Semicondut v1

Semicondutores
Prof. Marcelo Wendling

2009
Verso 1.0
UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA
"JLIO DE MESQUITA FILHO"
CAMPUS DE GUARATINGUET
Colgio Tcnico Industrial de Guaratinguet Prof. Carlos Augusto Patrcio Amorim

Semicondutores Prof. Marcelo Wendling
2
ndice

Introduo - Materiais semicondutores ..............................................3
1 Constituio Qumica..................................................................4
1.1 - Dopagem.............................................................................7
1.2 Semicondutor tipo n .............................................................7
1.3 Semicondutor tipo p ........................................................... 10
1.4 Propriedades Trmicas........................................................ 13
2 O Diodo Semicondutor ............................................................. 14
2.1 Formao do Diodo Juno pn........................................... 14
2.2 Aspecto e Representao do Diodo ....................................... 17
2.3 Aplicao de tenso sobre o Diodo ....................................... 18
2.3.1 Polarizao Direta......................................................... 18
2.3.2 Polarizao Inversa....................................................... 20
2.4 Caracterstica Eltrica do Diodo Semicondutor ....................... 21
2.4.1 - O Diodo Semicondutor Ideal ........................................... 21
2.4.2 Modelo Semi-Ideal do Diodo Semicondutor ...................... 22
2.4.2.1 Diodo em conduo ................................................. 22
2.4.2.2 - Diodo em bloqueio ................................................... 24
2.5 Curva caracterstica do Diodo .............................................. 25
2.5.1 - Regio de conduo .................................................... 25
2.5.2 - Regio de bloqueio ........................................................ 28
2.6 Limites de Operao do Diodo.............................................. 30
2.6.1 - Corrente de conduo mxima (I
f
)................................... 31
2.6.2 - Tenso inversa mxima (V
BR
).......................................... 31
3 Teste de Diodos Semicondutores ............................................... 33
3.1 Execuo do Teste.............................................................. 33
Referncias Bibliogrficas............................................................... 35

3
Introduo - Materiais semicondutores

Alguns materiais apresentam propriedades de conduo eltrica
intermedirias entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais
materiais so denominados de semicondutores. A caracterstica mais
interessante do material semicondutor, e que o torna atrativo do ponto de
vista da fabricao de componentes eletrnicos, a possibilidade de se poder
variar substancialmente sua condutividade eltrica pela alterao controlada
de sua composio qumica ou estrutura cristalina.

Um exemplo tpico de um elemento qumico que pode formar materiais
exibindo caractersticas eltricas distintas o carbono. Dependendo da forma
com que os tomos de carbono se interligam, o material formado pode tornar-
se um isolante ou um semicondutor.

Uma das formas naturais de matria formada por tomos de carbono
arranjados ordenadamente em uma estrutura cristalina o diamante, que
um material de grande dureza e eletricamente isolante.

Os tomos de carbono podem tambm arranjar-se naturalmente em uma
estrutura amorfa ou no cristalina, dando origem ao grafite que um
material semicondutor.

Nas sees seguintes sero discutidas algumas das caractersticas
principais associadas aos materiais semicondutores e a forma pela qual esses
materiais podem ser utilizados na construo de dispositivos eletrnicos.

4
1 Constituio Qumica

Os materiais semicondutores mais simples so constitudos de tomos de
um nico elemento qumico com quatro eltrons na camada de valncia.
tomos exibindo esta configurao eletrnica so denominados de tomos
tetravalentes.

A Fig.1 ilustra a configurao dos tomos tetravalentes de germnio
(Ge) e silcio (Si) que do origem a materiais semicondutores.

Fig.1 Configurao eletrnica dos tomos de silcio e germnio.

Os tomos que tm quatro eltrons na camada de valncia tendem a se
arranjar ordenadamente na formao do material segundo uma estrutura
cristalina com tomos vizinhos compartilhando seus eltrons de valncia,
conforme ilustrado na Fig.2.

5

Fig.2 Compartilhamento de eltrons de valncia entre dois tomos de silcio.

O compartilhamento de eltrons entre tomos tetravalentes em uma
estrutura cristalina ilustrado na Fig.3a. Esse tipo de ligao qumica recebe a
denominao de ligao covalente, sendo representada simbolicamente por
dois traos interligando cada par de ncleos, como mostrado na Fig.3b.

S i S i

(a) (b)
Fig.3 Compartilhamento de eltrons entre tomos ligados covalentemente em uma estrutura
cristalina e a representao simblica correspondente.

Nas ligaes covalentes os eltrons permanecem fortemente ligados ao
par de ncleos interligados. Por esta razo os materiais formados por
estruturas cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes covalentes,
adquirem caractersticas de boa isolao eltrica.

Na forma cristalina, o silcio e o germnio puros so materiais
semicondutores com propriedades eltricas prximas quelas de um isolante
perfeito.

6

A Fig.4 mostra uma
representao planar do arranjo
de tomos tetravalentes em
uma rede cristalina, onde cada
tomo forma quatro ligaes
covalentes com seus vizinhos.

A representao ilustrada na Fig.4 uma verso simplificada da situao
real em que os tomos tetravalentes se arranjam em uma estrutura
tridimensional. Essa estrutura tridimensional ilustrada na Fig.5, com os
tomos interligados em uma geometria tetradrica. O tetraedro assim formado
sempre contm um tomo central interligado aos seus quatro vizinhos
posicionados nos vrtices do tetraedro.

Fig.5 Estrutura tridimensional de uma rede cristalina de tomos tetravalentes.

Fig.4 Representao planar de uma rede
cristalina de tomos tetravalentes.

7
1.1 - Dopagem

A dopagem um processo qumico no qual tomos estranhos so
introduzidos na estrutura cristalina de uma substncia.

Os materiais encontrados em sua forma natural, geralmente contm
certo grau de impurezas que se instalam durante o processo de formao
desses materiais. Essa situao pode ser caracterizada como um processo de
dopagem natural.

A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrio, com o objetivo
de introduzir no cristal uma determinada quantidade de tomos de impurezas,
de forma a alterar, de maneira controlada, as propriedades fsicas naturais do
material.

Em um cristal semicondutor a dopagem geralmente realizada para
alterar suas propriedades eltricas. O grau de condutividade bem como o
mecanismo de conduo do semicondutor dopado ir depender dos tipos de
tomos de impureza introduzidos no cristal, como descrito a seguir.

1.2 Semicondutor tipo n

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do
semicondutor uma quantidade de tomos contendo excesso de um eltron de
valncia relativamente ao nmero de eltrons da camada mais externa de
cada tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo n. Neste processo,
uma pequena quantidade dos tomos dopantes introduz apenas ligeiras
modificaes na estrutura cristalina do semicondutor puro.

Um exemplo tpico de formao de um semicondutor tipo n ocorre
quando tomos de fsforo so introduzidos na estrutura cristalina do silcio.

8
Conforme ilustrado na Fig.6, apenas quatro dos cinco eltrons de valncia do
fsforo, podem participar das ligaes covalentes com os tomos de silcio.

Fig.6 Dopagem de silcio com tomo de fsforo.

Como mostrado na Fig.6, o quinto eltron de valncia do tomo de
fsforo no participa de nenhuma ligao covalente, pois no existe um
segundo eltron de valncia disponvel nos tomos vizinhos que possibilite a
formao dessa ligao. Esse eltron extra pode, portanto, ser facilmente
liberado pelo tomo de fsforo, passando a transitar livremente atravs da
estrutura do cristal semicondutor.

Com a adio de impurezas, e conseqente aumento no nmero de
eltrons livres, conforme ilustrado na Fig.7, o cristal que era puro e isolante
passa a ser condutor de corrente eltrica. importante observar que embora
o material tenha sido dopado, o nmero total de eltrons permanece igual ao
nmero total de prtons no cristal, de forma que o material continua
eletricamente neutro.

9

Fig.7 Eltrons livres no silcio dopado com fsforo.

O semicondutor dopado com tomos contendo excesso de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo
n, pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente
por cargas negativas. Essa conduo eltrica ocorre independentemente da
polaridade da tenso aplicada entre as extremidades do material
semicondutor, conforme ilustrado na Fig.8.

Fig.8 Corrente de eltrons em um semicondutor tipo n.

10
1.3 Semicondutor tipo p

Quando os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor
exibem deficincia de um eltron de valncia relativamente ao nmero de
eltrons da camada mais externa de cada tomo do cristal, forma-se um
semicondutor tipo p.

O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na camada de
valncia, quando utilizado no processo de dopagem do silcio d origem a um
semicondutor tipo p, conforme ilustrado na Fig.9.

Fig.9 Dopagem de silcio com tomo de ndio.

Como se pode observar na Fig.9, o tomo de ndio se acomoda na
estrutura cristalina, formando trs ligaes covalentes com tomos vizinhos de
silcio. Com respeito ligao com o quarto tomo de silcio, verifica-se a
ausncia do segundo eltron que comporia o par necessrio formao
daquela ligao com o tomo de ndio. Essa ausncia de eltron de ligao
denominada de lacuna.

A existncia de lacunas no semicondutor permite que haja um
mecanismo de conduo distinto daquele observado em um semicondutor tipo
n. No caso do semicondutor tipo n, os eltrons adicionais resultantes do

11
processo de dopagem podem transitar livremente no interior do material. Por
outro lado, quando a dopagem produz lacunas no semicondutor, um eltron
proveniente de uma ligao covalente s poder transitar para um ponto do
cristal onde haja uma lacuna disponvel.

Esse mecanismo de
conduo est ilustrado na
Fig.10, onde se considera uma
representao de um cristal de
silcio dopado com tomos de
ndio submetido a uma ddp.

O movimento de eltrons
de valncia se d do plo
negativo para o plo positivo,
pela ocupao de lacunas
disponveis na rede cristalina.
Nesse processo, cada eltron
torna disponvel uma nova
lacuna em seu stio de origem,
como pode ser observado na
representao da Fig.10.

Esse movimento de eltrons equivale, portanto, a um movimento de
lacunas do plo positivo para o plo negativo do material.

De acordo com esse ponto de vista, as lacunas em um semicondutor
dopado se comportam efetivamente como cargas positivas que podem
transitar em um cristal quando este est submetido a uma tenso
externamente aplicada.

Fig.10 Movimento de lacunas em um
semicondutor sujeito a uma ddp.

12
O semicondutor dopado com tomos contendo deficincia de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo
p, pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente
por lacunas que se comportam como portadores de carga positiva durante o
processo de conduo eltrica.

Como no processo de conduo eltrica de um semicondutor tipo n, o
movimento de lacunas em um semicondutor tipo p, submetido a uma ddp,
ocorre independentemente da polaridade da tenso aplicada entre as
extremidades do material.

Analisando-se as propriedades bsicas de semicondutores dopados,
nota-se que o nmero de eltrons em um semicondutor tipo n, ou lacunas em
um semicondutor tipo p, cresce com o aumento do nmero de tomos de
impurezas introduzidas no cristal. Com o aumento do nmero de portadores
de carga, aumenta a condutividade eltrica do material. Dessa forma, torna-se
possvel alterar de forma controlada a condutividade eltrica de um
semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada da quantidade de dopagem
do cristal durante a etapa de fabricao.

Essa caracterstica de controle externo de condutividade possibilita o uso
de cristais semicondutores como matria prima na fabricao de componentes
eletrnicos, incluindo diodos, transistores, circuitos integrados etc., bem como
na construo de dispositivos optoeletrnicos, tais como fotodetetores, diodos
emissores de luz e lasers semicondutores.

13
1.4 Propriedades Trmicas

A temperatura exerce influncia direta sobre as propriedades eltricas de
materiais semicondutores. Quando a temperatura de um material
semicondutor aumenta, o aumento de energia trmica do eltron de valncia
facilita a sua liberao da ligao covalente de que participa. Cada ligao
covalente que se desfaz por esse processo propicia, portanto, a gerao de um
par eltron/lacuna a mais na estrutura do cristal, conforme ilustrado na
Fig.11.

Fig.11 Gerao por aquecimento de pares eltron/lacuna em um semicondutor.

O aumento do nmero de portadores devido ao aquecimento do cristal
aumenta sua condutividade, permitindo assim que se obtenha um maior fluxo
de corrente no material.

14
2 O Diodo Semicondutor

O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como
condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada
aos seus terminais. Essa caracterstica permite que o diodo semicondutor
possa ser utilizado em diversas aplicaes, como, por exemplo, na
transformao de corrente alternada em corrente contnua.

2.1 Formao do Diodo Juno pn

Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um
semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n, conforme ilustrado na Fig.12.
Existem vrios processos que permitem a fabricao desse tipo de estrutura e
que utilizam tcnicas altamente sofisticadas para o controle de crescimento
dos cristais semicondutores com os graus de dopagens desejados. A estrutura
formada recebe a denominao de juno pn.

Fig.12 Diodo semicondutor.

15
Conforme ilustrado na Fig.13, logo aps a formao da juno pn,
alguns eltrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor
tipo p. O mesmo processo ocorre com algumas lacunas existentes no
semicondutor tipo p que difundem para o semicondutor tipo n.

Fig.13 Difuso de eltrons e lacunas logo aps a formao da juno pn.

Durante o processo de difuso, parte dos eltrons livres se recombinam
com lacunas na regio prxima juno. A diminuio do nmero de eltrons
livres existentes inicialmente do lado n, que conseguiram se difundir e
recombinar com as lacunas no lado p, produz uma regio de cargas positivas
do lado n e negativas do lado p da juno.

Conforme ilustrado na Fig.14, as cargas produzidas nas proximidades da
juno so cargas fixas rede cristalina. Essa regio de cargas prxima
juno denominada regio de cargas descobertas ou regio de
depleo.

16

Fig.14 Regio de cargas descobertas nas proximidades da juno pn.

Com o aparecimento da regio de depleo, o transporte de eltrons
para o lado p bloqueado, pois estes so repelidos da regio negativamente
carregada do lado p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte
para o lado n repelido pelas cargas positivas existentes no lado n da juno.

Portanto, imediatamente aps a formao da juno, uma diferena de
potencial positiva gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial
previne a continuao do transporte de portadores atravs da juno pn no
polarizada.

A tenso V
B
proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo
depende do material utilizado na sua fabricao. Valores aproximados para os
diodos de germnio e silcio so V
B
= 0,3 V e V
B
= 0,7 V, respectivamente.

No possvel medir diretamente o valor de V
B
aplicando um voltmetro
conectado aos terminais do diodo, porque essa tenso existe apenas em uma
pequena regio prxima juno. No todo, o componente eletricamente
neutro, uma vez que no foram acrescentados nem retirados portadores do
cristal.

17
2.2 Aspecto e Representao do Diodo

O diodo semicondutor representado
em diagramas de circuitos eletrnicos pelo
smbolo ilustrado na Fig.15. O terminal da
seta representa o material p, denominado de
nodo do diodo, enquanto o terminal da
barra representa o material n, denominado de
ctodo do diodo.

A identificao dos terminais do componente real pode aparecer na
forma de um smbolo impresso sobre o corpo do componente ou
alternativamente, o ctodo do diodo pode ser identificado atravs de um anel
impresso na superfcie do componente, conforme ilustrado na Fig. 16.

Fig.16 Formas de identificao dos terminais do diodo semicondutor para dois tipos comuns
de encapsulamento.

Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico
depende diretamente da sua temperatura de trabalho. Essa dependncia
trmica um fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou
se montam circuitos com esses componentes.

p
n

Fig.15 Representao do diodo.

18
2.3 Aplicao de tenso sobre o Diodo

A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o
componente se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo
pela polarizao direta ou pela polarizao inversa do componente,
conforme examinado a seguir.

2.3.1 Polarizao Direta

Polarizao direta uma condio
que ocorre quando o lado p submetido
a um potencial positivo relativo ao lado n
do diodo, conforme ilustrado na Fig. 17.

Nessa situao, o plo positivo da
fonte repele as lacunas do material p em
direo ao plo negativo, enquanto os
eltrons livres do lado n so repelidos do
plo negativo em direo ao plo
positivo.

Fig.17 Diodo submetido
polarizao direta.

19

Na situao ilustrada na
Fig.18, o valor da tenso
aplicada ao diodo inferior ao
valor V
B
da barreira de potencial.
Nessa condio, a maior parte
dos eltrons e lacunas no tm
energia suficiente para atravessar
a juno.

Como resultado, apenas
alguns eltrons e lacunas tm
energia suficiente para penetrar a
barreira de potencial, produzindo
uma pequena corrente eltrica
atravs do diodo.

Fig.18 Diodo sob polarizao
direta para V<V
B
.
Se a tenso aplicada aos
terminais do diodo excede o valor
da barreira de potencial, lacunas
do lado p e eltrons do lado n
adquirem energia superior quela
necessria para superar a barreira
de potencial, produzindo como
resultado um grande aumento da
corrente eltrica atravs do diodo,
como mostrado na Fig. 19.

Quando o diodo est
polarizado diretamente, conduzin-
do corrente eltrica sob a condio
V > V
B
, diz-se que o diodo est
em conduo.

Fig.19 Diodo sob polarizao direta
para V > V
B
.

20
2.3.2 Polarizao Inversa

Fig.20 Diodo sob polarizao inversa.
A polarizao inversa de um
diodo ocorre quando o lado n fica
submetido a um potencial positivo
relativo ao lado p do componente,
como mostrado na Fig.20.

Nessa situao, os plos da
fonte externa atraem os
portadores livres majoritrios em
cada lado da juno; ou seja,
eltrons do lado n e lacunas do
lado p so afastados das
proximidades da juno, conforme
ilustrado na Fig.21.

Fig.21 Regio de depleo de um diodo sob
polarizao inversa.

Com o afastamento dos
portadores majoritrios, aumenta
no s, a extenso da regio de
cargas descobertas, como
tambm o valor da barreira de
potencial atravs da juno.

Com o aumento da barreira
de potencial, torna-se mais difcil
o fluxo, atravs da juno, de
eltrons injetados pela fonte no
lado p e de lacunas no lado n.
Como resultado, a corrente
atravs do diodo tende
praticamente a um valor nulo.

21
Quando o diodo est sob polarizao inversa, impedindo o fluxo de
corrente atravs de seus terminais, diz-se que o diodo est em bloqueio ou
na condio de corte.

2.4 Caracterstica Eltrica do Diodo Semicondutor

sempre conveniente modelar um determinado componente eletrnico
atravs de seu circuito equivalente. O circuito equivalente uma ferramenta
largamente utilizada em eletrnica para representar um componente com
caractersticas no comuns, por um circuito consistindo de componentes mais
simples, tais como interruptores, resistores, capacitores etc.

No caso do diodo semicondutor, o circuito equivalente se torna bastante
simplificado quando o diodo considerado ideal, conforme descrito a seguir.

2.4.1 - O Diodo Semicondutor Ideal

Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta caractersticas
ideais de conduo e bloqueio.

Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente eltrica
sem apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado,
como ilustrado na segunda linha da Tabela 1. O interruptor fechado ,
portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal em conduo.

Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se
como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O
interruptor aberto ilustrado na terceira linha da Tabela 1 , portanto, o
circuito equivalente para o diodo ideal na condio de corte.

22
Em resumo, o diodo ideal comporta-se como um interruptor, cujo estado
controlado pela tenso aplicada aos seus terminais.

Tabela 1 Circuitos equivalentes para o diodo ideal.

2.4.2 Modelo Semi-Ideal do Diodo Semicondutor

O diodo ideal um modelo simplificado do diodo real, pois naquele
modelo alguns parmetros relacionados fabricao e s propriedades de
materiais semicondutores so desprezados. Modelos mais realsticos do diodo
operando em conduo ou em bloqueio so descritos a seguir.

2.4.2.1 Diodo em conduo

Com respeito s caractersticas de conduo do diodo semicondutor,
deve-se levar em conta que o diodo entra em conduo efetiva apenas a partir
do momento em que a tenso da fonte externa atinge um valor ligeiramente
superior ao valor V
B
da barreira de potencial.

Deve-se tambm considerar a existncia de uma resistncia eltrica
atravs da juno quando o diodo est sob polarizao direta. Essa resistncia
existe em qualquer semicondutor, devido a colises dos portadores com a rede

23
cristalina do material. O valor da resistncia interna dos diodos em estado de
conduo normalmente inferior a 1.

Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo
em conduo pode ser obtido pela associao srie de um resistor R
c
,
representativo da resistncia direta de conduo, com uma fonte de tenso V
B

correspondente ao valor da barreira de potencial na juno, como mostrado na
Fig.22.

Fig.22 Modelo semi-ideal do diodo semicondutor em conduo.

Em situaes em que o diodo utilizado em srie com componentes que
exibem resistncias muito superiores sua resistncia de conduo, esta pode
ser desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra
em um erro significativo.

No circuito da Fig.23, por exemplo, o valor da resistncia externa
1.500 vezes superior resistncia de conduo do diodo, e o erro relativo
cometido no clculo da corrente do circuito ao se considerar o diodo como ideal
de apenas 1,5%.

24

mA
V
I 8 , 32
1501
3 , 49
1
=
=

mA
V
I 3 , 33
1500
50
2
=
=

Erro relativo(%) =

=

= =
I I
I
2 1
1
100
0 0333 0 0328
0 0328
100
0 0005
0 0328
100 15%
. .
,
.
.
,

Fig.23 Circuito com diodo submetido conduo e clculo do erro cometido ao se utilizar o
diodo ideal como modelo.

2.4.2.2 - Diodo em bloqueio

Efeitos associados temperatura e a absoro de ftons nas
proximidades da juno de um diodo, possibilitam a gerao de uma pequena
quantidade de portadores minoritrios, ou mais precisamente, lacunas no
lado n e eltrons livres no lado p. Conseqentemente, sempre existe uma
corrente de fuga, quando o diodo inversamente polarizado,
correspondendo passagem de portadores minoritrios atravs da juno.
Essa corrente de fuga geralmente da ordem de alguns microampres, o que
indica que a resistncia da juno inversamente polarizada pode chegar a
vrios megahoms.

25
O diodo em bloqueio pode, portanto, ser modelado a partir do circuito
equivalente mostrado na Fig.24.

Fig.24 Circuito equivalente para o diodo em bloqueio.

2.5 Curva caracterstica do Diodo

O comportamento de qualquer componente eletrnico pode ser expresso
atravs de uma curva caracterstica ou curva VI que representa a relao
entre tenso e corrente atravs dos terminais do componente. Dessa forma,
para cada valor da tenso aplicada, pode-se, a partir dos dados da curva
caracterstica, obter o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa. A
curva caracterstica do diodo serve para determinar seu comportamento real
qualquer que seja o seu estado de polarizao, conforme examinado a seguir.

2.5.1 - Regio de conduo

Durante a conduo, uma corrente I
d
flui atravs do diodo, conforme
ilustrado na Fig.25. A medida que aumenta a corrente injetada I
d
, a queda de
tenso V
d
, observada atravs dos terminais do diodo, aumenta muito pouco
em relao ao valor V
B
, como conseqncia do baixssimo valor da resistncia
de conduo do diodo.

26

Fig.25 Modelo do diodo no regime de conduo e parmetros utilizados na definio da curva
caracterstica.

Uma representao grfica dessa relao tensocorrente para o caso do
diodo de silcio mostrada na Fig.26. Nessa representao, a curva
caracterstica do diodo obtida simplesmente pela unio de todos os pontos
representativos dos pares de valores possveis de corrente I
d
e tenso V
d
,
atravs do diodo no regime de conduo.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
I
d
(mA)
V
d
(V)

Fig.26 Curva caracterstica do diodo de silcio no regime de conduo.

27

Atravs da curva verifica-se tambm que, enquanto a tenso sobre o
diodo no ultrapassa um valor limite, que corresponde ao potencial da barreira
V
B
, a corrente atravs do diodo permanece muito pequena. Essa condio est
indicada na Fig.28, para um tipo de diodo de silcio, onde I
d
< 6 mA para V
d
<
0,7 V. A partir do valor limite V
B
= 0,7 V, a corrente atravs do diodo pode
aumentar substancialmente sem que isso cause um aumento significativo na
queda de tenso atravs do diodo. Verifica-se, portanto, que na faixa de
valores V
d
> 0,7 V, o diodo comporta-se praticamente como um resistor de
baixssima resistncia.

A obteno do valor
de tenso V
0
que
corresponde a um dado
valor de corrente I
0
feita
conforme ilustrado na
Fig.27. Deve-se traar
inicialmente uma linha
horizontal a partir do
ponto sobre o eixo vertical
correspondente ao valor
I
0
. Essa linha intercepta a
curva no ponto P indicado
na Fig.27. Traando-se a
partir de P uma linha
vertical, obtm-se a
interseo com o eixo
horizontal no ponto V
0
que
o valor desejado da
queda de tenso nos
terminais do diodo.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
V
I
0
0
P
I
d
V
d

Fig.27 - Representao de um par de valores de
tenso e de corrente na curva caracterstica.

28
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
V
d
(V)
I
d
(mA)
6
0,7

Fig.28 Curva caracterstica para um tipo comum de diodo de silcio.

2.5.2 - Regio de bloqueio

Como discutido anteriormente, existe uma corrente de fuga quando o
diodo inversamente polarizado. Essa corrente de fuga aumenta
gradativamente com o aumento da tenso inversa nos terminais do diodo.
Esse comportamento pode ser observado na regio de tenses e correntes
negativas do grfico da curva caracterstica mostrado na Fig.29. Note-se que,
para este tipo de diodo de silcio, a corrente de fuga satura no valor de 1
microampre negativo.

29
-0,002
-0,001
0
0,001
0,002
-1 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0 0,2
V
d
(V)
I
d
(mA)

Fig.29 Grfico exibindo a poro da curva caracterstica em que o diodo
inversamente polarizado.

Como em polarizao direta a corrente tipicamente mais de 1.000
vezes superior ao valor da corrente de polarizao inversa, a representao
das duas regies de operao em um mesmo grfico geralmente feita
utilizando-se a escala de mA na regio de tenses positivas, e a escala de A
na regio de tenses negativas. Essa forma de representao est ilustrada na
Fig.30, para um tipo comum de diodo de silcio, onde se pode visualizar
detalhadamente o comportamento da curva caracterstica em ambos os
regimes de operao.

30
-100
-50
0
50
100
150
-1 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
I
d
(mA)
V
d
(V)
I
d
(A)

Fig.30 Curva caracterstica de um diodo de silcio com escala vertical dupla para
detalhar os regimes de polarizao direta e inversa.

2.6 Limites de Operao do Diodo

Os limites de operao do diodo em cc estabelecem os valores mximos
de tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de
corrente contnua, sem provocar danos a sua estrutura.

Analisando o comportamento do diodo no regime de conduo, verifica-
se que a corrente de conduo o fator diretamente influenciado pelo circuito
de alimentao do diodo. A queda de tenso nos terminais do diodo no regime

31
de conduo praticamente independente do circuito, mantendo-se em um
valor prximo ao valor do potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 V
para o silcio e 0,3 V para o germnio.
No regime de polarizao inversa, a tenso atravs do diodo o
parmetro diretamente influenciado pelo circuito de alimentao. A corrente de
fuga no muito influenciada pelo circuito externo, pois depende apenas das
propriedades materiais do diodo.

Dessa forma, os limites de operao do diodo so definidos pela
corrente de conduo mxima e tenso inversa mxima descritas a
seguir.

2.6.1 - Corrente de conduo mxima (I
f
)

A corrente mxima de conduo de um diodo fornecida pelo fabricante
em um folheto de especificaes tcnicas. Nesses folhetos, a corrente mxima
de conduo aparece designada pela sigla I
F
, com a abreviao F simbolizando
a palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc. Na Tabela
2 so especificados valores de I
F
para dois tipos comerciais de diodos.

Tabela 2 Valores de I
F
para dois diodos.
TIPO I
F

SKE 1/12 1,0 A
1n4004 1,0 A

2.6.2 - Tenso inversa mxima (V
BR
)

Sob polarizao inversa, o diodo opera no regime de bloqueio. Nessa
condio, praticamente toda tenso externamente aplicada atua diretamente
entre os terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.31.

32

Fig.31 Circuito alimentando diodo sob polarizao inversa.

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado
valor mximo da tenso inversa. A aplicao de um valor de tenso inversa
superior quele especificado pelo fabricante, provoca um aumento
significativo da corrente de fuga suficiente para danificar o componente.

Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de especificao o valor
da tenso inversa mxima que o diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor
designado por V
R
. Na Tabela 3 esto listadas as especificaes de alguns
diodos comerciais com os respectivos valores do parmetro V
R
.

Tabela 3 Especificaes de diodos e tenses inversas mximas
correspondentes.

TIPO
V
R

1N4001 50 V
BY127 800 V
BYX13 50 V
SKE1/12 1.200 V

33
3 Teste de Diodos Semicondutores

As condies de funcionamento de um diodo podem ser verificadas pela
medio da resistncia atravs de um multmetro.

Os testes realizados para determinar as condies de um diodo
resumem-se a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de
conduo e bloqueio, utilizando a tenso fornecida pelas baterias do
ohmmetro. Entretanto, existe um aspecto importante com relao ao
multmetro que deve ser considerado ao se testarem componentes
semicondutores:

Existem alguns multmetros que, quando usados como
ohmmetros, tm polaridade real invertida com relao polaridade
indicada pelas cores das pontas de prova.

Isso implica que, para estes multmetros:

Ponta de prova preta Terminal positivo

Ponta de prova vermelha Terminal negativo

Para realizar o teste com segurana deve-se utilizar um multmetro cuja
polaridade real das pontas de prova seja conhecida ou consultar o esquema do
multmetro para determinar as polaridades reais.

3.1 Execuo do Teste

Para determinar se o diodo est defeituoso, no necessrio identificar
os terminais do nodo e do ctodo. Basta apenas conectar as pontas de prova
do multmetro aos terminais do diodo e altern-las para verificar o
comportamento do diodo quanto s duas polaridades possveis.

34

A seguir so descritos possveis testes de diodos que podem ser
realizados com o multmetro.

Identificao do nodo e ctodo de um diodo: Em muitas ocasies, a
barra de identificao do ctodo no corpo de um diodo pode estar apagada.
Nessas situaes, os terminais do diodo podero ser identificados com auxlio
do multmetro. O diodo exibe baixa resistncia quando a ponta de prova com a
polaridade real positiva conectada ao nodo. Basta, portanto, testar o diodo
Diodo em boas condies: O
ohmmetro deve indicar baixa
resistncia para um sentido de
polarizao e alta resistncia ao
se inverterem as pontas de prova
nos terminais do diodo, conforme
ilustrado na Fig.32.

Diodo em curto: Se as duas
leituras indicarem baixa
resistncia, o diodo est em
curto, conduzindo corrente
eltrica nos dois sentidos.

Diodo aberto (interrompido
eletricamente): Se as duas
leituras indicarem alta resistncia
o diodo est em aberto,
bloqueando a passagem de
corrente eltrica nos dois
sentidos.

Fig.32 Teste das condies do diodo com um
multmetro. Neste exemplo, o diodo
est em boas condies e a cor
vermelha corresponde polaridade
positiva.

35
conectando-se as pontas de prova nas duas posies possveis. Quando o
multmetro indicar baixa resistncia, o seu nodo estar conectado ponta de
prova com polaridade real positiva.

Referncias Bibliogrficas

ARNOLD, Roberts & BRANDT, Hans. Retificadores semicondutores no
controlados. So Paulo, E. P. U., 1975, 49p. il. (Eletrnica Industrial, 1).

CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. 8.
a
ed., So Paulo, rica,
1984, 580p. il.

SENAI/DN. Reparador de circuitos eletrnicos; Eletrnica Bsica II. Rio de
Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento , 1979 (Coleo Bsica SENAI,
Mdulo 1).

TRAINING PUBLICATIONS DIVISION OF PERSONEL PROGRAM SUPPORT
ACTIVITY. Curso de eletrnica. So Paulo, Hemus, c1975, 178p.

MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and
digital circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.

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