transposta.
Outro exemplo, onde se compara a simplificao proposta neste trabalho e a
aproximao para sistemas desequilibrados utilizados por vrios autores (KERSTING,
2007; GLOVER; SARMA; OBERBYE, 2008) equaes (3.91) e (3.92) apresentado a
seguir.
Seguindo com o modelo de linha Z
abc
da equao (3.126) aplique-se a simplificao
de acordo com a equao (3.91) e a equao (3.92), dadas em /km:
( ) ( )
1 1
(0, 2153 0, 6325) (0, 2097 0, 6511) (0, 2121 0, 6430)
3 3
P aa bb cc
Z Z Z Z j j j = + + = + + + + +

0,2124 + 0,6422
P
Z j =

( ) ( )
1 1
(0, 0969 0,3117) (0, 0954 0, 2392) (0, 0982 0, 2632)
3 3
M ab bc ca
Z Z Z Z j j j = + + = + + + + +

0,0968 + 0,2714
M
Z j =

Substituindo na equao (3.94) e na equao (3.95) e logo na equao (3.96) obtm-
se a seguinte matriz de impedncias de sequencias:
012
0,4060 + 1,1849 0 0
0 0,1155 + 0,3708 0
0 0 0,1155 + 0,3708
j
Z j
j
(
(
=
(
(

No caso da simplificao proposta nesta dissertao para a matriz de impedncias de
fases da equao (3.126) aplica-se a transformao de sequencias segundo a equao
(3.127), no exemplo seguinte:
00 01 02
012 1 10 11 12
20 21 22
0,4060 + 1,1849 0,0185 + 0,0123 -0,0142 + 0,0102
-0.0142 + 0.0102 0,1155 + 0,3708 -0,0256 - 0,0371

0.0185 + 0.0123 0,0257 - 0,0370 0,1155 + 0,3708
abc
Z Z Z j j j
Z A Z A Z Z Z j j j
Z Z Z j j j
(
(
= = =
(
(

(
(
(
(

97

So selecionados somente os elementos da diagonal (impedncias prprias) e
desprezados os valores fora da diagonal (impedncias mtuas). Onde a matriz de
sequncias fica da seguinte forma:
012
0,4060 + 1,1849 0 0
0 0,1155 + 0,3708 0
0 0 0,1155 + 0,3708
j
Z j
j
(
(
=
(
(

Observa-se que a matriz de impedncias de sequencias obtida pela aproximao da
bibliografia
012
Z
exatamente igual matriz de impedncias de sequencias obtida pela
simplificao proposta nesta dissertao
012
Z
.
3.8 Resumo
Neste captulo foram apresentadas as metodologias mais utilizadas para simulao e
clculo das caractersticas dos afundamentos de tenso. O mtodo mais apropriado para
anlise em sistemas radiais o mtodo da distncia crtica. Enquanto para sistemas
malhados recomendada a utilizao do mtodo das posies de falta associado a um
programa de curto-circuito.
Em funo da aleatoriedade de ocorrncias de afundamentos de tenso, os mtodos
de simulao so apropriados para obter, estatisticamente, os parmetros destes
distrbios. As ferramentas computacionais utilizadas para determinar os parmetros dos
afundamentos de tenso so muito conhecidas e podem-se agrupar, basicamente, em
duas classes: a primeira simulao com programas de transitrios eletromagnticos no
domnio de tempo utilizado neste caso o programa ATP/EMTP, e a segunda simulao
por meio dos mtodos de faltas em regime permanente, onde existem dois mtodos de
simulao de faltas j conhecidos: o Mtodo das Componentes Simtricas e o Mtodo
das Componentes de Fases.
Os mtodos baseados em programas de clculo de faltas em regime permanente so
os mais utilizados para clculo da magnitude dos afundamentos de tenso, pois a
maioria dos afundamentos de tenso so provocados por curtos-circuitos na rede
eltrica.
A nica diferena entre os trs modelos para o estudo de caso, para a anlise de
faltas: o MCS e o MCF, o valor da tenso pr-falta em todas as barras do SEP
considerado como sendo V
pr-falta
= 1pu ou tambm chamado de perfil flat. Para a
simulao no programa ATP/EMTP as tenses pr-faltas do SEP so os valores
resultantes do fluxo de potncia, ou seja, os valores reais de tenses V
pr-falta
do sistema.
Tambm foi apresentada uma nova aproximao de obteno da matriz de
impedncia de sequncia de cada elemento do sistema eltrico de potncia, por meio da
resoluo do Mtodo das Componentes Simtricas para sistemas desequilibrados.
98

4 IMPLEMENTAO DOS MTODOS DE CLCULO DE
CURTO-CIRCUITO
4.1 Introduo
Neste captulo, sero apresentados o SDEE (Sistema de Distribuio de Energia
Eltrica) e a modelagem de seus componentes. O estudo de curto-circuito abrange uma
variedade de variveis que devem ser levadas em considerao, tais como: impedncia
de falta, tenso pr-falta, alimentadores ou linhas, cargas e impedncia de curto-circuito
equivalente da rede at a subestao. descrita tambm a anlise estatstica para o tipo
de faltas.
4.2 Impedncia de Falta
Estudos determinaram que cerca de 80 % de todas as faltas no SEP correspondem a
faltas no sistema de distribuio (BOLLEN; SABIN; THALLAM, 2003). As faltas em
sistemas de distribuio distribuem-se da seguinte maneira: 30 % Trifsica-Terra, 10 %
Fase-Fase-Terra, 10 % Fase-Fase e 50 % Fase-Terra (EPRI, 1983, GMEZ, 2005).
Ainda segundo (GRAINGER; STEVENSON, 1996; EL-HAWARY, 2000), 70 % dos
defeitos tpicos em sistemas de transmisso so do tipo Fase-Terra, 10 % Fase-Fase-
Terra, 15 % Fase-Fase e 5 % so faltas Trifsicas-Terra. Outros autores
(WESTINGHOUSE, 1964; ANDERSON, 1973; RAVINDRANATH; CHANDER,
1987, KOTHARI; NAGRATH, 2008) apresentam distribuies semelhantes.
A maioria das faltas no SEP do tipo resistivo e podem ter resistncia de arco e
resistncia de terra (WARRINGTON, 1968). Esta resistncia pode ser constante para
toda a durao da falta ou pode variar com a elongao e extino do arco. Em falta
fase-fase, a resistncia de falta se deve completamente ao arco eltrico. Para faltas que
envolvem a terra, a resistncia de falta inclui ambos os tipos de resistncia, da torre e do
p da torre, se no se utilizam cabos de guarda. A resistncia de p de torre forma a
maior parte da resistncia entre a linha e a terra e depende das condies do solo
(GRAINGER; STEVENSON, 1996). Em (DAS, 1998) apresenta-se uma anlise
adicional da resistncia de arco e a resistncia de terra. Segundo (DAGENHART, 2000)
para linhas de distribuio, os valores tpicos de resistncia de falta R
f
a considerar so
menores ou iguais a 40 .

99

Curtos-circuitos no SEP raramente possuem impedncia de falta nula (R
f
= 0 ).
Normalmente, eles ocorrem atravs de uma resistncia de falta que constituda pela
associao dos seguintes elementos:
- Resistncia do arco eltrico entre o condutor e a terra, para defeitos fase-terra;
- Resistncia do arco eltrico entre dois ou mais condutores, para defeitos entre as
fases;
- Resistncia de contato devido oxidao no local da falta;
- Resistncia do p de torre, para defeitos englobando a terra.
O arco eltrico devido ao aquecimento provocado pela corrente de curto-circuito,
que permite a ionizao do ar. A resistncia de falta de um arco eltrico (R
arco-eltrico
),
por sua vez, varivel com o tempo, sendo desprezvel nos primeiros milissegundos e
apresentando posterior crescimento exponencial. Contudo, em estudos de curto-circuito
e neste trabalho, a resistncia do arco eltrico considerada constante ao longo do
tempo. Diversas estimativas para a resistncia do arco eltrico foram propostas por
distintos autores, tendo como base a relao entre a tenso do sistema e a capacidade de
curto-circuito do local da falta, ou seja (HOROWITZ; PHADKE, 2009):
2
76
arco eltrico
SC
V
R
S

= (4.1)
Ou entre o comprimento do arco eltrico e sua corrente, respectivamente
(WARRINGTON, 1968; BLACKBURN, 1998), conforme as expresses (4.2) e (4.3):
1,4
8750
arco eltrico
L
R
I
= (4.2)
440
arco eltrico
L
R
I
= (4.3)
Sendo:
0
3
vento
L L v t = + (4.4)
Onde:
R
arco-eltrico
resistncia do arco, em ;
V tenso do sistema, em kV;
L comprimento do arco eltrico, em ps;
L
0
comprimento inicial do arco, correspondente ao espaamento entre os
condutores, em ps;
I valor eficaz da corrente de falta, em Ampres;
v
vento
velocidade do vento transversal, em milhas/hora;
t durao, em segundos.
100

Segundo (ORTMEYER; HIYAMA; SALEHFAR, 1996; CARVALHO FILHO
et.al., 2002), os valores mais comuns de resistncia de arco variam de 1 a 5 .
Segundo os trabalhos do (OPERADOR NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO, 2002)
a impedncia de falta mdia da ordem de 5 , observado que a resistncia de falta
chega a atingir valores extremos em casos excepcionais de 55 a 70 (OLIVEIRA,
2004). No caso de resistncia de falta nula se obtm valores de afundamentos de tenso
mais severos, sobretudo em sistema de distribuio onde este efeito mais acentuado
(BLACKBURN, 2007).
Os defeitos que envolvem a terra possuem resistncias de falta mais elevadas (DAS,
1998). Para uma falta que resulta no rompimento da cadeia de isoladores, o arco eltrico
conectado em srie resistncia de aterramento da torre de transmisso, cuja
impedncia varia entre 5 e 50 (DAS, 1998).
Em sistemas areos de distribuio os valores tpicos, estimados, de resistncia de
faltas para descargas atmosfricas so entre 0 e 10 . Para defeitos provocados por
rvores prximas a condutores ou s estruturas so de aproximadamente de 70 e
faltas ocasionadas pela queda de estrutura resultam em resistncias de falta entre 20 e
30 (SOUSA; COSTA; PEREIRA JR, 2005).
Para este trabalho se adotou um valor de resistncia de falta entre 0 at 25 .
A Tabela 4.1 mostra a distribuio de probabilidade de ocorrncia para cada valor
de resistncia de falta adotada para o estudo de caso neste trabalho.
Tabela 4.1: Distribuio de probabilidade de impedncia de falta.
Impedncia de Falta () 0 1 5 15 25
Probabilidade (%)* 20 20 20 20 20
* Taxa de falta adotada pelo autor para este sistema em particular.
4.2.1 Frequncia de ocorrncia de faltas em linhas de distribuio
De acordo com (GMEZ, 2005) a Tabela 4.2 mostra a frequncia de ocorrncia de
faltas em linhas de distribuio para cada tipo de falta. De acordo com esta tabela a
probabilidade de ocorrncia de falta depende do tipo de falta.
Tabela 4.2: Distribuio de probabilidade de tipos de falta.
Tipos de Falta FFFT FFT FF FT
Probabilidade (%) 30 10 10 50
4.2.2 Anlise probabilstica de faltas em linhas de acordo com o nvel de tenso
A quantidade de faltas previstas no sistema de acordo com o nvel de tenso
mostrada na Tabela 4.3 (RAMOS, 2009), usada pela CELG (Centrais Eltricas de Gois
S.A.). De acordo com estas taxas de falta e com o comprimento de cada linha, obtm-se
a quantidade esperada de faltas por ano.
Tabela 4.3: Taxa de falta para linhas de transmisso e distribuio.
Tenso (kV) 230 138 69 13,8*
Taxa de falhas
= N falha/kmano
0,0232 0,0399 0,06 2,4
* Taxa de falta adotada pelo autor para este sistema em particular.
101

O nmero de faltas/kmano adotado pelo autor nesta dissertao foi de acordo a o
clculo seguinte:
12 / 5 2, 4 / faltas km ano faltas km ano = = (4.5)
Finalmente com o ndice de faltas previstas anual e o ndice de probabilidade de
ocorrncia do tipo de falta , o vetor frequncia de ocorrncia ou frequncia de faltas
para cada tipo de falta o seguinte:
0, 50 2, 4 / 1, 2 /
FT FT
faltas km ano faltas km ano = = = (4.6)
0,10 2, 4 / 0, 24 /
FFT FFT
0,10 2, 4 / 0, 24 /
FF FF
0, 30 2, 4 / 0, 72 /
FFFT FFFT
4.3 Tenso Pr-Falta
As concessionrias de energia eltrica em condies normais de operao buscam
fornecer energia a seus consumidores com tenses de operao dentro dos limites de
acordo com as normas, tenses que variam desde 0,95 a 1,05 pu.
Em regime permanente o perfil de tenso funo da carga do SEP e tambm da
disponibilidade dos equipamentos de regulao de tenso como compensadores
sncronos, banco de capacitores, reatores de linha, etc. (SILVA, 2004).
O perfil de tenso do sistema varia de acordo a curva de carga diria, observando-se
durante perodos de carga leve elevaes de tenso, e nos perodos de carga pesada
redues de tenso.
Na maioria dos casos, em estudos de curto circuito no SEP adotado que o valor de
tenso pr-falta seja igual a 1,0 pu. No entanto, em funo da curva de carga do SEP na
maior parte das vezes esse valor no exato, o que implica erros de clculo (CONRAD;
LITTLE; GRIGG, 1991).
Estes erros adquirem importncia quando se analisa o impacto sobre uma carga, por
exemplo: uma queda de tenso de 0,20 pu poder afetar uma carga, cujo limiar de
sensibilidade 0,80 pu o qual est dependendo do valor da tenso pr-falta. Se a tenso
pr-falta da barra 0,95 pu, a tenso durante o afundamento de tenso ser de 0,75 pu,
sensibilizando a carga analisada como pode ser observado na Tabela 4.4.
Tabela 4.4: Exemplo da influncia da tenso pr-falta.
Exemplo A Exemplo B
Tenso pr-falta [pu] 1,05 0,95
Tolerncia da carga 0,8 0,8
V 0,2 0,2
Afundamento de tenso [pu] 0,85 0,75
Carga Funciona Desliga
No estudo de caso, para a anlise de faltas pelo mtodo das Componentes Simtricas
e pelo mtodo das Componentes de Fases, o valor da tenso pr-falta em todas as barras
do SEP considerado como V
pr-falta
= 1pu, tambm chamado de perfil flat. Para a

simu
resul
4.4
P
(KER
outra
O
as co
4.4.1
A
confi
respe
D
impe
ulao no p
ltantes do fl
Sistema
Para este es
RSTING, 2
a subterrne
O sistema
onexes e ca
Figura 4.1:
1 Aliment
As caracter
figuraes 6
ectivamente
De acordo
edncia srie
programa A
luxo de pot
a eltrico
studo foi ut
001), onde
ea. O diagra
inerenteme
argas mono
Diagrama u
tadores
sticas dos
601 e 606 re
e.
T
N
DE
2
2
11
1
8
2
4
4
8
4
com o tipo
e dos alime
ATP/EMTP,
ncia, ou sej
estudado
tilizada um
existem do
ama da rede
ente desequi
fsicas e as
unifilar do s
alimentad
epresentam
Tabela 4.5: D
N
PARA
11
3
10
2
7
4
8
6
9
5
o de condu
ntadores em
as tenses
ja, os valore
o
ma alterao
is tipos dist
de distribu
ilibrado dev
cargas trif
sistema teste
dores so a
m os tipos de
Dados dos A
Comprim
(m)
152,4
152,4
91,4
609,6
243,8
609,6
91,4
304,8
91,4
152,4
utor e conf
m / km (K
s de pr-fal
es reais de V
o no model
tintos de lin
io trifsic
vido aos alim
sicas deseq
e de 13 barr
apresentadas
e alimentad
Alimentadore
mento
)
Con
4
4
4
6
8
6
4
8
4
4
figurao d
KERSTING
ltas do SEP
V
pr-falta
do s
lo IEEE 13
nhas trifsic
ca se ilustra
mentadores
quilibradas.

as do IEEE
s na Tabel
dores areos
es.
nfigurao
601
601
601
601
606
601
601
601
601
606
do sistema,
G, 2001) so
P so os va
sistema.
3 bus test f
cas: linha a
na Figura 4
no transpo
modificado
la 4.5, ond
s e subterr
o
as matrize
:
102
alores
feeder
rea e
4.1.
ostos,
o.
de as
neos,
es de
103

601
0, 2153 0, 6325 0, 0969 0, 317 0, 0982 0, 2632
0, 0969 0, 3117 0, 2097 0, 6511 0, 0954 0, 2392
0, 0982 0, 2632 0, 0954 0, 2392 0, 2121 0, 6430
abc
j j j
Z j j j
j j j
+ + + (
(
= + + +
(
( + + +

(4.10)
606
0, 4960 0, 2773 0,1983 0, 0204 0,1770 0, 0089
0,1983 0, 0204 0, 4903 0, 2511 0,1983 0, 0204
0,1770 0, 0089 0,1983 0, 0204 0, 4960 0, 2773
abc
j j j
Z j j j
j j j
+ + (
(
= + + +
(
( + +

(4.11)
As equaes (4.10) e (4.11) so semelhantes a (3.93). A transformao de
coordenadas a Componentes Simtricas utilizando mtodo proposto, resulta em uma
matriz diagonal como em (3.109), onde os elementos da matriz fora da diagonal so
nulos. Os valores de impedncias sries dos alimentadores em coordenadas de
sequncias so os seguintes:
601
012
0, 4060 1,1849 0 0
0 0,1155 0, 3708 0
0 0 0,1155 0, 3708
j
Z j
j
+ (
(
= +
(
( +

(4.12)
606
012
0, 8766 0, 2898 0 0
0 0, 3028 0, 2579 0
0 0 0, 3028 0, 2579
j
Z j
j
+ (
(
= +
(
( +

(4.13)
4.4.2 Cargas
Em estudos de curto-circuito no SEP as cargas podem ser ignoradas ou modeladas
da seguinte maneira: os motores representados por uma fora eletromotriz e uma
impedncia (reatncia) e as demais cargas podem ser consideradas como impedncia
constante, potncia constante e corrente constante. Para o sistema estudado neste
trabalho todas as cargas so modeladas como impedncia constante.
A representao da carga atravs da modelagem de impedncia constante pode ser
realizada conforme os valores de V
k
, P
k
e Q
k
, que podem ser obtidos de um estudo de
fluxo de potncia ou por medies. No caso de estudo, mudaram-se os valores das
cargas com respeito referncia original (KERSTING, 2001) pelos seguintes valores
que so mostrados na Tabela 4.6 e na Tabela 4.7.
A partir das grandezas V
k
, P
k
e Q
k
, obtm-se R
k
e X
k
, utilizando as equaes (4.14) e
(4.15) respectivamente.
( ) ( )
2
2 2
k k
k k
k
R
V P
P Q
=
+
(4.14)
( ) ( )
2
2 2
k k
k k
k
X
V Q
P Q
=
+
(4.15)

104

Onde:
R
k
Resistncia da carga em ;
X
k
Reatncia da carga em ;
P
k
Potncia ativa da carga em MW;
Q
k
Potncia reativa da carga ou capacitiva do banco de capacitores em
MVAR;
V
k
Tenso do fluxo de potncia em kV;
Z
k
Impedncia da carga em ;
k Barra de interesse.
Para o caso estudado consideram-se duas diferentes condies operacionais do
sistema considerando desequilbrios de tenses (V
deseq
) no barramento da subestao. O
desequilbrio de tenso calculado como a razo da magnitude da componente de
sequncia negativa e da componente de sequncia positiva, (IEEE Std. 1159, 2009).
2
1
100%
deseq
V
V
V
= (4.16)
O primeiro caso de estudo chama-se de caso A, onde V
deseq
= 0%. As cargas
consideradas no caso A esto na Tabela 4.6.
Tabela 4.6: Dados das cargas caso A (V
deseq
= 0 %).
N
Fase a Fase b Fase c
kW kVAR kW kVAR kW kVAR
2 34 20 34 20 34 20
3 134 97 134 97 134 97
5 281 154 281 154 281 154
6 419 239 419 239 419 239
7 43 29 43 29 43 29
8 57 50 57 50 57 50
9 57 26 57 26 57 26
10 77 44 77 44 77 44
11 57 42 57 42 57 42

Para o segundo caso, chamado de Caso B, o desequilbrio V
deseq
= 3,65 %. Este
valor foi adotado acima do valor mximo de desequilbrio de servio aceitvel segundo
a norma (IEEE Std. 1159, 2009), que de 3 %. O desequilbrio para o caso B devido
s configuraes das cargas no sistema, como mostrado na Tabela 4.7.

105

Tabela 4.7: Dados das cargas caso B (V
deseq
= 3,65 %).
N
Fase a Fase b Fase c
kW kVAR kW kVAR kW kVAR
2 84 49 8 5 84 49
3 312 247 33 24 312 247
5 1057 611 104 59 1057 611
6 708 374 69 38 708 374
7 141 123 14 12 141 123
8 106 71 10 7 106 71
9 141 64 14 6 141 64
10 190 108 19 10 190 108
11 141 104 14 10 141 104
4.4.3 Impedncia de curto circuito equivalente da rede e do transformador
Para o caso estudado considera-se a impedncia equivalente de curto circuito como
sendo a soma da impedncia de curto circuito da rede at a subestao mais a
impedncia do transformador em pu, ou seja:
_
( ) ( )
cc equivalente cc_Rede Trafo cc cc Trafo Trafo
Z Z Z R jX R jX = + = + + + (4.19)
Na forma matricial e com valores do circuito analisado, tem-se:
_
0,10885 1, 2445 0 0
0 0,10885 1, 2445 0
0 0 0,10885 1, 2445
abc
cc equivalente
j
Z j
j
+ (
(
= +
(
( +

(4.20)
A equao (4.20) semelhante equao (3.93). De acordo com a transformao de
coordenadas a componentes simtricas utilizando o mtodo proposto, resulta em uma
matriz diagonal como a mostrado em (4.21), onde os elementos da matriz fora da
diagonal so nulos. Os valores de impedncias de curto circuito na subestao (PAC),
em pu, so as seguintes:
012
_
0,10885 1, 2445 0 0
0 0,10885 1, 2445 0
0 0 0,10885 1, 2445
cc equivalente
j
Z j
j
+ (
(
= +
(
( +

(4.21)
4.5 Comparaes das metodologias
O conjunto de simulaes inclui faltas em todas as barras e monitoradas no
barramento da subestao e na barra 9, onde h um consumidor sensvel de
afundamentos de tenso. As tenses de falta nos locais das faltas foram calculadas pelos
mtodos de componentes simtricas, de componentes de fases e o programa
ATP/EMTP.
Por meio da anlise da frequncia de ocorrncia se comparam os distintos mtodos
ante variaes de desequilbrio, da resistncia de faltas e do tipo de falta.
106

O erro no clculo da tenso calculado de acordo com a equao de Erro Mdio
Quadrtico (RMSE), em pu. As tenses obtidas atravs da simulao com o programa
ATP/EMTP foram consideradas como valores de referncia para os clculos dos erros,
como mostrado na equao (4.22).
2
1
1
[ ] ( )
ATP M
n
RMSE pu v v
n
=
(4.22)
Onde v
ATP
so as tenses calculadas pelo programa ATP/EMTP em pu, e v
M
so as
tenses calculadas pelos mtodos de clculo de curto-circuito (MCF e MCS).
Os resultados das simulaes feitas pelo programa ATP/EMTP foram considerados
como valores de referencia devido a sua grande exatido nos resultados e pela completa
caracterizao de qualquer tipo de SEP.
4.6 Resumo
Neste capitulo, foram apresentados as principais caractersticas do estudo de caso,
como sendo: a resistncia de falta, a frequncia de falta para cada valor especfico de
resistncia de falta, a tenso pr-falta, o sistema estudado (linhas, cargas, impedncia de
curto-circuito na barra da subestao, ndice de desequilbrio, etc.). Foi realizada uma
anlise estatstica e probabilstica de ocorrncia para os distintos tipos de faltas e nveis
de tenso.
A anlise comparativa dos mtodos ser atravs de frequncia de ocorrncia pela
anlise de erros de acordo com a equao de Erro Mdio Quadrtico. No captulo a
seguir sero abordados e comparados os mtodos de clculo de faltas para cada tipo de
falta e para distintas condies de desequilbrio do SEP considerando tambm a
variao da resistncia de falta.
107

5 RESULTADOS OBTIDOS
5.1 Introduo
Neste captulo sero apresentados os resultados obtidos do estudo de caso onde se
utilizaram os diversos mtodos de clculo de curto-circuito para estimao de
afundamentos de tenso, apresentados no captulo 3. As tenses durante a falta foram
calculadas pelos mtodos de Componentes Simtricas e Componentes de Fases.
Na seo 5.2 ser feita uma anlise da influncia do desequilbrio no SEP em
estudos dos afundamentos de tenso. Para avaliar o desempenho dos mtodos de clculo
de afundamentos de tenso foram consideradas duas condies de operao do sistema
com ndices de desequilbrio diferentes.
Avalia-se, na seo 5.3, a influncia do valor da impedncia de falta no desempenho
dos mtodos de clculo para os estudos dos afundamentos de tenso.
Apresenta-se na seo 5.4 uma anlise do desempenho dos mtodos de clculo de
afundamentos de tenso perante os diferentes tipos de faltas.
Em cada seo comparam-se os mtodos por meio dos grficos de frequncia
relativa de ocorrncia de afundamentos de tenso. Na seo 5.2 e 5.4 tambm se
apresenta uma anlise de erros dos mtodos de Componentes de Fases e de
Componentes Simtricas no clculo de afundamentos de tenso, utilizando-se como
referncia os resultados do programa ATP/EMTP.
relevante observar que so simuladas faltas em todas as barras do SEP e
monitorados os afundamentos de tenso no barramento da subestao chamado de
Ponto de Acoplamento Comum (PAC). O segundo conjunto de simulaes inclui,
tambm, faltas em todas as barras e neste caso monitorada a barra nove (9) onde se
tem consumidores sensveis a afundamento de tenso.
5.2 Influncia do desequilbrio
5.2.1 Influncia do desequilbrio na barra da Subestao
O efeito do desequilbrio do sistema no desempenho dos mtodos de clculo de
afundamentos de tenso pode ser avaliado por meio dos grficos de frequncia relativa
de ocorrncia. As figuras (Figura 5.1 e Figura 5.2) mostram a distribuio de frequncia
relativa de ocorrncia acumulada de afundamentos de tenso para o caso com
desequilbrio nulo e com desequilbrio de tenso de 3,65 % da barra da subestao do
sistema eltrico IEEE 13 barras modificado apresentado no captulo 4.

A
sube
todos
prim
Sim
toda
onde
difer
Sim
afast

O
Quad
deseq
O
Tabe
Ambas as
stao quan
s os valores
meiro caso
tricas e de
a faixa de
e o desequil
renciam sig
tricas ma
tando-se dos
Figura 5.1:
Figura 5.2:
Os erros ob
drtico, em
quilibrado,
O nmero t
ela 5.1.
figuras mo
ndo so sim
s de resist
com deseq
fases tm u
valores de
brio do sist
gnificativam
ais marcada
s valores de
Distribui
Distribui
tidos nas te
m funo da
so descrita
total de afu
ostram afun
mulados tod
ncias de fa
quilbrio nu
um compor
afundamen
tema de 3
mente da re
a a irregular
e referncia.
o de frequn
o de frequn
enses estim
a resistnci
as a seguir.
undamentos
ndamentos
dos os tipos
altas (0, 1,
ulo (Figura
rtamento sem
ntos de tens
3,65% (Figu
eferncia. N
ridade na fa
.
ncia relativa
equilib
ncia relativa
desequil
madas, de a
a de falta
/ano, obtid
de tenso
de faltas (F
5, 15 e 25
a 5.1), os
melhante ao
so. O mes
ura 5.2), ond
No caso do
aixa entre V
s
a acumulada
brado.
a acumulada
librado.
acordo com
para os ca
o por cada
monitorad
FFFT, FT,
). Observ
mtodos d
o programa
smo no oc
de as curvas
o Mtodo d
V
sag
= 0,4 pu
a de afunda
a de afunda
m a equao
asos do SE
a mtodo,
dos na barr
FFT, FF) e
va-se que p
de Compon
ATP/EMT
orre para o
s dos mtod
de Compon
u e V
sag
= 0,

amentos SEP

amentos SEP
o de Erro M
EP equilibra
apresentad
108
ra da
e com
para o
nentes
TP em
o caso
dos se
nentes
,9 pu,
P
P
Mdio
ado e
do na

M

M
po
moni
usand
em q
de 0,
circu
mxi
de fa
R
f
=
maio
O
SEP
valor
Tabela 5
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Mostra-se na
ssvel obse
itorado na
do o MCS
que aumenta
,053 pu par
uito slido
imo de 0,06
alta. No valo
17 o M
ores de R
f
=
Figura 5
Observa-se n
desequilibr
r que o MCF
Figura 5.4
5.1: Desemp
Equilibrad
a Figura 5.3
rvar as cur
barra da su
praticame
a a resistnc
ra manter-s
possui um
67 pu para R
or de R
f
= 1
MCS aprese
17 acont
5.3: Erro Qu
na Figura 5
rado na con
F que para e
4: Erro Qua
enho total d
do (afundam
3,839
3,839
3,599
3 o Erro Qu
rvas dos m
ubestao.
ente zero pa
cia de falta
e constante
erro de 0
R
f
= 5 , a c
7 se inter
enta menor
tece o contr
uadrtico M
5.4 que o er
ndio de c
esta condi
adrtico M
do SEP mon
mentos/ano)
uadrtico M
todos utili
O erro no
ara a condi
R
f
, so incr
e nesse valo
0,031 pu e
curva dimin
rceptam as
es valores
rio.
Mdio SEP eq
rro das tens
curto-circuit
o de 0,04
dio SEP des
itorado na b
) Desequil
Mdio em fun
zados para
s valores d
o de curto
rementados
or. Para o M
vai aumen
nui para elev
curvas, por
de erros q
quilibrado b
ses calcula
to slido
41 pu.
sequilibrado
barra da Su
librado (afu
3,636
3,034
3,359
no da res
SEP equili
de afundam
o-circuito s
os erros at
MCF na con
ntando at
vados valor
m para val
que o MCF
barra da sub
ado pelo m
de 0,016 p
o barra da su
bestao.
undamentos/
6
4
9
sistncia de
ibrado quan
mentos de te
lido. Na m
chegar ao
ndio de c
chegar ao
res de resist
lores menor
, e para va

bestao.
todo MCS
pu, sendo m

ubestao.
109
/ano)
falta,
ndo
enso
medida
valor
curto-
valor
tncia
res de
alores
S com
menor

P
valor
mto
erros
5.2.2
P
ocorr
ATP
deseq
seme
no o
onde
(valo
se ac
pu. O
progr

O
Tabe
T
M

Para os dois
r mximo d
odos, poss
s diminuem
2 Influnc
Pode-se perc
rncia de a
/EMTP, co
quilibrado
elhante ba
ocorre quan
e as curvas
ores obtidos
cima da cur
O MCF ap
rama ATP/E
Figura 5.5:
O nmero t
ela 5.2.
Tabela 5.2: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
mtodos o
de 0,075 pu
svel observ
at se mant
cia do deseq
ceber na Fi
afundamento
orresponden
respectivam
arra da sube
ndo o sistem
do MCS
s com o pro
rva do prog
presenta me
EMTP.
Distribui
total de afu
Desempenho
Equilibrad
s erros se in
u para o M
var que com
ter constant
quilbrio na
igura 5.5 e
os de tens
nte a mon
mente. Os r
estao qua
ma deseq
e do MCF
grama ATP
grama ATP/
enores dive
o de frequn
undamentos
o total do SE
do (afundam
3,959
3,839
3,599
ncrementam
MCF e de 0
m elevados
te.
a barra do
na Figura 5
o simulado
nitorao d
resultados d
ando o SEP
quilibrado, c
se afastam
P/EMTP). O
/EMTP na f
ergncias co
ncia relativa
equilib
/ano, obtid
EP monitora
mentos/ano)
m com o aum
0,093 pu p
s valores de
consumido
5.6 as curva
os utilizand
da barra 9
dos mtodo
P equilibra
como se po
m dos valo
O MCS apre
faixa entre
om respeito
a acumulada
brado.
o por cada
ado na barra
) Desequil
mento da R
f
ara o MCS
e resistncia
or sensvel
as de frequ
do MCF, M
para SEP
os tm um
ado (Figura
ode observa
res da curv
esenta maio
V
sag
= 0,1 p
o aos valor
a de afunda
a mtodo,
a do consum
librado (afu
5,015
3,274
3,359
f
at chegar
S. Em amb
a de falta R
(barra 9)
ncia relativ
MCS e prog
P equilibra
comportam
a 5.5). O m
ar na Figura
va de refer
r erro afasta
pu at V
sag

res da curv

amentos SEP
apresentad
midor sensve
undamentos/
5
4
9
110
a um
os os
R
f
os
va de
grama
ado e
mento
mesmo
a 5.6,
rncia
ando-
= 0,8
va do
P
do na
el.
/ano)

O
na ba
figur
aprox
MCF
0,05
eleva
F
N
SEP
erro
0,089
no v
mto
const
Figura 5.6:
Os erros obt
arra do con
ras o erro
ximadamen
F de 0,066
pu para m
ados valores
Figura 5.7: E
Na Figura 5
desequilibr
pelo MCF
9 pu para o
valor de 0,0
odos que co
tantes.
Distribui
tidos nas te
nsumidor se
o pelo M
nte, 0,04 pu
6 pu para um
maiores valo
s de resistn
Erro Quadr
5.8 se obser
rado na cond
de 0,046
o MCF e pa
067 pu e 0,0
om o aumen
o de frequn
nses para
ensvel so
MCF para
e para o M
ma resistnc
ores de resi
ncia de falta
tico Mdio
rva que os
dio de cu
pu e o err
ra o MCS
085 pu, res
nto da resi
ncia relativa
desequil
os casos eq
mostrados
a condi
MCS de 0
cia de falta
stncia de
a at se man
SEP equilib
erros das t
urto-circuito
ro pelo MC
de 0,102 p
spectivamen
stncia de
a acumulada
librado.
quilibrado e
na Figura 5
o de cur
,011 pu. O
de 5 , log
falta. O err
nter constan
brado barra
tenses calc
o slido so
S de 0,04
pu, que log
nte. poss
falta R
f
os
a de afunda
e desequilib
5.7 e na Fig
rto-circuito
mximo va
go diminui
ro pelo MC
nte no valor
a do consum
culadas pelo
praticamen
47 pu. O m
go diminuem
vel observ
s erros tend

amentos SEP
brado monit
gura 5.8. N
slido
alor do erro
para prxim
CS aumenta
de 0,065 pu

midor sensve
os mtodos
nte iguais, o
mximo erro
m para se m
var em amb
dem a se m
111
P
orada
Nessas
de,
o pelo
mo de
a para
u.
el.
s para
nde o
o de
manter
os os
manter

Fig
N
ocorr
moni
seme
com
A
consu
deseq
5.3
5.3.1
N
simu
os af
P
de o
tanto
curva
O
tens
de V
s
P
segun
afund
conv
O
Tabe
gura 5.8: Er
Nesta seo
rncia acum
itoradas na
elhantes. Qu
relao cu
As curvas do
umidor sen
quilbrio inf
Influn
1 Influnc
Nesta seo
ulados valor
fundamento
Pode-se obs
corrncia a
o em SEP e
a do MCF m
O MCF apre
o para valo
V
sag
= 0,47 pu
Por tanto, p
ndo os re
damentos d
veniente util
O nmero t
ela 5.3.
rro Quadrt
o se observ
mulada de
a barra da
uando o sis
urva de refe
os erros nas
nsvel so pr
flui no com
ncia do va
cia do valor
o avaliar-se-
res extremo
s de tenso
ervar na Fi
acumulada
quilibrado c
mostra frequ
esenta maio
ores compre
u at V
sag
=
para R
f
= 0
esultados m
de tenso so
lizar o MCS
total de afu
tico Mdio S
ou que as
afundamen
subestao
tema dese
erncia.
s tenses de
raticamente
mportamento
alor da im
r da imped
- a influn
os de resist
na barra da
gura 5.9 e n
de afundam
como deseq
uncias men
ores desvios
eendidos na
0,65 pu.
0 , o des
mostrados n
o simulados
S, inclusive
undamentos
SEP desequi
curvas de
ntos de tens
e na barr
equilibrado
e fase para a
e de igual c
o das curvas
mpedncia
ncia de fa
ncia da resi
ncias de fa
a subestao
na Figura 5
mentos para
quilibrado, a
nores.
s de frequn
faixa de V
s
empenho d
na Figura
s a partir de
quando o si
/ano, obtid
librado bar
distribuio
so na con
ra do consu
os mtodo
a barra da s
comportame
s para as dua
a de falta
alta na barr
istncia de
alta (0 e 2
o.
5.10 que a c
a curtos-circ
apresentam
ncia de ocor
ag
= 0,1 pu
do MCS
5.9 e na
e faltas com
istema des
o por cada
ra do consu
o de frequ
ndio de S
umidor sen
os apresenta
subestao e
ento. Nota-s
as barras mo
ra da Subes
falta R
f
. P
25 ) e for
curva de fre
cuitos slid
iguais com
rrncia de a
at V
sag
= 0
superior ao
Figura 5
impedncia
sequilibrado
a mtodo,

midor sens
ncia relativ
SEP equilib
nsvel so m
am erros ma
e para a bar
se que o gr
onitoradas.
stao
ara tanto, f
ram monito
equncia re
dos (R
f
= 0
mportamento
afundament
0,35 pu e na
o MCF, ou
.10, quand
as de falta n
o.
apresentad
112
vel.
va de
brado,
muito
aiores
rra do
au de
foram
rados
lativa
0 ),
os e a
tos de
faixa
seja,
do os
nula
do na

T
M

P
obser
frequ
das C
impe
sobre
impe
N
apres
MCS
a faix

Tabela 5.3: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Figura 5
Figura 5.10
Para o caso
rva, na Fi
uncia relati
Componente
edncias da
ecarregado)
edncia de f
No caso do
sentam afun
S a partir do
xa de valore
Desempenho
Equilibrad
5.9: Influnc
0: Influncia
o extremo q
gura 5.11
iva de ocor
es de Fases
as cargas s
), e praticam
falta de ele
SEP equili
ndamentos
o V
sag
= 0,8
es de V
sag
.
o do SEP par
do (afundam
1,200
1,200
1,200
cia da resist
a da resistn
quando a re
e na Figu
rrncia do M
so semelh
o semelha
mente no
evado valor
ibrado (Figu
de tenso a
8 pu e o M
ra R
f
= 0
mentos/ano)
ncia de falt
ncia de falta
esistncia d
ura 5.12, q
Mtodo das
hantes porqu
antes ao va
se registra
r.
ura 5.11), o
a partir do
CF no apr
monitorado
) Desequil
ta SEP equil
a SEP desequ
de falta e
que o comp
Componen
ue, no sistem
alor da imp
am afundam
os resultado
valor V
sag
=
resenta afun
o na barra d
librado (afu
1,200
1,200
1,200
librado com
uilibrado co
elevada (R
f
portamento
ntes Simtric
ma estudad
mpedncia d
mentos de t
os do progra
= 0,82 pu,
ndamento de
da Subesta
undamentos/
0
0
0

m R
f
= 0 .

om R
f
= 0 .
mx.
= 25
das curva
cas e do M
do, os valore
de falta (sis
tenso quan
ama ATP/E
enquanto p
e tenso em
113
o.
/ano)

) se
as de
todo
es das
stema
ndo a
EMTP
para o
m toda

E
nem
progr
O
Tabe
Ta
M

Figura 5.1
Figura 5.12
Entretanto, n
o MCF mo
rama ATP/E
O nmero t
ela 5.4.
abela 5.4: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
11: Influnc
2: Influncia
no caso do
ostraram afu
EMTP repe
total de afu
Desempenho
Equilibrad
cia da resist
a da resistn
SEP deseq
undamentos
etiu os mesm
undamentos
do SEP par
do (afundam
1,200
1,200
0
ncia de falt

ncia de falta
quilibrado m
de tenso e
mos resultad
/ano, obtid
ra R
f
= 25
mentos/ano)
ta SEP equil
SEP desequ
mostrado na
em toda a fa
dos obtidos
o por cada
monitorado
) Desequil
librado com
uilibrado com
a Figura 5.
faixa de valo
no caso equ
a mtodo,
o na barra d
librado (afu
0,120
0
0

m R
f
= 25 .

m R
f
= 25
12, nem o
ores de V
sag
uilibrado.
apresentad
da Subesta
undamentos/
0
114
.
MCS
g
. J o
do na
o.
/ano)

5.3.2
C
tanto
moni
O
ocorr
como
valor
entre
progr
Ou s
partir
conv

O
Tabe
2 Influnc
(barra 9
Como no t
o, foram sim
itorou os afu
Observa-se
rncia para
o desequilib
res de tens
e V
sag
= 0,1
rama ATP/E
seja, segund
r de faltas
veniente util
Figura 5.
Figura 5.14
O nmero t
ela 5.5.
cia do valor
9)
tulo anterio
mulados valo
fundamentos
na Figura 5
o caso de c
brado. A cu
o, independ
pu e V
sag
=
EMTP. Por
do estes resu
com impe
lizar o MCS
13: Influnc
4: Influncia
total de afu
r da imped
or, avaliar-s
ores extrem
s de tenso
5.13 e na F
curtos-circu
urva do MC
dente do n
= 0,55 pu a
rtanto, neste
ultados, qu
dncias de
S, inclusive
cia da resist
a da resistn
undamentos
dncia de fa
se- a influ
mos das resi
na barra do
Figura 5.14
uitos slidos
F possui ig
vel de dese
apresenta di
e caso, o des
ando os afu
falta nula
quando o si
tncia de falt
ncia de falta
/ano, obtid
alta na bar
uncia da r
stncias de
o consumido
que a curv
s (R
f
= 0 )
gual compor
equilbrio d
iscrepncia
sempenho d
undamentos
(condio
istema des
ta SEP equi
a SEP desequ
o por cada
ra do consu
resistncia d
faltas: 0
or sensvel.
va de frequ
), tanto em
rtamento em
do SEP. Na
com respei
do MCS su
s de tenso
de curto-ci
sequilibrado
ilibrado com
uilibrado co
a mtodo,
umidor sen
de falta R
f
.
e 25 , on
ncia relativ
SEP equilib
m toda a fai
faixa de va
ito ao MCS
uperior ao M
so simula
ircuito slid
o.

m R
f
= 0 .

om R
f
= 0 .
apresentad
115
nsvel
Para
nde se
va de
brado
xa de
alores
S e ao
MCF.
ados a
do)

do na

T
M

N
na Fi
ocorr
moni
imp
no s
os re
valor
apres

Tabela 5.5: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
No caso extr
igura 5.15 e
rncia do M
itoradas na
pedncia de
so registra
esultados do
r V
sag
= 0,82
sentam afun
Figura 5.1
Figura 5.16
Desempenho
Equilibrad
remo quand
e na Figura
MCS e do M
barra da sub
e falta), vis
dos afundam
o programa
2 pu, enqua
ndamento de
15: Influnc
6: Influncia
o do SEP par
do (afundam
1,20
1,20
1,20
do a resistn
a 5.16, o com
MCF. Estas
bestao (a
to que quan
mentos de t
ATP/EMT
anto para o M
e tenso em
cia da resist
a da resistn
ra R
f
= 0
sensvel.
mentos/ano)
ncia de falt
mportament
s curvas tm
caractersti
ndo a impe
tenso. No c
TP apresenta
MCS a part
m toda a faix
ncia de falt
ncia de falta
monitorado
) Desequil
ta elevada
to das curv
m caracters
ica que a i
dncia de f
caso do SEP
am afundam
tir do V
sag
=
xa de valore
ta SEP equil
SEP desequ
o na barra d
librado (afu
1,20
1,20
1,20
a (R
f mx.
= 2
as de frequ
sticas simil
impedncia
falta eleva
P equilibrad
mentos de te
= 0,88 pu e
es de V
sag
.
librado com
uilibrado com
o consumid
undamentos/
0
0
0
25 ) se ob
uncia relati
lares quand
a de carga
ada praticam
do (Figura 5
enso a par
para o MCF

m R
f
= 25 .

m R
f
= 25
116
or
/ano)
bserva
va de
o so
igual
mente
5.15),
tir do
F no
.
117

Entretanto, no caso do SEP desequilibrado mostrado na Figura 5.16, nem o MCS
nem o MCF mostraram afundamentos de tenso. O programa ATP/EMTP repetiu os
resultados obtidos para o caso equilibrado. O mesmo comportamento das curvas foi
observado tambm quando se monitorou na barra da subestao.
O nmero total de afundamentos/ano, obtido por cada mtodo, apresentado na
Tabela 5.6.
f
sensvel.
Mtodos Equilibrado (afundamentos/ano) Desequilibrado (afundamentos/ano)
ATP 1,20 0,576
MCS 1,20 0,576
MCF 0 0
possvel observar nas Figuras 5.9 e 5.11 (para as condies de R
f
= 0 e de R
f
=
25 ) que as curvas resultaram em comportamentos diferentes para a condio do SEP
equilibrado. Observa-se nas Figuras 5.10 e 5.12, para os mesmos valores de R
f
, que as
curvas resultaram tambm em comportamentos distintos para o SEP desequilibrado.
Para o caso da monitorao na barra do consumidor sensvel pode se notar nas Figuras
5.13 e 5.15 as curvas resultaram em comportamentos diferentes. Nas Figuras 5.14 e
5.16 apresentam tambm curvas com comportamentos distintos.
O valor da resistncia de falta tem uma importante influncia no comportamento do
sistema, para elevados valores de impedncia de falta no existem diferenas a respeito
do ponto de monitorao nem do desequilbrio.
5.4 Influncia dos tipos de faltas simuladas
Apresentar a influncia dos tipos de faltas no desempenho do MCS e do MCF um
dos objetivos deste trabalho. Portanto, foram considerados todos os tipos de faltas
shunt: trifsica (FFFT) nas fases abc-g, monofsica (FT) na fase a-g, bifsica terra
(FFT) nas fases bc-g e bifsica (FF) nas fases bc.
Para cada tipo de falta se efetuou uma comparao entre o sistema equilibrado e
desequilibrado, monitorada na barra da subestao, e na barra do consumidor sensvel,
considerando para todos os casos de estudo a variao da resistncia de falta R
f
na faixa
de valores de 0 at 25 .
5.4.1 Falta Trifsica monitorada na barra da subestao
Observando a Figura 5.17 para o SEP equilibrado monitorado na barra da
subestao, o MCS e o MCF se comportam de maneira similar a curva do programa
ATP/EMTP. O MCF fornece menores valores de frequncias de ocorrncia de
afundamentos de tenso na faixa de V
sag
< 0,5 pu, ou seja, subestima a influncia dos
afundamentos de tenso severos causados por faltas trifsicas-terra abc-g.
No caso da Figura 5.18 para SEP desequilibrado se pode observar que o MCF quase
no varia respeito do caso equilibrado. J no MCS, nota-se que se afasta da curva de
referncia detectando maior quantidade de afundamentos de tenso para valores
menores a V
sag
= 0,8 pu; e para valores maiores a V
sag
= 0,8 pu menor a quantidade
relativa de afundamentos de tenso detectados pelo MCS.

N
pode
MCF
Conc
deseq
o MC
O
Tabe
Ta
M

U
Erro
com
Figura
Figura 5
Neste caso p
e ver que pa
F se mantem
clui-se ent
quilbrio do
CS apresent
O nmero t
ela 5.7.
bela 5.7: De
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Uma anlise
Mdio Qu
sistema equ
5.17: # Sag
.18: # Sag T
particular d
ara SEP des
m quase igu
o, que para
o SEP. Por
ta sensibilid
total de afu
esempenho d
Equilibrad
e de erros n
uadrtico. S
uilibrado e d
Total FFFT
Total FFFT %
de falta trif
sequilibrado
ual e sem v
a faltas trif
m para este
dade com re
undamentos
do SEP para
do (afundam
1,08
1,08
1,08
nas tenses
o descritos
desequilibra
T % barra d
% barra da
sica abc-g
o a curva de
ariao algu
fsicas o M
e tipo de fal
espeito var
/ano, obtid
a falta FFFT
mentos/ano)
estimadas
s na Figura
ado.
da subesta
subestao
monitorada
e frequncia
uma com re
MCF no
lta, monitor
riao do de
o por cada
T monitorad
) Desequil
obtida de
a 5.19 e na
o SEP equil
SEP desequ
a na barra d
a relativa de
espeito ao S
susceptvel
rado na barr
esequilbrio
a mtodo,
do na barra
librado (afu
1,08
0,89
1,08
e acordo co
Figura 5.2

librado.

uilibrado.
da subesta
e ocorrncia
SEP equilib
l a varia
ra da subest
o do SEP.
apresentad
da Subesta
undamentos/
8
9
8
om a equa
0, para os
118
o, se
a pelo
brado.
es de
tao,
do na
o.
/ano)
o de
casos

O
trifs
erro
curto
at c
MCF
dimin
incre
O
falta
circu
no va
se in
ficar
eleva
vizin
S
susce
MCF
Os resultado
sica abc-g q
nos valores
o-circuito s
chegar ao v
F na condi
nuindo at
emento do e
Fig
Observa-se n
trifsica-te
uito slido,
alor de 0,05
crementa at
num valor
ados valore
nhana de 0,
Figu
Segundo a
eptvel s v
F para a con
os da Figu
quando m
s de afunda
lido. me
valor de 0,0
o de curt
um mnimo
erro at cheg
gura 5.19: F
na Figura 5
erra com SE
diminuindo
57 pu. Enqu
t chegar a
r estvel d
s de resist
,058 pu par
ura 5.20: Fa
Figura 5.19
variaes de
ndio de fa
ura 5.19 m
monitorado
amentos de
dida que va
061 pu, man
to-circuito
o de 0,044 p
gar num val
Falta FFFT b
.20 que o e
EP desequil
o at um val
uanto o erro
um valor m
de 0,075 pu
ncia de falt
a MCF e de
lta FFFT ba
9 e a Figu
e desequilb
alta trifsica
mostram o c
na barra da
tenso usa
ai aumentan
ntendo-se c
slido, tem
pu para um
lor assintoti
barra da sub
erro mximo
librado foi
lor de erro
o pelo MCS
mximo da o
u. Observa-
ta R
f
, os er
e 0,075 pu p
arra da sube
ura 5.20 p
brio do SEP
a-terra abc-g
comportame
a subesta
ando o MC
ndo a R
f
aum
constante ne
m-se um err
m valor de R
icamente co
bestao SE
o das tense
de 0,087 p
mnimo de
S zero para
ordem de 0,
-se, em am
rros tendem
para o MCS
estao SEP
possvel co
P e apresen
g monitorad
ento das cu
o com SEP
S pratica
mentam os v
esse valor.
ro de 0,087
R
f
= 5 , ve
onstante de 0
EP equilibra
es calculado
pu, para con
0,043 pu e
a curto-circ
103 pu e va
mbos os m
m a manter-
.
P desequilibr
oncluir que
nta maiores
da na barra d
urvas para
P equilibrad
amente zero
valores dos
Contudo, p
7 pu, o qua
erificando-s
0,058 pu.

ado.
o pelo MCF
ndio de c
estabilizan
cuito slido,
ai diminuind
todos, que
-se constant

rado.
o MCS
s erros do q
da subesta
119
falta
do. O
o para
erros
para o
al vai
se um
F para
curto-
ndo-se
, logo
do at
com
tes na
mais
que o
o.

5.4.2
A
ocorr
que a
F
O
detec
exist
consi
de V
s
do p
afund
ocorr
refer
P
consu
afund
frequ
resul
Fi
2 Falta Tr
A Figura 5
rncia para
as curvas do
Figura 5.21
Observa-se
cta menor
tem maiore
iderveis na
V
sag
= 0,25 pu
programa A
damentos d
rncia, isto
rncia e, por
Para a Figu
umidor su
damentos d
uncia de o
ltados obtid
igura 5.22: #
rifsica mo
.21 apresen
SEP equili
o MCS e do
: # Sag Tota
que, para
quantidade
es valores
a deteco
u as curvas
ATP/EMTP
de tenso m
significa q
rm a detec
ura 5.22 co
scetvel a
de tenso m
ocorrncias,
dos com ATP
# Sag Total
nitorada n
nta o comp
ibrado mon
o MCF no s
al FFFT % b
afundamen
relativa de
de frequ
para valore
do MCF e
P, utilizand
maiores a 0,7
que a curva
o de afun
om SEP d
afundamen
menor V
sa
quando na
P/EMTP.
FFFT % ba
a barra do
portamento
nitorada na b
se afastam d
barra do con
ntos de ten
e afundame
ncia de o
es menores
do MCS se
do este lti
75 pu apres
est desloc
ndamentos d
desequilibra
ntos de te
ag
= 0,2 pu
a verdade e
arra do cons
consumido
das curvas
barra do co
da curva do
nsumidor se
nso de pe
entos de te
ocorrncia;
a V
sag
= 0,2
comportam
imo como
enta menor
cada direi
de tenso i
ado monitor
enso, se o
u o MCF d
existem val
sumidor sen
or sensvel
s de frequ
onsumidor s
o programa A
ensvel SEP
quena mag
enso quand
o que es
25 pu. Para
m de maneir
referncia
res valores d
ita com res
incorreta.
rada tamb
observa qu
detecta men
lores maior
nsvel SEP d
(barra 9)
ncia relativ
sensvel. No
ATP/EMTP

equilibrado
gnitude, o
do, em ver
st dando
valores ma
ra similar a
. O MCS
de frequnc
peito curv
m na barr
ue na faix
nores valor
res, conform

esequilibrad
120
va de
ota-se
P.
o.
MCF
rdade,
erros
aiores
curva
para
cia de
va de
ra do
xa de
es de
me os
do.

A
de af
de re
pu. N
= 0,9
refer
C
terra
moni
O
Tabe
Ta
M

O
para
sens
(Figu
circu
se es
pelo
valor
aume
N
na b
mto
moni
erro
0 )
A curva do
fundamento
eferncia pa
No entanto,
90 pu poss
rncia.
Conclui-se e
o MCF e
itorao na
O nmero t
ela 5.8.
bela 5.8: De
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Observa-se
falta trifs
vel tem um
ura 5.19). O
uito slido,
stabiliza no
MCS para
r estvel d
ento da resi
Figura
Na Figura 5
arra do con
odo MCF se
itorado na b
mximo pa
), logo dim
MCS apres
os de tenso
ara afundam
o MCF par
sui uma cu
ento que p
e o MCS s
barra do co
total de afu
esempenho d
Equilibrad
na Figura 5
sica terra c
m comport
O erro mxi
logo diminu
valor de 0,0
curto-circui
e 0,08 pu.
stncia de f
5.23: Falta
.24 para um
nsumidor s
e comporta
barra da sub
ara o MCF f
minuindo com
senta valore
o menores
mentos de te
ra valores de
urva que ta
para o estud
so suscept
onsumidor s
undamentos
do SEP para
do (afundam
1,08
1,08
1,08
5.23 que os
com SEP e
amento sem
imo para o
ui com o au
065 pu para
ito slido
possve
falta os erro
FFFT barra
ma falta trif
ensvel, ob
de um mod
bestao, ac
foi de 0,131
m o aumen
es 20 % acim
V
sag
= 0,3
nso compr
e afundame
ambm apr
do de frequ
tveis var
sensvel.
/ano, obtid
a falta FFFT
sensvel.
mentos/ano)
s erros das
equilibrado
melhante
MCF foi d
umento da R
a elevados v
praticamen
el observar,
s tendem a
a do consum
sica-terra a
bserva-se qu
do especial;
centuando-s
1 pu para a
nto da R
f
at
ma da curva
pu e, quas
reendidos e
entos de ten
resenta valo
ncia de oco
riao de d
o por cada
T monitorad
) Desequil
tenses cal
monitorado
monitora
de 0,133 pu
R
f
at o val
valores de r
nte zero e se
, em ambo
manter-se a
midor sensv
abc-g e SEP
ue o erro n
; quase de m
se nos valo
condio de
t um valor
a de refern
e 35 % sup
ntre V
sag
=
so de V
sag
ores superio
orrncia com
desequilbri
a mtodo,
da na barra
librado (afu
1,61
0,89
1,08
lculadas pe
o na barra
o da barr
u para a con
lor mnimo
esistncia d
e incrementa
os os mtod
assintoticam
el SEP equi
P desequilib
nas tenses
maneira sem
ores mximo
e curto-circ
r mnimo d
ncia para va
periores da
0,4 e V
sag
=
= 0,2 pu at
ores curv
m falta trif
io do SEP
apresentad
do consumi
undamentos/

9
8
elo mtodo
do consum
a da subes
ndio de c
de 0,022 pu
de falta. J o
a at chegar
dos, que co
mente consta

librado.
brado monit
calculadas
melhante ao
os e mnim
cuito slido
de 0,021 pu
121
alores
curva
= 0,88
V
sag

va de
sica-
para
do na
idor
/ano)
MCF
midor
stao
curto-
u que
o erro
r num
om o
ante.
orada
s pelo
o caso
mos. O
(R
f
=
u e se

estab
circu
para
obser
tende
C
igual
trifs
que
susce
5.4.3
O
equil
mane
o MC
tens
bilizando no
uito slido
um valor
rvar, em am
em a se man
Figura 5.
Conclui-se q
l maneira q
sica o MCS
o MCF, p
eptvel a afu
3 Falta M
Observa-se
librado mon
eira similar
CS apresen
o menores
Figur
o valor de
praticame
de R
f
= 5
mbos os m
nter em um
.24: Falta FF
que os erro
que os erros
S mais su
para afunda
undamentos
onofsica m
nas curvas
nitorada na
ao program
ntam valore
que curva
ra 5.25: # Sa
0,061 pu.
ente zero in
at cheg
todos, que
valor const
FFT barra d
s obtidos n
s monitorad
sceptvel ao
amentos ob
s de tenso.
monitorada
s da Figur
a barra da
ma ATP/EM
es de frequ
a de refern
ag Total FT
J o erro p
ncrementand
gar a uma
com o aum
tante.
do consumid
a barra do
dos na barra
o desequilb
bservados m
a na barra
ra 5.25 que
subestao,
MTP. Para va
ncia relativ
ncia.
% barra da
pelo MCS
do-se num
estabilidad
mento da res
dor sensvel
consumidor
a da subest
brio do SEP
monitoradas
da subesta
e para falt
, o MCS e
alores maio
va de ocorr
a subestao
para a con
valor mxi
de de 0,095
sistncia de
l SEP desequ
r sensvel s
tao. Na c
P e apresen
s na barra
ao
tas monof
o MCF se
ores a V
sag
=
rncia de a
o SEP equilib
ndio de c
imo de 0,13
5 pu. pos
falta R
f
os

uilibrado.
se comporta
condio de
nta maiores
do consum
sicas com
e comporta
= 0,8 pu o M
afundamento

brado.
122
curto-
38 pu
ssvel
erros
am de
e falta
erros
midor
SEP
am de
MCF e
os de

P
barra
respe
N
maio
0,8 p
ao va
N
obser
pelo
cur
de d
respe
O
Tabe
T
M

A
deseq
A
tens
sube
seme
incio
incre
mant

Para a Figur
a da subesta
eito do caso
Figura
No entanto,
or frequnci
pu. Acima d
alor de refer
No caso pa
rva-se que
MCF mant
rva do SEP
desequilbrio
eito varia
O nmero t
ela 5.9.
Tabela 5.9: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
A anlise d
quilibrado
A Figura 5.2
o durante u
stao. Os
elhante com
o o erro
ementando-s
tm assintot
ra 5.26 na m
ao e com
o equilibrado
5.26: # Sag
para o MC
ia relativa d
deste limiar
rncia.
articular de
para SEP d
tm seu com
equilibrado
o do SEP.
o do deseq
total de afu
Desempenho
Equilibrad
de erros ob
apresentad
27 mostra u
uma falta m
valores do
mportamento
praticamen
se at um
ticamente c
mesma cond
SEP deseq
o.
Total FT %
CS nota-se q
de afundame
r, as curvas
falta mono
desequilibra
mportamento
o. Conclui-s
Por outro l
quilbrio do
undamentos
o do SEP pa
do (afundam
1,799
1,799
1,799
btida nas t
da na Figura
um compor
monofsica a
os erros pe
o e de mn
nte nulo na
valor de 0
onstante.
dio de fal
quilibrado s
% barra da s
que se afast
entos de ten
do MCS e
ofsica a-g
ado a curva
o quase igu
se ento qu
lado, o MC
o SEP.
/ano, obtid
ra falta FT
mentos/ano)
tenses est
a 5.27 e na F
rtamento sin
a-g com SEP
elos mtod
ima varia
a condio
0,029 pu pa
lta que no c
e observa q
ubestao S
ta da curva
nso a partir
e do MCF a
g monitorad
a de frequ
ual e sem va
e o MCF n
CS apresent
o por cada
monitorado
) Desequil
timadas pa
Figura 5.28
ngular nos
P equilibrad
os estudad
o na faixa
de curto-c
ara valores
caso anterio
que o MCF
SEP desequi
de refernc
r de V
sag
=
apresentam
da na barra
ncia relativ
ariao algu
o suscep
ta sensibilid
a mtodo,
o na barra d
librado (afu
1,836
1,543
1,799
ra os caso
8.
erros dos a
do e monito
os (MCF e
a toda de va
circuito sl
elevados
r, monitora
quase no

ilibrado.
cia apresent
0,4 pu at V
valores me
a da subest
va de ocorr
uma com res
ptvel a vari
dade no qu
apresentad
a Subesta
undamentos/
6
3
9
os equilibra
afundament
orado na bar
e MCS) s
alores de R
lido (R
f
=
de R
f
, ond
123
ada na
varia
tando
V
sag
=
enores
tao,
rncia
speito
aes
ue diz
do na
o.
/ano)
ado e
tos de
rra da
o de
R
f
. No
0 )
de se

N
SEP
distin
N
pratic
se no
dimin
entan
pratic
pu pa
C
apres
5.4.4
N
moni
MCS
Obse
= 0,7
F
Na Figura 5.
desequilibr
ntos compo
Fig
No inicio o
camente nu
o caso do M
nuindo at
nto, para o
camente sem
ara o caso d
Conclui-se q
senta maior
4 Falta M
Na Figura 5
itorada na b
S e do MC
erva-se que
75 pu os m
Figura 5.27:
.28 observa
rado e moni
rtamentos,
gura 5.28: F
os erros pe
ulos para a c
MCS at u
chegar a um
MCF para
melhante ao
do SEP com
que segund
res erros e
onofsica m
5.29 se apr
barra do co
CF so qua
para afund
mtodos de
Falta FT ba
am-se os err
itorado na b
contrrio ao
Falta FT bar
elos mtod
condio de
um valor m
m valor est
a SEP dese
o SEP equi
m desequilbr
do as figura
mais susce
monitorada
resenta o c
onsumidor s
se coincide
damentos de
componen
arra da sube
ros das tens
barra da sub
o que aconte
rra da subes
dos de com
e curto-circu
mximo de 0
tvel de 0,0
quilibrado
librado, s
rio de 3,56
as de erros
eptvel ao de
a na barra
comportame
sensvel a a
entes com
e tenso com
ntes simtric
estao SEP
es durante
bestao. O
ece na figur
stao SEP d
mponentes
uito slido
0,101 pu p
07 pu para v
o comporta
que o valor
%.
s (Figura 5.
esequilbrio
do consum
ento das cu
afundamento
os resultad
mpreendido
cas e de fa
P equilibrad
a falta mon
MCF e o M
ra anterior (
desequilibra
simtricas
(R
f
= 0 ).
ara uma R
f
valores elev
amento da
r de erro m
.27 e Figur
o do SEP qu
midor sensv
urvas para
os de tens
dos da curv
os entre V
sag
ases apresen

o.
nofsica a-g
MCS aprese
(Figura 5.27

ado.
e de fases
Incrementa
f
= 5 e
vados de R
f
curva do e
mximo de
ra 5.28) o
ue o MCF.
vel (barra 9
SEP equilib
o. As curv
va da refer
g
= 0,4 pu e
ntam valor
124
g com
entam
7).
s so
ando-
logo
f
. No
erro
e 0,06
MCS
9)
brado
as do
ncia.
e V
sag

es de

frequ
tens
faixa
com
N
sens
frequ
pelo
20 %
refer
faixa
de oc
C
ocorr
Terra
F

O
Tabe
uncia de oc
o com valo
a de V
sag
=
uma diferen
Figura 5.2
Na Figura
vel, se obs
uncia relati
ATP/EMTP
% superiore
rncia para
a de V
sag
= 0
corrncia de
Conclui-se e
rncia o MC
a quando m
Figura 5.30:
O nmero t
ela 5.10.
corrncia co
ores compr
= 0,75 pu at
na pequen
29: # Sag To
5.30 com
serva que na
iva de ocorr
P. A partir
s a curva d
afundament
0,75 pu at
e 30 % acim
ento que se
CF e o MC
monitorado
: # Sag Tota
total de afu
oincidentes
eendidos na
t V
sag
= 0,9
a em rela
tal FT % ba
SEP deseq
a faixa men
rncia de af
de V
sag
= 0
de refernci
tos de magn
V
sag
= 0,9 p
ma do valor
egundo a Fi
CS so susc
o na barra do
al FT % bar
undamentos
com a curv
a faixa de
9 pu os m
o curva d
arra do cons
quilibrado
nor V
sag
=
fundamento
,35 pu at V
ia. No entan
nitude supe
pu, apresent
da curva de
gura 5.29 e
ceptveis ao
o consumid
rra do consu
/ano, obtid
va de refer
V
sag
= 0,28
todos estud
e referncia
sumidor sen
monitorada
= 0,3 pu o
os de tenso
V
sag
= 0,7 p
nto, o MCS
erior a 0,8 p
a uma difer
e referncia
a Figura 5.
desequilbr
dor sensvel.
umidor sens
o por cada
ncia. Para a
pu at V
sa
dados so co
a.
nsvel SEP eq
a na barra
MCF e o M
o 12 % supe
u os valore
S converge
pu. Mas no
rencia de fre
.
30 de frequ
rio do SEP
.
vel SEP des
a mtodo,
afundament
ag
= 0,4 pu;
oincidentes

quilibrado.
do consum
MCS aprese
eriores as ob
s obtidos s
para a curv
o o MCF, q
equncia re
uncia relati
para falta

sequilibrado
apresentad
125
tos de
; e na
, mas
midor
entam
btidas
o at
va de
que na
lativa
iva de
Fase-
o.
do na

Ta
M

N
SEP
Obse
para
at u
valor
para
de 0,
O
resist
pu.
A
deseq
mto
0,082
pu, e
erro
por o
aprox
pu, o
aume

abela 5.10: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Na Figura 5
equilibrado
erva-se que
a condio
um valor m
r de 0,037 p
a condio
,037 pu para
Observa-se
tncia de fa
Figur
A Figura 5.3
quilibrado e
odo MCF
2 pu para a
e com o inc
para o MC
o MCS d
ximadamen
onde se man
ento da resi
Desempenho
Equilibrad
5.31 apresen
o monitorad
o erro mxi
de curto-ci
nimo de 0,
pu mantend
o de curto-c
a elevados v
que para
alta R
f
os er
a 5.31: Falta
32 correspon
e falta fase
sempre inf
condio d
cremento do
S na condi
da ordem de
nte, diminuin
ntm num
stncia de f
o do SEP pa
do (afundam
1,799
1,799
1,799
nta os erros
da na barra
imo nas ten
rcuito slid
008 pu para
do-se assint
circuito sli
valores de r
ambos os
rros tendem
a FT barra
nde barra
e terra a-g.
ferior ao err
de curto-circ
o valor da R
o de curto
e 0,14 pu p
ndo com o a
valor estv
falta R
f
os e
ara falta FT
sensvel.
mentos/ano)
s das tense
do consumi
nses calcul
do (R
f
= 0
a uma R
f
=
oticamente
do pratica
resistncia d
mtodos (
m a manter-s
do consumi
de monitor
Observa-se
ro apresenta
cuito slido,
R
f
se estabi
o-circuito s
para um val
aumento da
el. Em amb
erros tendem
monitorado
) Desequil
es para uma
idor sensve
adas pelo m
). O erro di
= 1 , logo
constante.
amente zero
de falta R
f
.
(MCF e M
e constante
dor sensvel
rao do con
e que o err
ado pelo M
, logo o mn
liza no valo
lido igua
lor de resist
a R
f
at esta
bos os mto
m a manter-s
o na barra d
librado (afu
2,685
1,726
1,799
a falta mon
el a afundam
mtodo MCF
iminui com
o erro se i
No caso do
o, estabiliza
MCS), com
num mesm
l SEP equilib
nsumidor se
ro da tenso
MCS. O erro
nimo valor d
or de 0,069
al ao MCF.
tncia de fa
abilizar-se n
odos se obs
se constante
do consumid
undamentos/
5
6
9
nofsica a-g
mento de te
F foi de 0,1
o aumento
incrementa
o erro pelo
ando-se no
m o aument
mo valor de 0

brado.
ensvel com
o calculada
o pelo MCF
de erro de
9 pu. Enqua
. O erro m
alta de R
f
=
no valor de 0
serva que c
e.
126
dor
/ano)
g com
enso.
16 pu
da R
f

at o
MCS
valor
to da
0,037
m SEP
a pelo
F de
e 0,02
anto o
ximo
= 5
0,087
com o

C
mais
cond
esper
5.4.5
C
tens
moni
progr
pu e
apres
at V
V
sag

possu
(prog
N
tamb
no v
Figura
Conclui-se q
susceptve
dio de fa
rado o MCF
5 Falta Bi
Comparando
o do MCF
itorada na b
rama ATP/E
V
sag
= 0,7
senta menor
V
sag
= 0,8 pu
= 0,9 pu a
uem menor
grama ATP/
Figura
Na Figura 5
bm na barr
varia respeit
5.32: Falta F
que segund
el ao desequ
alta monof
F apresenta
fsica-Terr
o as curvas
e do MCS
barra da sub
EMTP na fa
75 pu. Para
res valores
u, as trs cu
s curvas do
es valores d
/EMTP).
a 5.33: # Sag
5.34 para a
a da subesta
to do caso e
FT barra do
do as figura
uilbrio do S
sica monit
baixa sensi
ra monitor
s de frequ
(Figura 5.3
bestao; o
aixa de afun
a afundamen
de frequnc
urvas so co
o MCS e d
de frequnc
g Total FFT
mesma con
ao e com
equilibrado.
o consumido
as de erros
SEP e apres
torada na b
ibilidade ao
rada na bar
ncia relativ
33) para SEP
MCS se co
ndamentos d
ntos de ten
cia relativa
oincidentes
o MCF apr
ia relativa d
% barra da
ndio de f
m SEP deseq
.
or sensvel S
(Figura 5.3
senta maior
barra do co
desequilbr
rra da Sube
va de ocorr
P equilibrad
omporta de
de tenso co
nso menor
de ocorrn
. A partir d
resentam ig
de ocorrnc
a subestao
falta que no
quilibrado se
SEP desequi
31 e Figura
res erros qu
onsumidor
rio do SEP.
estao
rncia de a
do com falt
maneira sim
ompreendid
es V
sag
=
ncia. Para va
do valor de
gual compor
ia que a cur
o SEP equili
o caso ante
e observa q

ilibrado.
a 5.32) o M
ue o MCF p
sensvel. C
afundamento
a bifsica a
milar a curv
dos entre V
sa
= 0,5 pu o
alores super
V
sag
= 0,8 p
rtamento, p
rva de refer

ibrado.
erior, monit
que o MCF q
127
MCS
para a
Como
os de
a terra
va do
ag
= 0
MCF
riores
pu at
porm
rncia
orada
quase

M
apres
0,75
frequ
N
deseq
algum
O
Tabe
Ta
M

C
afund
deseq
no SE
U
Quad
equil
MCF
) o
at u
const
P
zero,
pu p
falta.
O
resist

Figura 5
Mas para o
sentando m
pu. Acima
uncia relati
Neste caso d
quilibrado s
ma respeito
O nmero t
ela 5.11.
abela 5.11: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Conclui-se
damentos d
quilbrio do
EP para a m
Uma anlise
drtico ap
librado. Ob
F monitorad
o valor mx
um valor m
tante no val
Para o MCS
, e se increm
ara R
f
= 1
.
Observa-se p
tncia de fa
5.34: # Sag T
o MCS, n
aior frequn
de dito lim
iva de ocorr
de falta bif
se observa q
do SEP equ
total de afu
Desempenho
Equilibrad
ento que
de tenso
o SEP, por
mesma cond
e de erros na
presentada n
serva-se o c
da na barra d
ximo de erro
mnimo de 0
lor de 0,06 p
S na condi
menta com
0 , logo
para ambos
alta R
f
os err
Total FFT %
nota-se que
ncia relativa
iar a curva
rncia que a
sica terra b
que a curva
uilibrado, c
undamentos
o do SEP par
do (afundam
0,360
0,360
0,360
e segundo
para falta
m o MCS
dio de falt
as tenses e
na Figura 5
comportam
da subesta
o foi de 0,1
0,055 pu pa
pu para elev
o de curto
o aumento
se manter c
os mtodo
ros tendem
% barra da s
dita curv
a de ocorrn
do MCS e d
a curva de r
bc-g monito
a do MCF s
omo na ma
/ano, obtid
ra falta FFT
mentos/ano)
as figuras
bifsica a
apresenta
ta.
estimadas de
.35 para um
ento da cur
o para a co
10 pu. Logo
ara uma R
f

vados valor
o-circuito s
do valor d
constante p
s estudados
a se manter
subestao S
va se afast
ncia a partir
do MCF pre
eferncia.
orada na ba
e comporta
ioria dos ca
o por cada
T monitorad
) Desequil
s de frequ
terra o M
sensibilidad
e acordo co
ma falta bif
rva do erro
ondio de
o o erro dim
= 7 e s
res de resist
lido (R
f
=
a R
f
at se
para elevado
s (MCF e M
r constante
SEP desequ
ta da curv
r de V
sag
=
esentam val
arra da sube
quase igua
asos estudad
a mtodo,
do na barra
librado (afu
0,360
0,345
0,360
uncias de
MCF no
de respeito
om a equa
fsica terra
nas tenses
curto-circui
minui com
e incremen
ncia de fal
0 ) o erro
aproximar n
os valores d
MCS) que co
na proximid

uilibrado.
va de refer
0,4 pu at V
lores menor
estao para
al e sem var
dos.
apresentad
da Subesta
undamentos/
0
5
0
e ocorrnci
susceptve
ao desequi
o de Erro M
bc-g e com
s calculadas
ito slido (R
o aumento
nta at se m
lta.
o praticam
no valor de
de resistnc
om o aumen
dade de 0,0
128
rncia
V
sag
=
res de
a SEP
riao
do na
o.
/ano)
ia de
el ao
ilbrio
Mdio
m SEP
s pelo
R
f
= 0
da R
f

manter
mente
e 0,06
cia de
nto da
6 pu.

O
com
apres
equil
MCS
mxi
0,07
P
SEP
slid
5,8 %
S
(mn
para
comp
deseq
bifs
Fi
Observa-se
SEP deseq
sentam com
librado (Fig
S praticam
imo de 0,10
pu para val
Para o MCF
equilibrado
do. medid
%, mantendo
Fig
Segundo a
nimo erro no
faltas de
portamento
quilbrio do
sica terra qu
igura 5.35: F
na Figura 5
quilibrado
mportamento
gura 5.35).
mente igual
03 pu para u
lores de R
f
e
F com SEP d
o, sendo que
da que se in
o-se constan
ura 5.36: Fa
Figura 5.35
os afundam
e alta im
do MCF.
o SEP e ap
uando mon
Falta FFT b
5.36 os erro
e monitora
os semelha
Na condi
ao SEP equ
uma R
f
= 6
elevados.
desequilibra
e o erro m
crementa o
nte.
alta FFT bar
5 e a Figur
mentos de te
mpedncia
Conclui-s
presenta ma
nitorada na
barra da sub
os das tens
ado na barr
antes como
o de curto-
uilibrado lo
e diminu
ado o comp
ximo de 0
valor da re
rra da subes
ra 5.36 o M
enso) para
apresenta
e tambm
aiores erros
barra da sub
bestao SEP
ses durante
ra da sube
acontece n
-circuito s
ogo vai incr
ui at chega
ortamento
0,10 pu para
esistncia de
stao SEP
MCS apres
a a condio
erros elev
que o MC
que o MC
bestao.
P equilibrad
e a falta bi
stao. O
na figura an
lido (R
f
= 0
rementando
ar a um val
praticamen
a condio
e falta R
f
o
desequilibr
senta um bo
o de curto-
vados, con
CS mais
CF para a c

do.
fsica terra
MCF e o
nterior com
0 ) o erro
o-se at um
or assintti
nte semelha
de curto-cir
erro diminu

ado.
om desemp
circuito sl
ntrariamente
s susceptve
ondio de
129
a bc-g
MCS
m SEP
o pelo
valor
co de
ante
rcuito
ui at
penho
lido e
e ao
el ao
e falta

5.4.6
A
ocorr
sens
O
ditas
curva
N
um v
0,35
sobre
incre
N
deseq
do M
Onde
mxi
pu.
F
6 Falta Bi
A Figura 5
rncia do M
vel. Observ
Observa-se q
curvas ap
a de refern
Na faixa com
valor de 10
pu e V
sag

e o valor d
emento mx
Figura 5.37
Na Figura 5
quilibrado m
MCF e do
e o MCS ap
imo de 20 %
Figura 5.38:
fsica-Terr
.37 apresen
MCF e do M
va-se que di
que as curv
resentam m
ncia em qua
mpreendida
% acima da
= 0,75 pu,
e referncia
ximo sobre a
7: # Sag Tot
5.38 para a
monitorada
MCS apres
presenta ma
% acima do
# Sag Total
ra monitor
nta o comp
MCS para SE
itas curvas s
as do MCF
maiores val
se em toda
a entre V
sag
a curva do p
o valor de
a em 18 %
a referncia
tal FFT % b
mesma co
na barra d
sentam com
aiores valor
valor do AT
l FFT % bar
rada na bar
portamento
EP equilibra
se afastam d
e do MCS
ores de fre
a faixa de a
= 0,1 pu a
programa A
e frequncia
, e na faixa
a de 25 %
barra do con
ndio de f
do consumid
mportamento
res de frequ
TP/EMTP n
rra do consu
rra do cons
das curvas
ado monitor
da curva de
possuem co
equncia re
afundamento
at V
sag
= 0
ATP/EMTP,
a relativa d
a de V
sag
=
aproximada
nsumidor sen
falta que no
dor sensve
os similare
uncia relati
na faixa de
umidor sens
sumidor sen
s de frequ
rada na barr
referncia.
omportamen
elativa de o
os de tenso
,3 pu as cu
porm na f
de ocorrnci
0,8 pu at
amente.
nsvel SEP e
o caso ante
l, se observ
s que no S
va de ocorr
V
sag
= 0,1 p
svel SEP de
nsvel (barr
ncia relativ
ra do consum

ntos particu
ocorrncia q
o.
urvas aprese
faixa entre V
ia se increm
V
sag
= 0,9

equilibrado.
erior e para
va que as c
SEP equilib
rncia num
pu at V
sag
=

esequilibrad
130
ra 9)
va de
midor
ulares,
que a
entam
V
sag
=
menta
pu o
.
a SEP
curvas
brado.
valor
= 0,78
do.

S
para
SEP,
Porm
a con
O
Tabe
Ta
M

U
moni
calcu
slid
medi
curva
O
comp
quase
P
moni
resist
Porm
Para
e par
pu e

Segundo as
falta bifsi
, pois apre
m o MCS a
ndio de fa
O nmero t
ela 5.12.
abela 5.12: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Uma anlise
itorada na
uladas pelo
do e para o M
ida em que
a do erro pe
Observa-se
portamento
e 0,07 pu.
Figura
Pode-se obs
itoradas na
tncia de fa
m para valo
condio d
ra o MCS ne
estabilizand
figuras de
ica terra se
esenta idnt
apresenta se
alta bifsica
total de afu
Desempenho
Equilibrad
e de erro
barra do
mtodo MC
MCS tem u
se increme
elo MCF s
tambm qu
semelhante
a 5.39: Falta
servar na F
barra do c
alta R
f
men
ores maiore
de curto-circ
esta mesma
do-se no va
frequncia
e conclui qu
tico compo
ensibilidade
a terra bc-g.
undamentos
o do SEP par
do (afundam
0,480
0,360
0,360
descrita na
consumidor
CF tem um
um valor de
enta o valo
sempre men
ue os erros
e para eleva
a FFT barra
igura 5.40
consumidor
nores de 2,3
s de R
f
os v
cuito slido
a condio
lor de 0,088
relativa de
ue o MCF
ortamento v
e respeito
/ano, obtid
ra falta FFT
sensvel.
mentos/ano)
a Figura 5.3
r sensvel.
valor de 0,
0,0003 pu
or da R
f
os
nor que pelo
pelos mto
ados valores
a do consum
que para u
r sensvel c
3 o MCF
valores dos
(R
f
= 0 )
de 0,006pu
8pu.
ocorrncia
no susc
variando o
variao do
o por cada
T monitorad
) Desequil
39, na cond
Observa-s
015 pu para
para a mes
erros aume
o MCS.
dos estudad
s de R
f
cheg
idor sensve
uma falta b
com SEP d
F apresenta
erros do M
o erro mxi
u aumentan
de afundam
ceptvel ao
desequilb
o desequilb
a mtodo,
do na barra
librado (afu
0,480
0,345
0,360
dio de SE
e que o e
a condio
ma condi
entam. de
dos (MCF e
gando a um
el SEP equili
ifsica terra
esequilibrad
menores er
MCS diminu
imo para o M
ndo o erro at
mentos de te
desequilbr
brio do sis
brio do SEP
apresentad
do consumi
undamentos/
0
5
0
EP equilibra
erro das ten
de curto-cir
o. Sendo q
e salientar q
e MCS) tem
m erro mxim

ibrado.
a nas fases
do, e valor
rros que o M
em at 0,05
MCF de 0
t chegar a 0
131
enso
rio do
tema.
P para
do na
dor
/ano)
ado e
nses
rcuito
que na
que a
m um
mo de
bc-g
res de
MCS.
58 pu.
0,1 pu
0,108

S
sim
de fa
circu
afund
Conc
e apr
moni
5.4.7
O
moni
V
sag

ATP
pu a
ATP
O
valor
Figura 5
Segundo a
tricas e de
alta. Na Fig
uito slido
damentos d
clui-se tamb
resenta mai
itorada na b
7 Falta Bi
Os resultado
itorada na b
= 0,75 pu
/EMTP. Se
curva do M
/EMTP.
Figur
O MCF, par
res de frequ
5.40: Falta F
Figura 5.39
fases apres
gura 5.40 os
o MCS ap
de tenso, e
bm que o M
iores erros q
barra da sub
fsica mon
os exibidos
barra da sub
u se comp
endo que pa
MCS aprese
ra 5.41: # Sa
ra afundam
uncia de o
FFT barra d
9 observa-s
sentam igua
s mtodos a
presenta um
e para falta
MCS mais
que o MCF
bestao.
nitorada na
na Figura
bestao, m
porta de m
ara valores
enta valores
ag Total FF
mentos de te
ocorrncia
do consumid
se que as
ais comporta
apresentam
m bom des
as de alta
s susceptve
F para a con
a barra da S
5.41 para f
mostram que
maneira sem
compreend
de frequn
% barra da
enso meno
e na faixa
dor sensvel
curvas dos
amentos co
m diferenas
sempenho,
impedncia
el s varia
ndio de f
Subestao
falta bifsic
e o MCS na
melhante q
didos entre V
ncia relativa
a subestao
res V
sag
=
de V
sag
=
SEP desequ
s mtodos
om a varia
. Para a con
ou seja, m
a apresenta
es de dese
falta bifsic
o
a a terra e
a faixa de V
que a curv
V
sag
= 0,78
a menor que
SEP equilib
= 0,6 pu ap
0,6 pu at

uilibrado.
de compon
o da resist
ndio de c
mnimo erro
erros elev
quilbrio do
a terra quan
SEP equilib
V
sag
= 0,1 p
va do prog
pu at V
sag

e a refernc

brado.
presenta me
V
sag
= 0,9
132
nentes
tncia
curto-
o nos
vados.
o SEP
ndo
brado
pu at
grama
= 0,9
cia do
enores
pu o

comp
de fr
O
moni
varia
sensi
O
deseq
milar
deseq
ae
O
Tabe
Ta
M

A
moni
as cu
de de
Figur
toda
MCF
mxi
mxi
portamento
equncia re
Observa-se
itorada na b
a respeito d
ivelmente c
O caso de fa
quilibrado s
r e quase s
quilbrio do
s de desequ
Figura
O nmero t
ela 5.13.
abela 5.13: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
A seguir a
itoradas na
urvas dos er
esequilbrio
ra 5.43 com
a faixa de v
F de 0,04
imo para M
imo de erro
no coinci
elativa de af
na Figura 5
barra da sub
do caso equ
om a varia
falta bifsica
se observa t
sem varia
o SEP. Con
uilbrio do S
5.42: # Sag
total de afu
Desempenho
Equilibrad
presentada
barra da su
rros apresen
o. Os valore
m SEP equil
valores de R
43 pu e para
MCF chega a
de 0,054
ide com a c
fundamento
5.42 para a
bestao, ma
uilibrado. P
o do deseq
a nas fases
tambm que
o respeito
nclui-se tam
SEP para fal
Total FF %
undamentos
o do SEP pa
do (afundam
0,60
0,60
0,36
uma anlise
ubestao ta
ntam simila
es mximos
librado o M
R
f
. Na cond
a o MCS
a 0,158 pu p
pu para ele
curva de re
s de tenso.
a mesma co
as com SEP
Para o MCS
quilbrio do
bc, monito
e a curva do
do SEP eq
mbm que o
lta bifsica m
% barra da s
/ano, obtid
ara falta FF
mentos/ano)
e de erros. N
anto para o
ares compor
s e mnimos
MCS possui
dio de cur
de 0,014 p
para uma R
f
evados valor
ferncia ap
.
ondio de
P desequilib
S nota-se q
o SEP.
orada na bar
o MCF man
quilibrado,
o MCS apre
monitorada
ubestao S
o por cada
monitorado
) Desequil
No caso de
SEP equili
rtamentos in
s so semelh
menor erro
rto-circuito
pu aproxim
f
= 5 , en
res de R
f
.
presentando
falta que n
brado, que o
que varia o
rra da sube
ntem um co
assim no
esenta sensi
na subesta
SEP desequi
a mtodo,
o na barra d
librado (afu
0,60
0,48
0,36
faltas bifs
ibrado com
ndependent
hantes nas
o com respe
slido (R
f
=
madamente.
nquanto para
maiores va
no caso ant
o MCF quas
comportam
estao para
omportamen
susceptv
ibilidade as
o.

librado.
apresentad
da Subesta
undamentos/
0
8
6
sicas nas fas
o desequilib
temente do
duas figura
ito ao MCF
= 0 ) o er
O valor de
a o MCS o
133
alores
terior,
se no
mento
a SEP
nto si-
vel ao
vari-
do na
o.
/ano)
ses bc
brado
o grau
as. Na
F para
rro do
e erro
valor

N
curto
pu ap
aprox
. A
erros

S
e MC
com
apres
para
comp
nos a
falta
que p
de de
deseq
F
No caso de
o-circuito s
proximadam
ximadamen
A continua
s maiores na
Fig
Segundo a F
CF para o
a variao
senta um b
faltas de
portamento
afundament
e para falta
para a cond
esequilbrio
quilbrio pa
Figura 5.43:
SEP deseq
lido (R
f
= 0
mente. O va
nte, sendo qu
o o erro dim
a faixa de v
gura 5.44: F
Figura 5.43
SEP equili
da resistn
om desemp
e alta imp
do MCF
tos de tens
as de alta im
dio de falt
o do SEP ap
ara afundam
Falta FF ba
quilibrado
0 ) o erro
alor mxim
ue para o M
minui a 0,7
alores de R
f
Falta FF bar
e a Figura
ibrado e de
cia de falta
penho, ou s
pedncia a
na condi
o, increme
mpedncia a
ta bifsica o
presentando
mentos moni
arra da sube
observado
pelo MCF
mo para MC
MCS o valor
pu para ele
f
compreen
rra da subes
5.44 se obs
esequilibrad
a. Para a con
seja, mnim
apresenta e
o de curto-
entando-se
apresenta na
o MCS e o M
iguais valo
itorados na b
estao SEP
o na Figura
de 0,042 p
F chega a 0
r mximo
evados valor
didos e R
f
=
tao SEP d
serva que as
do apresent
ndio de c
mo erro nos
erros eleva
-circuito s
para valore
a ordem de
MCF no s
ores de erro
barra da sub
P equilibrad
a 5.44, para
pu e para o
0,16 pu par
de 0,081 p
res de R
f
. O
= 0 at R
f
desequilibra
s curvas dos
am iguais
curto-circuit
afundamen
ados. Por
lido apresen
es mdios d
6,5 %. Co
o susceptv
os quando se
bestao.

o.
a a condi
MCS de 0
ra uma R
f
=
u para R
f
=
O MCF apre
R
f
= 17,5 .

ado.
s erros dos
comportam
to slido o
ntos de tens
outro lad
nta mnimo
de resistnc
nclui-se tam
veis as vari
e varia o gr
134
o de
0,033
= 5
= 17,5
esenta
.
MCS
mentos
MCS
so, e
do, o
o erro
cia de
mbm
aes
rau de

5.4.8
A
ocorr
consu
meno
de oc
o MC
Na fa
para
tanto
curva
N
com
frequ
no c
ATP
MCS
apres
dimin

F
8 Falta Bi
A Figura 5
rncia para
umidor sen
ores ao lim
corrncia qu
CF apresen
aixa entre V
valores ma
o, a curva d
a de refern
Na Figura 5
SEP deseq
uncia relat
comportame
/EMTP pos
S que para
senta maior
nui e se com
Figura 5.4
Figura 5.46:
fsica mon
.45 apresen
a falta bif
nsvel. Obs
iar de V
sag

ue a curva d
nta maior fr
V
sag
= 0,5 pu
aiores de V
s
do MCS po
ncia em qua
5.46, para a
quilibrado m
iva de ocor
ento com
ssuem comp
valores co
res valores
mporta com
45: # Sag To
: # Sag Tota
nitorada na
nta o comp
fsica bc c
serva-se qu
= 0,5 pu ap
do program
requncia re
u e V
sag
= 0
sag
= 0,7 pu
ossui valore
se toda faix
a mesma co
monitorada
rrncia do M
respeito
portamentos
mpreendido
s de frequ
mo no caso e
tal FF % ba
al FF % bar
a barra do c
portamento
com SEP e
ue as curva
presentam m
ma ATP/EM
elativa de o
0,7 pu a curv
u apresenta
es de frequ
xa de V
sag
.
ondio de
na barra d
MCF e do M
curva de
s iguais que
os no limia
ncia relativ
equilibrado.
arra do cons
ra do consu
consumidor
das curvas
equilibrado
as do MCF
menores va
MTP. Para va
ocorrncia d
va do MCS
menores va
uncia relat
falta que n
do consumi
MCS apres
referncia
e no caso eq
ar de V
sag
=
va de ocor
sumidor sen
umidor sens
r sensvel (
s de frequ
monitorad
F e do MC
alores de fre
alores maio
de afundam
coincide co
alores que a
tiva de oco
no caso ante
idor sensv
sentam alter
a. O MCF
quilibrado, m
= 0,5 pu at
rrncia e lo
nsvel SEP eq
vel SEP des
(barra 9)
ncia relativ
da na barr
CS para va
equncia re
ores de V
sag

mentos de te
om a refern
a referncia
orrncia me
erior, neste
el, as curv
rnncias ma
e o prog
mas no as
t V
sag
= 0
ogo desse

quilibrado.

sequilibrado
135
va de
ra do
alores
lativa
= 0,5
enso.
ncia e
a. Por
nor a
e caso
as de
aiores
grama
sim o
,7 pu
valor
o.

N
obser
algum
no
apres
bifs
O
Tabe
Ta
M

O
do M
fases
possu
deseq
mxi
eleva
N
do s
deseq
porm
cheg
estab

No caso de
rva-se que
ma, indepen
susceptve
senta sensib
sica monitor
O nmero t
ela 5.14.
abela 5.14: D
Mtodos
ATP
MCS
MCF
Observa-se n
MCF para SE
s bc monito
uem comp
quilibrado.
imo de 0,1
ados imped
No caso do
sistema. Pa
quilibrado o
m para SE
gar a 0,08
bilizando-se
Figur
falta bifsic
a curva do
ndente do d
el as varia
bilidade a
rada na barr
total de afu
Desempenho
Equilibrad
nas Figura
EP equilibr
orada na ba
portamentos
Para a con
162 pu para
ncias de fa
MCS o com
ara a cond
o erro de
P desequili
pu para
e em 0,08 pu
ra 5.47: Falta
ca nas fase
o MCF man
desequilbrio
es de dese
variaes
ra do consum
undamentos
o do SEP pa
do (afundam
0,60
0,60
0,36
5.47 e na F
rado e deseq
arra do con
e valores
ndio de cu
a R
f
= 5 e
altas indepen
mportament
dio de c
0,021 pu. P
ibrado o er
SEP equili
u e em 0,10
a FF barra
s bc monito
ntem seu c
o do sistem
equilbrio do
de desequi
midor sens
/ano, obtid
ara falta FF
sensvel.
mentos/ano)
Figura 5.48
quilibrado r
nsumidor se
s similares
urto circuit
e finalment
ndente do g
to dos erros
curto circui
Para SEP eq
rro mnimo
ibrado e 0
pu respecti
do consumid
orada na ba
omportame
ma. Assim, p
o SEP. Con
ilbrio do
vel.
o por cada
monitorado
) Desequil
o comporta
respectivam
ensvel. As
s tanto par
to slido o
e se estabili
grau de dese
dependen
ito slido
quilibrado o
de 0,00
0,11 pu pa
ivamente.
dor sensvel
arra do cons
ento similar
para faltas b
nclui-se tam
SEP na co
a mtodo,
o na barra d
librado (afu
0,60
0,54
0,36
amento dos
mente, para f
curvas dos
ra SEP eq
erro de 0
iza no valor
equilbrio do
nte do grau
com SEP
o erro mnim
6 pu increm
ara SEP d
l SEP equilib
sumidor sen
r e sem var
bifsicas o
mbm que o
ondio de
apresentad
do consumid
undamentos/
0
4
6
erros do M
falta bifsic
s erros do
quilibrado
0,003 pu, o
r de 0,08 pu
o sistema.
de desequi
equilibrad
mo de 0,1
mentando-s
desequilibra

brado.
136
nsvel
riao
MCF
MCS
falta
do na
dor
/ano)
MCS e
ca nas
MCF
como
o erro
u para
ilbrio
do ou
15 pu
se at
ado e

C
resist
que o
apres
eleva
depe
C
em e
aume
acon
quan
de de
5.5
N
os m
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utiliz
N
MCS
todas
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barra
de de
relati
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F
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falta
tamb
tipo
Figura
Conclui-se
tncia de fa
o MCF no
senta menor
adas resist
ndncia do
Como sabi
estudos do
enta quando
ntece com c
ntidade de af
esequilbrio
Resum
Neste captu
mtodos estu
m comparad
requncia r
zada a equa
No primeiro
S) a influn
s as barras
umidor sen
a do consum
esequilbrio
iva de ocorr
tncia de fa
Foi apresent
altas no com
librado e de
bifsica-te
bm os valor
de falta ap
5.48: Falta
que o MC
alta, na prox
o depende
res valores
ncias os e
grau de des
ido para tod
afundament
o a R
f
tende
curto-circuit
fundamento
o do sistema
o
ulo foram ap
udados, par
dos com os
relativa de
o do Erro
o e segundo
cia do dese
do sistema
nsvel. Os e
midor perm
o do SEP na
rncia acum
alta (0 e 2
tado tambm
mportamento
esequilibrad
rra (bc-g),
res de resist
presenta um
FF barra do
CF apresen
ximidade de
ente do dese
de erros pa
erros aumen
sequilbrio d
dos os casos
to de tenso
e a zero, sen
to slido. C
os de tenso
a.
presentados
ra o clculo
resultados
ocorrncia
o Mdio Qua
o estudo se
equilbrio do
a e monito
estudos quan
itiram verif
a anlise de
mulada foram
25 ), com
m um terce
o dos mtod
do para os d
falta bifsi
tncias de f
m comporta
o consumido
nta elevado
e 5 , onde
equilbrio d
ara pequeno
ntam signif
do sistema.
s descritos a
o que a q
ndo que o va
Caso contr
o diminui co
s os resultad
o de afunda
do program
e anlise
adrtico des
e avaliaram
o sistema e
oradas na b
ntitativos re
ficar a influ
afundamen
m analisada
o objetivo d
eiro estudo
dos utilizado
istintos tipo
ica (bc) e f
faltas R
f
entr
amento par
or sensvel S
os valores
o erro mx
do sistema.
s valores de
ficativamen
acerca do im
quantidade
alor mxim
rio para f
onsideravelm
dos das dis
amentos de
ma ATP/EM
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scrito no ca
m para cada
da imped
arra da sub
ealizados n
uncia da re
ntos de tens
as tambm p
de avaliar a
para determ
os (MCF e M
os de faltas:
falta monof
re 0 e 25
rticular, no
SEP desequi
de erros p
ximo. Pode-
Mas no as
e resistncia
nte. O MCS
mpacto da R
de afundam
o de afunda
faltas de alt
mente indep
tintas anli
e tenso. O
MTP, avalia
Para a anl
aptulo 4.
a mtodo es
ncia de falt
bestao e
na barra da
esistncia de
o. As curv
para os valo
influncia d
minar a infl
MCS). Con
falta trifsi
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. Determi
o podendo

ilibrado.
para valore
-se dizer tam
ssim o MCS
a de faltas e
S apresenta
R
f
que influ
mentos de te
amento de te
ta impedn
pendente do
ses para an
MCF e o
ados nas an
lise de erro
studado (M
ta; simulada
na barra d
subestao
e falta e do
vas de frequ
ores extrem
desta variv
luncia dos
nsiderando o
ica-terra (ab
(a-g), vari
inou-se que
generaliza
137
es de
mbm
S que
e para
a alta
uencia
enso
enso
ncia a
o grau
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MCS
lises
os foi
MCF e
as em
de um
o e na
o grau
uncia
mos de
vel.
tipos
o SEP
bc-g),
iou-se
e cada
ar um
138

comportamento comum a todos os tipos de faltas. Verificou-se tambm que um dos
mtodos analisados depende grandemente do desequilbrio do SEP e dos tipos de faltas.
No foi possvel afirmar qual a maior influncia no comportamento dos mtodos. Uma
questo importante de salientar que para o valor de resistncia de falta R
f
= 5
apresentam-se irregularidades no comportamento dos erros de quase todos os tipos de
faltas. Este valor particular de resistncia de falta apresenta uma semelhana ao valor de
impedncia equivalente do SEP chamado tambm de impedncia de Thevenin
equivalente do sistema na barra onde acontece a falta. De acordo a equao formulada
nos mtodos dependendo do tipo de falta, acontece uma indeterminao ou
irregularidade nos clculos que provoca um erro considervel no clculo do
afundamento de tenso.
139

6 CONCLUSES
Os estudos de afundamentos de tenso em SDEE vm recebendo especial ateno
nos ltimos anos por parte das concessionrias de energia eltrica devido crescente
exigncia da QEE entregue aos consumidores. Diferentes metodologias foram
desenvolvidas para a anlise de curtos-circuitos (MCS e MCF) e a eleio da mais
adequada depende do sistema a ser analisado.
As principais contribuies desta dissertao foram a comparao entre as
metodologias apresentadas: MCS e MCF, e o desenvolvimento de uma nova
aproximao de obteno da matriz impedncia de sequncia dos elementos do SEP
considerando o desequilbrio do sistema. Tal aproximao no usualmente
considerada no estudo e anlise de curtos-circuitos em SDEE. Para a avalio da
aproximao proposta e comparao dos mtodos apresentados, foi utilizado um
modelo de sistema de distribuio IEEE 13 barras modificado.
Os resultados das simulaes mostram que, para ambos os casos de desequilbrios (0
% e 3,65 %), o clculo de faltas pelo MCF apresenta valores menores de erros para
elevados valores de impedncias de falta. Por outro lado, o comportamento do erro pelo
MCS aumenta significativamente com o aumento da impedncia de falta. O MCS
tambm d resultados imprecisos no caso do sistema desequilibrado e com valores
elevados de impedncia de falta. Este erro elevado pode ser uma consequncia da
considerao feita dos valores das tenses de pr-falta, iguais a 1 pu para ambos os
mtodos de clculo. Para falta de alta impedncia as tenses na barra da subestao e na
barra da carga so semelhantes, devido a corrente de falta e a corrente da carga serem
semelhantes. Portanto, a desconsiderao da tenso nas barras antes de acontecer a falta
(considerao de sistema esttico com V
pre-falta
= 1 pu) produz grandes erros de at
0,162 pu no clculo das tenses. O MCS apresenta erros maiores no caso de sistemas
desequilibrados, como era de esperar, pois este mtodo foi originalmente desenvolvido
para a anlise de sistemas equilibrados (SEP de Extra Alta e Alta Tenso onde o
desequilbrio do sistema desprezvel).
Portanto, o melhor mtodo aquele que apresenta uma soluo simples e eficiente
para o problema que se deseja analisar. Os resultados comparativos obtidos neste
trabalho mostraram que a escolha do mtodo a ser utilizado depende do grau de preciso
dos resultados que se deseja atingir e de outros fatores como: a resistncia de falta e o
grau de desequilbrio do SEP. Sendo o MCF a melhor opo para a anlise de curtos-
circuitos em SDEE para elevadas impedncias de faltas, caso contrario, o MCS
apresenta melhores resultados para baixas impedncias de faltas (R
f
< 5) ou faltas
slidas (condio de curto-circuito slido).
Uma das limitaes do MCF a dificuldade de obteno de dados dos componentes
ou elementos do SEP, pois eles esto usualmente dados em valores de sequncia
140

positiva, negativa e zero. A obteno dos dados dos elementos que compem o SEP em
componentes de fases dificultosa e estes dados so de uma quantidade considervel.
Porm, uma grande dificuldade no processamento e anlise dos clculos, alm disso,
so mais dados que acarretam erros. Nesse caso o mtodo mais eficiente para a
resoluo seria pelo mtodo de matrizes trifsicas, com um clculo computacional mais
elevado com respeito do clculo de equaes simples como o MCS.
Uma virtude adicional do MCF para SDEE que se pode fazer uma anlise de fluxo
de potncia trifsico ou tambm chamado de fluxo de carga trifsico, onde se obtm os
valores das tenses pr-falta nas trs fases em forma independente.
O MCS tem como vantagem com respeito ao MCF ser simples tanto nos dados
manipulados, como tambm na obteno de todos os dados do SEP, j que estes
normalmente se encontram em valores de sequncias nas bases de dados das
concessionrias. Os clculos efetuados pelo MCS so equaes simples e de baixo custo
computacional considerando o SEP equilibrado. Porm para SEP desequilibrados como
so os SDEE apresenta inconvenientes nos resultados, devido s consideraes feitas
pelo MCS que considera trs sistemas de sequncias linearmente independentes quando
na verdade eles so dependentes pelos valores mtuos (impedncias mtuas entre as
sequncias devido ao desequilbrio do SEP).
O MCS d bons resultados para SEP de Extra Alta Tenso e Alta Tenso onde o
desequilbrio usualmente desprezvel e as faltas de alta impedncia so pouco comuns.
Estes sistemas so considerados como SEP equilibrados e sua decomposio em trs
sistemas de sequncias independentes entre si fornecem resultados adequados.
Como se observou nos resultados do estudo deste trabalho, o MCS apresenta erros
considerveis nos clculos dos afundamentos de tenso medida que o SEP apresenta
elevados ndices de desequilbrios. A grande limitao a difcil obteno das tenses
pr-falta das barras do sistema desequilibrado em coordenadas de sequncias.
Os resultados do estudo de comparao dos mtodos de curtos-circuitos deram
origem aos seguintes trabalhos:
FERRAZ, R. G.; CABRAL, R. J.; BRETAS, A. S.; BAZANELLA, A. S.; LEBORGNE,
R. C. System unbalance effect on faulted distribution systems: a numerical study. In:
IEEE POWER & ENERGY SOCIETY GENERAL MEETING, 2010, Minneapolis,
MN, USA. Proceedings... Piscataway, NJ: IEEE, 2010. p. 1-6.
CABRAL, R. J.; FERRAZ, R. G.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S.;
BRETAS, A. S. Anlise Numrica do Efeito dos Desequilbrios em Sistemas de
Distribuio Faltosos. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE AUTOMTICA (CBA
2010), 18., set. 2010, Bonito, MS, Brasil. Anais... So Paulo: Cultura Acadmica, 2010.
Os estudos de afundamentos de tenso deram origem tambm aos seguintes
trabalhos:
HERNNDEZ GARCA, F.; CABRAL, R. J.; BRETAS, A. S.; GRACA, M. F.;
LEBORGNE, R. C. Estudio numrico de corto circuito monofsico en presencia de
generacin distribuida: mtodos de anlisis y huecos de tensin. In: CONFERENCIA
CIENTFICA ELCTRICA, 6., 2010, Santiago de Cuba. Proceedings Santiago de
Cuba: [s. n.], 2010.

141

CABRAL, R. J.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S. Anlisis de la influencia del
desequilibrio de la red y de las condiciones de falta en el clculo de huecos de tensin
utilizando los mtodos de componentes simtricas y componentes de fase. In:
ENCUENTRO IBEROAMERICANO DEL CIGR (ERIAC), 14., Ciudad del Este,
Paraguay. Proceedings [S. l.: s. n.], 2011. Aceito para publicao.
CABRAL, R. J.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S. Estudio numrico de
clculo de faltas en Sistemas de distribucin desequilibrados: mtodos de anlisis. In:
6.1 Sugestes para trabalhos futuros
Ainda que este trabalho apresente contribuies importantes para o assunto dos
afundamentos de tenso e das anlises de curtos-circuitos em sistemas de distribuio,
muitas contribuies podem ser incorporadas a este estudo de pesquisa. Tendo em vista
o esquema proposto da matriz de impedncia de sequncias, tornando-lhe mais eficaz,
confivel e com menores erros associados para sistemas desequilibrados, so sugeridas
para o desenvolvimento de trabalhos futuros nesta rea de pesquisa as seguintes
questes:
- Validao da aproximao proposta a partir de dados de faltas reais.
- Desenvolvimento e implementao de tcnicas para SDEE com ramais
monofsicos e bifsicos para o MCS.
- Estudo de expanso do SEP considerando a insero de gerao distribuda.
- Implementao nos modelos dos elementos do sistema, considerando
distintos tipos de conexes de cargas, cargas no lineares e compensadores
de potncia reativa.
- Desenvolvimento de uma metodologia para obter as tenses de pr-falta para
o MCS em SDEE com alto grau de desequilbrio.
142

REFERNCIAS
AGNCIA NACIONAL DE ENERGIA ELTRICA. ANEEL, PRODIST -
Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico Nacional.
Mdulo 8: Qualidade da Energia Eltrica. Braslia, DF, 2008. Disponvel em: <
http://www.aneel.gov.br/arquivos/PDF/Modulo8_Revisao_0.pdf >. Acesso em: 01 jul.
2010.
AGNCIA NACIONAL DE ENERGIA ELTRICA. ANEEL, PRODIST -
Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico Nacional.
Mdulo 8: Qualidade de Energia Eltrica, Seo 8.0: Introduo e Conceituao.
Braslia, DF, 2005. Disponvel em: <
http://www.aneel.gov.br/arquivos/PDF/Modulo8_20122005_R0.pdf >. Acesso em: 01
jul. 2010.
AGNCIA NACIONAL DE ENERGIA ELTRICA. RESOLUO N 505, 26 de
novembro de 2001 (*) Revogada pela Resoluo Normativa ANEEL n 395 de 15 de
dezembro de 2009. Braslia, DF, 2009. Disponvel em: <
http://www.aneel.gov.br/cedoc/bres2001505.pdf >. Acesso em: 01 jul. 2010.
AMCHIN, H. K.; GROSS, T. B. Analysis of subsequent faults. Transaction AIEE,
New York, v. 70, p. 1817-1823, July 1951.
ANAFAS. Manual de usurio do programa de anlise de faltas simultneas. Verso
4.4, Rio de Janeiro: CEPEL. Centro de Pesquisas de Energia Eltrica, jul. 2007.
ANDERSON, P. M. Analysis of faulted power systems. 1. ed. Ames: Iowa State
University Press, 1973. ISBN 0-8138-1270-4.
BIANCHI LASTRA, R. Manual de uso del ATP. La Plata, Argentina: Universidad
Nacional de La Plata, Facultad de Ingeniera, Oct. 1991.
BLACKBURN, J. L. Protective relaying: principles and applications. 2. ed. New
York: Electrical Engineering and Electronics, Marcel Deckker, 1998.
BLACKBURN, J. L. Protective relaying: principles and applications. 3. ed. Florida
USA: Boca Raton, CRC Press LLC, 2007. 635p. ISBN 10: 1-57444-716-5; ISBN 13:
1-57444-716-3.
143

BOLLEN, M. H. J. Characterization of voltage sags experienced by three-phase
adjustable-speed drives. IEEE Transactions on Power Delivery, Piscataway, NJ, v.
12, n. 4, p. 1666-1671, Oct. 1997.
BOLLEN, M. H. J. Understanding power quality problems: voltage sags and
interruptions. New York, USA: IEEE Press Series on Power Engineering, 2000.
BOLLEN, M. H. J.; GU, I. Y. H. Signal processing of power quality disturbances.
USA. IEEE Press Series on Power Engineering Mohamed E. EL-Hawary, Series Editor.
2006. ISBN-13 978-0-471-731-73168-9, ISBN-10 0-471-73168-4.
BOLLEN, M. H. J.; SABIN, D. D.; THALLAM, R. S. Voltage sags indices - recent
developments in IEEE PI564 Task Force. In: QUALITY AND SECURITY OF
ELECTRIC POWER DELIVERY SYSTEMS, CIGRE/PES 2003. CIGRE/IEEE PES
INTERNATIONAL SYMPOSIUM. Document Section Voltage Sag Indices Task Force
- P1564, 2003, Piscataway, USA. Proceedings [S. l.]: IEEE, Oct. 2003, p. 34-41.
BONNEVILLE POWER ADMINISTRATION. Alternative transient programs:
ATP/EMTP. Minnesota, USA, Feb. 2010. Disponvel em: < http://www.emtp.org/ >.
Acesso em: 01 jul. 2010.
BRITO, C. M. C.; LEAO, R. P. S. Caracterizao de afundamentos de tenso em
transformadores trifsicos. In: INDUSCON, 6., 2006. Anais Recife, PE: [S. l.], 2006.
CABRAL, R. J.; FERRAZ, R. G.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S.;
BRETAS, A. S. Anlise numrica do efeito dos desequilbrios em sistemas de
distribuio faltosos. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE AUTOMTICA (CBA
2010), 18., 2010, Bonito, MS, Brasil. Anais... So Paulo: Cultura Acadmica, 2010.
CABRAL, R. J.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S. Anlisis de la influencia del
desequilibrio de la red y de las condiciones de falta en el clculo de huecos de tensin
utilizando los mtodos de componentes simtricas y componentes de fase. In:
CABRAL, R. J.; LEBORGNE, R. C.; BAZANELLA, A. S. Estudio numrico de
clculo de faltas en sistemas de distribucin desequilibrados: mtodos de anlisis. In:
CARSON, J. R. Wave propagation in overhead wires with ground return. Bell System
Technical Journal, [S. l.], v. 5, p. 539-554, Oct. 1928. Disponvel em: <
http://puhep1.princeton.edu/~mcdonald/examples/EM/carson_bstj_5_539_26.pdf >.
CARVALHO A. J. B. et al. Anlise do comportamento das variaes de tenso de curta
durao (VTCDs) utilizando comparao entre os programas ATP e ANAFAS. In:
SEMINRIO BRASILEIRO DE QUALIDADE DE ENERGIA ELTRICA (SBQEE).
Cdigo: BEL 11 7689 Tpico: Modelagem e Simulaes, 6., 2005, Belm, Par, Brasil.
Anais... Belm: [s. n.], 2005. p. 547-552.
144

CARVALHO FILHO, J. M. e. al. Comparative analysis between measurements and
simulations of voltage sags, In: IEEE - PES - INTERNATIONAL CONFERENCE ON
HARMONICS AND QUALITY OF POWER, 10., 2002, Rio de Janeiro, Brasil;
Anais New York: IEEE, v. 2, p. 435-440.
CARVALHO FILHO, J. M. Uma contribuio avaliao do atendimento a
consumidores com cargas sensveis: proposta de novos indicadores. 2000. [s. n.]. Tese
(Doutorado em Engenharia Eltrica) - Programa de ps-graduao em Engenharia
Eltrica. Escola Federal de Engenharia de Itajub, Itajub, 2000.
CARVALHO, V. R. F. Clculo estocstico do afundamento de tenso. 1999. 123 f.
Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica) - Programa de ps-graduao em
Engenharia Eltrica. Pontifcia Universidade Catlica de Minas Gerais, Belo Horizonte,
Brasil, 1999.
CHAPMAN, S. J. Programao em MatLab para engenheiros. 2. ed. So Paulo
Brasil: Pioneira Thomson Learning. 2003. 483 p. ISBN 85-221-0325-9.
COMIT ARGENTINO DE USUARIOS DE EMTP-ATP (CAUE), ATP - Rule Book,
Buenos Aires: [s. n.], Dic. 2001.
COMPANHIA PARANAENSE DE ENERGIA. Mtodo de clculo de afundamento
de tenso para o sistema de transmisso. SPL/DPET 18/96. [S. l.], 1996.
COMPUTER BUSINESS EQUIPMENT MANUFACTURERS ASSOCIATION
(CBEMA Curve) - INFORMATION TECHNOLOGY INDUSTRY COUNCIL (ITIC).
1250 Eye Street NW Suite 200 Washington DC. Disponvel em: <
http://www.itic.org/clientuploads/Oct2000Curve.pdf >. Acesso em: 01 jul. 2010.
CONRAD, L.; LITTLE, K.; GRIGG, C. Predicting and preventing problems associated
with remote fault-clearing voltage dips. IEEE Transactions on Industry Applications,
Piscataway, NJ, v. 27, n.1, p. 167-172, Jan./Feb. 1991.
DAGENHART, J. B. The 40- ground-fault phenomenon. IEEE Transactions on
Industry Applications, Piscataway, NJ: IEEE, v. 36, n. 1, p. 30-32. Jan./Feb. 2000.
DAS, R. Determining the locations of faults in distribution systems. 1998. 206 f.
Tesse (Doutorado em Engenharia), University of Saskatchewan Saskatoon, Canada,
1998.
DJOKIC, S. Z.; MILANOVIC, J. V.; KIRSCHEN, D. S. Sensitivity of AC coil
contactors to voltage sags, short interruptions, and undervoltage transients. IEEE
Transactions on Power Delivery, Piscataway, NJ, v. 19, n. 3, p. 1299-1307, July 2004.
DOMMEL, H. W. Alternative Transients Program (ATP) - Rule Book. Buenos
Aires: Comit Argentino de Usuarios de EMTP-ATP (CAUE), 2002.
DOMMEL, H. W. CanAm EMTP User group. Electromagnetic Transients Program
(EMTP) - Theory Book. Portland, USA: Bonneville Power Administration (BPA),
1987.
145

DOMMEL, H. W.; LIU, T. EMTP User group. Electromagnetic Transients Program
(EMTP) - Rule Book. Portland, USA: Bonneville Power Administration (BPA), 1995,
v. 1 y v. 2.
DUGAN, R. C.; McGRANAGHAM, M. F.; BEATY, H. W. Electrical power systems
quality. 2. ed. New York, USA: McGraw-Hill Companies, 2004. 521 p.
DUGAN, R. C.; McGRANAGHAN, M. F; BEATY, H. W. Electrical power systems
quality. New York, USA: McGraw-Hill Companies, 1996. 448 p. ISBN-10:
0070180318 ISBN-13: 978-0070180314.
ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE, INC. (EPRI). Charlotte, NC.
Disponvel em: < http://www.epri.com >. Acesso em: 01 jul. 2010.
ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE, INC. (EPRI). Distribution Fault
Current Analysis, EPRI Project 1209-1, EL-3085, Power Tecnlogies Inc., May. 1983.
ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE, INC. / ELECTROTEK CONCEPTS,
INC. (EPRI/ELECTROTEK), USA. Disponvel em: < http://www.electrotek.com/ >.
ELECTRICITY SUPPLY COMMISSION (ESKOM) - NRS 048 Electricity supply:
quality of supply WG draft 5 NRS 048-9. Charlotte, 2009.
ELECTRICITY SUPPLY COMMISSION (ESKOM). The South - African utility
ESKOM groups. ESKOM Standard NRS 048 - 2 (1996): power quality South Africa.
[S. l.], 1996. Disponvel em: < http://www.eskom.co.za/live/index.php >. Acesso em: 01
jul. 2010.
EL-HAWARY, M. E. Electrical energy system. Florida, USA: Boca Raton, CRC Press
LLC, 2000. 369 p. The Electric Power Engineering Series. ISBN 0-8493-2191-3.
FERRAZ, R. G.; CABRAL, R. J.; BRETAS, A. S.; BAZANELLA, A. S.; LEBORGNE,
R. C. System unbalance effect on faulted distribution systems: a numerical study. In:
IEEE POWER & ENERGY SOCIETY GENERAL MEETING, 2010, Minneapolis,
MN, USA. Proceedings... Piscataway, NJ: IEEE, 2010. p. 1-6.
FISCHER, P. A. Tratado terico e pratico sobre curtos-circuitos. Erechim: Editora
So Cristvo Ltda. Porto Alegre, Brasil, 2002. 200 p.
FORTESCUE, C. L. Method of symmetrical co-ordinates applied to the solution of
polyphase networks. In: CONVENTION OF THE AMERICAN INSTITUTE OF
ELECTRICAL ENGINEERS (AIEE), 34., 1918 [S. l.]. AIEE Transactions, Atlantic
City, N. J. USA: AIEE, 1918. v. 37, part II, p. 1027-1140.
GLOVER, J. D.; SARMA, M, S.; OBERBYE, J. T. Power system analysis and
design. 4. ed. Stanford: Cengage Learning, 2008. 752 p.
GMEZ, J. C. Calidad de potencia: para usuarios y empresas elctricas. Buenos Aires,
Argentina: Universidad Nacional de Rio Cuarto, Argentina. Edigar, 2005. 560 p. ISBN
987-97785-2-9.
146

GMEZ, J. C.; MORCOS, M. M. REINERI, C.; CAMPETELLI, G. Behavior of
Induction Motor Due to Voltage Sags and Short Interruptions. IEEE Transactions on
Power Delivery, Piscataway, NJ, v. 17, n. 2, p. 434-440, Apr. 2002.
GRAINGER, J. J.; STEVENSON JR. W. D. Anlisis de sistemas de potencia. Ciudad
de Mxico: McGraw-Hill. 1996. 740 p. ISBN 970-10-0908-8.
GREENWOOD, A. Electrical transients in power systems, 2. ed. New York: John
Wiley & Sons. 1991.
GROSS, C. A. Power system analysis. 2. ed. New York: John Wiley & Sons, 1986.
608 p. ISBN: 978-0-471-86206-2.
GRUPO DE INVESTIGACIN DE SISTEMAS ELCTRICOS DE POTENCIA
(GISEP-CAUE). Introduccin al uso del EMTP. Santa Fe: Universidad Tecnolgica
Nacional Facultad Regional Santa Fe Argentina, 1997.
HALPIN, S. M.; GRIGSBY, L. L. A comparison of fault calculation procedures for
industrial power distribution systems: the past, the present and the future. In: IEEE
INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDUSTRIAL TECHNOLOGY. 1994,
Guangzhou , China. Proceedings... Piscataway: IEEE, Dec. 1994. p. 842-846.
HALPIN, S. M.; GRIGSBY, L. L. Fault analysis of multi-phase unbalanced non radial
power distribution systems. In: IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY
APPLICATIONS, 1995, [S.l.]. Proceedings Piscataway: IEEE, July. 1995. v. 31, n.
3, p. 528-534.
HALPIN, S. M.; GRIGSBY, L. L.; GROSS, C. A.; NELMS, R. M. An improved fault
analysis algorithm for unbalanced multi-phase power distribution systems. IEEE
Transactions on Power Delivery, Piscataway, NJ: IEEE, v. 9, n. 3, p. 1332-1338, July
1994.
HARDER, E. L. Sequence network connections for unbalanced load and fault
conditions. Electric Journal, [S. l.], v. 34, p. 481-488, Dec. 1937.
HERNNDEZ GARCA, F.; CABRAL, R. J.; BRETAS, A. S.; GRACA, M. F.;
LEBORGNE, R. C. Estudio numrico de corto circuito monofsico en presencia de
generacin distribuida: mtodos de anlisis y huecos de tensin. In: CONFERENCIA
CIENTFICA ELCTRICA, 6., 2010, Santiago de Cuba. Proceedings Santiago de
Cuba: [s. n.], 2010.
HEYDT, G. T. Electric power quality. 2. ed. Indiana, USA: West LaFayette, Stars in a
Circle Publications, 1991.
HEYDT, G. T.; KARADAY, G. G.; CUMMINGS, B.; TANG, J. Improved application
of power acceptability curves and their application to certain three phase loads.
Electric Machines and Power Systems, [S. l.], v. 27, n. 7, p. 737-751, Jul. 1999.
HOROWITZ, S. H.; PHADKE, A. G. Power systems relaying. 3. ed. Great Britain:
John Wiley & Sons, 2009.
147

INFORMATION TECHNOLOGY INDUSTRY COUNCIL (ITIC) (CBEMA). Curve
Application Note: information technology industry council (ITIC). Washington, 2010.
Disponvel em: < http://www.itic.org/technical/iticurv.pdf >. Acesso em: 01 jul. 2010.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE).
Distribution planning working group report: radial distribution test feeders. IEEE
Transaction Power Systems, Piscataway, v. 6, n. 3, p. 975-985, Aug. 1991.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE).
Distribution system analysis subcommittee report: radial distribution test feeders.
Transaction Power Systems. Piscataway, [S. l.: s. n.], Nov. 2004. Disponvel em: <
http://ewh.ieee.org/soc/pes/dsacom/testfeeders.html >. Acesso em: 01 jul. 2010.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). P1159.2
Draft: recommended practice for characterization of a power quality event given an
adequately sampled set of digital data points. New York. 1998. Disponvel em: <
http://grouper.ieee.org/groups/1159/2/minsandi.html >. Acesso em: 01 jul. 2010.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). P1433:
a standard glossary of power quality terminology: P1433/D5A: the working group on
power quality definitions of SCC22 - Power quality. New York, July, 1999. Disponvel
em: <
http://www.dee.feis.unesp.br/qualienergi/dados/p1433d5aminutaterminologiapqnorma.p
df >. Acesso em: 01 jul. 2010.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). P1564
and CIGRE WG 36-07: voltage sag indices, drafts 1.1, 1.2, 2. New York, Aug./Dec.
2000, Nov. 2001.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). P1564
and CIGRE WG 36-07: voltage sag indices, New York. Dec. 2000. Disponvel em: <
http://grouper.ieee.org/groups/sag/IEEEP1564_01_15.doc >. Acesso em: 01 jul. 2010.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). P1564:
voltage sag indices, draft 2. New York. Nov. 2001.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). Power
Engineering Society. IEEE 13 node test feeder: power system analysis: computing and
economics committee distribution system analysis subcommittee. New York, 2003.
Disponvel em: < http://ewh.ieee.org/soc/pes/dsacom/testfeeders.html >. Acesso em: 01
jul. 2010.
INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS (IEEE). Std.
1100-1999: recommended practice for powering and grounding electronic equipment,
(Emerald Book). New York, 1999.
1159.3-2003: recommended practice for the transfer of power quality data. New York,
2003.
148

1159-2009: recommended practice for monitoring electric power quality. New York,
2009.
1250-1995: guide for service to equipment sensitive to momentary voltage disturbances.
New York, IEEE, USA, 1995.
1250-1995: guide for service to equipment sensitive to momentary voltage. New York,
1995.
1346-1998: recommended practice for evaluating electric power system compatibility
with electronic process equipment. New York, 1998.
446-1987: recommended practice for emergency and standby power systems for
industrial and commercial applications, (Orange Book) ANSI/IEEE Standard 446. New
York, 1987.
446-1995: recommended practice for emergency and standby power systems for
industrial and commercial applications, (Orange Book) ANSI/IEEE Standard 446. New
York, 1995.
493-1990: recommended practices for design of reliable industrial and commercial
power systems (Gold Book) IEEE Standard 493. New York, 1990.
493-1997: recommended practice for the design of reliable industrial and commercial
power systems (Gold Book) IEEE Standard 493. New York, 1997.
493-2007: IEEE recommended practice for the design of reliable industrial and
commercial power systems (Gold Book) ANSI/IEEE. IEEE Stdandard 493. New York,
2007.
INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION (IEC). Standard 60050-
161, 1990: international electrotechnical vocabulary: chapter 161. Switzerland, 1990.
Disponvel em: < http://www.iec.ch/ >. Acesso em: 01 jul. 2010.
2-1, clause 8, 05: voltage dips and short supply interruption. Switzerland, 1990.
4-11: (EMC), part 4: testing and measurement techniques. Section 11: voltage dips,
short interruptions and voltage variations immunity test. Switzerland, 1994.
149

4-30: (EMC), part 4: testing and measurement techniques. Section 30: power quality
measurement methods. Switzerland, 2003.
4-34: (EMC), part 4: testing and measurement techniques. Section 34: voltage dips,
short interruptions and voltage variations immunity test for equipment with input
current more than 16 Amper phase. Switzerland, 2005.
KERSTING, W. H. Distribution system modeling and analysis. 2. ed. Boca Raton:
CRC Press LLC, 2007. 421p. ISBN 0-8493-5806-X. The Electric Power Engineering
Series.
KERSTING, W. H. Distribution system modeling and analysis. Boca Raton: CRC
Press LLC, 2002. 314 p. ISBN 0-8493-0812-7. The Electric Power Engineering Series.
KERSTING, W. H. Radial distribution test feeders. In: IEEE POWER ENGINEERING
SOCIETY WINTER MEETING, 2001, Columbus, OH. Proceedings... Piscataway:
IEEE, 2001. v. 2, p. 908-912. Disponvel em: <
http://ewh.ieee.org/soc/pes/dsacom/testfeeders.html >. Acesso em: 01 jul. 2010.
KOTHARI, D. P.; NAGRATH, I. J. Sistemas elctricos de potencia. 3. ed. Mxico
Distrito Federal: McGraw-Hill Interamericana, 2008. 694 p. ISBN-10: 970-10-6529-8,
ISBN-13: 978-970-10-6529-7.
LAUGHTON, M. A. Analysis of unbalanced polyphase networks by the method of
phase co-ordinates, part 1 - System representation in phase frame of reference.
Proceedings of the Institution of Electrical Engineers (IEE), [S. l.], v. 115, n. 8, p.
1163-1172, 1968.
LAUGHTON, M. A. Analysis of unbalanced polyphase networks by the method of
phase co-ordinates, part 2 - Fault analysis. Proceedings of the Institution of Electrical
Engineers (IEE), [S. l.], v. 116, n. 8, p. 857-865, 1969.
LEBORGNE, R. C. Uma contribuio caracterizao da sensibilidade de
processos industriais frente a afundamentos de tenso. 2003. 149 f. Dissertao
(Mestrado em engenharia) - Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica,
Universidade Federal de Itajub, Itajub, 2003.
LEBORGNE, R. C. Voltage sags: single event characterization, system performance
and location. 2007. 147 f. Tesis (Doutorado em Engenharia Eltrica) - Department of
Energy and Enviroment Division of Electric Power Engineering Chalmers University of
Technology, Gteborg, Sweden, 2007.
MAKRAM, E. B.; BOU-RABEE, M. A.; GIRGIS, A. A. Three-phase modeling of
unbalanced distribution systems during open conductors and/or shunt fault conditions
using the bus impedance matrix. Electric Power Systems Research, Netherlands, v.
13. p. 173-183. Aug. 1987.
MATHWORKS. MatLab for Windows, version 5: tutorial of optimization toolbox,
version 2.2. [S. l.], 2001. Conjunto de programas.
150

OLGUIN, G. Voltage dip (sag) estimation in power systems based on stochastic
assessment and optimal monitoring. 2005. 193 f. Tesis (Doutorado em engenharia
eltrica) - Department of Energy and Environment Division of Electric Power
Engineering. Chalmers University of Technology, Gteborg, Sweden, 2005.
OLGUIN, G.; VUINOVICH, F.; BOLLEN, M. H. J. An optimal monitoring program
for obtaining voltage sag system indexes. IEEE Transaction on Power Systems, [S.
l.], v. 21, n. 1, p. 378-384, Feb. 2006.
OLIVEIRA, T. C. Desenvolvimento e aplicao de um software para estudos de
afundamentos de tenso. 2004. Dissertao (Mestrado em Engenharia) - Programa de
Ps-Graduao em Engenharia Eltrica, Universidade Federal de Itajub, Itajub, 2004.
OPERADOR NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO. ONS / GQEE-EFEI: anlise
comparativa de resultados de medies e simulaes de afundamentos de tenso, [S. l.:
s. n.], 2002.
OPERADOR NACIONAL DO SISTEMA ELTRICO. ONS Sub-mdulo 2.8:
gerenciamento dos indicadores de desempenho da rede bsica e de seus componentes.
Procedimentos de Rede. [S. l.], 2009. Disponvel em: <
http://www.ons.org.br/download/procedimentos/modulos/Modulo_2/Submodulo%202.8
_Rev_1.0.pdf >. Acesso em: 01 jul. 2010.
ORTMEYER, T. H.; HIYAMA, T.; SALEHFAR, H. Power quality effects of
distribution system faults. Electrical Power & Energy Systems. International
Journal of Electrical Power and Energy Systems. [S. l.], Netherlands, v. 18, n. 5, p.
323-329, June 1996.
POMILIO, J. A. Conversores CC-CA como fontes de alimentao com frequncia fixa.
In: POMILIO, J. A. Eletrnica de potncia. So Paulo: Universidade Estadual de
Campinas, DSCE-FEEC-UNICAMP, 2007. cap. 6, p. 2. Disponvel em: <
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap6.pdf >. Acesso em: 01 jul.
2010.
RAMOS, A. C. L. Avaliao da impedncia de falta e da gerao distribuda em
estudos de afundamentos de tenso. 2009. Dissertao (Mestrado em Engenharia
Eltrica) - Universidade Federal de Gois, Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica e de computao. Goinia, 2009.
RAVINDRANATH, B; CHANDER, M. Power system protection and switchgear.
New Delhi, India: Wiley Eastern, 1987.
RIBEIRO, N. N. S.; MENDES, W. R. Influncia das conexes dos transformadores de
potencia na propagao dos afundamentos de tenso pelo sistema eltrico. In: DCIMO
TERCER ENCUENTRO REGIONAL IBEROAMERICANO DE CIGR (ERIAC),
13., 2009, Puerto Iguaz, Argentina. Proceedings Puerto Iguaz: [s. n.], 2009.
ROBBA, E. J.; KAGAN, N.; SCHMIDT, H. P.; OLIVEIRA, C. C. B. Introduo a
sistemas eltricos de potncia componentes simtricas. 2. ed. So Paulo: Edgard
Blcher. 1996. 467 p.
151

ROYTMAN L. M.; THOMAS B. J.; TRUTT F.C.; SWAMY M. N. S. Direct fault
location in electrical power systems, IEEE Transaction Power Apparatus and
Systems, [S. l.], vol. PAS -101, p. 4049-4054, Oct. 1982.
SAADAT, H. Power system analysis. 2. ed. Boston: McGraw-Hill USA, 2002. 712p.
ISBN-13:978-0-07-284796-3.
SALIM R. H. Faults-Simulation (F-Sim): tool automatic fault simulation for ATP and
EMTP-RV. Version 1.0.1: Help File Free Software. Universidade Federal do Rio
Grande Sul. Porto Alegre. 2007.
SALIM, R. H. Novos desenvolvimentos na localizao de faltas em sistemas de
distribuio de energia eltrica fundamentada na impedncia. 2008. 157 f.
Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica) - Universidade Federal do Rio Grande
do Sul, Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica. Porto Alegre, 2008.
SANKARAN, C. Power quality. Boca Raton: CRC Press LLC, 2002. Florida, USA.
202 p. ISBN 0-8493-1040-7.
SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND MATERIAL INTERNATIONAL (SEMI).
Std. F42-0999: test method for semiconductor processing equipment voltage sag
immunity. [S. l.], 2007. Disponvel em: < http://www.semi.org >. Acesso em: 01 jul.
2010.
Std. F47 and F42: voltage sag immunity standards - power quality bulletin No. 3:
specification for semiconductor processing equipment voltage sag immunity. [S. l.],
2007.
Std. F47-0706: specification for semiconductor processing equipment voltage sag
immunity. [S. l.], 2007. Disponvel em: < http://f47testing.epri.com/f47abstract.html >.
Std. F47-0200: specification semiconductor processing equipment voltage sag
immunity. Disponvel em: < http://www.semi.org >. Acesso em: 01 jul. 2010.
SILVA, J. A. Anlise comparativa de resultados de simulao de afundamentos de
tenso utilizando programas de curto-circuito e de transitrios eletromagnticos.
2004. Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica) - Universidade Federal de Itajub,
Itajub, 2004.
SOUSA, M.; COSTA, C. A.; PEREIRA JR, I. H. Sistema de localizao automtica de
faltas em linhas de transmisso - experincia da CEMIG. In: SEMINRIO NACIONAL
DE PRODUO E TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA (SNPTEE), 18.,
2005, Curitiba. Anais [S. l.: s. n.], 2005.
STAGG, G. W.; EL-ABIAD A. H. Computer methods in power system analysis. [S.
l.], McGraw Hill, 1986.
152

STECIUK, P. B.; REDMON, J. R. Voltage sag analysis peaks customer service. IEEE
Computer Applications in Power, [S. l.], v. 9, n. 4, p. 48-51, Oct. 1996.
STEVENSON JR., W. D. Elementos de anlise de sistemas de potncia. So Paulo:
McGraw Hill, 1974.
STEVENSON JR., W. D. Elementos de anlise de sistemas de potncia. 2. ed. So
Paulo: McGraw Hill, 1986.
UNION OF INTERNATIONAL PRODUCERS AND DISTRIBUTORS OF
ELECTRICITY ENERGY (UNIPEDE). Disponvel em: <
http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=245813&isnumber=6306 >.
UNION OF INTERNATIONAL PRODUCERS AND DISTRIBUTORS OF
ELECTRICITY ENERGY (UNIPEDE). Quality Aspects Subgroup Quality Aspects /
Network Issues. Ref. 2000-130-0001, March 2000. Disponvel em; <
www.eurelectric.org/Download/Download.aspx?DocumentID=5482 >. Acesso em: 01-
07-2010.
WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION. Electrical transmission and
distribution reference book. East Pittsburgh Pennsylvania, 1964. 824 p.
ZAMORA, M. I.; et. al. Simulacin de sistemas elctricos. Madrid: Pearson Prentice
All, 2005. 512 p. ISBN: 8420548081 ISBN-13: 978842054808.

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