Eletrnica Digital

Prof. Gilson Yukio Sato

sato[at]utfpr[dot]edu[dot]br
Memrias Semicondutoras
Prof. Gilson Yukio Sato
sato[at]utfpr[dot]edu[dot]br
Memrias Digitais
Magntica
Fitas K7, discos 3, etc
tica
CDs, DVDs, etc
Semicondutoras
Chips de memria
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Importncia das Memrias
O microprocessador precisa armazenar
instrues e dados
Elaborado por Gilson Yukio Sato
P
Memria Principal
(semicondutora)
Memria Auxiliar
(magntica, tica)
Tipos de Memrias Semicondutoras
ROM
Mask
PROM
EPROM EPROM
EEPROM/E2PROM
Flash
RAM
Dinmica (DRAM)
Esttica (SRAM)
Elaborado por Gilson Yukio Sato
ROM
ROM (Read Only Memory)
Memria somente para leitura
Dados no volteis Dados no volteis
No volteis = os dados no so perdidos quando a
memria est sem alimentao
Armazenamento de programa para P
Dados presentes quando da alimentao do sistema
P
Elaborado por Gilson Yukio Sato
ROM Mask
ROM programada por mscara
Programada pelo fabricante
No pode ser apagada ou reprogramada No pode ser apagada ou reprogramada
Custo baixo para grandes quantidades
Mscara
Especificada pelo cliente
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
PROM
Programmable ROM
OTPROM (One Time Programmable ROM)
Pode ser programada pelo usurio Pode ser programada pelo usurio
(gravador/programador de memria)
No pode ser apagada ou reprogramada
Fusveis como conexo
Programao = queima de fusveis
Elaborado por Gilson Yukio Sato
PROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
EPROM
Erasable Programmable ROM
UVEPROM (Ultra-Violet EPROM)
Pode ser programada, apagada e reprogramada Pode ser programada, apagada e reprogramada
pelo usurio (gravador/programador de
memria)
Apagamento no seletivo
Transistores MOS com porta flutuante
Porta flutuante controla fluxo de cargas
Elaborado por Gilson Yukio Sato
EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Veja animao no site: http://www.howstuffworks.com/rom4.htm
EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Retirado do site: http://www.clubedohardware.com.br/dicionario/termo/350
EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Retirado do site: http://www.cpushack.net/EPROM.html
EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
EEPROM
Electrically Erasable PROM
Pode ser programada, apagada e reprogramada
no prprio circuito
Apagamento seletivo (bytes)
Pode ser usada como uma RAM no voltil
Construo complexa / baixa densidade
Maior custo
Processo de programao lento
Elaborado por Gilson Yukio Sato
EEPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
FLASH
Flash
Pode ser programada, apagada e reprogramada
no prprio circuito
Apagamento por blocos
Pode ser usada como uma RAM no voltil
Construo mais simples que EEPROM
Custo menor que EEPROM
Velocidade maior que EEPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
FLASH
Flash
Alta densidade
Velocidade de leitura alta Velocidade de leitura alta
Velocidade de escrita lenta
Consome potncia
Durabilidade limitada
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Flash
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
Comparao entre ROMs
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
Aplicaes ROM
Sistemas microprocessados
Armazenamento de programa
Transferncia de dados e portabilidade Transferncia de dados e portabilidade
Pen drive, MP3 players, PDAs
Memria bootstrap
BIOS de PCs
Tabelas de dados
Conversor de dados
Elaborado por Gilson Yukio Sato
RAM
RAM (Random Access Memory)
Memria de leitura e escrita
RWM (Read Write Memory) RWM (Read Write Memory)
Dados volteis
Volteis = os dados so perdidos se a memria fica
sem alimentao
Armazenamento de dados
Dados temporrios
Elaborado por Gilson Yukio Sato
SRAM
Static RAM (RAM esttica)
Dados so mantidos enquanto houver
alimentao
No necessita de refresh como a DRAM
Cada clula um FF
Ciclo de leitura e escrita muito rpido
Baixo consumo de potncia
Clulas de memria ocupam bastante espao
Elaborado por Gilson Yukio Sato
SRAM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
DRAM
Dynamic RAM (RAM dinmica)
Armazenam os dados sob a forma de carga de
capacitor
Necessita de refresh, pois os capacitores
precisam ser periodicamente recarregados
Alta densidade
Baixo custo
Velocidade de escrita e leitura altas
Elaborado por Gilson Yukio Sato
DRAM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Escrita SW1 e SW2 ON
Leitura SW2, SW3 e SW4 ON
(Tocci, 2007)
Estrutura Interna Genrica
Clula
Registro
n bits
D
n-1
D
n-2
D
1
D
0
0
1
Uma Clula armazena um bit
(FF)
O Registro um conjunto de
n Clulas
Cada Registro ocupa uma das
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Posio de
Memria
1
m-1
Cada Registro ocupa uma das
m Posies de Memria
Cada Posio de Memria
acessada atravs de um
Endereo (A)
O Endereo (A) uma
palavra de k bits tal que:
m = 2
k
Exemplo
Representao de uma memria cujo registro de n = 4 bits e que
possui m = 8 posies de memria
D3 D2 D1 D0
0
Se m = 8 ento:
8 = 2
A2 A1A0
0 0 0
0 1 1 1
Elaborado por Gilson Yukio Sato
0
1
2
3
4
5
6
7
8 = 2
k
Tal que:
k = 3
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
0 1 1 1
1 1 0 1
0 0 0 1
1 1 0 0
0 1 1 1
0 0 0 0
1 0 1 0
0 1 1 0
Pinagem Genrica
EPROMs, EEPROMs, Flashes, SRAMs
m x n
A0
A1
k linhas de
Elaborado por Gilson Yukio Sato
CS
RD
WR
A1
Ak-1
D0
D1
Dn-1
k linhas de
endereo
linhas de
controle
n linhas de
dados
Pinagem Genrica
A0~A
k-1
: linhas de endereo capazes de enderear
m posies de memria
D0~D
n-1
: linhas de dados para leitura e escrita de
dados na memria dados na memria
CS: Chip Select habilita a operao da memria
(ME)
RD: Read deve ser ativada para indicar uma
leitura (OE)
WR: Write deve ser ativada para indicar escrita
(no existe para ROM, PROM, EPROM)
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Exemplo
D3 D2 D1 D0
0
1
2
A2 A1A0
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1 1
1 1 0 1
0 0 0 1
8 x 4
A0
A1
A2
D0
Elaborado por Gilson Yukio Sato
2
3
4
5
6
7
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
0 0 0 1
1 1 0 0
0 1 1 1
0 0 0 0
1 0 1 0
0 1 1 0
CS
RD
WR
A1
A2
D0
D1
D2
D3
Exemplo - Leitura
D3 D2 D1 D0
0
1
2
A2 A1A0
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1 1
1 1 0 1
0 0 0 1
8 x 4
A0
A1
A2
D0
0
0
1
1
Elaborado por Gilson Yukio Sato
2
3
4
5
6
7
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
0 0 0 1
1 1 0 0
0 1 1 1
0 0 0 0
1 0 1 0
0 1 1 0
CS
RD
WR
A1
A2
D0
D1
D2
D3
1
0
0
1
1
1
1
0
Exemplo - Escrita
D3 D2 D1 D0
0
1
2
A2 A1A0
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1 1
1 1 0 1
0 0 0 1
8 x 4
A0
A1
A2
D0
1
0
1
0
Elaborado por Gilson Yukio Sato
2
3
4
5
6
7
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
0 0 0 1
1 1 0 0
0 1 1 1
0 0 0 0
1 0 1 0
0 1 1 0
CS
RD
WR
A1
A2
D0
D1
D2
D3
1
0
1
0
0
1
0
1
1 0 0 1
Timming Leitura EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Microchip)
Timming Escrita EEPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Tocci, 2007)
Timming Leitura SRAM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Holtek)
Timming Escrita RAM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
(Holtek)
Organizao
Uma memria organizada em termos do
nmero de posies de memria (m) e do
nmero de bits por registro (n)
Elaborado por Gilson Yukio Sato
nmero de bits por registro (n)
m x n
Exemplo 1: 1024 x 8 = 1k x 8
Exemplo 2: 2048 x 8 = 2k x 8
Capacidade
A capacidade C de uma memria dada
em bits e pode ser obtida multiplicando-se o
nmero de posies de memria m e
nmero de bits por registro n .
Elaborado por Gilson Yukio Sato
nmero de bits por registro n .
C = m x n
Exemplo 1: uma memria 1024x8 tem uma capacidade de 8192 bits
Exemplo 2: uma memria 2048x4 tem uma capacidade de 8192 bits
Bancos de Memria
Banco ou associao de memrias
O objetivo de projetar um banco de memria
pode ser: pode ser:
Caso 1: Aumentar o nmero de bits por registro
Caso 2: Aumentar o nmero de posies de memria
Caso 3: Aumentar ambos
Caso 4: Associar memrias de tipos diferentes
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Bancos de Memria
Memo Memo Memo
Memo
Memo
Memo Caso 1
Caso 2
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Memo
Memo
Memo
Memo
Memo
Memo
Memo
ROM
RAM
Caso 1
Caso 3
Caso 4
Caso 1 - Exemplo
Caso 1: Aumentar o nmero de bits por registro.
Exemplo: A partir de memrias do tipo 8x4 obter um banco 8x8.
Memo
n=4 D0...D3
Banco
n=8 D0...D7
N CIs
8x8/8x4 2
Elaborado por Gilson Yukio Sato
n=4 D0...D3
m=8 k=3
k=3 A0...A2
n=8 D0...D7
m=8 k=3
k=3 A0...A2
8x8/8x4 2
Idia principal: Sero necessrios dois CIs que devem
ser associados de forma que cada um disponibilize 4
linhas de dados
Caso 1 - Exemplo
CS
RD
WR
8 x 4
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
Memo
n=4 D0...D3
m=8 k=3
k=3 A0...A2
Banco
n=8 D0...D7
AA0
AA1
AA2
CS
RD
WR
DD0
DD1
DD2
DD3
Elaborado por Gilson Yukio Sato
WR
CS
RD
WR
8 x 4
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
n=8 D0...D7
m=8 k=3
k=3 A0...A2
N CIs
8x8/8x4 2
WR
DD4
DD5
DD6
DD7
Caso 2 - Exemplo
Caso 2 Aumentar o nmero de posies de memria.
Exemplo: A partir de memrias do tipo 8x8 obter um banco 16x8.
Memo
n=8 D0...D7
Banco
n=8 D0...D7
N CIs
16x8/8x8 2
Elaborado por Gilson Yukio Sato
n=8 D0...D7
m=8 k=3
k=3 A0...A2
n=8 D0...D7
m=16 k=4
k=4 A0...A3
16x8/8x8 2
Idia principal: Sero necessrios dois CIs que devem
ser associados de forma que cada um disponibilize 8
posies de memria
Memo
n=8 D0...D7
m=8 k=3
k=3 A0...A2
Banco
n=8 D0...D7
m=16 k=4
k=4 A0...A3
N CIs
16x8/8x8 2
AA0
AA1
AA2
DD0
DD1
DD2
DD3
DD0...DD7
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
CI1
Elaborado por Gilson Yukio Sato
AA2
CS
RD
WR
1
2
1
2
0
3
x/y
EN
AA3
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
CS
RD
WR
A2
D3
D4
D5
D6
D7
CS
RD
WR
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
CI2
Barramento (Bus)
CS
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD0...DD7
CS
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
=
Elaborado por Gilson Yukio Sato
CS
RD
WR
D5
D6
D7
CS
RD
WR
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
DD5
DD6
DD7
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
CS
RD
WR
D5
D6
D7
CS
RD
WR
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
DD5
DD6
DD7
=
Mapa de Memria
O mapa de memria representa a faixa de
endereos ocupada por cada memria.
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Mapa de Memria
AA3
0 0 0
1 1 1 0
0 0h
7h
AA0 AA1 AA2 HEX CI
1
Elaborado por Gilson Yukio Sato
1 1 1
0 0 0
1 1 1 1
1
0 7h
8h
Fh
2
Caso 3 - Exemplo
Caso 3: Aumentar o nmero de bits por registro e o nmero de
posies de memria.
Exemplo: A partir de memrias do tipo 8x4 obter um banco 16x8.
Memo
n=4 D0...D3
Banco
n=8 D0...D7
N CIs
16x8/8x4 4
Elaborado por Gilson Yukio Sato
n=4 D0...D3
m=8 k=3
k=3 A0...A2
n=8 D0...D7
m=16 k=4
k=4 A0...A3
16x8/8x4 4
Idia principal: Sero necessrios quatro CIs. Cada par
de CIs 8x4 deve ser associado formando dois
conjuntos 8x8. Esses dois conjuntos devem ser
associados para formar um banco 16x8.
CS
RD
WR
8 x 4
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
CS
RD
WR
8 x 4
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
RD
WR
DD0...DD7
AA0...AA2
DD0
DD1
DD2
DD3
DD0
DD1
DD2
DD3
AA0
AA1
AA2
AA1
AA2
AA0
CI1 CI3
Elaborado por Gilson Yukio Sato
WR
CS
RD
WR
8 x 4
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
WR
CS
RD
WR
8 x 4
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
CS
1
2
1
2
0
3
x/y
EN
AA3
WR
DD4
DD5
DD6
DD7
DD4
DD5
DD6
DD7
AA1
AA2
AA0
AA1
AA2
AA0
CI2
CI4
Mapa de Memria
AA3
0 0 0
1 1 1 0
0 0h
7h
AA0 AA1 AA2 HEX CI
1/2
Elaborado por Gilson Yukio Sato
1 1 1
0 0 0
1 1 1 1
1
0 7h
8h
Fh
3/4
Caso 4 Exemplo 1
Caso 4: Associar tipos diferentes de memria.
Exemplo: Associar uma EPROM 8x8 e uma RAM 8x8, com a
EPROM ocupando os endereos mais baixos.
Memos (EPROM e RAM)
Banco

N CIs
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Memos (EPROM e RAM)
n=8 D0...D7
m=8 k=3
k=3 A0...A2
Banco
n=8 D0...D7
m=16 k=4
k=4 A0...A3
N CIs
2
Idia principal: Nesse caso EPROM e RAM possuem a
mesma organizao e capacidade, por isso a
associao e similar ao caso 2
AA0
AA1
AA2
RD
CS
RD
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
DD0...DD7
EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
CS
WR
D7
CS
RD
WR
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
1
2
0
3
x/y
EN
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
AA3
RAM
Mapa de Memria
AA3
0 0 0
1 1 1 0
0 0h
7h
AA0 AA1 AA2 HEX CI
EPROM
Elaborado por Gilson Yukio Sato
1 1 1
0 0 0
1 1 1 1
1
0 7h
8h
Fh
RAM
Caso 4 Exemplo 2
Caso 4: Associar tipos diferentes de memria.
Exemplo: Associar EPROMs 8x8 e RAMs 8x8 para obter um banco
de 8x8 de EPROM e 16x8 de ram, com a EPROM ocupando os
endereos mais baixos.
Memos (EPROM e RAM)
Banco
N CIs
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Memos (EPROM e RAM)
n=8 D0...D7
m=8 k=3
k=3 A0...A2
Banco
n=8 D0...D7
m=24 k=5
k=5 A0...A4
N CIs
1 EPROM
2 RAMs
Idia principal: Como EPROM e RAMs possuem a
mesma organizao e capacidade a associao e
similar ao caso 2
RD
CS
RD
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
8 x 8
A0
A1
D0
D1
1
2
1
0
x/y
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
DD0
DD1
DD2
AA3
DD0...DD7
EPROM
RAM1
AA4
AA0...AA2
Elaborado por Gilson Yukio Sato
CS
WR
CS
RD
WR
A1
A2
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
1
2
3
EN
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
CS
RD
WR
8 x 8
A0
A1
A2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
DD0
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
RAM2
Mapa de Memria
AA3
0 0 0
1 1 1 0
0 00h
07h
AA0 AA1 AA2 HEX CI
EPROM
AA4
0
0
Elaborado por Gilson Yukio Sato
1 1 1
0 0 0
1 1 1 1
1
0 07h
08h
0Fh
RAM1
0
0
0
0
0
1
1 0 0 0
1 1 1
10h
17h
RAM2
Exerccios
Projetar um banco de memrias RAM de
1024x8 a partir de memrias 1024x4
Projetar um banco de memrias de 2048x8 a
partir de memrias 1024x8. Elabore o mapa partir de memrias 1024x8. Elabore o mapa
de memria.
Projetar um banco de memrias de 2048x8 a
partir de memrias 1024x4. Elabore o mapa
de memria.
Elaborado por Gilson Yukio Sato
Exerccios
Projetar um banco de memrias com 1024x8 de
EPROM e 1024x8 de RAM a partir de EPROMs de
512x8 e de RAMs de 512x8. A EPROM deve ocupar
os endereos mais baixos. Elabore tambm o mapa
de memria. de memria.
Projetar um banco de memrias com 1024x8 de
EPROM e 512x8 de RAM a partir de EPROMs de
512x8 e de RAMs de 512x8. A EPROM deve ocupar
os endereos mais baixos. Elabore tambm o mapa
de memria.
Elaborado por Gilson Yukio Sato