Carrega Dor 32634

Universidade do Minho Escola de Engenharia
Conversores de Elevao de Tenso em Microssistemas Termoelctricos de Gerao de Energia para Sensores sem Fios
Joo Pedro Lamas Rodrigues Conversores de Elevao de Tenso em Microssistemas Termoelctricos de Gerao de Energia para Sensores sem Fios
UMinho | 2009
Joo Pedro Lamas Rodrigues
Novembro de 2009
Universidade do Minho Escola de Engenharia
Joo Pedro Lamas Rodrigues Conversores de Elevao de Tenso em Microssistemas Termoelctricos de Gerao de Energia para Sensores sem Fios
Tese de Mestrado Ciclo de Estudos Integrados Conducentes ao Grau de Mestre em Engenharia Electrnica Industrial e Computadores Trabalho efectuado sob a orientao do Professor Doutor Lus Miguel Valente Gonalves Co-Orientador: Doutor Joo Paulo Carmo
Novembro de 2009
Agradecimentos
Quero antes de mais e em primeiro lugar, agradecer minha famlia sobretudo aos meus Pais e Irm que atravs do seu carinho, esforo e dedicao em todos estes anos do meu percurso universitrio, me deram a possibilidade de ter escrito esta tese. A eles, um muito obrigado. De seguida quero frisar a importncia que o meu orientador Lus M. Gonalves e coorientador Joo Paulo Carmo tiveram nesta tese com a sua experincia, profissionalismo e bom senso a ter lugar desde o incio. Torna-se imperativo para qualquer aluno de Mestrado receber bons concelhos no s tcnicos e relativos ao tema de dissertao definindo com o passar do tempo uma linha de orientao, como tambm ouvir e pr em prtica toda a experincia adquirida pelos orientadores. Obrigado pelo seu profissionalismo e ajuda, sem eles no teria conseguido. No posso deixar tambm de agradecer aos tcnicos Carlos, Joel, ngela, das oficinas do departamento de Electrnica, onde passei vrios dias a trabalhar, pela pacincia que tiveram. No menos importantes e presentes nesta tese pelo conforto que me deram, tenho de deixar aqui uma mensagem para todos eles, os meus amigos. O meu sincero agradecimento a todos.
iii
iv
Resumo
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um conversor de elevao de tenso para microssistemas termoelctricos de gerao de energia. Os geradores termoelctricos utilizam diferenas de temperatura para gerar energia elctrica. Baseiam-se no efeito Seebeck e so constitudos por junes de dois materiais (p-n) com diferentes coeficientes de Seebeck. Em cada um destas junes, a tenso gerada no vai alm de 400V por cada grau de diferena de temperatura. Para que uma tenso til seja gerada (acima dos 3V) so necessrias vrias junes p-n em srie, ou uma elevada diferena de temperatura. Quando tal no possvel necessrio elevar a tenso gerada para nveis superiores. Neste contexto, neste trabalho so apresentadas solues de elevao de tenso para funcionamento com muito baixas tenses (acima de 160mV) e rendimentos elevados (acima de 90%). As tcnicas de charge-pump e conversores comutados so exploradas e os respectivos circuitos dimensionados e testados. Como aplicao final, foi utilizado um conversor DC-DC que eleva 300mV para 3V para alimentar um dispositivo wireless. Esta aplicao utiliza um dispositivo de telemetria biomdica, alimentado por um gerador termoelctrico que aproveita a diferena de temperatura entre o corpo humano e o ambiente.
vi
Abstract
This thesis work presents the development of a voltage boost converter for thermoelectric energy-generator microsystems. These devices use the Seebeck effect and are composed by junctions of two materials with different Seebeck coefficients. In each junction, the generated voltage is less than 400V by each degree of temperature difference. For a useful voltage to be generated (up to 3V) several p-n junctions connected in series are necessary, or a large temperature difference need to be available. When something like this is not possible, its necessary to boost the generated voltage to higher levels. In this context, this work presents solutions to boost the voltage to working levels with very low input voltages (at least 160mV) and high efficiency (more than 90%). The charge-pump techniques and switched DC-DC converters are explored and the circuits dimensioned and tested. As a final application, it was used a DC-DC converter that boosts 300mV to 3V, to supply a wireless device. This application uses a biomedical telemetric device, supplied by a thermoelectric generator that uses the temperature difference between the human body and the surrounding temperature.
vii
viii
ndice
AGRADECIMENTOS................................................................................................................................. III RESUMO ................................................................................................................................................V ABSTRACT ............................................................................................................................................ VII NDICE ................................................................................................................................................... IX NDICE DE TABELAS................................................................................................................................ XI NDICE DE FIGURAS ............................................................................................................................... XII LISTA DE ABREVIATURAS .......................................................................................................................XV 1. Introduo Geral ............................................................................................................................ 1 1.1. INTRODUO .................................................................................................................................. 1 1.2. MOTIVAO .................................................................................................................................... 2 1.3. ORGANIZAO DA TESE .................................................................................................................. 3 2. Fontes de Energia - Mdulo 1 ...................................................................................................... 5 2.1. INTRODUO .................................................................................................................................. 5 2.2. SISTEMAS TERMOELCTRICOS ........................................................................................................ 5 2.3. HISTRIA DA TERMOELECTRICIDADE ................................................................................................ 6 2.4. EFEITO DE THOMSON ...................................................................................................................... 7 2.5. FACTORES DETERMINANTES PARA A EFICINCIA DOS SISTEMAS TERMOELCTRICOS ........................... 8 2.6. MACRO E MICRO DISPOSITIVOS ....................................................................................................... 9 3. Charge-Pump - Mdulo 2 ............................................................................................................ 11 3.1. INTRODUO ................................................................................................................................ 11 3.2. TENSO ULTRA BAIXA DE FUNCIONAMENTO ................................................................................... 11 3.3. CONVERSOR SNCRONO ELEVADOR DE TENSO (BOOST) ................................................................. 13 3.4. CIRCUITOS DE ARRANQUE PARA CONVERSOR DC-DC ..................................................................... 16 3.5. CIRCUITO DE CHARGE-PUMP ......................................................................................................... 21 3.5.1. Definio e exemplo bsico de um charge-pump ............................................................... 21 3.5.2. Charge-pump S-882Z .......................................................................................................... 23 3.5.3. Caracterizao da operao do S-882Z ............................................................................. 23 3.5.4. Circuitos Integrados S-882Z comercialmente disponveis .................................................. 25 3.6. ANLISE DA EFICINCIA DO INTEGRADO S-882Z24 DA EMPRESA SEIKO INSTRUMENTS ................... 26 4. Conversores DC-DC - Mdulo 3 ................................................................................................. 31 4.1. INTRODUO ................................................................................................................................ 31 4.1.1. Anlise do Conversor step-up DC-DC S-8353 da Seiko Electronics Co., Ltd. (SII) ........... 31 4.2. ANLISE DO CONVERSOR STEP-UP DC-DC LTC3429 ..................................................................... 36 4.2.1. Anlise interna e caractersticas principais ......................................................................... 36 4.2.2. Diagrama esquemtico e escolha dos componentes para o LTC3429 .............................. 37
ix
4.2.3. Eficincia do conversor LTC3429 ....................................................................................... 40 4.3. ANLISE DO CONVERSOR STEP-UP DC-DC LTC3421 ..................................................................... 41 4.3.1. Diagrama esquemtico e seleco dos componentes ....................................................... 42 5. Combinao charge-pump com Conversor DC-DC ................................................................. 47 5.1 INTRODUO ................................................................................................................................. 47 5.2. ANLISE DO FUNCIONAMENTO DA COMBINAO ENTRE UM CHARGE-PUMP E CONVERSOR DC-DC (MDULO 2 COM MDULO 3)................................................................................................................ 47 5.2.1. Mdulo S-882Z-20 com o mdulo S-8353D30.................................................................... 50 5.2.2. Mdulo S-882Z com o mdulo LTC3429 ............................................................................ 54 5.3. COMPARAO DE RESULTADOS (MDULO 2 + MDULO 3) .............................................................. 56 5.4. ALTERNATIVAS.............................................................................................................................. 60 5.4.1 Investigao e alternativas combinao S-882Z24 com LTC3429 (circuito alternativo combinao dos mdulos 2 e 3) ................................................................................................... 61 5.4.2 Circuito Alternativo ao Mdulo 2. ......................................................................................... 63 6. Dispositivos Wireless - Mdulo 4 .............................................................................................. 65 6.1. MDULO 4 COMUNICAO SEM FIOS (WIRELESS) ............................................................................ 65 6.1.1. Dispositivos wireless utizados ............................................................................................. 65 6.2.2. Testes Laboratoriais ............................................................................................................ 68 7. Concluses .................................................................................................................................. 71 7.1. INTRODUO ................................................................................................................................ 71 7.1.1. Custos ................................................................................................................................. 71 7.1.2. Impacto ambiental ............................................................................................................... 74 7.1.3. Concluses .......................................................................................................................... 75 7.2. POSSIBILIDADES NO FUTURO ......................................................................................................... 76 BIBLIOGRAFIA ...................................................................................................................................... 77 8. Anexos .......................................................................................................................................... 81 ANEXO A ............................................................................................................................................. 82 ANEXO B ............................................................................................................................................. 88
ndice de Tabelas
Tabela 2.1: Colecta de Energia Comparao Macro vs Micro [3]. ...................................................... 9 Tabela 3.1: Tendncia em termos de tenso de entrada e outras para circuitos integrados nos prximos anos segundo a SIA [6]. ........................................................................................................ 12 Tabela 3.2: Vrias tenses de descarga e de shutdown para os 4 tipos de dispositivos S-882Z disponveis [16]...................................................................................................................................... 25 Tabela 3.3: Dados obtidos em laboratrio. ........................................................................................... 28 Tabela 4.1: Dados obtidos em laboratrio. ........................................................................................... 35 Tabela 4.2: Dados obtidos em testes laboratoriais. ............................................................................. 41 Tabela 5.1: Tenso de descarga para os quatro tipos de S-882Z [16]. ............................................... 50 Tabela 5.2: Vrias tenses possveis sada para diferentes tipos de dispositivos S-8353D30 [14]. 50 Tabela 5.3: Dados obtidos em laboratrio com a configurao da figura 5.4 e do circuito da figura 5.3. 52 Tabela 5.4: Dados obtidos em laboratrio utilizando o circuito da figura 5.7. ...................................... 55 Tabela 5.5:Tenso de sada em funo da tenso de entrada do charge-pump S-882Z24 e o dispositivo LTC3429. ............................................................................................................................. 56 Tabela 5.6: Rendimento em funo da tenso de entrada do circuito com o charge-pump S-882Z24 e o dispositivo LTC3429. .......................................................................................................................... 57 Tabela 5.7: Tenso de sada em funo da tenso de entrada com a combinao entre o chargepump S-882Z20 e o conversor DC-DC S-8353D30. ............................................................................. 58 Tabela 5.8: Rendimento em funo da tenso de entrada com a combinao entre o charge-pump S882Z20 e o dispositivo S-8353D30. ...................................................................................................... 59 Tabela 6.1: Principais caractersticas do mdulo emissor RTFQ1 [24]. .............................................. 66 Tabela 6.2: Principais caractersticas da placa emissora RRFQ1 [24]. ............................................... 67 Tabela 7.1: Custos dos componentes utilizados no prottipo, para menos de 10 unidades. .............. 72
xi
ndice de Figuras
Figura 1.1: Mdulos Constituintes da Dissertao................................................................................. 3 Figura 2.1: Mdulos constituintes do projecto na totalidade. ................................................................. 5 Figura 2.2: Gerador termoelctrico [2]. .................................................................................................. 6 Figura 2.3: Sensor de temperatura e gerador termoelctrico [2]. .......................................................... 6 Figura 2.4: Aquecimento por efeito Peltier e arrefecimento por efeito Peltier [2]. ................................. 7 Figura 3.1: Conversor sncrono elevador de tenso (boost) bsico [10]. ............................................ 13 Figura 3.2: Circuito de arranque nmero 1 que permite o incio de operao de um conversor DC-DC [10]. 17 Figura 3.3: Circuito de arranque nmero 2 que utiliza um transformador e um MOSFET [9]. ............ 19 Figura 3.4: Corrente de entrada e tenso de sada como funo da tenso de entrada sem carga ligada na sada do conversor da figura 3.3 [9]. ..................................................................................... 20 Figura 3.5: Eficincia do conversor da figura 3.3 em funo da potncia de sada do circuito. .......... 21 Figura 3.6: Charge-pump a funcionar como duplicador de tenso (durante a carga do condensador C: interruptor S1 e S3 esto fechados (fase de tempo 2); durante a descarga do condensador C, o interruptor S2 est fechado (fase de tempo 1) [13]............................................................................... 22 Figura 3.7: Duplicador de tenso com carga RL. ................................................................................. 22 Figura 3.8: Diagrama do circuito interno do charge-pump integrado S-882Z da empresa SEIKO [16]. 24 Figura 3.9: Cdigo para as referncias dos circuitos integrados S-882Z disponveis [16]. ................. 26 Figura 3.10: Diagrama esquemtico do circuito do dispositivo S-882Z24. .......................................... 27 Figura 3.11: Configurao usada para recolha de dados relativos ao diagrama esquemtico da figura 3.10. ....................................................................................................................................................... 27 Figura 3.12: Placa de circuito impresso (face simples) para os testes do diagrama esquemtico da figura 3.10.............................................................................................................................................. 29 Figura 4.1: Diagrama de blocos do step-up S-8353D30 [14]. .............................................................. 31 Figura 4.2: Circuito elctrico para determinar a eficincia e tenso para o qual o dispositivo S8353D30 inicia a operao (VDDL). ........................................................................................................ 33 Figura 4.3: Configurao utilizada nos testes laboratoriais. ................................................................ 35 Figura 4.4: Constituio interna do dispositivo LTC3429 com referncia especial para os dois MOSFETs assinalados a tracejado. ...................................................................................................... 37
xii
Figura 4.5: Circuito elctrico utilizado para determinar a eficincia e tenso para o qual, o conversor LTC3429 comea a funcionar (VDDL). .................................................................................................... 38 Figura 4.6: Configurao utilizada em laboratrio para obteno dos dados relativos ao diagrama esquemtico da figura 4.5. .................................................................................................................... 40 Figura 4.7: Constituio interna do dispositivo LTC3421 [17]. ............................................................ 42 Figura 4.8: Circuito elctrico utilizado na determinao da eficincia e da tenso para o qual, o dispositivo LTC3421 entra em funcionamento (VDDL). .......................................................................... 43 Figura 4.9: Imagem que pretende apenas mostrar a pelcula verde que o LTC3421 necessita para ser colocado numa placa de circuito impresso. O circuito que se visualiza na figura no fez parte do trabalho [10]........................................................................................................................................... 45 Figura 5.1: Esquema bsico de operao entre o dispositivo S-882Z e um conversor elevador de tenso [5]. .............................................................................................................................................. 48 Figura 5.2: Possvel implementao do charge-pump S-882Z com um conversor DC-DC elevador de tenso [16]. ............................................................................................................................................ 48 Figura 5.3: Diagrama esquemtico da combinao do dispositivo S-882Z20 com o dispositivo S8353D30. ............................................................................................................................................... 51 Figura 5.4: Configurao utilizada em laboratrio para obteno dos dados. .................................... 51 Figura 5.5: Placa de circuito impresso (face inferior) da combinao S-882Z20 com S-8353D30. .... 53 Figura 5.6: Placa de circuito impresso (face superior) da combinao do dispositivo S-882Z20 com o dispositivo S-8353D30. ......................................................................................................................... 54 Figura 5.7: Diagrama esquemtico da combinao do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429. ............................................................................................................................................... 55 Figura 5.8: Curva da tenso de sada (Vout) no conversor DC-DC LTC3429 em funo da tenso de entrada (Vin) imposta ao charge-pump S-882Z24. ................................................................................ 57 Figura 5.9: Curva do rendimento (%) para a combinao dos mdulos 2 e 3 em funo da tenso de entrada (Vin). .......................................................................................................................................... 58 Figura 5.10: Curva da tenso de sada (Vout) no conversor S-8353D30 em funo da tenso de entrada (Vin). .......................................................................................................................................... 59 Figura 5.11: Curva do rendimento (%) para a combinao entre o charge-pump S-882Z20 e o conversor DC-DC S-8353D30 em funo da tenso de entrada (Vin). ................................................. 60 Figura 5.12: Diagrama esquemtico do circuito alternativo [7]. ........................................................... 61 Figura 5.13: Tabela funo do Integrado SN74AUC1G14 [22]. .......................................................... 61 Figura 5.14: Possvel ligao alternativa combinao do mdulo 2 e 3. .......................................... 62 Figura 5.15: Circuito oscilador com ALD110900 da Advanced Linear Devices. ................................. 63
xiii
Figura 5.16: Esquema interno do ALD110900 [26]. ............................................................................. 64 Figura 6.1: Imagem do mdulo emissor [24]. ....................................................................................... 65 Figura 6.2: Imagem real da placa receptora de sinal wireless [24]...................................................... 66 Figura 6.3: Circuitos emissor e receptor, RTFQ1 e RRFQ1 respectivamente [24]. ............................ 68 Figura 6.4: Diagrama esquemtico do circuito final. ............................................................................ 69 Figura 6.5: Exemplificao de uma possvel aplicao usando o circuito da figura 6.4 [1]. ................ 69 Figura 7.1: Placa da combinao do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429. ................... 73 Figura 7.2: Vista de Topo da Placa. ..................................................................................................... 74 Figura A.1: Placa de PCB desenvolvida para o esquema da figura 3.12 usando o software PADS Layout. ................................................................................................................................................... 82 Figura A.2: PCB do circuito representado na figura 4.2 (S-8353D30)................................................. 83 Figura A.3: Placa PCB desenvolvida a partir do diagrama esquemtico do circuito da figura 4.5 (LTC3429). ............................................................................................................................................ 84 Figura A.4: Placa do circuito impresso do LTC3421 (figura 4.8). ........................................................ 85 Figura A.5: Placa de circuito impresso do diagrama esquemtico do circuito da figura 5.5 (combinao S-882Z e S-8353). ........................................................................................................... 86 Figura A.6: Placa PCB do diagrama esquemtico do circuito da figura 7.1 (Combinao S882ZLTC3429)............................................................................................................................................... 87
xiv
Lista de Abreviaturas
Ccpout
Condensador a partir do qual o dispositivo S-882Z transfere energia para a sada [F]
Cin CL CVDD DC DC-DC D EMI ESR IC ITRS IVDD MOSFET PCB PWM Ron SIA ts Vce Vcpout1
Condensador de entrada do dispositivo S-882Z [F] Condensador de sada do conversor DC DC [F] Converter Power smoothing capacitor [F] Corrente Directa Corrente Directa para Corrente Directa Duty-cycle Induo Electromagntica Resistncia Srie Equivalente Integrated Circuit International Technology Roadmap for Semiconductors Corrente de consumo do conversor step-up DC-DC [mA] Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Placa de Circuito Impresso Tcnica de Modulao de onda por pulso Resistncia do MOSFET quando este est em conduo [] Semiconductor Industry Association Tempo que o conversor DC-DC demora a iniciar a sua operao [s] Tenso colector emissor do MOSFET [V] Tenso no condensador CCPOUT a partir do qual o dispositivo S-882Z inicia a descarga [V]
VDDL VF
Tenso mnima de operao do conversor step-up DC-DC [V] Voltage Forward [V]
xv
Voff VVM
Tenso a partir do qual o dispositivo S-882Z deixa de funcionar [V] Tenso de sada do conversor e que serve de referncia para o dispositivo S882Z [V]
xvi
Captulo 1: Introduo Geral
1. Introduo Geral
1.1. Introduo
A poluio causada pelo uso extensivo da energia fssil e as polticas sociais relacionadas com estes recursos tm aumentado nas ltimas dcadas o desenvolvimento de novos materiais e dispositivos que convertem energia limpa que normalmente desperdiada, em energia elctrica. Actualmente, com as polticas energticas, a proviso de energia a partir de fontes renovveis (exemplos: energia solar ou energia do vento) torna-se cada vez mais imperativa. Assim, tem-se assistido de alguns anos a esta parte, pesquisa sobretudo em energia solar. Esta pesquisa tem-se concentrado em aplicaes de baixa potncia para reduzir o uso de baterias. Pequenos dispositivos colectores de energia solar podem ser usados em vrios sistemas de monitorizao e controlo. A energia contida em micro-clulas (clulas foto voltaicas p.ex.) pode ser utilizada para ligar sensores ou sistemas auxiliares. Uma aplicao tpica o uso em gesto de energia para edifcios. Mais recentemente, outras aplicaes respeitantes a dispositivos termoelctricos possibilitam o aproveitamento de toda e mais pequenas fontes de energia nas nossas casas. Estes dispositivos esto a ser neste momento produzidos em massa para aplicaes que aproveitam as diferenas de temperatura. A potncia fornecida por estas fontes muito baixa, tipicamente na ordem dos 100mW e a tenso situa-se entre os 0.2-0.5 V. Assim, para que possa ser usada em aplicaes de controlo e gesto torna-se necessrio utilizar conversores DC-DC que elevem a tenso para alcanar valores compatveis com o funcionamento da electrnica tipicamente na gama (3-5V). Devido baixa potncia e tenso, a primeira preocupao na seleco do conversor DC-DC reside em limitar as perdas de maneira a evitar-se a dissipao de energia durante a converso de tenso. Alm disso, os conversores elevadores de tenso do tipo boost, actualmente disponveis no mercado apresentam outra limitao. Esta limitao consiste em no serem capazes de fazer o start-up a partir de valores muito reduzidos de energia, pois internamente, a electrnica que os constituem necessita de ser polarizado, (pelo menos a 0.7-0.8V). Simultaneamente a tenso fornecida pela fonte baixa. Esta tese apresenta duas contribuies inovadoras: a primeira consiste na caracterizao da operao em diferentes tipologias DCDC e na comparao respectiva. Seguidamente o segundo objectivo consiste na resoluo do problema associado ao start-up dos conversores DC-DC a partir de 0.3V.
1
1.2. Motivao
Actualmente, os consumidores encontram uma grande variedade e a baixo custo de pequenos sensores no mercado. Graas a estes sensores possvel monitorizar e controlar, sistemas. Estes sensores podem enviar a informao adquirida usando comunicao sem fios (wireless). No fcil explorar na totalidade as vantagens que estas tecnologias proporcionam porque uma fonte externa deve alimentar estes sensores (que monitorizam o sistema e enviam posteriormente a informao adquirida). Alm disso, estes dispositivos so colocados frequentemente em locais onde a alimentao por cabos no fcil ou mesmo impossvel. Isto justifica a necessidade de encontrar fontes de energia perto destes sensores. Existem alguns dispositivos que ajudam a solucionar este problema, nomeadamente em extrair pequenas quantidades de energia do ambiente envolvente (exs: do movimento, vibraes, da luz, gradientes trmicos, entre outros). A figura 1.1, apresenta os mdulos utilizados no contexto desta dissertao.
Captulo 1: Introduo Geral
Figura 1.1: Mdulos Constituintes da Dissertao.
1.3. Organizao da Tese

Este captulo apresenta o objectivo desta tese, as suas principais contribuies e a sua organizao. O captulo dois descreve os sistemas termoelctricos, nomeadamente os princpios e efeitos pelos quais estes so regidos, os materiais constituintes e a apresentao de dispositivos actualmente existentes. O captulo trs apresenta uma viso do futuro para os prximos anos dos dispositivos em termos da tenso de funcionamento. Explora tambm o que j existe como circuito de
arranque para os conversores DC-DC, introduz, caracteriza e analisa o circuito charge-pump S-882Z da empresa SEIKO Instruments. O quarto captulo inteiramente dedicado aos conversores DC-DC usados nesta dissertao como o caso do LTC3429 da Linear Technology, e o S-8353 da SEIKO Instruments. feita tambm uma anlise da eficincia de cada um. O quinto captulo aborda o funcionamento dos mdulos S-882Z e dos conversores DC-DC em conjunto, as respectivas perdas, o funcionamento e a optimizao. Introduz alternativas aos mdulos dois e trs. O sexto captulo aborda o funcionamento do mdulo quatro completando assim um dos principais objectivos desta dissertao. Finalmente, o stimo captulo discute os custos e o impacto ambiental resultante do trabalho realizado ao longo da dissertao. Por ltimo so apresentadas as concluses e as perspectivas de trabalho futuro.
Captulo 2: Fontes de Energia - Mdulo 1
2. Fontes de Energia - Mdulo 1

2.1. Introduo
Este captulo apresenta um conjunto de mtodos de aproveitamento de energia do ambiente ao redor da electrnica a alimentar. Os possveis dispositivos que podem servir de fonte de energia, as quais podero ser utilizadas neste trabalho incluem: os sistemas termoelctricos e as clulas foto voltaicas. No faz parte da dissertao, o dimensionamento, o projecto e o teste do mdulo pertencente a uma das supra-chamadas duas categorias. Todavia imprescindvel apresentar e discutir estes dispositivos para melhor perceber-se que tipo de comportamento e influncia esta mesma fonte de energia vai acabar por ter no projecto global. De destacar, o comportamento das fontes em relao tenso e potncia que estas podem enviar para o mdulo charge-pump: o mdulo dois ilustrado na figura 2.1.
Figura 2.1: Mdulos constituintes do projecto na totalidade.
2.2. Sistemas Termoelctricos

Os Dispositivos termoelctricos autnomos so utilizados hoje em dia numa grande variedade de aplicaes. numa destas aplicaes que esta dissertao est focada e cujo impacto tem importncia vital. Trata-se de um gerador termoelctrico capaz de fornecer energia elctrica a partir de uma tenso de algumas centenas de milivolts, aproveitando a diferena de temperatura gerada entre o corpo humano e a temperatura ambiente. A figura 2.2 apresenta uma representao de um destes dispositivos [2].
Figura 2.2: Gerador termoelctrico [2].
A energia aproveitada por estes pequenos dispositivos e depois enviada para um charge-pump posteriormente elevada por conversores DC-DC a fim de obter-se a tenso necessria para alimentar um dispositivo wireless. Mas, para uma melhor percepo da origem destes pequenos dispositivos torna-se necessrio apresentar trs efeitos que levaram sua origem, implantao e utilizao. Estes designam-se de efeito Seebeck, efeito Peltier e efeito Thomson e todos eles foram descobertos ainda durante a primeira metade do sc. XIX.
2.3. Histria da Termoelectricidade

O efeito Seebeck foi descoberto em 1822 por Thomas Seebeck e consiste no aparecimento de uma diferena de temperatura entre as junes de dois materiais diferentes. Esta provoca o aparecimento de uma tenso elctrica (dando origem a uma corrente elctrica quando se fecha o circuito). Este efeito ento utilizado em dois grupos de aplicaes, sensores de temperatura e geradores termoelctricos tal como se pode ver na figura 2.3 [2].
Figura 2.3: Sensor de temperatura e gerador termoelctrico [2].
O coeficiente de Seebeck definido como [4]:

Eq.2-1
onde V a diferena de potencial e T a diferena de temperatura ou gradiente trmico. O efeito Peltier foi descoberto em 1934 por Jean Peltier, fsico Francs. Este constatou que uma quantidade de energia trmica libertada ou absorvida numa juno quando uma corrente elctrica passa atravs dessa mesma juno sendo esta constituda por dois materiais diferentes. Aumentando ou diminuindo ento a temperatura da juno este fenmeno ocorre. Jean Peltier tambm se apercebeu que a energia libertada ou absorvida proporcional corrente elctrica.
Figura 2.4: Aquecimento por efeito Peltier e arrefecimento por efeito Peltier [2].
O coeficiente Peltier definido por [4],

Eq.2-2
onde Q representa a absoro de calor e I a corrente elctrica aplicada.
2.4. Efeito de Thomson

O terceiro efeito, o de Thomson, reporta que um condutor mediante a passagem de uma corrente elctrica e a existncia nele de uma diferena de temperatura, este tem a capacidade de produzir frio ou calor. Assim que estiverem reunidas simultaneamente estas duas condies num circuito, a existncia de uma diferena de temperatura e corrente elctrica, dse libertao ou absoro de calor em cada segmento individual do circuito sendo o gradiente do fluxo trmico dado por [4],
Eq.2-3
onde x representa a coordenada espacial e
o coeficiente de Thomson do material. William
Thomson provou ainda que os efeitos Seebeck e Peltier relacionam-se atravs da expresso,
Eq.2-4
onde M o coeficiente de Peltier, S o coeficiente de Seebeck, T a temperatura, Q a quantidade de calor e I a corrente aplicada.
2.5. Factores determinantes para a eficincia dos sistemas termoelctricos

Actualmente os sistemas termoelctricos permitem tanto a produo de electricidade atravs do efeito Seebeck (p.ex geradores de energia para sondas espaciais) como a refrigerao termoelctrica usando o efeito Peltier (como os pequenos refrigeradores para automveis. Este tipo de tecnologia aproveita o calor desperdiado, e como, no envolve o uso de partes mveis e no contribui para o aumento do efeito de Estufa torna-se assim uma tecnologia competitiva em relao s convencionais. Ainda assim a eficincia revelada pelos sistemas termoelctricos fica muito aqum das expectativas, limitando assim o seu uso generalizado. Logo, o uso extensivo e consistente desta tecnologia passa no futuro pelo aumento da eficincia associada a esta. Para tal necessrio maximizar a chamada figura de mrito, ZT, dos compostos ou materiais constituintes. A equao 2-5 d o valor deste factor, onde T representa a temperatura absoluta, S, o coeficiente de Seebeck e e representam respectivamente as condutividades elctrica e trmica [4].
Eq.2-5
O aumento do valor de ZT pode passar ento pelo aumento do numerador (tambm chamado de factor de potncia) da equao apresentada ou pela reduo do denominador (condutividade trmica). Relevante e importante, com base em vrios estudos realizados, foi a identificao de um composto chamado, telureto de Bismuto, Bi2Te3. Este apresenta um ZT prximo de 1, tornando-se ainda hoje um dos compostos mais utilizados comercialmente no fabrico de sistemas termoelctricos. O segundo factor determinante para a eficincia de um
8
sistema termoelctrico a condutividade trmica. Quanto menor for a condutividade trmica de um composto, melhor se tornam as suas propriedades termoelctricas. Logo para se manter um gradiente elevado de temperatura a condutividade trmica de um material tem de ser a mais elevada possvel [4].
2.6. Macro e Micro Dispositivos

A colecta de energia tem estado presente durante sculos na forma de moinhos de vento, de sistemas solares, entre outros. Nas ltimas dcadas, tecnologias como os aerogeradores (energia do vento), geradores de electricidade que convertem a energia da gua, bem como os painis solares tornaram a colheita de energia num contribuinte cada vez maior para as necessidades energticas correntes e crescentes do mundo. Esta tecnologia oferece duas importantes vantagens relativamente s solues que usam baterias para fornecimento de energia: so fontes virtualmente inesgotveis e o impacto ambiental adverso que tm, relativamente produo de gases de efeito de estufa, praticamente nulo. Actualmente podem-se distinguir dois tipos de sistemas de colheita em pequena escala e que j esto disponveis comercialmente. So eles, o sistema de colheita macro energia e sistema de micro energia, representados na tabela 2.1.
Tabela 2.1: Colecta de Energia Comparao Macro vs Micro [3]. Macro vs Micro Fonte de energia Solues Objectivo Final Reduzir a dependncia do petrleo
Macro
Energias Renovveis (solar, do vento)
Soluo para Gesto de Energia
Energia do ambiente Micro (vibrao, calor do corpo)
Soluo para Potncias de micro valor
Dispositivos permanentes
As tecnologias de macro energia diferem em muitas maneiras, mas tm uma em comum: estas alimentam a rede elctrica, injectando energia em quantidades na ordem dos quilos watts ou mega watts para o sistema distribuidor de energia. Este tipo de dispositivos no do gnero de dispositivos que vo perpetuar e existir constantemente nossa volta para aproveitar o mnimo dos mnimos de energia existente na natureza ou no corpo humano. No, para isso existem os chamados micro dispositivos de colheita de energia. A nova fronteira para a colheita de energia um array tecnolgico em micro escala que possa retirar potncia (da ordem dos mW) da energia solar, das vibraes, de fontes termais ou biolgicas. H alguns anos atrs, a colheita em micro escala de energia era chamada de curiosidade cientfica, mas, a longa marcha da comunidade de especialistas engenheiros em design de circuitos, de encontro tecnologia de ultra baixa potncia teve o resultado inesperado de impulsionar esta tecnologia para fora do laboratrio para posteriormente ser utilizada pelo designer de circuitos. Entender a tecnologia de ultra baixa potncia a partir do lado da fonte ser desafiador e to empolgante como foi do lado do consumidor alguns anos atrs. A primeira razo para isto acontecer o facto de que a potncia colhida provm de fontes ambientais logo tende a ser desregulada, intermitente e de baixo valor [3].
10
Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2
3. Charge-Pump - Mdulo 2
3.1. Introduo
No captulo dois foram apresentados os geradores termoelctricos, constituindo assim o mdulo 1. Estes dispositivos podem funcionar com toda a certeza como dispositivos capazes de gerar tenses na ordem dos 300mV. Esta tenso ser posteriormente aproveitada por um circuito de charge-pump a introduzir neste captulo. Neste contexto fez-se referncia ao mdulo 2 pela primeira vez, conforme ilustrado na figura 2.1. Mas, para perceber-se o quo inovador o funcionamento do circuito que utilizar os 300mV fornecidos pelo mdulo 1, convm perceber o significado de tenso ultra-baixa de funcionamento e qual ser a evoluo que este conceito apresentar nos prximos anos.
3.2. Tenso Ultra Baixa de Funcionamento

A tabela 3.1 foi publicada pela Associao Industrial de Semicondutores (SIA) e importante para se perceber o que realmente significa tenso de operao reduzida para circuitos integrados, pois no existe uma definio standard. Como possvel verificar desta projeco que data de 2000/2001, a tenso de operao para os circuitos integrados vai baixar, tal como as suas dimenses fsicas. Em 2008, a tenso de alimentao mnima que podia ser fornecida a um circuito integrado situava-se nos 0.7V estimando-se que em 2016, portanto, passados 8 anos, ser reduzida praticamente para metade [6].
11
Tabela 3.1: Tendncia em termos de tenso de entrada e outras para circuitos integrados nos prximos anos segundo a SIA [6].
Ano Tamanho Relgio Interno (desempenho elevado) Transstores lgicos Milhes/cm2 Milho de Microprocessador transstores/ chip Tamanho da DRAM Tamanho da SRAM Tenso Mbit/Gbit Mbit/Gbit Vdd 16 1 5 64 4 3.3 256 16 2.5 512 64 1.2 1 256 1.0 0.9 0.7 0.6 0.5 0.4 2 6 16 48 5.2 12 23.8 47.6 95.2 190 539 1523 4308 2 4 6.6 13 24 44 109 269 664 MHz/GHz 200 300 750 1.68 2.31 5.17 6.74 11.5 19.3 28.7 Unidades Microns/nm 1993 0.5 1995 0.35 1999 180 2001 130 2003 100 2005 80 2008 70 2011 50 2014 34 2016 22
A importncia de baixar a tenso de operao, reside no facto de ir permitir integrar mais transstores num nico chip enquanto simultaneamente reduz-se a potncia dissipada. Isto permite reduzir o tamanho do canal dos transstores, conseguindo-se uma maior densidade no circuito e diminuir o espao entre transstores vizinhos. A Tabela 3.1 permite constatar que os conversores existentes no mercado para serem integrados em aplicaes low-voltage conversion necessitam pelo menos de 0.7V a 0.9V para poderem operar. A principal aplicao destes conversores relaciona-se com a gesto de baterias. Normalmente estes so utilizados para regular as tenses provenientes das baterias. O objectivo manter a tenso de sada constante mesmo se a bateria est a descarregar. Portanto, o start-up destes circuitos ocorre quando a bateria est carregada e a tenso alta o suficiente para activar o circuito. Durante um ciclo, a tenso fornecida pela bateria decai ligeiramente. Contudo, graas ao conversor, a tenso de sada no varia. Com os conversores de antigamente, o sistema entrava em colapso quando a tenso fornecida pela bateria atingia valores como 0.5-0.6V.
12
Actualmente, a maioria dos conversores disponveis no mercado utilizam um transstor de efeito de campo de metal xido semicondutor (MOSFET) de baixa potncia como dispositivo interruptor. A sua baixa resistncia quando o dispositivo est em conduo e o facto de no necessitar de corrente no terminal gate para se polarizar so importantes vantagens. Graas a estas caractersticas, as perdas so muito baixas. A desvantagem reside no facto de que precisam de uma tenso elevada na gate para o colocar no estado de conduo (on). Outros tipos de transstores no so utilizados devido ao problema da eficincia. Por exemplo os transstores de juno bipolar (BJT) necessitam de uma tenso de aproximadamente 0.7V para entrarem em conduo, o que acaba por ser uma tenso baixa. Contudo, estes dispositivos apresentam uma queda de tenso colector-emissor, VCE [V], relativamente alta, aumentando as perdas. Logo, os MOSFETs continuam a ser os melhores dispositivos a funcionar como interruptores. Refira-se ainda que um MOSFET para conduzir, a tenso gate source Vgs[V] tem de ser superior tenso limiar de conduo do MOSFET, Vth[V]. Posteriormente os MOSFETs sero polarizados por essa mesma tenso de sada. Portanto os pontos crticos tornam-se respectivamente, como atingir a tenso limiar, tipicamente nunca menos de 1V a partir de uma baixssima tenso de entrada.
3.3. Conversor sncrono elevador de tenso (boost)

Numa fase mais avanada desta dissertao: durante a apresentao do mdulo 3, o conversor sncrono LTC3429 ser apresentado. Antes disso ser descrito o funcionamento de um conversor sncrono mais bsico e a operar com uma tenso muito baixa de entrada.
Figura 3.1: Conversor sncrono elevador de tenso (boost) bsico [10].
13
Quando o nvel de potncia baixo (<3W), a tenso tambm baixa (<3.3V) e a eficincia tem que ser alta, (apenas a rectificao sncrona considerada). A maior parte das perdas ser na bobina e nos interruptores (comutadores). As perdas na bobina podem ser separadas em perdas resistivas e perdas no ncleo. Na prxima aplicao, as perdas resistivas dominam, ou tem especial significado. As perdas nos interruptores tambm sero em grande parte resistivas. Os nveis de impedncia (<20m) sero muito baixos para o nvel de potncia considerado. A resistncia DC da bobina RL[], a resistncia dos condutores RT[] e a resistncia do MOSFET RSW[]. A equao 3-1 define o circuito da figura 3.1 [10].
Eq. 3-1
No modo continuo, a corrente de entrada no conversor Iin[A] circula atravs da bobina e por um dos interruptores. Considerando quantidades DC, onde Vin[V] a tenso de entrada do conversor, Pout[W] a potncia de sada e R a soma de RL, RT e Rsw com alguma outra resistncia srie de valor muito baixo comparado com as anteriores. A resistncia Rc a resistncia equivalente do condensador e Ic a corrente eficaz (RMS) deste. O factor K [V] relativo s perdas de comutao dos interruptores. Este factor determinado tendo em conta uma determinada tenso de sada e fsw [Hz] que fixo. K pode ser alterado por vrios factores relativos arquitectura do circuito mas pode ser calculado de maneira que possam trocar-se as perdas de comutao pelas perdas resistivas. Significa isto, que quanto mais baixa for a resistncia on do MOSFET, mais baixo ser o tempo para o qual este entrar em conduo (e assim maior sero as perdas de comutao). A constante Pon representa a potncia de controlo (tipicamente <alguns mW). O condensador conduz dois nveis de corrente, Iout ou Iin-Iout aproximadamente. Se a corrente mdia do condensador tender para zero, possvel determinar a raiz quadrada da corrente no condensador usando a equao 3-2 [10].
[A] onde, [A]

14
Eq. 3-2
Eq. 3-3
O factor K pode ser estimado a partir do nmero de vezes que o MOSFET est em conduo e no corte. A energia perdida nas comutaes de apenas um interruptor dada por
[J]
Eq. 3-4
Onde Voff a tenso no dispositivo quando este desligado, Ion [A] a corrente que passa no interruptor quando este est em conduo e tswitch[s] a soma entre os tempos de conduo e no conduo do dispositivo. Seguidamente basta multiplicar pela frequncia de comutao para converter para perdas de potncia e ter em ateno que se trata de dois interruptores. Se as substituies apropriadas forem feitas na equao 3-1, possvel resolver a funo quadrtica.
Eq. 3-5
Aps a resoluo da equao 3-5 chega-se concluso que o resultado um nmero complexo. Isto indica que no possvel obter a potncia de sada desejada com uma tenso baixa aplicada na entrada do conversor. Assim, ou reduz-se a potncia desejada na sada do conversor ou aumenta-se Vin para os mesmos componentes. A eficincia do circuito obtm-se a partir das equaes (3-1) e (3-5) e :
[%]
Eq. 3-6
Da anlise da equao anterior, conclui-se que para um dado Pout, medida que Vin desce, Iin aumenta. Finalmente a equao 3-6 permite concluir que a eficincia diminui quadraticamente medida que a tenso de entrada (Vin) reduzida linearmente.
15
A anlise anterior revela a necessidade de encontrar-se um circuito de arranque que possibilite ao conversor DC-DC tambm iniciar a sua operao de arranque.
3.4. Circuitos de arranque para conversor DC-DC

A figura 3.2 mostra um circuito de arranque (circuito 1) que permite que um conversor DCDC possa dar inicio sua operao [10]. O princpio de funcionamento desta tcnica requer um interruptor mecnico que actua em srie com uma resistncia. Estes dois componentes so colocados em paralelo com o MOSFET. O interruptor mecnico no um componente extra, podendo ser o mesmo componente que permite activar o circuito colocando-o em conduo. Quando este interruptor est activo, a corrente flui atravs da bobina e limitada apenas pela resistncia Rstart []. O dispositivo mecnico deve-se manter em conduo pelo menos 4 ou 5 constantes de tempo tipicamente em milissegundos. Aps este tempo o interruptor libertado e a corrente flui pelo dodo carregando o condensador. A carga armazenada num condensador deve fornecer ao regulador do circuito, a energia suficiente para este auto-sustentar a converso durante a primeira fase. Isto possvel apenas se Rstart for seleccionada correctamente. As equaes que permitem obter o valor correcto para Rstart so:
[J]
Eq. 3-7
[]
Eq. 3-8
16
Figura 3.2: Circuito de arranque nmero 1 que permite o incio de operao de um conversor DC-DC [10].
A equao 3-7 permite obter a energia armazenada na bobina quando o interruptor mecnico est fechado. A equao 3-8 permite obter o valor de Rstart se toda a energia transferida da entrada para a sada. Para tal no se consideram as perdas do circuito. Esta tcnica de arranque acima mencionada no complicada de implementar, a sua implementao relativamente barata e no ocupa muito espao. Assim, este circuito parece ser apropriado para as aplicaes estudadas nesta tese. O nico problema que este sistema necessita de ajuda externa para funcionar, pois algum ter que pressionar o mecanismo interruptor, o que no de todo prtico.
Circuito 2 Uma segunda alternativa ao circuito anterior (figura 3.2) utiliza um transformador com um conversor elevador de tenso (figura 3.3). Dependendo do nmero de espiras que o enrolamento do primrio possui relativamente ao enrolamento secundrio, gerada uma tenso superior ou no, a qual depende da sua relao de transformao [9]:
Eq. 3-9
17
Onde, V1[] a tenso de entrada na bobina do primrio, L1[H] a indutncia do enrolamento do primrio que possui N1 espiras. L2[H] a indutncia do enrolamento secundrio e possui N2 espiras e V2[V] a tenso sada do enrolamento secundrio do transformador. Se as perdas forem desprezadas, a seguinte relao para a potncia envolvendo tenses e correntes estabelecida [9]:
[W]
Eq. 3-10
e a relao de transformao:
Eq. 3-11
A tenso numa bobina dada por:

Eq. 3-12
onde i a corrente que a circula.
Para um transformador tem-se as tenses:
Eq. 3-13
Eq. 3-14
O componente chave no circuito da figura 3.3 com bobinas acopladas um MOSFET. Se uma tenso de valor reduzido (50mV ou 75mV) for aplicada no terminal Vin do conversor apresentado, uma corrente passa pelo primrio L1 do transformador Tr1. De acordo com a relao entre tenso e corrente, numa bobina (equao 3-12), a funo da corrente uma
18
curva exponencial ascendente (com declive positivo). A derivada da funo da corrente positiva (devido ao declive positivo), logo uma tenso positiva induzida no secundrio (L2) do transformador Tr1. O terminal positivo da bobina L2 que est ligado ao terminal gate do MOSFET T1 polarizado por uma tenso fixa imposta pelo dodo condutor do JFET T1. Assim, com a induo de uma tenso positiva, o condensador C2 carrega com um nvel negativo pois este est ligado ao terminal negativo da bobina L2.
Quando a corrente no primrio (L1) atinge a saturao, a derivada e portanto, a tenso induzida no secundrio (L2) zero, levando assim a uma queda na tenso do secundrio do transformador. A soma entre a tenso no condensador C2 e a tenso na bobina do secundrio (L2) torna-se negativa, obrigando o transstor T1 a passar ao estado de no conduo. medida, que a corrente na bobina do primrio (L1) decai, uma tenso positiva induzida na bobina do primrio (L1) do transformador, atrasando o decaimento da corrente. Como o transstor T1 tem uma resistncia elevada, o condensador de sada C3 carrega atravs de D1. Quando a corrente no primrio atinge o valor nulo, a tenso induzida na bobina do secundrio (L2) torna-se tambm ela nula e o condensador C2 descarrega atravs da resistncia R1 at atingir o nvel da tenso de entrada. Assim, o JFET T1 comea a conduzir novamente e o ciclo repete-se.
Figura 3.3: Circuito de arranque nmero 2 que utiliza um transformador e um MOSFET [9].
Na figura 3.4 e 3.5 so apresentados os resultados do circuito conversor da figura 3.3. A figura 3.4 mostra a corrente de entrada e a tenso de sada como funo da tenso de entrada
19
sem carga ligada na sada do conversor. Com apenas 50mV e 75mV na entrada, uma tenso de sada de apenas 1.25V atingida. Se aumentar Vin, valores mais elevados na sada (Vout) sero atingidos. A corrente de entrada (Iin) est a diminuir com o aumento da tenso de entrada (Vin), devido realimentao existente entre a sada (Vout) e o JFET T1.
Figura 3.4: Corrente de entrada e tenso de sada como funo da tenso de entrada sem carga ligada na sada do conversor da figura 3.3 [9].
Na figura 3.5, a eficincia do conversor apresentada em funo da potncia de sada. A frequncia de oscilao est na gama 18-35KHz. O comprimento do perodo de comutao determina o aumento que a corrente pode ter. Assim, quanto mais elevada for a potncia de sada, mais baixa a frequncia de comutao. Por outro lado, se a potncia de sada aumenta, as perdas devido frequncia de comutao diminuem por causa da reduo no valor desta mesma frequncia de comutao. Portanto, a eficincia do conversor apresentado na figura 3.3 aumenta quando a potncia de sada (Pout) tambm aumenta.
20
Figura 3.5: Eficincia do conversor da figura 3.3 em funo da potncia de sada do circuito.
3.5. Circuito de Charge-Pump

3.5.1. Definio e exemplo bsico de um charge-pump Os charge-pump so circuitos que colocam na sada uma tenso superior tenso que lhes fornecida. Considere-se o circuito da figura 3.6 constitudo por um condensador e trs dispositivos interruptores. Durante a fase de tempo 2, os interruptores S1 e S3 esto fechados e o condensador C carrega com a tenso fornecida VDD. De seguida, o dispositivo interruptor S2 fechado (fase de tempo 1) e o plo superior do condensador assume o potencial VDD, enquanto o condensador mantm a sua carga (VDD*C) da fase anterior (fase 2). Isto significa que durante a fase de tempo 1, as equaes do circuito so [13]:
Eq. 3-15 ou Eq. 3-16
21
Figura 3.6: Charge-pump a funcionar como duplicador de tenso (durante a carga do condensador C: interruptor S1 e S3 esto fechados (fase de tempo 2); durante a descarga do condensador C, o interruptor S2 est fechado (fase de tempo 1) [13].
Na ausncia de uma carga, aparece ento uma tenso de sada tendo como valor o dobro da tenso fornecida. De seguida colocada uma carga R L. Para isso necessrio acrescentar um condensador Cout, como se pode ver na figura 3.7.
Figura 3.7: Duplicador de tenso com carga RL.
Neste caso, a tenso de sada ideal dada pela equao [13]:
[V]
Eq. 3-17
Se uma carga representada pela resistncia RL est presente no circuito (figura 3.7), ento uma tenso de ripple, VR, aparece na sada. Esta tenso pode ser reduzida, tornando o valor do
22
condensador Cout suficientemente alto, de maneira que: a tenso VR torne-se negligencivel comparada com Vout.
3.5.2. Charge-pump S-882Z Nos ltimos anos surgiu uma nova famlia de conversores step-up, a qual disseminou-se bastante no meio industrial. Este conversor um exemplo muito utilizado, possui a referncia S-882Z e basicamente um switched capacitor (SC). Este Circuito Integrado (IC) apresenta vrias vantagens: a sua configurao no necessita de dispositivos magnticos (bobinas ou transformadores) o que reduz as dimenses fsicas e o peso. Alm disso, este charge-pump no constitui problemas de maior no que refere a interferncias electromagnticas, ideal para integrao monoltica (monolithic integration) [8]. Graas a estas caractersticas, este conversor uma boa soluo para solucionar o problema existente nos conversores DC-DC elevadores de tenso (anteriormente apresentados como circuito 1 e circuito 2): o no conseguirem iniciar a converso a partir de um valor nulo de energia. A principal diferena relativamente a outros conversores do tipo Switched Capacitor est no uso de um processo de fabrico chamado SOI (Silicon-on-Insulator) que o permite operar com tenses da ordem dos miliVolts [16].
3.5.3. Caracterizao da operao do S-882Z O circuito integrado S-882Z pode elevar tenses de entrada a partir de 0.3V. Como anteriormente citado, isto possvel porque o circuito integrado utiliza Full Depletion Silicon-On-Insulator (SOI) Substrate, o que significa que neste tipo de tecnologia a corrente de fuga source-drain extremamente baixa. Devido a isto, a tenso limite do transstor pode ser minimizada. A desvantagem da tecnologia Full Depleted SOI (silicon on Insulator) a eficincia, a corrente de fuga e as perdas de comutao causarem um decremento na eficincia do S-882Z at 20%. De acordo com a figura 3.8, a operao do dispositivo S-882Z a seguinte [16]: 1. Quando a tenso de entrada (no pino 4) igual ou superior a 0.3V, o circuito de oscilao entra em funcionamento e gera um sinal de relgio, CLK[Hz]. 2. O sinal polariza o charge-pump que converte a tenso de entrada usando a tcnica SC (Switched Capacitor) apresentada na seco 3.5.1.
23
3. O sinal sada do charge-pump utilizado para carregar o condensador Ccpout (pino 5). 4. Quando a tenso neste condensador atinge ou excede a tenso discharge start voltage (Vcpout1), o sinal de sada do comparador COMP1 comuta do estado alto (referente a 1 lgico) para o estado baixo (referente a 0 lgico), fazendo com que o transstor M1 entre em conduo. 5. Quando o transstor M1 estiver em conduo e a energia armazenada no condensador Ccpout atinge a discharge start voltage level, descarregada a partir do pino de sada (Pino 1). 6. Quando o potencial do pino de sada (Pino 1) cai para nveis inferiores a discharge stop voltage level (Vcpout2), o transstor M1 passa ao estado de corte, cessando a descarga de Ccpout. 7. Quando a tenso no pino VM (referente ao Pino 3) atinge ou excede a tenso Voff (shutdown voltage), o sinal de sada (EN-) do comparador (COMP2) comuta do estado baixo para o estado alto. Seguidamente, o circuito de oscilao desligado, bem como o dispositivo S882Z. Desta forma a potncia consumida reduzida. 8. Quando a tenso no pino VM inferior tenso Voff, o sinal de sada (EN-) do comparador COMP2 est no nvel alto e o circuito de oscilao entra em funcionamento novamente, retornando para a operao apresentada no ponto 2.
Figura 3.8: Diagrama do circuito interno do charge-pump integrado S-882Z da empresa SEIKO [16].
24
3.5.4. Circuitos Integrados S-882Z comercialmente disponveis Existem disponveis no mercado, mais dispositivos do tipo S-882Z. Estes apresentam diferentes tenses para as quais comeam a transferir a energia via conversor DC-DC. A Tabela 3.2 apresenta os quatro tipos disponveis.
Tabela 3.2: Vrias tenses de descarga e de shutdown para os 4 tipos de dispositivos S-882Z disponveis [16]. Vcpout1
1.8 V+0.1V 2.0 V+0.1V 2.2 V+0.1V 2.4 V+0.1V
Voff
1.9V+0.1V 2.1V+0.1V 2.3V+0.1V 2.5V+0.1V
Nome do Produto
S-882Z18-M5T1G S-882Z20-M5T1G S-882Z22-M5T1G S-882Z24-M5T1G
Os circuitos integrados apresentados na tabela 3.2 mostram que os modelos diferem na tenso para o qual comeam a transferir a energia para o conversor DC-DC e na tenso que faz com que sejam automaticamente desligados, aps haver a deteco de uma tenso superior ao valor de descarga (Vcpout1) na sada. Por exemplo, para o dispositivo S-882Z24-M5T1G, o inicio da transferncia comea a dar-se, quando a tenso VCPOUT1 igual a 2.4 V (2.3V ou 2.5) e por outro lado quando a tenso Voff sada igual a 2.5V (2.4V ou 2.6), este desliga-se para no haver consumo de energia.
25
Figura 3.9: Cdigo para as referncias dos circuitos integrados S-882Z disponveis [16].
Futuramente, sero escolhidos diferentes tipos de dispositivos S-882Z, consoante o conversor DC-DC a implementar.
3.6. Anlise da eficincia do Integrado S-882Z24 da empresa SEIKO Instruments

A partir da folha de caractersticas do dispositivo S-882Z foram retiradas as caractersticas mais importantes de funcionamento.
Vin=0.3V, tenso para o qual o dispositivo S-882Z24 comea a funcionar; Iconsumo=0.5 mA, corrente tpica de consumo com 0.3V como tenso, Vin , de entrada; fosc=350 KHz, frequncia tpica de oscilao com 0.3V como tenso, Vin de entrada.
Os componentes seleccionados foram os seguintes [16]:
Cin, com o valor igual a 10F; Ccpout, com o valor igual a 47F; RL, com o valor igual a 1M.
26
Figura 3.10: Diagrama esquemtico do circuito do dispositivo S-882Z24.
O esquema da figura 3.10 apresenta o circuito desenvolvido para proceder-se recolha de dados em laboratrio. Este constitudo por dois condensadores e uma resistncia (de sada). Os dois condensadores possuem ambos uma Resistncia em Srie Equivalente (ESR) extremamente baixa, na ordem dos m. Foram executados testes com outros valores da resistncia e da capacidade. Contudo, os valores escolhidos revelaram-se os melhores. A figura 3.11 revela a configurao utilizada em laboratrio para medir e retirar os dados relativos eficincia do circuito da figura 3.10.
Figura 3.11: Configurao usada para recolha de dados relativos ao diagrama esquemtico da figura 3.10.
27
Conforme apresentado na tabela 3.3, um dos principais objectivos desta dissertao foi alcanado graas utilizao do dispositivo S-882Z da Seiko Instruments. Este circuito integrado pode elevar com sucesso tenses a partir de 300mV. Para este valor, observou-se nos testes, uma tenso mxima sada de 2.3V, espera-se que cumpra com os requisitos mais exigentes da fase avanada relativa do trabalho ao mdulo 3.
Tabela 3.3: Dados obtidos em laboratrio.

Vin (V) 0.32 0.45 0.6 Iin (mA) 17.1 20.2 23.9 Vout (V) 2.3 2.32 2.31 Iout (mA) 2.1 3.5 4.01 Pin (mW) 5.47 9.09 14.34 Pout (mW) 4.83 8.43 9.6 (%) 84 92 66
Tal como previamente relatado na seco 3.3.3, as correntes de fuga e a comutao do circuito interno do S-882Z fazem com que a eficincia do componente diminua na ordem dos 20%. Aliado a isso, ao efectuarem-se as medies com o multmetro ou o osciloscpio, estes dispositivos introduzem erros nos dados devidos s suas impedncias. A corrente no S-882Z de 0.5mA, provocando uma queda significativa de tenso resistiva na Ron (resistncia em conduo) do MOSFET interno (assinalado na figura 3.8 pelo crculo a tracejado). Por todas estas razes, no de estranhar que nos dados obtidos das medies, constate-se uma tenso sada do S-882Z24 de 2.3V e no de 2.4V como apresentado na tabela 3.3. A figura 3.12 apresenta a placa de circuito impresso que foi utilizada nos testes da eficincia do diagrama esquemtico do dispositivo S-882Z24 (figura 3.10). Esta placa tem como caractersticas mais importantes, a sua dimenso reduzida (comparao com uma moeda) e possuir face simples.
28
Figura 3.12: Placa de circuito impresso (face simples) para os testes do diagrama esquemtico da figura 3.10.
Todas as placas de circuito impresso (PCB) dos prottipos experimentais foram desenhadas e produzidas usando o software PADS Layout 2007 da empresa Mentor Graphics.
Todos os diagramas esquemticos das placas de circuito impresso encontram-se em anexo.
29
30
Captulo 4: Conversores DC DC - Mdulo 3
4. Conversores DC-DC - Mdulo 3

4.1. Introduo
No captulo 3, o dispositivo S-882Z24 foi apresentado. Ficou provada a sua utilidade em circuitos elevadores de tenso, pois na sada tem-se nveis de tenso superiores a 2.0V com apenas 0.3V entrada. De forma muito sucinta foram revelados os pontos onde o integrado S882Z24 perde eficincia. Para melhorar a eficincia do circuito construiu-se uma placa de PCB, reduzindo-se assim as resistncias nas ligaes entre componentes. Importante o facto de o S-882Z24 resolver o problema dos conversores DC-DC. Os conversores DC-DC no conseguem iniciar a sua operao para tenses tipicamente inferiores a 0.80V. Seguidamente apresentam-se os conversores utilizados e as razes que justificaram a sua seleco.
4.1.1. Anlise do Conversor step-up DC-DC S-8353 da Seiko Electronics Co., Ltd. (SII)
O primeiro conversor seleccionado e analisado o conversor S-8353D30. Segundo a folha de caractersticas, o dispositivo S-8353D30 pode elevar tenses a nveis superiores a 3.0V.
Diagrama esquemtico e seleco dos componentes O conversor cujo equipamento interno se apresenta na figura 4.1 foi seleccionado devido sua fcil integrao em PCB e tambm por exigir um nmero reduzido de componentes externos. Com isto poupou-se espao em PCB.
Figura 4.1: Diagrama de blocos do step-up S-8353D30 [14].

31
As caractersticas tcnicas do dispositivo S-8353 so: VDDL=0.9V, a tenso a partir do qual este opera; VOUT=3.3V, tenso sada (aps elevao); IVDD=18.7A, corrente consumida pelos circuitos internos; fs=50KHz , frequncia interna de operao ; ts=6ms , tempo que demora a iniciar a operao ; e duty-cycle at 83%.
O tempo que o dispositivo S-8353 demora a activar-se um factor importante a ter em conta. Outro factor importante e que contribui para as perdas de qualquer circuito que utilize o S8353, a corrente consumida. Esta corrente em qualquer conversor DC-DC tem uma importncia significativa pois afecta a transferncia de energia. A eficincia com que a tranferncia de energia feita, normalmente est associada ao duty-cycle. Na figura 4.2, pode-se observar o diagrama esquemtico utilizado nos testes do S-8353D30. Para realizar os testes utilizaram-se dois condensadores, uma resistncia, um dodo Schottky e uma bobina.
32
Figura 4.2: Circuito elctrico para determinar a eficincia e tenso para o qual o dispositivo S-8353D30 inicia a operao (VDDL).
Durante a seleco dos componentes, teve-se em considerao as recomendaes em [14]. Seleccionou-se uma bobina com uma resistncia DC o mais baixa possvel, (da ordem dos m). Tal como a bobina, os condensadores utilizados na montagem do circuito da figura 4.2 possuem um valor ESR (Resistncia Srie Equivalente) muito baixo, (da ordem dos m). Os valores mais adequados para o bom funcionamento do circuito foram os seleccionados. Contudo efectuaram-se outros testes com outros componentes os quais no apresentados.
Bobina Foram tidas em conta as seguintes consideraes na seleco do valor da indutncia, L[H], [14], nomeadamente: O valor de indutncia recomendado de 47H; A indutncia da bobina tem grande influncia na mxima corrente de sada (Iout) e na eficincia () do processo de transferncia de energia; O valor de pico da corrente na bobina, (Ipk[A]), aumenta se a indutncia L diminuir. Seguidamente a estabilidade do circuito aumenta o que provoca um aumento de Iout ; Se o valor seleccionado para L for ainda mais baixo do que 47H, a eficincia diminui causando uma diminuio da corrente que polariza o transstor interno do circuito integrado e Iout tambm desce; A existncia de uma corrente Ipk no transstor diminui se L aumentar (em relao ao valor recomendado). Neste caso, a eficincia mxima para um determinado L. Se L for demasiado grande em relao ao valor recomendado a eficincia desce devido s perdas na resistncia DC da bobina, Iout tambm desce;
Uma frequncia de oscilao alta permite seleccionar uma baixa indutncia, L, diminuindo as dimenses fsicas da bobina.
33
Dodo Schottky Foram tidas em conta as seguintes consideraes na seleco do dodo [14].
Tenso de conduo baixa (VF <0.3V); Frequncia de comutao igual a 50ns Max; Tenso inversa igual ou superior a Vout+VF; Corrente mxima admissvel no componente de valor igual ou superior a Ipk.
Cin Foram tidas em conta as seguintes consideraes na seleco do condensador Cin [14].
Um condensador Cin ligado entrada do dispositivo (Pino 5) melhora a eficincia, reduz a impedncia da fonte e estabiliza a corrente de entrada; Deve seleccionar-se um Cin de acordo com a impedncia da fonte usada.
Cout Foram tidas em conta as seguintes consideraes na seleco do condensador Cout [14].
Um condensador Cout ligado sada do dispositivo (Pino 1) estabiliza a tenso na sada. O valor de Cout deve ser no mnimo igual a 10F e deve possuir valores baixos de ESR para estabilizar a tenso na sada. No circuito integrado S-8353, a gama de tenso estabilizada depende do ESR capacitivo.
Foram seleccionados os seguintes componentes: o valor da indutncia L 47H, os condensadores Cin e Cout tem como valor respectivamente 33F e 22F, enquanto que o dodo
34
Schottky o dodo NSR0320MW2T1 [25] e quando est directamente polarizado, apresenta aos terminais uma tenso de apenas 0.23V.
A configurao seguinte tem como base o circuito da figura 4.2. Esta configurao representa a forma como foram efectuados os testes em laboratrio. Foram usados ampermetros e voltmetros. Estes dois aparelhos de medida quando colocados no circuito apresentam valores de impedncia diferentes. Um ampermetro apresenta uma impedncia muito baixa e o voltmetro uma impedncia muito elevada. No foi quantificada a influncia que estas impedncias tm na eficincia do circuito.
Figura 4.3: Configurao utilizada nos testes laboratoriais.
A tabela 4.1 apresenta os dados obtidos, usando o circuito apresentado na figura 4.2 para o qual desenvolveu-se uma placa de circuito impresso.
Tabela 4.1: Dados obtidos em laboratrio.

Vin (V) 0.3 0.4 0.5 Iin (ma) 40.3 50.5 60.7 Vout (V) 3.03 3.07 3.05 Iout (ma) 3.4 5.35 8.90 Pin (mV) 12.09 20.2 30.35 Pout (mV) 10.302 16.4 27.14 (%) 85 81 89 D 0.90 0.86 0.83
35
A partir dos dados obtidos conclui-se que o dispositivo S-8353D30 respeita os requisitos expectveis para este mdulo. Para tenses entrada iguais ou superiores a 300mV tem-se sada uma tenso ligeiramente superior a 3V.
4.2. Anlise do conversor step-up DC-DC LTC3429

4.2.1. Anlise interna e caractersticas principais A seleco recaiu no conversor DC-DC sncrono LTC3429 da empresa Linear Technology [15]. Este conversor recebe a energia de um dispositivo termoelctrico e fornece-a a um dispositivo com sensores e mdulo wireless. Normalmente, os dispositivos wireless necessitam de uma tenso de entrada na gama 3-5V para poderem funcionar. As caractersticas mais importantes do dispositivo LTC3429 so:
Tenso entrada, Vin, na gama 0.5-4.4V; Tenso sada, Vout, na gama 2.5-4.3V; Tenso mnima de funcionamento, VDDL, de 0.85V; Eficincia com carga mxima de 96%; Corrente absorvida de 20A quando est activado; Tempo que demora a iniciar a sua operao, ts, igual a 2.5ms; duty-cycle na gama 80%-90% ; e frequncia do relgio interna a 500KHz.
Desde j relevante destacar-se a informao destas caractersticas comparativamente com as do componente S-8353D30. O dispositivo S-8353D30 tem uma corrente de consumo de 18.7A [14], portanto mais baixa que a do LTC3429 que de 20A. A diferena pode no ser muito significativa mas neste tipo de circuitos de baixa potncia, qualquer por mais baixa que seja importante. Apesar da diferena existente entre os dois circuitos, o LTC3429 da Linear Technology fica claramente a ganhar em termos de eficincia de transferncia, pois o seu duty-cycle de 96% quando comparado com o valor mximo de 83% do dispositivo S-8353 da Seiko Instruments. Esta comparao foi obtida a partir das folhas de caractersticas de cada componente.
36
Internamente, o dispositivo do LTC3429 possui dois MOSFETs com resistncia de baixo valor e so polarizadas pela tcnica de modulao Pulse Width Modulation Technique (PWM). Estas esto assinaladas com crculos a tracejado na figura 4.4. O valor destas resistncias so respectivamente, 0.35 e 0.45 para os interruptores NMOS e PMOS. O valor destas resistncias extremamente importante, pois o consumo do dispositivo depende delas.
Figura 4.4: Constituio interna do dispositivo LTC3429 com referncia especial para os dois MOSFETs assinalados a tracejado.
4.2.2. Diagrama esquemtico e escolha dos componentes para o LTC3429 Para fazer-se uma avaliao da eficincia e da tenso para o qual o LTC3429 inicia a funcionamento, procedeu-se montagem o circuito da figura 4.5. Este circuito possui dois condensadores, Cin e Cout, ambos com um valor baixo de ESR (da ordem dos m). A bobina utilizada possui tambm um valor resistivo DC muito baixo (da ordem dos m). utilizado
37
um divisor de tenso para ajuste da tenso sada. A tenso sada, Vout[V], no esquema da figura 4.5 dado pela seguinte equao [15]:
Eq. 4-1
Onde, Vref=1.23V. Esta tenso est previamente definida no circuito do integrado LTC3429 [15].
Figura 4.5: Circuito elctrico utilizado para determinar a eficincia e tenso para o qual, o conversor LTC3429 comea a funcionar (VDDL).
38
Os componentes externos apresentados na figura 4.5 foram escolhidos para obter-se 3.3 V na sada. Para evitar que o conversor desligue sozinho, o pino 4 (SHDN), ligou-se ao pino 6 (Vin).
Bobina [15] Valores superiores a 4.7H permitem aumentar a corrente de sada atravs da reduo do ripple de corrente na bobina; valores superiores a 10H s aumentam o tamanho da bobina e no melhoram a corrente de sada; a bobina deve ter um valor baixo de ESR para reduzir as perdas e deve ser capaz de lidar com o pico de corrente sem entrar em saturao. O valor de corrente que o LTC3429 pode colocar na sada depende do valor da indutncia. Esta relao dada pela equao 4-2.
[A]
Eq. 4-2
onde, = a eficincia estimada do conversor LTC3429 Ip= o limite do valor para o pico da corrente e vale 0.6A; Vin a tenso de entrada; o duty-cycle ; f a frequncia de oscilao e igual a 500Hz para o clculo de Iout ; L o valor da bobina.
O valor de ripple de corrente na bobina deve situar-se na gama 20%-40% do valor da corrente Ip.
39
Condensadores Cout e Cin [15] Devem ser usados condensadores com um valor baixo de ESR para reduzir o ripple da tenso de sada Vout ; valores tpicos: 4.7F e 10F, contudo, outros valores at 22F so possveis para obter-se valores de ripple reduzidos na tenso de sada; 10F o valor tipico mas outros valores superiores so admissveis sem qualquer problema; devem ser usados condensadores com um baixo valor de ESR para reduzir o rudo resultante da comutao nos MOSFETs.
Foram escolhidos os seguintes componentes: uma bobina com um valor igual a 22H; condensadores Cin e Cout ambos com 33F. Para obter-se uma sada superior a 3.3V foram seleccionadas as resistncias R1 e R2 com valores respectivamente de 510 e 630.
4.2.3. Eficincia do conversor LTC3429 Para a aquisio dos dados, utilizou-se a configurao da figura 4.6. Esta configurao envolve o uso de ampermetros e voltmetros. No foi quantificada a influncia destes aparelhos nos resultados.
Figura 4.6: Configurao utilizada em laboratrio para obteno dos dados relativos ao diagrama esquemtico da figura 4.5.
40
As medies da tabela 4.2 foram obtidas com tenso constante e variando o valor da carga. Pode constatar-se que este conversor atinge tenses de sada elevadas para tenses de entrada ligeiramente superiores a 300mV, tornando-o num componente importante neste projecto.
Tabela 4.2: Dados obtidos em testes laboratoriais.

Rout () 100 135 170 250 390 450 Vin (V) 0.39 0.47 0.58 0.73 0.87 1.39 Iin (mA) 205 200 190 140 120 90 Vout (V) 2.4 2.75 3.33 4.52 5.90 6.95 Iout (mA) 25 25 21 19 16 13 Pin (mW) 71.95 94 110.2 102.2 104.4 125.1 Pout (mW) 60 63.75 69.93 85.88 94.4 90.35 (%) 83 67 62 84 90 72 D 0.83 0.82 0.82 0.83 0.85 0.8
Foi desenhada e montada uma placa de circuito impressa (PCB) para reduzir-se a resistncia das ligaes entre componentes e foram colocados sockets em todos os pinos para se tornar fcil retirar e voltar a colocar os componentes.
4.3. Anlise do conversor step-up DC-DC LTC3421

As seces anteriores apresentaram os conversores S-8353D30 da SEIKO Instruments e o LTC3429 da Linear Technology. Ambos os componentes so uma boa soluo para este projecto. No entanto, a constante pesquisa efectuada pode sempre levar a melhorias de ordem tcnica e prtica. Como tal, encontrou-se o componente LTC3421 da empresa Linear Technology. Este componente, tem uma corrente de consumo de apenas 12A e um dutycycle compatvel com a aplicao [17].
41
4.3.1. Diagrama esquemtico e seleco dos componentes
Figura 4.7: Constituio interna do dispositivo LTC3421 [17].
As caractersticas tcnicas mais importantes so descritas na folha de caractersticas do componente [17]: Corrente IVDD de apenas 12A; a frequncia interna de funcionamento pode atingir os 3MHz; tenso de entrada, Vin, na gama 0.5-4.5V; tenso de sada, Vout, na gama 2.4V-5.5V; tenso de inicio da operao VDDL=0.85V.
O circuito integrado LTC3421 possui resistncias internas de 0.10 para um interruptor nMOSFET e 0.14 para um interruptor sncrono rectificador do tipo p-MOSFET, tal como se
42
pode ver na figura 4.7. So estas as resistncias responsveis pela corrente de consumo de baixo valor que este dispositivo possui, 12A.
Figura 4.8: Circuito elctrico utilizado na determinao da eficincia e da tenso para o qual, o dispositivo LTC3421 entra em funcionamento (VDDL). Seleco dos componentes Bobina [17] A bobina seleccionada deve ter um valor baixo de ESR para reduzir as perdas resistivas ao mesmo tempo que deve possuir um valor tal que a permita lidar com o pico de corrente sem entrar em saturao. O valor da bobina pode ser determinado atravs das seguintes equaes:
Eq. 4-3
43
em que,
f a frequncia em MHz ; ripple a mxima corrente permitida na bobina (pico a pico); Vin a tenso mnima para o qual o dispositivo entra em funcionamento; Iripple na bobina=20% a 40% de Ip.
Condensadores Cin e Cout [17]
Cin deve possuir um valor apropriado pois reduz o pico de corrente que provm da fonte ao mesmo tempo que reduz o rudo causado pela comutao rpida no seu interior;
o valor ESR de ambos os condensadores deve ser baixo para se minimizar assim o ripple na sada.
A placa de circuito impresso com o circuito integrado LTC3421 no foi montada. Na figura 4.9, pode observar-se uma placa PCB com uma pelcula verde. O LTC3421 teria que ser montado numa placa com esta pelcula. Optou-se por no fabricar uma placa com esta caracterstica especial de aderncia, pois ficaria quase to caro como o custo total do projecto. Alm disso, a combinao dos circuitos {S882Z,S8353} e a combinao {S882Z,LTC3429} provaram ser adequadas para cumprir com os requisitos do projecto. Todavia este componente apresenta potencialidades na sua folha de caractersticas de desempenho superior ao dispositivo LTC3429. O circuito LTC3421 foi escolhido devido baixa corrente quando activado (de apenas 12A) [17]. Este valor de corrente bastante mais baixo que o observado com o circuito integrado LTC3429 (20A) aquando da discusso das correntes em circuitos de muito baixa potncia.
44
Figura 4.9: Imagem que pretende apenas mostrar a pelcula verde que o LTC3421 necessita para ser colocado numa placa de circuito impresso. O circuito que se visualiza na figura no fez parte do trabalho [10].
O esquema da placa PCB mesmo assim foi desenhado. Se no futuro este trabalho for usado para fazer parte como mdulo para um outro projecto mais global e com uma outra disponibilidade para se mandar construir uma placa com os requisitos necessrios ao bom funcionamento do LTC3421, esta placa pode muito bem ser o prottipo utilizado como referncia para uma empresa especializada a desenhar e construir.
45
46
Captulo 6: Dispositivos W ireless Mdulo 4
5. Combinao charge-pump com Conversor DC-DC

5.1 Introduo
Nos captulos 3 e 4 foram apresentados os mdulos 2 e 3, respectivamente. Os circuitos apresentados nesses captulos provaram ser uma soluo para a dissertao. Este captulo 5, apresenta as duas combinaes utilizadas entre os mdulos 2 e 3 (charge-pump e conversores DC-DC). So tambm apresentados os dados correspondentes s medies efectuadas em laboratrio. Por fim feita a comparao de resultados entre os dois circuitos utilizados.
5.2. Anlise do Funcionamento da combinao entre um Charge-Pump e Conversor DC-DC (Mdulo 2 com Mdulo 3)
Recorreu-se a um exemplo (Figura 5.1) para ilustrar a operao do charge-pump S-882Z24 M5T1G conjuntamente com um conversor step-up DC-DC: Neste exemplo: 1. A fonte apresenta uma tenso de 0.3V ao S-882Z; 2. a carga armazenada temporariamente num condensador de 10F pelo prprio dispositivo S-882Z. O nvel de tenso elevado para +2.4V, valor necessrio para iniciar a operao do conversor S-8353D30MC a ser utilizado como exemplo; 3. o conversor entra em funcionamento e transforma a tenso proveniente do charge-pump numa tenso superior ou igual a 3.0 V ; 4. o dispositivo S-882Z detecta que a tenso de sada do conversor superior tenso shutdown voltage, Voff, e desliga-se.
Em suma, o conversor S-8353D30MC funciona sozinho autonomamente com a energia proveniente da sua prpria sada.
47
Figura 5.1: Esquema bsico de operao entre o dispositivo S-882Z e um conversor elevador de tenso [5].
Figura 5.2: Possvel implementao do charge-pump S-882Z com um conversor DC-DC elevador de tenso [16].
O dodo Schottky assinalado na figura 5.2 por um rectngulo a tracejado impede que o pino VDD [V] (relativo ao fornecimento de energia para o conversor) sofra uma quebra de tenso
48
devido ao condensador de sada, CL, durante o tempo que o conversor inicia a sua operao (ts). Se a configurao utilizada for a indicada na figura 5.2, as trs equaes seguintes permitem determinar o valor de CCPOUT e de CVDD [16].
Eq. 5-1
Eq. 5-2
Eq. 5-3
onde, IVDD a corrente no conversor step up DC DC; VDDL a tenso mnima de operao do conversor step-up DC-DC; ts o tempo que o conversor demora a entrar em funcionamento.
Note-se que a equao 5-1 relaciona-se com a corrente no conversor charge-pump. Se esta corrente for demasiado elevada, a energia armazenada no condensador de arranque pode no ser suficiente para que o conversor step-up DC-DC funcione. Logo, quando a corrente no conversor alta, h a necessidade de utilizar-se um condensador de arranque (start-upcapacitor) que apresenta um valor mais elevado de capacidade, tornando o tempo de descarga mais elevado. A equao 5-2 refere e prova que o charge-pump no funciona com conversores step-up DCDC a operar com tenso inferior tenso de descarga. A equao 5-3 implica a utilizao de um start-up capacitor de valor superior ao valor do condensador CVDD (pelo menos dez vezes) para carregar-se rapidamente e no desperdiar toda a energia no processo.
49
Tabela 5.1: Tenso de descarga para os quatro tipos de S-882Z [16].

Vcpout1 (V) 1.8 a 2.0 1.8 a 2.4 Vin (V) 0.3 0.35 Temperatura do S-882Z (C) -30 a +60 -40 a +85
5.2.1. Mdulo S-882Z-20 com o mdulo S-8353D30 O dispositivo S-882Z20 apresenta a tenso Vcpout1 igual a 2.0V. De um dos quatro tipos de dispositivos S-8353, seleccionou-se o que apresenta uma tenso de descarga de 3.0V, pois era o nico modelo disponvel. Destacam-se alguns modelos na tabela 5.2, onde se pode verificarse que a tenso de sada do S-8353D30 ronda os 3.0V.
Tabela 5.2: Vrias tenses possveis sada para diferentes tipos de dispositivos S-8353D30 [14].
Tenso de sada Srie S-8353DxxMC Srie S-8353HxxMC Srie S-8353JxxMC S-8353J20MC-IYFT2 S-8353J25MC-IYKT2
2.0V
S-8353D20MC-IUF-T2
-------
2.5V
-------
-------
3.0V
S-8353D30MC-IUP-T2
S-8353H30MC-IWPT2
--------
Desenvolveu-se um circuito que utiliza o S-882Z20 e o S-8353D30. Este circuito constitudo por quatro condensadores, dois dodos Schottky e uma bobina. Para a escolha dos condensadores foram tidas em conta as equaes 5-1, 5-2 e 5-3. Os dodos utilizados foram adquiridos empresa on semiconductor e possuem 0.23V de queda de tenso quando em
50
conduo. A bobina possui um valor tpico de 22H e possui o valor resistivo DC, de valor 33m.
Figura 5.3: Diagrama esquemtico da combinao do dispositivo S-882Z20 com o dispositivo S-8353D30.
A Figura 5.4 ilustra a configurao laboratorial utilizada.
Figura 5.4: Configurao utilizada em laboratrio para obteno dos dados.
Foram recolhidos os seguintes dados usando o esquema da figura 5.3 e a configurao da figura 5.4.
51
Tabela 5.3: Dados obtidos em laboratrio com a configurao da figura 5.4 e do circuito da figura 5.3.
Vin (V) 0.304 0.33 0.391 0.47 Iin (mA) 28 28.9 49.2 61.2 Vout (V) 3.005 3.015 3.018 3.004 Iout (mA) 1.75 2.00 3.69 5.7 Pin (mW) 8.512 9.537 19.237 28.76 Pout (mW) 5.25 6.03 11.36 17.12 (%) 61.6 63.2 59 59.5
Neste circuito, para uma tenso de entrada, Vin igual a 0.30V, a tenso na sada de 3.0V. Observa-se da tabela 5.3 que o rendimento est aqum das expectativas em relao ao que o dispositivo S-8353D30 apresentava na folha de caractersticas e como tal a converso entre os dois dispositivos fraca. A partir dos testes realizados em laboratrio tambm foi possvel concluir que para valores de capacidade (Ccpout) iguais a 10F e 100F o circuito no arrancou. O circuito da figura 5.5 foi realizado em PCB de face simples e todos os pinos tem sockets para retirar e colocar livremente os componentes.
52
Figura 5.5: Placa de circuito impresso (face inferior) da combinao S-882Z20 com S8353D30. A placa da figura 5.5 possui tambm como caracterstica fundamental o espao necessrio para colocar trs tipos de bobinas com tamanhos e valores de indutncia diferentes.
53
Figura 5.6: Placa de circuito impresso (face superior) da combinao do dispositivo S882Z20 com o dispositivo S-8353D30.
5.2.2. Mdulo S-882Z com o mdulo LTC3429 Seleco dos componentes Foram seleccionados os seguintes componentes tendo em conta as equaes (5-1, 5-2 e 5-3): os condensadores possuem um ESR reduzido; uma bobina com valor DC resistivo de 40 m; as resistncias R1 e R2 so iguais a 510 e 630, respectivamente.
Efectuaram-se diversas experincias para obter os valores mais adequados optimizao da eficincia do circuito. A equao 5-3 tinha de ser obrigatoriamente respeitada, caso contrrio o circuito no arrancava.
Os componentes seleccionados so, Ccpout igual a 100F, CVDD igual a 10F, Cin igual a 22F, Cout igual a 22F e bobina L com 22H de indutncia.
54
Figura 5.7: Diagrama esquemtico da combinao do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429.
A tabela 5.4 apresenta os dados obtidos em laboratrio.
Tabela 5.4: Dados obtidos em laboratrio utilizando o circuito da figura 5.7. Vin (V)
0.31 0.388 0.45 0.5
Iin (mA)
40.11 45.3 50.5 70.1
Vout (V)
3.2 3.4 3.6 4.5
Iout (mA)
3.32 5.05 5.91 7.55
Pin (mW)
12.43 17.57 22.7 35.05
Pout (mW)
10.62 17.17 20.68 33.97
(%)
85 94 91 96
D
0.89 0.88 0.87 0.88
55
Quando se analisam os dados da tabela 5.5 pode-se verificar que este mdulo cumpre os requisitos para os quais foi dimensionado. A tenso de sada (Vout) atinge os 3V quando na entrada do mdulo colocada apenas a tenso 310mV.
O circuito integrado LTC3429 um conversor sncrono e como tal no necessita de dodos Schottky. Os resultados obtidos relativos ao rendimento so bem melhores aos obtidos com a configurao S882Z20-S8353D30. Isto deve-se s baixas perdas que o circuito integrado LTC3429 possui. Na configurao da figura 5.7 as principais perdas existentes esto nos condensadores, na bobina e no LTC3429.
5.3. Comparao de resultados (Mdulo 2 + Mdulo 3)

A partir dos dados da tabela 5.5 relativos ao circuito da figura 5.7 procedeu-se constituio da curva da tenso de sada em funo da tenso de entrada.
Tabela 5.5:Tenso de sada em funo da tenso de entrada do charge-pump S-882Z24 e o dispositivo LTC3429.
Vin (V) Vout (V) 0,31 3,2 0,388 3,4 0,45 3,6 0,5 4,5
56
Figura 5.8: Curva da tenso de sada (Vout) no conversor DC-DC LTC3429 em funo da tenso de entrada (Vin) imposta ao charge-pump S-882Z24.
A partir do grfico pode-se facilmente constatar que o circuito atinge os requisitos impostos pelo projecto. Valores na sada de 3.0 V so atingidos com relativa facilidade. A tabela seguinte (tabela 5.6) apresenta dados do rendimento do circuito em funo da tenso de entrada.
Tabela 5.6: Rendimento em funo da tenso de entrada do circuito com o charge-pump S882Z24 e o dispositivo LTC3429.
Vin (V) (%) 0,31 97 0,388 94 0,45 91 0,5 96
57
Figura 5.9: Curva do rendimento (%) para a combinao dos mdulos 2 e 3 em funo da tenso de entrada (Vin).
Os dados da tabela 5.7 apresentam a relao entre a tenso de entrada (Vin) e a tenso de sada (Vout) do circuito da figura 5.3. Trata-se da combinao entre o charge-pump S-882Z e o conversor S-8353D30.
Tabela 5.7: Tenso de sada em funo da tenso de entrada com a combinao entre o charge-pump S-882Z20 e o conversor DC-DC S-8353D30.
Vin (V) Vout (V) 0,304 3,005 0,330 3,015 0,391 3,018 0,470 3,004
possvel visualizar atravs do grfico correspondente aos dados da tabela 5.7 que a tenso de sada apenas ligeiramente superior a 3.0 V de tenso. Isto acontece por duas razes. Foi utilizado um charge-pump com tenso de descarga de apenas 2.0V. A segunda razo a utilizao do conversor S-8353D30 no circuito. Este conversor tem como tenso mxima de sada 3.0V. Como tal a sada nunca poderia apresentar valores superiores a 3.0V.
58
Figura 5.10: Curva da tenso de sada (Vout) no conversor S-8353D30 em funo da tenso de entrada (Vin).
Tabela 5.8: Rendimento em funo da tenso de entrada com a combinao entre o chargepump S-882Z20 e o dispositivo S-8353D30.
Vin (V) (%) 0,304 61.6 0,330 63.2 0,391 59.0 0,470 59.5
59
Figura 5.11: Curva do rendimento (%) para a combinao entre o charge-pump S-882Z20 e o
conversor DC-DC S-8353D30 em funo da tenso de entrada (Vin).
O rendimento do circuito tal como se pode ver na figura 5.11 reduzido. Mesmo assim o circuito atingiu os requisitos necessrios ao projecto.
5.4. Alternativas
Na tentativa de melhorar o projecto em termos de eficincia foram procuradas alternativas soluo proposta. Os circuitos apresentados nesta seco so alternativos combinao do S882Z24 com o LTC3429 sugeridos anteriormente.
60
5.4.1 Investigao e alternativas combinao S-882Z24 com LTC3429 (circuito alternativo combinao dos mdulos 2 e 3) O circuito que se segue pode ser uma alternativa ao charge-pump S-882Z. Com apenas 450 mV na entrada este pode gerar na sua sada 6V. No entanto, a corrente est limitada a 1mA. Portanto, ligar este circuito directamente a um dispositivo wireless est fora de questo pois este necessita de pelo menos 9.45mW de potncia, fornecida constantemente ou intermitente.
Figura 5.12: Diagrama esquemtico do circuito alternativo [7]. O componente chave neste circuito o integrado SN74AUC1G14 [22] da Texas Instruments. Este componente um inversor Schmit Trigger cujo funcionamento se descreve na tabela de verdade apresentada na figura 6.2.
Figura 5.13: Tabela funo do Integrado SN74AUC1G14 [22].
61
Verificou-se experimentalmente o funcionamento do SN74AUC1G14 a partir de 0.45V. O circuito da figura 6.3 permite obter uma onda quadrada de frequncia 100 KHz resultante da malha exterior composta pela resistncia R1 e pelo condensador C1. Este sinal utilizado num conversor elevador flyback de baixa potncia, projectado com o tradicional NPN 2N2222 [7].
Verificou-se experimentalmente o funcionamento do SN74AUC1G14 a partir de 0.45V. O circuito da figura 6.3 permite obter uma onda quadrada de frequncia 100 KHz resultante da malha exterior composta pela resistncia R1 e pelo condensador C1. Este sinal utilizado num conversor elevador flyback de baixa potncia, projectado com o tradicional NPN 2N2222 [7].
Figura 5.14: Possvel ligao alternativa combinao do mdulo 2 e 3.
Foi utilizado depois o conversor DC-DC MAX1678 da empresa Maxim [19]. Este componente apresenta como principais caractersticas, tenso de incio de operao aos 0.87V, 90% de eficincia, funciona como um rectificador sncrono (logo no precisa de dodo externo) e tem uma corrente de consumo quando activo de 37A. Alm disto, necessita de poucos componentes externos [19]. Estas caractersticas foram determinantes para a seleco deste componente para o circuito da figura 6.3.
62
5.4.2 Circuito Alternativo ao Mdulo 2.
O circuito da figura 6.4 pode funcionar como uma segunda alternativa ao charge-pump apresentado no captulo 3. Foi utilizado o componente ALD110900 da empresa Advanced Linear Devices. Este componente constitudo por quatro transstores MOSFET que conduzem praticamente a partir de uma tenso VGS> 0.0 V e de uma tenso Ids> 1A (tecnologia EPAP). Este dispositivo faz parte de uma nova classe de MOSFETS que funcionam usando uma tenso muito baixa de funcionamento permitindo o desenho de circuitos digitais e analgicos para funcionamento a tenses muito reduzidas [26].
Figura 5.15: Circuito oscilador com ALD110900 da Advanced Linear Devices.
Tal como foi referido anteriormente a figura 6.5 mostra que o integrado ALD110900 constitudo por quatro MOSFETS.
63
Figura 5.16: Esquema interno do ALD110900 [26].
O circuito da figura 6.4 foi testado, este gera uma onda quadrada de frequncia igual a 300KHz e de amplitude sempre entre o valor V+ e GND, aproximadamente, e funciona entre 0.16V e 0.6V. A tenso alternada gerada pode ento ser convertida em valores mais elevados, com circuitos charge-pump. Tm como desvantagem a baixa corrente de sada. O valor desta corrente dada pela tenso de entrada a dividir pela resistncia de sada.
64
6. Dispositivos Wireless - Mdulo 4
6.1. Mdulo 4 comunicao sem fios (wireless)

No mdulo 3 foram apresentados os conversores DC-DC usados nesta dissertao. Nesta seco sero apresentadas aplicaes wireless utilizadas nos circuitos dos conversores desenvolvidos.
6.1.1. Dispositivos wireless utizados A placa de transmisso de sinal sem fios RTFQ1 apresentada na figura 6.1. Esta tem apenas na sua constituio seis pinos e dimenses extremamente reduzidas, podendo assim ser incorporada facilmente num objecto, por exemplo, um chapu, onde a temperatura do corpo humano medida.
Transmissor
Figura 6.1: Imagem do mdulo emissor [24].
As principais caractersticas de teste deste emissor (tenso de alimentao, corrente, frequncia de transmisso e a sua velocidade de transmisso ou baud rate) so apresentadas na tabela 6.1.
65
Tabela 6.1: Principais caractersticas do mdulo emissor RTFQ1 [24].

Caractersticas Mnimo elctricas Tenso fornecida RTFQ1 Corrente fornecida Frequncia Velocidade mxima de transmisso 9.6 KHz 2.1 3.3 4.0 V Tpico Mximo Unidades
Ma
433.92
MHz
Como receptor foi usada a placa RRFQ1, do mesmo fabricante. A figura 6.2 apresenta essa mesma placa e as principais caractersticas so apresentadas na tabela 6.2. Tal como para a placa emissora, esta possui dimenses reduzidas.
Receptor
Figura 6.2: Imagem real da placa receptora de sinal wireless [24].
66
Das caractersticas realam-se a tenso de alimentao, a corrente em operao, a corrente fornecida em operao, a corrente em stand-by, a frequncia e o tempo de activao, como se pode ver na tabela 6.2.
Tabela 6.2: Principais caractersticas da placa emissora RRFQ1 [24].

Caractersticas elctricas Vcc Tenso alimentao Corrente (em operao) Corrente (em stand-by) Frequncia receptora Taxa de transmisso do RRFQ1 mili Tempo de activao 8 segundos (ms)
Mnimo
Tpico
Mximo
Unidade
Notas
4.5
5.5
5.7
6.8
Ma
100
Na
433.92
MHz
300
9600
KHz
67
6.2.2. Testes Laboratoriais Foram feitos testes em laboratrio usando os circuitos da figura 6.3 referentes aos mdulos wireless RTFQ1 e RRFQ1 para se determinar os valores de tenso e corrente de funcionamento.
Foi introduzida uma onda quadrada de frequncia 1KHz e amplitude 4V no circuito emissor RTFQ1 e recebida uma onda no circuito receptor RRFQ1 com os mesmos valores da onda emitida, isto a uma distncia de dois metros. Foi possvel verificar que a onda quadrada enviada a partir de 2.1V de tenso e com apenas 4.5mA de corrente consumida.
Figura 6.3: Circuitos emissor e receptor, RTFQ1 e RRFQ1 respectivamente [24].
Para se fazer a ligao entre os mdulos 2 (circuito de charge-pump), 3 (conversor DC-DC) e o mdulo 4 foi utilizado um MOSFET de canal P da empresa Vishay Siliconix com uma baixa tenso VGS (0.4V) e uma resistncia DC em conduo, de aproximadamente 7.5m [18]. Este MOSFET proporciona um atraso ao ligar, para que o condensador C out carregue o suficiente para alimentar o mdulo emissor. Esta temporizao da ordem dos milisegundos e dada pela malha RmCm. Em laboratrio procedeu-se a testes e verificou-se que a onda recebida era igual enviada.
68
Figura 6.4: Diagrama esquemtico do circuito final.
Uma das possveis aplicaes para o circuito da figura 6.4 a sua utilizao num chapu com capacidade de monitorizar e transmitir sinais biomdicos. O circuito aproveitaria a energia de um gerador termoelctrico para fornecer a potncia necessria placa emissora. Esta transmitiria por exemplo dados da temperatura do corpo humano.
Figura 6.5: Exemplificao de uma possvel aplicao usando o circuito da figura 6.4 [1].
69
70
Captulo 7: Concluses
7. Concluses
7.1. Introduo
No mundo da Engenharia torna-se fundamental analisar os custos associados ao projecto e o impacto ambiental associado a esse mesmo projecto. sabido que para as empresas consigam levar um projecto a partir do seu estado inicial embrionrio at a um estado mais avanado ou prottipo estas tentam reduzir custos ao longo do caminho realizado por esse produto. Com este projecto no foi muito diferente. Desde a concepo at ao prottipo procurou-se reduzir os custos do circuito da figura 6.4.
7.1.1. Custos O prottipo de um conversor foi construdo usando um charge-pump com uma tenso de descarga de 2.4V, um conversor DC-DC e um MOSFET de canal P. Este conversor relativamente barato. Quanto mais especficas so as caractersticas que se quer para os componentes mais caros estes se tornam. Como exemplo considere-se a bobina de 22H apresentada na tabela 7.1. A principal causa para a sua escolha foi o seu baixo valor de resistncia, que se traduz numa maior eficincia do circuito. A escolha entre condensadores electrolticos e de tntalo tambm se reflecte no custo final (so mais baratos os electrolticos dos que os de tntalo). Os componentes que tm o menor preo so sempre os componentes que so produzidos em maior quantidade. Finalmente uma pequena referncia ao custo do charge-pump e do conversor DC-DC. So dos componentes mais caros juntamente com a bobina. Isto deve-se provavelmente ao facto de que o S-882Z24 o modelo que tem como tenso de descarga 2.4V, porque se pudesse ter sido empregue o modelo que tem como descarga de tenso 2.0V ou 1.8V, o seu valor seria reduzido para metade. O custo do LTC3429 poder estar associado sua elevada eficincia. Como foi j referido, o LTC3421 (Linear technology) mais eficiente do que o LTC3429 (tambm da Linear Technology) apresentando um custo superior (6.40).
71
Tabela 7.1: Custos dos componentes utilizados no prottipo, para menos de 10 unidades. Preo/unidade ()
3.23
Componentes
Valor
Resistncia (m)
-------------
Fabricante
S882Z24-M5TG1
-----------
SEIKO SYSTEMS LINEAR TECHNOLOGY MURATA POWER SOLUTIONS NICHICON SANYO SANYO NICHICON VISHAY
LTC3429
-----------
4.60
-------------
22H
4.64
12
Ccpout CVDD Cout Cin
100F 10F 33F 47
2.05 2,17 0.89 2.02
22 55 50 30
Pchannel MOSFET
-----------
3.09
7.5 SILICON IX
Cm Cmm
20F 1F
0.20 0.82
60 120
SANYO SANYO Oficinas
Assemblagem
------------
-------------
Departamento Electrnica
Total
28.71
Na tabela 7.1 so apresentados os valores de resistncia para os diversos componentes. Para os condensadores a resistncia refere-se ao valor ESR e para a bobina trata-se do valor resistivo para corrente contnua. O custo total do projecto de 28.71. O custo total deste
72
projecto relativamente baixo quando comparado com o custo total de um projecto de um gerador termoelctrico em que ser integrado. A produo em quantidades superiores proporcionar tambm uma diminuio significativa dos custos. Todas as placas que se apresentaram neste trabalho so de face simples, para reduo de custos. A placa relativa ao conversor da tabela 7.1 teve um custo de 5. Com dupla face custaria 10.
Figura 7.1: Placa da combinao do dispositivo S-882Z24 com o dispositivo LTC3429.
A figura 7.1 mostra uma das faces do conversor desenvolvido. Nesta face apenas figuram os componentes S-882Z24 e o conversor DC-DC LTC3429. Na face inferior figuram os restantes componentes tal como se pode ver pela figura 7.2.
73
Figura 7.2: Vista de Topo da Placa.
Atravs da visualizao da figura 7.2 perfeitamente perceptvel que a bobina tem um tamanho considervel em relao ao tamanho da placa. No entanto, dado o valor de indutncia (22H) e da resistncia interna (12m) pretendidos, a sua dimenso inevitvel, a no ser que se utilizem componentes montados em superfcie (SMD).
7.1.2. Impacto ambiental Todas as placas desenvolvidas so de face simples para poupar no custo total do projecto e para poupar nos materiais, minimizando-se assim o impacto ambiental. Melhores componentes utilizados contm chumbo, conforme normas RoHS. O prottipo desenvolvido no captulo 5 permite o uso de energias renovveis em aplicaes de ultra baixa potncia, em detrimento das baterias para fornecer a potncia necessria a sensores e sistemas de monitorizao. A baixa tenso produzida a partir de fontes de energia renovveis tais como os sistemas termoelctricos apresentados no captulo 2 pode ser aproveitada e convertida para nveis de tenso acima dos 3V.
74
7.1.3. Concluses No existe nenhum conversor DC-DC no mercado que consiga elevar nveis reduzidos de tenso (da ordem dos 300mV) para tenses compatveis com circuitos electrnicos (>3V), tal como era exigido pelo projecto. Como tal foi necessrio encontrar um circuito que fosse capaz de utilizar este nvel de tenso to baixo. Foi estudado o comportamento do S-882Z, um charge-pump inovador da Seiko Systems. A partir dos testes efectuados verificou-se que este era o componente ideal. Foram tambm estudados alguns conversores DC-DC. Os seus dutycycle de valor elevado descritos nas respectivas folhas de caractersticas foram um factor a ter em conta. Escolheram-se para estudo de comportamento os integrados S-8353D30, LTC3429 e o LTC3421. Ficou demonstrado com os testes relativos ao circuito que envolvem o S-882Z18 com o S8353 que esta combinao atinge o valor de tenso que se pretendia na sada, 3V e 17 mW de potncia disponveis na sada do conversor DC-DC. No entanto o uso do componente S8353D30 envolve o uso de dodos Schottky o que diminui em aproximadamente 4% a eficincia do circuito. O comportamento da combinao S-882Z24 com o LTC3429 teve resultados em muito superiores combinao que usava o S-8353D30. Este sucesso devido ao uso do LTC3429 deve-se ao facto de este ser um conversor sncrono e como tal na converso ou transferncia de energia do S-882Z para este componente, a eficincia, aumenta ou melhora significativamente. Foi assim escolhido o circuito que envolve o S-882Z24 com o LTC3429 para se enviar informao usando comunicao sem fios (wireless). Como no se podia ligar directamente o conversor desenvolvido directamente placa wireless foi utilizado o MOSFET Si4423DY da empresa Vishay Siliconix e que possui uma tenso Gate-Source (VGS) de 400mV [18]. A sua funo a de atrasar o fornecimento de energia placa wireless apenas por alguns milisegundos. De seguida foi colocada uma onda quadrada na placa wireless RTFQ1 e verificou-se que a onda quadrada enviada era recebida na placa de recepo RRFQ1. Ficou assim provado que o trabalho desenvolvido e toda a investigao efectuada tiveram os melhores resultados.
75
7.2. Possibilidades no Futuro

O uso do LTC3421 poder trazer no futuro, benefcios para o projecto devido sua corrente de consumo extremamente baixa. As alternativas apresentadas no captulo 6 podem tambm garantir uma continuidade neste trabalho. A alternativa 2 apresentada muito interessante, pois, a partir de 0.16 V gerada uma onda quadrada que pode polarizar um charge-pump. A placa representada pela figura 7.1 e que se refere combinao do S-882Z24 com o LTC3429 pode ser substancialmente melhorada. Para tal, podem ser substitudos os condensadores e bobina por componentes montados em superfcie (SMD). Desta forma o espao ocupado pelos componentes utilizados neste projecto ser em muito reduzido. Os mdulos 2 e 3 podem no futuro ser simulados utilizando por exemplo o software Orcad para uma melhor compreenso do comportamento destes componentes isolados ou a operar em conjunto com outros dispositivos. Desta forma, vai-se poupar tempo e dinheiro em testes desnecessrios.
76
Bibliografia
Bibliografia
[1] J.P Carmo, L.M Goncalves, R.P.Rocha, N.Dias, P.M. Mendes and J.H.Correia A wireless eeg acquisition system with thermoelectric scavenging microdevice; Universidade do Minho, 2009
[2] L.M Goncalves Microssistema Termoelctrico baseado em recursos de bismuto e antimnio Universidade do Minho, 22 Julho de 2008
[3] Murugavel Raju Energy Harvesting ULP meets energy harvesting: A game-changing combination for design engineers; MCU Strategic Marketing, Texas Instruments, Novembro 2008.
[4] A.P. Gonalves, E.B. Lopes, C. Godart Novos compostos termoelctricos: uma potencial fonte de energia verde, Boletim Quimica, 111, (2008)
[5] Http://www.sii-ic.com/en/s882z.jsp
[6] Http://www.aeiveos.com/~bradbury/petaflops/siardmap.html
[7] Anna Richelli, Luigi Colalongo, Silvia Tonoli and Zsolt Kovcs A 0.2V-1.2V Converter for Power Harvesting Applications; University of Brescia Brescia, Dept of Electronics Italy 25123, 2008 IEEE
[8] Guangyong Zhu and Adrian Ioinovici Switched-Capacitor Power Supplies: DC Voltage Ratio, Efficiency, Ripple, Regulation, Department of Electrical Engineering, Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong and Institute for Technological Education, 1996 IEEE, pg 553 556
77
[9] Peter Spies, Markus Pollak, Gnter Rohmer Power Management for Energy Harvesting Applications; 90411 Nuernberg, Germany, 2007
[10] Jonathan W. Kimball, Member, IEEE, Theresa L. Flowers, Student Member, IEEE, and Patrick L. Chapman Issues with low input Voltage boost es _converter_Design: IEEE, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL USA and Northrop Grumman Space Technology, Redondo Beach, CA USA, 2004
[11] Loreto Mateu, Cosmin Codrea, Nstor Lucas, Markus Pollak and Peter Spies Human Body Energy Harvesting Thermogenerator for Sensing Applications; 2007 IEEE, pg.366 372
[12] Adel S. Sedra and Kenneth C.Smith, Microelectronic Circuits: Published by Oxford University Press, 5th Edition 2004
[13] Louie Pylarinos, Edward S.Rogers Charge Pumps: an Overview; Sr. Department of Electrical and Computer Engineering University of Toronto, October 1983
[14] Datasheet S-8353/S-8354 Series: Ultra-Small Package PWM Control, PWM/PFM Switching Control Step-up Switching Regulator
[15] Datasheet LTC3429: 600mA, 500 kHz Micropower Synchronous Boost Converter with Output Disconnect
[16] Datasheet S-882Z Series: Ultra-Low Voltage Operation Charge Pump IC for Step-Up DC-DC-Converter Start-Up, Rev.1.1_00
78
Bibliografia
[17] Datasheet LTC3421: 3A, 3MHz Micropower Synchronous Boost Converter with Output Disconnect
[18] Datasheet Vishay siliconix: MOSFET Si4423DY
[19] Datasheet Max1678: 1-Cell to 2-Cell, Low-Noise, High-Efficiency, Step-Up DC-DC converter
[20] Datasheet condensadores Sayno: SPSeries Large Capacitance, Low ESR Optimum for Audio etc
[21] Datasheet condensadores nichicon: LF Series Conductive Polymer Aluminum Solid Electrolytic Capacitors
[22] Datasheet SN74AUC1G14: Single Schmitt-Trigger Inverter
[23] Datasheet Murata bobinas: 1400 Series Bobbin Type Inductors
[24] Datasheet Transmissor Receptor: FM transmitter & Receiver Hybrid Modules FMRTFQ1 Series FM-RRFQ Series
[25] Datasheet on semiconductor NSR0320MW2T1-D: Schottky Barrier Diodes
[26] Datasheet Advanced linear devices: MOSFET ALD110900
[27] Datasheet Panasonic Coils: Choke Coils
79
80
Bibliografia
8. Anexos
81
Anexo A
Figura A.1: Placa de PCB desenvolvida para o esquema da figura 3.12 usando o software PADS Layout.
82
Bibliografia
Figura A.2: PCB do circuito representado na figura 4.2 (S-8353D30).
83
Figura A.3: Placa PCB desenvolvida a partir do diagrama esquemtico do circuito da figura 4.5 (LTC3429).
84
Bibliografia
Figura A.4: Placa do circuito impresso do LTC3421 (figura 4.8).
85
Figura A.5: Placa de circuito impresso do diagrama esquemtico do circuito da figura 5.5 (combinao S-882Z e S-8353).
86
Bibliografia
Figura A.6: Placa PCB do diagrama esquemtico do circuito da figura 7.1 (Combinao S882Z-LTC3429).
87
Anexo B
Folhas de Caractersticas
88

Carrega Dor 32634

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Você também pode gostar

Carrega Dor 32634

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Carrega Dor 32634

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Universidade do Minho Escola de Engenharia

Joo Pedro Lamas Rodrigues

Universidade do Minho Escola de Engenharia

Captulo 1: Introduo Geral

Captulo 1: Introduo Geral

Figura 1.1: Mdulos Constituintes da Dissertao.

1.3. Organizao da Tese

Captulo 2: Fontes de Energia - Mdulo 1

2. Fontes de Energia - Mdulo 1

Figura 2.1: Mdulos constituintes do projecto na totalidade.

2.2. Sistemas Termoelctricos

Figura 2.2: Gerador termoelctrico [2].

2.3. Histria da Termoelectricidade

Figura 2.3: Sensor de temperatura e gerador termoelctrico [2].

Captulo 2: Fontes de Energia - Mdulo 1

O coeficiente de Seebeck definido como [4]:

O coeficiente Peltier definido por [4],

onde Q representa a absoro de calor e I a corrente elctrica aplicada.

2.4. Efeito de Thomson

onde x representa a coordenada espacial e

o coeficiente de Thomson do material. William

2.5. Factores determinantes para a eficincia dos sistemas termoelctricos

Captulo 2: Fontes de Energia - Mdulo 1

2.6. Macro e Micro Dispositivos

Energias Renovveis (solar, do vento)

Soluo para Gesto de Energia

Energia do ambiente Micro (vibrao, calor do corpo)

Soluo para Potncias de micro valor

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

3.2. Tenso Ultra Baixa de Funcionamento

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

3.3. Conversor sncrono elevador de tenso (boost)

Figura 3.1: Conversor sncrono elevador de tenso (boost) bsico [10].

[A] onde, [A]

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

3.4. Circuitos de arranque para conversor DC-DC

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

A tenso numa bobina dada por:

onde i a corrente que a circula.

Para um transformador tem-se as tenses:

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

3.5. Circuito de Charge-Pump

Eq. 3-15 ou Eq. 3-16

Figura 3.7: Duplicador de tenso com carga RL.

Neste caso, a tenso de sada ideal dada pela equao [13]:

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

3.6. Anlise da eficincia do Integrado S-882Z24 da empresa SEIKO Instruments

Os componentes seleccionados foram os seguintes [16]:

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

Figura 3.10: Diagrama esquemtico do circuito do dispositivo S-882Z24.

Tabela 3.3: Dados obtidos em laboratrio.

Captulo 3: Charge-Pump - Mdulo 2

Todos os diagramas esquemticos das placas de circuito impresso encontram-se em anexo.

Captulo 4: Conversores DC DC - Mdulo 3

4. Conversores DC-DC - Mdulo 3

Figura 4.1: Diagrama de blocos do step-up S-8353D30 [14].

Captulo 4: Conversores DC DC - Mdulo 3