Sel313 Gummel

P. R.
Veronese

Modelo de Gummel-Poon SEL313-EESC-USP
P. R. Veronese Pgina 1 Rev2- 08/05/2012
Introduo

A partir da dcada de 1970 a Engenharia Eletrnica de semicondutores comeou a sofrer
grande avano em ensino e em pesquisa. Projetos e desenvolvimentos de circuitos
integrados de alto desempenho tornaram-se, portanto, iminentes. Para que esse fim fosse
alcanado, no entanto, ferramentas adequadas tiveram que ser desenvolvidas. Uma
ferramenta fundamental criada nessa poca foi o programa de simulao de circuitos
eletrnicos conhecido como SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis), desenvolvido na Universidade da Califrnia, Berkeley, sem o qual a verificao
e a otimizao de projetos de circuitos, com mdia e alta escala de integrao, torna-se
praticamente impossvel [1]. Um programa de simulao s pode ser eficiente e confivel,
no entanto, se os modelos usados para retratar os componentes eltricos e eletrnicos forem
consistentes. Para o transistor bipolar de juno (BJT) o modelo escolhido foi o de
Gummel-Poon, com 57 parmetros de modelagem [2]. Esse modelo, embora no
absolutamente perfeito, bastante abrangente e preciso para as necessidades da eletrnica
analgica bipolar moderna e vem sofrendo melhorias e atualizaes ao passar dos anos,
conforme as evolues tecnolgicas vo exigindo [3]. Com o aparecimento da tecnologia
bipolar de silcio-germnio (SiGe), usada na fabricao de transistores bipolares de alta
velocidade para uso em micro-ondas, um novo modelo, conhecido como VBIC, precisou ser
desenvolvido para suprir as lacunas do modelo de Gummel-Poon nessa regio de
funcionamento [4]. Esse modelo no , todavia, totalmente novo, mas sim uma extenso
adequada do modelo de Gummel-Poon. Uma viso abrangente sobre modelagem em geral
pode ser conferida na literatura especializada [5].

Referncias

1. L. W. Nagel, SPICE2: A Computer Program to Simulate Semiconductor Circuits,
Electronics Research Laboratory, Rep. No. ERL-M520, University of California,
Berkeley,1975.
2. H. K. Gummel, H. C. Poon, An Integral Charge Control Model of Bipolar
Transistor, Bell Syst. Tech. J., 49, 827, 1970.
3. G. M. Kull, L. W. Nagel, S. W. Lee, P. Lloyd, E. J. Prendergast, and H. K. Dirks,
A Unified Circuit Model for Bipolar Transistor Including Quasi-Saturation
Effects, IEEE Transactions on Electron. Devices, ED-32, 1103-1113, 1985.
4. Xiaochong Cao, J. McMacken, K. Stiles, P. Layman, J. J. Liou, A. Ortiz-Conde, S.
Moinian, Comparison of the New VBIC and Conventional Gummel-Poon Bipolar
Transistor Models, IEEE Transactions on Electron. Devices, 47, n 2, Feb. 2000.
5. P. Antognetti, G. Massobrio, Semiconductor Device Modeling with SPICE,
McGraw-Hill Int. Ed., Singapore, 1988, Cap. 2.


Modelo de Gummel-Poon

1. Parmetros de Modelagem do BJT

Parmetro Descrio Unidade Default
AF A
F
Expoente de Rudo Flicker - 1
BF
F
Ganho de Corrente Direto Ideal Mximo - 100
BR
R
Ganho de Corrente Reverso Ideal Mximo - 1
CJC C
JC
Capacitncia B-C com Polarizao Zero F 0
CJE C
JE
Capacitncia B-E com Polarizao Zero F 0
CJS C
JS
Capacitncia C-S com Polarizao Zero F 0
EG E
G
Energia de Gap (Altura da Barreira) eV 1,11
FC FC Coeficiente da Capacitncia de Depleo - 0,5
GAMMA
Fator de Dopagem da Regio Epitaxial - 10p
IKF I
KF
Incio do Efeito Kirk de Alta Injeo Direta A

IKR I
KR
Incio do Efeito Kirk de Alta Injeo Reversa A

IRB I
RB
Corrente de Base na qual r
BB
=R
B
/2 A

IS I
S
Corrente de Transporte A 0,1f
ISC I
SC
Corrente de Saturao Reversa B-C A 0
ISE I
SE
Corrente de Saturao Reversa B-E A 0
ISS I
SS
Corrente de Saturao Reversa C-S A 0
ITF I
TF
Dependncia de I
C
do Tempo de Trnsito A 0
KF K
F
Coeficiente de Rudo Flicker - 0
MJC m
JC
Fator de Gradualidade da Juno B-C - 0,333
MJE m
JE
Fator de Gradualidade da Juno B-E - 0,333
MJS m
JS
Fator de Gradualidade da Juno C-S - 0
NC N
C
Coeficiente de Emisso do Diodo B-C - 2,0
NE N
E
Coeficiente de Emisso do Diodo B-E - 1,5
NF N
F
Coeficiente de Emisso Direta - 1,0
NK N
K
Coeficiente de Incio do Efeito da Alta Injeo - 0,5
NR N
R
Coeficiente de Emisso Reversa - 1,0
NS N
S
Coeficiente de Emisso do Diodo C-S - 1,0
PTF P
TF
Excesso de Fase @ 1/(2
F
)
0
QCO Q
CO
Fator de Carga da Regio Epitaxial C 0
RB R
B
Valor Mximo da Resistncia Intrnseca de Base

0
RBM R
BM
Valor Mnimo da Resistncia Intrnseca de Base

R
B

RC r
C
Resistncia Intrnseca de Coletor

0
RCO r
CO
Resistncia Intrnseca da Regio Epitaxial

0
RE r
E
Resistncia Intrnseca de Emissor

0
TF
F
Tempo de Trnsito Ideal Direto s 0
TIKF1 T
IKF1
Coeficiente Linear de Temperatura de I
KF
C
-1
0
TIKF2 T
IKF2
Coeficiente Quadrtico de Temperatura de I
KF
C
-2
0
TR
R
Tempo de Trnsito Ideal Reverso s 0

Parmetro Descrio Unidade Default
TRB1 T
RB1
Coeficiente Linear de Temperatura de R
B
C
-1
0
TRB2 T
RB2
Coeficiente Quadrtico de Temperatura de R
B
C
-2
0
TRC1 T
RC1
Coeficiente Linear de Temperatura de r
C
C
-1
0
TRC2 T
RC2
Coeficiente Quadrtico de Temperatura de r
C
C
-2
0
TRE1 T
RE1
Coeficiente Linear de Temperatura de r
E
C
-1
0
TRE2 T
RE2
Coeficiente Quadrtico de Temperatura de r
E
C
-2
0
TRM1 T
RM1
Coeficiente Linear de Temperatura de R
BM
C
-1
0
TRM2 T
RM2
Coeficiente Quadrtico de Temperatura de R
BM
C
-2
0
VAF V
AF
Tenso Early Direta V

VAR V
AR
Tenso Early Reversa V

VJC V
JC
Potencial Interno da Juno B-C V 0,75
VJE V
JE
Potencial Interno da Juno B-E V 0,75
VJS V
JS
Potencial Interno da Juno C-S V 0,75
VO
o
Tenso de Joelho da Curva - Mobilidade de Cargas V 10
VTF V
TF
Dependncia de V
BC
do Tempo de Trnsito V

XCJC X
CJC
Frao de C
JC
Conectado Base Intrnseca - 1
XTB X
TB
Coeficiente de Temperatura de - 0
XTF X
TF
Coef. de Dependncia de V
BC
do Tempo de Trnsito - 0
XTI X
TI
Expoente de Temperatura de I
S
- 3

2. Equaes

As equaes de modelagem de grandes sinais do BJT, em DC e em baixas frequncias do
modelo de Gummel-Poon, segundo as equaes dos diodos e das grandezas eltricas do
circuito equivalente da Figura 1, so:

- Correntes do efeito transistor, direta e reversa:

(
|
|
\
|
= 1 exp
t F
BEi
St f
V N
V
I I [A] (1a)
e
(
|
|
\
|
= 1 exp
t R
BCi
St r
V N
V
I I [A] (1b)

- Correntes de recombinao nas regies de depleo B-C e B-E, responsveis pela queda
do do transistor em baixas correntes:

(
|
|
\
|
= 1 exp
t E
BEi
SEt recE
V N
V
I I [A] (2a)
e

Figura 1 Circuito Equivalente ao BJT no modelo de Gummel-Poon.

(
|
|
\
|
= 1 exp
t C
BCi
SCt recC
V N
V
I I [A] (2b)

- Efeitos de segunda ordem:

- Efeito Early, responsvel pelo aumento do em funo de V
CE
devido

modulao
de largura de base do BJT:

AR
BEi
AF
BCi
V
V
V
V
q

=
1
1
1
(3a)

- Efeito Kirk ou de alta injeo, responsvel pela queda do em regimes de altas
correntes de coletor:

KR
r
KF
f
I
I
I
I
q + =
2
(3b)

- Efeito Early e Efeito Kirk englobados:

( ) [ ]
K
N
b
q
q
q
2
1
4 1 1
2
+ + = (3c)
- Correntes do BJT:

- Corrente de Base:

REA I
I
I
I
I
recC
Rt
r
recE
Ft
f
B

|
|
\
|
+ + + =

[A] (4a)

- Corrente de Coletor:

REA I
I
q
I
q
I
I
recC
Rt
r
b
r
b
f
C

|
|
\
|
=
[A] (4b)

- Corrente de Emissor:

B C E
I I I = [A] (4c)

- Corrente de Substrato:

REA
V N
V
I I
t S
CSi
SSt sub

|
|
\
|
= 1 exp [A] (4d)

- Resistncia intrnseca de base:

- Se I
RB
< :

( ) [ ]
( )
( )
REA
z tg z
z z tg
R R R
r
BMt Bt BMt
BB
2
3
+
= [] (5a)

e

REA I
I
REA I
I
z
RB
B
RB
B
\
|

+ +
=
2
2
24
144
1 1
[rad] (5b)

- Se I
RB
:

REA
q
R R
R
r
b
BMt Bt
BMt
BB
+
= [] (5c)
- Grandezas eltricas extrnsecas:

( )
BEi C Et B BB Et BE
V I r I r r V + + + = [V] (6a)

( )
BCi BEi B Et C Et Ct CE
V V I r I r r V + + + = [V] (6b)

BCi C Ct B BB BC
V I r I r V + = [V] (6c)

- Potencial trmico:

( ) 15 , 273 10 226 86,1734215
6
+ = =

q
kT
V
t
[V] (7)

- Observaes: Os potenciais com um subscrito i so intrnsecos, isto , medidos entre
terminais internos do BJT. As grandezas com um subscrito t possuem dependncia trmica
e devem, conseqentemente, ser calculadas em funo da temperatura [C] ou T [K],
dependendo do caso. A grandeza REA , na verdade, um fator de rea adimensional e
indica, na maioria das vezes, o nmero de emissores de um determinado transistor NPN.

- Capacitncias:

- Tempo de trnsito direto efetivo:

(
(
|
|
\
|
|
|
\
|
+
+ =
TF
BCi
TF f
f
TF F FF
V
V
REA I I
I
X T T
44 , 1
exp 1
2
[s] (8)

- Capacitncias de depleo:

- De coletor interno_base interna (se V
BCi
FCV
JC
):

JC
m
JCt
BCi
JCt CJC jc
V
V
C X C
|
|
\
|
= 1 [F] (9a)

- De coletor interno_base interna (se V
BCi
FCV
JC
):

( )
( )
( )
(
+ +
=
+
JCt
BCi JC
JC
m
JCt CJC
jc
V
V m
m FC
FC
C X
C
JC
1 1
1
1
[F] (9b)

- De coletor interno_base externa (se V
BCi
FCV
JC
):

( ) REA
V
V
C X C
JC
m
JCt
BCi
JCt CJC jx

|
|
\
|
=
1 1 [F] (9c)

- De coletor interno_base externa (se V
BCi
FCV
JC
):

( )
( )
( )
( ) REA
V
V m
m FC
FC
C X
C
JCt
BCi JC
JC
m
JCt CJC
jx
JC
+ +

=
+
1 1
1
1
1
[F] (9d)

- De base interna_emissor interno (se V
BEi
FCV
JE
):

JE
m
JEt
BEi
JEt je
V
V
C C
|
|
\
|
= 1 [F] (10a)

- De base interna_emissor interno (se V
BEi
FCV
JE
):

( )
( )
( )
(
+ +
=
+
JEt
BEi JE
JE
m
JEt
je
V
V m
m FC
FC
C
C
JE
1 1
1
1
[F] (10b)

- Capacitncias de difuso:

- De base_emissor (se V
BEi
> 0 ou nula se V
BEi
0):

mF FF
BEi
recE
BEi
f
FF BEdif
g T
V
I
V
I
T C
|
|
\
|
= [F] (11)

- De base_coletor (se V
BCi
> 0 ou nula se V
BCi
0)::

mR R
BCi
recC
BCi
r
R BCdif
g T
V
I
V
I
T C
|
|
\
|
= [F] (12)

- Capacitncias totais:

REA C C C
je BEdif BE
+ = [F] (13a)

REA C C C
jc BCdif BC
+ = [F] (13b)

- Capacitncia de substrato:

- Se V
CSi
> 0:

REA
V
V
C C
JS
m
JSt
CSi
JSt js

|
|
\
|
=
1 (14a)

- Se V
CSi
0:

REA
V
V
m C C
JSt
CSi
JS JSt js

|
|
\
|
+ = 1 (14b)

3. Equacionamento Trmico

(
\
|
|
\
|
=
t
G
X
S St
V
E T T
I I
TI
1
15 , 300
exp
15 , 300
[A] (15)

(
\
|
|
\
|
|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
=
t E
G
N
X
X
SE
SEt
V N
E T T
T
I
I
E
TI
TB
1
15 , 300
exp
15 , 300
15 , 300
[A] (16)

(
\
|
|
\
|
|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
=
t C
G
N
X
X
SC
SCt
V N
E T T
T
I
I
C
TI
TB
1
15 , 300
exp
15 , 300
15 , 300
[A] (17)

(
\
|
|
\
|
|
|
|
|
|
\
|
|
\
|
=
t S
G
N
X
X
SS
SSt
V N
E T T
T
I
I
S
TI
TB
1
15 , 300
exp
15 , 300
15 , 300
[A] (18)

TB
X
F Ft
T
|
\
|
=
15 , 300
(19)

TB
X
R Rt
T
|
\
|
=
15 , 300
(20)

( ) ( ) [ ]
2
2 1
15 , 300 15 , 300 1 + + = T T T T r r
RE RE E Et
[] (21)

( ) ( ) [ ]
2
2 1
15 , 300 15 , 300 1 + + = T T T T r r
RC RC C Ct
[] (22)
( ) ( ) [ ]
2
2 1
15 , 300 15 , 300 1 + + = T T T T R R
RB RB B Bt
[] (23)

( ) ( ) [ ]
2
2 1
15 , 300 15 , 300 1 + + = T T T T R R
RM RM BM BMt
[] (24)

1108
10 702
15491226 , 1
2 6
+
T
T
E
Gt
[eV] (25)

Gt G t JE JEt
E
T
E
T
V
T
V V + |
\
|
=
15 , 300 15 , 300
ln 3
15 , 300
[V] (26)

Gt G t JC JCt
E
T
E
T
V
T
V V + |
\
|
=
15 , 300 15 , 300
ln 3
15 , 300
[V] (27)

Gt G t JS JSt
E
T
E
T
V
T
V V + |
\
|
=
15 , 300 15 , 300
ln 3
15 , 300
[V] (28)

( )
|
|
\
|
+ + =
JE
JEt
JE JE JEt
V
V
T m C C 1 15 , 300 0004 , 0 1 [F] (29)

( )
|
|
\
|
+ + =
JC
JCt
JC JC JCt
V
V
T m C C 1 15 , 300 0004 , 0 1 [F] (30)

( )
|
|
\
|
+ + =
JS
JSt
JS JS JSt
V
V
T m C C 1 15 , 300 0004 , 0 1 [F] (31)

( ) ( ) [ ]
2
2 1
15 , 300 15 , 300 1 + + = T T T T I I
ikf ikf KF KFt
(32)

4. Modelagem de Pequenos Sinais

Quando o BJT polarizado em um determinado ponto quiescente, as grandezas variveis da
Figura 1 tornam-se fixas e vlidas para aquele ponto. Ento, por exemplo, o resistor
intrnseco varivel de base, r
BB
, passa a ter um valor fixo igual a r
x
, nesse ponto. Os
capacitores, igualmente, adquirem valores fixos e passam a valer: C
(equivalente a C
BE
),
C
(equivalente a C
BC
) e C
bx
(equivalente a C
jx
). Alm disso, o transistor substitudo por
um modelo linearizado, vlido para um determinado ponto quiescente e para uma excurso
incremental de sinal em torno desse ponto. A Figura 2 mostra esse circuito, tambm
chamado de modelo linearizado de pequenos sinais do BJT. Nesse modelo, as grandezas
eltricas valem:

- Transcondutncia direta:

Figura 2 Modelo Linearizado Para Pequenos Sinais do BJT.

BEi
C
mf
V
I
g
= [A/V] (33)

- Transcondutncia reversa:

BCi
C
mr
V
I
g
= [A/V] (34)

- Condutncia incremental de entrada:

BEi
B
V
I
g
[mho] (35a)

- Resistncia incremental de entrada:

g
r
1
= [] (35b)

- Condutncia incremental de realimentao:

BCi
B
V
I
g
[mho] (36a)

- Resistncia incremental de realimentao:

g
r
1
= [] (36b)
- Condutncia incremental de sada:

mr
BCi
B
BCi
C
CEi
C
o
g
V
I
V
I
V
I
g
= [mho] (37a)

- Resistncia incremental de sada:

o
o
g
r
1
= [] (37b)

- Ganho de corrente em AC:

B
C
AC
I
I
= (38)

- Freqncia de transio (freqncia na qual
AC
= 1):

( )

C C
g
f
m
T
+
2
[Hz] (39)

Na Equao 39, g
m
a transcondutncia genrica do transistor e vale g
m
g
mf
g
o
.

5. Modelagem de Rudo

Dispositivos semicondutores, assim como a maioria dos componentes eletro-eletrnicos,
geram rudos provenientes de fontes de vrias naturezas. Resistores apresentam rudo
trmico, tambm chamado de rudo Johnson ou rudo branco, proveniente de choques
aleatrios entre portadores livres que adquirem movimentos vibratrios com o aumento da
temperatura. Os semicondutores apresentam normalmente trs tipos de rudo: rudo shot,
tambm chamado de rudo Schottky, proveniente da gerao trmica aleatria de pares
eltron-lacunas nas regies de carga espacial; rudo flicker, proveniente da flutuao
aleatria da corrente de polarizao em funo da temperatura, e rudo Johnson, associado
s resistncias de perdas internas. Para o BJT, segundo um modelo chamado de Giacoleto,
as fontes de rudo, estipuladas para uma largura de faixa B = 1 Hz, podem ser representadas
pelas equaes:

- Rudo trmico devido r
C
:

C
Cn
r
kT
i
4
1
= [A/Hz] (40)

B
:
BB
Bn
r
kT
i
4
1
= [A/Hz] (41)

E
:

E
En
r
kT
i
4
= [A/Hz] (42)

- Rudo shot devido I
C
:

C Cn
qI i 2
2
= [A/Hz] (43)

- Rudo shot + flicker devido I
B
:

F
A
B
B Bn
K
f
I
qI i
F
+ = 2
2
[A/Hz] (44)

Nessas equaes, q = 1,6021910
-19
C a carga do eltron; k = 1,3806210
-23
J/K a
constante de Boltzmann; T [K] a temperatura absoluta; f [Hz] a freqncia na qual o
rudo foi calculado. A
F
e K
F
so os parmetros de modelagem de rudo flicker.

6. Modelagem de Quase-Saturao

Quase-saturao uma condio especial qual o BJT fica submetido quando a juno
interna B
i
-C
i
j est com polarizao direta, enquanto que a juno externa B-C ainda est
reversa, isto , V
BCi
> 0 e V
BC
< 0, para o transistor npn. Essa situao acontece na transio
entre as regies de polarizao ativa direta e a de saturao e alcanou grande importncia
com a ascenso do uso de circuitos portteis, alimentados com tenses muito baixas (V
CC

5V). O efeito de quase-saturao foi adicionado ao modelo de Gummel-Poon atravs da
colocao de mais uma fonte (I
epi
) injetando corrente no coletor e que representa a
modelagem da regio epitaxial (fora da camada enterrada), como ilustra a Figura 3. A
resistncia interna dessa fonte (r
CO
) tida como sendo uma parcela da resistncia total de
perdas de coletor, isto , r
C(total)
= r
C
+ r
CO
. Conclui-se, portanto, que r
CO
a resistncia de
perdas da camada epitaxial e r
C
a resistncia de perdas das demais regies de coletor
(camada enterrada e contacto hmico). As novas equaes, adicionadas ao modelo, so:

REA Q K Q
CO O
|
\
|
=
2
1
2
[C] (45a)
e
REA Q K Q
CO W
|
\
|
=
2
1
1
[C] (45b)


Figura 3 Circuito Equivalente ao Modelo de Gummel com Adio do Efeito de Quase-Saturao.

Q
O
e Q
W
so as cargas de dois novos capacitores adicionados ao modelo original de
Gummel, como mostra a Figura 3.

( )
REA
r v V V
v V V
K
K
K K V
I
CO o BCi BCi
o BCi BCi t
epi

+
+
(
|
|
\
|
+
+

=
) (
1
1
ln
1 2
1 2
1
2
1 2
[A] (46)

As constantes adimensionais K
1
e K
2
, que aparecem nas Equaes 44, 45 e 46, valem:

|
|
\
|
+ =
|
|
\
|
+ =
t
BCi
t
BCi
V
V
K e
V
V
K
2
2
1
1
exp 1 exp 1

A tenso V
BCi2
V
BCi1
a queda de tenso interna sobre o resistor R
CO
.
Os parmetros de modelagem de quase-saturao so: r
CO
> 0,
o
, , Q
CO
.

Curvas Estticas

Em bancadas de laboratrio, grandezas eltricas podem ser aplicadas ao BJT para
caracteriz-lo eletricamente. So elas: V
CE
, V
BE
, I
C
e I
B
. As grandezas V
BC
e I
E
so
redundantes. As principais e mais teis curvas so vistas a seguir.

Figura 4 Curvas de I
C
x V
CE
, tendo I
B
como parmetro @ 25 C, de um BJT npn de udio, para
aplicao em pequenos sinais.

- A Figura 4 apresenta a famlia de curvas de correntes de coletor (I
C
) em funo da tenso
aplicada entre o coletor e o emissor (V
CE
), tpicas de um transistor de silcio npn para
pequenos sinais e baixas frequncias, tendo a corrente de base (I
B
) como parmetro. As
curvas foram traadas para uma temperatura de juno igual a 25 C. A regio contida na
faixa 0V V
CE
V
CEsat
conhecida como regio de saturao do BJT e a tenso limtrofe
superior dessa regio chamada de tenso de saturao de coletor, isto , V
CEsat
, que, no
caso, vale aproximadamente 0,36V. Nessa regio, o efeito transistor ainda no foi atingido
e, consequentemente, o dispositivo no pode funcionar como um bom amplificador de
sinais. Nessa regio, normalmente, o BJT usado como chave fechada. Para V
CE
V
CEsat
o
BJT entra na sua regio ativa direta e funciona como um timo amplificador de sinais. Para
fazer o BJT trabalhar como chave aberta basta fazer I
B
= 0. Nesse caso, a corrente de
coletor tende a zero para qualquer tenso V
CE
aplicada, desde que V
CE
V
CEo
, sendo V
CEo
a
tenso de ruptura reversa do diodo C-B, com o emissor aberto, que no deve ser
ultrapassada em nenhuma hiptese. As curvas da Figura 4 pertencem ao quadrante de sada
do BJT e no trazem nenhuma informao sobre a quarta grandeza, V
BE
. Essas curvas
permitem, no entanto, o clculo da condutncia incremental de sada do dispositivo, que
vale g
o
= I
C
/V
CE
, com I
B
constante, calculada em torno de um determinado ponto de
polarizao. A resistncia incremental de sada do BJT vale, consequentemente, r
o
= 1/g
o
.

- A Figura 5 apresenta a famlia de curvas da tenso aplicada entre a base e o emissor (V
BE
)
em funo da corrente de base (I
B
), tpicas de um transistor de silcio npn para pequenos
sinais e baixas frequncias, tendo a tenso entre o coletor e o emissor (V
CE
) como
parmetro. Como pode ser constatado, a tenso V
CE
influencia muito pouco nos valores
dessas tenses. As curvas foram traadas para uma temperatura de juno igual a 25 C.
Essas curvas pertencem ao quadrante de entrada do BJT e no trazem nenhuma informao
sobre a quarta grandeza, I
C
. Elas permitem, no entanto, o clculo da resistncia incremental
de entrada do dispositivo, que vale r

= V
BE
/I
B
, com V
CE
constante, calculada em torno
de um determinado ponto de polarizao.

Figura 5 - Curvas de V
BE
x I
B
, tendo V
CE

- A Figura 6 apresenta a famlia de curvas da tenso aplicada entre a base e o emissor (V
BE
),
em funo da tenso aplicada entre o coletor e o emissor (V
CE
), tpicas de um transistor de
silcio npn para pequenos sinais e baixas frequncias, tendo a corrente de base (I
B
) como
parmetro. As curvas foram traadas para uma temperatura de juno igual a 25 C. Essas
curvas pertencem ao quadrante de transferncia de tenso entre a sada e a entrada do BJT e
no trazem nenhuma informao sobre a quarta grandeza, I
C
. Elas permitem, no entanto, o
clculo do ganho incremental reverso de tenso do dispositivo, que vale A
r
= V
BE
/V
CE
,
com I
B
constante, calculada em torno de um determinado ponto de polarizao. Essa
grandeza responsvel pela intensidade de amplificao reversa de sinais do dispositivo e
praticamente desprezvel (A
r
500 V/V) na regio ativa direta.

Figura 6 - Curvas de V
BE
x V
CE
, tendo I
B

Figura 7 - Curvas de I
C
x I
B
, tendo V
CE

- A Figura 7 apresenta a famlia de curvas de correntes de base (I
C
) em funo da corrente
de base (I
B
), tpicas de um transistor de silcio npn para pequenos sinais e baixas
frequncias, tendo a tenso entre o coletor e o emissor (V
CE
) como parmetro. As curvas
foram traadas para uma temperatura de juno igual a 25 C. Essas curvas pertencem ao
quadrante de transferncia de corrente entre a entrada e a sada do BJT e no trazem
nenhuma informao sobre a quarta grandeza, V
BE
. Elas permitem, no entanto, o clculo do
ganho de corrente incremental direta do dispositivo, que vale
AC
= I
C
/I
B
, com V
CE

constante, calculada em torno de um determinado ponto de polarizao.

Os quatro grficos apresentados nas Figuras 4, 5, 6 e 7 bastam para retratar eletricamente
um Transistor Bipolar de Juno e podem ser traados por instrumentos adequados em
bancadas de laboratrio. Antes do desenvolvimento de programas simuladores, como o
SPICE, os projetistas de circuitos eletrnicos analgicos utilizam-se desses grficos para
desenvolverem os seus projetos. Os parmetros incrementais, chamados de parmetros
hbridos de emissor-comum, so calculados com a entrada em aberto ou com a sada em
curto-circuito e, portanto, no podem ser extrados desses grficos. Eles so:

- Condutncia incremental de sada, h
oe
= I
C
V
CE
, com I
B
= 0 grfico da Figura 4.

- Resistncia incremental de entrada, h
ie
= V
BE
I
B
, com V
CE

- Ganho incremental de tenso reversa, h
re
= V
BE
V
CE
, com I
B

- Ganho incremental de corrente direta, h
fe
= I
C
I
B
, com V
CE
= 0, grfico da Figura 7.

Como esses parmetros no podem ser extrados dos grficos anteriores e no podem ser
calculados em funo de um ponto de polarizao, os programas de computador no
conseguem utiliz-los e, por isso, eles se tornaram obsoletos. Parmetros incrementais so
extrados desses grficos e de novos grficos necessrios, como o grfico da Figura 8.

Figura 8 - Curvas de I
C
x V
BE
, tendo V
CE

- A Figura 8 apresenta a famlia de curvas de correntes de coletor (I
C
) em funo da tenso
aplicada entre a base e o emissor (V
BE
), tpicas de um transistor de silcio npn para
pequenos sinais e baixas frequncias, tendo a tenso entre o coletor e o emissor (V
CE
) como
parmetro. Esse , realmente, o grfico do efeito transistor. As curvas foram traadas para
uma temperatura de juno igual a 25 C. Essas curvas pertencem ao quadrante de
transferncia entre a tenso de entrada e a corrente de sada do BJT e no trazem nenhuma
informao sobre a quarta grandeza, I
B
. Elas permitem, no entanto, o clculo da
transcondutncia incremental direta do dispositivo, que vale g
m
= I
C
/V
BE
, com V
CE

constante, calculada em torno de um determinado ponto de polarizao. Essa grandeza
responsvel pela intensidade de amplificao de sinais do dispositivo, na regio ativa direta.

Amplificao Esttica de Corrente

Transistores bipolares de juno, analisados como quadripolos eltricos, podem ser vistos
dinamicamente como amplificadores de transcondutncia, de tenso ou de corrente.
Estaticamente, porm, o BJT um tpico amplificador de corrente. O ganho de corrente
esttico do BJT () o valor obtido em um ponto quiescente pela diviso do valor de I
C
de
repouso pelo valor de I
B
de repouso, obtidos no grfico da Figura 7 para um determinado
valor de V
CE
de repouso. Rigorosamente, a relao entre I
C
e I
B
vale:

I
C
= [I
B
+([ +1)I
CBo
(47)

A corrente I
CBo
a corrente de fuga reversa do diodo C-B, que est reversamente
polarizado, na regio ativa direta. Essa corrente possui valores desprezveis em
temperaturas inferiores a 30 C, mas cresce muito rapidamente com a temperatura. Esse
fato faz com que o valor da corrente I
C
seja afetado mesmo que I
B
no se altere, quando a
temperatura crescer acima de 30 C. Esse efeito modelado pelas Equaes apresentadas
na Seco 3. Em temperaturas ambientes normais, no entanto, considera-se = I
C
/ I
B
.

Figura 9 - Curvas de x I
C
, tendo V
CE

O valor do fator de amplificao esttico de corrente do BJT () inversamente
proporcional largura efetiva de base e tambm inversamente proporcional concentrao
de dopantes dessa regio. Bases estreitas e fracamente dopadas propiciam transistores com
valores elevados de e vice-versa. Percebe-se, pelas curvas da Figura 9, no entanto, que
um transistor convencional de silcio possui desempenho otimizado apenas em uma faixa
central de valores de correntes de coletor. Em regime de baixa injeo, com I
C
300 A no
exemplo ilustrado pela Figura 9, o valor de cai porque as recombinaes de portadores na
regio de depleo da juno B-E tornam-se significativas perante a corrente total de
coletor. Como, por esse fato, o valor da corrente de coletor decresce relativamente, sem o
respectivo decrscimo da corrente de base, o cai. Em regime de alta injeo, com I
C
20
mA nesse mesmo exemplo, por outro lado, a concentrao de portadores na base cresce, a
largura de base consequentemente aumenta e o cai. Esse fenmeno conhecido como
efeito Kirk, modelado por I
KF
ou por I
KR
, como mostra a Equao 3b. A influncia da
tenso V
CE
, conhecida como efeito Early, modelado por V
AF
ou por V
AR
, atua no sentido de
aumentar o em funo da tenso aplicada, porque, com o aumento da tenso reversa no
diodo C-B, a regio de depleo aprofunda-se mais na base, a base , consequentemente,
estreitada e o cresce. As Equaes 3a e 3c calculam esses efeitos. A temperatura das
junes tambm afeta o valor de do transistor.

Efeitos Trmicos

Na Seco 3 foram apresentadas todas as equaes da modelagem trmica do BJT, segundo
o modelo de Gummel-Poon. Variaes trmicas afetam significativamente os
semicondutores em geral, principalmente e particularmente os dispositivos bipolares. Os
grficos a seguir mostram esses efeitos.


Figura 10 - Curvas de x I
C
, tendo como parmetro e com V
CE
= 10 V, de um BJT npn de udio, para

- Efeito trmico sobre o do transistor bipolar: a temperatura faz o do transistor crescer
proporcionalmente, porque, aumentando, aumenta a gerao de minoritrios na base. Como
a corrente de coletor diretamente proporcional populao desses minoritrios, a corrente
de coletor cresce espontaneamente com a temperatura e o cresce. A Figura 10 ilustra esse
fenmeno para o transistor exemplificado.

- Efeito trmico sobre a tenso entre base e emissor (V
BE
): assim como qualquer juno pn
polarizada diretamente, a barreira de potencial interna decresce com o aumento da
temperatura. Isso acontece porque o aumento da temperatura faz crescer a populao de
minoritrios na base, estreitando, portanto a regio de depleo B-E e, consequentemente,
diminuindo a barreira de potencial interna. A Figura 11 mostra essa variao para o
transistor do exemplo. Em transistores de silcio, essa variao da ordem de -2 mV/C,
podendo variar, dependendo do nvel de dopagem da base, na faixa: -2,2 mV/C V
BE
/
-1,8 mV/C. Essa variao praticamente linear para 0C 50C.

Figura 11 Variao de V
BE
em Funo da Temperatura de um BJT com V
CE
= 5V e I
C
= 2 mA.
Modelo de Ebers-Moll Melhorado ou de Gummel Simplificado

Como o modelo de Gummel-Poon muito extenso e complexo demais e como o modelo de
Ebers-Moll simples demais, um modelo intermedirio foi desenvolvido para ser usado em
clculos manuais envolvendo o BJT. Esse modelo satisfatoriamente preciso na regio
ativa direta para transistores de pequenos sinais polarizados com 300 A I
C
20 mA e
com V
CE
V
CEsat
. Esse modelo, no entanto, no vlido nas regies: de saturao, de baixa
injeo e de alta injeo. A modelagem trmica e o efeito Early, por outro lado, foram
includos:

(
\
|
|
\
|
=
t
X
S St
V
T T
I I
TI
11 , 1
1
15 , 300
exp
15 , 300
(48)

TB
X
F Ft
T
|
\
|
=
15 , 300
(49)

TB
X
R Rt
T
|
\
|
=
15 , 300
(50)

I
BC
= I
BL
I
CL
(51)

q
b
=
v
AF
v
AF
+|v
BC
|
(52)

I
B
=
I
St
[
Ft
jcxp [
v
BE
N
F
v
t
1[ +
I
St
[
Rt
jcxp [
v
BC
N
R
v
t
1[ (53)

I
C
=
I
St
q
b
jcxp [
v
BE
N
F
v
t
1[
I
St
q
b
[1 +
q
b
[
Rt
jcxp [
v
BC
N
R
v
t
1[ (54)

C
n
= g
m
P
+C
]L
(1 FC)
-(1+m
]E
)
_1 FC(1 + m
]L
) +
m
]E
v
BE
v
]E
_ (55)

C
=
C
]C
_1+
|v
BC
|
v
]C
]
m
]C
(56)
1
=
g
m
2n(C
n
+C
)
(57)
g
m
=
I
C
N
F
v
t
; r
n
=
[
g
m
; r
o
=
v
AF
+v
CE
-v
BE
I
C
(58)

I
t
= 86,17S421S226 1u
-6
I (59)

I = 0 +27S,1S (60)

O modelo linearizado para pequenos sinais e baixas frequncias o mesmo da Figura 2
com
AC
= ,

C
bx
= C
js
= r
C
= r
E
= r
x
= 0, r
, g
mf
= g
m
, g
mr
= 0 e
=
BE
.

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