EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

AULA 01b

Semicondutores

Roberto Jacobe Rodrigues

roberto.rodrigues@ufabc.edu.br
2o Quadrimestre de 2011
1

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Contedo

o Semicondutores Silcio Intrnseco o Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

o Exerccios e Questes

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Materiais usados em Semicondutores: Grupos III, IV e V

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Alguns Materiais Semicondutores

Group IV elemental semiconductors o Diamond (C) o Silicon (Si) o Germanium (Ge) III - Vternary semiconductor alloys o Aluminium gallium arsenide (AlGaAs, AlxGa1-xAs) o Indium gallium arsenide (InGaAs, InxGa1-xAs) o Indium gallium phosphide (InGaP) o Aluminium indium arsenide (AlInAs) III V quaternary semiconductor alloys o Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)

Group IV compound semiconductors o Silicon carbide (SiC) o Silicon germanide (SiGe) III V semiconductors o Aluminium antimonide (AlSb) o Aluminium arsenide (AlAs) o Gallium arsenide (GaAs) o Gallium nitride (GaN) o Gallium phosphide (GaP)

II VI semiconductors o Cadmium sulfide (CdS) o Cadmium telluride (CdTe) o Zinc oxide (ZnO) o Zinc selenide (ZnSe)

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Observao: devido sua maior utilizao comercial e em pesquisa,

vamos tratar mais dos dispositivos fabricados de silcio.

Representao 3D da estrutura do

cristal de silcio.

Um cristal de silcio puro ou intrnseco tem uma estrutura com

organizao atmica regular. Cada tomo partilha cada um de seus quatro eltrons de valncia com os tomos vizinhos.
5

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Em temperaturas reduzidas (~ 0 K) ligaes

covalentes quase completas

sem eltrons livres (ou na camada de conduo).

Na temperatura ambiente (~ 300 K)

algumas ligaes covalentes

rompidas (ionizao trmica) eltrons livres e lacunas (disponveis para a corrente eltrica).
6

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Portanto: Considera-se que materiais semicondutores, como o Ge e o Si, que apresentam uma reduo da resistncia eltrica (R) com o

aumento da temperatura, possuem coeficiente de temperatura

negativo.
Valores tpicos de resistividade (r)

Condutor

Semicondutor

Isolante

10-6 W-cm (cobre)

50 W-cm (germnio) 50x103 W-cm (silcio)

1012 W-cm (mica)

A 2 Lei de Ohm permite relacionar a resistividade (r) com a resistncia eltrica (R).
7

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Costumamos dizer que: Lacuna (hole) um portador carregado positivamente.

Eltron um portador carregado negativamente.

Ao processo de preenchimento de algumas lacunas com eltrons d-se o nome de recombinao.

Importante: em silcio intrnseco, as concentraes de eltrons

e de lacunas so iguais.
8

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Questes: 1) Porque, na maioria dos condutores, a resistncia eltrica aumenta com o aumento da temperatura, ou seja,

apresentam coeficiente de temperatura positivo?

2) Qual a estrutura eletrnica do germnio?

3) O silcio intrnseco obtido diretamente da natureza?

4) Em que consiste a ionizao trmica? 5) Qual a conseqncia da recombinao? 6) O que determina a resistividade (condutividade) de um semicondutor?
9

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

No equilbrio trmico: taxa de ionizao = taxa de recombinao

concentrao de eltrons livres = concentrao de lacunas

A concentrao intrnseca (ni) de eltrons/cm3 ou lacunas/cm3 , depende, fundamentalmente, da temperatura (T) e dada por:
Onde:

B (parmetro dependente do material) = 5,4x1031 para o Silcio

EG (bandgap energy) = 1,12 eV para o Silcio k (constante de Boltzmann) = 8,62x10-5 eV/K
EG representa a energia mnima necessria para romper a ligao covalente, gerando assim o par eltron-lacuna.
10

10

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

11

11

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Mecanismos pelos quais as lacunas e os eltrons se movem atravs de um cristal de silcio: difuso:

associada ao movimento aleatrio devido agitao trmica

(ausncia de fluxo lquido de carga corrente eltrica) A corrente devido diferena de concentrao de carga em duas regies do cristal chamada de corrente de difuso deriva:

ocorre quando um campo eltrico aplicado nas extremidades do

cristal de silcio
12

12

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Intrnseco

Exemplo de clculo: Determine a concentrao de portadores (eltrons livres ou lacunas

por cm3) para um cristal de silcio intrnseco temperatura

ambiente de 300 K. Estime a relao entre o nmero de

portadores e o nmero de tomos de silcio em 1 cm3.
Nota: 1 mol de Silcio (6,02x1023 tomos) ocupa um volume de 12x10-6 m3. Resposta: 1,5x1010 portadores/cm3 / 1 portador/trilho de tomos de silcio
13

13

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

Semicondutores dopados Materiais em que um dos tipos de portadores (eltrons ou lacunas) est em quantidade superior. Silcio dopado Tipo-n eltrons como portadores de carga majoritrios

lacunas como portadores de carga minoritrios

Tipo-p lacunas como portadores de carga majoritrios

eltrons como portadores de carga minoritrios

Introduo de um pequeno nmero de tomos de impureza dopagem
14

14

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

Assim pode-se ter uma outra definio de semicondutor... Material cujas propriedades podem ser modificadas pela adio de determinados tomos (impurezas) em sua rede

cristalina.
Portanto, pode-se modificar a resistividade de um material semicondutor apenas pela adio de uma quantidade de uma determinada impureza.

15

15

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

Como obter um cristal de silcio do tipo-n?

Introduzir, como tomos de impureza, elementos pentavalentes
(5 eltrons na camada de valncia)

Exemplos: arsnio, antimnio e fsforo

Estes elementos chamam-se

impurezas

DOADORAS

pois

doam um eltron extra para a rede cristalina de silcio.

16

16

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

Como obter um cristal de silcio do tipo-p?

Introduzir, como tomos de impureza, elementos trivalentes
(3 eltrons na camada de valncia)

Exemplos: ndio e boro

Estes aceitam elementos chamam-se

impurezas ACEITADORAS pois

um eltron da rede cristalina de silcio.

17

17

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

18

18

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)

Relao entre as concentraes de eltrons livres e de lacunas: Para o caso do silcio tipo-n tem-se:

nn0 (concentrao de e- no Si tipo-n) ND (concentrao de dopantes)

pn0 (concentrao de lacunas no Si tipo-n) Da fsica de semicondutores tem-se:

nn0 . pn0 = ni2

Lembrando que no Si tipo-n os eltrons so os portadores majoritrios e as lacunas so os portadores minoritrios.
19

19

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Exerccios e Questes 1) Calcule a densidade intrnseca de portadores (ni) a 250 K, 300 K e 350 K.

2) Considere um silcio tipo-n no qual a concentrao de dopantes ND

1017/cm3. Encontre as concentraes de eltrons e lacunas a 250K, 300K e 350 K. Voc pode utilizar os resultados do exerccio anterior.

3) Em que consiste um semicondutor tipo-n?

4) Cite ao menos duas caractersticas importantes de um cristal semicondutor. 5) Em que consiste o bandgap? 6) Porque impurezas pentavalentes so chamadas de doadoras e impurezas trivalentes so chamadas de aceitadoras? 7) Quais os mecanismos pelos quais as lacunas e os eltrons se movem atravs de um cristal de silcio?
20

20

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Exerccios e Questes 8) Porque a pureza de um cristal semicondutor to importante?

9) Qual o comportamento de cristal semicondutor intrnseco zero absoluto?

10) Descreva como pode-se obter um cristal do tipo n. 11) Um slido sem portadores de carga pode apresentar resistividade similar

ao de um condutor?
12) Pesquise outros materiais semicondutores alm do silcio e do germnio. Inclua suas principais aplicaes.

13) Como construir um slido semicondutor com uma determinada

condutividade?

21

21

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Bibliografia
Bsica o MALVINO, A. P. Eletronica Vol. 1 - 7a Ed. , Mcgraw-hill Interamericana, 2008. o SEDRA, A. S., SMITH, K. C. Microeletronica, 5a. Ed. Sao Paulo: Pearson Prentice Hall do Brasil, 2007. o BOYLESTAD, R. L. e Nashelsky, L. Dispositivos eletronicos e teoria de circuitos. 8a Ed., Pearson Education, 2004. Complementar o BOYLESTAD, R. L. Introduo a analise de circuitos. 10a Ed., Pearson Education, 2004. o CRUZ, E. C. A. e CHOUERI Jr., S. Eletrnica Aplicada. Ed. 2a, Editora Erica, 2007. o CIPELLI, A. M. V. , SANDRINI, W. A. e MARKUS, A. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos. Ed. 23a, Editora Erika, 2009. o TOOLEY, M. Circuitos eletrnicos: fundamentos e aplicaes. Ed. 1a, Editora Campus, 2007. o LALOND, D. E. e ROSS, J. A. Princpios de Dispositivos e Circuitos Eletronicos vol. 1 e 2. Ed. 1a, Makron Books, 1999. Apresentaes das Aulas (disponibilizadas via Tidia ae) o http://ae.ufabc.edu.br

22

22

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

TIDIA ae
Acessar o site http://ae.ufabc.edu.br ou http://200.133.215.70:8080/portal 1) clicar em New Account 2) entrar com as informaes solicitadas 3) clicar em Create Account 4) logar (id + password) 5) clicar em Membership 6) clicar em Sites que Aceitam Inscrio 7) localizar a disciplina EN2701 Fundamentos de Eletrnica Matutino (Noturno) 2011 2 8) clicar em Inscrever-se 9) visualizar a nova aba ao lado da aba Meu Site 10) clicar nesta nova aba e, caso julgue necessrio, utilizar as ferramentas disponibilizadas (ex.: utilizar a ferramenta Atividades para acessar as aulas dadas) Caso tenha problemas, enviar e-mail para roberto.rodrigues@ufabc.edu.br
23

23