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Universidade Federal do Rio Grande do Norte

Centro de Tecnologia
Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Eltrica e de Computao










CONVERSOR CC/CA DE ALTA FREQNCIA BASEADO
EM INVERSORES RESSONANTES COM COMUTAO
SEQENCIAL PARA EXCITAO DE UMA
TOCHA INDUTIVA A PLASMA TRMICO










Jean Paul Dubut














Natal, RN Brasil
Julho de 2010





Universidade Federal do Rio Grande do Norte
Centro de Tecnologia
Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Eltrica e de Computao





CONVERSOR CC/CA DE ALTA FREQNCIA BASEADO
EM INVERSORES RESSONANTES COM COMUTAO
SEQENCIAL PARA EXCITAO DE UMA
TOCHA INDUTIVA A PLASMA TRMICO





Jean Paul Dubut





Orientador: Prof. Dr. Sc. Andrs Ortiz Salazar UFRN CT - DCA






Tese de doutorado submetida ao corpo docente
do Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica e de Computao da UFRN (rea de
concentrao: Automao e Sistemas), como
parte integrante dos requisitos necessrios para
obteno do ttulo de Doutor em Cincias da
Engenharia Eltrica.





Natal, RN Brasil
Julho de 2010






























Diviso de Servios Tcnicos
Catalogao da Publicao na Fonte. UFRN / Biblioteca Central Zila Mamede

















Dubut, Jean Paul.
Conversor CC/CA de alta freqncia baseado em inversores ressonantes com
comutao seqencial para excitao de uma tocha indutiva a plasma trmico / Jean
Paul Dubut. Natal, RN, 2010.
168 f. : il.

Orientador: Andrs Ortiz Salazar.

Tese (doutorado) Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Centro de
Tecnologia. Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica e de Computao.

1. Conversor CC/CA Tese. 2. Inversor ressonante Tese. 3. Comutao
sequencial Tese. 4. Rdiofreqncia Tese. I. Salazar, Andrs Ortiz. II.
Universidade Federal do Rio Grande do Norte. III. Ttulo.


RN/UF/BCZM CDU 621.314.5(043.2)




Jean Paul Dubut


CONVERSOR CC/CA DE ALTA FREQNCIA BASEADO
EM INVERSORES RESSONANTES COM COMUTAO
SEQENCIAL PARA EXCITAO DE UMA
TOCHA INDUTIVA A PLASMA TRMICO


Tese de Doutorado submetida ao corpo docente da Coordenao do Programa de
Ps-Graduao em Engenharia Eltrica e de Computao da Universidade Federal do Rio
Grande do Norte como parte integrante dos requisitos necessrios para obteno do grau de
Doutor em Cincias da Engenharia Eltrica.
Aprovada por:

____________________________________________
Prof. Andrs Ortiz Salazar, D.Sc. - UFRN (Orientador)

____________________________________________
Prof. Andr Laurindo Maitelli, D.Sc. - UFRN (Examinador interno)

____________________________________________
Prof. Francisco de Assis Oliveira Fontes, D.Sc. UFRN (Examinador interno)

____________________________________________
Prof. Fernando Soares dos Reis, D.Ing. PUCRS (Examinador externo)

_____________________________________________
Prof. Alexandre Magnus Fernandes Guimares, D.Sc. - IFBA (examinador externo)



Natal, RN Brasil
Julho de 2010







































minha esposa Maria do Cu,
meus filhos Emmanuella, Patrick
e Nathalie, e aos meus netos.














Agradecimentos




Um agradecimento muito especial ao meu orientador, Professor Andrs Ortiz
Salazar, por sua dedicao e incentivo ao desenvolvimento deste trabalho, compreenso nas
horas difceis e pelas palavras amigas que sempre teve para comigo. Muito obrigado.
Ao Professor Andr Laurindo Maitelli, pelas valiosas colocaes e pelo apoio amigo
que me tem dado ao longo desses anos.
Ao Professor Fernando Soares dos Reis, que acompanha de longa data nossos
trabalhos e veio abrilhantar a composio da Banca Examinadora com o seu amplo
conhecimento sobre sistemas de potncia.
Ao Professor e amigo Alexandre Magnus Fernandes Guimares, a quem cabe uma
grande contribuio pelo xito deste projeto.
Ao Professor Francisco de Assis Oliveira Fontes, pelo apoio fundamental no desenho
e na construo do reator e da tocha plasma.
Aos demais Professores do PPgEEC que colaboraram, de forma direta ou indireta,
para o xito deste trabalho.
Aos bolsistas que contriburam ao longo do projeto e mais especialmente, aos
engenheiros Marcos Vincius, Luciano e Aderildo na montagem e teste dos prottipos.
Ao INPE, instituio qual perteno h quase 40 anos, por ter me dado o apoio
necessrio e permitir que este trabalho fosse desenvolvido.
FINEP/PADCT, pelo suporte financeiro ao projeto sem o qual a sua materializao
no teria sido possvel.
Enfim, a este grande e belo pas chamado "Brasil" que um dia me acolheu.











Resumo




Este trabalho descreve o estudo, a anlise, a metodologia de projeto e os detalhes de
construo de um conversor ressonante CC/CA de alta freqncia usando tcnicas de
comutao seqencial (sequential pulse gating), para a excitao de uma tocha indutiva a
plasma trmico. Esta tese objetiva mostrar a potencialidade desta nova tcnica de modulao
e apresentar uma alternativa tecnolgica para o projeto de conversores eletrnicos de potncia
em altas freqncias. O conversor ressonante opera na freqncia nominal de 400 kHz, com
potncia de 50 kW, e constitudo por clulas inversoras empregando chaves IGBTs de
comutao rpida. Para minimizar as perdas de comutao no corte, as clulas ressonantes
operam no modo de chaveamento suave ZVS, referenciado por uma malha PLL modificada
que mantm esta condio estvel apesar das variaes de carga. A estratgia de comando por
comutao seqencial permite operar os dispositivos IGBTs no seu limite superior de
potncia usando as propriedades de reduo (derating) e de alvio (destressing) de corrente,
assim como propicia um efeito de multiplicao na freqncia final do conjunto de inversores.
A sada do conversor conectada a um circuito ressonante srie formado pelo aplicador da
tocha ICTP e um capacitor de compensao, por intermdio de um transformador RF de
adaptao de impedncias. No final, so apresentados resultados experimentais e ensaios
conduzidos em laboratrio como forma de validar a nova tcnica proposta.

Palavras-chaves: Inversor ressonante srie, IGBT, acionamento seqencial, comutao suave
ZVS, plasma trmico.











Abstract




This work describes the study, the analysis, the project methodology and the constructive
details of a high frequency DC/AC resonant series converter using sequential commutation
techniques for the excitation of an inductive coupled thermal plasma torch. The aim of this
thesis is to show the new modulation technique potentialities and to present a technological
option for the high-frequency electronic power converters development. The resonant
converter operates at 50 kW output power under a 400 kHz frequency and it is constituted by
inverter cells using ultra-fast IGBT devices. In order to minimize the turn-off losses, the
inverter cells operates in a ZVS mode referred by a modified PLL loop that maintains this
condition stable, despite the load variations. The sequential pulse gating command strategy
used it allows to operate the IGBT devices on its maximum power limits using the derating
and destressing current scheme, as well as it propitiates a frequency multiplication of the
inverters set. The output converter is connected to a series resonant circuit constituted by the
applicator ICTP torch, a compensation capacitor and an impedance matching RF transformer.
At the final, are presented the experimental results and the many tests achieved in laboratory
as form to validate the proposed new technique.

Keywords: Series resonant inverter, IGBT, sequential pulse gating, soft switching ZVS,
thermal plasma.





i

Sumrio




Sumrio i
Lista de Figuras v
Lista de Tabelas x
Lista de Smbolos e Abreviaturas xi

1 Introduo 1
1.1 Generalidades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Histrico e contexto situacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Justificativa e motivao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.4 Objetivos e enfoque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5 Apresentao e organizao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2 Descrio da Planta de Tratamento de Resduos por Plasma
Trmico

10
2.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 Descrio do sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.2.1 Arquitetura da planta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.2.2 Tocha RF indutiva a plasma trmico ICTP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.3 Fonte RF de alta freqncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.2.4 Demais subsistemas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.3 Caracterizao e anlise do processo trmico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

3 Conversor Ressonante de Alta Freqncia - Estudo de Topologias,
Modelagem e Tcnicas de Controle

24
3.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.2 Conceito de comutao seqencial em alta freqncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28


ii

3.2.1 Princpio de funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.2.2 Associao de mdulos inversores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.2.3 Controle de potncia em mdulos inversores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.3 Anlise do conversor ressonante srie com acionamento seqencial . . . . . . . . 35
3.3.1 Topologia do conversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.3.2 Anlise qualitativa da clula inversora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.3.2.1 Anlise em regime no modo ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3.2.2 Anlise no modo no-ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.3.2.3 Anlise do modelo proposto com chaveamento seqencial . . . 48
3.4 Modelagem do conversor ressonante srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.4.1 Mtodo de modelagem para pequenos sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.4.2 Modelagem do estgio de potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.4.3 Modelagem da malha de regulao de potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.4.4 Modelagem da malha de controle de freqncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.4.5 Modelagem do amplificador de compensao de erro . . . . . . . . . . . . . . 63
3.4.6 Modelo completo do conversor ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.5 Anlise do transformador RF de adaptao de impedncias . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.5.1 Anlise sumria do transformador RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.6 Anlise da carga ressonante srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.6.1 Descrio da tocha a plasma e do aplicador RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.6.2 Modelo do transformador de plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.6.3 Avaliao dos parmetros da carga de plasma . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.6.4 Transferncia de potncia ao plasma - Eficincia e potncia mnima
para manuteno da descarga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
80
3.7 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82

4 Conversor Ressonante de Alta Freqncia Desenvolvimento,
Implementao e Simulaes

84
4.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.2 Sistema proposto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84


iii

4.2.1 Estrutura funcional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
4.2.2 Especificaes do sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.3 Implementao e dimensionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.3.1 Estratgia e padres de acionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.3.2 Clulas inversoras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
4.3.3 Mdulos de excitao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
4.3.4 Unidade geradora de comando e controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
4.3.5 Interface e link de fibras pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
4.3.6 Unidade detetora de transies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
4.3.7 Transformador RF de adaptao de impedncias . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
4.3.8 Aplicador RF da tocha ICTP e carga ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
4.4 Simulaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
4.4.1 Clulas inversoras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
4.4.2 Conversor ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4.4.3 Unidade geradora de comando e controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
4.4.4 Transformador RF de adaptao de impedncias . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
4.5 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131

5 Resultados Experimentais 133
5.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.2 Resultados obtidos para os diversos perfis de operao . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.2.1 Conversor ressonante srie de alta freqncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.2.1.1 No modo de operao ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.2.1.2 No modo de operao no-ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
5.2.2 Mdulos de excitao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
5.2.3 Unidade geradora de comando e controle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
5.2.5 Interface e link de fibras pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.2.5 Unidade detetora de transies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.2.6 Transformador RF de adaptao de impedncias . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.2.7 Aplicador RF da tocha ICTP e carga ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151


iv

5.3 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152

6 Concluses Gerais e Perspectivas 154
6.1 Concluses gerais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154
6.2 Perspectivas para trabalhos futuros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 155

Referncias Bibliogrficas 157

Apndice A. Referncias dos Trabalhos Publicados 165

Anexos - Dados Tcnicos dos Componentes Eletrnicos e dos demais
Dispositivos Utilizados 166
A.1 Dados tcnicos do mdulo IGBT SKM200GB125D . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
A.2 Dados tcnicos do mdulo de excitao SKHI26F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
A.3 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT4046 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
A.4 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT221 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166
A.5 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT161 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
A.6 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT138 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
A.7 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT74 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
A.8 Dados tcnicos do link de fibras pticas HFBR1521 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
A.9 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT4068 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
A.10 Dados tcnicos do circuito integrado TL3016 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
A.11 Dados tcnicos do material magntico 3F3 de FERROXCUBE . . . . . . . . . . . 167
A.12 Dados tcnicos do ncleo magntico NC-100/57/25 de THORNTON . . . . . . 168
A.13 Dados tcnicos do ncleo magntico U100/57/25 de FERROXCUBE . . . . . . 168













v

Lista de Figuras




Figura Pgina
2.1 Diagrama ilustrativo da planta de tratamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2 Perfil de temperatura das componentes do gs nos modos eletrnico,
vibracional e rotacional em condies de LTE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3 Vista ilustrativa de uma tocha ICTP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4 Vista parcial da fonte RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.1 Rendimento tpico de fontes RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.2 Mapa de aplicaes de semicondutores em inversores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3 Sistema modular de conversores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.4 Configuraes de inversores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.5 Comportamento das perdas de conduo, no corte e na comutao para o
IGBT FF200 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.6 Diagrama de chaveamento seqencial dos mdulos inversores . . . . . . . . . . . . 32
3.7 Arranjo de mdulos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.8 Topologia do conversor ressonante e subsistemas associados . . . . . . . . . . . . . 36
3.9 Diagrama de blocos do controlador PLL modificado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.10 Diagrama simplificado de acionamento das clulas inversoras . . . . . . . . . . . . . 38
3.11 Modelo simplificado do inversor ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.12 Formas de ondas do sistema em regime no modo ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.13 Modelo simplificado do inversor ressonante em modo ZVS para a etapa 2 . . . 41
3.14 Modelo simplificado do inversor ressonante em modo ZVS para a etapa 4 . . . 42
3.15 Etapas do inversor no modo ZVS durante um ciclo de comutao . . . . . . . . . . 43
3.16 Formas de onda do sistema em regime no modo no-ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.17 Etapas do inversor no modo no-ZVS durante um ciclo de comutao . . . . . . 47
3.18 Formas de ondas do estgio de potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
3.19 Curva de resposta da potncia de sada em funo de d . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.20 Diagrama do inversor ressonante com sistema de controle . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.21 Modelo simplificado da clula inversora ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.22 Circuito equivalente da clula inversora ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52


vi

3.23 Relao de converso de tenso do conversor ressonante em regime estvel . . 55
3.24 Diagrama da malha de regulao de potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.25 Diagrama da malha de controle de freqncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
3.26 Circuito equivalente de carga de
c
C durante o perodo

. . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.27 Modelo completo para pequenos sinais do conversor ressonante, incluindo o
estgio de potncia, a malha de controle de freqncia e a malha de controle
de fase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.28 Vista do transformador RF do tipo planar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.29 Circuito equivalente do transformador RF de adaptao de impedncias . . . . . 66
3.30 Curva de magnetizao de um ncleo de ferrite genrico . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
3.31 Vista em corte de uma tocha RF a acoplamento indutivo . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.32 Diagrama hipottico do modelo a transformador de plasma . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.33 Diagrama do modelo equivalente do transformador de plasma . . . . . . . . . . . . . 75
4.1 Estrutura funcional do conversor ressonante e subsistemas associados . . . . . . 85
4.2 Diagrama de conexo do conversor ressonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.3 Diagrama de entrelaamento da seqencia de acionamentos . . . . . . . . . . . . . . 88
4.4 Diagrama de interconexo dos mdulos de excitao e dos IGBTs . . . . . . . . . 89
4.5 Seqncias de acionamento do conversor ressonante de alta freqncia . . . . . 90
4.6 Vista ilustrativa do mdulo IGBT SKM200GB125D de SEMIKRON . . . . . . . 92
4.7 Vista ilustrativa das clulas inversoras constituindo o conversor ressonante . . 94
4.8 Vista ilustrativa do mdulo de excitao SKHI26F de SEMIKRON . . . . . . . . 97
4.9 Diagrama eltrico simplificado da unidade geradora de comando e controle . . 98
4.10 Diagrama funcional da seo VCO do circuito integrado 74HCT4046 . . . . . . 99
4.11 bacos para determinao da freqncia mnima do VCO . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.12 Diagrama eltrico do gerador de dead-time e baco para determinao da
constante de tempo do multivibrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
4.13 Vista ilustrativa da unidade geradora de comando e controle . . . . . . . . . . . . . . 101
4.14 Diagrama funcional da seo PLL do circuito integrado 74HCT4046 . . . . . . . 102
4.15 Diagrama de resposta do comparador tipo II e oscilogramas. . . . . . . . . . . . . . . 103
4.16 Vista ilustrativa de uma seqncia completa de comando . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
4.17 Vista ilustrativa dos optoacopladores e do link de fibras pticas . . . . . . . . . . . 107
4.18 baco para determinao da corrente de polarizao do HFBR1521 . . . . . . . . 108
4.19 baco para correo da largura de pulso e do atraso de propagao . . . . . . . . . 109


vii

4.20 Diagrama eltrico da interface do link ptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.21 Diagrama eltrico do detector de transies da corrente da carga ressonante . . 111
4.22 Vista ilustrativa do detector de transies da corrente da carga ressonante . . . 111
4.23 Diagrama ilustrativo do arranjo dos ncleos empilhados . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
4.24 Diagrama de empilhamento e entrelaamento dos enrolamentos . . . . . . . . . . . 115
4.25 Vista ilustrativa do transformador RF de adaptao de impedncias . . . . . . . . 117
4.26 Diagrama mecnico do aplicador RF da tocha ICTP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
4.27 Vista ilustrativa da tocha ICTP e do aplicador RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
4.28 Diagrama da clula inversora usada nas simulaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.29 Ciclo de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.30 Ciclo de comutao na freqncia
ZVS s
f f f =
0
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.31 Ciclo de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
+ = . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.32 Ciclo de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
no modo ZVS . . . . . . . . . . 123
4.33 Diagrama do conversor ressonante usado nas simulaes . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
4.34 Ciclo de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
no modo ZVS . . . . . . . . . . 125
4.35 Seqncia de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
no modo ZVS . . . . . . 125
4.36 Seqncia de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
= . . . . . . . . . . . . . . . . 126
4.37 Seqncia de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
+ = . . . . . . . . . . . . . . . . 126
4.38 Diagrama da unidade de comando e controle usado nas simulaes . . . . . . . . . 127
4.39 Detalhe da seqncia dos oito pulsos de acionamento das quatro clulas . . . . . 128
4.40 Detalhe do dead-time inserido nas seqncias de acionamento . . . . . . . . . . . 128
4.41 Diagrama da seqncia contnua de acionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
4.42 Diagrama da seqncia de acionamento de 1.000 pulsos . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
4.43 Diagrama do circuito equivalente do transformador RF de impedncias . . . . . 130
4.44 Simulao do transformador RF de impedncias com carga total . . . . . . . . . . . 130
4.45 Simulao do transformador RF de impedncias com meia carga . . . . . . . . . . 131
4.46 Simulao do transformador RF de impedncias a vazio . . . . . . . . . . 131
5.1 Comutao do IGBT no turn-on no modo ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
5.2 Comutao do IGBT no turn-off no modo ZVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
5.3 Tenso e corrente na carga ressonante no ponto de operao ZVS . . . . . . . . . . 135
5.4 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas no ponto de operao ZVS . 135


viii

5.5 Tenso e corrente na carga ressonante na freqncia de kHz 200 . (Operao
no modo no-ZVS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
137
5.6 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas na freqncia de kHz 200 .
(Operao no modo no-ZVS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
5.7 Tenso e corrente na carga ressonante na freqncia de kHz 300 . (Operao
no modo no-ZVS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
5.8 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas na freqncia de kHz 300 .
(Operao no modo no-ZVS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
5.9 Tenso e corrente na carga ressonante na freqncia de kHz 400 . (Operao
no modo no-ZVS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
5.10 Figura 5.10 - Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas na freqncia
de kHz 400 . (Operao no modo no-ZVS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
5.11 Vista do aplicador RF e da carga resistiva utilizada nos ensaios . . . . . . . . . . . . 140
5.12 Atraso introduzido pelo mdulo de excitao nas seqncias de pulsos . . . . . . 141
5.13 Vista ampliada do atraso introduzido pelo mdulo de excitao . . . . . . . . . . . . 141
5.14 Seqncia de pulsos para acionamento das clulas inversoras ressonantes . . . . 142
5.15 Detalhe do dead-time inserido na seqncia de pulsos de comando . . . . . . . . . 142
5.16 Seqncia de acionamento das clulas inversoras 1 e 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.17 Dead-time entre pulsos de comando da clula inversora 1 . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.18 Forma de onda da malha PLL travada na freqncia de ressonncia . . . . . . . . 144
5.19 Diagrama de ondas dos optoacopladores sem correo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
5.20 Diagrama de ondas dos optoacopladores aps correo . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.21 Sinal na sada da bobina de Rogowski a kHz 200 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
5.22 Sinal na sada da bobina de Rogowski a kHz 300 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
5.23 Sinal na sada da bobina de Rogowski a kHz 400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146
5.24 Tenso na entrada e sada do transformador RF de impedncias na freqncia
de kHz 200 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.25 Tenso na entrada e sada ampliadas do transformador RF de impedncias na
freqncia de kHz 200 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
5.26 Tenso na entrada e sada do transformador RF de impedncias na freqncia
de kHz 300 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
5.27 Tenso na entrada e sada ampliadas do transformador RF de impedncias na
freqncia de kHz 300 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149


ix

5.28 Tenso na entrada e sada do transformador RF de impedncias na freqncia
de kHz 400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.29 Tenso na entrada e sada ampliadas do transformador RF de impedncias na
freqncia de kHz 400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
5.30 Posio dos diversos elementos constituindo a carga ressonante . . . . . . . . . . . 151
5.31 Vista do transformador virtual criado entre o aplicador RF e a carga resistiva . 152











































x

Lista de Tabelas




Tabela Pgina
4.1 Especificaes gerais do sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
4.2 Seqncia de comutao das chaves IGBTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
4.3 Posio fsica das clulas inversoras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.4 Interligao das protees dos IGBTs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
4.5 Relao de mdulos IGBTs do tipo NPT de SEMIKRON . . . . . . . . . . . . . . . . 92
4.6 Relao de mdulos de excitao SEMIDRIVER de SEMIKRON . . . . . . . . . 96
4.7 Parmetros para clculo das perdas magnticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
4.8 Caractersticas fsico-eltricas do cobre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118
5.1 Principais parmetros do transformador RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
5.2 Principais parmetros do aplicador RF da tocha ICTP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151




























xi

Lista de Smbolos e Abreviaturas




Smbolo Descrio
A
c
rea da seo reta do ncleo magntico
A
w
rea da seo reta da espira
C
apl_ICTP
Capacitncia medida do aplicador RF da tocha ICTP
C
cam
Capacitncia parasita da camada inter-espiras
C
in
Capacitncia dinmica do gate do IGBT
C
iss
Capacitncia esttica do gate do IGBT
C
n
Capacitor de n n
CNTP Condies Normais de Temperatura e Presso
C
RF
Capacitor de compensao do aplicador RF
C
s
Capacitncia da chave IGBT
CSI Current Switching Inverter
d Ciclo de trabalho ou duty-cycle
D Dimetro do indutor
D
conv
Ciclo de operao do conversor
D
inv
Ciclo de operao do inversor
D
n
Diodo de n n
DRE Destruction and Removal Efficiency
f
0
Freqncia de ressonncia da carga
f
equ
Freqncia de operao equivalente do transformador RF
F
m
Ganho do modulador PWM
f
s
Freqncia de chaveamento
G
d
Funo de transferncia do compensador PID
G
e
Funo d transferncia do VCO
GTO Gate Turn Off transistor
I
1
Corrente no primrio do transformador RF
I
2
Corrente no secundrio do transformador RF
I
c
Componente cossenoidal da corrente na carga ressonante


xii

ICTP Inductively Coupled Thermal Plasma
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
I
L
Corrente circulando na carga ressonante
I
Lr
Pico de corrente reversa na carga
I
Ls
Corrente eficaz circulando na indutncia do barramento
I
rp
Pico de corrente reversa
I
s
Componente senoidal da corrente na carga ressonante
ISM Industrial, Scientific and Medical
K Temperatura absoluta em Kevin
k Coeficiente geomtrico do indutor
L Comprimento do indutor
L
apl_ICTP
Indutncia medida do aplicador RF da tocha ICTP
l
c
Comprimento mdio do caminho magntico do ncleo
L
cam
Indutncia de disperso da camada
L
e
Indutncia equivalente
L
mag
Indutncia de magnetizao
L
RF
Indutncia do aplicador RF da tocha ICTP
L
s
Indutncia parasita do barramento CC
l
w
Comprimento mdio da espira
l
w
Comprimento de uma espira
M Coeficiente de mtua induo
m
e
Massa do eltron
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
n Nmero de clulas inversoras
N:1 Relao de transformao do transformador RF
N
1
Numero de espiras do primrio
N
2
Numero de espiras do secundrio
n
e
Nmero de eltrons
NPT Non Punch Through
P
0
Potncia de sada na carga ressonante
PDM Pulse Density Modulation
P
Fouc
Perdas no transformador RF por correntes de Foucault
P
hyst
Perdas no transformador RF por histerese


xiii

PLL Phase Locked Loop
P
out
Potncia de sada
P
pl
Potncia no plasma
P
wind
Perdas nos enrolamentos do transformador RF
PWM Pulse Width Modulation
Q Carga acumulada na juno do IGBT
Q
0
Fator de qualidade do circuito na freqncia de ressonncia
Q
n
Chave IGBT de n n
r Raio do indutor
R
apl_ICTP
Resistncia medida do indutor do aplicador RF da tocha ICTP
R
ca
Resistncia dos enrolamentos em corrente alternada
R
cc
Resistncia dos enrolamentos em corrente contnua
RF Radiofreqncia
R
pl
Resistncia do plasma
R
RF
Resistncia equivalente apresentada pelo aplicador RF
R
s
Resistncia srie do barramento
R
th
Resistncia trmica equivalente
SIT Static Induction Transistor
S
n
Tempo de subida da rampa do PWM
T Temperatura em graus Kelvin
t
off
Intervalo de tempo para estabelecimento do corte do IGBT
t
off
Tempo de corte do IGBT
t
on
Intervalo de tempo para estabelecimento da conduo do IGBT
t
on
Tempo de acionamento do IGBT
Tr Tempo de recuperao do IGBT
V
0
Tenso de barramento da fonte CC
v
AB
Tenso instantnea na carga ressonante
V
c
Componente cossenoidal da tenso na carga ressonante
V
CA
Tenso em corrente alternada
V
CC
Tenso em corrente contnua
V
CE
Tenso entre emissor e coletor do IGBT
v
ce
Tenso instantnea entre coletor e emissor
v
DSn
Tenso instantnea sobre o diodo e chave de n n


xiv

V
g
Tenso da fonte no modelo para grandes sinais
v
p
Tenso instantnea de surto
v
p
Tenso instantnea de surto
v
ref
Tenso de referncia do comparador da malha de potncia
v
ref
Tenso de referncia do comparador da malha de freqncia
V
s
Componente senoidal da corrente na carga ressonante
VSI Voltage Switching Inverter
W
s
Freqncia de chaveamento no modelo para grandes sinais
X
pl
Reatncia da carga de plasma
Z
0
Impedncia da carga na ressonncia
ZCS Zero Current Switching
ZVS Zero Voltage Switching
Profundidade de penetrao da onda no material
Rendimento no plasma
Resistividade do meio

cu
Condutividade do cobre
Freqncia eletrnica de coliso dos eltrons
ngulo de deslocamento de fase entre sinais

0
Freqncia angular natural da carga

s
Freqncia angular de chaveamento











___________________________________________________________________________
Captulo 1


Introduo


1.1 Generalidades
A crescente escassez de energia sob as suas mais diversas formas no mbito mundial,
apesar da maioria dos pases realizarem vultosos investimentos na pesquisa de novas fontes
energticas ou no aprimoramento das atuais tecnologias, tem provocado a progressiva
valorizao dos insumos existentes e das commodities em geral. Como conseqncia, este
cenrio tem conduzido a uma busca incessante por plantas, sistemas e equipamentos que
apresentam rendimento e desempenho cada vez mais elevado, isto para o mnimo consumo de
energia possvel [Rodrigues et al. 2008]. Esta tendncia generalizada no poderia tambm
deixar de ser verificada no setor eltrico que, por meio do seu segmento acadmico, vem
envidando pesquisas capazes de aportar as respostas esperadas aos desafios propostos. Em
eletrnica de potncia, e na linha de conversores estticos de alta freqncia, em especial,
novas solues tecnolgicas tm surgido, fruto do estudo e da implementao de conceitos
inovadores aplicados ao projeto de plantas, sistemas, equipamentos e componentes.
Focada nesta linha de pesquisa, esta tese caracteriza-se, essencialmente, como uma
contribuio ao desenvolvimento de novas topologias e padres de acionamento empregados
em estruturas inversoras ressonantes, operando em altas freqncias. Com isto, torna-se
possvel oferecer uma alternativa tecnolgica de menor complexidade e custo, sobretudo se
comparada s pesadas estruturas conversoras empregando vlvulas terminicas de potncia,
geralmente utilizadas para atender a essas aplicaes.
Deve ser enfatizado, tambm, que a singularidade da estrutura proposta nesta tese
tornou-se possvel devido forte evoluo tecnolgica registrada, nestes ltimos anos, no
segmento de componentes eletrnicos de potncia [Jayant Baliga 2001]. Neste aspecto, o
setor manufatureiro de semicondutores tem aportado uma contribuio significativa com o
aprimoramento e o desenvolvimento de novos dispositivos de comutao mais rpidos, que
oferecem maior capacidade de manejo de corrente e tenso.
_______________________________________________________________________2


________________________________________________________________________
Como j de amplo conhecimento dos segmentos acadmico e industrial, desde seu
surgimento e ao longo destas ltimas duas dcadas, os dispositivos IGBTs (Insulated Gate
Bipolar Transistors) [Brown 1998] vm sendo largamente empregados em circuitos de
comutao, suplantando, gradualmente, nas aplicaes industriais da eletrnica de potncia,
os demais tipos de dispositivos de chaveamento at ento utilizados. Contudo, ainda persiste,
como sendo um dos maiores fatores limitantes para a utilizao generalizada desses
componentes em conversores eltricos estticos e estruturas inversoras, a reduo da
capacidade de chaveamento, quando operando em altas freqncias, devido existncia de
capacitncias parasitas internas engendrando importantes perdas de comutao e conduo.
Diversas tcnicas tm sido propostas nos projetos de conversores em alta freqncia
para superar essas limitaes, todas inerentes prpria estrutura constitutiva dos dispositivos
IGBTs. Tcnicas de reduo da magnitude das correntes circulando no dispositivo, chamadas
de current derating, de comutao suave em ZVS e ZCS (Zero Voltage Switching and Zero
Current Switching) para aliviar a fadiga eltrica proporcionada pela ao repetida do
chaveamento, de destressing e, mais recentemente, de uma nova tcnica de comutao por
acionamento seqencial, denominada de sequential gate pulsing. Recentes trabalhos
acadmicos produzidos no cenrio internacional por grupos de pesquisas de vanguarda tm
sugerido, em decorrncia do surgimento de novos componentes semicondutores com
caractersticas de comutao mais rpidas, a utilizao de estruturas ressonantes agrupadas e
acionadas em seqncia, possibilitando a operao em freqncias bem mais elevadas, com
alto desempenho.
Com esta nova topologia de circuito, mediante a utilizao de dispositivos IGBTs de
comutao rpida agrupados em estruturas ressonantes mltiplas e com auxlio de estratgias
de comando seqencial apropriadas, torna-se possvel ampliar os limites de operao em
freqncia. As freqncias de operao, at ento limitadas a poucas dezenas de kHz,
alcanam a centena de kHz sem aumento significativo das perdas de chaveamento. A
aplicao deste conceito inovador de arquitetura associado uma nova estratgia de comando
em inversores ressonantes possibilita, ento, viabilizar a construo de conversores CC/CA de
mdia potncia em alta freqncia que podero vir a substituir, vantajosamente, antigas
estruturas baseadas em dispositivos semicondutores convencionais ou equipadas com vlvulas
terminicas de tecnologia obsoleta e baixa eficincia.
Como o trabalho proposto nesta tese parte integrante de um projeto mais amplo que
envolve o desenvolvimento e a construo de uma planta experimental de tratamento de
_______________________________________________________________________3


________________________________________________________________________
resduos industriais e efluentes petroqumicos por plasma trmico, descreve-se sucintamente o
sistema para situar o contexto e a relevncia da aplicao. Isto permitir que o leitor entenda
as razes que levaram elaborao desta proposio, para que a mesma no parea desconexa
ou solta.

1.2 Histrico e Contexto Situacional
Reiterando o fato que o tratamento de resduos no constitu o enfoque direto desta
tese, mas, sobretudo, valendo-se como elemento de provocao, reflexo e sensibilizao, no
possvel ignorar que um dos grandes e crescentes problemas enfrentado pela sociedade
moderna a alta produo de resduos de toda natureza e os efeitos correlatos que estes
produzem, seja em escala planetria ou local. O resultado prtico a degradao do meio
ambiente e a poluio dos diversos ecossistemas, com reflexos diretos na qualidade de vida
das populaes. De maneira geral possvel afirmar que quanto mais industrializado o pas,
maior a quantidade de resduos que produz. De forma anloga, quanto maior a
concentrao populacional em uma determinada regio, maior o problema apresentado
localmente. O que diferencia essencialmente as sociedades evoludas das demais a
abordagem que estas fazem do problema e os cuidados que dispensam soluo. No caso do
Brasil, embora haja um princpio de sensibilizao e tomada de conscincia da populao em
decorrncia do processo educativo e da mdia em geral, o que estamos vendo ainda hoje, salvo
raras excees, so enormes lixes a cu aberto onde so despejadas, diariamente, centenas de
toneladas de resduos das mais variadas procedncias, sem nenhuma precauo de manejo ou
tratamento sanitrio.
A cidade de Natal, RN, em decorrncia do forte crescimento populacional e turstico
que vem registrando nestas ltimas dcadas [Figueiredo 2006], se defronta com esta mesma
realidade e problemtica. Os nmeros chegam a ser impressionantes, quando observados com
ateno. A grande Natal, aglomerao metropolitana com pouco mais de 850.000 habitantes
produz, diariamente, cerca de mil e quinhentas toneladas de lixo sendo, setecentas toneladas
de procedncia domstica, oito toneladas de procedncia hospitalar, cento e cinqenta
toneladas de entulhos recolhidas por caambas poligindastes e outras seiscentas toneladas de
resduos de natureza diversa, oriundas da poda de rvores e da construo civil, entre outros.
Todo este lixo, at bem pouco tempo, era despejado a cu aberto no aterro de Cidade Nova,
na periferia urbana de Natal, sem nenhum tipo de tratamento ou precauo de disposio, ou
ainda a esmo, em terrenos baldios. Para remediar a esta situao, a Prefeitura Municipal de
_______________________________________________________________________4


________________________________________________________________________
Natal em parceria com a empresa BRASECO S/A construiu o novo aterro sanitrio no
municpio de Cear-Mirim. Este aterro sanitrio, com capacidade para receber 1.400
toneladas dirias nos prximos 20 anos, entrou em operao em meados de 2004 e dever
absorver paulatinamente a maior parte dos resduos produzidos diariamente em Natal.
No caso de atividades ligadas rea de sade produzindo resduos hospitalares
compostos por rgos e tecidos mortos, material contaminado, substncias orgnicas e
inorgnicas txicas, medicamentos, rejeitos cortantes de metal e de vidro, material plstico,
resduos fenlicos e outros efluentes qumicos diversos, o problema de descarte assume
contornos ainda mais complexos. De fato, esses resduos, geralmente de difcil degradao,
contaminam o solo e os lenis freticos de uma rea bem maior de que a do local da
disposio [Ministrio Pblico do RN 2010]. Mesmo assim, at bem pouco tempo, todo este
lixo hospitalar vinha sendo misturado ao de procedncia domstica, sendo disposto no mesmo
aterro sanitrio, sem qualquer tipo de tratamento.
Diante da gravidade do problema, a Promotoria de Justia da Comarca de Natal
instaurou, em passado recente, inqurito civil para apurar as razes pelas quais os servios de
sade no estavam dando tratamento adequado ao lixo hospitalar que produzem, uma vez que
as Leis Municipais de n 4.100/92, n 4.748/96 e a Portaria Estadual n 142/97 determinam
aos estabelecimentos de sade que tratem e gerenciem adequadamente os seus prprios
resduos, desde a gerao at o destino final.
Em Natal, somente alguns poucos hospitais e clnicas possuem cmaras de
incinerao de lixo. Mesmo assim, o processo de combusto e a temperatura alcanada por
esses fornos de incinerao, operando com queimadores a gs ou querosene, geralmente no
so suficientes para estabilizar todas as componentes orgnicas e bacterianas, e proporcionar o
tratamento adequado dos resduos queimados. Desta forma, grande parte dos gases txicos e
das cinzas poluentes liberada na atmosfera, de sorte que as normas ambientais continuam
sendo descumpridas. Para remediar a este problema, um servio especial de coleta do lixo
hospitalar est sendo feito por empresa especializada, a SERQUIP, que coleta o lixo de cerca
de setecentas unidades independentes de sade e o incinera em So Gonalo do Amarante,
municpio da regio metropolitana de Natal.
No caso dos resduos perigosos e efluentes petroqumicos resultantes das atividades
industriais locais, e em especial os do setor petrolfero, embora sejam produzidos em menor
quantidade, no so menos poluentes por tanto [Grande Morvia Industrial 2003]. Esses
resduos, por fora das normas sanitrias nacionais, no podem ser descartados e dispostos em
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aterros sanitrios comuns sem o devido tratamento e passam a constituir um importante
contencioso ambiental para essas empresas. Quando incinerados, os mtodos empregados no
proporcionam temperaturas suficientemente altas para estabilizar os componentes orgnicos
liberados na atmosfera com forte concentrao de metais pesados, fenis, componentes
clorados, enxofre e outras substncias potencialmente cancergenas. No mais, a incinerao
inadequada desses resduos de procedncia industrial e, principalmente, os ricos em
organoclorados e hidrocarbonetos, alm de produzir substancial quantidade de cinzas
contendo partculas no estabilizadas, uma fonte importante de emisso de dioxinas e
furanos, na atmosfera. Um dos efeitos mais nocivos provocado por essas substncias txicas
a conhecida disrupo hormonal que propicia o surgimento de cncer sob suas vrias formas,
alm de afetar grandemente o sistema imunolgico e reprodutivo das espcies vivas.
Para minimizar a emisso dessas substncias a tendncia mundial utilizar, cada vez
mais, tecnologias de destruio trmica por meio de elevadas temperaturas, de forma a
neutralizar os componentes ativos, promovendo a inertizao e a vitrificao do resduo
ltimo. Essas novas tecnologias, utilizando o plasma como fonte energtica, oferecem uma
resposta adequada para essas aplicaes e podem complementar de maneira vantajosa os
processos convencionais de incinerao. A alta densidade de energia produzida, as altssimas
temperaturas alcanadas e a flexibilidade no controle dos gases plasmticos so algumas das
caractersticas bsicas do processo [Teixeira 2001]. No mais, a associao de sistemas de co-
gerao possibilita que grande parte da energia despendida no processo seja recuperada, sob
forma de vapor trmico e/ou na produo de gases de sntese que podero ser utilizados para o
acionamento de grupos eletrogneos ou, ainda, alimentar clulas a combustvel.
A UFRN - Universidade Federal do Rio Grande do Norte, atravs do seu programa
de ps-graduao em engenharia eltrica e de computao, sensibilizada e interessada pela
temtica do problema, props a implantao de um projeto experimental de tratamento dos
resduos industriais e efluentes petroqumicos por plasma trmico. Pela complexidade
envolvida no desenvolvimento desta nova tecnologia e o vulto de recursos financeiros
necessrios sua implantao, parcerias com demais instituies federais, estaduais,
municipais e empresas interessadas neste segmento de atividade foram propostas. Instituies
de fomento tecnolgico e mecanismos de financiamento foram identificados e solicitados para
que o projeto pudesse ser viabilizado em prazo definido, bem como instrumentos jurdicos
foram estabelecidos para formalizao das parcerias e definio das responsabilidades das
partes. Em decorrncia, uma proposta para a construo de uma planta de tratamento de
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resduos por plasma trmico foi submetida e aprovada pela FINEP Financiadora de Estudos
e Projetos [Salazar et al. 2003], com o objetivo de viabilizar a fase experimental do projeto.

1.3 Justificativa e Motivao
Em contraponto aos processos tradicionais de queima ou incinerao do lixo, que
produzem quantidades substanciais de cinzas, efluentes e gases como subproduto da
combusto, o tratamento por plasma trmico propicia a fuso, inertizao e vitrificao dos
resduos ltimos. As altssimas temperaturas alcanadas pelo jato de plasma provocam a
dissociao molecular dos resduos orgnicos em suas componentes bsicas. O produto
resultante uma escria inerte, estabilizada qumica e fisicamente, que no apresenta mais
nenhum risco para o meio ambiente. Esta escria slida pode ser ento disposta em aterros
sanitrios ou, ainda, reutilizada na pavimentao de caladas e ruas, e como material de
enchimento, na construo civil.
importante registrar que as tecnologias utilizando o plasma trmico como fonte de
calor esto ganhando cada vez mais importncia na sociedade moderna por oferecer um
tratamento limpo, definitivo, e que possibilita recuperao energtica do processo sob forma
de gazes ou, ainda, propicia a reciclagem de metais e outras ligas contidas nos resduos
processados. Uma das aplicaes imediatas desta tecnologia, no pas, poderia ser voltada, por
exemplo, para o tratamento e a recuperao de metais nobres e altamente poluentes contidos
em baterias, pilhas, lmpadas fluorescentes e algenas, catalisadores automotivos e outros, j
que, por lei, os seus fabricantes so obrigados a dar o tratamento adequado aos produtos
descartados.
H, ainda, o caso dos materiais e substncias radioativos utilizados em medicina e na
indstria em geral, que necessitam ser reciclados ou inertizados antes de sua disposio final,
por constituir um risco potencial sade da sociedade, e de cujos efeitos so de difcil
avaliao. Quem no se lembra do acidente ocorrido em Goinia, h cerca de 20 anos, com
uma cpsula de csio descartada inadvertidamente em um ferro velho.
Em fim, todos esses fatores somados contribuem para a contaminao lenta e
progressiva do subsolo e dos lenis freticos da regio onde so depositados os resduos,
pela ao dos metais pesados, sais e outros, o que, forosamente, conduzir a pesados
investimentos na captao de novos mananciais hdricos para abastecer a cidade.

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Apesar das ntidas vantagens oferecidas pelo processo de inertizao por plasma
trmico, no se deve esquecer de que se trata de uma tecnologia complexa e dispendiosa, que
deve ser empregada somente quando as demais tecnologias convencionais se revelam
ineficazes para alcanar os resultados requeridos. Assim, os critrios para sua aplicao
devem ser pautados no atendimento s normas [Governo Federal do Brasil 2003] emanadas
do CONAMA Conselho Nacional do Meio Ambiente, da ANVISA Agncia Nacional de
Vigilncia Sanitria, e da ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas, atravs das
Resolues, Recomendaes, NBRs e ISOs.
Assim, diante das diversas razes apresentadas, a possibilidade de contribuir para
minorar o impacto ambiental provocado pelo descarte inadequado de resduos altamente
poluentes e de aportar uma soluo tecnolgica efetiva para um problema que aflige a
sociedade constitua em si um forte fator motivador. Obviamente, a abordagem temtica do
problema extrapola os limites prticos desta tese de doutorado que objetiva, to somente, o
estudo de uma parte especfica do sistema de tratamento, a fonte RF e, mais propriamente, o
conversor ressonante CC/CA de alta freqncia.
Desta forma, para o escopo desta tese de doutorado, so abordados apenas os
aspectos da planta de tratamento voltados com maior enfoque para o combustor a plasma e,
particularmente fonte de alimentao RF, conversor ressonante de alta freqncia, sistema
de controle e instrumentao associada.

1.4 Objetivos e Enfoque
Este trabalho objetiva aportar uma contribuio efetiva ao desenvolvimento e
construo de conversores estticos de mdia potncia do tipo CC/CA, com capacidade
situada na casa das dezenas de kW, e operando em alta freqncia na casa da centena de kHz.
O conversor proposto arquitetado com base numa combinao modular de clulas
inversoras ressonantes a IGBTs, comutadas seqencialmente no tempo segundo a tcnica
sequential gate pulsing. Esta tcnica, alm de reduzir o estresse eltrico sofrido pelos
dispositivos de chaveamento, propicia o aumento da freqncia final de operao na razo
direta do nmero de clulas inversoras associadas, atravs do efeito de multiplexao. As
clulas inversoras empregam dispositivos IGBTs de potncia de ltima gerao produzidos
com tecnologia NPT (Non Punch Through), que proporciona maior velocidade de
chaveamento. Alm de incorporar tcnicas convencionais de comutao suave, so testados
novos padres de acionamento para reduzir as perdas de conduo, corte e recuperao
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reversa, estes baseados em tcnicas de comutao seqencial dos mdulos. Para verificar a
propriedade desta proposta, feita a modelagem dos principais elementos por meio da
ferramenta computacional MatLab/Simulink

de MATHWORKS

, bem como as diversas


topologias de circuitos e associaes de mdulos so simuladas, testadas, analisadas e
comparadas com auxlio do OrCAD/PSpice

de CADENCE

e do Proteus

de LABCENTER
ELECTRONICS

.
Assim, o trabalho pretende demonstrar a potencialidade proporcionada por esta nova
tcnica de comutao, investigar os possveis padres de chaveamento e seqncias de
acionamento e, com base nas indicaes obtidas, implementar o padro oferecendo o melhor
desempenho para o conversor ressonante proposto.
Acessoriamente, por constituir etapas fundamentais na produo de resultados, so
consideradas partes integrantes deste trabalho a caracterizao dos dispositivos IGBTs, no
tocante especificao dos pontos de operao das estruturas inversoras ressonantes, bem
como o estudo do comportamento da impedncia complexa apresentada pelo aplicador RF da
tocha ICTP (Inductively Coupled Thermal Plasma).

1.5 Apresentao e Organizao
Este trabalho organizado e apresentado em seis captulos, complementados por
apndices, anexos, diagramas e notas tcnicas, sendo:
O captulo 1 apresenta uma breve descrio dos problemas relacionados ao descarte
inadequado de resduos, dos aspectos histricos e contexto situacional, da motivao temtica
da proposio e dos objetivos do trabalho desenvolvido nesta tese.
O captulo 2 apresenta a descrio da planta de tratamento de resduos por plasma
trmico em fase de implantao na UFRN, de forma a situar o escopo e a finalidade do
trabalho. Esta descrio aborda, em especial, os diversos aspectos relacionados tocha de
plasma e fonte RF de alta freqncia, permitindo situar sua funo no ambiente de operao
da planta e compreender melhor a importncia do trabalho proposto. Serve, tambm, de
embasamento para a especificao e o dimensionamento do aplicador RF da tocha ICTP, o
qual parte integrante da carga ressonante.
O captulo 3 faz uma breve retrospectiva dos vrios tipos de conversores operando
em altas freqncias, bem como uma reviso das diversas topologias e tcnicas de controle
utilizadas em inversores ressonantes. Apresenta, tambm, a tcnica de modelagem aplicada ao
desenvolvimento do conversor ressonante proposto. So analisados, igualmente, os demais
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dispositivos auxiliares associados e suas interaes com o sistema principal. Embora no
sendo parte do estudo conduzido nesta tese, so apresentados, acessoriamente, e a ttulo
informativo, os mecanismos de surgimento e de sustentao dos plasmas trmicos.
O captulo 4 apresenta o projeto de desenvolvimento, o dimensionamento e a
implementao proposta para as estruturas inversoras ressonantes, a estratgia de comando
adotada e a atuao das malhas de controle. Apresenta, tambm, o dimensionamento do
transformador de impedncias e do aplicador RF da tocha ICTP por ser parte integrante da
carga ressonante. So tambm apresentados os resultados das simulaes relativas aos
diversos circuitos implementados, como forma de validar as proposies feitas.
O capitulo 5 apresenta os principais resultados experimentais do conversor
ressonante de alta freqncia e das diversas partes do sistema, com a resposta das malhas de
controle, obtidos at ento.
Finalmente, no captulo 6, so apresentadas as concluses gerais sobre os principais
aspectos tericos e prticos observados at o momento. Esses pontos constituiro marcos para
a complementao e a continuidade dos trabalhos apresentados, bem como, para a proposio
de novos trabalhos.
















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Captulo 2


Descrio da Planta de Tratamento de
Resduos por Plasma Trmico


2.1 Introduo
Embora no constitua o enfoque direto desta tese de doutorado, a descrio da planta
de tratamento de resduos industriais perigosos e efluentes petroqumicos por plasma trmico
justifica e embasa as razes segundo as quais o trabalho foi proposto. Desta forma, sero mais
facilmente entendidos os limites da aplicao, bem como as especificidades da tese proposta.
A definio dos principais elementos constituintes da planta de tratamento efetuada
com base no estudo inicialmente produzido, especificando os principais parmetros de
operao da planta e delimitando as condies de contorno do sistema. Por se tratar de uma
planta experimental de pequena capacidade adotado, para o processo termodinmico de
base, o tratamento dos resduos mediante simples destruio e dissociao dos componentes
orgnicos, com queima imediata dos gases produzidos, sem nenhum esquema de valorizao
energtica associado. Por outro lado, os resduos inorgnicos presentes so inertizados,
vitrificados e descartados, tambm sem incluir nenhum processo de reciclagem das
componentes metlicas e/ou cermicas. A partir da escolha do processo de tratamento foi
ento definida a arquitetura funcional para o projeto da planta de tratamento e dos diversos
subsistemas associados, bem como foi determinada a linha metodolgica a ser empregada na
modelagem e no dimensionamento dos principais elementos. Foi tambm realizado um estudo
para definir o custo aproximativo de construo da planta de tratamento de resduos e fornecer
os subsdios necessrios ao dimensionamento dos recursos financeiros.
Como ponto inicial de dimensionamento da planta especificado, como capacidade
diria de tratamento para uma jornada contnua de dez horas, o processamento integral de 250
kg de resduos plsticos industriais ou de 750 kg de efluentes petroqumicos com,
respectivamente, poder calorfico mdio de 30 kJ/kg e 10 kJ/kg. Esses valores energticos
conduzem utilizao de um conjunto tocha-combustor, para o processamento dos resduos,
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apresentando uma potncia eltrica equivalente de 50 kW. Fisicamente, a planta ocupa uma
rea til com cerca de 25 m
2
e alimentada por uma subestao eltrica do tipo trifsica sob
tenso de 380 V
CA
, com potncia instalada de 105 kVA. O processo de inertizao e
vitrificao empregado deve assegurar uma reduo no volume dos resduos orgnicos de, no
mnimo, 95 %, e no produzir quantidades de substncias txicas, como dioxinas e furanos,
acima dos padres de emisso preconizados pelas normas do MMA e da ANVISA.
Apesar de apresentar uma configurao inicial bem definida, o projeto da planta de
tratamento, pela sua concepo baseada em uma arquitetura modular, oferece um elevado
potencial evolutivo que permitir migrar, posteriormente, para o estudo de novos processos e
implantao de um esquema de co-gerao de energia eltrica.
Nos itens a seguir, apresenta-se uma descrio sucinta da planta de tratamento de
resduos por plasma trmico e dos principais subsistemas associados, que se encontra,
atualmente, em fase de implantao e teste na UFRN, e cuja construo foi viabilizada atravs
de financiamento da FINEP.

2.2 Descrio do Sistema
2.2.1 Arquitetura da planta
A planta experimental de tratamento constituda, basicamente, por um sistema de
carregamento e alimentao manual dos resduos, um reator principal a plasma operando
presso atmosfrica, uma tocha a plasma indutivo com fonte de alimentao RF de alta
freqncia, um sistema de refrigerao da tocha por gua circulante, um reator secundrio de
degaseificao e queima dos gases, um sistema de depurao e lavagem de particulados, e um
sistema de exausto e disperso de vapores na atmosfera [Nema et al. 2002]. A figura 2.1
apresentada a seguir ilustra, de forma simplificada, a arquitetura geral da planta.
O carregamento dos resduos slidos feito, manualmente, pela parte superior do
reator principal atravs de uma dupla porta do tipo corta-fogo, acionada por um atuador
pneumtico. A antecmara pressurizada por um pequeno fluxo de nitrognio, de forma a
prevenir qualquer risco de exploso durante a operao de carregamento dos resduos slidos.
Os efluentes lquidos so injetados diretamente no combustor a plasma por meio de um
sistema de pressurizao utilizando um compressor independente.
O reator a plasma principal constitudo por um recipiente metlico feito com chapa
de ao revestido, internamente, com material cermico refratrio, de forma a garantir o
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isolamento trmico com o ambiente externo. A cmara do reator principal oferece um volume
interno de, aproximadamente, 0,1 m
3
. Para assegurar a completa dissociao molecular do
material orgnico e a vitrificao dos resduos metlicos e/ou cermicos sob tratamento, a
temperatura mdia da cmara primria ajustada entre 1500 C e 1600 C. Uma porta corta-
fogo situada na parte mais inferior do reator, esta tambm acionada por um atuador
pneumtico, possibilita a remoo peridica da escoria inertizada e vitrificada proveniente dos
resduos no-orgnicos tratados.













A tocha a plasma utilizada pelo combustor do tipo indutivo, tecnologia inovadora
que oferece melhor controlabilidade da temperatura do reator [Ganguli et al. 2002] e, por no
possuir eletrodos metlicos internos, no contamina os eventuais gases de sntese produzidos
durante o processo de tratamento. Este tipo de tocha permite, ainda, devido sua estrutura
mecnica peculiar, a introduo axial dos gases e resduos a serem tratados, possibilitando
assim maior tempo de residncia na chama por operar com velocidade de exausto mais baixa
de que as tochas convencionais a arco CC. O corpo da tocha de plasma e o flange de fixao
so resfriados por meio de um fluxo circulante de gua de-ionizada e desmineralizada,
dimensionado para a aplicao. A tocha indutiva do reator principal alimentada por uma
fonte RF de alta freqncia operando na freqncia nominal de 400 kHz. Um sistema de
rastreio por PLL (Phase Locked Loop) excursiona em freqncia o ponto de operao, dentro
de uma faixa de 20 %. A adoo de uma freqncia de operao suficientemente baixa
permite a utilizao de um conversor ressonante de alto rendimento a IGBTs baseado em
Figura 2.1 Diagrama ilustrativo da planta de tratamento
Fonte RF e controle
Reator
principal
Tocha
RF
Reator
secundrio
Lavador
de
gases
Reservatrio
gua +
resfriamento
Bomba
Para chamin
Entrada de resduos
Queimador
Exaustor
Alimentador
Compressor
de ar
Escria
Sada
gases
gua
Ar
Corrente
RF
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novas tcnicas de comutao seqencial, em lugar dos tradicionais osciladores equipados com
tubos terminicos a vcuo. Ainda sim, a faixa de freqncia escolhida propicia uma
construo mecnica mais simples da tocha, com elementos constituintes de maiores
dimenses fsicas, notadamente no tocante ao indutor, bocal constritor e sistema de
refrigerao.
A fonte RF de alta freqncia constituda por uma estrutura retificadora CA/CC
formada por um estgio booster trifsico a IGBTs, com pr-regulador de carga para ajuste do
fator de potncia global, associada a um conversor ressonante CC/CA baseado em inversores
ressonantes produzindo uma corrente senoidal. O acionamento do conversor ressonante
CC/CA provido por um mdulo gerador de comando e controle construdo especificamente
para a aplicao. O conversor ressonante CC/CA excita o indutor da tocha a plasma por meio
de um transformador casador de impedncia resfriado por circulao de gua de-ionizada. O
transformador de impedncia propicia, adicionalmente, o necessrio isolamento galvnico
entre a rede eltrica da planta, fonte RF e tocha ICTP, uma vez que o retificador booster
alimentado diretamente pela rede. Todo o conjunto blindado para impedir o vazamento de
radiao eletromagntica para o exterior. O comando do retificador, a superviso de tarefas e
o controle das principais funcionalidades da fonte RF de alta freqncia so implementados
por um mdulo microprocessador DSP (Digital Signal Processor) dotado de porta serial para
comunicao remota com o microcomputador de processo. Assim, com base nos requisitos
operacionais gerados pelo computador de processo e a partir das demais informaes
provenientes das malhas de instrumentao, a fonte RF de alta freqncia ajusta o ponto de
operao da tocha e assegura a transferncia otimizada de energia RF ao plasma. A tocha a
plasma, constituda pelo aplicador RF e o capacitor de compensao, excitada no modo de
ressonncia srie, operando com potncia nominal de 50 kW.
A tocha usa, a princpio, uma mistura ar-nitrognio ajustada na proporo de 90 % de
ar para 10 % de nitrognio, injetada por um compressor de alta presso, para a gerao do
plasma. A opo por este tipo de mistura plasmtica se prende a fatores econmicos, uma vez
que o nitrognio um gs barato, de fcil aquisio no comrcio local. O fluxo da mistura ar-
nitrognio necessrio para garantir uma potncia de plasma excitado de 50 kW estimado em
10 l/min. O resfriamento auxiliar do tubo de confinamento da tocha provido por um fluxo de
argnio, com vazo de 60 l/min. [Venkatramani 2002]. Vlvulas automatizadas para
regulao dos fluxos de gases so controladas pelo programa principal do supervisrio de
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tratamento. Um sistema auxiliar de ignio por descarga de pulsos de alta tenso propicia a
partida da tocha de plasma, na fase inicial de operao do sistema.
O reator secundrio constitudo por um recipiente metlico cilndrico fechado, feito
com chapa de ao, sendo revestido internamente com material cermico refratrio, de forma a
garantir o isolamento trmico para com o ambiente gasoso. O volume interno apresentado
pela cmara corresponde a cerca de 1/3 do volume interno do reator primrio. Os gases
quentes produzidos por pirlise dos resduos no reator primrio, estes contendo grande
quantidade de hidrocarbonetos, monxido de carbono e hidrognio, ao penetrar na cmara
secundria onde encontram um ambiente rico em oxignio, so queimados a uma temperatura
de cerca de 1.200 C e se recombinam em CO
2
e H
2
O. Para que estas transformaes possam
ocorrer necessrio dimensionar fisicamente o reator de forma a garantir que o tempo de
residncia desses gases circulando na cmara secundria no seja inferior a 0,3 s.
O sistema de lavagem e depurao dos gases residuais constitudo por um
recipiente metlico cilndrico provido de um chuveirinho na extremidade superior, recebendo
um fluxo contnuo de gua pressurizada. A parede interna da parte inferior do recipiente de
lavagem onde so injetados os gases quentes provenientes da cmara secundria recoberta
com material cermico. A gua pulverizada proporciona o rpido resfriamento dos gases,
diminudo bruscamente sua temperatura de cerca de 1000 C para a temperatura ambiente e
evitando, assim, as reaes de recombinao. A gua aquecida pelos gases recolhida na base
inferior do recipiente para ser devolvida ao tanque de resfriamento. Uma bomba assegura o
ciclo contnuo de circulao da gua. Eventualmente, uma soluo de NaOH pode ser diluda
na gua, de forma a remover traos de HCl. De forma anloga, o recipiente foi dimensionado
fisicamente de maneira tal que o tempo de residncia dos gases, na cmara de lavagem e
depurao, seja suficiente para garantir o completo resfriamento dos mesmos.
O sistema de exausto e disperso constitudo por uma ventoinha do tipo centrfuga
e uma chamin. A ventoinha succiona os gases do sistema de tratamento, bem como, produz
uma pressurizao negativa no nvel do reator principal e da cmara secundria, retirando o
excesso de ar do processo. A chamin, por fim, conduz e dispersa o vapor de gua na
atmosfera.
Todo o controle do processo de tratamento, ajuste dos parmetros e monitorao das
condies de operao do sistema feito por um supervisrio rodando em LabVIEW

de
NATIONAL INSTRUMENTS CORPORATION

, sob plataforma Windows

NT. Dois
microcomputadores do tipo PC, ambos equipados com interface serial RS-232, so afetados
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ao monitoramento e superviso do sistema de tratamento. O ajuste das vlvulas de fluxo,
controle dos sensores de presso, temperatura, corrente e implementao de nveis de alarme
em pontos crticos do sistema so feitos por CLPs (Controladores de Lgica Programvel).

2.2.2 Tocha RF indutiva a plasma trmico ICTP
A escolha de uma tocha ICTP como gerador de plasma trmico resulta de uma
deciso de projeto, j que outros tipos de aplicadores a plasma, de estrutura e construo mais
simples, como as tochas de arco CC ou CA no transferido [Bonizzoni et al. 2002] poderiam
tambm ser utilizados para a aplicao proposta. O interesse especfico ligado ao
desenvolvimento deste tipo de tecnologia decorre do fato que a mesma poder ser estendida
vantajosamente, no futuro, ao processamento e gerao de gases de sntese associados a
esquemas de cogerao eltrica. Isto notadamente se justifica para a produo de hidrognio
de alta pureza que poder ser utilizado em motores a combusto interna acionando grupos
geradores, ou, ainda, em clulas a combustvel [Mauchien et al. 2002]. Assim, sob este
enfoque particular que deve ser entendida a escolha desta tecnologia.
Um dos segmentos do projeto consiste, ento, em desenvolver um dispositivo capaz
de gerar e transferir a maior quantidade possvel de calor ao material a ser tratado, e que
apresenta alto rendimento de converso eletro-trmica, com baixo custo operacional. Em
atendimento ao requisito de baixo custo operacional, escolha-se o ar seco pressurizado
enriquecido com nitrognio industrial como gs plasmtico [Abeele et al. 2001]. Embora o ar
seco, por ser composto de, aproximadamente, 20 % de oxignio e 80 % de nitrognio,
apresenta forte caracterstica oxidante, esta propriedade ter pouca influncia sobre o processo
final j que a tocha ICTP no possui eletrodos metlicos internos sendo erodidos pelo jato de
plasma, e cujos vapores poderiam contaminar eventuais gases de sntese. No projeto da tocha,
um dos fatores preponderantes relaciona-se potncia mnima necessria para sustentar a
descarga no plasma, uma vez que o ar, por ser uma molcula diatmica, apresenta um
potencial de ionizao elevado, da ordem de 15,76 eV, o que exige maior nvel de excitao
da fonte RF de alta freqncia.
A equao proposta na literatura por Saha (1932) e amplamente utilizada em
termodinmica, inter-relaciona esses fatores na transio do estado neutro para ionizado, uma
vez que a modelizao da tocha feita para o estado de equilbrio termodinmico local
[Rutberg 2002], chamado LTE (Local Thermodynamic Equilibrium), ou seja, num estado tal
que uma temperatura nica caracteriza todos os modos internos de energia do tomo excitado
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sejam eles, eletrnico, rotacional e vibracional. Assim, assumido que a temperatura global
de uma parte devida energia cintica dos eltrons e, de outra, energia do gs ionizado,
aproximadamente igual em conseqncia da condio de equilbrio trmico local. A figura 2.2
apresenta o grfico da distribuio radial de temperatura para estes trs modos de energia,
sejam eles, eletrnico, vibracional e rotacional, para o ar seco na condio LTE quando
excitado presso atmosfrica [Tafa 2001], gerando uma temperatura mxima no gs de,
aproximadamente, 0,8 eV, ou seja, 9.000 K.













Obviamente, temperaturas mais elevadas poderiam ser obtidas usando gases de maior
entalpia, mas os valores indicados correspondem escolha inicialmente feita, na fase de
definio do projeto. Outro importante fator a ser observado, no dimensionamento da tocha
ICTP, para que a freqncia de excitao aplicada ao campo eletromagntico seja inferior
freqncia eletrnica do plasma, esta diretamente dependente da densidade de eltrons por
unidade de volume. No caso especfico no existe esta possibilidade, pois a freqncia de
operao da tocha fixada 400 kHz encontra-se bem abaixo da freqncia eletrnica crtica do
plasma, naquelas condies de presso [Sakakibara et al. 2002]. A interao do campo
eletromagntico produzido pelo indutor com o plasma ocorre sobre uma superfcie
concntrica que determina uma camada na qual a energia RF amplamente absorvida,
refletida ou dispersa. Esta camada de interao propicia uma profundidade de penetrao
da energia, relacionada com a freqncia de radiao do campo eletromagntico, onde o
plasma apresenta uma condutncia eltrica , para uma permeabilidade magntica do
Figura 2.2 Perfil de temperatura das componentes do gs ar nos modos,
eletrnico, vibracional e rotacional em condio LTE. (Reproduzido do
documento: Optical diagnostics of atmospheric pressure air plasmas. TAFA Corp.

)
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meio. Para o caso considerado, na freqncia de 400 kHz e para o gs nitrognio
temperatura de 8000 K, a profundidade de penetrao de cerca de 25 mm. Esta interao
descrita matematicamente pelas equaes de Maxwell (1879) e pela equao de balano de
energia, onde o termo relativo absoro descrito pela lei de Ohm (1825) corresponde ao
aquecimento do plasma. O segundo termo corresponde emisso de radiao infravermelha e
ultravioleta, e os demais termos correspondem conduo axial e radial de calor [Tanaka et
al. 2002], e s perdas por difuso, respectivamente.
De forma prtica, para transferir a mxima quantidade de energia eletromagntica ao
meio, necessrio obter um coeficiente geomtrico k tal que o raio r da coluna de plasma
corresponda de 1,5 a 3 vezes a profundidade de penetrao . Isto conduz, para o caso
considerado na aplicao, utilizao de um tubo de confinamento de material cermico com
dimetro interno de 75 mm. A mxima eficincia de ionizao do volume de plasma obtida
com um indutor apresentando uma relao geomtrica entre dimetro D e comprimento L ,
de 1,5. Assim, o indutor constitudo por sete espiras feitas de tubo de cobre com dimetro
externo de 3/8 de polegada, espaadas de 5 mm [Fauchais et al. 1997]. O dimensionamento
final do aplicador RF da tocha ICTP obtido por modelagem e equacionamento matemtico,
para as condies de contorno estipuladas. Simulaes sero desenvolvidas, posteriormente,
para preditar os resultados e avaliar o potencial evolutivo do dispositivo para potncias
maiores. A figura 2.3, apresentada a seguir, mostra o corte de uma tocha ICTP.













Figura 2.3 Vista ilustrativa de uma tocha ICTP.
(Reproduzido parcialmente do documento: Optical diagnostics
of atmospheric pressure air plasmas. TAFA Corp.

)
Circulao de gua
para resfriamento
Bocal de exausto
Tubo de confinamento
Indutor
Injetor
de gs
Corpo da tocha
Base da tocha
_______________________________________________________________________18


________________________________________________________________________
Na fase inicial de operao da tocha ICTP necessrio ignitar o plasma at que a
descarga no mesmo possa se auto-sustentar [Liao 2002]. A maior dificuldade desta situao
decorre do importante volume de ar contido na antecmara da tocha, presso atmosfrica, e
do alto potencial de ruptura eltrica apresentado pelo ar. Na aplicao proposta, um sistema
de ignio provido de vela automotiva gerando descargas pulsantes de alta tenso auxilia a
fase de partida. O gerador de ignio construdo com base em dispositivos automotivos j
existentes no mercado comercial interno.
No mais, importante lembrar que as caractersticas eltricas do plasma, e por
conseqente a natureza da impedncia complexa refletida, dependem grandemente do tipo de
gs, da presso e vazo, da potncia de excitao e das condies de operao do reator.
Assim, para obter a mxima transferncia de potncia para a tocha ICTP necessrio que a
parte real da impedncia refletida pelo plasma
pl
R seja igual impedncia de sada da fonte
RF e que a parte complexa
pl
X se torne nula. Como esta condio dificilmente ocorre, ou no
se mantm estvel de forma permanente, preciso inserir um circuito de casamento. A
adaptao proporcionada por um transformador com ncleo de ferrite conectado ao
aplicador RF da tocha a plasma por meio de um capacitor de compensao. Seu valor
dimensionado para que o circuito formado pelo aplicador RF da tocha, este combinado por
sua vez com a indutncia refletida do plasma, ressone na freqncia nominal de 400 kHz,
cancelando assim as componentes reativas apresentadas pelo sistema. As variaes do ponto
de sintonia so rastreadas por um circuito PLL que define a freqncia de operao da fonte
RF, dentro de uma faixa de 100 kHz. A caracterstica de no casamento apresentado pela
tocha ICTP neste ponto, fora do regime de operao, utilizado para minimizar os elevados
transientes de sobre tenso provocados pelo fator de mrito do indutor da tocha, com reflexo
direto sobre o conversor ressonante CC/CA de alta freqncia.
O conjunto aplicador RF da tocha a plasma e transformador de adaptao so
integrados na forma de um bloco monoltico provido de um sistema de resfriamento por gua
circulante pressurizada, dimensionado para dissipar o calor produzido pelas perdas de
transmisso e de converso. Uma projeo preliminar do rendimento das diversas estruturas
conduz a uma expectativa de perdas da ordem de 1 % a 3 % para o transformador RF e de 25
% a 28 % para a tocha ICTP, servindo como elementos de base para o dimensionamento do
sistema de refrigerao.

_______________________________________________________________________19


________________________________________________________________________
O fluxo de ar plasmtico necessrio para transferir a potncia nominal de 50 kW
estimado entre 10 litros e 15 litros por minuto, s CNTP (Condies Normais de Temperatura
e Presso), determinando uma velocidade de exausto de 250 a 300 cm/s na sada do bocal da
tocha. Com base nestes valores, determinam-se as caractersticas do grupo compressor de ar
necessrio ao funcionamento do sistema, bem como para suprir a operao das vlvulas de
regulao de fluxo. Estima-se que o tempo de residncia na zona dos gases quentes, este
diretamente proporcional ao comprimento da coluna de plasma e velocidade de exausto, ser
de aproximadamente 70 ms.

2.2.3 Fonte RF de alta freqncia
A fonte RF de alta freqncia arquitetada sobre dois conversores de potncia,
sendo um do tipo retificador CA/CC com pr-regulador PFC (Power Factor Correction),
fornecendo uma tenso contnua no barramento de 750 V
CC
@ 75 A [Santos, 2009], e outro,
do tipo CC/CA de alta freqncia, entregando 50 kW de potncia, gerando, a partir da tenso
de barramento, a corrente senoidal RF necessria para a excitao da tocha ICTP.
A correo do fator de potncia da fonte RF necessria, pois a carga, composta
pelos inversores ressonantes e o aplicador RF da tocha ICTP, apresenta forte componente
reativa que puxa o fator de potncia para valores bastante baixos. A principio, pensou-se
utilizar um retificador trifsico no controlado, de estrutura mais simples, e implementar o
controle de potncia da tocha RF, bem como o ajuste do fator de potncia por meio de
tcnicas de modulao por densidade de pulsos, tambm chamado de PDM (Pulse Density
Modulation), atuando diretamente no padro de acionamento dos inversores. Esta soluo,
porm, foi descartada, pois produziria forosamente algumas seqncias longas de ciclos com
nulos na tenso RF de sada, o que poderia levar extino ou instabilidade do plasma, em
decorrncia de nveis de excitao inadequados. Ademais, sabido que esta tcnica produz
alto contedo harmnico na corrente de linha para padres de baixa densidade de modulao,
sendo fortemente dependente dos interstcios de quantizao estabelecidos. A soluo adotada
foi a de implementar o controle de potncia da tocha RF mediante ajuste da tenso CC de
barramento e realizar a correo do fator de potncia por sintetizao das correntes CA de
linha, com auxlio de um modulador PWM (Pulse Width Modulation) digital empregando a
modulao vetorial. Esta tcnica apresenta a vantagem de possibilitar um controle
extremamente preciso da tenso CC de barramento e, em conseqncia, da potncia fornecida
carga pelos inversores ressonantes, alm de manter a impedncia dinmica do retificador em
_______________________________________________________________________20


________________________________________________________________________
valores praticamente constantes. No mais, o estudo do retificador booster realizado em
trabalhos anteriores trouxe a fundamentao necessria para a implementao deste novo
sistema de controle. Assim, com base nos resultados obtidos em trabalhos paralelos, se pode
afirmar que a utilizao da tcnica de modulao vetorial aporte um real ganho no rendimento
da estrutura retificadora e facilite o atendimento s normas IEC 61000 quanto emisso de
harmnicos, quantidade de distoro produzida e limites de interferncia eletromagntica,
chamada EMI (ElectroMagnetic Interference), conduzida e/ou irradiada nas linhas de
alimentao.
O conversor CA/CC constitudo por um retificador booster formado por uma ponte
trifsica a IGBTs com diodos reversos incorporados, equipada com mdulos excitadores. O
conjunto montado sobre um bloco dissipador resfriado por um fluxo de ar forado. Para
minimizar as perdas engendradas nos IGBTs e diodos, o chaveamento feito na freqncia de
10 kHz segundo um padro de comutao suave empregando tcnicas ZCS (Zero Current
Switching). Os indutores booster, com indutncia de 1 mH e capacidade de corrente para 100
A, so constitudos por um ncleo de ferro laminado do tipo C com gro orientado, de baixas
perdas. A gerao dos comandos para acionamento dos IGBTs, estratgia de controle e
processamento dos diversos sinais de controle feito por um mdulo microcontrolador DSP
da famlia TMS320F2800, de TEXAS INSTRUMENTS INC.

. Adicionalmente, o mdulo
DSP implementa as diversas funcionalidades requeridas pelo retificador, bem como executa a
superviso dos diversos parmetros de operao. A interconexo entre o DSP e os mdulos de
excitao feita por fibra ptica, de forma a eliminar possveis interferncias induzidas por
EMI nas linhas de comando. A comunicao do mdulo DSP com o supervisrio de processo
feita por uma porta de comunicao serial, no padro RS-232C. Esta porta de comunicao
serial, conectada ao microcomputador PC do supervisrio de processo, possibilita programar
os parmetros de operao e de superviso do sistema.
O conversor ressonante CC/CA de alta freqncia arquitetado sobre quatro clulas
inversoras ressonantes em ponte completa de 50 kW cada, agrupadas em configurao
paralela. Um transformador RF, inserido entre conversor ressonante CC/CA e carga, isola
galvanicamente a tocha RF da rede de energia eltrica, eliminando possvel risco de
eletrocusso e provendo a necessria adaptao de impedncia com a tocha. As pontes
inversoras so equipadas com dispositivos IGBTs de terceira gerao e tecnologia NPT (Non
Punch Through), que oferecem substancial reduo das perdas de comutao e incorporam
diodos reversos rpidos, para circulao das correntes de retorno. O conjunto de chaves
_______________________________________________________________________21


________________________________________________________________________
montado sobre um bloco dissipador em alumnio resfriado por um fluxo de ar forado que
acomoda, tambm, os mdulos excitadores. A gerao dos comandos para acionamento dos
IGBTs, estratgia de controle, seqenciamento dos mdulos inversores e processamento dos
diversos sinais de controle provido por um mdulo de comando e proteo especificamente
desenvolvido para a aplicao. Toda a interconexo necessria entre o mdulo de comando e
controle e os mdulos de excitao feita por links de fibra ptica, eliminando assim
possveis interferncias induzidas por EMI nas linhas de comando. O chaveamento dos IGBTs
das pontes feito segundo um padro de comutao suave empregando tcnicas ZVS de
forma a minimizar as perdas de comutao. A estratgia de comando apresentada e discutida
em detalhes mais adiante, nos captulos 3 e 4.
Fisicamente, a fonte RF de alta freqncia integrada em dois armrios metlicos,
no padro de 19 polegadas, com 24 unidades de altura. alimentada por uma rede trifsica de
380 V
CA
/ 100 A, e dispe de diversas funcionalidades auxiliares, tais como, acionamento e
proteo de circuitos associados, e medio e monitorao dos principais parmetros
operacionais. A figura 2.4 apresenta uma vista parcial da fonte RF de alta freqncia
composta de seus dois conversores.














A estrutura modular adotada na concepo do projeto e na construo da fonte RF de
alta freqncia possibilitar que sejam feitas, posteriormente, novas associaes de mdulos
de forma a obter nveis de potncia mais elevados para equipar plantas de maior capacidade.
Figura 2.4 Vista parcial da fonte RF
Armrio do
conversor
CA/CC
Armrio do
conversor
CC/CA
Retificador
com PFC Mdulos
inversores
ressonantes
Mdulo de
proteo e
comando
_______________________________________________________________________22


________________________________________________________________________
2.2.4 Demais subsistemas
Os demais subsistemas, como a unidade de refrigerao da tocha ICTP, a unidade de
pressurizao, a unidade compressora, etc., embora sejam partes integrantes da planta de
tratamento de resduos por plasma trmico, no sero mais abordados nesta tese por no
apresentar um vnculo funcional direto com o conversor ressonante CC/CA.
De forma anloga, a instrumentao, o controle da planta, o sistema supervisrio,
bem como o conjunto constitudo pelos diversos dispositivos de proteo no so
apresentados por terem sido objeto de outra tese em separado [Guimares 2009].

2.3 Caracterizao e Anlise do Processo Trmico
Para caracterizar a eficincia eltrica da tocha ICTP e da fonte RF de alta freqncia
necessrio estabelecer o balano energtico global da planta de tratamento de resduos
[Abeele et al. 2001]. Esses ensaios sero conduzidos e realizados posteriormente, em parceria,
pelo Departamento de Engenharia Eltrica da UFRN e pelo Laboratrio de Eletrnica de
Potncia do INPE/CRN.
Por outro lado, amostras de escria vitrificada sero recolhidas na sada do reator a
plasma e analisadas, de forma a caracterizar a natureza e o teor dos componentes residuais
existentes nas mesmas.
Amostras de gases tambm sero coletadas na sada da cmara secundria para
estabelecer os nveis residuais de cada composto orgnico e determinar os ndices de
eficincia de remoo e destruio final proporcionados pelo processo, chamados de DREs
(Destruction and Removal Efficiency), bem como verificar sua conformidade com as normas
ambientais vigentes. Essas anlises sero tambm realizadas, posteriormente, pelo
Departamento de Engenharia Qumica da UFRN ou, eventualmente, por laboratrio
independente especializado.

2.4 Concluses
Este captulo apresentou a arquitetura funcional e a estrutura da planta de tratamento
de resduos, bem como descreveu os principais subsistemas que a compe. Descreveu,
tambm, os mecanismos de surgimento e as condies de sustentao do plasma. Embora no
estando diretamente no cerne desta tese, a descrio da planta de inertizao de resduos
serviu para situar o contexto e a aplicabilidade do trabalho proposto, possibilitando ao leitor
_______________________________________________________________________23


________________________________________________________________________
entender a inter-relao existente entre a fonte RF de alta freqncia, o conversor ressonante
de alta freqncia e as especificidades de seu regime de operao com as demais partes do
sistema.
Outro ponto de importncia abordado neste captulo a descrio da tocha ICTP,
apresentando os critrios adotados para o seu projeto e dimensionamento, uma vez que o
aplicador RF que a constitui parte integrante da carga do conversor ressonante CC/CA.
Como as caractersticas do aplicador RF so fortemente dependentes dos parmetros inferidos
pela coluna de plasma e do seu regime de operao, atravs da indutncia e resistncia
refletidas, de suma importncia caracterizar esses mecanismos de interao, uma vez que
representam fatores determinantes para a definio e o dimensionamento do prprio conversor
ressonante.





















___________________________________________________________________________
Captulo 3


Conversor Ressonante de Alta Freqncia -
Estudo de Topologias, Modelagem e
Tcnicas de Controle


3.1 Introduo
Diversos tipos de geradores ou de conversores RF so utilizados na excitao de
tochas ICTP, dependendo da freqncia e potncia de operao requerida. Pelo menos dois
grupos principais de estruturas, usando conceitos sistmicos distintos de gerao e/ou de
converso, podem ser classificados e caracterizados como segue:
a) Um primeiro grupo, geralmente denominado de geradores de altas freqncias
[Kinn 1945] ou geradores RF, formado por estruturas osciladoras operando em baixo, mdio
ou alto nvel de potncia. Essas estruturas oscilam segundo uma lei de varincia senoidal ou
pseudo-senoidal engendrada pela excitao de um circuito LC operando na ressonncia ou,
ainda, mediante sintetizao discreta de freqncia. Esses osciladores ou sintetizadores so
normalmente seguidos por um ou vrios estgios de amplificao, podendo ser lineares ou
no, para obteno do nvel final de potncia desejado. Os principais dispositivos eletrnicos
que equipam essas estruturas osciladoras so as vlvulas terminicas e os tubos industriais a
vcuo, ambos podendo operar numa extensa faixa de freqncia e potncia, da ordem de
alguns poucos MHz a vrias centenas de MHz, bem como de algumas dezenas de W at
centenas de kW. Ainda encontram-se os klystrons, os magntrons e os tubos a ondas
progressivas TWT (Traveling Wave Tube) que, atravs dos elementos ressonantes formados
por seus eletrodos e cavidades internas, operam em freqncias bem mais altas, da ordem de
GHz, embora numa faixa de potncia geralmente mais baixa. Contudo, a principal limitao
apresentada por todos esses dispositivos a vcuo, onde o processo de transferncia de energia
decorre da conduo eltrica propiciada por um feixe eletrnico, refere-se ao baixo
rendimento de converso [Chauveau 1998] que, dependendo da classe de amplificao
_______________________________________________________________________25


________________________________________________________________________
utilizada, na prtica no passa dos 60 %. No mais, esses dispositivos, por possuir eletrodos
internos consumidos pelo processo de gerao terminica, apresentam um ciclo de vida
relativamente curto, da ordem de 1.000 a 5.000 horas, ao fim do qual devem ser substitudos
ou recondicionados. Ainda requerem, para o seu correto funcionamento, complexos sistemas
de resfriamento para dissipar as altas perdas trmicas engendradas nos seus eletrodos.
De forma anloga, os dispositivos semicondutores so pouco usados, pois, quando
utilizados em estruturas geradoras configuradas em osciladores ou amplificadores, sofrem das
mesmas limitaes de rendimento, dependendo da classe de amplificao empregada, sem,
portanto, apresentar nveis de potncia equivalentes ao das vlvulas de vcuo, no estado atual
da tecnologia.
Em sntese, todos os geradores de alta freqncia ou geradores RF constitudos por
estruturas osciladoras e amplificadoras apresentam um rendimento relativamente baixo, para
as diversas classes de operao possveis e, por esta razo, so pouco empregados como
geradores de alta potncia.
b) Um segundo grupo, composto por conversores estticos CC/CA de alta
freqncia, empregando estruturas de chaveamento que manejam a potncia final requerida
mediante um processo direto de converso e no mais por meio de um processo de
amplificao sucessiva, sendo mais comumente denominados de inversores RF. Esses
inversores geralmente incorporam diversos dispositivos de auxlio comutao, privilegiando
as transies nos modos ressonantes, no sentido de atenuar os surtos de corrente e/ou de
tenso e, assim, possibilitar o aumento da freqncia de operao e a reduo das perdas por
efeito Joule. Os principais dispositivos utilizados na comutao so os bem conhecidos
tiristores e GTOs (Gate Turn-Off thyristors), capazes de operar com correntes e tenses de
magnitude extremamente elevadas, at da ordem de kA e de kV [Brown 1998], porm com
freqncias de chaveamento limitadas a alguns kHz. Mais recentemente, surgiram os IGBTs
que operam quase nesta mesma faixa de potncia, porm numa faixa de freqncias mais
elevada, esta da ordem de dezenas de kHz. Nestas ltimas duas dcadas, em especial, grande
esforo tem sido dispensado pelas instituies e laboratrios de pesquisas no desenvolvimento
de conversores a IGBTs utilizando os modos ressonantes para auxiliar a comutao. Estas
novas tcnicas de comutao suave ampliam consideravelmente os limites de utilizao
desses dispositivos, possibilitando aplicaes que aumentam em 3 ou 4 vezes a freqncia de
comutao obtida no modo no suave. H ainda, os transistores MOSFETs (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistors) e SITs (Static Induction Transistors) [Sheng et al.
_______________________________________________________________________26


________________________________________________________________________
2000] de potncia, operando na faixa de centenas de kHz at alguns MHz, embora apresentem
maiores limitaes nas caractersticas de corrente e tenso, restringindo assim a potncia total
manejada a uns poucos kW.
A figura 3.1 ilustra possveis faixas hipotticas de rendimento tpico para geradores
RF e conversores RF, para uma mesma gama de aplicaes, ressaltando as diferenas de
rendimento para os dois tipos de tecnologias apresentados.












Diante do panorama tecnolgico investigado, os dispositivos dos tipos MOSFETs e
SITs de potncia apresentados neste segundo grupo poderiam, aparentemente, parecer mais
adequados para a aplicao proposta [Blake et al. 2001], sobretudo no tocante s
caractersticas de chaveamento em altas freqncias e de rendimento. Contudo, para alcanar
o nvel de potncia requerido pela aplicao proposta, seria necessrio associar vrios
mdulos em paralelo uma vez que a potncia manejada por cada mdulo empregando esta
tecnologia dificilmente ultrapassa os 15 kW, nesta faixa de freqncia. Surgem, tambm,
outras dificuldades de ordem tecnolgica relacionadas ao acionamento do dispositivo na zona
de comutao, devido alta capacitncia da porta de controle. Outro importante fator
limitante associado a esses dispositivos a baixa tolerabilidade a surtos e transientes de
tenso e, em ltimo caso, ao seu preo bastante elevado, se comparado dispositivos IGBTs
com igual capacidade de manejo de potncia.
Frente a este amplo leque de restries, partiu-se ento em busca de uma nova
tecnologia que no apresentasse os inconvenientes enumerados. Assim, a pesquisa foi
orientada para o estudo de sistemas inversores ressonantes empregando estruturas modulares
Fig. 3.1 Rendimento tpico de fontes RF: (a) com vlvulas; (b) com IGBTs
Potncia da
fonte CC
(100%)
Pot. RF transf.
(40%)
Perdas osc. +
calor dissip.
(60%)
Tocha ICP
(35%)
Perdas no
Indutor (5%)
Sistema com gerador
de RF (com vlvula)
ICTP em 4MHz
(a)
Potncia da
fonte CC
(100%)
Potncia RF
transferida
(85%)
Tocha ICP
(83%)
Perdas conv. +
calor dissip.
(15%)
Perdas no
Indutor (2%)
Sistema com inversores
ressonantes (IGBTs)
ICTP em 400kHz
(b)
_______________________________________________________________________27


________________________________________________________________________
com comutao seqencial, tecnologia incipiente e inovadora que possibilita estender a faixa
de utilizao dos IGBTs em at vrias centenas de kHz. Este avano foi possvel graas a um
novo arranjo topolgico do conversor ressonante e ao aproveitamento de algumas das
propriedades intrnsecas apresentadas pelos IGBTs da nova famlia NPT [Francis et al. 2003].
Esta nova famlia de dispositivos construda sobre uma delgada pastilha de silcio na qual a
espessura do substrato foi substancialmente reduzida, possibilitando correspondente
diminuio na dopagem da juno p
+
. Esta reduo da espessura associada diminuio da
dopagem do material semicondutor permite diminuir o tempo de recuperao no corte, ou
seja, no turn-off, provocado pela recombinao dos portadores de carga na juno de emissor
e, assim, conferir maior velocidade de comutao ao dispositivo. No mais, esses novos
dispositivos [Hesper et al. 2003] atendem plenamente aos critrios de baixo custo, robustez
eltrica e alta tolerabilidade a falhas, requisitos inicialmente fixados como metas de projeto.
A ttulo de ilustrao, a figura 3.2 apresenta um mapa de aplicao para as diversas
famlias de semicondutores de potncia usadas em inversores.












Com base na possibilidade de extenso dos limites operativos dos IGBTs do tipo NPT
associada a novas tcnicas de acionamento, proposto o desenvolvimento de um conversor
CC/CA de alta freqncia empregando este conceito inovador de estrutura, baseada em
inversores ressonantes. Tambm, para efeito de simplificao de nomenclatura, o conversor
ressonante CC/CA de alta freqncia doravante passar tambm a ser denominado de
conversor ressonante de alta freqncia e os mdulos que o compe de clulas inversoras
ressonantes.
Fig. 3.2 Mapa de aplicaes de semicondutores em inversores
0,1
1
10
100
1000
10 100 1.000 10.000
Potncia de sada
(kW)
Freqncia
(kHz)
MOSFET
TRANSISTOR
TIRISTOR
IGBT
_______________________________________________________________________28


________________________________________________________________________
Nas sees a seguir, apresentado um estudo sobre conceituao de inversores
ressonantes e das possveis topologias empregadas para a conexo de mdulos. Apresenta-se,
tambm, uma tcnica de modelagem empregando o mtodo da funo descritiva estendida
que, alm de descrever o sistema, propicia um melhor ambiente de simulao. Este mtodo
ser ento utilizado no desenvolvimento desta tese para modelar a planta. Diversas simulaes
utilizando as ferramentas computacionais Matlab

, Simulink

e PSpice

so efetuadas para a
predio de resultados.

3.2 Conceito de Comutao Seqencial em Alta Freqncia
Com base no estudo dos diversos dispositivos apresentados no pargrafo anterior e
nos critrios que nortearam a escolha da estrutura inversora a IGBTs em ponte completa,
feita uma reviso sucinta das diversas topologias e possveis associaes entre mdulos.
Apresenta-se, tambm, a tcnica de acionamento seqencial de inversores (sequential gate
pulsing) empregada para aumentar a freqncia de operao final do conjunto.

3.2.1 Princpio de funcionamento
A associao de mdulos inversores, embora constitua uma tcnica comumente
empregada para elevar o nvel de potncia total de um sistema ao valor nominal requerido,
pode ser tambm utilizada para aumentar a freqncia da corrente e/ou da tenso fornecida
por essas estruturas, aplicando o princpio de simetria e reciprocidade. Considerando que a
indstria manufatureira de semicondutores produz, atualmente, dispositivos IGBTs de
potncia para comutao rpida, possvel construir inversores ressonantes operando na faixa
da centena de kHz e de kW. ento possvel arquitetar novas estruturas conversoras de alta
freqncia apresentando essas caractersticas, lanando mo de tcnicas de comutao
apropriadas [Zied et al. 2001].
Assim, para exemplificar essas possibilidades, dispondo de quatro mdulos
inversores de caractersticas idnticas com potncia unitria de 50 kW, operando na freqncia
de chaveamento de 100 kHz, possvel fazer trs associaes distintas, para:
a) Obter um conjunto conversor ressonante formado por quatro mdulos inversores
de 50 kW / 100 kHz cada, associados de forma a somar as potncias fornecidas por cada um
deles, produzindo assim uma potncia total de 200 kW e operando na freqncia de 100 kHz.
_______________________________________________________________________29


________________________________________________________________________
b) Obter um conjunto conversor ressonante formado por quatro mdulos inversores
de 50 kW / 100 kHz cada, agrupados dois a dois, segundo uma configurao somadora e
seqencial, e produzindo uma potncia total de 100 kW, operando na freqncia de 200 kHz.
c) Finalmente, obter um conjunto conversor ressonante formado por quatro
mdulos inversores de 50 kW / 100 kHz cada, acionados de forma seqencial, produzindo uma
potncia total de 50 kW, na freqncia de 400 kHz.
A figura 3.3, apresentada a seguir, ilustra graficamente as diversas possibilidades de
arranjo entre os mdulos inversores, seja de forma a aumentar a potncia e/ou a freqncia.











Graficamente, possvel visualizar os trs arranjos e entender de forma intuitiva este
conceito para as diversas associaes possveis. Obviamente, esta ltima configurao
utilizando o conceito de soma de freqncia atravs do acionamento seqencial dos mdulos
inversores que foi empregada, sendo objeto do estudo e desenvolvimento proposto nesta tese.
Esta nova topologia permite operar em freqncias mais elevadas a partir de dispositivos
apresentando, individualmente, limites de operao mais severos. A quantidade de inversores
podendo ser associados para aumentar a freqncia limitada, na prtica, pelo tempo de corte,
off
t , apresentado por cada um dos braos das clulas inversoras. No atual estado da
tecnologia, os IGBTs de potncia do tipo NPT apresentam um
off
t mnimo de 200 a 300 ns, e
a quantidade de clulas n definida, empiricamente, para que 4
off on
t t , o que corresponde
a um limite prtico de freqncia de 500 kHz, obtido com 4 ou 5 clulas inversoras.
De forma geral, os mdulos inversores podem ser alimentados por uma fonte de
tenso constante VSI (Voltage Switching Inverter), ou de corrente constante CSI (Current
Figura 3.3 Sistema modular de conversores
Mdulo
50kW/100kHz
Mdulo
50kW/100kHz
Mdulo
50kW/100kHz
Mdulo
50kW/100kHz
Mdulo
50kW/100kHz
Mdulo
50kW/100kHz
Mdulo
50kW/100kHz
P
O
T

N
C
I
A
FREQUNCIA
F (kHz)
P (kW)
_______________________________________________________________________30


________________________________________________________________________
Switching Inverter), sendo que ambas as configuraes podem operar, respectivamente, nas
ressonncias srie e paralela da carga, representadas pelo conjunto transformador, indutor da
tocha e capacitor de compensao [Dede et al. 1993]. As estratgias de comutao
normalmente implementadas utilizam tcnicas de comutao suave, com o chaveamento dos
dispositivos na transio pelos zeros de tenso, para os inversores do tipo VSI, e na transio
de corrente nula, para os inversores do tipo CSI. Assim, para satisfazer estas condies, nos
inversores CSI o modo de comutao capacitivo, dominado pelas perdas no acionamento
(turn-on) dos IGBTs, enquanto nos inversores VSI, o modo de comutao indutivo,
dominado pelas perdas no corte (turn-off) dos IGBTs. Ainda sim, os inversores CSI
necessitam de um diodo em srie com cada IGBT para assegurar o bloqueio da corrente, no
semi-ciclo reverso. Esta configurao apresenta assim uma perda de conduo maior, pois, no
meio-ciclo direto, este diodo tambm percorrido pela corrente de carga. Para freqncias de
operao mais elevadas o inversor CSI tende a apresentar problemas na recuperao reversa,
principalmente se os diodos no forem de chaveamento rpido e o modo de operao ZCS
perfeitamente estabelecido. Nesta topologia, a corrente circulando na carga e apresentada pelo
circuito ressonante quadrada, enquanto a tenso resultante senoidal. Pelas restries
elencadas, os inversores com fonte de corrente CSI so geralmente empregados em aplicaes
que operam com baixas freqncias de chaveamento. Por isto, um conversor pouco
empregado e, doravante, nosso estudo incidir apenas sobre o inversor VSI operando com
estratgia de comutao no modo ZVS.
A figura 3.4 apresenta, a seguir, possveis configuraes de inversores ressonantes
dos tipos VSI e CSI com as cargas ressonantes associadas em srie e em paralelo,
respectivamente usadas em estratgias de comutao suave ZVS e ZCS.










Fig. 3.4 Configuraes de inversores: (a) Tipo VSI; (b) Tipo CSI
(b)
U
1

I
1

t
U
1

Carga ressonante
+V
CC

C
CC

Clula inversora
I
1

U
1

I
1
t
+V
CC

L
CC

Clula inversora Carga ressonante
U
1

I
1

(a)
_______________________________________________________________________31


________________________________________________________________________
Nos IGBTs, medida que a freqncia de chaveamento aumenta, as perdas
produzidas durante o instante do corte (turn-off) das chaves se tornam dominantes, superando
at as perdas de conduo e as observadas no instante do acionamento (turn-on) [Schnknecht
et al. 2002]. necessrio ento propiciar um caminho alternativo para que a carga acumulada
na capacitncia da juno seja escoada rapidamente. Esta funo suprida pelo diodo de roda
livre, chamado de free-wheeling diode, conectado em paralelo com o IGBT, o qual deve
apresentar caractersticas de comutao e recuperao rpidas. Por outro lado, diversas
tcnicas para reduzir as perdas so utilizadas, seja subutilizando a capacidade de manejo e/ou
lanando mo das propriedades intrnsecas dos dispositivos. Neste escopo, tcnicas de
destressing so normalmente empregadas para reduzir a fadiga eltrica imposta ao
dispositivo, de forma a melhor manejar e diminuir as perdas de chaveamento. Mesmo assim,
as perdas tendem a aumentar com a elevao da freqncia e os limites de temperatura de
operao so rapidamente ultrapassados. Ensaios efetuados em IGBTs de potncia da famlia
NPT mostram que, enquanto as perdas de conduo e de acionamento (turn-on) crescem
linearmente com a corrente drenada, as perdas no corte (turn-off) no variam linearmente na
mesma proporo com o aumento de corrente, crescendo de forma diferenciada. Verifica-se
que so proporcionalmente maiores para correntes de baixa intensidade do que para correntes
altas.
A figura 3.5, apresentada a seguir, ilustra este padro de comportamento para um
IGBT de potncia do tipo FF200 de EUPEC / INFINEON TECHNOLOGIES

[Kleveland et
al. 2000], em alta freqncia.












Fig. 3.5 Comportamento das perdas de conduo,
no corte e na comutao para o IGBT FF200.
(Grfico reproduzido do datasheet do IGBT FF200. EUPEC Corp.

)
_______________________________________________________________________32


________________________________________________________________________
Isto demonstra claramente que, subutilizar a capacidade de manejo de corrente de um
dispositivo IGBT de potncia, em alta freqncia, no necessariamente o melhor caminho
para reduzir a fadiga eltrica, como intuitivamente poderia o parecer.
Por outro lado, verifica-se que, no chaveamento de IGBTs em altas freqncias, a
soma das perdas engendradas no pico de corrente passa a ser muito maior do que a capacidade
de dissipao trmica intrnseca do mdulo, mesmo este sendo equipado com circuito de
refrigerao. No mais, h ainda o calor produzido na porta (gate) do IGBT pelo sinal de
excitao que, nas altas freqncias, ultrapassa a capacidade de dissipao da juno. Um
novo mtodo pode ento ser utilizado, complementarmente, para diminuir essas perdas
[kleveland et al. 2000]: o da reduo da corrente mdia, por derating de corrente na carga,
mediante implementao da tcnica de chaveamento seqencial (sequencial gate pulsing) que,
aplicada aos vrios dispositivos IGBTs, diminui a freqncia efetiva de comutao.
Adicionalmente, a tcnica de chaveamento seqencial apresenta ainda uma vantagem, pois ir
requerer menor potncia para a excitao das portas das clulas inversoras, uma vez que
operam com um ciclo de freqncia mais baixa.














Lanando mo dessas tcnicas, a reduo da fadiga eltrica obtida pelo chaveamento
seqencial possibilita que os IGBTs operem, em intervalos curtos, com correntes bem mais
elevadas de que se fossem comutados a cada perodo, uma vez que cada seo tem
participao efetiva somente em 1/N perodos. Para o caso estudado nesta tese, so utilizados
Fig. 3.6 Diagrama de chaveamento seqencial dos mdulos inversores
Tenso
de sada
Corrente
de sada
Corrente
seo 1
Corrente
seo 2
Corrente
seo 3
Corrente
seo 4
Inversor 1
Inversor 2
Inversor 4
Circuito ressonante
e carga
_______________________________________________________________________33


________________________________________________________________________
quatro inversores com potncia nominal unitria de 50 kW, operando na freqncia de 100
kHz, com carga ressonante sintonizada em 400 kHz. Nesta freqncia, a durao de um meio
ciclo de corrente na carga de 1,25 . Nessas condies, a transio da tenso de sada dever
ocorrer em, no mximo 100 ns. Assumindo no barramento CC uma tenso de 750 V
CC
, o
gradiente de tenso a ser provido pelo IGBT de 7,5 kV / s. Este valor ser utilizado,
inclusive, para o dimensionamento dos mdulos de excitao. Desta forma, fica evidenciado
que, acionando os inversores ressonantes segundo um padro seqencial e sincronizado,
possvel obter, na sada, uma tenso alternada quadrada com freqncia resultante quatro
vezes superior a da freqncia qual cada inversor est operando, individualmente.
A seqncia simplificada de acionamento das clulas inversoras proposta por este
mtodo apresentada na figura 3.6. Em sntese, estas tcnicas de destressing e derating
proporcionam um alvio da fadiga eltrica, bem como suavizam as condies de
funcionamento dos mdulos de excitao, mediante a reduo da freqncia efetiva de
comutao das chaves.

3.2.2 Associao de mdulos inversores
A associao de mdulos inversores com comutao seqencial pode ser feito de
diversas formas para somar freqncia e potncia na sada, dependendo da necessidade ou
aplicao requerida. Esquemas com conexo das sadas em paralelo, srie ou mista [Stier et
al. 2002] so normalmente utilizados, conforme ilustrado pela figura 3.7.













Fig. 3.7 Arranjo de mdulos: (a) configurao paralela; (b) configurao srie
(a)
Mdulo 1
Mdulo 4
Carga ressonante
50 kW
400 kHz
(b)
Mdulo 4
Mdulo 1
Carga ressonante
50 kW
400 kHz
_______________________________________________________________________34


________________________________________________________________________
A principal vantagem proporcionada pela ligao paralela que a corrente circula
apenas na clula inversora ativa durante a parte do ciclo do qual contribui, enquanto os IGBTs
dos outros mdulos esto bloqueados. Em seguida, a contribuio fornecida pelo prximo
mdulo inversor e, assim, sucessivamente, pelos demais at completar uma seqncia de
comutao, quando o ciclo se repete. Esta configurao requer uma sincronia perfeita entre os
diversos sinais de comando e excitao, pois, jamais, dois ou mais dispositivos IGBTs podem
ser acionados simultaneamente.
Na conexo srie, a corrente da carga ressonante circula por todos os mdulos
inversores, estejam contribuindo ou no naquela parte do ciclo, aumentando assim as perdas
de conduo. Como somente um mdulo inversor contribui efetivamente a cada vez, a
corrente de retorno obrigada a circular tambm pelos diodos chamados de free-wheling
diodes dos demais mdulos. Da mesma forma, em seguida, a contribuio fornecida pelo
prximo mdulo, e assim, sucessivamente, at completar o ciclo. Nesta configurao, todas as
seqncias de comutao no modo ZVS se referem, exclusivamente, ao mdulo inversor
contribuindo, possibilitando a utilizao de controles independentes em cada mdulo.
Assim, cada alternativa de conexo, seja em srie ou paralelo, apresenta as suas
especificidades, vantagens e restries. Para o desenvolvimento proposto nesta tese, em
funo do estudo investigativo conduzido preliminarmente, adotou-se a configurao paralela
por apresentar o melhor compromisso entre perdas, facilidades na implementao prtica da
topologia proposta para o conversor ressonante, e por requerer a utilizao de um nico
transformador RF de adaptao de impedncias.

3.2.3 Controle de potncia em mdulos inversores
Existem vrios mtodos para controlar a potncia de sada de um mdulo inversor.
Os mais utilizados so:
a) Por variao da tenso no barramento CC. Para isto, necessrio que o
retificador que fornece a tenso CC de barramento seja do tipo controlado. Este mtodo
simples e eficaz, embora imponha maior complexidade ao retificador, possibilita a operao
do conversor ressonante no modo ZVS em ampla faixa dinmica de variao da carga, com
um mnimo de perdas.
b) Por variao da freqncia de chaveamento. Baseado na propriedade segundo a
qual a impedncia da carga ressonante srie aumenta para freqncias situadas acima do
ponto de ressonncia. Contudo, por degradar o modo de comutao ZVS fora do ponto de
_______________________________________________________________________35


________________________________________________________________________
operao, as perdas introduzidas pelo corte dos IGBTs aumentam nas mesmas propores
tornando este mtodo de controle ineficiente para a aplicao proposta.
c) Por deslocamento de fase (phase-shifting) entre os sinais de acionamento
aplicados aos pares de IGBTs [Wenfang et al. 2009]. Esta estratgia equivale a um padro de
modulao por largura de pulso PWM, fazendo com que o perodo de aplicao da tenso de
barramento carga ressonante, para cada semi-ciclo, corresponda interseo dos sinais de
acionamento, determinando intervalos durante o ciclo no qual a tenso zero. Este eficiente
mtodo de controle pode ser utilizado em conversores ressonantes com acionamento
seqencial, desde que o deslocamento de fase entre os pulsos de comando assegura um tempo
morto mnimo na comutao dos IGBTs, para acomodao do turn-off.
d) Por insero de padres de acionamento nulos na estratgia de comando. A carga
ressonante recebe energia somente quando os pares de IGBTs so acionados [Esteve et al.
2007]. Na ausncia de comando, podendo ocorrer durante um ou mais ciclos, a carga
ressonante oscila livremente na sua freqncia natural de ressonncia, sem que haja reposio
de energia. Trata-se de um mtodo de controle eficiente, requerendo, porm, um padro de
acionamento complexo e no adequado aplicao proposta, pois poderia provocar a extino
do plasma nos perodos de nulos.
No desenvolvimento proposto nesta tese, o mtodo de controle do nvel de potncia
de sada dos inversores ressonantes obtido por variao da tenso CC de barramento. Este
mtodo foi escolhido com base em vasta investigao documental e estudos prvios,
sobretudo por sua eficincia e simplicidade, e por apresentar pouca dependncia s variaes
da carga ressonante e, conseqentemente, das condies da coluna de plasma.

3.3 Anlise do Conversor Ressonante Srie com Acionamento
Seqencial
3.3.1 Topologia do conversor
O conversor ressonante com acionamento seqencial constitudo por um conjunto
de quatro clulas inversoras a IGBTs idnticas, configuradas em ponte completa e conectadas
em paralelo [Schnknecht et al. 2001], acionadas em seqncia por uma estratgia de
comando especfica. O conversor conectado a uma carga ressonante srie por meio de um
transformador de adaptao de impedncias. A figura 3.8 apresenta a topologia adotada para o
conversor ressonante e demais subsistemas associados.
_______________________________________________________________________36


________________________________________________________________________
Para assegurar o mnimo de perdas possvel [Schwartzer et al. 2001], o chaveamento
das chaves IGBTs das estruturas inversoras feito no modo ZVS. Na estratgia de controle
escolhida, passa ento a existir um ngulo de defasagem entre tenso e corrente na carga, o
qual deve ser mantido em valor adequado para assegurar a condio ZVS em toda a faixa de
operao. Esta condio obtida por um artfice, forando o chaveamento das chaves IGBTs
a uma freqncia
s
f maior de que a freqncia natural de ressonncia
0
f da carga, tornando,
assim, a carga ressonante ligeiramente indutiva [Khan et al. 2005]. Esta defasagem tem como
efeito reduzir a eficincia da clula inversora, contudo a freqncia de chaveamento
s
f ser
mantida o mais prximo possvel da freqncia natural
0
f da carga ressonante, de forma a
minimizar a circulao de energia reativa no circuito.














Na topologia adotada para o conversor ressonante proposto, esta funo
desempenhada por uma malha PLL modificada que rastreia a freqncia natural de
ressonncia da carga e ajusta a freqncia dos pulsos de comando. Amostras da tenso e
corrente circulando na carga ressonante so recolhidas por sensores que referenciam a malha
PLL. A figura 3.9 apresenta o diagrama de blocos do controlador PLL modificado com um
bloco de atraso de fase para acomodar os diferentes atrasos inerentes aos circuitos e assegurar
a comutao no modo ZVS. A estratgia de controle descrita em detalhes mais adiante, no
pargrafo 3.3.2.
Fig. 3.8 - Topologia do conversor ressonante e subsistemas associados
2 2 2 2
4 4 4 4
Driver
Mdulos 7&8
Driver
Mdulos 5&6
Driver
Mdulos 3&4
Driver
Mdulos 1&2
2 2 2 2
4 4 4 4
Inversor
Mdulo 1
Inversor
Mdulo 2
Inversor
Mdulo 3
Inversor
Mdulo 4
Mdulo de gerao de sinais de comando
+ Controlador PLL
+750V
CC

Opto + fibra
tica
Transformador
de impedncia
Carga
ressonante
Sensores de
Tenso e corrente
_______________________________________________________________________37


________________________________________________________________________









O padro de modulao aplicado s chaves IGBTs corresponde ao da modulao por
deslocamento de fase com controlador modificado [Dede et al. 1996], no qual o deslocamento
de fase entre os sinais de acionamento das semi-pontes de cada brao das clulas inversoras
forado para 0 = . Por esta razo, na implementao do padro de comando seqencial do
conversor ressonante, na aplicao proposta, incorporado um tempo morto (dead-time) fixo,
em cada ciclo de acionamento do par de chaves IGBTs. Este tempo morto atende a duas
finalidades, sendo:
a) A uma premissa de segurana do sistema, garantindo que sob quaisquer
condies de operao, comando ou falha das malhas de controle, dois ou mais braos das
clulas inversoras jamais podero ser acionados ao mesmo tempo.
b) Acomodar o perodo de recuperao reversa dos diodos e dos IGBTs no instante
do corte e assegurar a comutao no modo ZVS.
Na tcnica de modulao do tipo sequential gate pulsing o perodo til de
fornecimento de potncia correspondente a cada clula inversora representa apenas parte do
seu ciclo de operao, uma vez que cada clula opera em 4 1 da freqncia nominal de
operao do conversor ressonante. Desta forma, a implementao do controle de potncia por
deslocamento de fase entre os sinais de acionamento contribuiria para diminuir ainda mais
o tempo de atuao de cada inversor.
Por esta razo, optou-se por fazer o controle da potncia de sada diretamente pelo
controle da tenso de barramento CC. Este mtodo, simples e robusto, assegura que as
condies de chaveamento dos IGBTs se mantm constantes, mesmo havendo fortes
variaes da carga ressonante. Este mtodo tem, ainda, a propriedade de dessensibilizar a
atuao do controlador, evitando que surjam oscilaes na malha de controle do PLL
modificado em decorrncia de sua rpida resposta em freqncia.
Fig. 3.9 - Diagrama de blocos do controlador PLL modificado
Inversor
ressonante
Oscilador
controlado
por tenso
Compens.
PI
Detetor
de
fase
Atraso
de fase
Detetor
passagem
tenso p/0
Detetor
passagem
corrente p/0

V
AB

I
L0

_______________________________________________________________________38


________________________________________________________________________
A figura 3.10 ilustra, de forma simplificada, as diversas etapas de comutao das
clulas inversoras e a obteno da condio ZVS para as chaves IGBTs [Simeonov et al.
1996]. As etapas de comutao so analisadas de forma pormenorizada e descritas em
detalhes, mais adiante.






















3.3.2 Anlise qualitativa da clula inversora
A anlise qualitativa feita para um conversor ressonante srie [Yingnian et al.
2008], no qual os dispositivos IGBTs de chaveamento e os componentes passivos como
indutncia, capacitncia e resistncia da carga ressonante apresentam valores fixos e definidos
para um determinado ponto de operao. Obviamente, isto no corresponde situao real e
dinmica do circuito, pois os parmetros da carga ressonante so fortemente influenciados
pelas condies da coluna de plasma interagindo com o aplicador RF. Contudo, esta
Fig. 3.10 Diagrama simplificado de acionamento das clulas inversoras
I
mod.1

V
0

I
mod.2

V
0

I
mod.1

t
t
I
mod.4

V
0

t
Mdulo 1
Mdulo 2
I
mod.3

V
0

t
Mdulo 3
Mdulo 4
4

~
(2)

1
- -
3
2
~
(1)

~
3
2
(3)
~
1
4
(4)
- -

~
3
2
(3)
~
1
4
(4)
- -
4

~
1
-
(1)
4

~
(2)

1
- -
3
2
~
(1)
4

~
(2)

1
- -
3
2
~
(1)

~
3
2
(3)
~
1
4
(4)
- -

~
3
2
(3)
~
1
4
(4)
- -
4

~
(2)

1
- -
3
2
~
(1)
Legenda
~

Circuito RLC

I
L

t
_______________________________________________________________________39


________________________________________________________________________
aproximao ser suficiente para realizar uma anlise qualitativa do conversor sem prejuzo
da compreenso dos mecanismos envolvidos na comutao das chaves IGBTs.
Uma vez que o conversor ressonante srie utiliza n clulas inversoras idnticas
conectadas em paralelo, e comutadas seqencialmente [Rossetto et al. 1998], o estudo de suas
propriedades conduzido para uma nica clula, considerando que a anlise se aplica,
automaticamente, s demais sees.











A figura 3.11 apresenta a topologia da clula inversora em ponte completa proposta,
com o circuito ressonante associado, composto pela indutncia equivalente
2
N L L
RF
= , o
capacitor de ressonncia srie equivalente
2
N C C
RF
= , e a resistncia de carga equivalente
2
N R R
RF
= . Esses elementos equivalentes representam, respectivamente, a indutncia do
aplicador da coluna de plasma refletida, o capacitor de compensao, e a resistncia refletida
do plasma, combinada com a resistncia dos indutores e dos enrolamentos do transformador.
Esses elementos so referidos sada do conversor pelo transformador de casamento de
impedncia
RF
T , com relao de transformao 1 : N . A tenso da fonte de alimentao
referenciada como
0
V , e os capacitores
1
C ,
2
C
3
C e
4
C representam as capacitncias
parasitas das junes dos IGBTs e dos diodos associados em paralelo com o barramento. A
indutncia
s
L e a resistncia
s
R representam, respectivamente, a indutncia parasita do
barramento e a resistncia associada. Para assegurar a operao no modo ZVS, a freqncia
de chaveamento f
s
assumida como sendo ligeiramente maior do que a freqncia de
ressonncia f
0
da carga. Desta forma, a corrente
L
i na carga ressonante apresenta um atraso de
fase em relao tenso de sada
AB
v .
Fig. 3.11 Modelo simplificado do inversor ressonante
Q
1

Q
2

Q
4

Q
3

D
1

D
2
D
3

D
4

C
2

C
C
3

C
1
C
4

R L
R
S

I
L

V
0

L
S

v
p

A B
_______________________________________________________________________40


________________________________________________________________________
3.3.2.1 Anlise em regime no modo ZVS
Inicialmente, analisada a operao da clula inversora em regime, no modo ZVS
[Kifune et al. 2004]. Para ilustrao, algumas formas de onda tpicas do sistema so
apresentadas na figura 3.12.













A anlise da clula inversora ressonante serie feita com base nos trabalhos
desenvolvidos por Chen et al. (2001) e por Viria et al. (2007) para o circuito equivalente
apresentado na figura 3.11. Assim, so apresentadas as principais etapas de comutao do
sistema para um meio ciclo de operao. Subdividindo-se o semi-perodo em 6 etapas, temos:
Etapa 1, para
0
t t < : antes de
0
t , as chaves IGBTs Q
2
e Q
4
esto conduzindo e o
circuito equivalente correspondente etapa 1 mostrado na figura 3.15 (a). Assim, no
instante
0
t t = , a corrente
L
i na carga ressonante positiva e as tenses sobre os diodos e
capacitores D
2
, C
2
, D
4
e C
4
so nulas.
Etapa 2, para o intervalo
01 0
t t t < : durante o tempo morto do IGBT, no
intervalo
1 0
t t t < , todas as chaves IGBTs esto cortadas. Em
0
t , as chaves Q
2
e Q
4
so
levadas ao corte e o circuito equivalente resultante da etapa 2 mostrado na figura 3.15 (b).
Desta forma, as capacitncias parasitas C
2
e C
4
so carregadas, enquanto C
1
e C
3
so
descarregadas. Assumindo que todas as capacitncias so iguais, ou seja,
4 3 2 1
C C C C = = = , a
tenso de surto ) t ( v
p
pode ser expressa a partir do circuito equivalente simplificado da etapa
2 apresentado a seguir, na figura 3.13.
Fig. 3.12 Formas de ondas do sistema em regime no modo ZVS: (a) Tenso e corrente
sobre as chaves; (b) Tenses e correntes expandidas em torno de t
0

(a) (b)
_______________________________________________________________________41


________________________________________________________________________









Aplicando a malha de Kirchhoff ao circuito equivalente da etapa 2:
Ce s s
v R i
t d
di
L V + +

=
0
, com
0
0 I ) t ( i = =
(3.1)
, e:
i
' dt
dv
C
ce
e
= , e
0
0 0 V ) t ( v ) t ( v
p ce
= = = =
(3.2)
, onde
0
t t ' t = , e C
e
= (C
1
em srie com C
2
) // (C
3
em serie com C
4
).
Desta forma, a tenso resultante no capacitor:
( )

+ =

t sen e
Z I
V ) t ( v
n
t
p
n
2
2
0 0
0
1
1

(3.3)
, com ( )
2 1
1 =

tan ,
e s n
C L =1 ,
e s
C L Z =
0
e
s e s
L C R = 2 .
Etapa 3, para o intervalo
02 0 01
t t t < : em
01
t , a corrente
Ls
i decresce para zero
at mudar de sentido, o que corresponde ao circuito equivalente da etapa 3, na figura 3.15 (c).
Entre
01
t e
02
t a tenso existente
p
v diminui gradualmente.
Etapa 4, para o intervalo
1 02
t t t < : em
02
t as capacitncias
2
C e
4
C so
carregadas ao potencial
1 P
V como mostra a figura 3.12 (b) fazendo que
2 DS
v e
4 DS
v sejam
iguais a
P
v quando
1
D e
3
D conduzem. A operao do circuito equivalente da etapa 4
mostrada na figura 3.15 (d). Desta forma, para
02
t t , a tenso ) t ( v ) t ( v
DS DS 4 2
= que, por sua
vez, igual a ) t ( v
P
. O modelo equivalente simplificado correspondente etapa 4 mostrado
a seguir, na figura 3.14.


Fig. 3.13 Modelo simplificado do inversor ressonante em modo ZVS para a etapa 2
V
0

L
s

i
v
p

C
e

R
s

_______________________________________________________________________42


________________________________________________________________________









Como assumido que a freqncia de chaveamento
s
f na partida maior do que a
freqncia de ressonncia da carga
0
f , a corrente na mesma pode ento ser considerada como
sendo gerado por uma fonte de corrente constante, com
2 4
C C C
s
+ = . Desta forma, aplicando
novamente a malha de Kirchhoff:
Cs s s
v R i
" dt
di
L V + + =
0

(3.4)
, e:
0
I i
t d
dv
C
Cs
s
+ =


(3.5)
, com ( )
0
0 I " t i = = e ( ) ( )
1
0 0
P p Cs
v " t v " t v = = = = , quando
02
t t t = .
Assim, a tenso de sada resultante expressa por:
( ) ( )
( ) ( ) t sen e
Z
R
R I V V
t sen e R I V V V ) t ( v
n
t s
s P
n
t
s P Cs
n
n

+ =


1
2
1
2
1
0
0 0 1
1
2
1
2
1
0 0 1 0
1
1
1
1
1
1
1 1
1 1




(3.6)
, onde
s s n
C L =1
1
,
s s
C L Z =
01
e
s s s
L C R = 2
1

Etapa 5, para o intervalo
2 1
t t t < : em
1
t t = , as tenses
1 DS
v e
3 DS
v no so
mais iguais a zero e as chaves Q
1
e Q
3
so comutadas no turn-on, sob condio ZVS. O
circuito equivalente resultante da etapa 5 mostrado na figura 3.15 (e).
Etapa 6, para o intervalo
3 2
t t t < : aps
2
t t = , a corrente na carga ressonante
L
i
se torna negativa, novamente. O circuito equivalente resultante da etapa 6 mostrado na
figura 3.15 (f). A partir deste ponto, se inicia o meio ciclo seguinte, onde a mesma anlise
poder ser desenvolvida e repetida para
3
t ,
4
t e
5
t .
Fig. 3.14 Modelo simplificado do inversor ressonante em modo ZVS para a etapa 4
I
0

V
0

L
e

C
s

i
R
S

D, D
3

_______________________________________________________________________43


________________________________________________________________________
































Fig. 3.15 Etapas do inversor no modo ZVS durante um ciclo de comutao
(a) Etapa 1
L
s
R
s

V
0
C
1

Q
2

Q
4
C
3
C R L
i
L
I
Ll
L
s
R
s

V
0
C
1

C
2

C
4
C
3
C R L
i
L
I
Ll
(b) Etapa 2
L
s
R
s

V
0
C
1

C
2

C
4
C
3
C R L
i
L
I
Ll
(c) Etapa 3
(d) Etapa 4
L
s
R
s

V
0
D
1

C
2

C
4
D
3
C R L
i
L
I
Ll
(e) Etapa 5
L
s
R
s

V
0
Q
1
D
1
C
2

C
4
Q
3
D
3
C R L
i
L
I
Ll
(f) Etapa 6
L
s
R
s
V
0
Q
1
C
2
C
4

Q
3

C R L
i
L
I
Ll
(g) Etapa 7
L
s
R
s
V
0
C
1
C
2
C
4

C
3

C R L
i
L
I
Ll
(h) Etapa 8
L
s
R
s
V
0
C
1

C
2
C
4

C
3

C R L
i
L
I
Ll
(i) Etapa 9
L
s
R
s
V
0
C
1
D
2
D
4

C
3

C R L
i
L
I
Ll
(j) Etapa 10
L
s
R
s
V
0
C
1
D
2
D
4

C
3

C R L
i
L
I
Ll
Etapas correspondendo
ao meio-ciclo positivo
Etapas correspondendo
ao meio-ciclo negativo
_______________________________________________________________________44


________________________________________________________________________
Da anlise apresentada, observa-se que os surtos de corrente ocorrem principalmente
na etapa 2. Contudo, devido funo de chaveamento suave expressa pela equao (3.3) e
pequena magnitude da corrente
0
I , o surto de tenso bastante atenuado.

3.3.2.2 Anlise no modo no-ZVS
Quando conversor ressonante opera em freqncia mais baixa de que a freqncia
natural de ressonncia da carga ressonante, a condio ZVS fica perdida [Viria et al. 2007].
Esta situao pode ocorrer sob duas condies, sendo:
a) Se a malha do PLL no for modificada, a condio de operao ZVS pode ser
temporariamente perdida durante vrios perodos de comutao.
b) Se a carga refletida pela tocha ICTP for mnima, a freqncia ressonante natural
da carga se torna muito alta e pode extrapolar o limite superior de operao em freqncia do
inversor. Isto pode engendrar fortes surtos de tenso produzindo interferncias
eletromagnticas, devido ao descasamento da carga e danificar o inversor. ento importante
que a correo em freqncia proporcionada pela malha PLL tenha resposta rpida, fazendo
convergir a comutao das chaves IGBTs para o modo ZVS.
De forma anloga, para analisar esta situao, utilizado o mesmo modelo
apresentado na figura 3.11, no modo no-ZVS. Para ilustrao, algumas formas de onda
tpicas do sistema so apresentadas na figura 3.16 e mostram o instante da partida onde a
condio ZVS no est estabelecida.











No modo no-ZVS, em contraposio ao modo ZVS, os transientes ocorrem no
instante da comutao, no turn-on dos IGBTs. Das observaes feitas, quando as chaves
Fig. 3.16 Formas de ondas do sistema em regime no modo no-ZVS: (a) Tenso e
corrente sobre as chaves; (b) Tenses e correntes expandidas em torno de t
0

(a) (b)
_______________________________________________________________________45


________________________________________________________________________
IGBTs esto em conduo e so levadas ao corte, ou seja, no turn-off, decorre certo tempo de
recuperao para que estas voltem situao de bloqueio. Assim, durante este processo de
recuperao reversa dos diodos, para efeito de modelagem e anlise, o diodo assumido
como um curto circuito durante o perodo de recuperao
r
T . Este perodo de recuperao
r
T
pode ser estimado a partir da carga
r
Q armazenada nos diodos e na juno dos IGBTs e pelo
pico de corrente reversa
rp
I , sendo:
rp
r
r
I
Q
T

=
2

(3.7)
Aps o processo de recuperao, o diodo deixa de conduzir e a tenso de bloqueio
restabelecida. A anlise do fenmeno de partida e da operao em modo no-ZVS feita
dividindo o meio-ciclo de operao novamente em 6 etapas, como mostrado na figura 3.17.
Etapa 1, para
0
t t < : antes de chegar em
0
t os IGBTs Q
2
e Q
4
entram em corte no
turn-off. A corrente
Lr
I negativa e circula pelos diodos D
2
e D
4
. O circuito equivalente
correspondente da etapa 1 apresentado na figura 3.17 (a).
Etapa 2, para o intervalo
01 0
t t t < : no instante
0
t , as chaves Q
1
e Q
3
so
chaveadas no turn-on estabelecendo um curto circuito entre
P
v e a massa. Este fenmeno
pode ser observado de ) t ( v
P
na forma de onda da figura 3.16 (b), para
0
t t > . O circuito
equivalente e o sentido da corrente de sada so mostrados na figura 3.17 (b). No intervalo
entre
0
t e
01
t a corrente fluindo atravs de
s
L diminui para zero, muda de sentido, e aumenta
novamente. O circuito equivalente correspondente da etapa 2 mostrado na figura 3.17 (b).
Etapa 3, para o intervalo
02 01
t t t < : em
01
t t = , ) t ( i
Ls 01
igual a ) I ( i
Lr 0
= .
Ento a corrente reversa de recuperao circula atravs dos diodos D
2
e D
4
, simultaneamente.
Este processo de recuperao dever terminar antes que
02
t t = , quando a corrente reversa em
cada diodo atinge um valor correspondente carga acumulada. Assim, pode ser visto que,
devido ao tempo de recuperao, a corrente
Ls
i fluindo atravs de
s
L pode aumentar
significativamente. Em outras palavras, devido existncia deste perodo de recuperao,
maior quantidade de carga armazenada em
s
L . O circuito equivalente correspondente da
etapa 3 apresentado na figura 3.17 (c).
Etapa 4, para o intervalo
1 02
t t t < : aps o perodo de recuperao, D
2
e D
4
so
levados ao corte, no turn-off. Neste instante, aparece um surto de tenso e
s
L e
s
C comeam
_______________________________________________________________________46


________________________________________________________________________
a oscilar, provocando surtos de tenso sobre Q
2
e Q
4
.

O circuito equivalente correspondente
etapa 4 apresentado na figura 3.17 (d). Para a anlise, assume-se que
Lr
i produzido por
uma fonte de corrente constante e corresponde ao circuito equivalente simplificado da figura
3.14. As equaes diferenciais expressando o surto de corrente e tenso para este circuito so
as seguintes:
( ) t v R i
t d
di
L V
Cs s s
+ +

=
0
, com ( )
r
I I i + =
0
0
(3.8)
, e:
( )
0
I i
t d
t dv
C
Cs
s
=


, com ( ) 0 0 =
Cs
v
(3.9)
, onde
02
t t t = , e
r
I como mostrado na figura 3.16 (b). Assim:
( ) ( ) ( )
( ) t sen e
i
Z I
t sen e R I V t v
n
t
r
n
' t
s Cs
n
n

+ =


2
1 1
2
1
01
2
1 1
2
1
0 0
1
1
1
1
1
1
1
1 1
1 1




(3.10)
, com
s s n
C L =1
1
,
s s
C L Z =
01
, e
s s s
L C R = 2
1
.
tambm interessante de notar que se:
1
4
2

s
s s
L
C R
(3.11)
, o circuito amortecido e no h oscilaes. Para esta etapa, o circuito equivalente
correspondente mostrado na figura 3.17 (d). Se o transiente de tenso no se sustentar por
um tempo longo, ento o circuito em regime corresponde ao da figura 3.17 (e). As correntes
Lr
i e
Ls
i so correntes ressonantes que circulam tambm atravs dos elementos
s
L ,
s
C e
s
R .
Etapa 5, para o intervalo
2 1
t t t < : no instante
1
t , a corrente ( )
1
t i
Lr
circulando na
carga ressonante igual a zero. Para
1
t t > , a corrente
Lr
i tem o sentido invertido e circula
atravs das chaves IGBTs Q
1
e Q
3
. O circuito equivalente correspondente a esta etapa
mostrado na figura 3.17 (f).
Etapa 6, para o intervalo
3 2
t t t < : as chaves Q
2
e Q
3
entram em conduo no
turn-on, no instante
2
t , quando um novo meio ciclo se repete. Assim, a partir deste ponto e na
seqncia, inicia-se o meio ciclo seguinte, onde a mesma anlise poder ser desenvolvida,
para o intervalo
2
t a
4
t .
_______________________________________________________________________47


________________________________________________________________________

































(a) Etapa 1
L
s
R
s

V
0

D
2

D
4
C R L
i
L
I
Ll

(b) Etapa 2
L
s
R
s

V
0

Q
1

D
2

D
4
Q
3
C R L
i
L
I
Ll

(c) Etapa 3
L
s
R
s

V
0

Q
1

D
2

D
4
Q
3
C R L
i
L
I
Ll

(d) Etapa 4
L
s
R
s

V
0

Q
1

C
2

C
4
Q
3
C R L
i
L
I
Ll

(e) Etapa 5
L
s
R
s

V
0

Q
1

Q
3

C R L
i
L
I
Ll

(f) Etapa 6
L
l
R
s
V
s
D
1

D
4

C R L
i
Lr

I
Ll
(g) Etapa 7
L
s
R
s
V
0
D
1
Q
2
Q
4

D
3

C R L
i
L

I
Ll
(h) Etapa 8
L
s
R
s
V
0
D
1
Q
2
Q
4

D
3

C R L
i
L

I
Ll
(i) Etapa 9
L
s
R
s
V
0
C
1
Q
2
Q
4

C
3

C R L
i
L

I
Ll
(j) Etapa 10
L
s
R
s
V
0
Q
4

Q
2
C R L
i
L

I
Ll
Etapas correspondendo
ao meio-ciclo positivo
Etapas correspondendo
ao meio-ciclo negativo
Fig. 3.17 Etapas do inversor no modo no-ZVS durante um ciclo de comutao
_______________________________________________________________________48


________________________________________________________________________
3.3.2.3 Anlise do modelo proposto com chaveamento seqencial
Na operao do conversor ressonante com chaveamento seqencial, a condio ZVS
de cada clula inversora deve ser mantida, da mesma forma. Para que isto ocorra, as cargas
parasitas
0
Q armazenadas nas junes dos diodos e das chaves IGBT devem ser removidas
durante o perodo morto (dead-time) que inserido no padro de acionamento. Esta noo
importante, pois ir determinar o tempo mnimo necessrio para o escoamento das cargas e,
conseqentemente, definir a freqncia mxima de operao suportada pelos dispositivos de
chaveamento. Assim, o ngulo de conduo necessrio a esta condio pode ser calculado.
Como as capacitncias parasitas so carregadas e descarregadas ao valor da tenso da fonte
0
V duas vezes por ciclo, a energia armazenada pelas mesmas expressa por:
0 0 0
2 2 V C Q =
(3.12)
, e por uma clula inversora contribuir somente em 1 a cada 4 ciclos:
( ) dt t sen I V C
s L
s
s
=




4
4
0 0
2
(3.13)
Resolvendo a expresso para o ngulo de conduo , vem que:
1
2
0
0 0


=
I
V C
cos
s


(3.14)
, com o ngulo de conduo podendo variar de 0 a 8 do perodo
s
T , para um conversor
ressonante formado por quatro clulas inversoras. No caso do ngulo de conduo ser igual a
8 indica que o dead-time igual a 0 . Por isso, a mxima freqncia de operao na qual
cada inversor pode operar determinada por
0
I e
0
C , para a condio em que o ngulo de
conduo converge para o seu mnimo valor, isto , para 0 . Forando o ngulo de
conduo 0 , no limite, a mxima freqncia de operao dada por:
0 0
0
V C
I
max

=
(3.15)
A corrente mdia circulando em cada chave IGBT funo do ngulo de conduo
e pode ser expressa por:
( ) ( )

cos
I
dt t sen I
T
I
on
t
s
s
med S

= =

1
2
1
0
0
0

(3.16)
De forma anloga, a corrente eficaz circulando no par de chaves IGBT dada por:
_______________________________________________________________________49


________________________________________________________________________
( )
( )


= =

2
2 2
2
1
0
0
2 2
0
sen I
dt t sen I
T
I
on
t
s
s
rms S

(3.17)
Assim, alm das especificaes usuais de tenso e de corrente suportadas pela chave
IGBT, nas aplicaes em alta freqncia importante avaliar as demais caractersticas
apresentadas pelo dispositivo e, em especial, a taxa de variao da tenso no tempo chamada
de slew rate, definida por dt dv , e imposta no instante do turn-off do dispositivo IGBT.
Assim, a taxa mnima para assegurar esta condio deve ser:
sen
C
I
dt
dv

0
0
2

(3.18)
, com a potncia de sada do conversor ressonante expressa por:
( )

cos
I V
P
out

= 1
2
0 0

(3.19)

3.4 Modelagem do Conversor Ressonante Srie
A modelagem feita para uma clula inversora ressonante com controle por
deslocamento de fase [Kassakian et al. 1991]. Esta estratgia de controle foi escolhida para a
modelagem por ser a mais completa e incorporar os controles da potncia de sada e da
freqncia de operao para assegurar o chaveamento no modo ZVS. Os demais conversores
ressonantes em ponte completa derivam desta topologia e representam casos particulares.
Assim, assumido que as quatro chaves IGBTs so acionadas por sinais simtricos, com ciclo
de trabalho de 50 %, e as chaves, em cada brao, so acionadas por sinais de comando
complementares [Grajales et al. 1993]. A figura 3.18 apresenta os sinais de acionamento das
chaves IGBTs da clula inversora ressonante.










Fig. 3.18 Formas de ondas do estgio de potncia
d
S
1

S
3

S
2

S
4

Q
3

D
1

Q
3

D
1
D
4

D
1
Q
1

Q
4
D
2

D
3
Q
3

Q
2

Q
3

D
1

Q
3

D
1
D
4

D
1
Q
1

Q
4

i
v
AB

f
s
> f
0


_______________________________________________________________________50


________________________________________________________________________
A potncia de sada regulada mediante variao do ngulo impresso nos sinais
de comando S
1
/S
3
e S
2
/S
4
das chaves IGBTs Q
1
/Q
3
e Q
2
/Q
4
. A tenso resultante no circuito
ressonante praticamente quadrada, e apresenta um ciclo de trabalho, d , sendo 1 < d .
Considerando, para uma dada freqncia de chaveamento, que
s
f esteja bastante
prxima da freqncia de ressonncia
0
f , possvel visualizar, graficamente, na resposta da
curva, o processo de atuao do controle de potncia para diferentes valores de d . A figura
3.19 apresenta o grfico da resposta da potncia de sada em funo do duty-cycle, d .









A figura 3.20 mostra o diagrama simplificado do conversor ressonante srie com as
duas malhas de controle.











A malha de controle do deslocamento de fase do modulador PWM apresenta uma
resposta lenta, uma vez que monitora a potncia de sada
0
P e ajusta o ciclo de trabalho, ou
seja, o duty-cycle, d , de forma a manter
0
P no ponto de operao fixado.
Fig. 3.20 Diagrama do inversor ressonante com sistema de controle
Ajuste potncia
T
RF

N:1
C
RF

v
s
i
s

p
0

Clula
inversora
Gerador
sinais IGBTs
Controle
de fase
Rastreio
ressonncia
Referncia ZVS
Aplicador
da tocha a
plasma
V
0

i
L
RF

Multiplicador /
Sensor potncia
Fig. 3.19 Curva de resposta da potncia de sada em funo de d
Potncia
de sada
Pmax.
d=0,95
Pmin.
d=0,45
_______________________________________________________________________51


________________________________________________________________________
Por outro lado, a malha de controle de freqncia [Nagai et al. 1997] apresenta uma
resposta rpida j que monitora a defasagem existente no circuito ressonante srie e determina
o valor da freqncia de chaveamento
s
f para assegurar a condio ZVS.
Assim, a modelagem feita, inicialmente, para o estgio de potncia e, em seguida,
para cada uma das malhas de controle.

3.4.1 Mtodo de modelagem para pequenos sinais
Diversos mtodos de modelagem podem ser utilizados para a descrio e o projeto de
estruturas inversoras ressonantes [Youssef et al. 2004]. Basicamente, trs tcnicas podem ser
usadas, sendo: a da amostragem de dados, a da funo descritiva estendida, e a do mtodo
aproximado. Para este estudo foi adotado o mtodo da funo descritiva estendida [Bucknell,
1998]. Proposto inicialmente na literatura por Krylov & Bogolyubov (1932), este mtodo
lana mo de uma aproximao para analisar um determinado problema de controle no
linear. O mtodo baseado no princpio da quase linearizao do sistema no linear sob
anlise por um sistema linear que depende somente da amplitude dos sinais de entrada.
Uma das propriedades deste mtodo de, alm de especificar o sistema por funes
de estado, facilitar as etapas posteriores de simulao. Esta metodologia, contudo, s pode ser
aplicada para o modo de conduo contnua, que o caso do conversor ressonante srie. A
primeira hiptese para o emprego deste mtodo que os sinais do conversor ressonante sero
aproximados para suas componentes fundamentais. Assim, a especificao do modelo para
pequenos sinais feito com base na equao diferencial no linear do inversor ressonante e
pressupe que os dois termos descontnuos da equao se referem, respectivamente, tenso
na sada do inversor e corrente drenada pela carga ressonante.
As funes descontnuas so ento eliminadas assumindo que, por serem formadas
por sinais quadrados, estas podem ser aproximadas para suas respectivas componentes
fundamentais. Assim, assumindo que as componentes de tenso e corrente do circuito
ressonante so sinusoidais, poder ser expressa uma equao no linear para o conversor.
Pequenas perturbaes so ento introduzidas nas variveis para linearizar a equao de
regime estacionrio do conversor, resultando num modelo para pequenos sinais contnuos no
tempo.
Assim, o mtodo da funo descritiva estendida [Sewell et al. 2004] aplicado na
modelagem do estgio de potncia do inversor ressonante srie. Adicionalmente, modelos
para pequenos sinais em malha fechada so derivados para especificar o controle da malha de
_______________________________________________________________________52


________________________________________________________________________
fase do modulador PWM e o controle da malha de freqncia ZVS, uma vez que ambas as
malhas controlam o sistema.

3.4.2 Modelagem do estgio de potncia
Neste pargrafo, apresenta-se o procedimento de modelagem pelo mtodo da funo
descritiva estendida [Yang et al. 1992]. Este mtodo de modelagem amplamente utilizado
nos trabalhos de Grajales et al. (1993) para obter o modelo para pequenos sinais do estgio de
potncia do inversor ressonante srie e serve de referncia para esta especificao. O
diagrama simplificado do estgio de potncia da clula inversora ressonante apresentado
pela figura 3.21.











Para efeito de modelagem o estgio de potncia do inversor ressonante srie
representado por seu circuito equivalente [Grajales et al. 1995], conforme mostrado a seguir
na figura 3.22.








Fig. 3.21 Modelo simplificado da clula inversora ressonante
S
1

S
2

S
4

S
3

D
1

D
2
D
3

D
4

C
2

C
RF

C
3

C
1
C
4

V
0

A B
i
T
RF

L
RF

R
RF

Fig. 3.22 Circuito equivalente da clula inversora ressonante
v
AB

+
-
+ -
v
C
L
R
Z
in

v
g

i
_______________________________________________________________________53


________________________________________________________________________
Os elementos do circuito ressonante srie so referidos sada do inversor atravs da
relao de transformao N provida pelo transformador de impedncia, sendo:
2
N C C
RF
= ,
2
N R R
RF
= e
2
N L L
RF
= . Os principais parmetros do circuito referidos sada do
conversor ressonante so: C L =1
0
, a freqncia de ressonncia do circuito, R Z Q
0
= ,
o coeficiente de qualidade do circuito ressonante, C L Z =
0
e,
0

s n
= , a relao entre
a freqncia de chaveamento e a freqncia de ressonncia. Aplicando, inicialmente, ao
circuito da figura 3.22 as leis das malhas de Kirchhoff, expressam-se as funes de estado:
AB
v R i v
dt
di
L = + +
(3.20)
, e:
i
dt
dv
C =
(3.21)
As variveis de sada so:
i R v =
0

(3.22)
, e a potncia mdia de sada fornecida resistncia R , dada por:
2
0
2
1
i R P =
(3.23)
Utilizando a aproximao harmnica da srie de Fourier e considerando unicamente
o termo fundamental para expressar a corrente ( ) t i no indutor e a tenso ( ) t v no capacitor,
vem:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) t sen t i t t i t i
s s s c
+ cos
(3.24)
, e:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) t sen t v t t v t v
s s s c
+ cos
(3.25)
Pela natureza dos sinais, deve ser observado que o envelope dos termos em seno e
cosseno { }
s c s c
v , v , i , i varia lentamente no tempo e que o comportamento dinmico desses
termos deve ser investigado. Assim, as derivadas de ( ) t i e de ( ) t v so expressas por:
( ) ( ) t i
dt
di
t sen i
dt
di
dt
di
s s s
c
s c s
s

+ +

= cos (3.26)
, e:
_______________________________________________________________________54


________________________________________________________________________
( ) ( ) t cos v
dt
dv
t sen v
dt
dv
dt
dv
s s s
c
s c s
s

+ +

= (3.27)
Aplicando a funo descritiva estendida tenso de entrada, tem-se:
( ) ( ) t sen v t sen d sen v v
c g AB
=

2
4
(3.28)
Considerando que perodo do sinal de modulao aplicado d bem menor do que a
freqncia de chaveamento
s
f , os termos das equaes (3.20) e (3.21) podem ser substitudos
pelas equaes (3.24), (3.25) e (3.28). Usando o mtodo de balanceamento harmnico, essas
equaes podem ser decompostas em quatro novas equaes, separando-as por grupos em
termos de seno e co-seno. Desta forma, as equaes para os termos em seno, so dadas por:
c s
s s
v
C
i
dt
dv
+ =
(3.29)
c s
c s s s
i
L
v R i v
dt
di
+
+
=
(3.30)
, e as com termos em co-seno, por:
s s
c c
v
C
i
dt
dv
=
(3.31)
s s
c c c
i
L
R i v
dt
di


=
(3.32)
As equaes (3.29) a (3.32) so usadas para especificar o ponto de operao,
forando todas as derivadas para zero. Assim, o ponto de operao definido por:
2 2 2 2 2 2 4
2 2
1 2 R C W L C W L C W
R C W V
I
s s s
s g
s
+ +

=
(3.33)
( )
2 2 2 2 2 2 4
2
1 2
1
R C W L C W L C W
C L W C W V
I
s s s
s s g
c
+ +

=
(3.34)
( )
2 2 2 2 2 2 4
2
1 2
1
R C W L C W L C W
C L W V
V
s s s
s g
s
+ +

=
(3.35)
2 2 2 2 2 2 4
1 2 R C W L C W L C W
R C W V
V
s s s
s g
c
+ +

=
(3.36)
A soluo para o regime estacionrio fornece o resultado para a anlise em CC do
inversor ressonante. Fixando o ciclo de trabalho d como sendo unitrio, ou seja, sem insero
de dead-time, a relao entre tenso de entrada,
g
V , e de sada,
s
V , expressa por:
_______________________________________________________________________55


________________________________________________________________________
2 2 2 2 2 2 4
1 2 R C W L C W L C W
R C W
V
V
M
s s s
s
g
s
+ +

= =
(3.37)
Disto, desprende-se que o ganho de converso em tenso do conversor ressonante
srie funo da carga ressonante e da freqncia de chaveamento conforme demonstrado na
literatura por Grajales et al. (1993). O resultado mostrado graficamente na figura 3.23, onde:
R Z Q = , C L Z = e C L f = 2 1
0
.










O modelo linearizado obtido aplicando uma perturbao ao modelo para grande
sinal [Martin-Ramos et al. 2002] descrito pelas equaes (3.29) a (3.32), em torno dos pontos
de operao definidos por [ ] Q , W , D , V
s g
, onde
g
V
a tenso de entrada,
s
W a
freqncia de chaveamento, D a relao do ciclo de trabalho e Q o fator de qualidade da
carga, sendo R L W Q
s
= . As variveis com perturbaes so as entradas [Rideley 1990], as
variveis de estado e a sada do inversor. Cada vetor tem ento a forma:
) t ( h

H ) t ( h + = (3.38)
, onde H tomado no ponto de operao e ) t ( h

uma perturbao de pequena amplitude.


Assim, aplicando as variveis com perturbao, substituindo os termos nas equaes (3.29) a
(3.32) e desenvolvendo essas equaes em uma expanso de Taylor, considerando apenas a
primeira derivada parcial, obtm-se o modelo linearizado proposto na literatura por Kassakian
(1991). Assim, a equao (3.30) pode ser expressa por:
) w , v , d , i , i , v , v ( f
dt
di
s g c s c s
s
=
(3.39)
, que aps ser linearizada toma a forma:
Fig. 3.23 Relao de converso de tenso do conversor ressonante em regime estvel
_______________________________________________________________________56


________________________________________________________________________
d

dw
df
v
v
f

f
i

i
f
i

i
f
v
v
f
v
v
f
dt
i

d
s
g
g
s
s
c
c
s
s
c
c
s
s
s
+

(3.40)
, onde cada termo dx df avaliado para o seu ponto de operao. Esta equao aceitvel
desde que a perturbao aplicada ao modelo de pequeno sinal e que os termos de ordem
maior so desprezados [Zheng et al. 2007]. Este mesmo procedimento de linearizao
aplicado s demais equaes (3.33) a (3.36), possibilitando a obteno do modelo linearizado
completo, sendo:
s c s s
s s
V v W
C
i

dt
v d
+ + = (3.41)
g
g
s c c s s
s s
v ) D ( sen
L
d

) D cos(
L
V
I i

W i

L
R
L
v
dt
i

+ + + =
2
4
2
2


(3.42)
s s s s
c c
V v W
C
i

dt
v d
= (3.43)
s s s s c
c c
I i

W i

L
R
L
v
dt
i

d
= (3.44)
Este modelo pode ser expresso tambm em variveis de estado [Maitelli 2003]:
3 3 2 2 1 1
u B u B u B x A x + + + = &
(3.45)
x C y =
(3.46)
, onde y o vetor contendo as variveis de sada e x& o vetor contendo as variveis de estado,
na forma:
[ ]
c s c s
v v i

x = &
0
p y =
(3.47)
Substituindo os termos na matriz pelas variveis, vem:
s
s
c
s
c
g
g
s
s
s
s

V
V
I
I
d

) D cos(
L
V
v
) D ( sen
L
x
W
C
W
C
L L
R
W
L
W
L
R
x


=
0
0
0
2
2
0
0
0
2
4
0
1
0
0 0
1
1
0
0
1
&
_______________________________________________________________________57


________________________________________________________________________
[ ] x I R I R y
c s
= 0 0 (3.48)
Os autovalores indicados na matriz A so, na verdade, os plos de um sistema em
malha aberta. Esses plos so calculados, fazendo:
0 = ) A I s ( det (3.49)
, o que resulta em quatro plos alocados em:
Para os plos p
1
e p
2
:


s
Q
j
L
R

2 0
4
1
1
2
1

(3.50)
Para os plos p
3
e p
4
:


s
Q
j
L
R

2 0
4
1
1
2
1

(3.51)
Os plos p
1
e p
2
so considerados os plos resultantes da freqncia de batimento,
isto por que so assumidos como sendo alocados na freqncia
s
=
0
, embora a
equao demonstre que a alocao do plo depende essencialmente do fator de qualidade da
carga. A aproximao, para o ponto da freqncia de batimento, contudo no ser satisfatria
para baixos valores de Q e/ou quando
s
for muito prximo de
0
. Os dois outros plos
restantes p
3
e p
4
so alocados em pontos de altas freqncias e, por isto, tero um efeito
desprezvel sobre a resposta de freqncia do modelo para pequenos sinais.

3.4.3 Modelagem da malha de regulao de potncia
Como o foi explanado anteriormente, a potncia de sada pode ser controlada por
variao do ciclo de trabalho e, por conseqente, da quantidade de energia aplicada ao
circuito ressonante do inversor. A estratgia de controle bastante simples, sendo
implementada segundo o esquema apresentado na figura 3.20. Os principais componentes so
o multiplicador e o controlador PWM. Uma amostra da potncia de sada fornecida por um
multiplicador analgico que efetua o produto da corrente e da tenso aplicados indutncia da
tocha RF. Este sinal comparado a uma referncia de tenso de forma que, se a potncia de
sada for maior que a referncia, o ciclo de trabalho d diminudo. De maneira anloga, se a
potncia de sada for menor que a referncia, o ciclo de trabalho aumentado. A figura 3.24
mostra a malha fechada de regulao de potncia, a partir da qual, aps sofrer uma
perturbao e ser linearizada, obtida a relao para o ciclo de trabalho d

do inversor, sendo:
_______________________________________________________________________58


________________________________________________________________________
0
p
C R ) a s (
e
) s ( G K F d

b b p
Td s
d i m

+
=

(3.52)
, onde
m
F o ganho do modulador por largura de pulso PWM,
i
K o ganho total do sensor
de potncia, ) s ( G
d
a funo de transferncia do compensador,
o
p a sada de potncia com
perturbao, e
d
T um fator de atraso necessrio para compensar o tempo de propagao dos
diversos circuitos, inclusive o atraso devido aos mdulos de excitao.
















A funo de transferncia do compensador pode ser expressa como:
a
d
d
R
Z
) s ( G = (3.53)
, e o ganho do modulador PWM:
s n d
m
T S v
d
F

= =
1


(3.54)
, onde
n
S a magnitude do tempo de subida da rampa do PWM, e
s s
T = 2 , o perodo da
freqncia de chaveamento do conversor.
Como o controlador deve regular to somente a potncia mdia de sada do inversor
ressonante inserido um filtro passa-baixos na sada do multiplicador para integrar os valores
Fig. 3.24 Diagrama da malha de regulao de potncia
i
0
v
0

p
0

K
i

Ganho
sensor
R
b
R
a

C
b
V
ref

Z
d

F
m
e
-sd

+
-
Compensador
PID
d
S
1

S
2

S
4

S
3

D
1

D
2
D
3

D
4

C
2

C
w

C
3

C
1
C
4

V
S

A B
i
T
RF

L
w

R
w

Multiplicador
_______________________________________________________________________59


________________________________________________________________________
instantneos recolhidos. Os elementos
a
R ,
b
R e
b
C formam um filtro e, conseqentemente,
contribuem para a adio do plo
p
a na equao (3.52), sendo:
b
b a
b a
p
C
R R
R R
a

+
=
1

(3.55)
Assim, a potncia de sada com perturbao, dada anteriormente pela equao (3.52),
pode ser expressa agora, por:
c c s s
i

I R i

I R p + =
0

(3.56)

3.4.4 Modelagem da malha de controle de freqncia
O circuito de controle de freqncia composto de um circuito de medio de carga
segundo proposto por Grajales et al. (1995), do prprio compensador e do oscilador
controlado por tenso VCO, como mostrado na figura 3.25.
















Este circuito regula a carga do circuito de medio de corrente durante a transio
ZVS, de forma a garantir que a comutao seja efetuada nas condies ZVS. Se a carga
medida pelo sensor de carga for menor que o valor requerido, o circuito dever aumentar a
Fig. 3.25 Diagrama da malha de controle de freqncia: (a) circuito implementado;
(b) formas de ondas do circuito de carga
(a)
R
c


Rst
C
c

v
l
D
l

+ C
p

R
p
R
i
V
c

Z
w

V
ref

-
v
f

VCO
R
t

C
t

1:n
i
c
retificado
i
f
s

Compensador PID Circuito de carga
i
k
i
k-1
i
k+1

=T
s
/2 t
k
t
k+1

v
lk
v
lk+1

Carga Reset
v
ck
v
ck+1

(b)
_______________________________________________________________________60


________________________________________________________________________
freqncia de chaveamento para provocar um intervalo de tempo adicional entre tenso e
corrente no circuito ressonante e, assim, aumentar a quantidade de carga no circuito de
medio. Em contra parte, se a carga medida maior de que o valor desejado, ento a
freqncia de chaveamento deve ser diminuda para aumentar o fator de potncia. Em suma, o
circuito sensor de carga mede a corrente primria
p
i , retifica e fornece a integral da corrente
durante o tempo . O resultado da integrao representado por
c
v . Esta tenso
c
v
comparada com a tenso de referncia
ref
v de forma a produzir a tenso de compensao de
erro
f
v . Para maior simplificao, o VCO [Bayindir et al. 2003] geralmente implementado a
partir de um circuito integrado comercial dedicado, o qual deve assegurar que sua freqncia
de sada ir variar direta e proporcionalmente tenso de controle
f
v , conforme proposto na
literatura por Jovanovic et al. (1987).
Para especificar um modelo da malha fechada para pequenos sinais para este
controlador necessrio encontrar uma equao que relaciona a freqncia de sada
s
com a
corrente de entrada
p
i [Makky et al. 2008]. Esta equao ento linearizada e associada ao
estgio de potncia do conversor ressonante para completar o modelo de malha fechada.
A derivao do modelo do circuito de carga obtida em trs passos:
a) Resolvendo para
l
v e
c
v como sendo uma funo de
p
i : a figura 3.26 mostra o
circuito equivalente durante o perodo

. Durante este perodo, o capacitor C


c
carregado
pela corrente i , e produz a tenso
l
v . Para a anlise do circuito [Tang 1992], assumido que
o diodo
1
D encontra-se inicialmente cortado e inoperante durante a carga de
c
C . Mesmo que
1
D venha a entrar em conduo durante a carga de
c
C , o circuito equivalente apresentado na
figura 3.26 oferece ainda uma boa aproximao, desde que os elementos

c i p
R R // R >>
, e que
p c
C C >> , de forma a no comprometer a carga de
c
C .







Fig. 3.26 Circuito equivalente de carga de
c
C durante o perodo


i
1:n
i
c

R
c
C
c

v
l

+
-
_______________________________________________________________________61


________________________________________________________________________
Assim, aplicando ao circuito da figura 3.26 a lei das malhas de corrente segundo
Kirchhoff, resulta que:
c
l l
c
R
v
n
i
dt
dv
C =
(3.57)
Esta equao (3.57) oferece a soluo para
l
v durante o tempo

. Contudo, a partir
da forma de onda mostrada na figura 3.25 (b), observa-se que
l
v se mantm constante durante
o perodo , aps ter sido zerado. Assim, usando a equao (3.57) pode ser encontrado o
valor alcanado por
l
v em
1 + k
t , para = ,.... , k 2 1 , e assumido que permanecer neste valor at
ser zerado. Na verdade, haver uma ligeira diminuio de
l
v durante o intervalo de tempo em
que no h carga do capacitor
c
C , devido s resistncias
i p
R // R , mas os seus efeitos sero
includos posteriormente. Da equao (3.57) e da figura 3.25 (b), pode se observar que
( ) 1 + k l
v
funo de
k
i , bem como
k k
, conforme proposto por Jovanovic et al. (1987). Como esto
sendo estudadas as perturbaes ocorrendo em freqncias mais baixas de que a freqncia de
ressonncia, isto permite assumir que
lk
v ,
k
i e
k k
permanecem constantes durante cada
perodo k . A expresso para
( ) 1 + k l
v ento dada por:
ds ) s ( i
C n
e
v
k
l
l
c
) s l ( a
) k ( l
k
k k k
k

+
+
+


+
1
1
1
1

(3.58)
, onde ( ) s i
k
pode ser substitudo pela equao (3.24). A soluo da equao (3.58) ento
dada por:
[ ]
) a ( C n
cos ) a i i ( sen ) i a i ( e a i i
v
sk
c
k ck sk sk k sk ck sk
a
ck sk sk
) k ( l
k k
2 2 1



+
+ +
=

+

(3.59)
, onde a e
k
so termos constantes.
Aplicando pequenas perturbaes na equao (3.59) esta expresso pode ser
facilmente linearizada com auxlio de ferramentas matemticas apropriadas conforme
demonstrado na literatura por Grajales et al. (1995). A soluo linearizada em torno do ponto
de operao [ ] Q , W , D , V
s g
dada por:
) i

H i

H d

E E ( A v
ck ic sk is k d sk ) k ( l
+ + + =
+

1
(3.60)
, onde A,

E ,
d
E ,
is
H e
ic
H so ganhos que dependem dos pontos de operao e so
tambm calculados com auxlio de ferramentas matemticas apropriadas.
_______________________________________________________________________62


________________________________________________________________________
A equao (3.60) mostra a relao discreta existindo entre a tenso de sada
( ) 1 + k l
v e
os parmetros de controle
sk
,
k
d ,
sk
i e
ck
i . Aplicando a transformada Z na equao anterior,
conforme proposto na literatura por Tang et al. (1992), segue que:
( ) ) z ( i

H ) z ( i

H ) z ( d

E ) z ( E A ) z ( v Z
c ic s is d s l
+ + + =

(3.61)
Esta equao (3.61) pode ser novamente transformada para uma funo de
amostragem contnua no tempo conforme proposto por Franklin et al. (1980), sendo:
( ) ) s ( i

H ) s ( i

H ) s ( d

E ) s ( E A
) e (
s
) s ( v
c ic s is d s s l
+ + +

1

(3.62)
O termo da funo de amostragem contnua e reteno indicado fora dos parnteses
na equao (3.62) foi aproximado atravs de uma expanso em sries de potncias. Um
exemplo de uma expanso polinomial de segunda ordem dado na literatura por Ridley
(1990).
De posse de
l
v , pode se solucionar para
c
v e levar em considerao a ligeira
descarga provocada pelos resistores
i p
R // R . O diodo
1
D e o circuito composto por
i p
R // R
e
p
C no devem provocar a descarga de
c
v durante o reset e carregamento de
l
v . A
desvantagem que o circuito
i p
R // R e
p
C introduz um plo adicional no sistema. Contudo,
como este plo deve ser projetado para freqncias altas, no afetar o desempenho da malha
fechada. Assim,
c
v expresso por:
p p
l
c
C R ) b s (
) s ( v
) s ( v
+
=
(3.63)
, onde:
p i p
C ) R // R (
b

=
1

(3.64)
b) Resolvendo para
f
v aps o circuito de compensao: a relao entre ( ) s v
f
e
( ) s v
c
encontrada a partir da figura 3.17 (a). A soluo para pequeno sinal, linearizada aps
aplicar uma perturbao, dada por:
) s ( G ) s ( v
R
Z
) s ( v ) s ( v
w c
i
w
c f
= =
(3.65)
c) Expressando
s
como uma funo de
f
v , usando a relao linear do VCO.
Segundo o desenvolvimento matemtico proposto por Jovanovic et al. (1987), pode ser
_______________________________________________________________________63


________________________________________________________________________
estabelecida uma equao que mostra uma relao linear entre
s
e
f
v . A soluo de
s
para
pequenos sinais dada por:
) s ( v K ) s (
f VCO s
= (3.66)
, onde a sensibilidade do VCO,
VCO
K , pode ser medida experimentalmente ou pode ser
aproximada por uma equao, conforme demonstrado na literatura por Jovanovic et al.
(1987). A soluo final para
s
obtida substituindo os termos da equao (3.66) pelos
termos das equaes (3.62) a (3.65), sendo:
( ) ) s ( i

H ) s ( i

H ) s ( d

E ) s ( E A ) s ( G ) s ( G ) s (
c ic s is d s w e s
+ + + =

(3.67)
, onde:
p p
VCO
s
e
C R ) b s (
K
) e (
s
) s ( G
+

=
1


(3.68)
, e:
i
w
w
R
) s ( Z
) s ( G =
(3.69)

3.4.5 Modelagem do amplificador de compensao de erro
O esquema de compensao adotado para cada uma das malhas de controle
exemplifica, to somente, uma das possveis formas de implementao do sistema. A
compensao utilizada na malha de regulao de potncia representada pela equao (3.53)
Grajales et al. (1995) e mostrada na figura 3.24. Este circuito de compensao introduz:
a) Um plo no zero, como elemento integrador, para altos valores de ganho CC;
b) Um zero nas baixas freqncias, aumentando a banda passante da malha de
ganho do compensador;
c) Um plo nas altas freqncias.
A compensao usada para a malha de controle de freqncia representada pela
equao (3.69) e sua implementao mostrada na figura 3.25 (a). Um diodo foi inserido em
srie na malha de ganho do amplificador operacional de forma a apresentar dois esquemas de
compensao diferentes, dependendo da magnitude do sinal de erro. A finalidade deste
circuito de compensao no linear de apresentar uma resposta rpida, com o diodo em
saturao, quando o erro positivo, e de no penalizar o tempo de resposta, quando o erro
negativo. Idealmente, o diodo deve estar cortado quando
c
v menor que
refw
v e,
_______________________________________________________________________64


________________________________________________________________________
conseqentemente, o erro deve ser positivo. A compensao para um erro positivo inclui um
plo na freqncia zero, para altos valores de ganho em CC, e um zero nas baixas freqncias.
O erro positivo indica que a freqncia do inversor excessivamente baixa e que a condio
ZVS prejudicada. Assim, aceitvel que o amplificador operacional seja saturado com sua
sada positiva, para rapidamente recobrar a condio ZVS. Por outro lado, o diodo estar
conduzindo quando
c
v estiver maior que
refw
v , indicando, ento, que o erro est negativo.
Neste caso, o plo no estar no zero, mas se mover ligeiramente para uma freqncia maior,
provocando uma diminuio do alto ganho CC. A compensao de erro negativo no dever
saturar o amplificador operacional to rapidamente como quando for o caso de um erro
positivo. Uma anlise profunda das performances da malha fechada relacionada a este tipo de
compensao no linear muito complexa, especialmente se for analisado o seu
comportamento durante a resposta ao transiente.

3.4.6 Modelo completo do conversor ressonante
O modelo para pequenos sinais [Forsyth et al. 1994] obtido a partir das equaes
(3.41) a (3.44), (3.52), (3.56) e (3.67). A figura 3.27 apresenta as diferentes partes do modelo,
sendo o mdulo de potncia da clula inversora ressonante srie, a malha de regulao de
potncia de sada, a malha de controle de freqncia, e o compensador de erro do
amplificador associado.














Fig. 3.27 Modelo completo para pequenos sinais do conversor ressonante, incluindo o
estgio de potncia, a malha de controle de freqncia e a malha de controle de fase
+
+
+
+
-
-
-
-
-
E
kd
d


CW
s
c
v

LI
c
s


LW
s
c
i


L R
C
+
-
s
v


s
i

CV
c
s


CV
s
s


CW
s
s
v

c
v +
C
-
L R
LW
s
s
i


- +
c
i

+
LI
s
s


E
kv
g
v

G
c
(s)
+
+
+ + - -
-
-
G
w
(s)
E
dw
d

E
ww
s



H
isw
s
i

H
icw
c
i

k
i
p



G
d
(s)
b b
m
C R ) a s (
e F
sTd
+


+
-
s

s si

I c ci

I
0 p

+
-
_______________________________________________________________________65


________________________________________________________________________
A modelagem do conversor ressonante por meio do mtodo da funo descritiva
estendida [Yang 1991] mostrou-se uma ferramenta poderosa na especificao de sistemas
eltricos. Desta forma, o modelo para pequenos sinais pode ser usado para implementar
simulaes usando ferramentas computacionais, tais como o PSpice

e o Simulink

. Essas
ferramentas possibilitam preditar o comportamento e desempenho do sistema, bem como
obter suas curvas de resposta. Diversas simulaes utilizando essas ferramentas so
apresentadas no captulo 4, a seguir.

3.5 Anlise do Transformador RF de Adaptao de
Impedncias
Para acomodar a grande diferena de impedncias existente entre o conversor e a
carga ressonante, necessrio introduzir no sistema um dispositivo de adaptao capaz de
assegurar a mxima transferncia de energia ao aplicador RF da tocha ICTP e, por
conseqente, ao plasma. Esta funo de casamento provida por um transformador de
impedncia RF que, tambm, e de forma auxiliar, isola galvanicamente a tocha de plasma do
conversor ressonante e da rede eltrica pblica de alimentao.
A tecnologia adotada para o projeto do transformador RF a do tipo planar, onde
todos os enrolamentos so superpostos [Morill et al. 1992]. As razes que motivaram esta
escolha decorrem do melhor rendimento obtido por este tipo de configurao, das facilidades
mecnicas associadas sua confeco e do carter inovador que esta nova topologia
representa. Por no ser o objeto do foco desta tese, a anlise do transformador de impedncia
feita de forma sucinta e para uma nica freqncia, considerando o mesmo ser aperidico
em toda faixa de freqncias de operao.










Fig. 3.28 Vista do transformador RF do tipo planar.
(Reproduzido de documento tcnico de FERROXCUBE

)
d c A
c
=
d b a l
c
+ + =
2
5
2 2
b a A
w
=
d c b l
w
+ + = 2 2 4
_______________________________________________________________________66


________________________________________________________________________
Fisicamente, o transformador RF planar caracterizado pela geometria e as
dimenses do ncleo e dos enrolamentos. A figura 3.28 apresenta, para um ncleo tipo E, as
principais dimenses que so utilizadas no desenvolvimento da anlise.

3.5.1 Anlise sumria do transformador RF
No transformador, a energia eltrica transferida do primrio para o secundrio
atravs de acoplamento magntico [Magnetics Inc. 2001]. A equao bsica do transformador
regida pelas leis do potencial magntico formulada por Ampre, e da induo de Faraday
que, na sua forma geral, so expressas por:

= = l H dl H I N
N
l H
I

=
(3.70)
, e:

= = dt E
N N
E
dt
d 1


(3.71)
, com: H a intensidade do campo magntico em ampre-espira/m, l o comprimento mdio
das linhas do campo magntico em metro, N o nmero de espiras, I a corrente no
enrolamento em Ampre, E a fora eletromotriz em volt, o fluxo magntico em Weber, A
a rea magntica efetiva em
2
m , e B a densidade de fluxo magntico em Tesla.
Diferentemente da anlise convencional onde determinado o volume do material
magntico necessrio para depois calcular as perdas, se faz o procedimento inverso, ou seja,
calculam-se as perdas para a condio de operao. Em seguida, determina-se o volume do
ncleo com base nas perdas e os demais parmetros do transformador.










Fig. 3.29 Circuito equivalente do transformador RF de adaptao de impedncias
C
1

V
2

N
1

Transformador ideal
R
1
L
1disp

R
Fouc

L
mag

N
2

C
2

R
2
L
2disp

C
12

V
1

Z
2

Z
1

_______________________________________________________________________67


________________________________________________________________________
Para facilitar a anlise, o transformador
RF
T representado por seu modelo
equivalente [Ridley 2004], onde:
1
N o nmero de espiras do primrio,
2
N o nmero de
espiras do secundrio,
c
R a resistncia de perdas do ncleo,
1
R a resistncia do primrio,
2
R
a resistncia do secundrio,
mag
L a indutncia de magnetizao,
disp
L
1
a indutncia de
disperso do primrio,
disp
L
2
a indutncia de disperso do secundrio,
1
C a capacitncia inter-
espiras do primrio,
2
C a capacitncia inter-espiras do secundrio, e
12
C a capacitncia entre
primrio e secundrio. O modelo equivalente do transformador apresentado pela figura 3.29.
Para especificar o transformador necessrio determinar a mxima densidade de
fluxo magntico que o ncleo pode suportar sem saturao, sob determinadas condies de
temperatura. Fazendo uma analogia com a lei de Ohm, conforme proposto por Ferroxcube
(2001), as perdas totais engendradas no transformador so expressas como:
th
trafo _ loss
R
T
P

=
(3.72)
, onde T representa a elevao de temperatura e
th
R a resistncia trmica do transformador.
A figura 3.30 apresenta a curva de magnetizao de um ncleo de ferrite genrico.









As perdas por histerese so funo do tipo de material utilizado no ncleo
[Ferroxcube 2001], e usualmente so fornecidas pelo fabricante. Expressando as perdas por
histerese para o modelo senoidal, a partir dos trabalhos propostos por Steinmetz (1990), vem:
( ) ct T ct T ct B

f K P
K K
s hyst
+ =
1
2 2
2
3 2
1 (3.73)
, onde
hyst
P a densidade de perdas no ncleo por histerese, 1 K , 2 K e 3 K so os
coeficientes de perda fornecidos pelo fabricante para um dado ncleo, ct ,
1
ct e
2
ct so os
Fig. 3.30 Curva de magnetizao de um ncleo de ferrite genrico.
(Reproduzido de documento tcnico de FERROXCUBE

)
_______________________________________________________________________68


________________________________________________________________________
coeficientes de temperatura tambm fornecidos pelo fabricante temperatura T ,
s
f a
freqncia de chaveamento e

B o pico de densidade de fluxo em Tesla.


Como o fluxo magntico varia somente durante uma parte do ciclo [Sippola 2003],
devido introduo do um tempo morto (dead-time) no sinal de comando dos inversores, a
freqncia de operao equivalente corrigida para:
( ) D D
f f
s equ

=
1
1 2
2


(3.74)
, onde D o duty-cycle. A densidade mxima de fluxo B

admissvel passa ento a ser:


c equ
A N f
D V
B


=

1
1
2
1

(3.75)
, onde:
1
V a tenso de entrada,
c
A a rea da seo reta do ncleo e
1
N a quantidade de
espiras no primrio.
A perda total por histerese no ncleo pode ser determinada, substituindo nas
equaes sendo:
( )
( )
c c
K
c equ
K
s hyst
l A ct T ct T ct
A N f
D V
D D
f K P
+


=

1
2
2
3
1
1
1 2
2
2
1
1
1 2
1
1

(3.76)
, onde:
c
l o comprimento do ncleo.
Como o ncleo do transformador feito de material que apresenta uma resistividade
eltrica finita, correntes parasitas de Foucault so induzidas no mesmo, devido s variaes
do fluxo magntico. Essas perdas so expressas pela relao:
( )
c Fouc
A B f p

=
2


(3.77)
, onde:
Fouc
p a densidade de perdas por correntes parasitas em
3
m W e a resistividade
efetiva da ferrite em m .
Assim, a perda total no ncleo dada por:
c Fouc
l
N
D V
P

=
2
1
1
2
1
4


(3.78)
As perdas devidas ao efeito resistivo dos enrolamentos do transformador [Gilot et al.
1998] so dadas por:
_______________________________________________________________________69


________________________________________________________________________
2
2
2 1
2
1
R I R I P
wind
+ =
(3.79)
, onde:
1
I e
2
I so as correntes eficazes no primrio e secundrio e,
1
R e
2
R as resistncias
do primrio e secundrio, respectivamente [Ebert et al. 2008]. Essas resistncias, em corrente
contnua, podem ser expressas por:
1
2
1
1
A
N l
R
w
cu

= (3.80)
, e:
2
2
2
2
A
N l
R
w
cu

= (3.81)
, onde:
cu
a resistividade do material dos enrolamentos, em m ,
w
l o comprimento
mdio da espira, em m,
1
A e
2
A as reas dos enrolamentos primrios e secundrios, em
2
m
e,
1
N e
2
N , o nmero de espiras do primrio e do secundrio.
Expressando a perda por efeito Joule nos enrolamentos (windings) e desprezando a
corrente de magnetizao, obtm:
2
2
2 2
2
1
2
1 2
1
A
N l
I
A
N l
I P
w
cu
w
cu win

+

= (3.82)
, e desprezando a corrente de magnetizao:
2
1
1 2
N
N
I I =
(3.83)
Quando a rea total de enrolamento
w
A utilizada, a relao do enrolamento da rea
do primrio
1
A para a rea total
w
A indicada como n e o fator de aproveitamento ,
substituindo nas equaes anteriores, vem:
( )

+


=
w
w
cu
w
w
cu win
A n
N l
N
N
I
A n
N l
I P
1
2
2
2
2
1
1
2
1 2
1
(3.84)
, onde
w
A a rea total dos enrolamentos em
2
m .
Considerando que os enrolamentos do primrio e secundrio so constitudos pelo
mesmo material e, por conseqente, tem a mesma resistividade
cu
, a equao anterior pode
ser simplificada para:
_______________________________________________________________________70


________________________________________________________________________
( )

=
n n A
N l
I P
w
w
cu win
1
1
2
1 2
1

(3.85)
O aumento de perdas nos enrolamentos devido ao efeito pelicular e de proximidade
pode ser tratado expressando os valores da resistncia dos enrolamentos em funo da
freqncia, calculando a perda para cada componente harmnica da corrente e somando as
perdas devidas cada harmnica. A perda total nos enrolamentos, para uma determinada
freqncia
s
f , passa a ser:
( )

=
0
2
1 2
1
1
1
h
h
cc
ca
w
w
cu h win
R
R
n n A
N l
I P


(3.86)
, onde:
ph
I a corrente rms para o
th
h harmnico da freqncia
s
f , ( )
h cc ca
R R a relao
entre as resistncias CA e CC na
th
h harmnica, e h o ndex da componente harmnica.
Os parmetros referentes dados construtivos dos enrolamentos, como o fator de
enchimento e a relao de utilizao de rea pelo primrio n , podem ser inferidos
diretamente das dimenses e medidas feitas no ncleo. Assim:
2
1 2
2
2 1
2
1 2
N R N R
N R
n
+

= (3.87)
, e:
w
w cu w cu
A R R
R N l R N l

+
=

2 1
2
2
1 1
2
2

(3.88)
O aumento da resistncia dos enrolamentos devido ao efeito pelicular e aos efeitos de
proximidade foram tratados analiticamente por Dowell (1966) e por Ferreira (1994) para
diversos materiais e segundo a geometria dos enrolamentos [Razak et al. 2003]. Utilizando
esses resultados, para enrolamentos laminares, a relao ( )
cc ca
R R expressa por:
( ) ( ) ( )

+ = y D m y M y
R
R
cc
ca
1
3
2
2
(3.89)
, onde:
lam
d y = ,
lam
d a espessura da pista de cobre, a profundidade de penetrao da
corrente =
0
2 2
s
f , m o nmero de camadas do enrolamento, e os coeficientes
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) y cosh y cosh y senh y senh y M + = 2 2 2 2 , e
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) y cosh y cosh y senh y senh y D + = .
_______________________________________________________________________71


________________________________________________________________________
As perdas de magnetizao so causadas pela corrente de magnetizao no primrio
do transformador. Sendo
mag
L .a indutncia de magnetizao do transformador, expressa-se a
mesma por:
c
c r
mag
l
A
N L

=

0 2
1

(3.90)
A resistncia do primrio, inferindo o coeficiente de enchimento e a relao de
utilizao de rea n , passa a ser:
n A
N l
R
w
w

2
1
1
(3.91)
, e as perdas de magnetizao:
2 2
2
1 1
3
s m
mag
f L
D V R
P


= (3.92)
, onde D o duty-cycle, e
1
V a tenso de entrada do transformador.
As perdas por elementos parasitas so devidas s condies de acoplamento entre
primrio e secundrio do transformador que resultam em indutncias de disperso,
capacitncias inter-enrolamentos e outros. Com base nos trabalhos experimentais de
Steinmetz (1990), a indutncia de disperso por unidade de comprimento expressa por:
w
x
N L
r
cam

=

0 2
1

(3.93)
, onde:
cam
L a indutncia do volume existente entre duas camadas em m H , x a distncia
entre duas camadas em m , e w a largura da camada em m .
A capacitncia parasita entre camadas dada por:
x
w
C
r cam
=
0

(3.94)
, onde
cam
C a capacitncia parasita entre duas camadas,
0
a permissividade do vcuo e
r
,
a permissividade relativa do material.
Com o tipo de material, volume, perdas e demais parmetros do ncleo definidos, a
anlise complementada determinando o nmero de espiras do primrio e secundrio,
1
N e
2
N , respectivamente, aplicando a lei de Faraday inicialmente apresentada.

_______________________________________________________________________72


________________________________________________________________________
3.6 Anlise da Carga Ressonante Srie
At ento a carga ressonante foi vista como sendo um circuito ideal, apresentando
parmetros fixos. Contudo, para analisar corretamente a operao do conversor ressonante
srie proposto para esta aplicao, necessrio conhecer as caractersticas eltricas [Miller
1991] e o comportamento dinmico da carga, no seu espao real de operao. Como a carga
til essencialmente constituda pela coluna de plasma produzida pela tocha ICTP [Erin et al.
1995], seu comportamento dinmico interage fortemente sobre as condies de operao do
conversor ressonante devido impedncia complexa refletida pelo aplicador RF [Fauchais et
al. 1997]. No mais, para acomodar a grande diferena de impedncias existente entre o
conversor e a carga ressonante, torna-se necessrio introduzir no sistema um dispositivo de
adaptao capaz de assegurar a mxima transferncia de energia ao aplicador RF e, por
conseqente, ao plasma. Esta funo de casamento provida por um transformador de
impedncia RF que tambm, e de forma auxiliar, isola galvanicamente a tocha de plasma do
conversor ressonante e da rede eltrica pblica de alimentao.
Assim, feita a seguir a anlise analtica e matemtica do aplicador RF da tocha
ICTP para determinada condio de operao sem, todavia, inferir seus parmetros na
modelagem do conversor ressonante, o que tornaria a anlise do sistema demasiadamente
complexa.

3.6.1 Descrio da tocha a plasma e do aplicador RF
Existem numerosas concepes de tochas RF, mas o desenho de base para nossa
anlise o modelo proposto na literatura por Reed (1961), apresentado na figura 3.31.
A tocha de plasma composta por dois tubos concntricos com pequena distncia
anular entre si. O tubo externo, de raio
0
r , chamado de tubo de confinamento do plasma e,
geralmente, fabricado em quartzo ou material cermico [Kim et al. 1997]. Na zona de
descarga, o tubo de confinamento envolvido por uma bobina de cobre comportando algumas
espiras, conforme as caractersticas da fonte de alimentao RF. Esta bobina curta geralmente
resfriada por um fluxo circulante de gua. Um tubo intermedirio, fabricado tambm em
quartzo ou material cermico, de raio
3
r , se estende aproximadamente at o nvel da primeira
espira. Este tubo serve, essencialmente, para canalizar um fluxo de gs
0
3
m escoando ao longo
da parede do tubo de confinamento a fim de reduzir as perdas condutivas e convectivas do
plasma e limitar o sobreaquecimento do tubo de confinamento.
_______________________________________________________________________73


________________________________________________________________________
O fluxo de gs plasmtico
0
2
m introduzido entre o tubo intermedirio e o tubo
central, isto , longitudinalmente com uma componente de vrtice. neste gs que ocorre a
descarga ionizante. O tubo no centro da tocha, quando existente, canaliza o fluxo de gs
0
1
m
que serve para introduzir os materiais reativos ou as plvoras utilizadas em tratamentos de
superfcies. As freqncias de operao das tochas RF se estendem de algumas centenas de
kHz at algumas dezenas de MHz, para potncias indo do kW at o MW. Para a aplicao
definida neste trabalho, a freqncia mxima de operao foi fixada em 450 kHz por ficar
situada na faixa atribuda s aplicaes em ISM (Industrial, Scientific and Medical band) e
estar no limite factvel de funcionamento dos inversores a IGBTs, no estado atual da
tecnologia.













A descarga ionizante [Razzak et al. 2002] que ocorre no interior do tubo de
confinamento da tocha produzida de duas maneiras distintas: pelo campo eletrosttico axial,
para o modo de excitao em baixa potncia, ou pelo campo eletromagntico azimutal,
quando a corrente circulando pelo indutor suficientemente alta para assegurar o processo de
ionizao do meio. Neste modo indutivo, a descarga mantida pela induo do campo
magntico variando no tempo. Como o modo indutivo dominante nas condies normais de
operao estabelecidas para a aplicao proposta, despreza-se o modo eletrosttico,
considerando-se exclusivamente o modo de operao eletromagntico descrito na literatura
por Thomson (1927). Desta forma, representa-se a descarga por um modelo equivalente
constitudo por um transformador virtual com ncleo de ar, no qual o primrio o indutor da
Fig. 3.31 Vista em corte de uma tocha RF a acoplamento indutivo
0
3
m
0
1
m
0
2
m
Indutor
w
Tubo de confinamento
l
1

l
2

l
T

r
z
r
B

r
0

r
3

Z=0
r
1

r
0

_______________________________________________________________________74


________________________________________________________________________
tocha e o secundrio formado pelo prprio anel de plasma. Assim, com base no modelo do
transformador de plasma proposto por Piejak et al. (1992), estabelecem-se as expresses
relacionando os parmetros eltricos externos, como a tenso e corrente RF no indutor da
tocha. A potncia aplicada na descarga pode, assim, ser expressa atravs de grandezas
mensurveis, como tenso e corrente de descarga.

3.6.2 Modelo do transformador de plasma
As relaes geralmente apresentadas em artigos especializados levam somente em
conta as caractersticas fsicas do plasma sem, todavia, considerar sua interao com o
aplicador [Park et al. 2000]. Isto se traduz em equaes de difcil manipulao e de pouca
interatividade com as grandezas eltricas mensurveis e os parmetros que caracterizam
efetivamente o aplicador RF. A idia ento descrever a descarga indutiva no plasma por
meio de um modelo formado por um transformador virtual com ncleo de ar e de uma nica
espira [Kwan et al. 1994]. O transformador virtual assim formado consiste de dois
enrolamentos interagindo entre si por meio de um campo magntico mtuo. A figura 3.32
representa o diagrama hipottico do aplicador RF em corte, com o transformador formado
pelo prprio indutor atuando como primrio, e o secundrio virtual formado pelo caminho da
descarga de plasma.












O campo magntico produzido pela corrente circulando no enrolamento primrio
interage com o secundrio. O primrio do transformador constitudo pela bobina da tocha
composta de N espiras que possui uma indutncia
1
L , uma resistncia
1
R , e cujo coeficiente
Fig. 3.32 Diagrama hipottico do modelo a transformador de plasma
R
b
l
Z
N espiras

p

Plasma
RF p
I N I
r r
=
RF
I
r
_______________________________________________________________________75


________________________________________________________________________
de qualidade do indutor definido por
1 1
R L Q = . Uma tenso RF, de valor
1
V e
freqncia angular aplicada ao indutor, produzindo uma corrente
1
I . A descarga que se
estabelece no plasma constituda por descargas filamentares em paralelo formando a espira
secundria de um transformador virtual a ar com indutncia
2
L e resistncia de plasma
pl
R .
A indutncia de descarga do plasma
2
L consiste de duas componentes, a indutncia de
inrcia dos eltrons
e
L
que representa a parte complexa da impedncia de carga do plasma,
sendo expressa por
pl e
R L = , e a indutncia geomtrica ou magntica
2
L , devida ao
caminho da corrente de descarga. A indutncia de inrcia dos eltrons
e
L definida pela
condutividade do plasma ( ) j m n e
e e
+ =
2
, sendo: e , a carga do eltron,
e
n , a
densidade do plasma,
e
m , a massa do eltron, e , a freqncia efetiva de coliso do eltron.
A indutncia virtual
2
L acoplada magneticamente ao primrio do transformador formado
pelo indutor, atravs da indutncia mtua M [Colpo et al. 1999]. Para maior simplificao,
assumido que o modo dominante da descarga na anlise proposta indutivo, desprezando-se o
modo capacitivo que ocorre no incio da descarga, baixa potncia [Gudmundsson et al.
1997]. A figura 3.33 mostra o diagrama do modelo equivalente do aplicador RF da tocha
ICTP que utilizado na anlise.










De forma genrica, a indutncia de um indutor solenide proporcional ao quadrado
do nmero de espiras N e ao raio r da bobina, sendo ( )
2
r N L [Piejak et al. 1992]. Por
analogia, para o transformador a ar hipottico formado por dois indutores coaxiais de mesmo
comprimento e acoplados entre si, a relao caracterizando as indutncias
1
L e
2
L expressa
na forma:
Fig. 3.33 - Diagrama do modelo equivalente do transformador de plasma
R
1
M
V
1

I
1

L
2

I
2

Z
pl

R
pl

pl
R

_______________________________________________________________________76


________________________________________________________________________
2
1 1
2 2
1
2

=
r N
r N
L
L
(3.95)
, e o fator de acoplamento k como sendo:
2
1
2

=
r
r
k (3.96)
Considerando que, neste caso especfico, 1
2
= N , e substituindo na equao 3.95,
tem-se:
2
1
1
2
N
L
k L =
(3.97)
Aplicando a lei das malhas de Kirchhoff ao transformador hipottico formado,
obtm-se um conjunto de equaes descrevendo os circuitos primrio e secundrio, sendo:
M j i L j i R i v + + =
2 1 1 1 1 1

(3.98)
, e:
pl
Z i M j i L j i + + =
2 1 2 2
0
(3.99)
, com a indutncia mtua
2 1
L L k M = , e
pl
Z a impedncia da descarga de plasma. A
impedncia total do secundrio pode ser ento escrita como:
2 2
L j Z Z
pl
+ =
(3.100)
A impedncia primria
1
Z medida na entrada do transformador representado pelo
indutor obtida por substituio nas equaes (3.98), (3.99) e (3.100), sendo:
2
2
2 2
2 1 2
2
2 2
1
1
1
Z
M
L j L j
Z
M
Z
i
v
Z
pl

+

= =


(3.101)
O sinal negativo associado reatncia do secundrio cuja corrente, segundo a lei de
Lenz, tende a neutralizar o fluxo magntico no circuito primrio. A impedncia da descarga de
plasma expressa por:
pl pl pl
R j R Z + =


(3.102)
A impedncia
2
Z , aps substituio em (3.101), tem a forma:
_______________________________________________________________________77


________________________________________________________________________
2 2
L j R j R Z
pl pl
+ + =


(3.103)
Substituindo novamente na equao (3.101), a impedncia primria :

+
+ =
2
2
2
2 2
1 2
2
2 2
1
Z
R L
M L j
Z
R
M Z
pl
pl


(3.104)
Com base na equao (3.104), observa-se que a impedncia vista no primrio
composta de uma parte resistiva
i
R , e de uma parte reativa que pode ser definida como
i i
L X = . Expressando essas grandezas, tm-se:
2
2
2 2
1
Z
R
M R R
pl
i
+ = (3.105)
, e:

+
= =
2
2
2
2 2
1
Z
R L
M L L X
pl
i i


(3.106)
Combinando as equaes (3.105), (3.106) e substituindo
2
L por (3.97), deriva-se
uma expresso para
pl
R e para o fator de acoplamento k como sendo funo das variveis
1
R ,
i
R ,
1
L ,
i
L , e , ento:
( ) ( )
( ) ( )


+
=
1 1 1
2
1
2
1
2
R R L L L
R R L L
k
i i
i i




(3.107)
, e:
( )
( ) ( )



=
1 1
2
1
1
1
R R L L N
L k
R R R
i i
i pl



(3.108)
A corrente na descarga de plasma obtida da equao (3.99), sendo:
_______________________________________________________________________78


________________________________________________________________________
2
2
2
1
1
1
2 3
1
1
pl pl
pl
R R k
N
L
L k
N
I
I
+




(3.109)
A tenso devida componente hmica do plasma, em fase com a corrente, dada
por:
pl pl
R i v =
2

(3.110)
, e a potncia RF dissipada na descarga de plasma expressa por:
pl
pl
pl
R
v
P
2
=
(3.111)
Essas equaes permitem caracterizar os principais parmetros do aplicador RF da
tocha ICTP, porm so de difcil aplicabilidade uma vez que relacionam grandezas
diretamente ligadas carga de plasma.

3.6.3 Avaliao dos parmetros da carga de plasma
Atravs das equaes (3.107) a (3.111) possvel determinar as caractersticas
eltricas da carga de plasma e expressar os parmetros da descarga por meio das constantes
experimentais
1
L , Q,
0
r , e , bem como do conjunto de parmetros eltricos mensurveis
no aplicador RF
1
L ,
1
R , P ,
1
V e
1
I , e da defasagem existente entre tenso e corrente na
indutncia primria da tocha ICTP. Esses parmetros so facilmente relacionveis pelas
expresses:
cos V I P =
1 1

(3.112)
cos
I
V
R =
1
1
1

(3.113)

sen
I
V
L

=
1
1
1

(3.114)
O campo eltrico RF distribudo ao longo da descarga pode ser inferido a partir dos
valores da tenso
pl
V existente no plasma e do coeficiente de acoplamento k para o raio r ,
sendo:
_______________________________________________________________________79


________________________________________________________________________
0
2 2 r
k
V
r
V
E
pl
pl
r

=

=


(3.115)
, sendo que ( )
2 1
2 2
1

+ =
pl r
E E , onde
pl
E o valor RMS (Root Mean Square) em volts
do campo eltrico RF no plasma, distribudo sobre o raio r .
Aps avaliar
r
E , o nmero total de eltrons
e
N , a densidade mdia do plasma
e
n , a
condutividade eltrica mdia do plasma =
e e
m n e
2
0
, e a profundidade de penetrao da
corrente , os parmetros da descarga podem ser estimados a partir da equao do balano de
potncia, dada por:
e r
e
e
e e
e
pl
N E c
m
e
N E
m
e
dA E
m
n e
P

2
2
2
2
2
2


(3.116)
, com:
2
2
r
E
E
c = (3.117)
2 2
r
e
pl e
E e c
m
P N


=


(3.118)
A E e c
m
P n
r
e
pl e


=
2 2


(3.119)
2 0
r
pl
E A c
P

= (3.120)
pl
r
P
A c
E


=
0
2


(3.121)
, onde E o campo eltrico RF local efetivo no plasma, c o fator de forma resultando da
diferena entre o campo eltrico RF
2
r
E e o campo eltrico RF mdio
2
E para o volume
inteiro de plasma, A o volume da coluna de plasma, e
0
a permeabilidade magntica no
vcuo. Observa-se que o fator de forma c depende da distribuio axial e radial da densidade
de plasma e do campo eltrico RF local. Embora a condutividade do plasma
0
e a
profundidade de penetrao sejam expressas pelas equaes (3.120) e (3.121), estes
parmetros so tambm dependentes, indiretamente, da densidade de potncia na descarga
A P
pl
. Isto decorre do fato que so inter-relacionados com os valores de e presso p do
_______________________________________________________________________80


________________________________________________________________________
gs que, por sua vez, influencia os valores inferidos
0
e atravs da dependncia de
r
E
com p .

3.6.4 Transferncia de potncia ao plasma - Eficincia e potncia mnima
para manuteno da descarga
A eficincia da transferncia de potncia ao plasma definida pela relao entre a
potncia RF dissipada na descarga
pl
P e a potncia RF total P necessria para manter a
descarga indutiva em regime estvel [Mostaghimi et al. 1990]. A potncia RF total P
composta de dois termos sendo:
t pl
P P P + = , onde
t
P a potncia dissipada no primrio do
indutor. Assim, o rendimento da descarga de plasma pode ser expresso por:

+
= =
pl
t
pl
P
P
P
P
1
1

(3.122)
Aps manipulao das equaes anteriores, substituindo e simplificando os termos, a
relao
pl t
P P pode ser expressa como:
( )
2
2
2
2
2
2
2 2
0 1
0
L Q k R
R R L
R R
R
P
P
pl
t

+
=

(3.123)
Contudo, uma representao mais conveniente para formular
pl t
P P express-la em
termo das constantes experimentais
1
L , Q e N do indutor, e dos parmetros eltricos
facilmente mensurveis como
pl
P ,
pl
V e k , ficando assim:
( )
2
1
2
4
2
2
2 1
2
1
pl
pl
pl
pl
pl
pl
pl
t
V L Q k
P
V
P
V
N k
L P N
P
P


(3.124)
Da equao (3.124) se depreende que, para uma diminuio da potncia de descarga,
a relao 0
t pl
P P e, conseqentemente, 0 , implicando que
min t
P P .
A potncia mnima pode ser definida a partir da suposio que a potncia aplicada
deve ser apenas suficiente para compensar as perdas no primrio do indutor e manter a
descarga no plasma, no limite, 0 =
d
P . Assim:
_______________________________________________________________________81


________________________________________________________________________
( )

+


=
2
2
0
2 2
min
1

L Q k
V N
P
pl

(3.125)
Abaixo deste valor de potncia, o regime de descarga no se sustenta [Hossain et al.
2002]. A necessidade de aplicar um valor mnimo de potncia para assegurar a manuteno da
descarga indutiva decorre diretamente das equaes de Maxwell, dos nveis de ionizao e do
balano de energia no gs.
Para o aplicador RF, constitudo por um indutor com geometria definida envolvendo
um volume finito de plasma, ento possvel determinar a potncia necessria para satisfazer
a essas condies. Tais parmetros devem ser levados em conta no projeto e
dimensionamento da tocha ICTP para obter elevado rendimento. A indutncia da bobina
cilndrica de comprimento h , da tocha de plasma expressa por:

+

=
h
r
, h
r N
L
0
0
2
0
2
1
88 0 1

(3.126)
Aplicando (3.126) e substituindo em (3.125), obtm-se o mnimo nvel de potncia a
ser aplicada tocha ICTP para manter a descarga, considerando a geometria do indutor do
aplicador RF. Assim:
Q k
h
r
E h
P
r

+
=
2
2
2
0 2 7
min
1 88 , 0 1 10


(3.127)
, com
min
P em W ,
r
E em m V , h e
0
r em m.
De forma anloga, para o limite mximo de potncia correspondendo a uma descarga
de forte intensidade, onde o plasma apresenta alta condutividade, 0
t pl
P P , enquanto
pl
P P . A potncia mxima da descarga indutiva expressa por:
2 2 3
1
2
max
pl
pl
V Q N k
L P
P


=


(3.128)
, o que corresponde ao limite imposto pela condutividade infinita apresentada pelo secundrio
do transformador a ar, isto do plasma, obviamente conduzindo a uma transferncia de
potncia ineficiente, onde 0 .
Entre esses dois extremos, se situa o ponto de mxima eficincia na transferncia de
potncia carga de plasma, o que ocorre quando:
_______________________________________________________________________82


________________________________________________________________________
pl
pl
pl
Z
P
V
N k
L
X =
+
=

=
2
2
2
2
1
2
1

(3.129)
, ou seja, quando a impedncia do plasma
2
Z e a reatncia do secundrio
2
X so iguais.
Para este ponto, o quociente da relao
pl t
P P mnimo, o que corresponde
mxima eficincia de transferncia de potncia ao plasma, sendo:
Q k P
P
pl
t

+ +
=

2
2
2
min
1 2

(3.130)
Esta anlise demonstrou que possvel caracterizar os parmetros do aplicador RF e
da coluna de plasma a partir das grandezas eltricas mensurveis diretamente no circuito.
Essas informaes so importantes para a especificao dos valores de carga apresentados
pela coluna de plasma e na fase experimental de caracterizao da planta de inertizao de
resduos para o estabelecimento das DREs (Destruction and Removal Efficiency factors).

3.7 Concluses
Neste captulo foi apresentada uma retrospectiva sobre os vrios tipos de geradores e
conversores usados, atualmente, na excitao de tochas ICTP.
Foi igualmente introduzido o conceito de agrupamento de estruturas inversoras e
proposta a tcnica de comutao seqencial em estruturas inversoras ressonantes empregando
dispositivos IGBTs de comutao rpida. Esta nova tecnologia possibilita gerar sinais em alta
freqncia a partir de estruturas inversoras simples. A anlise desenvolvida possibilitou
comparar estratgias de comando e avaliar propriedades de reduo de perdas nos dispositivos
IGBTs, mediante tcnicas de comutao suave, particularmente no modo ZVS.
Finalmente, foi apresentado o mtodo de modelagem para pequenos sinais para
descrever e especificar o projeto do estgio de potncia e dos compensadores de um conversor
ressonante srie.
Foram, tambm, analisadas as demais partes componentes associadas ao conversor,
como transformador de adaptao de impedncias e aplicador da tocha ICTP.
No mais, a anlise desenvolvida mostra que possvel caracterizar os parmetros do
aplicador RF da tocha ICTP e da coluna de plasma a partir de grandezas eltricas diretamente
_______________________________________________________________________83


________________________________________________________________________
mensurveis no sistema, e estabelecer os limites de potncia para os quais a descarga se
mantm estvel.
Diante do apresentado, pode se concluir que a topologia proposta para o conversor
ressonante srie de alta freqncia factvel, desde que sejam empregados dispositivos IGBTs
especficos, de alta velocidade de comutao. A estratgia de comando do tipo sequential
pulse gating mostrou-se apropriada para a aplicao, uma vez que permite a gerao de sinais
com potncia de dezenas de kW para freqncias da ordem de 400 kHz, requeridos para a
excitao da tocha ICTP. Assim, fica demonstrado que esta tecnologia, pelo seu forte poder
evolutivo, perfila-se como uma alternativa de custo mais baixo e de fcil implementao para
esta faixa de freqncias, principalmente se comparada s estruturas geradoras convencionais
empregando vlvulas terminicas de vcuo.





















___________________________________________________________________________
Captulo 4


Conversor Ressonante de Alta Freqncia
Desenvolvimento, Implementao e
Simulaes


4.1 Introduo
A partir dos diversos conceitos apresentados e das anlises desenvolvidas no captulo
3, proposto o projeto e a implementao de um conversor ressonante de alta freqncia com
comutao seqencial e dos principais subsistemas associados. A seguir feita uma descrio
detalhada dos circuitos implementados, os critrios e mtodos utilizados no dimensionamento,
bem como so apresentadas simulaes para testar o funcionamento, preditar o
comportamento, e visualizar as respostas esperadas.
A implementao de cada subsistema feita seguindo a mesma cronologia adotada
na anlise apresentada no captulo anterior.
Tratando-se essencialmente de um modelo de aplicao [Dubut et al. 2005], o
dimensionamento efetivo dos principais elementos de circuito feito com base nas
especificaes do projeto PLASPETRO em fase final de desenvolvimento nos laboratrios
dos DCA e INPE, este servindo como base experimental de sustentao da tese proposta.

4.2 Sistema Proposto
4.2.1 Estrutura funcional
O conversor ressonante converte a tenso do barramento CC em corrente RF de alta
freqncia, no valor definido pelo supervisrio de processo para a excitao da tocha ICTP.
arquitetado sobre um conjunto de quatro mdulos inversores ressonantes [Pinheiro et al.
2006], de 50 kW cada, e opera nominalmente na freqncia de 400 kHz. Esses quatro mdulos
inversores tm, por sua vez, suas sadas agrupadas em configurao paralela e so acionados
segundo um padro de comando seqencial. Os inversores utilizam dispositivos IGBTs do
_______________________________________________________________________85


________________________________________________________________________
tipo ultra-rpido [Helsper et al. 2001], de tecnologia NPT [Siemens Semiconductor Group
2000]. Incorporam, tambm, os diodos reversos ultra-rpidos para circulao das correntes de
retorno. O chaveamento dos IGBTs feito segundo um padro de comutao suave,
empregando tcnicas de comutao a tenso nula ZVS, de forma a minimizar as perdas de
comutao e reduzir o estresse imposto aos dispositivos semicondutores.
A implementao da estratgia de controle, gerao dos padres de comando para
acionamento das chaves IGBTs, seqenciamento dos mdulos inversores, processamento dos
diversos sinais de controle, bem como o rastreio da freqncia de ressonncia da carga
ressonante provido por uma unidade geradora de comandos e controle.
Todas as interconexes necessrias entre a unidade geradora de comandos e controle,
e os mdulos de excitao dos IGBTs so feitas com cabos de fibra ptica.
Um transformador RF de potncia inserido entre o conversor ressonante de alta
freqncia e a tocha ICTP, de forma a prover a adaptao das impedncias. Adicionalmente,
este transformador isola, galvanicamente, o aplicador RF da tocha ICTP da rede de
distribuio de energia eltrica.
A figura 4.1 apresenta a estrutura funcional do conversor ressonante de alta
freqncia e dos diversos subsistemas associados.
















Fig. 4.1 Estrutura funcional do conversor ressonante e subsistemas associados
2
4
Driver
Mdulos 7&8
Driver
Mdulos 5&6
Driver
Mdulos 3&4
Driver
Mdulos 1&2
2
4
Inversor
Mdulo 1
Inversor
Mdulo 2
Inversor
Mdulo 3
Inversor
Mdulo 4
Mdulo de gerao de sinais de comando
e controle + Controlador PLL
+600V
CC

Opto +
fibra
ptica
Transformador
de impedncia
Carga
ressonante
Sensores de
tenso e corrente
2 2 2
4 4 4
4 4 4
2 2 2
_______________________________________________________________________86


________________________________________________________________________
4.2.2 Especificaes do sistema
Como o conversor ressonante parte integrante da planta de tratamento de resduos,
o sistema deve atender s especificaes gerais definidas no Projeto PLASPETRO, as quais
so relacionadas sumariamente na Tabela 4.1 no que tange ao conversor ressonante.











Com base nesses dados inicialmente fixados e/ou arbitrados, dimensionam-se os
principais elementos de circuito do conversor ressonante de alta freqncia.

4.3 Implementao e Dimensionamento
4.3.1 Estratgia e padres de acionamento
Embora o conversor modular esteja constitudo por quatro clulas inversoras
eletricamente independentes, estes inversores so montados, do ponto de vista mecnico,
sobre o mesmo dissipador de calor. Assim, compartilham o mesmo sistema de resfriamento,
de sorte que, fisicamente, se confundem em um bloco nico. Cada mdulo IGBT incorpora
duas chaves interligadas internamente, formando um brao da ponte inversora. Essas chaves
IGBTs, para atender a estratgia de acionamento, precisam ser acionadas em instantes
diferentes, segundo a seqncia definida pela estratgia de comando, de forma que a potncia
mdia dissipada no ultrapassa a capacidade de manejo de cada dispositivo.
Como o foi apresentado no captulo anterior, sendo parte das caractersticas da
tcnica de acionamento do tipo sequential gate pulsing [Kleveland et al. 2001], esses
dispositivos manejam, instantaneamente, correntes prximas dos valores mximos
estabelecidos pelo fabricante. Assim, necessrio assegurar, entre comutaes sucessivas,
Tabela 4.1 Especificaes gerais do sistema
C
a
r
g
a
C
o
n
v
Sist. Especificao / Parmetro Valor/unidade
Potncia nominal na carga (P
Load
) 50 kW
Rendimento nominal do transformador RF (
TRF
) 98 %
Carga refletida pelo plasma (R
pl
) potncia nominal 0,6
Freqncia nominal de operao (f
0
) 400 kHz

Faixa de freqncia de operao (f
1
-f
2
) 350-450 kHZ
Tenso no barramento CC (V
CC
) 550-800 V
CC

Tenso nominal de operao (V
0
) 600 V
CC

Rendimento global do conversor ressonante (
CR
) 90 %
_______________________________________________________________________87


________________________________________________________________________
perodos de descanso para aliviar o estresse eltrico imposto, chamado de destressing. Como
o conversor constitudo de quatro clulas inversoras, haver apenas uma delas acionada em
cada instante, enquanto as demais descansam por trs perodos de comutao sucessivos,
proporcionando o destressing dos IGBTs. Assim, em cada meio-ciclo, apenas um IGBT do
semi-brao superior do primeiro grupo dever ser acionado com um IGBT de semi brao
inferior do segundo grupo, ou vice versa. A figura 4.2 apresenta o diagrama de conexo dos
blocos de chaves IGBTs com o barramento da carga ressonante.












A aplicao da seqncia de comutao correta determinar que a carga ressonante
seja conectada, alternadamente, e a cada meio-ciclo, ao barramento de sada de um dos quatro
inversores, no sentido B A e A B . A tabela 4.2 apresenta a seqncia de comutao de
cada uma das chaves IGBTs para uma seqncia de oito pulsos, correspondendo a um ciclo
completo de operao.









Tabela 4.2 Seqncia de comutao das chaves IGBTs
Pulsos
1 2 3 4 5 6 7 8
IGBT
Grupo I
1a 1b 2a 2b 3a 3b 4a 4b
IGBT
Grupo II
5b 5a 6b 6a 7b 7a 8b 8a
Barramento
A
+ - + - + - + -
Barramento
B
- + - + - + - +

Fig. 4.2 Diagrama de conexo do conversor ressonante
Carga ressonante
+600V
CC

-600V
CC

A B
Mdulo
IGBT 4
Mdulo
IGBT 3
Mdulo
IGBT 1
Mdulo
IGBT 2
Mdulo
IGBT 5
Mdulo
IGBT 6
Mdulo
IGBT 7
Mdulo
IGBT 8
(a) (a) (a) (a) (a) (a) (a) (a)
(b) (b) (b) (b) (b) (b) (b)

Grupo I Grupo II
_______________________________________________________________________88


________________________________________________________________________
Desta forma fica demonstrado, atravs do diagrama apresentado na figura 4.3, que
uma mesma chave IGBT s voltar a ser acionada aps trs ciclos completos, estes supridos
pelas outras trs clulas inversoras.










Para atender a este requisito preciso que as clulas inversoras sejam constitudas
por um conjunto de chaves IGBTs que, fisicamente no seja parte do mesmo invlucro. A
tabela 4.3 apresenta, para cada uma das quatro clulas inversoras, o conjunto de chaves
IGBTs associadas a esta distribuio.







A seqncia de pulsos de comando deve, ento, ser endereada nesta ordem aos
mdulos de excitao controlando os dezesseis gates de IGBTs. Para isto so utilizados oito
mdulos de excitao duplos, tambm de drivers, cada um com dois canais galvanicamente
independentes. Isto necessrio, pois devem acionar, simultaneamente, uma chave de um
bloco superior com uma chave de um bloco inferior, ou vice-versa, a cada oitavo de ciclo.
Contudo, esses mdulos comerciais por no serem construdos para esta aplicao,
incorporam um circuito de proteo por dead-time entre canais, com constante de 3,3 s.
Embora, seria possvel modificar o circuito do mdulo para diminuir o dead-time para os 250
ns requeridos, julgou-se melhor estabelecer uma estratgia de comando que efetue o
Tabela 4.3 Posio fsica das clulas inversoras
Clulas inversoras
1 2 3 4
IGBTs
1a/5b
1b/5a
2a/6b
2b/6a
3a/7b
3b/7a
4a/8b
4b/8a


IGBTs
Seo (b)
1 2 3 4 5 6 7 8
Mdulos IGBTs
Fig. 4.3 Diagrama de entrelaamento da seqncia de acionamentos
_______________________________________________________________________89


________________________________________________________________________
acionamento de cada um dos canais do mdulo de excitao com diferena de quatro pulsos
de comando, superando com folga o intervalo de proteo do mdulo de excitao SKHI26F
[Sheng et al. 1999]. O diagrama de interconexo dos mdulos de excitao associado aos
gates dos IGBTs apresentado na figura 4.4.











A proteo dos IGBTs contra sobre tenso e curto circuito propiciada pelos mdulos
de excitao feita respeitando a mesma lgica de ligao. A tabela 4.4 indica as ligaes das
protees dos mdulos de excitao com os correspondentes barramentos.







A seqncia completa de acionamento dos IGBTs das clulas inversoras
apresentada na figura 4.5. Na simulao apresentada possvel observar que cada clula
inversora opera em 4 1 da freqncia nominal de sada
s
f e que tem participao efetiva em
somente um dos quatro sub-ciclos.
Assim, fica intuitivo que a estratgia de comando implementada possibilita o alvio
do estresse eltrico, o destressing, sofrido pelas chaves IGBTs, uma vez que cada dispositivo
opera somente em um dos quatro sub-ciclos e que, conseqentemente, sua corrente mdia se
torna quatro vezes menor ao longo do ciclo, proporcionando o derating em corrente.
Proteo IGBTs
Barramento
+V
DD

Driver
I (top/bot)
Driver
III (top/bot)
Driver
VI (top/bot)
Driver
VIII (top/bot)
Barramento
Sada B
Driver
II (top/bot)
Driver
IV (top/bot)
Driver
V (top/bot)
Driver
VII (top/bot)

Tabela 4.4 Interligao das protees dos IGBTs
Fig. 4.4 Diagrama de interconexo dos mdulos de excitao e dos IGBTs
1
5
2
6
3
7
4
8
1a
3a 3b
1b 2a
4a
2b
4b
Driver
I
Driver
II
Driver
III
Driver
IV
IGBTs IGBTs IGBTs IGBTs
1
5
2
6
3
7
4
8
5b
7b 7a
5a 6b
8b
6a
8a
Driver
V
Driver
VI
Driver
VII
Driver
VIII
IGBTs IGBTs IGBTs IGBTs
Erro I Erro II Erro III Erro IV
Erro VIII Erro VII Erro VI Erro V
Pulsos Pulsos Pulsos Pulsos
Pulsos Pulsos Pulsos Pulsos
_______________________________________________________________________90


________________________________________________________________________


















4.3.2 Clulas inversoras
As clulas inversoras so dimensionadas com base nas especificaes do sistema
apresentadas na Tabela 4.1. A potncia a ser fornecida por cada clula inversora entrada do
transformador de adaptao de impedncias para assegurar a aplicao dos 50 kW tocha
ICTP dada por:
kW
P
P
TRF
pl
TRF
51
98 , 0
10 50
3

= =

(4.1)
Para determinar a capacidade de corrente dos dispositivos IGBTs que sero
empregados no conversor RF, preciso fazer uma estimativa prvia da corrente que ir
circular em cada um deles. Estimando, inicialmente, perdas globais de 10 % para o conversor
ressonante, a potncia total mdia manejada por cada inversor dada por:
kW
P
P
inv
TRF
conv
7 , 56
90 , 0
10 51
3

= =

(4.2)
Fig. 4.5 Seqncias de acionamento do conversor ressonante de alta freqncia
Clula
Inversora
1
Clula
Inversora
2
Clula
Inversora
3
Clula
Inversora
4
Clula
Inversora
1
Clula
Inversora
2
Clula
Inversora
3
Clula
Inversora
4
Seqncia N Seqncia N+1
_______________________________________________________________________91


________________________________________________________________________
Como o j foi mencionado, necessrio introduzir, ao final de cada semi-ciclo, um
tempo morto, o dead-time, para acomodar o turn-off das chaves IGBTs, bem como para
assegurar que dois semi-braos das pontes inversoras no possam ser acionados ao mesmo
tempo. Assim, para a freqncia de operao de 400 kHz, a insero deste tempo morto fixo
de 250 ns, em cada semi-perodo de comutao, determina que o ciclo efetivo de trabalho D,
tambm chamado de duty-cycle, para acionamento do conversor ressonante, seja:
8 , 0
10 400
1
10 250 2
10 400
1
2
3
9
3
=

=

=

s
T s
conv
T
d T
D
(4.3)
Contudo, para cada uma das clulas inversoras operando na freqncia nominal
kHz f
'
s
100 4 10 400
3
= = , o duty-cycle efetivo,
inv
D , fica reduzido a:
2 , 0
10 100
1
10 250 2
10 100
1
2
3
9
3
=


=

s
T s
inv
T
d T
D
(4.4)
Esta reduo do duty-cycle
inv
D evidencia bem os efeitos de destressing e de
derating proporcionados por esta tcnica sobre as chaves IGBTs.
Considerando a tenso de barramento CC V
0
= 600 V e pelo fato da tenso na sada
dos inversores ser uma tenso quadrada, calculando por Fourier o valor da componente
fundamental, tem-se V . V V V 764 600 4 4
1 0 1
= = = de pico, e a corrente RMS
circulando pelas chaves da clula inversora dada por:
A
D V
P
I
inv
RMS
2 , 131
8 , 0 764
2 10 7 , 56 2
3
1


=
(4.5)
Este valor estimado da corrente ento utilizado para determinar, inicialmente, a
capacidade de corrente requerida para os IGBTs a serem utilizados nesta aplicao. Uma
consulta Tabela 4.5 de IGBTs do tipo NPT de SEMIKRON INTERNATIONAL GmbH

,
tradicional fabricante alem de semicondutores de potncia, com filial no Brasil, leva
seleo do IGBT de chaveamento rpido SKM200GB125D.




_______________________________________________________________________92


________________________________________________________________________



















O mdulo escolhido do tipo SEMITRANS

3 contendo, no mesmo
encapsulamento, dois IGBTs da famlia NPT ultrafast conectados em semi-ponte, cada um
com capacidade nominal de corrente de 150 A sob tenso mxima de 1200 V.











Tabela 4.5 Relao de mdulos IGBTs do tipo NPT de SEMIKRON


Fig. 4.6 Vista ilustrativa do mdulo IGBT SKM200GB125D de SEMIKRON


_______________________________________________________________________93


________________________________________________________________________
Alm das especificaes eltricas atenderem aos requisitos de projeto, este
dispositivo apresenta baixa indutncia parasita de 15 nH e oferece o mesmo encapsulamento
dos demais IGBTs que equipam a maioria dos mdulos inversores e retificadores fornecidos
pela SEMIKRON

. As caractersticas detalhadas do mdulo SKM200GB125D so


apresentadas no anexo A-1 e a figura 4.6 mostra uma vista do mdulo SKM200GB125D.
Com o componente definido, dimensionam-se agora as perdas efetivas da estrutura
para os valores reais, com base na elevao de temperatura permissvel na juno do transistor
para o invlucro, e para as perdas mximas [Dede et al. 1993]. Assim, para o IGBT tipo
SKM200200GB125D, a resistncia trmica para cada chave : W K , R
) jc ( th
09 0 = . Fixando-
se a temperatura mxima do invlucro em 125 C e a da juno em 150 C, as perdas para
cada chave IGBT so dadas por:
W
R
T
P
jc th
losses
277
09 , 0
125 150
) (
=

= (4.6)
Assim, a potncia perdida por clula inversora na comutao pode ser aferida para
seu valor efetivo, sendo:
W p p
loss IGBT loss inv
3
_ _
10 1 , 1 277 4 4 = =
(4.7)
, e a potncia total instantnea manejada por cada inversor passa a ser:
kW P
inv
2 , 52 10 1 , 1 10 51
3 3
= + =
(4.8)
Considerando que o conversor ressonante opera na freqncia nominal de kHz 400 ,
a insero de um dead-time fixo de 250 ns em cada semi-perodo de comutao representa um
duty-cycle de acionamento do conversor 80 0, D
conv
= . Assim, a potncia efetiva do sistema
passa a ser expressa por:
kW P
conv
3
3
10 25 , 65
80 , 0
10 2 , 52
=

= (4.9)
, e a corrente de pico:
A I
conv
8 , 120
764
2 10 25 , 65
3


=
(4.10)
Os valores de corrente calculados indicam que as chaves IGBTs, tipo
SKM200200GB125D, especificadas para a aplicao esto dentro dos limites de operao
preconizados pelo fabricante SEMIKRON INTERNATIONAL GmbH

.
_______________________________________________________________________94


________________________________________________________________________
A figura 4.7 apresenta uma vista ilustrativa das quatro clulas inversoras e dos
mdulos de excitao, tambm nominados de drivers, correspondentes.
















4.3.3 Mdulos de excitao
Um dos mais importantes parmetros que deve ser levado em considerao no
dimensionamento do mdulo de excitao o da carga da porta do IGBT. Este parmetro
define a potncia necessria que o mdulo de excitao deve fornecer ao gate do IGBT
[Ruedi et al. 1997]. Dimensionando com base na carga acumulada na porta de entrada do
IGBT, a potncia expressa pela relao:
U
Q
C U C dt i Q
gate
in in gate

= = =

(4.11)
Comumente, os datasheets fornecidos pelos fabricantes indicam apenas os valores da
capacitncia esttica
iss
C , a qual no considera o efeito Miller que reflete parte da
capacitncia dinmica da juno emissor-dreno para a entrada gate, isto devido ao ganho em
corrente do IGBT. De forma emprica e prtica, assumido que a capacitncia dinmica da
porta de entrada
iss in
C C 5 para os IGBTs de potncia. Assim, a energia acumulada na
capacitncia de entrada dada por:
Fig. 4.7 Vista ilustrativa das clulas inversoras constituindo o conversor
_______________________________________________________________________95


________________________________________________________________________
2
2
1
gate in gate
V C W = (4.12)
Para o IGBT selecionado para a aplicao, SKM200GB125D, o fabricante indica
uma capacitncia F C
iss
9
10 10

= e, conseqentemente, a capacitncia efetiva de entrada
nF F C
in
50 10 10 5
9
= =

[International Rectifier Corp. 2003]. A tenso, fornecida pelos
mdulos de excitao da SEMIKRON

varia de V 8 , no bloqueio, para V 15 + , na


conduo, ou seja: V V 23 = . Como a porta de entrada da chave carregada duas vezes
pelo sinal durante um ciclo de acionamento, a potncia requerida do driver para excitar o
IGBT dada por:
s gate in s gate in s gate gate
f V C f V C f W P =

= =
2 2
2
1
2 2 (4.13)
Como o conversor modular ressonante srie utiliza quatro clulas inversoras, a
freqncia nominal de acionamento de cada driver dividida por quatro. Assim,
kHz f f
s s
100 4 = = , e cada IGBT requer um driver capaz de fornecer uma potncia de
excitao de:
W P
gate
65 , 2 10 100 23 10 50
3 2 9
=


(4.14)
Isto , apenas 25% da potncia que seria necessria se os mdulos de excitao
fossem acionados freqncia de 400 kHz.
A taxa de subida e/ou descida do sinal de excitao estabelecida de maneira a que
no interfere nos tempos de acionamento ou corte do IGBT [Schwartzer et al. 2002]. Assim,
considerando o tempo de comutao de 80 ns para o SKM200GB125D sob uma tenso
nominal de barramento de 600 V
CC
, a taxa de variao mnima do sinal de excitao
necessrio para acionar este IGBT :
s kV
dt
dV
gate
75
10 . 80
600
9


(4.15)
A famlia de mdulos do tipo drivers para IGBTs fornecidos pelo fabricante
SEMIKRON

, apresentada na Tabela 4.6. O atendimento das especificaes e


caractersticas requeridas leva seleo do mdulo SKHI26F que incorpora dois canais
independentes.

_______________________________________________________________________96


________________________________________________________________________















As sadas de cada mdulo de excitao so conectadas aos gates dos IGBTs atravs
de resistncias internas de limitao de corrente com 2 2, R
int _ g
= , estas sendo parte do
prprio mdulo. Adicionalmente, resistncias externas programveis tambm so conectadas
em srie. Essas resistncias so dimensionadas para limitar a corrente de excitao a seu valor
ideal. Em todos os mdulos utilizados nesta aplicao, 3 3, R
ext _ g
= e, assim, a corrente de
pico fornecida pelos drivers dada por:
A
R
V
I
tot g
g
gate
18 , 4
3 , 3 2 , 2
23
_
=
+
=

= (4.16)
Na estratgia adotada, durante o ciclo de acionamento, h somente, a cada vez, um
par de drivers excitando um par de IGBTs, enquanto os outros sete drivers permanecem em
repouso. Desta forma, a corrente de alimentao drenada pelo conjunto dos oito drivers, com
base nos dados da SEMIKRON

, dada por:
A A I
dvr
2 925 , 1 175 , 0 . 7 700 , 0 1
_ 0
= + =
(4.17)
A fonte de alimentao especificada para a aplicao do tipo chaveado, alimentada
pela rede eltrica comercial em 220 V
CA
, fornecendo 15 V @ 3 A.
Os mdulos de excitao so acionados atravs de fibras pticas e possuem dois
canais independentes e complementares de excitao, providos de isolao galvnica e de
Tabela 4.6 Relao de mdulos de excitao SEMIDRIVER

de SEMIKRON


_______________________________________________________________________97


________________________________________________________________________
proteo contra curto-circuito e/ou sobre tenso. Esta proteo implementada por
monitoramento da tenso
CE
V do IGBT. Como j o foi citado, um circuito interno de inter-
travamento introduz um dead-time de 3,3 s entre os canais. A durao deste dead-time
programado pelo fabricante para este valor nominal, embora seja ajustvel por meio de
resistor interno ao mdulo. A velocidade de comutao e a corrente de acionamento das
chaves IGBT, no turn-on e turn-off, so tambm ajustados por capacitores e resistores
externos. O anexo A-2 apresenta as caractersticas detalhadas do mdulo de excitao e a
figura 4.8 mostra o mdulo de excitao SKHI26F utilizado na aplicao.












Observa-se que, se o conversor ressonante fosse implementado com uma nica clula
inversora excitada freqncia de 400 kHz, todos esses valores seriam quadruplicados e
excederiam, em muito, os limites mximos especificados pelo fabricante para esses
dispositivos. A estratgia de comando seqencial mostra, assim, pelo vis da reduo de
freqncia de cada clula inversora, sua eficcia no tocante ao alvio das condies de
operao.

4.3.4 Unidade geradora de comando e controle
A unidade geradora de comando e controle gera a seqncia de pulsos para o
acionamento das chaves IGBTs dos inversores e propicia o rastreio da freqncia de
ressonncia da carga para ajustar o ponto de operao e propiciar o chaveamento dos
inversores no modo ZVS. A unidade possui dois modos de acionamento, sendo um modo de
gerao contnua dos padres de comando, e outro limitado a uma seqncia de 1000 pulsos.
Fig. 4.8 Vista ilustrativa do mdulo de excitao SKHI26F de SEMIKRON


_______________________________________________________________________98


________________________________________________________________________
A gerao de uma seqncia limitada permite, na fase experimental, o ensaio de novos
valores de carga sem que haja risco de sobrecarga para os inversores, uma vez que o tempo de
acionamento limitado a uns poucos milissegundos. O diagrama eltrico simplificado da
unidade geradora de comando e controle apresentado na figura 4.9.





















A freqncia da seqncia de pulsos de acionamento dos IGBTs gerada a partir de
um oscilador controlado em tenso VCO que opera na faixa de 500 kHz a 900 kHz, ou seja,
que oscila no dobro da freqncia de chaveamento
s
f . Esta faixa de freqncias foi atribuda
a partir de dados experimentais, tendo-se verificado que suficiente para acomodar as
variaes de freqncia
0
f da carga ressonante para os diferentes regimes de operao do
plasma. O VCO provido por um circuito integrado dedicado da famlia CMOS, tipo
74HCT4046, associado a uma malha de controle de fase PLL. O anexo A-3 apresenta as
R1(1)
CX
14
RX/CX
15
A
1
B
2
MR
3
Q
13
Q
4
U1:A
74HC221
C2
100pF
R2
1k
D0
3
Q0
14
D1
4
Q1
13
D2
5
Q2
12
D3
6
Q3
11
RCO
15
ENP
7
ENT
10
CLK
2
LOAD
9
MR
1
U3
74HC161
A
1
B
2
C
3
E1
6
E2
4
E3
5
Y0
15
Y1
14
Y2
13
Y3
12
Y4
11
Y5
10
Y6
9
Y7
7
U4
74HC138
1 2
U5:A
74HC04
3 4
U5:B
74HC04
5 6
U5:C
74HC04
13 12
U5:D
74HC04
1 2
U2:A
74HC04
3 4
U2:B
74HC04
5 6
U2:C
74HC04
13 12
U2:D
74HC04
D
2
Q
5
CLK
3
Q
6
S
4
R
1
U8:A
74HC74
CX
6
RX/CX
7
A
9
B
10
MR
11
Q
5
Q
12
U1:B
74HC221
R3
10k
C3
1nF
R4
100k
C4
1uF
11 10
U2:E
74HC04
SW1
SW-SPDT
Salve
Continuous
Start
Synchronous reset
Dead time 150ns
Demux
R1
10k
R5
1k
C1
1uF
9 8
U5:F
74HC04
D1
1N4148
SW2
SW-SPST-MOM
COMPIN
3
VCOIN
9
SIGIN
14
CX1
6
CX2
7
INH
5
R1
11
R2
12
PP
1
PC1OUT
2
PC2OUT
13
VCOOUT
4
DEMOD
10
ZENER
15
U7
74HC4046
R6
10k
R7
10k
C5
1nF
R9
100k
U7(PC2OUT)
CX
14
RX/CX
15
A
1
B
2
MR
3
Q
13
Q
4
U9:A
74HC221
R10
100k
C6
1nF
C7
100nF
SW2(NO)
VCO out 0.800 to 1.000 MHz
Loop delay 1.5us
Fig. 4.9 - Diagrama eltrico simplificado da unidade geradora de comando e controle
_______________________________________________________________________99


________________________________________________________________________
caractersticas e as especificaes completas do circuito integrado 74HCT4046, e a figura
4.10 apresenta seu diagrama funcional.













Os elementos
1
C ,
1
R e
2
R do VCO so determinados a partir das freqncias
mnimas e mximas requeridas e plotadas nos bacos. Assim, fixando inicialmente o valor de
nF C 1
1
= , a partir dos bacos apresentados na figura 4.11 determinam-se, respectivamente,
os valores de k R 18
1
= e k , R 7 2
2
= .













Fig. 4.10 Diagrama funcional da seo VCO do circuito integrado 74HCT4046.
(Reproduzido do documento: Data sheet 74HC/HCT4046 Phase-locked-loop with
VCO da PHILIPS SEMICONDUCTORS

)
Fig. 4.11 bacos: (a) Determinao da freqncia mnima de operao do VCO
atravs da resistncia R
1
; (b) Determinao da freqncia mxima de operao do VCO
atravs da resistncia R2. (Reproduzido do documento: Data sheet 74HC/HCT4046
phase-locked-loop with VCO da PHILIPS SEMICONDUCTORS

)
(a) (b)
Ponto de
operao
Ponto de
operao
_______________________________________________________________________100


________________________________________________________________________
A sada do VCO, cuja freqncia de oscilao corresponde a duas vezes a freqncia
de operao, ou seja,
S S VCO
f T f = = 2 2 , conectada a um multivibrador monoestvel do
tipo one shoot, 74HCT221. O anexo A-4 apresenta as caractersticas e as especificaes
completas do circuito integrado 74HCT221.














Este multivibrador, a partir da constante de tempo definida pelo circuito RC
associado, gera os intervalos de tempo morto que so inseridos nos sinais de acionamento dos
IGBTs. Assim, cada pulso gerado pelo VCO, e isto para uma faixa de freqncia
compreendida entre 500 kHz e 900 kHz segundo as condies de operaes definidas pela
carga ressonante, dispara o monoestvel. Um reset inicial, gerado pela energizao do
circuito, rearma o multivibrador para a condio inicial.
Sendo o dead-time fixado em 250 ns e o capacitor em 220 pF, o resistor
determinado diretamente pelo baco da figura 4.12 (b). Assim, para
k R ns
dt
1 250 = . A figura 4.12 (a) apresenta o diagrama eltrico do gerador de
tempo morto.
A gerao e formao da seqncia dos pulsos de acionamento dos IGBTs so feitas
por um contador binrio de oito estados, seguido por um demultiplexador de oito vias. Os
pulsos de dead-time de 250 ns gerados pelo monoestvel so aplicados entrada de clock do
contador binrio 74HCT161 que, por conseqente, gera as trs linhas de endereos
correspondentes contagem de oito pulsos. O anexo A-5 apresenta as caractersticas e as
Fig. 4.12 (a) Diagrama eltrico do gerador de dead-time; (b) baco para determinao
da constante de tempo do multivibrador. (Reproduzido do documento: Data sheet 74HC/HCT221
Dual non-retriggerable monostable multivibrator with reset da PHILIPS SEMICONDUCTORS

)
(b) (a)
+5V
CC

74HCT221
Reset
Sinal do VCO
1k
220pF
p/contador
Ponto de
operao
_______________________________________________________________________101


________________________________________________________________________
especificaes completas do circuito integrado 74HCT161. Essas trs linhas de endereo
endeream um demultiplexador digital 74HCT138 que, seqencialmente, e em funo de cada
endereo decodificado, gera os pulsos de comando para os gates dos IGBTs. O anexo A-6
apresenta as caractersticas e as especificaes completas do circuito integrado 74HCT138.
Cada pulso, cuja largura corresponde a meio perodo da freqncia de operao, traz
embutido o dead-time. Para eliminar os efeitos dos atrasos de propagao dos dispositivos e
assegurar que os pares de pulsos da seqncia de acionamento sero gerados corretamente, os
estados iniciais do contador so carregados a cada pulso de clock. Assim, a insero do dead-
time feita de forma sncrona com auxlio de um flip-flop tipo D, suprido por um biestvel
74HCT74. O anexo A-7 apresenta as caractersticas e as especificaes completas do circuito
integrado 74HCT74. Um conjunto de oito buffers conectados s sadas desacopla o
demultiplexador e restitui o padro em lgica positiva. A figura 4.13 apresenta a vista da
unidade geradora de comando e controle.














A seqncia de gerao dos pulsos de acionamento dos IGBTs oferece dois padres
de gerao. Um padro de gerao contnuo, onde o demultiplexador habilitado de forma
permanente pela aplicao de um nvel CC mediante a chave SW
1
, ou opera por salva de mil
pares de pulsos. Esta modalidade propiciada pelo monoestvel 74HCT221, cuja constante
de tempo dimensionada para 2,5 ms, resultando em um capacitor de 47 nF conectado em
srie com uma resistncia de k 100 . O reset do monoestvel tambm sincronizado pelo
Fig. 4.13 Vista ilustrativa da unidade geradora de comando e controle
_______________________________________________________________________102


________________________________________________________________________
flip-flop tipo D de forma a rearmar o circuito somente aps completar um par de pulsos. Para
eliminar a possibilidade de sobressaltos no acionamento da chave de presso inserido um
circuito anti-debounce formado por um segundo monoestvel. Este monoestvel apresenta
uma constante de tempo de cerca de dois segundos determinada pelo par capacitor e resistor
de, respectivamente, F , 7 4 e M 1 .
Para compensar os atrasos na propagao dos sinais de acionamento dos inversores
introduzidos pelas fibras pticas e pelos mdulos de excitao, bem como inserir um atraso de
fase entre tenso e corrente para satisfazer a condio de chaveamento ZVS, inserido, na
malha de referncia do comparador do PLL, um atraso de cerca de 1,2 s. Este valor
resultante dos atrasos introduzidos pelos mdulos SKHI26F, de 1,0 s, somado a defasagem
de 26 , necessria para garantir o funcionamento dos inversores no modo ZVS.
s T T D
exc s loop
2 , 1 10 1
360
26
10 400
1
6
3
= +

= + = (4.18)
Este atraso implementado por um monoestvel 74HCT221 cuja constante de tempo
dada pelo conjunto RC, sendo k , R 2 2 = e nF C 1 = . Assim, o pulso existente na sada
Q do monoestvel, incorpore este atraso e fornece a referncia de fase para o comparador do
PLL. Para manter a sincronia com os pulsos de comando, o monoestvel gatilhado pela
sada
0
Q do contador binrio do gerador de seqncia.














Fig. 4.14 Diagrama funcional da seo PLL do circuito integrado 74HCT4046.
(Reproduzido do documento: Data sheet 74HC/HCT4046 phase-locked-loop with
VCO da PHILIPS SEMICONDUCTORS

)
_______________________________________________________________________103


________________________________________________________________________
A malha de correo de fase formada pela seo PLL do 74HCT4046. Para que a
malha seja insensvel ao duty-cycle do monoestvel gerando o atraso de fase, utiliza-se o
comparador tipo II, sensvel somente borda positiva do sinal aplicado. A figura 4.14
apresenta o diagrama funcional da seo PLL com o filtro passa-baixo associado.
A tenso na sada do comparador funo da diferena de fase entre as entradas de
referncia e de sinal, sendo expressa pela relao:
( )
CompIN SinIN
CC
OUT PC
V
V

=
4
2

(4.19)
Quando o PLL travado, a tenso na sada do filtro passa-baixos : 2
CC VCO
V V = .













A figura 4.15 apresenta em (a): a tenso de sada do comparador em funo da
diferena de fase entre os sinais de referncia e sinal, e em (b): as formas de ondas
observadas na sada do comparador, na condio de fase travada.
Os valores definidos para o projeto do VCO e do filtro de malha do PLL so:
( ) kHz f
C
700 2 10 900 10 500
3 3
= + = , kHz f
L
200 = , V V
CC
5 = , nF C 1 = , k R 15
1
= ,
k , R 5 2
2
= , k , R 7 2
3
= , 330
4
= R e F , C 1 1
2
= .
O ganho do PLL em malha aberta dado por:
n f p
K K K K s G s H =
0
) ( ) (
(4.20)
Fig. 4.15 (a) Diagrama de resposta do comparador tipo II; (b) Oscilogramas do
comparador tipo II com fase travada. (Reproduzido do documento: Data sheet
74HC/HCT4046 phase-locked-loop with VCO da PHILIPS SEMICONDUCTORS

)
(a) (b)
_______________________________________________________________________104


________________________________________________________________________
, onde
p
K o ganho do comparador de fase,
f
K , o ganho de transferncia do filtro passa-
baixos,
0
K , o ganho do VCO com s K K
V
=
0
, e N K
n
1 = , a relao de diviso inserida na
malha. No caso presente da aplicao no h diviso, e 1 =
n
K .
Partindo dos valores anteriormente definidos, o ganho do VCO expresso por:
( )
V s Rad
V
f
K
CC
L
V
/ / 10 85 , 7
9 , 0 9 , 0 5
2 10 200 2
9 , 0 9 , 0
2 2
5
3
=


=


=

(4.21)
O ganho de fase do comparador dado por:
Rad V
V
K
CC
p
/ 4 , 0
4
5
4
=

=


(4.22)
O ganho de transferncia do filtro passa-baixos expresso por:
( ) ( ) s
s
s
s
K
f
+ +
+
=
+ +
+
=

4 3
4
2 1
2
10 63 , 3 10 3 1
10 63 , 3 1
1
1


(4.23)
, onde:
2 3 1
C R = e
2 4 2
C R = .
A equao caracterstica da malha aberta dada por:
0 ) ( ) ( 1 = + s G s H
(4.24)
Substituindo os termos ) s ( H e ) s ( G pelas suas constantes, resulta que:
( ) ( )
0
1
2 1 2 1
2 2
=
+

+
+
+
+


n v p n v p
K K K
s
K K K
s (4.25)
A freqncia natural da malha
n
expressa por:
( )
2 1

+

=
n v p
n
K K K

(4.26)
, e o fator de amortecimento definido como:
( )
2 1
2
1
2
1

+
+

=
n v p
n
K K K
(4.27)
Dimensionam-se os elementos do filtro para que o fator de amortecimento no
permita um over-shoot inicial superior a 20 % e que acomode a resposta da malha para
5 = t
n
. Fazendo ms t 1 = e substituindo, resulta que:
s / rad
t
n
3
3
10 5
10 1
5 5
=

= =


(4.28)
_______________________________________________________________________105


________________________________________________________________________
Reescrevendo a equao 4.26 para a freqncia natural da malha
n
, vem que:
( )
ms s
K K K
n
n v p
5 , 12 10 25 , 1
10 5
1 10 85 , 7 4 , 0
2
2
3
5
2 2 1
= =


=

= +

(4.29)
Mantendo o valor de F , C 1 1
2
= , so recalculados os valores de
4
R e
3
R , sendo:
( ) [ ] ( )
=


=

+
=

160
10 1 , 1 1 10 85 , 7 4 , 0
1 45 , 0 10 5 2 10 5 , 12 1 2
6 5
3 3
2
2 1
4
C K K K
R
n v p
n

(4.30)
, e:
=

= =

k k R
C
R 7 , 2 84 , 2 160
10 1 , 1
10 3 , 3
6
3
4
2
1
3

(4.31)
O travamento do PLL feito pelo sinal oriundo do comparador que fornece as
transies da corrente circulando na carga ressonante. Essas transies so geradas por um
sensor de corrente constitudo por uma bobina de Rogowski, seguida por um circuito
comparador de tenso. A freqncia da corrente na carga ressonante decorrente da
freqncia natural de ressonncia do aplicador RF, sendo C L =
0
. Como esta freqncia
natural depende somente dos parmetros da carga, ou seja, das condies do plasma e das
constantes dos elementos L e C do aplicador RF, ser possvel travar o PLL mediante o
rastreio das transies. Assim, ser possvel manter o ngulo de defasagem existente entre a
tenso quadrada fornecida pelos inversores e a corrente circulando na carga. Esta condio
assegurada pelo atraso inserido na malha de fase do PLL modificado. Este artifcio faz com
que a reatncia do circuito ressonante se torna ligeiramente indutiva diante da freqncia do
sinal de excitao. Para que isto ocorra necessrio que a freqncia de excitao da carga
seja ligeiramente maior que a freqncia natural da carga, ou seja,
0
f f
s
> . Assim, a corrente
circulando na carga ressonante atrasada com relao tenso fornecida pelo conversor e o
ngulo de defasagem ser ajustado de forma a obter o chaveamento das chaves IGBTs no
modo ZVS. Para esta aplicao, o ngulo de defasagem calculado 26 = , com corrente em
atraso sobre a tenso.
A figura 4.16 apresenta o padro da seqncia de sinais de comando aplicados aos
gates dos IGBTs onde pode ser visualizado o tempo morto, tambm chamado de dead-time,
entre pulsos de acionamento subseqentes.


_______________________________________________________________________106


________________________________________________________________________


















4.3.5 Interface e link de fibras pticas
A transmisso dos sinais digitais de acionamento, entre o mdulo de comando e
controle, e os mdulos de excitao SKHI26F dos IGBT, bem como o retorno dos sinais de
erro provenientes dos mdulos de excitao SKHI26F para o mdulo de comando e controle
feita por meio de fibras pticas. Esta tecnologia foi escolhida por apresentar alta rejeio a
rudos industriais, e ser imune a interferncias eltricas e eletromagnticas. Considerando a
curta extenso do link, cerca de 2 m, foi especificada uma soluo de baixo custo empregando
componentes com encapsulamento plstico, da linha Versatile Link HFBR-0501, do
fabricante AGILENT TECHNOLOGIES

. A figura 4.17 apresenta uma vista ilustrativa do


conjunto de optoacopladores excitando o link de fibras pticas.
A fibra ptica, com dimetro mm 1 = , feita de material plstico recoberto por
uma capa plstica de proteo. A fibra opera no modo de propagao no coerente, com
comprimento de onda nm
l
600 = . A famlia de optoacopladores HFBR-0501 permite a
transmisso de sinal digital taxa mnima de MBd 1 , em distncias superiores a m 20 . Para
enviar os sinais de acionamento aos pares de IGBTs, por intermdio dos mdulos de
Fig. 4.16 Vista ilustrativa de uma seqncia completa de comando
Seqncia de pulsos de comando
_______________________________________________________________________107


________________________________________________________________________
excitao, bem como para receber os sinais de erro correspondentes so utilizados dezesseis
transmissores e oito receptores de fibra ptica. O anexo A-8 apresenta as caractersticas
detalhadas do dispositivo transmissor HFBR1521 e do dispositivo receptor HFBR2521,
utilizados no link.








O dimensionamento do circuito da interface feito com base na corrente necessria
para excitar o dispositivo transmissor HFBR1521. A figura 4.18 (a) apresenta um baco dos
nveis de excitao versus distncia, prescrito pelo fabricante. Para uma fibra ptica de m 2 ,
fixa-se a corrente de excitao do diodo
OFT
I em mA 30 . Para uma tenso de saturao do
diodo de V ,65 1 , a resistncia
TOFT
R dada por:
=

=

100 111
10 30
65 , 1 5
3
OFT
DFV CC
TOFT
I
V V
R
(4.32)
A excitao do diodo infravermelho do transmissor feita por meio de um transistor
2N2222, configurado em emissor comum. Quando este se encontra no corte, toda corrente flui
pelo optoacoplador e excita a fibra. Por outro lado, quando o transistor esta conduzindo deriva
a corrente e o optoacoplador deixa de excitar a fibra. Considerando um ganho em corrente
10 =
sat
na saturao, a corrente de base do transistor determinada de forma simplificada
pela relao:
mA A
I
I
OFT
TOFT B
3 10 3
10
10 30
3
3
= =

= =

(4.33)
, e a resistncia
B
R :
=

=

k
I
V V
R
BT
BE CC
BTOFT
5 , 1 450 . 1
10 3
65 , 0 5
3

(4.34)
Fig. 4.17 Vista ilustrativa dos optoacopladores e do link de fibras pticas
_______________________________________________________________________108


________________________________________________________________________
Para aumentar a velocidade de comutao do circuito foi acrescido, em paralelo com
a resistncia de polarizao da base
B
R do transistor, um capacitor de nF 10 cujo valor foi
obtido experimentalmente [Hewlett Packard 1999]. A insero deste capacitor e a pr-
polarizao do optoacoplador no corte foram as solues implementadas para reduzir o atraso
de propagao e minimizar a distoro observada na largura do pulso de comando no
transmissor para fibra ptica HFBR1521, como ilustrado na figura 4.18 (b).














Adicionalmente, para compensar a distoro de propagao de ns 30 introduzida
pelo optoacoplador entre a subida, chamada de rise-time, e descida, chamada de fall-time, dos
sinais de comando dos IGBTs recebidos pelos mdulos de excitao SKHI26F, foi
incorporado, na entrada de cada um dos canais de excitao, um circuito de atraso do tipo RC
com constante ns
C
30 = . Este circuito opera com base na propriedade de histerese
apresentada por uma porta CMOS, quando acionada em lgica negativa, na interpretao dos
nveis alto e baixo da tenso de entrada. De forma geral, a equao de carga de um capacitor
num circuito RC dada por:

Cin
DD C R
t
DD Cin
V V
V
Ln C R t e V V 1 (4.35)
, e na descarga:
Fig. 4.18 (a) baco para determinao da corrente de polarizao do HFBR1521;
(b) Diagrama do atraso de propagao do HFBR1521. (Dados tcnicos obtidos do
documento: Versatile link The versatile fiber optic connection AGILENT TECNOLOGIES

)
(a) (b)
Ponto de
operao
_______________________________________________________________________109


________________________________________________________________________

= =

Cin
DD C R
t
DD Cin
V
V
Ln C R t e V V
(4.36)
Igualando os dois termos para V V
Cin
= 2 , que o limiar prtico de reconhecimento
do nvel lgico 1 pelo NAND, o ciclo de histerese introduzido na subida ir incorporar a
constante C R
C
, enquanto ficar insensvel na descida do sinal. Fixando pF C 100 = ,
determina-se a resistncia correspondente, ficando 330 = R . Com este artifcio, inferida
a compensao no tempo de propagao do link de fibras pticas.
















Os bacos apresentados na figura 4.19 mostram, respectivamente: (a) a distoro
sofrida pelo pulso transmitido pelo link ptico, em funo da potncia do sinal aplicado e, em
(b), o atraso de propagao existente entre nvel alto e nvel baixo do sinal transmitido, em
funo da potncia do sinal aplicado.
Os sinais de erro, decorrentes de possveis mau funcionamento dos inversores, so
monitorados pelo mdulo de excitao SKHI26F e transmitidos por um link ptico composto
pelo transmissor HFBR1521 do prprio mdulo de excitao e de um receptor HFBR2521 no
mdulo de interface. Na interface, a sada de cada receptor aplicada a um circuito lgico OR
de oito entradas, 74HFE4068, que fornece o sinal de erro para efetuar o eventual bloqueio da
Fig. 4.19 bacos: (a) Distoro da largura do pulso versus potncia aplicada;
(b) Atraso de propagao do pulso versus potncia aplicada. (Dados tcnicos obtidos do
documento: Versatile link The versatile fiber optic connection AGILENT TECNOLOGIES

)
(a) (b)
Ponto de
operao
Ponto de
operao
_______________________________________________________________________110


________________________________________________________________________
unidade de comando e gerao de pulsos, em caso de disfuno das chaves IGBTs. O anexo
A-9 apresenta as caractersticas e especificaes completas do circuito integrado 74HCT4068.
A figura 4.20 apresenta o diagrama eltrico da interface do link ptico, sendo em (a)
a interface de um dos dezesseis canais de transmisso dos sinais de comando e, em (b), um
dos oito canais de recepo dos sinais de erro.












Todos os optoacopladores e demais circuitos da interface so alimentados por uma
fonte CC de
CC
V 5 . A fonte dimensionada para suprir a alimentao de todos os 24
optoacopladores, sendo 16 do tipo transmissores e 8 receptores. Assim, para cada ciclo, em
condies de normalidade, os receptores consomem:
mA
R
V
I
Ropt
DD
Ropt o
40
10 1
5
8 8
3 _
=

= (4.37)
Da mesma forma, do conjunto de 16 transmissores, somente 2 esto transmitindo a
cada meio ciclo. Assim, a corrente drenada pelo conjunto de optoacopladores transmissores
dada por:
mA
R
V V
I I
T
CE DD
Topt Topt o
732
100
2 , 0 5
14 10 30 2 14 2
3
_
=


+ =


+ =


(4.38)
A corrente total a ser fornecida pela fonte CC ento de mA 772 . Acrescentando
uma margem de segurana de % 20 com relao capacidade de corrente, a fonte CC
especificada do tipo A @ V
CC
1 5 .
Fig. 4.20 Diagrama eltrico da interface do link ptico (a) Canal de transmisso dos
sinais de comando; (b) Canal de transmisso dos sinais de erro
(a)
Sinal da
unidade de
comando
+5V
CC

HFBR1521
2N2222
100
1k
10nF
74HCT4011
100pF
330
+5V
CC

1k
HFBR2521
1
2
3
4
74HCT4068
10nF
Sinal de erro
p/unidade de
comando
8 x
Sinais
de erro
(b)
_______________________________________________________________________111


________________________________________________________________________
4.3.6 Unidade detetora de transies
A corrente da carga ressonante sensoriada por uma bobina de Rogowski, seguida de
um circuito comparador de alta velocidade TL3016 que detecta as transies da corrente
circulando na carga ressonante e sua passagem pelos zeros [Ray et al. 2000]. Para isto, o cabo
que interconecta a carga ressonante do aplicador RF ao transformador de impedncias passa
pelo centro da bobina de Rogowski. A figura 4.21 apresenta o diagrama eltrico do detector de
transies da corrente ressonante circulando na carga.










A amplitude dos pulsos captados pela bobina de Rogowski limitada pelo conjunto
de diodos e o comparador possui uma velocidade de resposta, nas transies, da ordem de
ns 8 [Ward et al. 1993]. A sada Q do detector aplicada entrada de sinal do PLL
localizado no mdulo de comando e controle. A figura 4.22 apresenta a vista do detector de
transies da corrente na carga ressonante.











Fig. 4.21 Diagrama eltrico do detector de transies da corrente na carga ressonante
+5V
CC

TL3016
2
3
4 5 6
8
7
1
Q
OUT

Q
OUT

10uF 10nF
2x1N4148
2x1N4148
1k
1k
2x10k
50 x esp.
30 mm
#28 AWG
50 x esp.
30 mm
#28 AWG
Fig. 4.22 Vista ilustrativa do detector de transies da corrente na carga ressonante
_______________________________________________________________________112


________________________________________________________________________
O anexo A-10 apresenta as caractersticas e as especificaes completas do circuito
integrado TL3016.

4.3.7 Transformador RF de adaptao de impedncias
O dimensionamento do transformador feito para o ponto no qual as perdas totais
devidas aos elementos magnticos, bem como as perdas por efeito Joule nos enrolamentos e
por corrente de Foucault no ncleo se tornam mnimas. Para isto, necessrio levar em conta
a temperatura do ncleo e dos enrolamentos, a densidade de fluxo de magnetizao, a
geometria dos enrolamentos, etc., e encontrar um ponto de operao onde todos esses fatores
combinados apresentam o melhor compromisso de rendimento. De forma global, as perdas
correspondem diferena entre a potncia absorvida pelo primrio e a potncia entrega
carga, pelo secundrio. Assim, as perdas totais
Tot
P , genericamente, so expressas por:
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) [ ] dt t I t V t I t V
T
P
T
Tot
=

2 2 1 1
1

(4.39)
, ou ainda:
Fou win hyst Tot
P P P P + + =
(4.40)
Partindo inicialmente da suposio que, das perdas no transformador, metade so
devidas aos elementos magnticos e outra metade aos elementos eltricos, faz-se convergir a
escolha para um ncleo cuja geometria e dimenses iro atendem a essa igualdade [Bodger et
al. 2007]. Arquitetando o projeto do transformador com base em ncleos de ferrite 3F3, do
tipo NC-100/57/25 de THORNTON

, tradicional fabricante de elementos magnticos no pas,


e fixando a faixa de temperatura de operao entre C 25 + e C 125 + , determina-se a
densidade de perdas magnticas por unidade de volume, neste ncleo. Os anexos A-11 a A-13
apresentam as caractersticas e as especificaes completas do ncleo utilizado na aplicao.
Assim, para o ncleo especificado, do tipo NC-100/57/25 de THORNTON

, com um
volume efetivo de
3
200 cm , a densidade de perdas por unidade de volume, :
( )
3 3
8 , 84 8 , 84
200
25 125 12 12
cm mW m kW
V
T
P
e
m
= =

=

=
(4.41)
As perdas magnticas
m
P tambm so funo da freqncia, do pico de densidade de
fluxo magntico e da temperatura. O fator de correo em temperatura dado pela expresso
(4.42) e, uma vez que o valor superior de temperatura bastante reduzido, pode ser
_______________________________________________________________________113


________________________________________________________________________
simplificado e aproximado por um polinmio de segunda ordem, desprezando-se o termo de
3 ordem, assim a relao proposta por Steimetz (1990) toma a forma:
( )
2
2 1 0
3
3
2
2 1 0 n n n n n n T
T ct T ct ct T ct T ct T ct ct T C + + =
(4.42)
A Tabela 4.7 de FERROXCUBE

apresenta as constantes para diversos materiais


magnticos e, em especial, para a ferrite 3F3, na freqncia de kHz 400 .










Substituindo, na equao anterior, o valor das constantes extradas da tabela do
fabricante, sendo: C , ct 28 1
0
= ,
1 2
1
10 05 1

= C , ct , e
2 4
2
10 77 0

= C , ct , para a faixa
de freqncias de 300 a kHz 500 , o fator de correo em temperatura das perdas por
histerese para a mxima temperatura dado por:
( ) 17 , 1 125 10 77 , 0 125 10 05 , 1 28 , 1 125
2 4 2
= + =

C C
T

(4.43)
Inferindo o fator de correo, as perdas magnticas mxima temperatura so dadas
por:
T
y
pk
x
m m
C B f C P =
(4.44)
, onde:
m
C , x , y e z so as constantes tabeladas pelo fabricante para o material 3F3 e
T
C o
fator de correo das perdas, calculado em funo da temperatura.
A partir da equao anterior, determina-se o valor da densidade de fluxo de
magnetizao j corrigida em temperatura pelo coeficiente
T
C , sendo:
( )
mT ,
,
,
C f C
P
B
,
,
y
T
x
m
m y
pk
9 38
17 1 10 400 10 2
8 84
5 2
1
8 1
3 5
1
=


=


(4.45)
Tabela 4.7 Parmetros para clculo das perdas magnticas
Ferrite F (kHz) C
m
x y Ct
2
Ct
1
Ct
0

3C30 20-100 7.13 10
-3
1.42 3.02 3.65 10
-4
6.65 10
-2
4.00
100-200 7.13 10
-3
1.42 3.02 4 10
-4
6.8 10
-2
3.80
3C90 20-200 3.2 10
-3
1.46 2.75 1.65 10
-4
3.1 10
-2
2.45
3C94 20-200 2.37 10
-3
1.46 2.75 1.65 10
-4
3.1 10
-2
2.45
200-400 2 10
-9
2.60 2.75 1.65 10
-4
3.1 10
-2
2.45
3F3 100-300 0.25 10
-3
1.63 2.45 0.79 10
-4
1.05 10
-2
1.26
300-500 2 10
-5
1.80 2.50 0.77 10
-4
1.05 10
-2
1.28
500-1000 3.6 10
-9
2.40 2.25 0.67 10
-4
0.81 10
-2
1.14
3F4 500-1000 12 10
-4
1.75 2.90 0.95 10
-4
1.1 10
-2
1.15
1000-3000 1.1 10
-11
2.80 2.40 0.34 10
-4
0.01 10
-2
0.67
_______________________________________________________________________114


________________________________________________________________________
Todos os demais parmetros iro decorrer da densidade de fluxo determinada na
relao (4.45). O primeiro passo, agora, determinar a seo do ncleo respeitando este valor.
Fixando-se o primrio com 3
1
= N espiras, para uma tenso nominal V V
s
600 = , determina-
se a seo quadrada do ncleo, sendo:
2 2 3
3 3
1
1
46 10 62 4
3 10 400 10 9 38 2
8 0 600 2 2
2
cm m ,
,
,
N f B
D V
A
pk
RMS
e
=


=


=


(4.46)
Como no existe ncleo de ferrite com esta seo, foi feito um empilhamento quatro
a quatro de oito ncleos tipo NC-100/57/25-4500-IP12E, de THORNTON

. Este ncleo
apresenta caractersticas similares ao ncleo U100/57/25-3C90 de FERROXCUBE

, do qual
muito material bibliogrfico est sendo utilizado para o dimensionamento deste
transformador. A figura 4.23 apresenta o arranjo dos oito ncleos empilhados.








Assim, a seo reta dos ncleos de ferrite agrupados apresenta uma rea total de
( )
2 2 3
2
3
60 51 10 16 5 8 10 4 25 cm , m , , = =

e ser utilizada para o dimensionamento dos
demais elementos. Para um resultado mais preciso, seria necessrio refazer uma iterao para
o clculo das perdas por histerese, uma vez que a densidade de fluxo ser menor, em funo
do aumento do volume do material magntico. Contudo, por ser o erro inferior a % 5 ,
consideraremos o resultado com satisfatrio.
A perda magntica
m
P total agora calculada para o ncleo, sendo:
W , P
mT
135 10 8 84 10 200 8
3 6
= =


(4.47)
A indutncia de magnetizao do primrio dada por:
Fig. 4.23 Diagrama ilustrativo do arranjo dos ncleos empilhados
25,4 50,8 50,8 25,4 25,4 25,4
25,4
25,4
25,4
25,4
_______________________________________________________________________115


________________________________________________________________________
H
,
,
l
A N
L
e
e a
=


=

=


568
10 8 30
10 6 51 3 10 3 10 4
2
4 2 3 7 2
1 0
1
(4.48)
A perda produzida pela corrente de magnetizao,
mag
P , dada por:
W
V
f L
V
P
mag
204
10 400 2 10 568
8
2
3 6 2
2
1
1
2
1
=


=

=

(4.49)
Para a ferrite 3F3, com resistividade m
fe
2 = , as perdas devidas s correntes de
Foucault no ncleo so dadas por:
W , , , A B f P
e
fe
Fou
3 0 10 6 51 10 9 38 10 400
2 4 4
4 3 3
=

=


(4.50)
A corrente no primrio dada por:
A ,
,
D
V
P
I 8 82
600
2 2
8 0 10 50
3
1
1
1
=


=
(4.51)
, e como a relao de espiras de 1 : 3 , a corrente no secundrio dada por:
( ) ( )
A ,
,
N
N
D
V
P
I 1 247
600
2 2
3 8 0 135 2 10 50 10 50 135 2
3 3
2
1
1
1
2
=




=
(4.52)
Fisicamente, os enrolamentos so constitudos por placas de circuito impresso com
6 1 1 de espessura e impressos em chapeado de cobre,
cu
e , de m 70 em ambas as faces. O
enrolamento primrio constitudo de 3 espiras em dupla face, repartidas em 2 camadas,
totalizando assim 6 chapas impressas. O secundrio constitudo de 1 espira em dupla face,
repartida em 6 camadas, totalizando tambm 6 chapas impressas. A figura 4.24 ilustra o
padro de empilhamento e de entrelaamento dos enrolamentos primrio e secundrio.







Fig. 4.24 Diagrama de empilhamento e entrelaamento dos enrolamentos
Chapas de isolao
Metade do primrio com
3 espiras dupla face
Secundrio com
6 espiras dupla face
Metade do primrio com
3 espiras dupla face
_______________________________________________________________________116


________________________________________________________________________
Aproveitando a mxima largura possvel para a trilha impressa do enrolamento e
deixando um afastamento de mm 4 da trilha com a borda, para o ncleo NC-100/57/25-4500-
IP12E, de THORNTON

, a largura disponvel para a espira do enrolamento dada por:


( ) ( ) [ ] ( ) ( ) [ ] mm , e e L l
fol isol jan esp
42 1 2 4 2 8 50 2 2 = + = + =
(4.53)
, e o comprimento mdio da espira :
( ) ( ) [ ] [ ] { }
( ) ( ) [ ] [ ] { }
( ) ( ) [ ] [ ] { } ( ) ( ) [ ] [ ] { }
mm mm ,
, ,
r
l e e l
l e e l l
esp
esp fol isol jan
esp fol isol jan med
645 7 644
2
42
2
42 1 2 4 2 6 101 2 42 1 2 4 2 8 50 2
2
2 2 2 2
2 2 2
2
1
= +
+ + + + + + +
= + + + +
+ + + + =

(4.54)
Assim, o comprimento do enrolamento primrio dado por:
mm . l N l
m prim
935 1 645 3
1
= = =
(4.55)
, e a rea da seo reta do cobre do enrolamento primrio para corrente contnua:
2 6 3 6
1
76 11 10 70 10 42 2 2 10 70 2 mm , l N A
esp cam
= = =


(4.56)
, e a resistncia hmica do enrolamento primrio em corrente contnua :
= =

= =

m , ,
,
,
,
A
l
R
prim
cu
3 3 10 3 3
10 176 1
935 1
10 01 2
3
5
8
1
1
(4.57)
De forma anloga, o comprimento do enrolamento secundrio dado por:
mm l N l
m sec
645 645 1
2
= = =
(4.58)
, e a rea da seo reta do cobre do enrolamento secundrio para corrente contnua:
2
2 5 6 3 6
2
28 35
10 528 3 10 70 10 42 6 2 10 70 2
mm ,
m , l N A
esp cam
=
= = =


(4.59)
, e a resistncia hmica do enrolamento secundrio em corrente contnua :
= =

= =

m , ,
,
,
,
A
l
R
sec
cu
36 0 10 6 3
10 528 3
645 0
10 01 2
4
5
8
2
2

(4.60)
As resistncias hmicas dos enrolamentos freqncia de kHz 400 devem ser
eventualmente recalculadas caso as reas teis do primrio e do secundrio sejam alteradas
em funo da profundidade de penetrao da corrente.
_______________________________________________________________________117


________________________________________________________________________
A profundidade de penetrao no cobre expressa por:
mm , m ,
,
f
r
12 0 10 12 1
1 10 4 10 400
10 01 2
4
7 3
8
0
= =


=


=

(4.61)
Como a profundidade de penetrao
cu
e > , no h reduo da seo devido ao
efeito pelicular, uma vez que so utilizadas placas de circuito impresso com cobreado de
m 70 . As perdas por efeito Joule podem ser ento expressas no enrolamento primrio,
sendo:
W , , , I R P
jou
6 22 8 82 10 3 3
2 3 2
1 1 1
= = =


(4.62)
, e no enrolamento secundrio, como:
W , , , I R P
jou
9 21 1 247 10 6 3
2 4 2
2 2 2
= = =


(4.63)
Assim, de forma simplificada, desprezando as demais perdas devidas a indutncias
de disperso e capacitncias inter-espiras, as perdas totais so:
W , P
, , , P P P P P P
tot
Jou Jou Fouc mag mT tot
8 383
9 21 6 22 3 0 204 135
2 1
=
+ + + + = + + + + =

(4.64)
, e o rendimento global
Timp
do transformador sendo:
99 , 0
10 50
8 , 383 10 50
3
3
=

=
TRimp
tot TRimp
TRimp
P
P P
(4.65)












Fig. 4.25 Vista ilustrativa do transformador RF de adaptao de impedncias
_______________________________________________________________________118


________________________________________________________________________
A figura 4.25 apresenta a vista do transformador RF de adaptao de impedncias
construdo para a aplicao.

4.3.8 Aplicador RF da tocha ICTP e carga ressonante
O aplicador da tocha ICTP parte da carga ressonante e suas caractersticas tcnicas
atendem ao descrito no pargrafo 3.4 do captulo anterior [Boulos 2003]. A figura 4.26
apresenta os principais elementos constituintes do aplicador RF com os seus valores
dimensionais. Esses valores so utilizados para o clculo dos elementos eltricos.












constitudo, na sua parte eltrica, por um indutor em tubo de cobre de 8 3 de 7
espiras, com dimetro mdio de mm 94 . A tabela 4.8 apresenta as principais caractersticas
fsico-eltricas do material utilizado na confeco do indutor.









Fig. 4.26 Diagrama mecnico do aplicador RF da tocha ICTP
72 mm
75 mm
94 mm
12 mm
3/8
3 mm
Tubo de confinamento (quartzo)
Indutor (7 espiras)
120 mm
Tabela 4.8 Caractersticas fsico-eltricas do cobre
MATERIAL: COBRE (Cu)
Parmetros Valores
Densidade 8,95 g/cm3 @ 20 C
Coeficiente de dilatao 16,5 10
-6
cm/C @ 20 C
Resistividade 2,01 10
-8
m @ 20 C
Condutividade 5,80 10
7
S/m
Permeabilidade magntica 4..10
-7
H/m

_______________________________________________________________________119


________________________________________________________________________
A figura 4.27 apresenta a vista da tocha ICTP, destacando a parte do aplicador RF. O
capacitor de compensao [Clarke et al. 1945] montado parte, em srie com o conjunto.
















O valor da indutncia do aplicador calculado conforme demonstrado na literatura
por [Grover 1972]. Como o dimetro da bobina maior do que o seu comprimento 1 < D L ,
caracterizando um indutor com geometria curta, o valor final da indutncia corrigido pelo
coeficiente de Nagaoka (1909), aplicado na expresso geral formulada por Wheeler (1995).
Assim:
H , L
, K
l
N r
L
torch _ ICTP
r
torch _ ICTP
=


=

=


68 3
62 0
10 72
7 10
2
94
1 10 4
3
2
2
3 7 2
2 2
0

(4.66)
A resistncia hmica do indutor em corrente contnua determinada pela relao:
( ) ( ) [ ]
=


= =

m ,
, ,
,
S
l
R
ICTP _ CC
90 1
10 94 7 10 52 9
4
7 10 94
01 2
2
3
2
3
3
8 10
(4.67)
A profundidade de penetrao da corrente na seo reta do indutor devida ao efeito
pelicular, na freqncia de kHz 400 , expressa por:
Fig. 4.27 Vista ilustrativa da tocha ICTP com vista do aplicador RF
_______________________________________________________________________120


________________________________________________________________________
mm ,
,
f
p
r s
pelic _ cu
106 0
1 10 4 10 400
10 01 2
7 3
8
0
=


=


=

(4.68)
Assim, a seo reta do indutor devido ao efeito pelicular reduzida para:
( ) ( ) ( ) [ ] [ ]
2
2
3
2
3
768 3 10 10 0 2 52 9 10 52 9 4 mm , , , , S
ind
= =


(4.69)
A resistncia hmica a kHz 400 ento:
=


= =

m ,
,
,
S
l
R
ICTP _ CA
93 10
10 768 3
7 10 94
01 2
6
3
8 10
(4.70)
O fator de qualidade do circuito expresso por:
13
6 , 0 01 , 0
10 68 , 3 10 400 2
6 3
1
1
=
+

=
+

=


pl
L
R R
L
Q (4.71)
Com base nas equaes desenvolvidas no captulo 3 a indutncia equivalente
refletida pela coluna de plasma dada por:
nH , ,
r N
r
L L 8 47
10 94 7
10 75
10 68 3
2
4
4
6
2
1
2
1 2
=

(4.72)
, e a indutncia mtua de acoplamento com a coluna de plasma:
H , , , L L k M =

= =

266 0 10 8 47 10 68 3
10 94
10 75
9 6
2
4
4
2 1
(4.73)
Considerando a freqncia de coliso s ,
en ei
7
10 25 1 = + = para um plasma com
cerca de 15% de ionizao na coroa externa. O valor de 2 0 10 25 1 10 400 2
7 3
, , = .
Para a potncia final de kW 50 a impedncia do primrio dada por:
=

= = 6 11
10 50
600
4
3
2
1
2
1
1
,
P
V
Z
(4.74)
Na prtica muito difcil medir diretamente
i
R devido ao elevado ngulo de fase
existente entre corrente e tenso, uma vez que
i i
R L >> . Contudo, atravs de um artifcio
forando a carga para sua freqncia de ressonncia, isto , fazendo com que a diferena de
fase entre corrente e tenso seja nula, medem-se as freqncias
pl
e
1
na presena da
_______________________________________________________________________121


________________________________________________________________________
descarga de plasma e sem descarga. Assim, a freqncia de ressonncia com a carga de
plasma dada por:
( )
C
L L
pl
i pl

= +

1
0

(4.75)
, e sem descarga no plasma, por:
( )
C
L L

= +
1
1 0 1
1


(4.76)
, onde
0
L a soma da indutncia do transformador e da indutncia refletida pelo circuito.
Assim, substituindo os termos comuns e simplificando essas duas equaes, vem:

=
pl
i
C
L L

1 1 1
1
1
(4.77)
Na ressonncia, a impedncia de entrada apresentada pelo transformador
puramente resistiva e corresponde ao valor da resistncia do secundrio referido ao primrio
pela relao de espiras N ao quadrado. Isto possibilita a determinao de
i
R e
1
R na
ressonncia, para as freqncias
pl
e
1
, respectivamente. Com base nessas medies e da
inferncia dos valores determinados nas equaes, encontram-se os demais parmetros da
carga ressonante.

4.4 Simulaes
As simulaes para teste de topologias, validao de estratgias e predio de
resultados foram implementadas com as ferramentas computacionais PSpice

, Simulink

e
Proteus

. Os principais resultados das simulaes so apresentados a seguir.



4.4.1 Clulas inversoras
As simulaes foram implementadas com base na clula inversora com circuito
ressonante sintonizado na freqncia nominal de operao em kHz 400 , e com freqncias
de excitao centradas em
ZVS
f f +
0
, kHz f 50
0
e kHz f 50
0
+ . O diagrama eltrico da
clula inversora usada nas simulaes apresentado na figura 4.28 e as trs situaes
simuladas so apresentadas a seguir, na ordem.

_______________________________________________________________________122


________________________________________________________________________













As formas de onda apresentadas se referem tenso e corrente na carga ressonante,
bem como corrente no coletor do IGBT do brao superior, sob regime de comutao [Stier
et al. 2005]. possvel observar, nas formas de onda dos diversos oscilogramas, o efeito do
ngulo de defasagem sobre a intensidade da corrente na chave IGBT e na carga ressonante.
Na regio de transio, em especial, mostrada a comutao no modo ZVS.
A figura 4.29 apresenta um ciclo de comutao da clula inversora na freqncia
ZVS
f f +
0
, ou seja, com o circuito ressonante ligeiramente indutivo com relao a
s
f .










A figura 4.30 apresenta um ciclo de comutao da clula inversora na freqncia
kHz f f
s
50
0
= , ou seja, com o circuito ressonante fortemente capacitivo com relao a
s
f .
Fig. 4.28 Diagrama eltrico da clula inversora usada nas simulaes
0
C5
50n
L1
3.2uH
1
2
R40
1k
0
R20
1k
I
V+
-
+
+
-
E1
E
R3
3.3R
0
R30
1k
Z1
CM100DY-24H
TX1
R4
3.3R
R2
3.3R
R5
0.1R
V11
300Vdc
V10
300Vdc
-
+
+
-
E2
E
C30
1n Z2
CM100DY-24H
R10
1k
V-
C4
1n
C1
1n
D1
Z4
CM100DY-24H
R100
0.6R
I
R1
3.3R
0
C10
1n
C40
1n
C3
1n
0
TD =0us
TF =50ns
PW =1.15us
PER =2.5us
V1 =-8V
TR =50ns
V2 =15V
D2
D4
0
-
+
+
-
E3
E
C20
1n
TD =1.25us
TF =50ns
PW =1.15us
PER =2.5us
V1 =-8V
TR =50ns
V2 =15V
0
C2
1n
Z3
CM100DY-24H
0
D3
-
+
+
-
E4
E
Fig. 4.29 - Ciclo de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0

Ti me
45. 0us 45. 2us 45. 4us 45. 6us 45. 8us 46. 0us 46. 2us 46. 4us 46. 6us 46. 8us 47. 0us 47. 2us 47. 4us 47. 6us 47. 8us 48. 0us
- I ( R100) V( N330602, 0) I C( Z1)
- 400
- 200
0
200
400
V
S_TRF

I
C_IGBT1
I
S_TRF
Zona de comutao
no modo ZVS

_______________________________________________________________________123


________________________________________________________________________










A figura 4.31 apresenta um ciclo de comutao da clula inversora na freqncia
kHz f f
s
50
0
+ = , ou seja, com o circuito ressonante fortemente indutivo com relao a
s
f .










A figura 4.32 apresenta vrios ciclos de comutao na freqncia
ZVS
f f +
0
, na
condio ZVS, com o circuito ressonante ligeiramente indutivo com relao a
s
f .








Fig. 4.30 - Ciclo de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
=
Ti me
15. 0us 15. 2us 15. 4us 15. 6us 15. 8us 16. 0us 16. 2us 16. 4us 16. 6us 16. 8us 17. 0us 17. 2us 17. 4us 17. 6us 17. 8us 18. 0us
- I ( R100) V( N330602, 0) I C( Z1)
- 400
- 200
0
200
400
V
S_TRF
I
S_TRF
I
C_IGBT1
Zona de comutao
no modo no ZVS

Fig. 4.31 - Ciclo de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
+ =
Ti me
15. 0us 15. 2us 15. 4us 15. 6us 15. 8us 16. 0us 16. 2us 16. 4us 16. 6us 16. 8us 17. 0us 17. 2us 17. 4us 17. 6us 17. 8us 18. 0us
- I ( R100) V( N330602, 0) I C( Z1)
- 300
- 200
- 100
- 0
100
200
300
V
S_TRF
I
S_TRF
I
C_IGBT1
Zona de comutao
no modo no ZVS
Fig. 4.32 - Ciclos de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
no modo ZVS
Ti me
15us 16us 17us 18us 19us 20us 21us 22us 23us 24us 25us
- I ( R100) V( N330602, 0) I C( Z1)
- 300
- 200
- 100
- 0
100
200
300
V
S_TRF
I
C_IGBT1
I
S_TRF
_______________________________________________________________________124


________________________________________________________________________
Observando a forma de onda da figura 4.32, verifica-se que o modo de comutao
ZVS ocorre efetivamente a cada meio ciclo.

4.4.2 Conversor ressonante
A simulao mostra que no h diferena entre a clula inversora ressonante e o
conversor ressonante modular constitudo por quatro clulas inversoras independentes, com
acionamento seqencial. Isto valida propriedade da tcnica por acionamento seqencial
sequential gate pulsing das clulas inversoras apresentadas nesta tese. O diagrama eltrico do
conversor ressonante usado nas simulaes apresentado na figura 4.33.

















De forma geral, a simulao mostra que no houve degradao na operao do
conversor no modo ZVS com relao operao da clula inversora no modo ZVS. A figura
4.34 apresenta detalhe da regio de comutao onde possvel visualizar que o acionamento
da chave IGBT ocorre com tenso prxima de zero.



Fig. 4.33 Diagrama eltrico do conversor ressonante usado nas simulaes
V17
300Vdc
-
+
+
-
E15
E
Z16
CM100DY-24H
3: 1
0
R16
3.3R
Z7
CM100DY-24H
Z3
CM100DY-24H
V14
TD =8.75us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
Dbreak
D6
-
+
+
-
E6
E
R31
3.3R
0
Dbreak
D14
R19
3.3R
Dbreak
D5
-
+
+
-
E9
E
TX1
Z14
CM100DY-24H
0
Z15
CM100DY-24H
0
Z2
CM100DY-24H
R10
3.3R
0
C17 50n
0
L1
3.2uH
1
2
Z12
CM100DY-24H
R43
3.3R
-
+
+
-
E5
E
Dbreak
D7
Dbreak
D2
0
-
+
+
-
E7
E
I
0
-
+
+
-
E10
E
R34
3.3R
Z13
CM100DY-24H
R25
3.3R
0
0
-
+
+
-
E11
E
Dbreak
D4
I
-
+
+
-
E2
E
V5
TD =2.5us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
Dbreak
D15
0
V2
TD =1.25us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
0
Z10
CM100DY-24H
V1
TD =0ns
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
-
+
+
-
E4
E
-
+
+
-
E14
E
-
+
+
-
E13
E
V-
0
Dbreak
D12
0
Z6
CM100DY-24H
Dbreak
D13
-
+
+
-
E8
E
R37
3.3R
Z1
CM100DY-24H
V+
0
-
+
+
-
E12
E
Z5
CM100DY-24H
0
R7
3.3R
R28
3.3R
R4
3.3R
0
0
R22
3.3R
Z9
CM100DY-24H
I
R40
3.3R
V6
TD =3.75us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
Dbreak
D10
0
Dbreak
D11
0
Z4
CM100DY-24H
R100
0.6R
Z8
CM100DY-24H
0
V18
300Vdc
V13
TD =7.5us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
0
V10
TD =6.25us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
-
+
+
-
E3
E
R1
3.3R
0
Dbreak
D1
Dbreak
D9
-
+
+
-
E1
E
0
Z11
CM100DY-24H
R46
3.3R
V9
TD =5us
TF =10ns
PW =1us
PER =10us
V1 =-8V
TR =10ns
V2 =15V
Dbreak
D3
Dbreak
D8
0
0
Dbreak
D16
-
+
+
-
E16
E
R13
3.3R
_______________________________________________________________________125


________________________________________________________________________











A figura 4.35 apresenta uma seqncia de comutaes na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
,
ou seja, no modo ZVS ,com o circuito ressonante ligeiramente indutivo com relao a
s
f .












A figura 4.36 apresenta um ciclo de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
= , ou
seja, com o circuito ressonante fortemente capacitivo com relao a
s
f .





Fig. 4.35 - Seqncia de comutaes na freqncia
ZVS
f f +
0
no modo ZVS
Ti me
20us 22us 24us 26us 28us 30us 32us 34us 36us 38us 40us
I ( R100) V( C17: 1, 0)
- 400
- 200
0
200
400
V
S_TRF
I
S_TRF
Zona de comutao
no modo ZVS
Fig. 4.34 - Ciclo de comutao na freqncia
ZVS s
f f f + =
0
no modo ZVS
Ti me
50. 0us 50. 2us 50. 4us 50. 6us 50. 8us 51. 0us 51. 2us 51. 4us 51. 6us 51. 8us 52. 0us 52. 2us 52. 4us 52. 6us 52. 8us 53. 0us
I ( R100) V( C17: 1, 0) I ( D1) I C( Z1)
- 400
- 200
0
200
400
I
C_IGBT1
I
S_TRF
V
S_TRF
Zona de comutao
no modo ZVS
_______________________________________________________________________126


________________________________________________________________________












A figura 4.37 apresenta um ciclo de comutao na freqncia kHz f f
s
50
0
+ = , ou
seja, com o circuito ressonante fortemente indutivo com relao a
s
f .












4.4.3 Unidade geradora de comando e controle
As simulaes da unidade de comando e controle foram implementadas com base no
circuito da figura 4.38, com a sada do VCO operando em . kHz 800 A chave
01
SW , com duas
posies, possibilita a gerao de um padro de sinais de comando com seqncia contnua ou
de uma salve seqencial de 1.000 pulsos para teste.

Fig. 4.36 - Seqncia de comutaes na freqncia kHz f f
s
50
0
=
Ti me
20us 22us 24us 26us 28us 30us 32us 34us 36us 38us 40us
I ( R100) V( C17: 1, 0)
- 400
- 200
0
200
400
Zona de comutao
no modo no ZVS
I
S_TRF
V
S_TRF
Fig. 4.37 - Seqncia de comutaes na freqncia kHz f f
s
50
0
+ =
Ti me
20us 22us 24us 26us 28us 30us 32us 34us 36us 38us 40us
I ( R100) V( C17: 1, 0)
- 400
- 200
0
200
400
Zona de comutao
no modo no ZVS
I
S_TRF
V
S_TRF
_______________________________________________________________________127


________________________________________________________________________



















O diagrama apresentado pela figura 4.39 mostra o detalhe da seqncia constituda
por oito pulsos, utilizados para excitar as quatro clulas inversoras ressonantes. Cada um
desses oito pulsos excita, por sua vez, as duas semi-pontes diagonais das clulas inversoras.
No diagrama da figura 4.40 mostra-se, em detalhe, o tempo morto (dead-time)
inserido entre pulsos sucessivos.
No diagrama da figura 4.41, com a chave
01
SW em posio 1, mostra-se a simulao
para a gerao de seqncias contnuas de pulsos.
No diagrama da figura 4.42, com a chave
01
SW em posio 2 e aps pressionar o
pulsador
02
SW , mostra-se a simulao para a gerao de uma seqncias de 1.000 pulsos.




Fig. 4.38 Diagrama eltrico da unidade de comando e controle usado nas simulaes
R1(1)
CX
14
RX/CX
15
A
1
B
2
MR
3
Q
13
Q
4
U1:A
74HC221
C2
100pF
R2
1k
D0
3
Q0
14
D1
4
Q1
13
D2
5
Q2
12
D3
6
Q3
11
RCO
15
ENP
7
ENT
10
CLK
2
LOAD
9
MR
1
U3
74HC161
A
1
B
2
C
3
E1
6
E2
4
E3
5
Y0
15
Y1
14
Y2
13
Y3
12
Y4
11
Y5
10
Y6
9
Y7
7
U4
74HC138
1 2
U5:A
74HC04
3 4
U5:B
74HC04
5 6
U5:C
74HC04
13 12
U5:D
74HC04
1 2
U2:A
74HC04
3 4
U2:B
74HC04
5 6
U2:C
74HC04
13 12
U2:D
74HC04
U1:A(Q)
U1:A(Q)
U3(Q0)
U3(Q1)
U3(Q2)
U5:A(Y)
U5:B(Y)
U5:C(Y)
U5:D(Y)
U2:A(Y)
U2:B(Y)
U2:C(Y)
U2:D(Y)
D
2
Q
5
CLK
3
Q
6
S
4
R
1
U8:A
74HC74
U3(RCO)
U8:A(Q)
CX
6
RX/CX
7
A
9
B
10
MR
11
Q
5
Q
12
U1:B
74HC221
R3
10k
C3
1nF
SW1(COM)
R4
100k
C4
1uF
11 10
U2:E
74HC04
U1:A(MR)
SW1
SW-SPDT
Salve
Continuous
Start
Synchronous reset
Dead time 150ns
Demux
R1
10k
R5
1k
C1
1uF
9 8
U5:F
74HC04
D1
1N4148
SW2
SW-SPST-MOM
U1:B(B)
U1:B(Q)
COMPIN
3
VCOIN
9
SIGIN
14
CX1
6
CX2
7
INH
5
R1
11
R2
12
PP
1
PC1OUT
2
PC2OUT
13
VCOOUT
4
DEMOD
10
ZENER
15
U7
74HC4046
R6
10k
R7
10k
C5
1nF
U
7
(
V
C
O
O
U
T
)
R9
100k
U7(PC2OUT)
CX
14
RX/CX
15
A
1
B
2
MR
3
Q
13
Q
4
U9:A
74HC221
R10
100k
C6
1nF
U9:A(Q)
C7
100nF
SW2(NO)
VCO out 0.800 to 1.000 MHz
Loop delay 1.5us
+5V
CC

Power
supply
220V
CA

_______________________________________________________________________128


________________________________________________________________________

































Dead-time 250 ns
Fig. 4.40 - Detalhe do dead-time inserido nas seqncias de acionamento
Fig. 4.39 - Detalhe da seqncia dos oito pulsos de acionamento das quatro clulas
Seqncia de acionamento Seqncia de acionamento
_______________________________________________________________________129


________________________________________________________________________

































Fig. 4.41 Diagrama da seqncia contnua de acionamento
Fig. 4.42 Diagrama da seqncia de acionamento de 1.000 pulsos
_______________________________________________________________________130


________________________________________________________________________
4.4.4 Transformador RF de adaptao de impedncias
As simulaes do transformador RF de impedncias foram implementadas com base
no circuito equivalente da figura 4.43, na freqncia nominal de operao em . kHz 400












No diagrama da figura 4.44 mostrado, atravs de simulao, o comportamento do
transformador de impedncias com carga total. Observa-se a defasagem entre tenso e
corrente no primrio devido existncia das indutncias parasitas de disperso.
No diagrama da figura 4.45 mostrado o comportamento do transformador de
impedncias para meia carga. Na medida em que a corrente diminui, o ngulo de defasagem
diminui tambm, na mesma razo.
No diagrama da figura 4.46 mostrado o comportamento do transformador de
impedncias a vazio. Na ausncia de carga, a defasagem entre tenso e corrente nula.










Fig. 4.43 Circuito equivalente do transformador de impedncias usado nas simulaes
C1
300p
R4
0.1R
0
R2
0.00036R
C2
100p
R3
100k
L1
250nH
1 2
L3
568uH
1
2
R5
0.6R
C3
50p
TX1
R1
0.003R
L2
75nH
1 2
V1
FREQ =400k
VAMPL =750V
VOFF =0V
0
Fig. 4.44 Simulao do transformador RF de impedncias com carga total
Ti me
0s 1us 2us 3us 4us 5us 6us 7us 8us 9us 10us
V( C3: 2) V( C2: 2) - I ( R5) - I ( V1)
- 800
- 400
0
400
800
V
1

V
2

I
2

I
1

ngulo de
defasagem
_______________________________________________________________________131


________________________________________________________________________






















4.5 Concluses
Este captulo apresentou a topologia proposta para o desenvolvimento do conversor
ressonante CC/CA de alta freqncia, bem como o projeto e o dimensionamento eltrico dos
principais elementos de circuito.
A estratgia de comando implementada para propiciar a modulao das clulas
inversoras no modo sequential gate pulsing foi discutida e examinada. Como efeito do
processo de multiplexao foi recolhido, na sada do conversor ressonante, um sinal quadrado
do qual a freqncia resultante da soma das freqncias de cada clula inversora. Foram
tambm observados os mecanismos de rastreio da freqncia de ressonncia da carga como
tcnica para assegurar a comutao ZVS das clulas inversoras.
Fig. 4.45 Simulao do transformador RF de impedncias com meia carga
Ti me
0s 1us 2us 3us 4us 5us 6us 7us 8us 9us 10us
V( C3: 2) V( C2: 2) - I ( R5) - I ( V1)
- 800
- 400
0
400
800
V
1

V
2

I
2

I
1

ngulo de
defasagem
Fig. 4.46 Simulao do transformador RF de impedncias a vazio
Ti me
0s 1us 2us 3us 4us 5us 6us 7us 8us 9us 10us
V( C3: 2) V( C2: 2) - I ( R5) - I ( V1)
- 800
- 400
0
400
800
V
1

V
2

I
2

I
1

ngulo de
defasagem nulo
_______________________________________________________________________132


________________________________________________________________________
Os estudos analticos realizados no captulo 3 foram verificados e validados atravs
de diversas simulaes feitas com auxlio das ferramentas computacionais Simulink

,
Proteus

e PSpice

, para predio e comprovao de resultados.


Assim, luz do apresentado neste captulo, possvel concluir positivamente sobre a
potencialidade que esta nova tcnica de modulao seqencial oferece e das novas fronteiras
que abre para o projeto de conversores ressonantes de alta freqncia e alta potncia, como
opo s tecnologias tradicionais.

























___________________________________________________________________________
Captulo 5


Resultados Experimentais


3.1 Introduo
Aps a implementao prtica do conversor ressonante de alta freqncia foram
realizados vrios ensaios para ajuste das diversas partes do sistema. Estes ensaios permitiram
fazer uma comparao direta entre os resultados obtidos por meio de simulaes e efetuar as
correes necessrias para atender as especificaes estabelecidas no projeto.
Todos os ensaios para os diversos perfis de freqncia foram executados sob
condies idnticas de carga e de tenso CC no barramento, esta fixada em
CC
V 600 . As
medidas sobre o barramento CC foram efetuadas com auxlio de um divisor de tenso de 3:1 e
instrumental qualificado, disponvel nos laboratrios da UFRN/DCA e do INPE/CRN.
Alm dos ensaios aplicados no ponto de operao nominal, o qual caracterizado
pelo funcionamento no modo ZVS, foram testados os limites operativos do conversor
ressonante para avaliar e caracterizar o seu desempenho global, considerando que o conversor
deve operar em torno do ponto de ressonncia.
Assim, so apresentados os resultados para as condies de operao nos modos
ZVS e no-ZVS, para uma ampla faixa de freqncias.

5.2 Resultados Obtidos para os Diversos Perfis de Operao

5.2.1 Conversor ressonante srie de alta freqncia

5.2.1.1 No modo de operao ZVS
Para as condies de carga utilizada, o ponto de operao do conversor ressonante
srie se situa na freqncia de kHz 370 , apresentando variaes de kHz 5 , em funes das
condies de temperatura da carga, principalmente, do indutor do aplicador RF da tocha ICTP
_______________________________________________________________________134


________________________________________________________________________
e dos capacitores de compensao [Sugimura et al. 2007]. Esta variao devida ao fato de
no haver resfriamento do indutor durante a realizao do ensaio. Assim, a bobina de cobre do
aplicador RF se dilata com o aquecimento, devido s perdas hmicas e por efeito da radiao
trmica da carga resistiva composta pela massa metlica colocada no seu interior. Por esta
razo, o valor da indutncia se altera ligeiramente, deslocando o ponto da ressonncia ZVS.
Para comprovar as caractersticas de comutao das chaves IGBTs, foi realizado um
ensaio para verificar os tempos de chaveamento no acionamento (turn-on) e no corte (turn-
off). A figura 5.1 e a figura 5.2 apresentam, respectivamente, os oscilogramas das regies de
comutao, na condio ZVS.























Fig. 5.1 Comutao do IGBT no turn-on no modo ZVS
Turn-on
80ns
Gate IGBT
V
CE
IGBT
V
S

Pulso comando
23 V
Fig. 5.2 Comutao do IGBT no turn-off no modo ZVS
Turn-off
260ns
Gate IGBT
V
CE
IGBT
V
S

Pulso comando
600V
_______________________________________________________________________135


________________________________________________________________________
As duas medidas efetuadas permitem concluir que os tempos turn-on, de ns 80 , e
turn-off, de ns 260 , esto em acordo com as caractersticas referenciadas no datasheet do
fabricante SEMIKRON

. Outrossim, observa-se que o turn-off perfeitamente compatvel


com o valor de projeto atribudo ao dead-time de ns 250 , para esta aplicao.
A figura 5.3 apresenta o oscilograma das ondas de tenso e corrente recolhidas sobre
a carga ressonante do conversor para operao na condio ZVS, para vrios ciclos de
comutao. A figura 5.4 apresenta o mesmo oscilograma ampliado, onde possvel observar e
avaliar o ngulo de defasagem entre tenso e corrente na carga ressonante [Dawson et al.
1991], no ponto de operao ZVS.























Fig. 5.3 Tenso e corrente na carga ressonante no ponto de operao ZVS
1200V
Pulso de comando
Vs
Fig. 5.4 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas no ponto de operao ZVS
Regio
ZVS
=45
Vs
I
L

_______________________________________________________________________136


________________________________________________________________________
A diferena observada entre o ngulo de defasagem calculado em 26 e o valor
efetivamente medido de 45 no conversor ressonante pode ser, possivelmente, atribudo a
dois fatores:
O primeiro, pelo fato do valor da carga resistiva refletida para o aplicador RF
atravs da massa metlica desempenhando papel de carga ter dimetro de, apenas, mm 25 ,
portanto bem menor do que o da coluna de plasma de mm 70 . Esta hiptese bastante
plausvel uma vez que a resistncia do plasma estimada em 6 0, foi o valor utilizado no
dimensionamento terico para determinao do ponto de operao. Referindo-se s equaes
apresentadas na seo 3.6, observa-se a dependncia existente entre a resistncia refletida da
carga e o coeficiente de acoplamento k , atravs das relaes de dimetro
1
r e
2
r , e a
interao com o coeficiente de qualidade Q do circuito ressonante.
O segundo, pelo fato do transformador RF por no ser ideal, introduz uma
indutncia parasita no circuito ressonante da carga. Mesmo assim, esta disperso observada
no ngulo rastreada satisfatoriamente pela malha PLL do compensador e se mantm
constante, no prejudicando a operao do modo ZVS do conversor. Contudo, como a carga
ressonante apresenta, neste ponto, uma reatncia indutiva maior do que para um ngulo de
26 , a potncia de sada sofre uma conseqente reduo.

5.2.1.2 No modo de operao no-ZVS
Fora do ponto de operao ZVS o conversor ressonante srie ensaiado para vrios
perfis de freqncias, de forma a caracterizar o seu funcionamento. Trs valores fixos de
freqncia foram usados para realizar esses testes, sendo: , kHz 200 kHz 300 e kHz 400 .
A figura 5.5 apresenta o oscilograma das ondas de tenso e corrente na carga para a
freqncia de kHz 200 , portanto completamente fora do ponto de ressonncia natural
0
f da
carga, este situado, nas condies experimentais, em . kHz 370 possvel observar que a
tenso de sada dos inversores menos distorcida, devido reduo da corrente circulando na
carga. Esta menor distoro observada na tenso de sada pode ser tambm atribuda s
condies de operao das chaves IGBTs, em regime de estresse menor.



_______________________________________________________________________137


________________________________________________________________________













A figura 5.6 apresenta o mesmo oscilograma ampliado onde possvel observar
tambm descontinuidades na corrente da carga ressonante [Jingang et al. 2006]. Essas
descontinuidades so devidas reatncia da carga que se torna excessivamente capacitiva
para a sada do conversor ressonante, nesta freqncia.
Observa-se, tambm, que a amplitude da corrente menor indicando que a potncia
transferida carga ressonante reduzida na mesma proporo.














Fig. 5.5 Tenso e corrente na carga ressonante na freqncia de kHz 200
(Operao no modo no-ZVS)
1200V
I
L

V
S

Fig. 5.6 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas na freqncia de kHz 200
(Operao no modo no-ZVS)
V
S

I
L

1200V
_______________________________________________________________________138


________________________________________________________________________
Para o ensaio do conversor ressonante operando na freqncia de kHz 300 , a
situao anterior se repete, e o mesmo tipo de anlise pode ser aplicado aos resultados. No
oscilograma da figura 5.7 possvel observar maior distoro na tenso de sada do
conversor, indicando maior transferncia de potncia carga e condies de estresse das
chaves IGBTs.












No oscilograma ampliado apresentado na figura 5.8, pode ser observada uma reduo
da distoro, na corrente da carga. Isto decorre do fato da freqncia de excitao estar mais
prxima da freqncia natural de ressonncia da carga e, por conseqente, oferecer uma
reatncia indutiva de menor magnitude para o conversor.












Fig. 5.7 Tenso e corrente na carga ressonante na freqncia de kHz 300
(Operao no modo no-ZVS)
V
S

I
L

1200V
Fig. 5.8 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas na freqncia de kHz 300
(Operao no modo no-ZVS)
V
S

I
L

1200V
_______________________________________________________________________139


________________________________________________________________________
Quando o ponto de operao fixado acima da freqncia de ressonncia da carga, o
conversor ressonante apresenta alguma distoro na tenso de sada. Isto devido em parte
maior magnitude da corrente circulando na carga, e limitao de comutao das chaves
IGBTs chegando ao limite mximo de operao. A figura 5.9 apresenta o oscilograma da
tenso de sada do conversor e da corrente na carga.













A figura 5.10 apresenta o oscilograma ampliado da tenso e corrente na carga na
freqncia de kHz 400 .












Fig. 5.9 Tenso e corrente na carga ressonante na freqncia de 400 kHz
(Operao no modo no-ZVS)
V
S

I
L

1200V
Fig. 5.10 Tenso e corrente na carga ressonante ampliadas na freqncia de 400 kHz
(Operao no modo no-ZVS)
V
S

I
L

1200V
_______________________________________________________________________140


________________________________________________________________________
Outra razo para a deformao da tenso de sada o sinal de excitao fornecido
pelo mdulo de excitao apresentar maior inflexo no tempo de subida (rise-time) e de
descida (fall-time). Isto decorre do fato deste mdulo estar operando no seu limite superior,
fixado em kHz 100 pelo fabricante SEMIKRON

.
Para o ensaio da carga realizada no ponto de ressonncia, a corrente medida, drenada
do retificador foi de A ,2 14 , para uma tenso de barramento de V 600 , resultando em uma
potncia mdia de kW ,5 8 . O rendimento trmico no foi estabelecido por no dispor de
instrumental e de calormetro [Chauveau et al. 1998] para avaliar a elevao de temperatura
da carga e, portanto, especificar a potncia RF efetivamente entregue pelo conversor
ressonante srie e convertida em calor.
A ttulo de ilustrao apresentado, na figura 5.11, a vista do aplicador RF e da
carga resistiva constituda por um ncleo de ferro.














5.2.2 Mdulos de excitao
O mdulo de excitao opera um duplo link de fibras pticas para a recepo dos
pulsos de comando gerados pela unidade geradora de sinais de comando e controle, e um link
simples de fibras pticas para envio dos sinais de erro. Os mdulos SKHI26F so alimentados
por uma nica fonte de V 15 + . Esses mdulos introduzem um atraso de propagao de s 1
nos sinais de acionamento dos gates dos IGBTs que compensado pela malha de atraso do
Fig. 5.11 Vista ilustrativa do aplicador RF e da carga resistiva utilizada nos ensaios
Aplicador RF
Carga
resistiva
_______________________________________________________________________141


________________________________________________________________________
PLL modificado. O nvel lgico dos pulsos de comando, situado entre V 0 e V 5 + ,
transladado e amplificado pelo mdulo de excitao [Fuji Electric, 2004] antes desses pulsos
serem aplicados aos IGBTs. O nvel V 8 corresponde ao bloqueio do dispositivo, enquanto
o nvel V 15 + corresponde ao estado de conduo. A figura 5.12 apresenta os nveis
transladados de uma seqncia do pulso de comando 1.













A figura 5.13 apresenta o oscilograma ampliado do atraso de propagao introduzido
pelo mdulo de excitao, numa seqncia dos pulsos de comando 1. O mesmo atraso pode
ser verificado nas demais seqncias de pulsos.










Fig. 5.13 Vista ampliada do atraso introduzido pelo mdulo de excitao
1s
Fig. 5.12 Atraso introduzido pelo mdulo de excitao nas seqncias de pulsos
-8V
+15V
Pulso comando 1
Gate IGBT 1
_______________________________________________________________________142


________________________________________________________________________
5.2.3 Unidade geradora de comando e controle
A seqncia dos oito pulsos de comando para acionamento das clulas inversoras
ressonantes apresentado no oscilograma da figura 5.14. As formas de ondas apresentadas
correspondem a uma seqncia de pulsos de comando gerados na freqncia de kHz 370 , ou
seja, para a regio de operao ZVS rastreada pelo circuito de compensao de freqncia
equipado com PLL.













O oscilograma ampliado da figura 5.15 apresenta o tempo morto (dead-time) de
ns 360 inserido nas seqncias de pulsos de comando.











Fig. 5.14 Seqncia de pulsos para acionamento das clulas inversoras ressonantes
Fig. 5.15 Detalhe do dead-time inserido na seqncia de pulsos de comando
_______________________________________________________________________143


________________________________________________________________________
O oscilograma da figura 5.16 apresenta os quatro primeiros pulsos da seqncia de
acionamento das clulas inversoras 1 e 2.














Da mesma forma, o oscilograma da figura 5.17 apresenta o dead-time inserido entre
os pulsos da seqncia de acionamento da clula inversora 1.















Fig. 5.16 Seqncia de acionamento das clulas inversoras 1 e 2
Fig. 5.17 Dead-time entre os pulsos de comando da clula inversora 1
340ns
Inversor 1
_______________________________________________________________________144


________________________________________________________________________
O rastreio da freqncia de ressonncia da carga feita por um PLL modificado que
trava o comparador nas transies da corrente pelos zeros na carga. A figura 5.18 apresenta o
oscilograma do PLL travado na freqncia de operao ZVS, em kHz 370 .












5.2.4 Interface e link de fibras pticas
Os dispositivos optoacopladores apresentam distores na simetria e na propagao
dos sinais transmitidos e/ou recebidos. Para corrigir essas distores, foram implementados
circuitos de correo. O oscilograma da figura 5.19 apresenta o pulso de comando na entrada
do optoacoplador transmissor e a sada correspondente do link no optoacoplador receptor, sem
correo. possvel observar uma distoro na largura do sinal de ns 30 .










Fig. 5.19 Diagrama de ondas dos optoacopladores sem correo
1,25s
1,55s
Fig. 5.18 Forma de onda da malha PLL travada na freqncia de ressonncia
Ref. transies
corrente na carga
Sada VCO
Pulso inversor 1
_______________________________________________________________________145


________________________________________________________________________
O oscilograma da figura 5.20 apresenta o pulso de comando na entrada do
optoacoplador transmissor e a sada correspondente do link no optoacoplador receptor, com a
correo implementada.












possvel observar, neste oscilograma, que a distoro na largura do sinal de ns 30
foi corrigida e que o pulso na entrada e na sada do link de fibras pticas apresenta a mesma
durao.

5.2.5 Unidade detetora de transies
O oscilograma da figura 5.21 apresenta a corrente recolhida pela bobina de Rogowski
inserida no circuito da carga ressonante srie, operando em kHz 200 .










Fig. 5.20 Diagrama de ondas dos optoacopladores aps correo
1,25s
1,25s
Fig. 5.21 Sinal na sada da bobina de Rogowski a 200 kHz
Corrente na bobina
de Rogowski
Tenso de sada
dos inversores
V
S

_______________________________________________________________________146


________________________________________________________________________
A deformao observada na corrente da bobina de Rogowski [Ramboz, 1995]
devida ao fato da carga ressonante operar em freqncia bem inferior do seu ponto de
ressonncia natural que se situa em . kHz 370
O oscilograma da figura 5.22 apresenta a corrente recolhida pela bobina de Rogowski
inserida no circuito da carga ressonante srie, operando na freqncia de kHz 300 .












De forma anloga, a deformao observada na corrente da bobina de Rogowski
devida ao fato da carga ressonante operar em freqncia bastante inferior do seu ponto de
ressonncia natural que se situa em . kHz 370
O oscilograma da figura 5.21 apresenta a corrente recolhida pela bobina de Rogowski
inserida no circuito da carga ressonante srie, operando em kHz 400 .










Fig. 5.23 Sinal na sada da bobina de Rogowski a 400 kHz
Tenso de sada
dos inversores
Corrente na bobina
de Rogowski
Fig. 5.22 Sinal na sada da bobina de Rogowski a 300 kHz
Corrente na bobina
de Rogowski
Tenso de sada
dos inversores
_______________________________________________________________________147


________________________________________________________________________
Para este ponto de operao, prximo da freqncia nominal, possvel observar que
a deformao na corrente da bobina de Rogowski praticamente inexistente. Verifica-se
tambm um aumento da corrente recolhida pelo fato da carga estar prximo do seu ponto de
ressonncia natural, situado em . kHz 370

5.2.6 Transformador RF de adaptao de impedncias
Os principais parmetros do transformador RF de adaptao de impedncia so
sintetizados na tabela 5.1.








A importante disperso entre os valores tericos e os valores medidos se deve, em
grande parte, ao mtodo utilizado para realizar as medidas. De fato, para efetuar medidas de
resistncias to baixas, seria necessrio utilizar uma ponte de Wheastone [Swart et al. 1993],
enquanto foi utilizado um conjunto constitudo por ampermetro e voltmetro universal.
Por outro lado, a diferena observada na relao de transformao devida a
limitaes construtivas, pois o circuito secundrio, na verdade, no chega a formar uma espira
completa uma vez que existe um interstcio entre os terminais de sada da espira. Este mesmo
interstcio, embora exista tambm no primrio, minimizado pela existncia de trs espiras
das quais duas so completas.
Observa-se tambm, a partir dos oscilogramas apresentados em seqncia, que o
transformador RF de adaptao de impedncias demonstra um comportamento aperidico na
faixa de freqncias ensaiadas, no apresentando pontos de ressonncia particulares ao longo
desta faixa. Outrossim, os tempos de subida (rise-time) e de descida (fall-time) apresentam
comportamento similar, confirmando que as indutncia parasitas de disperso no tm
influncia significativa sobre a resposta do transformador.

Tabela 5.1 Principais parmetros do transformador RF
Parmetro Terico Medido
N (adim.) 3:1 3,2:1
R
prim
(m) 3,3 2,64
R
sec
(m) 0,36 0,41
L
mag
(H) 568 464
_______________________________________________________________________148


________________________________________________________________________
O oscilograma da figura 5.24 apresenta a tenso recolhida na sada sobre uma carga
de alta potncia, no indutiva, de 2 2, , na freqncia de kHz 200 .













O oscilograma da figura 5.25 apresenta as ondas ampliadas e reala no haver
deformao na tenso recolhida no secundrio nem atraso de propagao entre entrada e
sada.














Fig. 5.25 Tenso na entrada e sada ampliadas do transformador RF de impedncias
na freqncia de 200 kHz
Tenso no secundrio
do transformador RF
1200V
V
S

Fig. 5.24 Tenso na entrada e sada do transformador RF de impedncias
na freqncia de 200 kHz
Tenso no secundrio
do transformador RF
1200V
V
S

_______________________________________________________________________149


________________________________________________________________________
O oscilograma da figura 5.26 apresenta a tenso recolhida na sada sobre uma carga
de alta potncia, no indutiva, de 2 2, , na freqncia de kHz 300 .














O oscilograma da figura 5.27 apresenta as ondas ampliadas e exibe um
comportamento similar situao anterior. Reala no haver deformao na tenso recolhida
no secundrio nem atraso de propagao entre entrada e sada.














Fig. 5.26 Tenso na entrada e sada do transformador RF de impedncias
na freqncia de 300 kHz
Tenso no secundrio
do transformador RF
1200V
V
S

Fig. 5.27 Tenso na entrada e sada ampliadas do transformador RF de impedncias
na freqncia de 300 kHz
Tenso no secundrio
do transformador RF
1200V
V
S

_______________________________________________________________________150


________________________________________________________________________
O oscilograma da figura 5.28 apresenta a tenso recolhida na sada sobre uma carga
de alta potncia, no indutiva, de 2 2, , na freqncia de kHz 400 .













O oscilograma da figura 5.29 apresenta as ondas ampliadas e exibe um
comportamento bastante similar s situaes anteriores. Indica no haver deformao
significativa na tenso recolhida no secundrio, nem atraso de propagao entre entrada e
sada.













Fig. 5.28 Tenso na entrada e sada do transformador RF de impedncias
na freqncia de 400 kHz
Tenso no secundrio
do transformador RF
1200V
V
S

Fig. 5.29 Tenso na entrada e sada ampliadas do transformador RF de impedncias
na freqncia de 400 kHz
Tenso no secundrio
do transformador RF
1200V
V
S

_______________________________________________________________________151


________________________________________________________________________
O conjunto de medidas efetuado em toda faixa de operao mostrando no haver
picos de ressonncia particulares demonstra bem o comportamento aperidico da resposta
deste transformador e de suas excelentes caractersticas como elemento de adaptao de
impedncias entre o conversor ressonante srie de alta freqncia e a carga apresentada pelo
aplicador RF da tocha ICTP.

5.2.7 Aplicador RF da tocha ICTP e carga ressonante
Para facilitar os ensaios com carga ressonante, o aplicador RF da tocha ICTP foi
retirado da mesma e conectado diretamente ao transformador RF de adaptao de
impedncias [Staples et al. 2001]. A figura 5.30 mostra a posio dos diferentes elementos na
bancada de teste para realizao dos diversos ensaios.












Os principais parmetros do aplicador RF da tocha ICTP so sintetizados a seguir, na
tabela 5.1.








Tabela 5.2 Principais parmetros do aplicador RF da tocha ICTP
Parmetro Terico Medido
Dimetro (mm) 94 92
Comprimento (mm) 75 86
R
apl_ICTP
(m) 1,90 1,25
L
apl_ICTP
(H)) 3,68 3,50
C
apl_ICTP
(nF) 47 50
Fig. 5.30 - Posio dos diversos elementos constituindo a carga ressonante
Aplicador RF da
tocha ICTP
Capacitor de
compensao
Bobina de
Rogowski
Carga
resistiva
Trafo RF
_______________________________________________________________________152


________________________________________________________________________
Os parmetros do aplicador so essencialmente definidos pelas dimenses do indutor
e pela carga refletida pela massa metlica. Esta carga introduzida no interior do aplicador RF
reflete uma componente indutiva devido ao anel se comportar como um secundrio com uma
nica espira em curto-circuito. O valor da indutncia refletida pequeno diante do valor
nominal de
ICTP apl
L
_
uma vez que a relao entre o dimetro da espira da bobina primria e o
dimetro da espira virtual do transformador determina um coeficiente de acoplamento k
frouxo entre os circuitos e conseqentemente, uma baixa mtua indutncia entre os mesmos.
A figura 5.31 mostra o transformador virtual criado pelo primrio do aplicador RF
com a carga resistiva













5.3 Concluses
Os resultados apresentados mostram que, apesar das limitaes de ordem prtica
impostas pelos elementos do sistema e pelas caractersticas dos dispositivos empregados no
chaveamento, os resultados alcanados so extremamente interessantes e positivos.
Esses resultados corroboram as propriedades da modulao seqencial (sequential
gate pulsing) como tcnica factvel para aumentar o limite de operao em freqncia de
inversores ressonantes, possibilitando projetar novos sistemas que possam competir com as
estruturas tradicionais at ento usadas para essas aplicaes.
Outro ponto de interesse que merece ser destacado o bom desempenho do
transformador planar RF utilizado na adaptao das impedncias. Esta nova tecnologia
Fig. 5.31 Vista do transformador virtual criado entre aplicador RF e carga resistiva.
_______________________________________________________________________153


________________________________________________________________________
empregando o chapeado do circuito impresso ao invs de fios para formar os enrolamentos
primrio e secundrio traz a vantagem de obter uma seo de cobre mais importante, se
considerado o efeito pelicular. De fato, por ser distribuda em toda a largura da trilha, a seo
efetiva de cobre apresenta uma diminuio mnima ou at inexistente por efeito da
profundidade de penetrao da corrente no material, naquela freqncia.
Embora, no foram realizados ensaios diretos com a tocha ICTP gerando uma coluna
de plasma, a soluo implementada com a introduo de uma carga metlica no aplicador RF
permitiu verificar o funcionamento e desempenho do conversor ressonante bem como as
caractersticas de operao no modo ZVS no ponto de ressonncia.
A maior restrio apresentada pelo sistema se deveu ao capacitor de compensao
que, por ser percorrido por correntes reativas de grande magnitude, apresentou problemas de
aquecimento, indo at a danificao do mesmo. importante que se substitua o mesmo por
outro de caractersticas adequadas, capaz de suportar a corrente mxima circulando pela carga
ressonante. Para essas aplicaes, os capacitores de compensao geralmente so dos tipos
utilizados em fornos de induo, que possuem sistema de resfriamento por fluxo de gua
circulante.
















___________________________________________________________________________
Captulo 6


Concluses Gerais e Perspectivas


4.1 Concluses Gerais
A nova viso de uma Universidade participativa e identificada com os temas
regionais, objetivando estudar e aportar solues efetivas a problemas ou carncias existentes
em mbito local tem sido um dos elementos motivadores para o desenvolvimento deste
trabalho. No mais, a colaborao institucional estabelecida j h alguns anos entre a
UFRN/DCA e o INPE/CRN na implementao de linhas de pesquisas aplicadas e na busca de
instrumentos de resposta especficos, tem reforado esta dinmica e abre novos horizontes
para a formulao de outras propostas, inclusive.
Em consonncia com esta nova viso, esta tese se proponha a contribuir, de forma
efetiva, dentro de uma linha de pesquisa em curso, com o estudo e a implementao de um
conversor ressonante de alta freqncia baseado em inversores ressonantes com comutao
seqencial para excitao de uma tocha a plasma indutivo. Este conversor parte integrante
de um sistema de tratamento de resduos perigosos por plasma trmico em fase final de
desenvolvimento, sendo atualmente localizado numa dependncia do laboratrio LAMP.
Como o foi amplamente exposto no incio desta tese, dentro das diversas tecnologias
empregadas para gerar sinais de alta potncia em alta freqncia, este novo mtodo se perfila
como uma alternativa de menor custo e complexidade, se comparado aos atuais sistemas
utilizando vlvulas terminicas. Com base nesta premissa, foi desenvolvido um estudo terico
para confirmar a viabilidade desta proposta, foi apresentado um mtodo de modelagem
matemtica para a especificao do conversor ressonante, foi proposta uma estratgia de
comando para o seqenciamento das clulas inversoras e foram executadas simulaes para
preditar o funcionamento de partes ou do todo do conversor.
Outro enfoque dado a este trabalho diz respeito ao projeto, dimensionamento e
implementao prtica das estruturas e circuitos, considerando que o equipamento dever ter
_______________________________________________________________________155


________________________________________________________________________
uma aplicabilidade imediata na planta. Disto, resultou um prottipo construdo em molde
industrial, de fcil manejo, oferecendo alto grau de segurana operativa. Este enfoque, sem
dvida, demandou uma nova abordagem conceitual no ambiente acadmico, abordagem que
precisou ser amadurecida em funo da especificidade da proposta e exigiu a busca de novos
conhecimentos, para a sua realizao.
Enfim, apesar de todas as limitaes prticas impostas pelos elementos do sistema e
pelas caractersticas dos diversos dispositivos utilizados, os resultados experimentais obtidos
contriburam de forma significativa para atestar as propriedades da tcnica de acionamento
seqencial de inversores como sendo apropriada para aumentar os limites operativos em
freqncia de clulas que, de forma independente, operam em frao do valor alcanado. Com
a constante evoluo das caractersticas de chaveamento dos dispositivos IGBTs, pode se
presumir que esses limites sero cada vez mais ampliados e que o horizonte do megahertz ser
factvel, em breve.

6.2 Perspectivas para Trabalhos Futuros
O conversor ressonante srie, quando operado com fonte de tenso VSI na regio
ZVS, introduz quantidade significativa de reativos uma vez que corrente e tenso circulando
na carga ressonante apresentam um ngulo de defasagem entre si. Isto leva a utilizao de
capacitores de compensao de grande porte e alta capacidade em kVAr para suportar os
reativos existentes. Diante deste cenrio, sugere-se desenvolver novos trabalhos com a
finalidade de otimizar os resultados obtidos.
Como primeira sugesto, substituir o atual capacitor de compensao de nF 47 , de
polister, por um capacitor especfico de alta freqncia [High Energy Corp. 2002] para
aplicaes em sistemas de aquecimento indutivo, com sistema de resfriamento por gua
circulante.
Como segunda sugesto, desenvolver a nova tcnica de adaptao que consista em
colocar um terceiro elemento reativo para melhorar o fator de acoplamento, formando um
circuito LC L [Razzak et al. 2005]. Este indutor suplementar possibilita restituir o ponto de
ressonncia da carga ressonante em
0
e possibilitar que o conversor ressonante enxergue a
ressonncia no ponto
s
, assegurando assim a condio necessria para o chaveamento ZVS.
Esta melhoria proporcionada no acoplamento entre conversor ressonante de alta freqncia e
_______________________________________________________________________156


________________________________________________________________________
a carga ressonante srie dever se traduzir tambm em melhores condies de transferncia de
potncia para o plasma.
Finalmente, como terceira sugesto, pesquisar novos padres de acionamento para
otimizar o controle do conversor ressonante.
De acordo com todo o exposto neste documento, conclui-se que os principais
objetivos deste trabalho foram alcanados satisfatoriamente e contriburam para que sejam
desenvolvidos outros trabalhos na rea de eletrnica de potncia, mais especificamente, na de
conversores ressonantes de alta freqncia.

























_______________________________________________________________________157


________________________________________________________________________
Referncias Bibliogrficas




Abeele, D.V., Degrez, G. (2001), Analysis of thermal and chemical non-equilibrium effects
in high-pressure inductive air plasmas, Von Karman Institute for Fluid Dynamics,
St.-Genesius-Rode, Belgium, Internal Publication, p. 1-6.
Bayindir, N. S., Kkrer, O., Yakup, M. (2003), DSP-based PLL-controlled 50-100 kHz 20
kW high frequency induction heating system for surface hardening and welding
applications, Easter Mediterranean University, Mersin, Turkey, IEEE proceeding
Electronic Power Applications, v.15, n. 3.
Blake, C., Bull, C. (2001), IGBT or MOSFET: choose wisely, International Rectifier, El
Segundo, USA, Application Note.
Bodger, P. S., Bell, S. C. (2007), Power transformer analytical approaches, University of
Canterbury, Canterbury, United Kingdom, IEEE Proceeding issues.
Bonizzoni, G., Vassallo, E. (2002), Plasma physics and technology: Industrial applications,
Instituto de Fisica de Plasma, Milano, Italy, Elsevier Science proceedings.
Boulos, M. I. (1985), The inductively coupled RF plasma, Sherbrooke University,
Sherbrooke, Canada, Pure & Application Chemical, vol. 57, n. 9.
Brown, E. R. (1998), Megawatt solid-state electronics, Elsevier Science Ltd., Solid-state
electronics, Arlington, USA, vol. 42, n. 12, pp. 2119.
Chauveau, E., Develey, G., Ploteau, J. P. (1998), Caractrisation lectrique de lapplicateur
dune torche plasma dinduction en dpression, Universit de Nantes, Saint
Nazaire, France, Colloque Universit Industrie.
Chen, M. P., Chen, K. J., Murata, K., Nakahara, M., Harada, K. (2001), Surge analysis of
induction heating power supply with PLL, Taiwan, R. O. China, IEEE Transactions
on Power Electronics, vol. 16, n. 5.
Clarke, F. M., Scoville, M. E. (1945), Capacitors for high frequency induction heating
circuits, USA, IEEE Transactions, vol. 64.
Colpo, P., Ernst, R., Rossi, F. (1999), Determination of the equivalent circuit of inductively
coupled plasma sources, European Commission, Joint Research Center, Ispra, Italy,
Journal of Applied Physics.
Dawson, F. P., Jain, P. (1991), A comparison of load commutated inverter systems for
induction heating and melting applications, University of Toronto, Toronto,
Canada, IEEE Transactions on Power Electronics.
Dede, E. J., Esteve, V., Garca, J., Navarro, A. E., Maset, E., Sanchis, E. (1993), Analysis of
losses and thermal design of high power high frequency resonant current fed
inverters for induction heating, University of Valencia, Valencia, Spain, IEEE
Proceedings.

_______________________________________________________________________158


________________________________________________________________________
Dede, E. J., Jordn, J., Esteve, V., Gonzlez, J. V., Ramirez, D. (1993), Design consideration
for induction heating current fed inverters with IGBTs working at 100kHz, G.H.
Industrial S.A., Valencia, Spain, IEEE Proceedings.
Dede, E. J., Jordn, J., Esteve, V., Navarro, A. E., Ferres, A. (1996), On the design of a high
power IGBT series resonant inverter for induction forging applications, G. H. Elin
International, Valencia, Spain, IEEE Proceedings.
Dubut, J. P., Salazar, A. O, Guimares, A. M. F. (2005), High frequency converter based on
resonant inverters for exciting a 50kW inductively coupled plasma torch, XVIII
COBEP, Recife, Brasil.
Ebert, C. L., Carpes Jr., W. P., Fagundes, J. C. S. (2008), Projeto de indutores e
transformadores planares utilizados em fontes de alimentao chaveadas, CEFET
de Florianpolis, VIII Induscon, Florianpolis, Brasil.
Erin, J., Morvan, D., Amouroux, J. (1995), Optimisation des conditions de fonctionnement
dun pilote plasma de 25kW pour la purification du silicium, Universit Pierre et
Marie Curie, Paris, France, Physics abstracts.
Esteve, V., Jordn, J., Dede, E. J., Cases, C., Magraner, J. M., Kilders-Sanchis, E., Maset, E.
(2007), Using pulse density modulation to improve the efficiency of IGBT inverters
in induction heating applications, University of Valencia, Burjassot, Spain, IEEE
Proceedings.
Fauchais, P., Vardelle, A. (1997), Thermal plasmas, Universit de Limoges, Limoges,
France, IEEE transactions on plasma science, vol. 25, n. 6.
Ferroxcube (2001), Design of planar power transformers, Philips Company Inc.,
Eindhoven, The Nederland, Technical Notes.
Figueiredo, F. F. (2006) Esboo histrico da destinao final do lixo em Natal, Universidad
de Barcelona, Spain, Revista electrnica de geografia y ciencias sociales.
Forsyth, A. J., Ho, Y. K. E., Ong, H. M., (1994), Comparison of small-signal modeling
techniques for the series-parallel resonant converter, University of Birmingham,
Birmingham, United Kingdom, Power electronics and variable speed drives.
Francis, R., Soldano, M. (2003), A new SMPS non-punch thru IGBT replaces MOSFET in
SMPS high frequency application, International Rectifier, El Segundo, USA,
Application Note.
Fuji Electric Group (2004), Fuji IGBT modules application manual, Fuji Electric Devices
Technology Corporation Ltd, Nagano, Japan, Technical Manual.
Ganguli, A., Tarey, R. D. (2002), Understanding plasma sources, Institute for Plasma
Research, Gandhinagar, India, Plasma Application Proceedings.
Gillot, M., Nuns, J., Bausire, R., Piriou, F., Boige, R. (1998), High frequency and high
power impedance adapter transformer for induction heating converters, Universit
de Lille, Lille, France, Proceedings.
Governo Federal do Brasil (2003), Compilao da legislao ambiental existente, relativa
destinao final de resduos slidos, Braslia, Brasil.

_______________________________________________________________________159


________________________________________________________________________
Grajales, L, Lee, F. C. (1995), Control system and small signal analysis of a phase shift
controlled series resonant inverter for induction heating, Virginia Polytechnic
Institute and State University, Blacksburg, USA, IEEE Proceedings.
Grajales, L., Sabat, J. A., Wang, K. R., Tabisz, W. A., Lee, F. C. (1993), Design of a
10kW, 500kHz phase-shift control series resonant inverter for induction heating,
Virginia Power Electronics Center, Blackburg, USA, IEEE Proceedings.
Grande Moravia Industrial (2003), Instalao de destruio dos resduos hospitalares e
industriais, So Paulo, Brasil, Nota Tcnica.
Grover, F. W. (1972), Inductance calculation - Single layer coils on cylindrical winding
forms, Electrical Engineering Handbook, Prentice Hall, New York, USA, chap. 16.
Gudmundsson, J.T., Lieberman, M.A. (1997), Magnetic induction and plasma impedance in
a cylindrical inductive discharge, University of California, Berkeley, USA, Plasma
Sources Science Technology, v. 6, p. 540-550.
Guimares, A. M. F. (2009), Desenvolvimento de um sistema de automao para uma planta
de inertizao de resduos por plasma, Universidade Federal do Rio Grande do
Norte, Natal, Brasil, Tese de Doutorado.
Hesper, M., Fuchs, F. W., Mnzer, M. (2003) Analysis and comparison of planar and trench
IGBT modules under ZVS and ZCS switching conditions, University of Kiel, Kiel,
Germany, IEEE Proceedings.
Hewlett Packard (1999), Versatile link, Hewlett Packard Group, Technical document 5964-
4027E, Palo Alto, USA, Application Note AN-1035.
High Energy Corp. (2002), High frequency capacitors for induction heating, High Energy
Corporation, Parkesburg, USA, Technical Paper.
Hossain, M. M., Tanaka, Y., Sakuta, T. (2002), Extinguishing phenomenon and critical
discharge boundaries of argon and molecular-gas-seeded argon pulse-modulated
induction thermal plasmas, Kanazawa University, Kanazawa, Japan, Proceedings
on Plasma Sources Science Technologies.
International Rectifier (2003), Use gate charge to design the gate drive circuit for power
MOSFETs and IGBTs, International Rectifier Group, El Segundo, USA,
Application Note AN-944.
Jayant Baliga, B. (2001), The future of Power semiconductor device technology, Raleigh,
USA, Proceeding of the IEEE, vol. 89, n. 6.
Jingang, L., Yanru, Z., Xin, M. (2006), Study on a new way of load matched for voltage
source induction heating inverters, Xian University, Xian, China, IEEE
Proceedings.
Jovanovic, M. M et al. (1987), Design aspects for high frequency off-line quasi-resonant
converter Power Conversion Conference, Washington, DC, USA.
Kassakian, J. G., Verghese, G. C., Schlechtet, M. F. (1991), Principles of power
electronics, Prentice Hall, Upper Saddle River, USA, pp 329-360.
Khan, I., Naylor, E., Tapson, J. (2005), Optimized control for high frequency induction
heating power sources, University of Cape Town, Cape Town, South Africa, IEEE
Proceedings.
_______________________________________________________________________160


________________________________________________________________________
Kifune, H., Hatanaka, Y., Nakaoka, M. (2004), Cost effective phase shifted pulse
modulation soft switching high frequency inverter for induction heating
applications, University of Marine, Science and Technology, Etchujima, Japan.
IEEE Proceedings.
Kim, J., Mostaghimi, J., Iravani, R. (1997), Performance analysis of a radio-frequency
induction plasma generator using nonlinear state-space approach, University of
Toronto, Toronto, Canada, IEEE transactions on plasma science, vol. 25, n. 5.
Kinn, T. P. (1945), Vacuum-tube radio-frequency-generator characteristics and applications
to induction-heating problems, Los Angeles, USA, Proceedings of the I.R.E.
Kleveland, F. (2002), New and existing semiconductor devices and materials used in high
power high frequency inverters with series resonant load, Norwegian University of
Science and Technology, Trondheim, Norway, IEEE Proceedings.
Kleveland, F., Undeland, T. (2000), Increase of output power from IGBTs in high power
high frequency resonant load inverters, Norwegian University of Science and
Technology, Trondheim, Norway, IEEE Proceedings.
Kleveland, F., Undeland, T. M. (2001), Increase of output power from IGBTs in high power
high frequency resonant load inverters, Norwegian University of Science and
Technology, Trondheim, Norway, IEEE Proceedings.
Krylov, N., Bogolyubov, N. N. (1932), The describing function A tool for predicting
nonlinear system oscillation, Bucknell University, Bucknell, USA.
Kwan, J. W., De Vries, G. J., Ackerman, G. D., Williams, M. D. (1994), Radio frequency
power system for inductive heating in ion sources, Lawrence Berkeley Laboratory,
University of California, Berkeley, USA, IEEE Proceedings.
Liao, F. (2002), Application of RF-induction thermal plasma in chemical vapor deposition of
silicon carbide films, University of Minnesota, USA, ME8362 final report.
Magnetics Inc. (2001), Planar transformer design, The Transformer Group, Pittsburgh,
USA, Technical Document.
Maitelli, A. L. (2003), Sistemas lineares Notas de aula, Universidade Federal do Rio
Grande do Norte, Natal, Brasil.
Makky, A-R. A. M., Abo-Zied, H., Abdelar, F. N., Mutschler, P. (2008), Design of the
instrument current transformer for high frequency high power applications, Assiut
University, Assiut, Egypt, IEEE Proceedings.
Martin-Ramos, J. A., Daz, J., Perna, A. M., Nuo, F., Sebastin, J. (2002), Large-signal
modeling of the PRC-LCC resonant topology with a capacitor as output filter,
Universidad de Oviedo, Gijn, Spain, IEEE Proceedings.
Mauchien, J. P., Oudenne, P. D. (2002), La pyrolyse, technique originale de prparation de
combustibles alternatifs, Umicore Engineering, Louvain-la-Neuve, Belgium,
Technical Notice.
Miller, P. A. (1991), Electrical characterization of RF plasmas, Sandia National
Laboratories, Albuquerque, USA, Technical Note.

_______________________________________________________________________161


________________________________________________________________________
Ministrio Pblico do RN (2010), Lixo hospitalar incinerado irregularmente, Procuradoria
Geral de Justia, publicao na Web feita atravs do portal da Assessoria de
imprensa, Natal, Brasil.
Morill, M. A., Lee, C. Q. (1992), High-frequency planar power transformers, University of
Illinois, Chicago, USA, IEEE transactions on power electronics, vol. 7, n. 3.
Mostaghimi, J., Boulos, M. I. (1990), Effect of frequency on local thermodynamic
equilibrium conditions in an inductively coupled argon plasma at atmospheric
pressure, University of Sherbrooke, Sherbrooke, Canada, Journal of Applied
Physics.
Nagai, S., Hiraki, E., Arai, Y., Nakaoka, M. (1997), New phase-shifted soft-switching PWM
series resonant inverter topologies and their practical evaluations, Tsuyama
National College of Technology, Tsuyama, Japan, IEEE Proceedings.
Nema, S. K., Ganeshprasad, K. S. (2002), Plasma pyrolysis of medical waste, Institute for
Plasma Research, Gandhinagar, India, Plasma Application Proceedings.
Park, J. C., Lee, J. K., Kang, B. (2000), Properties of inductively coupled plasma source
with helical coil, Pohan University, Kyungki-Do, Korea, IEEE transactions on
plasma science, vol. 28, n. 2.
Piejak, R. B., Godyak, V. A., Alexandrovich, B. M. (1992), A simple analysis of an
inductive RF discharge, GTE Laboratories, Waltham, USA, Plasma Sources
Science Technology Proceedings.
Pinheiro, R. F., Dubut, J. P., Salazar, A. O., Maitelli, A. L. (2006), Anlise da operao de
um conversor de alta freqncia baseado em inversores ressonantes com comutao
seqencial para alimentao de uma tocha de plasma indutivo, XVI Congresso
Brasileiro de Automao, Salvador, Brasil.
Ramboz, J. D. (1995), Machinable Rogowski coil, design and calibration, RAMTech
Engineering Inc., Clermont, USA, IEEE Proceedings.
Ray, W. F., Hewson, C. R. (2000), High performance Rogowski current transducers, Power
Electronics Measurements Ltd, Nottingham, United Kingdom, IEEE Proceedings.
Razak, A. R. A., Taib, S. (2003), Design considerations of a high frequency power
transformer, National Power and Energy Conference, Bangi, Malaysia, IEEE
Proceedings.
Razzak, M. A., Kondo, K., Uesugi, Y., Takamura, S. (2003), Characteristics of high pressure
radio frequency inductively coupled plasma, Nagoya University, Nagoya, Japan,
Technical document PST-02-44.
Razzak, M. A., Suzuki, Y., Takamura, S., Uesugi, Y. (2005), High pressure RF inductive
discharges using a T-LCL immitance circuit for constant current operation, Nagoya
University, Nagoya, Japan, IEEE Proceedings.
Ridley, R. (2004), High frequency power transformer measurement and modeling, Ridley
Engineering, London, United Kingdom, Technical document of Power systems
design Europe.
Ridley, R. B. (1990), A new small-signal model for current mode control, Virginia Tech
University, Blacksburg, Virginia, USA, Ph.D. thesis.
_______________________________________________________________________162


________________________________________________________________________
Rodrigues, G. R., Farias Filho, J. R. (2008), Eficincia energtica e controle de gases de
efeito estufa em refinarias de petrleo Indicador de emisses evitadas de GEE, IV
Congresso nacional de excelncia em gesto, Petrobrs, Brasil.
Rossetto, L., Spiazzi, G. (1998), Series resonant converter with wide load range, University
of Padova, Padova, Italy, IEEE Proceedings.
Redi, H., Khli, P. (1997), IGBT drivers correctly calculated, CT-Concept Technology
Ltd, Leubringen/Evilard, Switzerland, Application Note AN-9701.
Rutberg, Ph. G. (2002), Plasma pyrolysis of toxic waste, Institute of problems of
electrophysics, Russian Academy of Sciences, Russia, Plasma Physic Control.
Fusion proceedings, pp. 1-11.
Sakakibara, Y., Katagiri, G., Toraguti, M., Sakuta, T. (2002), Generation of large area
inductively coupled plasma at atmospheric pressure with high efficiency, Fuji
Laboratories Kanazawa, Japan, Plasma Generations proceedings, pp. 1-16.
Salazar, A. O., Dubut, J. P. (2003), Sistema de tratamento de resduos e efluentes
petroqumicos por plasma trmico PLASPETRO, Universidade Federal do Rio
Grande do Norte, Natal, Brasil, Chamada Pblica MCT-RBT/FINEP/CT-PETRO
01/2003.
Santos Jr., L. P. (2009), Uma fonte chaveada de 50kW com correo de potncia para
alimentao de uma tocha de plasma indutivo utilizando tcnicas de controle
digital, UFRN, Natal, Brasil, Dissertao de Mestrado.
Schnknecht, A., De Donker, R. W. (2001), Novel topology for parallel connection of soft
switching, high power, high frequency inverters, Aachen University of Technology,
Aachen, Germany, IEEE Proceedings.
Schnknecht, A., De Donker, R. W. (2002), Distributed control scheme for parallel
connected soft-switching high power high frequency inverters, Aachen University
of Technology, Aachen, Germany, IEEE Proceedings.
Schwartzer, U., De Donker, R. W. (2001), Power losses of IGBTs in an inverter prototype
for high frequency inductive heating applications, Aachen University of
Technology, Aachen, Germany, IEEE Proceedings.
Schwarzer, U., De Donker, R. W. (2002), Design and implementation of a driver board for a
high power and high frequency IGBT inverter, Institute for Power Electronics,
Aachen, Germany, IEEE Proceedings.
Sewell, H. I., Stone, D. A., Bingham, C. M. (2004), A describing function for resonantly
commutated H-bridge inverters, Department of Electronics and Electrical
Engineering, Sheffield, United Kingdom, IEEE transactions on power electronics,
vol. 19, n. 4.
Sheng, K., Williams, B. W., Finney, S. J. (2000), A review of IGBT models, Cambridge,
United Kingdom, IEEE transactions on power electronics, vol. 15, n. 6.
Sheng, K., Williams, B. W., He, X., Finney, S. J. (1999), Measurement of IGBT switching
frequency limits, Heriot-Watt University, Edinburgh, United Kingdom, IEEE
Proceedings.
Siemens Semiconductor Group (2001), The reverse behavior of the NPT-IGBT in its on-
state, Hanover, Germany, Technical Note.
_______________________________________________________________________163


________________________________________________________________________
Simeonov, M., Dankov, D. (1996), High-frequency multi-unit resonant inverter for
induction heating, Gabrovo, Bulgaria, Power conversion proceedings.
Sippola, M. (2003), Developments for the high frequency power transformer design and
implementation, Helsinki University of Technology, Helsinki, Finland, Electronic
publication.
Staples, J., Schenkel, T. (2001), High efficiency matching network for RF driven ion
sources, Berkeley University, Berkeley, USA, IEEE Proceedings.
Stier, S. H., Mutschler, P. (2002), A modular IGBT converter system for high frequency
induction heating applications, University of Technology, Darmstadt, Germany,
IEEE Proceedings.
Stier, S., Mutschler, P. (2005), An investigation of a reliable behavior IGBT model in
comparison to PSpice and measurements in hard and soft switching applications,
Darmstadt University of Technology, EPE 2005, Darmstadt, Germany.
Sugimura, H., Kwon, S. K., Ogiwara, H., Hiraki, E., Nakaoka, M. (2007), A new phase
shifted ZVS-PWM controlled full bridge series resonant high frequency inverter
with auxiliary active quasi-resonant commutation circuit, Kyungnam University,
Masan, Republic of Korea, IEEE Proceedings.
Swart, S. M., Ferreira, J. A. (1993), Integrated water cooled transformer and work coil for
middle frequency induction heating applications, Rand Afrikaans University,
Johannesburg, Republic of South Africa, IEEE Proceedings.
Tafa (2001), Optical diagnostics of atmospheric pressure air plasmas, Tafa Ltd, Concord,
USA, Technical document, pp. 1-54.
Tanaka, Y., Uchiyama, H., Sakuta, T. (2002), Influence of various gas inclusion in Ar
thermal ICP at atmospheric pressure upon plasma temperature and impedance,
Kodatsuno, Japan, IEEE Proceedings, pp. 898-903.
Tang, W. et al. (1992), Charge control: modeling, analysis and design, Blacksburg,
Virginia, USA, Proceedings of the Virginia Power Electronics Center Seminar.
Teixeira, E. N. (2001), Resduos slidos: minimizao e reaproveitamento energtico,
FEC/UNICAMP, Campinas, Brasil, seminrio interno.
Venkatramani, N. (2002), Industrial plasma torches, Bhabha Atomic Research Centre,
Current Science, Mumbai, India, Plasma Application Proceedings, v. 83, n. 3, pp.
254-262.
Viriya, P., Yongyuth, N., Matsuse, K. (2007), Analysis of transition mode from phase shift
to zero-phase shift under ZVS and non-ZVS operation for induction heating
inverter, Institute Ladkrabang, Bangkok, Thailand, IEEE Proceedings.
Ward, D. A., Exon, J. La T. (1993), Using Rogowski coils for transient current
measurements, USA, Engineering Science and Education Journal.
Wenfang, D., Yang, Z., Ping, Z., Yingnian, X. (2009), Development of digital constant
frequency shift-phase power regulation series resonant inverter source, Hubei
University of Technology, Wuhan, Popular Republic of China, IEEE Proceedings.

_______________________________________________________________________164


________________________________________________________________________
Yang, E. X. et al. (1991), Extended describing function technique applied to the modeling of
resonant converter, Blacksburg, Virginia, USA, Proceedings of the Virginia Power
Electronics Center Seminar.
Yang, E. X., Lee, F. C., Jovanovic, M. M. (1992), Small-signal modeling of series and
parallel resonant converters, Virginia Power Electronics Center, Blacksburg, USA,
IEEE Proceedings.
Yingnian, X., Yang, Z., Yong, K. (2008), Research on simple and efficient series-resonant
inverter, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, Popular
Republic of China, IEEE Proceedings.
Youssef, M. Z., Jain, P. K. (2004), Modeling techniques of resonant converters: merits and
demerits, Queens University, Kingston, Canada, IEEE Proceedings.
Zheng, S., Czarkowski, D. (2007), Modeling and digital control of a phase controlled series-
parallel resonant converter, Polytechnic University of Brooklin, New York, USA,
IEEE transactions on industrial electronics, vol. 54, n. 2.
Zied, H. A., Makky, A-R. A. M., Mutschler, P., Stier, S., Bachmann, G. (2001), A modular
IGBT converter system for high frequency induction heating applications, Assiut
University, Assiut, Egypt, IEEE Proceedings.

























_______________________________________________________________________165


________________________________________________________________________
Apndice A




Referncias dos Trabalhos Publicados




Amado Diaz, J. A., Salazar, A. O., Dubut, J. P., Barbosa, C. G. (2009), Modeling and
simulation of high voltage and frequency planar transformer to a plasma inertization
plant, International Magnetics Conference, Sacramento, USA.
Dubut, J. P., Amado, J. D., Salazar, A. O., Pereira, L. J., Aguiar, M. V. (2010), Conversor de
alta freqncia baseado em inversores ressonantes com comutao seqencial,
XVII International Conference on Electronics, Electrical and Systems Engineering,
Lima, Peru.
Dubut, J. P., Salazar, A. O., Chafouk, H., Langlois, N. (2005), Modeling and simulation of a
high frequency series resonant converter for exciting a 50kW inductively coupled
plasma torch, International Conference on Modeling and Simulation, Rouen,
France.
Dubut, j. P., Salazar, A. O., Guimares, A. M. F. (1999) Project development and
construction of the three phase PWM Power supply with Power factor correction for
use with the plasma ion nitrinding reactor, V Congresso Brasileiro de Eletrnica de
Potncia, Florianpolis, SC.
Dubut, j. P., Salazar, A. O., Guimares, A. M. F. (2000), A high Power boost rectifier for
use in plasma on nitriding reactor, VII International Conference on electronics,
electrical and systems engineering, Lima, Peru.
Dubut, j. P., Salazar, A. O., Guimares, A. M. F. (2005), High frequency converter based on
resonant inverters for exciting a 50kW inductively coupled plasma torch, XVIII
Congresso Brasileiro de Eletrnica de Potncia, Recife, PE, Brasil.
Dubut, j. P., Salazar, A. O., Guimares, A. M. F. (2006), Fonte RF de alta potncia para
excitao de uma tocha indutiva a plasma trmico, VII Conferncia Internacional
de Aplicaes Industriais, Recife, PE, Brasil.
Guimares, A. M. F., Dubut, J. P., Medeiros, T. Q., Salazar, A. O., Maitelli, A. L., Sousa, J.
F., Neto, J. O., Morais, A. H. F. (2007), Automation system applied to a plasma
inertization plant. Revista Eletrnica de Potncia, p. 19 - 25, 01 mar., So Paulo,
Brasil.
Pinheiro, R. F. F., Dubut, J. P., Salazar, A. O., Maitelli, A. L. (2006), Anlise dinmica de
um conversor de alta freqncia baseado em inversores ressonantes com comutao
seqencial para alimentao de uma tocha de plasma indutiva, XVI Congresso
Brasileiro de Automtica, Salvador, BA, Brasil.


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________________________________________________________________________
Anexo A




Dados Tcnicos dos Componentes
Eletrnicos e dos Demais Dispositivos
Utilizados




Este Anexo apresenta todos os dados tcnicos, datasheets, bacos, curvas e demais
informaes tcnicas sobre as caractersticas dos componentes especficos que foram
utilizados nos diversos circuitos do conversor ressonante srie de alta freqncia.

A-1 Dados tcnicos do mdulo IGBT SKM200GB125D
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento das
clulas inversoras ressonantes.

A-2 Dados tcnicos do mdulo de excitao SKHI26F
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento das
clulas inversoras ressonantes.

A-3 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT4046
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento da malha
de compensao de freqncia da unidade de comando e controle.

A-4 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT221
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento da malha
de compensao de freqncia da unidade de comando e controle.


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________________________________________________________________________
A-5 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT161
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento do
circuito gerador de seqncias da unidade de comando e controle.

A-6 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT138
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento do
circuito gerador de seqncias da unidade de comando e controle.

A-7 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT74
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento do
circuito gerador de seqncias da unidade de comando e controle.

A-8 Dados tcnicos dos optoacopladores HFBR1521
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento da
interface e do link de fibras pticas.

A-9 Dados tcnicos do circuito integrado 74HCT4068
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento da
interface e do link de fibras pticas.

A-10 Dados tcnicos do circuito integrado TL3016
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento da
unidade detetora de transies.

A-11 Dados tcnicos do material magntico 3F3 de FERROXCUBE
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento do
transformador RF de adaptao de impedncias.



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________________________________________________________________________
A-12 Dados tcnicos do ncleo magntico NC-100/57/25 de
THORNTON
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento do
transformador RF de adaptao de impedncias.

A-13 Dados tcnicos do ncleo magntico U100/57/25 de
FERROXCUBE
Dados tcnicos, curvas, bacos e tabelas utilizados para o dimensionamento do
transformador RF de adaptao de impedncias.



















CD contendo os dados do Anexo A