Cap1v2 Elo1 UVA

NOTAS DE AULA, REV 2 . 0 UVA 2 0 1 3 .
1 FLVI O ALENCAR DO RGO BARROS

Eletrnica Bsica - Eletrnica 1
Diodos
Flvio Alencar do Rego Barros
Universidade Veiga de Almeida
E-mail: falencar@predialnet.com.br

Captulo
1
UVA 2013 Eletrnica 1
Notas de aula verso 2.0
O curso de Eletrnica 1 est organizado de forma a cobrir na sua primeira parte a
maneira como so feitos dispositivos como transistores e diodos, analisados os circuitos
mais bsicos e os primeiros mtodos a partir dos dispositivos mais simples (Circuitos a
Diodo e a Zener). A segunda parte (Polarizao do Transistor e Fonte Regulada de
Tenso) o transistor colocado em funcionamento e as suas primeiras aplicaes so
analisadas, para no captulo seguinte (Transistor como Amplificador) analisarmos os
mtodos e circuitos dos amplificadores transistorizados complementado por partes
introdutrias de Resposta em Frequncia de circuitos transistorizados. A ltima parte
uma introduo a FET.
Alguns assuntos particulares e desenvolvimentos tericos ou de base podem ser
deixados para os anexos em cada captulo, assim como a lista de exerccios de cada
captulo.
Estas notas de aulas se destinam a reduzir o trabalho de cpia do aluno durante
as aulas, mas tambm oferecer material de apoio na forma de exerccios propostos
(sempre em anexo ao final de cada captulo teremos a lista de exerccios) e referncias
onde o aluno poder complementar seu estudo. importante perceber que este material
NO esgota o que o aluno deve ler durante o curso, nem mesmo substitui a participao
em sala de aula, devendo ser encarado apenas como material de apoio. Neste sentido,
fortemente indicado que cada aluno mantenha sua cpia em papel do assunto que se
abordar em cada aula.

Neste Captulo 1 o Anexo A a lista de exerccios,
A estas notas de aula se somam os guias de laboratrio, estes fornecidos parte.
UVA 2013 Eletrnica 1
Notas de aula Verso 2.0
ndice do captulo 1:
1.1. Semicondutores e Conduo ..................................................................................... 1
1.2 Fsica dos Diodos ....................................................................................................... 5
1.2.1 Juno P-N em Circuito Aberto .......................................................................... 5
1.2.2 Juno P-N Polarizao Reversa ......................................................................... 6
Corrente Reversa com a Temperatura ...................................................................... 6
Efeito Avalanche ...................................................................................................... 7
1.2.3 Juno P-N Polarizao Direta ............................................................................ 7
1.2.4 Caracterstica Volt-Ampre ................................................................................. 8
1.3. Modelos de Diodo ..................................................................................................... 9
Modelo Ideal ............................................................................................................. 9
Modelo Linearizado ................................................................................................ 11
1.3.1 Ponto de Operao e Reta de Carga .................................................................. 13
1.4. Circuitos Ceifadores ................................................................................................ 16
1.5. Diodo com Chave .................................................................................................... 19
1.5.1 Lgica com Diodos ............................................................................................ 22
1.5.2 Portas de Amostragem ........................................................................................... 23
1.6. Circuitos Retificadores ............................................................................................ 25
1.6.1 Retificadores Trs Tipos .................................................................................. 25
1.6.2 Constante de Tempo .......................................................................................... 26
1.6.3 Filtragem Conversor AC-DC.......................................................................... 28
Outras Aplicaes de Filtragem ............................................................................. 32
1.7 Circuitos com Zener ................................................................................................. 34
Anexo A - 1
a
. LISTA ......................................................................................................... i

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 1

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Cap.1 Diodos
1.1. Semicondutores e Conduo

Circuitos eletrnicos usam elementos bsicos e essenciais baseados na juno
bipolar de materiais semicondutores fabricados a partir de Silcio ou Germnio. Em
Fsica j se aprendeu que os materiais apresentam uma estrutura que coloca os
elementos em termos de suas bandas de energia, ou seja, nveis de energia onde se pode
encontrar (ou no!) eltrons. A ltima faixa de energia possvel a camada ou banda de
valncia, e nela o eltron se encontra ligado ao ncleo, mas estes so os eltrons mais
propensos a se desprenderem e se tornarem condutores de carga eltrica. Os eltrons
que se desprendem do ncleo precisam alcanar um nvel de energia diz-se que esto
na banda de conduo, e, neste caso, eles produzem corrente eltrica. O que define se
um material condutor, semicondutor ou isolante o tamanho da banda de energia que
separa as bandas de valncia e de conduo, a chamada banda proibida, este nome
para enfatizar que naqueles nveis de energia no se pode encontrar eltrons. Desta
forma, podemos ilustrar assim os tipos de materiais (Figs. 1, 2 e 3):
a) Isolante

Figura 1: Bandas - isolante
Exemplo: diamante.

b) Condutores

Figura 2: Bandas - condutor
Exemplo: metais.

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c) Semicondutores
Figura 3: Bandas: Semicondutores
Da mesma forma que eltrons se
alocando na banda de conduo so capazes de
transportar cargas (ditas negativas), a ausncia
de eltrons na banda de valncia, chamada
lacunas ou buracos, tambm podem
transportar cargas (ditas positivas) em um
papel dual.
A preferncia pelos materiais semicondutores se deve ao fato de que, diferente
dos condutores, a produo de corrente eltrica pode ser obtida de forma controlada.
Porm, na natureza existem materiais semicondutores puros. Enquanto pares eltrons-
lacunas so criados por agitao trmica, pares eltrons-lacunas desaparecem por
recombinao. A Eletrnica consegue seus melhores efeitos produzindo a dopagem
de materiais semicondutores puros, que consiste em inserir impurezas (tomos especiais
e diferentes) no substrato de semicondutor puro. Si e Ge so elementos com 4 eltrons
na banda de valncia, que se combinam com seus vizinhos por covalncia (Fig. 4).

Observe que os elementos bsicos
para produzir semicondutores, Si e
Ge, apresentam:
Si (32 eletrns)
2 10 2 6 2 6 2 2
4 3 4 3 3 2 2 1 p d s p s p s s
Ge (14 eletrns)
2 2 6 2 2
3 3 2 2 1 p s p s s

Figura 4: Estrutura do Si

Se doparmos com impurezas pentavalentes (tomos com 5 eltrons na camada
de valncia. Fig. 5) como Sb (Antimnio), P (Fsforo) ou Ar (arsnio), sobrar um
eltron na relao covalente, ele mais fracamente ligado ao ncleo e ser o candidato a
ir para a banda de conduo. Chamamos dopagem tipo n.

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Figura 5: Dopagem tipo n (doadores)

Aquele eltron indo para a banda de
conduo, ele deixar a estrutura com
um on positivo chamado on doador
(porque doou um eltron para a
conduo!). Com este procedimento
dizemos que produzimos um
semicondutor dopado do tipo n (para
enfatizar que produzimos possveis
eletros para a banda de conduo), com os eltrons como portadores majoritrios de
carga e lacunas como os portadores minoritrios
1
.
De forma dual, se doparmos o semicondutor puro com impurezas trivalentes (B
Boro, Ga Glio ou In ndio), produzimos semicondutores do tipo p, com seus ons
aceitadores e lacunas na banda de valncia como seus portadores majoritrios de
carga. Na Figura 6 esto representados os mecanismos de conduo para materiais
semicondutores do tipo n e do tipo p.

Figura 6: Conduo nos semicondutores

As correntes eltricas obtidas a partir de semicondutores (tipo n ou p) podem ser
de dois tipos, uma de natureza transitria, a corrente de difuso, e uma de natureza
permanente, a corrente de deriva. A corrente de deriva: depende de um campo eltrico,

1
Observe que ainda aqui e ali podem continuar sendo produzidas minoritariamente lacunas por agitao
trmica.


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E , aplicado para orientar os diversos eltrons na BC. Se J a densidade de corrente

(
2
m
A
):
= E J o (1)
onde o a condutividade do material
E o campo eltrico aplicado
Para metais
n
qn o = , onde q a carga do eltron (
19
10 6 , 1

x C); n a concentrao de
eltrons e
n
a mobilidade dos eltrons. Portanto, para semicondutores:
p n
qp qn o + = (2)
onde p a concentrao das lacunas;
p
a mobilidade das lacunas. O primeiro termo
a parcela dos eltrons, o segundo das lacunas.
Relacionando concentraes de eltrons e lacunas existe a Lei da Conservao das
Massas:
p n n
i
=
2
(3)
onde
i
n a concentrao intrnseca do material. Se um semicondutor puro de
concentrao intrnseca
i
n dopado de alguma forma, esta concentrao intrnseca se
mantm aps a dopagem, vale dizer, existe uma relao hiperblica entre concentraes
de lacunas e de eltrons, de modo que se uma cresce (portadores majoritrios), a outra
decresce (portadores minoritrios).

Vrios destes valores mencionados so constantes para um certo material. Os
que mais nos interessam so:

Propriedades Ge Si

n
i
, cm
-3
, a 300 K (concentrao intrnseca) 2,5 x 10
13
1.5 x 10
10

Resistividade Intrnseca, O-cm, a 300 K 45 230000

Lei da ao de massas n
1
2
=n.p

Carga do eltron q = 1.6x 10
-19
C

Densidade de corrente de deriva J = q(n
n
+ p
p
)E

n
, cm
2
/V-s , a 300 K (mobilidade) 3800 1300

p
, cm
2
/V-s , a 300 K (mobilidade) 1800 500


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1.2 Fsica dos Diodos
1.2.1 J uno P-N em Circuito Aberto

O diodo produzido colocando face a face um semicondutor tipo n com um
semicondutor tipo p. Na regio de contato entre os dois materiais vai ser criado um
potencial de contato V
0
que no deixar passar lacunas do lado p para o lado n ou
eltrons do lado n para o lado p. Observe, como ilustra a figura, que existe uma pequena
regio sem cargas (regio de depleo) na fronteira, mas com ons, o que ocasiona uma
densidade de cargas. As relaes de densidade de carga, , intensidade de campo
eltrico, c, potencial eletrosttico, V, e barreira de energia potencial para eltrons so,
respectivamente:
e dt
V d
=
2
2
;
}
= dx
e dt
dV
c ;
}
= dx V c ; V barreira =

Figura 7: Barreira de potencial


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1.2.2 J uno P-N Polarizao Reversa
Nesta configurao aumenta a barreira de potencial dificultando a corrente de
majoritrios e facilitando a corrente de minoritrios. Portanto, teremos nesta situao
uma corrente baixa de fuga ou corrente de saturao reversa: A I
9
0
10
~

Figura 8: Juno P-N reversamente polarizada

Corrente Reversa com a Temperatura
A corrente
0
I aumenta com o aumento da temperatura, pois aumenta o nmero de
lacunas na BV. Na prtica, a corrente de fuga dobra a cada 10 C: ( ) ( )
10
0 0 0
0
2
t t
t I t I

= .

Figura 9: Corrente reversa e temperatura


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7

Efeito Avalanche
Com o aumento demasiado da polarizao reversa comea a aparecer eltrons com alta
acelerao ocasionando o descolamento de eltrons da ligao covalente, e assim
sucessivamente, levando-os BC. Este fato pode levar a efeito indesejado que o efeito
avalanche, onde teremos uma produo incontrolvel de eltrons livres.

Figura 10: Efeito avalanche

1.2.3 J uno P-N Polarizao Direta

Diminui a barreira de potencial e
facilita a passagem de portadores
majoritrios pela juno.

Figura 11: Juno P-N diretamente
polarizada


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1.2.4 Caracterstica Volt-Ampre

Figura 12: Caracterstica Volt-Ampre

Pode-se provar que
|
|
.
|
\
|
= 1
0
T
D
V
v
D
e I i
q
, onde
11600
T
V
T
= , sendo T = 300 K
(temperatura ambiente), e V
T
= 26 mV;
Si
Ge
2
1
~
~
= q

Qualitativamente, o diodo apresenta uma alta resistncia para polarizao reversa e uma
baixa resistncia para polarizao direta. Assim, em primeira aproximao, o diodo
pode funcionar como chave, desligando (circuito aberto) quando polarizado
reversamente e ligando (curto circuito) quando polarizado diretamente.

Valores tpicos:
V
(tenso limiar),
volts
r
d
(resistncia
direta), O
R
r
(resistncia
reversa), O
Ge 0.2 10 20 100M 500M
Si 0.7 5 - 15 100M 500M


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3
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1.3. Modelos de Diodo
O smbolo do diodo :
A tenso e corrente mostradas so de referncia.

Figura 13: Smbolo do diodo

Modelo Ideal
O diodo funciona como uma chave liga-desliga: se polarizado diretamente ele
equivalente a curto circuito:

Figura 14: Diodo ideal

Se polarizado reversamente ele equivalente a circuito aberto:
Exemplo: Trace o grfico da sada.

Figura 15: Ceifador (1)

Vi = 10 sen t


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Sol:
a) V
i
< 0 : D ON
Circuito equivalente:


b) V
i
> 0 : D OFF
Circuito equivalente:


Portanto, a sada fica:



1
.
3
.

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D
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11

Modelo Linearizado
Neste modelo se tenta aproximar do modelo real do diodo, que de natureza
quase exponencial. Apresenta um ponto limiar de conduo (V
= 0.5 v para Si).

Portanto, ficam determinados dois estados: conduo (quase curto) e quase no
conduo. Sua caracterstica tenso-corrente apresenta o seguinte aspecto:

Figura 19: Diodo linearizado

Se V
d
> V
: diodo ON

Figura 20: Modelo linearizado

Se V
d
< V
: diodo OFF:
Exemplo: Mesmo circuito do
exemplo anterior considerando
R
r
= 1 MO, r
d
=10 O.
a) V
i
< -0.7 v : D ON

Figura 21: Diodo linearizado (2)

( ) i V
V
i i V
i
i
01 . 0 7 . 0
01 . 1
7 . 0
01 . 0 1 7 . 0
0
=
+
= + = +


1
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3
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( )
00693 . 0 0099 . 0 7 . 0
01 . 1
7 . 0
01 . 0 7 . 0
0
+ + =
+
=
i
i
V
V
V
i
V V 0099 . 0 69 . 0
0
+ =

Observe que o termo constante (-0.69 v) praticamente -0.7 v. Observe tambm que
como no mnimo V
i
= -10, ento na realidade: V
0
= -0.69 - 0.099, ou seja, o termo
senoidal e extremamente achatado.
b) V
i
> -0.7 v : D OFF

i
V
i
V
i
V
V 99 . 0
1010
1000
3
10
6
10
6
10
0
= =
+
=

Observe que como V
i
= 10 sen(t), ento V
0
= 9.9 sen(t). Portanto, a senide
praticamente mantida.
Grficos:



1
.
3
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Algumas vezes se usa um modelo hbrido:

ou
Figura 24: Modelos hbridos
Os respectivos grficos para o exemplo dado ficam assim:

ou

praticamente idntico ao praticamente idntico ao do modelo
do modelo linearizado ideal, s que a ceifagem ocorre em 0.7v
Figura 25: Perfis para modelos hbridos

1.3.1 Ponto de Operao e Reta de Carga
A curva do diodo (modelo ideal, linearizado ou hbrido) sempre considerada
dada, uma curva do elemento dado pelo fabricante. Se tivssemos outro elemento
eletrnico que no o diodo, da mesma forma que para o diodo, a curva deve ser
considerada dada.
Ponto de operao (P) a confluncia da curva do elemento com a reta que se
pode traar a partir do circuito envolvente com seus elementos passivos, sem considerar
a natureza do elemento eletrnico em questo. Para entender bem isto, considere um
circuito similar ao dos nossos exemplos anteriores, s que ao invs de diodo vamos
considerar uma caixa preta com valores de tenso e corrente iguais a v
D
e i
D
:

1
.
3
.

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Figura 26: Ponto P

Podemos escrever:
D
v
D
Ri V + = ou ainda:
D
v
R R
V
D
i
1
= (1) ......... reta de carga
Observe que os termos em azul so as variveis do grfico do diodo. Observe tambm
que os termos no em azul so valores dados, portanto, constantes.
Ora, a equao (1) uma equao de reta (
R
V
o coeficiente linear,
R
1
o
coeficiente angular), portanto podemos tra-la no mesmo grfico da caracterstica do
diodo (vamos usar o modelo linearizado):

Figura 27: Reta de carga e ponto P

Portanto, a confluncia desta reta com a curva do diodo produz o ponto P (caracterizado
pela tenso V
*
e a corrente I
*
) que o ponto de operao do elemento contido na caixa
preta (que no nosso caso o diodo).
Voc deve ter notado que no circuito-exemplo inicial tnhamos V
i
senoidal,
agora substituimos a entrada por V constante. Se voltarmos com a senide na entrada, o
ponto P vai se deslocar de um valor mximo a um valor mnimo pela intercesso da
caracterstica do diodo com a reta que se desloca ao ritmo da senide sempre de forma
paralela, como ilustrado na figura seguinte.


1
.
3
.

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d
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Figura 28: Ponto P variando
Exemplo: Use o nosso circuito-exemplo inicial e determine as posies do ponto P para
V
imax
, V
imin
e V
i
= 0 usando o modelo ideal de diodo.

Figura 29: Ponto P com senidal

D
v
i
V
D
i
D
v
D
i
i
V = + =1
(reta com coeficiente linear V
i
e coeficiente angular 1)
a) V
imax
= 10v
D
v
D
i =10 (reta 1, ponto P
1
)

b) V
imin
= -10v
D
v
D
i = 10 (reta 2, ponto P
2
)

c) V
i
= 0
D
v
D
i = (reta 3, ponto P
3
)


1
.
4
.

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r
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t
o
s

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e
s

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Finalmente observe que este tipo de anlise valer para qualquer outro elemento
alm do diodo. Suponha que ao invs de diodo, colocamos no circuito um rato, cuja
caracterstica eltrica dada:

Figura 30: O exemplo do rato
= + =
rato
v
R R
V
rato
i
rato
v
rato
i R V
1
1
1
ponto P
1

Se aumentarmos a tenso para V
2
o ponto de operao no rato passa para P
2

(por suposio rato morto circuito aberto!).
Este exemplo (ttrico!) para te lembrar que este mtodo do ponto de operao e
reta de carga pode ser usado para qualquer elemento colocado na sada, ou na carga,
como se diz no jargo de Eletrnica. Ele nos ser de grande valia em transistores, mas
para diodos os mtodos anteriores de anlise (em que se considera a hiptese do(s)
diodo(s) estar ON ou OFF e uso das equaes de Kirchoff) so mais fceis e diretos.

Exemplo (desafio): Analise o problema do rato se ao invs de aumentarmos bastante
a entrada, ns aplicssemos uma tenso V > V
m
constante e reduzssemos
progressivamente a resistncia R.

1.4. Circuitos Ceifadores
Voc deve ter observado que no circuito-exemplo inicial ceifvamos a parte
superior da onda senoidal de entrada. Este apenas um exemplo desta famlia de
circuito baseados em diodo que so muito teis e cuja sistemtica de anlise consiste em
buscar o estado do(s) diodo(s) via hipteses e aplicar o modelo do diodo. Vejamos
outros exemplos.


1
.
4
.

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17

Exemplo: Traar ) (
0
t v ; modelo hbrido.

R:
a) V
i
> -0.7 v : D
1
D
2
OFF (hiptese natural)


b) V
i
< -0.7 v : D
1
D
2
ON



1
.
4
.

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Exemplo: V
i
rampa linear at 150 v. Modelo ideal.

R: a) 0 < V
i
< V
1
V
1
a calcular
Hiptese: D
1
OFF, D
2
ON (raciocine assim: V
i
= 0, ento a fonte de 100 v
dominante garantindo os estados indicados)

A i 25 . 0
300
25 100
=
=
( ) v V V 50
0
25 . 0 200 100
0
= =
Alternativa: ! 50 25 . 0 100 25 100 25
0
v i V = + = + = usando o ramo do meio.
No limite: v V V
D
v 50
0 1
0
1
= = = , ento este estado vale para 0 < V
i
< 50 v, a
partir do que D
1
fica ON.
Para entender bem esta tcnica vamos fazer uma hiptese errada: D
1
ON, D
2
ON:

Neste caso, V
0
= V
i
sempre.
Agora, se V
i
= 0:
A i i 25 . 0
1 1
100 25 = =
A i i 5 . 0
2 2
200 100 = =


1
.
5
.

D
i
o
d
o

c
o
m

C
h
a
v
e

19

como A i i i i i 75 . 0 0 5 . 0 25 . 0 0
2 1
= = + + = + + , ou seja, a
corrente em D
1
teria o sentido inverso, mostrando que a hiptese absurda!

b) 50 < V
i
< V
2
V
2
a calcular
Hiptese: D
1
ON, D
2
ON

No limite 0
2
=
D
v com D
2
indo para OFF:

v V
i
V v V 100
2
100
0
= = = e este estado vale para 50 < V
i
< 100.

c) V
i
> 100: D
1
ON, D
2
OFF
V
0
= 100 v Portanto, o grfico resposta fica:


1.5. Diodo com Chave
Trata-se de uma das aplicaes mais simples de diodo que permite inclusive
implementar lgica digital.


1
.
5
.

D
i
o
d
o

c
o
m

C
h
a
v
e

20

Exemplo: Calcule I e V no circuito:

Figura 39: Diodo como chave (1)
R:
Hiptese: D
1
ON, D
2
ON


mA
K
i 1
10
10
1
= = A I mA
K
i 1 2
5
10
2
= = = significa que D
1
est
OFF, portanto, a hiptese est errada!!
A hiptese certa : D
1
OFF, D
2
ON


1
.
5
.

D
i
o
d
o

c
o
m

C
h
a
v
e

21


( )
= =

=
3
4
5 10
3
4
15
10 10
V mA
K
i V = 3.3 v

Exemplo: Idem.

R:
Se fizermos aquela mesma hiptese
inicial que no circuito anterior era errada:
D
1
, D
2
ON:

Por observao direta: V = 0
mA
K
i mA
K
i 1
10
10
2
2
5
10
1
= = = =
como = +
1
2
2
1
i i
I I =1 mA (OK!)


1
.
5
.

D
i
o
d
o

c
o
m

C
h
a
v
e

22

Exemplo:

a) Estabelea o estado do diodo para V
i
baixo. Explique.
b) Desenhe o circuito equivalente para este estado e ache V
0
.
c) Ache a tenso V
i
= V
1
transio de estado do diodo.
d) Desenhe o circuito equivalente para este novo estado do diodo.
e) Desenhe V
0
no mesmo grfico de V
i
.

1.5.1 Lgica com Diodos
Uma srie de aplicaes podem ser derivadas de diodos como chave. Ilustramos
duas delas:

Figura 44: Lgica de diodos

Lgica OR Lgica AND
V
2
V
1
V
0
V
2
V
1
V
0

0 0 0 0 0 0
0 1 1 0 1 0
1 0 1 1 0 0
1 1 1 1 1 1


1
.
5
.
2

P
o
r
t
a
s

d
e

A
m
o
s
t
r
a
g
e
m

23

1.5.2 Portas de Amostragem
(Esta subseo extra, no necessariamente ser vista em aula, mas aconselhvel para
quem for se especializar em Eletrnica ou Telecomunicaes)

Figura 45: Diodos e portas de amostragem

Figura 46: Amostragem de sinal

Portanto, dois casos se apresentam:
a) v
C
= +V
C

Todos diodos ON e correntes podem ser achadas por superposio devido aos efeitos de
+V
C
e +v
S
:

1
.
5
.
2

P
o
r
t
a
s

d
e

A
m
o
s
t
r
a
g
e
m

24

Figura 47: Correntes na porta
Assim, para que os diodos de fato estejam ON, a maior corrente reversa no
segundo caso dever ser menor que a corrente direta do primeiro caso:
|
|
.
|
\
|
+ > < +
L
R
C
R
C
V
C
R
C
V
C
R
S
V
L
R
S
V
2
2 2

b) v
C
= -V
n

Todos diodos OFF, portanto, corrente em R
L
zero: v
0
= 0

D4 estar reversamente polarizado com v
S
V
n
, e assim se manter enquanto V
n
> v
S
.
D1, D2 e D3 estaro sempre reversamente polarizados.
Resultado final:

Figura 48: Amostragem


1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

25

1.6. Circuitos Retificadores
1.6.1 Retificadores Trs Tipos
a) Meia onda

Figura 49: Retificador meia-onda

b) Onda completa

Figura 50: Retificador onda completa


1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

26

c) Ponte retificadora

Figura 51: Retificador ponte de diodos
Portanto, ponte retificadora mais barata (por causa do TPI) que onda completa!

1.6.2 Constante de Tempo

Figura 52: Carga e descarga de capacitor

0
0 0
0
v
dt
dv
RC
i
V
dt
dv
C i v Ri
i
V + = = + =


1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

27

a) Na subida da onda quadrada:

Figura 53: Transio abrupta na entrada

0
0
v
dt
dv
RC V V
i
V + = = (1)
Soluo homognea:
0
0
0 v
dt
dv
RC + = , ento, equao caracterstica:
RC
RC
1
1 0 = + =
RC
t
Ke
t
Ke t v
H
=

) (
0

soluo particular:
RC
t
Ke A t v A t v
P
+ = = ) (
0
) (
0
(2)
Na equao (1):
RC
t
e
RC
KCR
V

= , ento se t = 0: K = -V (3)
Como 0 ) 0 (
0
=
+
v (a tenso no capacitor no pode variar bruscamente), ento em (2) e
(3):
V A
RC
Ve A =
=
0
0
soluo completa:
|
|
|
.
|
\
|

=
RC
t
e V t v 1 ) (
0
(4)
Observe que se t = RC em (4):
( ) V e V RC t v 63 . 0
1
1
0
= |
.
|
\
|
= =

1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

28

Este do tempo (t = RC) valor chamado constante de tempo importante, pois d
uma medida factvel da mudana de estado do capacitor.

Observe que na subida, neste tempo, o
capacitor estar carregado 63% do seu valor final.
O capacitor estaria 100% carregado se
esperssemos um tempo t = , o que no
fisicamente factvel!
Figura 54: Constante de tempo para subida

Portanto, passada uma constante de tempo, podemos considerar o capacitor virtualmente
carregado.

b) Se fizssemos nossa anlise na descida da onda quadrada, considerando a
condio inicial V v = |
.
|
\
| +
0
0
(capacitor totalmente carregado), obteramos
resultado similar:

ou seja, t d a medida prtica da situao de
descarregamento do capacitor: t o tempo em que
o capacitor chega a 37% do seu valor inicial de
descarga (ou cai de 63%).

Figura 55: Constante de tempo para descida

1.6.3 Filtragem Conversor AC-DC
A anlise que faremos ser em cima de retificadores de meia-onda, mas os
resultados podem ser imediatamente estendidos para onda completa e meia onda.

1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

29

No retificador de meia onda:

Figura 56: Conversor AC-DC

Quando o diodo ON:
i
v v =
0
com o carregamento do capacitor
acontecendo com a constante de tempo ( ) C
d
r C
d
r
L
R ~ = //
1
t , constante de tempo
rpida, pois r
d
muito pequeno.
Portanto, o capacitor carregado ao ritmo da subida da tenso senoidal da entrada.
Quando o diodo OFF: Teremos o seguinte circuito de descarga:

Figura 57: Circuito de descarga

Ento:
C R
t
e
m
V v
L
=
0

Agora a descarga acontece com a constante de tempo C
L
R =
2
t , como R
L
muito
maior que r
d
, agora
temos uma constante de
tempo lenta.
Portanto, temos o
resultado ilustrado na
Figura 58 a seguir:

Figura 58: Perfil de sinal do
conversor AC-DC


1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

30

Vejamos a seguir os clculos dos tempos envolvidos (s so importantes para quem for
se especializar em Eletrnica ou Telecomunicaes).

Se ( )
2
sen t
m
V t
i
v e =
Em t
2
: ( ) ( )
2
sen
2 2 0
t
m
V t
i
v t v e = = , ento:
( )
C R
t t
e t
m
V t v
L
2
2
sen
0
= e
Entre t
2
< t < t
3
: , ento:
L
R
v
dt
dv
C
L
i
C
i
D
i
0 0
+ = + =
Ponto inicial (t
2
):
2
cos
2
sen 0 t
m
CV t
L
R
m
V
e e e + = (1)
se ( ) ( ) | e | e | e sen
2
cos cos
2
sen sen t
m
I t
m
I t
m
I t
D
i + = + = (2)
(1) e (2) em t
2
: {
2
sen
2
cos
2
cos
2
sen cos
2
sen
| e e e
e | e
t
m
I t
m
CV
t
L
R
m
V
t
m
I
=
=

2 2
2
1
1
C
L
R
m
V
m
I
L
CR tg e e | + =
=
Grficos de corrente:

Figura 59: Perfil de corrente no conversor AC-DC

1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

31

Ponto de corte:
( ) ( ) | e + = =
2
sen 0
2
t
m
I t
D
i
t

ento :
e
| t
=
2
t

Limiar da conduo: ( ) ( )
3 0 3
t v t
i
v = :
C R
t t
e t
m
V t
m
V
L
2 3
3
sen
3
sen
= e e
Esta equao nos permite tirar o valor de t
3
.

Observe que os respectivos valores e grficos para onda completa e ponte
retificadora vo apresentar resultados similares a estes que calculamos, mudando apenas
o perodo (menor) e a qualidade (maior) do sinal aproximadamente DC obtido. Tal
melhoria ilustrada na figura a seguir. A qualidade do sinal DC obtido quantificada
pelo ripple (quanto menor, melhor). O ripple o grau de imperfeio do sinal DC,
medido em percentual e ilustrado na figura a seguir.

Figura 60: Perfis de ripple


1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

32

Uma anlise aproximada (exponencial lenta sendo aproximada por uma reta do
limite superior do ripple ao limite inferior do ripple) nos leva aos seguintes resultados
prticos:

Meia onda:
m
fV
L
CR
m
fV
L
CR
cc
V
2 1
2
+
= onde V
cc
a tenso mdia que passa pela
carga.
Ponte/Onda completa:
m
fV
L
CR
m
fV
L
CR
cc
V
4 1
4
+
=

Outras Aplicaes de Filtragem
Este circuito conversor AC-DC por si muito importante (se encontra embutido
em muitos equipamentos, domsticos, inclusive, que funcionam com sinal DC, mas so
alimentados com AC vindo das tomadas), mas ele pode ser utilizado tambm para
outras aplicaes como, por exemplo, detector de pico, analisado assim:
Considere a aproximao prtica que mencionamos para ponte/onda completa:
m
fV
L
CR
m
fV
L
CR
cc
V
4 1
4
+
=
se fizermos:
m
V
cc
V
m
fV
L
CR ~ >>1 4
Um caso prtico desta aplicao o detector de envoltria para recepo RF
(rdio, TV, etc):

Figura 61: Recepo de sinal modulado

1
.
6
.

C
i
r
c
u
i
t
o
s

R
e
t
i
f
i
c
a
d
o
r
e
s

33

Observe que a portadora apresenta alta freqncia modulando o sinal (udio,
vdeo, etc) e a envoltria contm a informao transmitida (udio, vdeo, etc). O circuito
de recepo contendo qualquer daqueles circuitos de filtragem recupera a informao
pelos picos superiores, semelhante da tcnica dos conversores AC-DC.


1
.
7

C
i
r
c
u
i
t
o
s

c
o
m

Z
e
n
e
r

34

1.7 Circuitos com Zener

Figura 62: Modelo zener ideal

Na Figura 62, se mostra que nas regies I e II o comportamento do zener
idntico ao do diodo comum. Na regio III, regio zener, ele funciona como uma fonte
de tenso voltagem constante, corrente qualquer.

O zener projetado para ser usado na regio zener. As principais aplicaes so
reguladores e limitadores. Por exemplo, o zener pode ser usado para evitar sobrecarga
em medidores sensveis sem afetar sua linearidade.
Exemplo: O circuito representa um voltmetro de 20 v de fundo de escala. A resistncia
do medidor (galvanmetro) de 560 O. Se o zener de 16 v, determine R
1
e R
2
de
modo que se V
i
> 20 v o zener conduz e a sobrecarga de corrente ser desviada do
medidor.

Figura 63: Zener para regulao


1
.
7

C
i
r
c
u
i
t
o
s

c
o
m

Z
e
n
e
r

35

R:
Se V
i
< 20 v:

Figura 64: Zener aberto

No limiar de conduo: v
i
V mA i v
Z
V 20 ; 2 . 0 ; 16 = = =
Ento: ( ) O = + = K R R 44 . 74
1
2 . 0 56 . 0
1
16
Tambm: O = = K R R
i
V 20 2 2 . 0
2
16
20

Exemplo: O zener no circuito abaixo mantm 50 v em uma faixa de corrente que vai de
5 mA at 40mA. A fonte de alimentao de V
i
=200 v.
a) Calcule R de modo a permitir uma regulao de tenso para uma corrente de
carga I
L
= 0 at I
MAX
, que o valor mximo possvel de I
L
.
b) Qual este valor mximo (I
MAX
)?
c) Com R calculado anteriormente e supondo corrente de carga igual a 25 mA,
quais so os limites que V
i
poder variar sem perda de regulao?

Figura 65: Zener e regulao


1
.
7

C
i
r
c
u
i
t
o
s

c
o
m

Z
e
n
e
r

36

R:
a)

Figura 66: Limites de regulao

Analisando no limiar da potncia mxima:

Figura 67: Limite de potncia mxima

O = +
|
|
.
|
\
|
+ = + = K R
MAX
Z
R V V i
Z
V
L R
75 . 3 50 0 200
40

b) Analisando no limiar da regulao:
( )
MIN MIN
Z
i
MAX
I
R
R
MAX
I
Z
i = + + =
150
50 200

Para manter regulao: mA i
MIN
Z
5 > , portanto, mA I
MAX
35 5 40 = =
Observe que ao dimensionar R pela potncia mxima, e aps dimensionar I
MAX
pelo
limite de regulao, ns exploramos TODA faixa de regulao!

1
.
7

C
i
r
c
u
i
t
o
s

c
o
m

Z
e
n
e
r

37

c)

Figura 68: Regulao e pontos extremos

|
|
.
|
\
|
+ =
|
|
.
|
\
|
+ = 25 75 . 3 50 25 75 . 3 50
40 5
max min
MAX
Z
V
MIN
Z
V i i
i i

v V v V
i i
75 . 293 5 . 162
max min
= =

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 i

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

i

Vs
R
+
-
Vo
+
-
V
R
= 5V
1 KO

Anexo A - 1
a
. LISTA
(Assunto: Fsica dos Semicondutores e Dispositivos Eletrnicos Bipolares)

1.1. Usando o modelo linearizado, ache o ponto de operao P, considerando:
Vi =10 v; V =0,5 v; R
L
= 10 KO; R
f
= 10 O; R
r
= 1 MO

1.2. (a) Considerando ainda o circuito anterior, se V
i
(t) =10 sen wt, trace a forma de onda da
sada V
0
(t), considerando o modelo linearizado.
(b) Refaa o problema, considerando o diodo ideal.

1.3. Considere no circuito abaixo, o diodo
ideal e alimentao senoidal de 10
volts de pico. Trace a forma de onda
na sada V
0
(t), indicando os clculos
feitos, a caracterstica de transferncia
com respectivas cotas.

R
L
= 10 KO
10 V

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 ii

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

ii

Vi
D
+
-
2,5 v
1 M
Vo
+
-

1.4. (Milman 4.3)
Cada diodo descrito por uma caracterstica volt-ampre linearizada, com resistncia
incremental r e tenso limiar V.
O diodo D
1
de Ge com V =0,2 v e r =20 O , enquanto D
2
de Si com V =0,6 v e
r =15 O . Calcular as correntes dos diodos se:
(a) R =10 KO
(b) R =1 KO

1.5. (Milman 4.10)
Um gerador fornece uma onda quadrada
simtrica de 5 KHz cuja amplitude varia
entre +10 v e 10 v e ligado ao circuito
ceifador mostrado. Supor R
f
= 0, R
r
= 2 MO
e V =0. Esboar a forma de onda da
sada no regime estacionrio, indicando os
valores numricos de mximo, mnimo e
de trechos constantes.

100V
R
+
-
D1 D2

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 iii

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

iii

1.6. (Milman 4.13)
(a) No circuito ceifador mostrado, D
2
compensa as variaes de temperatura. Supor que os
diodos possuem resistncia reversa infinita e resistncia direta de 50 O, e um ponto de
conduo na origem (V =0 ).
Calcular e desenhar a curva de transferncia v
0
X v
i
.
Mostrar que o circuito apresenta um ponto de incio de conduo extenso, ou seja, 2 pontos
prximos.
SUGESTO: Existem 3 reas de conduo ou no conduo para o conjunto de diodos.

(b) Determinar a caracterstica de transferncia que resultaria se D
2
fosse removido e R
colocado em seu lugar.

(c) Mostrar que a conduo dupla da parte (a) desapareceria e apareceria apenas a conduo
simples da parte (b), se as resistncias diretas do diodo fossem desprezveis em
comparao com R.

1.7. (Milman 4.15)
(a) A tenso de entrada V
i
para o circuito ceifador de dois nveis mostrado na figura a seguir
varia linearmente de 0 at 150 v. Esboar a tenso de sada V
0
na mesma escala de tempo
que a tenso de entrada. Supor os diodos ideais. SUGESTO: Iniciar com D
1
OFF e D
2
ON.
Vo
D
1
D
2
+
-
10 v
R
5K
Vi
+
-

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 iv

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

iv

Vo
D
1
D
2
+
-
10 v
10K
10K
10K
Vi
+
-

(b) Repetir para o circuito:

1.8. (Milman 4.17)
Para o circuito da figura a seguir:

(a) Os diodos so ideais. Escrever as equaes da caracterstica de transferncia.
(b) Traar Vo x Vi.
(c) Traar Vo se Vi =40 sen wt.

1.9. (Milman 4.18)
(a) Repetir o problema anterior para o circuito:
Vi
D
1
D
2
+
-
25 v 100 v
100K 200K

Vi
D
1
D
2
+
-
25 v
100 K
100V
200K

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 v

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

v

(b) Repetir para o caso dos diodos terem V =1 v .

1.10.
Supondo que os diodos nos circuitos das figuras a seguir sejam ideais, calcule os valores da
corrente indicada e da tenso de sada para cada um dos circuitos:

-10V -10V

Vo
D
1
D
2
+
-
1K
1K
Vi
+
-
1K

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 vi

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

vi

1.11. (P1-Eletrnica 1- UERJ 2002.2)
Para o circuito abaixo, complete o grfico da caracterstica de transferncia e o sinal de sada,
indicando todas as coordenadas. Considere o diodo no seu modelo linear, com:
V
= 0,5 v; R
f
= 10 O; R = 1K O; R
r
= . Considere ainda a tenso V
R
= 4,5 v.

Vi
R
+
-
Vo
+
-
V
R

v
o
v
i
t
v
i
v
o
t
9
-9
2 4 6 8 10 12
(volts)
(volts)
(segs)
(segs)

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 vii

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

vii

1.12. Para o circuito da figura abaixo esboce a caracterstica de transferncia de V
0
x V
i
.

i
d

1.13. Para o circuito da figura acima esboce a forma de onda de V
d
.

1.14. No circuito da figura acima, suponha que V
i
tem valor de pico 10 V e R = 1 KO. Calcule
o valor de pico de i
d
e a componente cc de V
0
.

1.15. A figura abaixo mostra um circuito de carga de bateria de 12 v. Se a amplitude de V
s
,
senoidal, for de 24 v de pico, determine a frao de tempo de cada ciclo durante o qual o diodo
conduz. Determine tambm o valor de pico da corrente no diodo e a tenso de polarizao
reversa mxima que aparece sobre o diodo.

id

1.16. Supondo diodos ideais, calcule os valores de I e V nos circuitos das figuras a seguir.
UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 viii

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

viii

-10 v -10 v

1.17. Calcule os valores de I e V nos circuitos mostrados nas figuras abaixo.

+5V
-5 v -5 v
UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 ix

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

ix

1.18. Para os circuitos mostrados na figuras a seguir usando diodos ideais, calcule os valores das
tenses e correntes indicadas.

-5 v -5 v -5 v -5 v

1.19. Para os circuitos mostrados nas figuras a seguir usando diodos ideais, calcule os valores
das tenses e correntes denominadas.
UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 x

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

x

-5 v

1.20. Supondo que os diodos nos circuitos das figuras a seguir sejam ideais, utilize o teorema de
Thvenin para simplificar os circuitos e calcule os valores das tenses e correntes indicadas.

1.21. O circuito da figura a seguir pode ser usado em um sistema de sinalizao empregando um
fio, tendo como retorno o terra comum. Em qualquer instante, a entrada pode assumir um dos
trs valores: +3 v, 0, -3 v. Qual o estado da lmpada para cada um desses valores de entrada?
(Observe que as lmpadas podem ser colocadas separadas uma das outras e que pode haver
vrias conexes de cada tipo, todas com apenas um fio!).
UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 xi

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

xi

+3V: ____________
0: ____________
-3V: ____________

1.22. (Milman 3.28) O diodo zener pode ser usado para evitar sobrecarga em medidores
sensveis sem afetar sua linearidade. O circuito mostrado representa um voltmetro de 20 v de
fundo de escala. A resistncia do medidor de 560O . O zener de 16 v.

Se o diodo zener de 16 v, determinar R
1
e R
2
de modo que Vi > 20 v, o diodo zener conduz e a
sobrecarga de corrente ser desviada do medidor.
OBS: Use o modelo ideal e analise no limite.

Vi
R1 R2
Rm
560 O
200 A
fundo de
escala
+
-

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 xii

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

xii

1.23. (Milman 3.31)

(a) Um diodo de ruptura que ocorre por avalanche, mantm uma tenso de 50 v em uma faixa
de corrente que vai desde 5 mA at 40 mA. A fonte de alimentao de V = 200 v. Calcular
R de modo a permitir uma regulao de tenso para uma corrente de carga I
L
= 0 at I
MAX

, que o valor mximo de I
L
. Qual o valor de I
MAX
?
(b) Utilizando R calculado anteriormente, e supondo uma corrente de carga igual a 25 mA,
quais so os limites em que V pode variar sem perda de regulao no circuito?

1.24. (P1-Eletrnica 1- UERJ 2002.2)
Trace as formas de onda da sada do circuito abaixo, indicando os clculos, em texto e/ou
figura, da tenso de pico inversa.

1.25. (PROVO 98)
Nos sistemas microprocessados, o pulso de inicializao (reset) usado para colocar a UCP
(Unidade Central de Processamento) em um estado conhecido. Esse pulso precisa ser gerado
automaticamente no ato da energizao do sistema, e deve ser o mais curto possvel, desde que
no fique aqum da especificao da UCP. No presente caso, o reset deve ser ativado em
AC
R
L
+
V
-
o
D
1 D
2
D
3
D
4

V
R
R
L
+
-
V
L
+
-
I
L

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 xiii

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

xiii

nvel alto (lgico 1) durante um intervalo no inferior a 40 perodos de relgio, gerado a partir
do cristal. A figura apresenta um esquema tpico para atender a essas necessidades. O inversor
do tipo Schmitt-Trigger, cujo comportamento est caracterizado nas informaes tcnicas e
cuja impedncia de entrada deve ser considerada infinita.
Pede-se:
a) a durao mnima do pulso de inicializao; (valor: 2,0 pontos)
b) o esboo da tenso sobre o capacitor, logo aps a energizao do sistema; (valor: 2,0 pontos)
c) o valor mnimo da constante RC; (valor: 4,0 pontos)
d) a escolha dos componentes, supondo a seguinte disponibilidade: (valor: 2,0 pontos)
capacitores: 1 F, 10 F e 100 F;
resistores: 56 O, 62 O, 72 O, 82 O, 100 O 120O.

Circuito para inicializar a UCP por ocasio da energizao do sistema.

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 xiv

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

xiv

1.26. (PROVO 99)
Voc o engenheiro responsvel por um laboratrio que dispe de fontes de alimentao CC,
construdas segundo o esquema dado na figura a seguir.

Como cinco dessas fontes apresentaram defeitos, seu chefe pediu-lhe o parecer sobre a possvel
causa do defeito de cada uma delas. Analisando as formas de onda obtidas com o osciloscpio
(fontes 1, 2 e 3) e os sintomas observados (fontes 4 e 5), indique a provvel causa do defeito de
cada uma das fontes. (continua)

Formas de onda obtidas com o osciloscpio:

Sintomas observados:
Fonte 4: Tenso sobre a carga igual a zero.
Fonte 5: Queima do fusvel do primrio. (continua)

UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 xv

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

xv

Dados/Informaes Tcnicas:
- Os diodos e o capacitor so os nicos elementos passveis de apresentar defeitos.
- Em cada fonte h um nico componente defeituoso.
- Os defeitos possveis so: curto-circuito ou interrupo (componente aberto).

1.27. (PROVO 2000)
O circuito da figura a seguir apresenta um esquema de iluminao de emergncia.

Nesse circuito, uma bateria carregada enquanto houver energia eltrica. No caso de
interrupo, a bateria supre a energia para manter acesa a lmpada.
a) Indique o caminho percorrido pela corrente que carrega a bateria, designando a seqncia dos
ns (identificados por letras minsculas) por onde passar a corrente no circuito. (valor: 1,0
ponto)
b) Determine o valor de pico da tenso no gate do SCR (D
4
), enquanto houver energia na rede.
(valor: 1,0 ponto)
c) Explique por que o SCR no dispara enquanto houver energia fornecida pela rede. (valor: 3,0
pontos)
d) Explique a funo de R
1
e de D
3
no circuito. (valor: 3,0 pontos)
e) Determine o valor da tenso sobre o gate do SCR durante a ausncia de energia na rede.
(valor: 1,0 ponto)
f) Indique o percurso da corrente que acender a lmpada (L) quando for interrompido o
fornecimento de energia eltrica, designando a seqncia dos ns (identificados por letras
minsculas) por onde passar a corrente no circuito. (valor: 1,0 ponto)

Dados/Informaes Tcnicas
- A tenso da bateria 6 v, mesmo quando est sendo carregada.
UVA 2013 Cap 1 verso 2 Eletrnica 1 xvi

A
n
e
x
o

A

-

1
a
.

L
I
S
T
A

xvi

- O SCR dispara quando a tenso no seu gate iguala ou ultrapassa 1,5 v.

1.28. Desenhe e explique o funcionamento da porta de amostragem.

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NOTAS DE AULA, REV 2 . 0 UVA 2 0 1 3 .

1 FLVI O ALENCAR DO RGO BARROS

E , aplicado para orientar os diversos eltrons na BC. Se J a densidade de corrente

= 0.5 v para Si).

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