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2012-2
Patentes
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Definio
Transistor TRANSfer resISTOR
Dispositivo semicondutor que pode controlar corrente a partir de corrente ou a partir de tenso Indiretamente pode ser utilizado para controle de tenso
Aplicaes
Amplificao de sinal Chaveamento de sinal Armazenamento de informao
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Tipos de Transistores
Bipolares Efeito de Campo Unijuno
IGBTs
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Transistor Bipolar
Normalmente so de Silcio Existem dois tipos
Depende da ordem dos tipos de materiais (dopagem)
PNP NPN
Funcionamento
Corrente de Base (tenso base emissor)
Regula a corrente Coletor Emissor
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Configuraes NPN/PNP
Base comum
Aplicao
Separa entrada da Sada Alta freqncia (minimiza oscilaes) Ganho de Corrente < 1 Ganho de Tenso Elevado Resistncia de Entrada Baixa Resistncia de Sada Alta
Caractersticas
Coletor Comum
Aplicao
Casamento de Impedncia Buffer (corrente) Ganho de Corrente elevado Ganho de Tenso >= 1 Resistncia de Entrada M uito elevada Resistncia de Sada M uito Baixa
Caractersticas
Emissor Comum
Aplicao
Amplificao de tenso Amplificadores em geral Ganho de Corrente elevado Ganho de Tenso elevado Resistncia de Entrada M dia Resistncia de Sada Alta
Caractersticas
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Parmetros Extremos
Tenses de Ruptura
VCB0 Tenso de ruptura entre Coletor e Base com Emissor aberto VCEO Tenso de ruptura entre Coletor e Emissor com a Base aberta VCES Tenso de ruptura entre Coletor e Emissor com a Base ligada ao Emissor
Correntes de Fuga
IEB0
ICB0 aberto
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Curva do NPN
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Curva do PNP
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Tipos de Polarizao
Polarizao com corrente de Emissor constante
A variao de temperatura faz variar IC e consequentemente IE Introduzindo o resistor no Emissor aumenta a estabilidade
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Parmetros de Amplificao
Relao entre corrente de Coletor e de Emissor
IC IE
IC IB
ganho de corrente
= hfe =
Como para o transistor
ganho de corrente
I E = IC + I B
ento
+1
= hfe =
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Equao da Malha I
= hfe =
Ento IE
I E = IC + I B = 2 mA + 20 A = 0, 00202 A 2 mA
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RC =
ou RB . I B = VCB + RC . IC
Neste caso os elementos desconhecidos so RB e VCB
RB =
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ICM
Corrente mxima do Coletor (dado do fabricante) Tenso mxima entre Coletor e Emissor com a Base aberta (especificao do fabricante) PMAX = VCE x IC No se deve trabalhar com valores de IC muito baixos
A corrente de fuga passa a influenciar o comportamento
VCE0
Regio de Saturao
Para operao continua esta regio deve ser evitada Na operao como CHAVE possvel emprega-la Zona de operao ideal do transistor 15
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rea til
Transistor Darlington
Utiliza dois ou mais transistores interconectados
Permite obter elevados ganhos
= hfe > 1000
NPN
PNP
hfe = 1000
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Exemplos
Transistores de Sinal
NPN PNP BC546 .... (Data Sheet) BC556 ..... (Data Sheet) 2N3055 (Data Sheet) 2N2955 (Data Sheet) TIP120 (Data Sheet) TIP125 (Data Sheet)
Potncia
NPN PNP
Darlington (Potncia)
NPN PNP
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Tipos de Transistores
Bipolares Efeito de Campo Unijuno
IGBTs
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Canal-n
Aplicao de tensao negativa na porta (gate)
Aumenta a zona de depleo Estrangula o canal de passagem de corrente
Canal-p
Aplicao de tenso positiva na porta (gate)
Aumenta a zona de depleo Estrangula o canal de passagem de corrente
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MOS FET
MOS (Metal Oxide Semiconductor)
Estrutura
Funcionamento
Ao aplicar uma tensao na Porta
Positiva Atrai Eltrons Repele Lacunas Pode formar um canal de Eltrons Pode fechar um canal de Lacunas Negativa Atrai Lacunas Repele Eltrons Pode formar um canal de Lacunas Pode fechar um canal de Eltrons
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Tipos de MOS-FETs
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Funcionamento
Canal-n por Excesso
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Transistor de Unijuno
Aplicaes
Circuitos osciladores Geradores de pulsos Temporizadores
Funcionamento
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FIM
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