IV Congresso Brasileiro de Energia Solar e V Conferencia Latino-Americana da ISES So Paulo, 18 a 21 de setembro de 2012

ANLISE DO PROCESSO DE DIFUSO/QUEIMA DE PASTAS

METLICAS E DA PASSIVAO COM SiO
2
EM CLULAS SOLARES
BIFACIAIS FINAS COM REGIO P
+
LOCALIZADA

Vanessa da Conceio Osrio nessaosorio@yahoo.com.br
Adriano Moehlecke moehleck@pucrs.br
Izete Zanesco izete@pucrs.br
Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul, Faculdade de Fsica, Programa de Ps-Graduao em
Engenharia e Tecnologia de Materiais


Resumo. Neste artigo apresentam-se os resultados da anlise de processos envolvidos na fabricao de clulas solares
bifaciais finas com regio de campo retrodifusor de alumnio localizado. Foram usadas lminas de silcio
monocristalino Czochralski, tipo p, de espessura reduzida de aproximadamente 150 m. A regio p
+
foi formada por
pasta de Al depositada por serigrafia e pela difuso de Al em forno de esteira. Foi otimizado o processo de
difuso/queima so das pastas de Al e Ag/Al bem como foram analisadas diferentes formas de passivar as superfcies
com SiO
2
. Observou-se que a melhor temperatura para a queima/difuso de 840 C para clulas sem xido de
passivao e de 850C para aquelas com uma camada de SiO
2
com espessura da ordem de 10 nm. A passivao de
ambas as faces por um xido crescido termicamente melhorou o desempenho das clulas solares, mas constatou-se que
o comprimento de difuso dos portadores minoritrios nas clulas menor que a espessura da lmina, o que explica a
baixa eficincia obtida quando a clula foi iluminada pela face posterior com regio de campo retrodifusor de Al
localizado.

Palavras-chave: clulas solares bifaciais finas; BSF localizado de Al.


1. INTRODUO E OBJETIVOS

A clula solar bifacial um dispositivo capaz de converter em energia eltrica a radiao solar que incide em
ambas as faces e vem sendo estudada desde os anos 60 (Cuevas, 2005). Ainda hoje, a indstria no conseguiu empregar
todos os avanos tecnolgicos desenvolvidos para clulas monofaciais nas estruturas bifaciais e assim permitir uma
reduo no custo do kWh produzido por mdulos com clulas bifaciais. Em clulas monofaciais com emissor seletivo
dopado com fsforo e regio de campo retrodifusor ou BSF (back surface field) pontual dopada com boro e tima
passivao de superfcie baseada em SiO
2
, se atingiu eficincia de 25% (Green et al, 2012). Para clulas bifaciais com
estrutura similar, sem emissor seletivo frontal e com passivao por SiN
x
, foi obtida uma eficincia de 20,1% para
iluminao pela face frontal e 17,2% para iluminao pela face posterior (Hbner et al., 1997). Outra estrutura
semelhante, com BSF localizado na regio posterior, foi desenvolvida por Glunz et al. (1997), alcanando a eficincia
de 20,6% quando a clula iluminada pela face frontal e de 20,2% quando iluminada pela face posterior. No entanto,
ambas as estruturas usavam silcio crescido pela tcnica de fuso zonal flutuante (FZ) e metalizao por evaporao de
metais em alto vcuo, material e processo de alto custo para a indstria de clulas solares. Com estrutura simplificada
p
+
nn
+
, com regies n
+
e p
+
homogneas e usando silcio crescido pela tcnica Czochralski (Cz), tipo n, de alta
resistividade, Caizo et al. (2001) apresentaram eficincias de 17,7% e 15,2% para iluminao frontal e posterior,
respectivamente, em clulas de 4 cm
2
e usando malha metlica depositada por evaporao em alto vcuo. Pan et al.
(2005), com lminas finas (espessura de 140 m) de silcio Cz de menor qualidade que o usado por Cnizo et al.
(2001), mas com a mesma estrutura, atingiram eficincias de 17% / 14,9% (eficincia frontal / posterior).
Recentemente, Yang et al. (2011) apresentaram as clulas bifaciais de estrutura n
+
pp
+
simples e de grande rea (149
cm
2
) e obtiveram eficincias de 16,6% / 12,8% (iluminao frontal / iluminao posterior) usando lminas de silcio Cz
tipo p de 200 m de espessura, com dopagem da regio n
+
e p
+
baseada em POCl
3
e BBr
3
, respectivamente, e
metalizao por serigrafia.
Uma das possibilidades estudadas para reduzir o custo de fabricao das clulas solares a utilizao de lminas
mais finas, em substratos com menor qualidade (Sheoran et al., 2007). Porm, alguns fatores como a maior
probabilidade de quebra e a necessidade de formas eficientes de aprisionamento da radiao solar e de uma tima
passivao de superfcie constituem-se em desafios para a fabricao de clulas finas. Por exemplo, a reduo da
espessura da lmina de silcio de 200-250 m para 150 m pode produzir uma reduo de custos de 12 %, para silcio
multicristalino e de 21 %, para silcio monocristalino, do total dos custos de fabricao de um mdulo fotovoltaico,
desde que seja mantida a eficincia da clula (Lago-Aurrekoetxea, 2002).
Um projeto que envolvia vrios grupos de pesquisa para o desenvolvimento de clulas bifaciais finas foi o
BiThink, financiado pela Comunidade Europeia, cujo objetivo era reduzir os custos das clulas solares de silcio
industriais, diminuindo a espessura das lminas e implementando um processo de fabricao eficiente. Utilizando
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serigrafia para formar os contatos metlicos, foi alcanada a eficincia de 13,2% na face n
+
n e 12,7% na face p
+
n, de
uma clula solar bifacial, fabricada sobre silcio Cz tipo n e com 160 m de espessura (Jimeno et al., 2007). As clulas
bifaciais possuam regies n
+
e p
+
homogneas obtidas a partir da deposio de pastas com dopantes e difuso em forno
de esteira, processos de alta produtividade.
O objetivo deste trabalho analisar o processo de difuso/queima das pastas de metalizao e a passivao de
superfcie com SiO
2
em clulas solares bifaciais finas com BSF localizado. As clulas solares foram fabricadas em
lminas de silcio Cz, tipo p, com espessura da ordem de 150 m. A regio de BSF de tipo p
+
foi formada por
deposio de pasta de alumnio por serigrafia e difuso em forno de esteira. Foram analisadas diferentes temperaturas
de difuso de Al e queima das pastas, processos realizados em um passo trmico.


2. PROCESSO DE FABRICAO

A Fig. 1 mostra um esquema do processo de fabricao de clulas solares bifaciais finas, com estrutura n
+
pp
+
, com
regio p
+
localizada e com forma de malha de metalizao, desenvolvido neste trabalho.

































Figura 1 - Sequncia do processo de fabricao de clulas solares bifaciais
com estrutura n
+
pp
+
(regio p
+
localizada) e espessura reduzida.

Como no foram encontradas no mercado lminas com espessura da ordem de 140 m - 150 m, foi necessria a
reduo da espessura de lminas por ataque qumico. Sendo assim, inicialmente, as lminas de silcio Cz, tipo p, de 100
mm de dimetro e espessura inicial de 535 m a 585 m, foram submetidas a um ataque qumico em soluo de
hidrxido de potssio, lcool isoproplico (IPA) e gua deionizada (H
2
O
DI
) para obteno de lminas com
aproximadamente 150 m de espessura. Para banhos com 1600 mL de gua deionizada e 190 mL de lcool
isoproplico, variou-se a quantidade de KOH de 90 g a 210 g. A temperatura foi mantida em 90 C.
A Fig. 2 mostra a variao da espessura das lminas em funo do tempo de imerso na soluo com 210 g de
KOH. Dez amostras foram colocadas no banho e uma lmina foi retirada a cada 10 min, no intervalo de 40 min at 130
min. O tempo de 110 min foi o que permitiu a obteno de lminas de 150 m e com uma baixa disperso na espessura
da lmina e foi o selecionado para o processamento. Com base neste resultado, foram realizados onze processos,
utilizando-se 200 lminas para confirmar a repetibilidade do processo, sendo que a mdia dos valores alcanados e o
desvio padro para as espessuras finais foram de (146 4) m para o tempo de exposio de 110 min. Cabe observar
Ataque parcial de SiO
2
/ crescimento de SiO
2
Reduo da espessura
Limpeza qumica
Deposio de resina
Ataque anisotrpico
Oxidao
Ataque do xido (face n
+
)
Difuso de fsforo
Evaporao de filme AR
Deposio da pasta de Al
Metalizao
Queima/difuso das pastas
Corte com laser
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que devido ao ataque qumico, as bordas das lminas apresentaram problemas de uniformidade em relao espessura,
causado pelo contato com o suporte de fixao.
Aps a reduo da espessura, realizou-se o processo de ataque anisotrpico das superfcies em um banho de KOH,
IPA e H
2
O
DI
para formar micropirmides na superfcie da lmina. Este foi otimizado para lminas finas, a partir do
processo padro do Ncleo de Tecnologia em Energia Solar (NT-Solar/PUCRS) para lminas de Si-Cz, com espessura
da ordem de (535-585) m. Foram realizados trs testes, utilizando ao todo 27 lminas. Para confirmar os resultados,
na sequncia foram realizados cinco processos, com nove lminas cada, com os parmetros timos. De cada processo
foram retiradas trs lminas e, em cada lmina foi medida a refletncia espectral em trs pontos. A refletncia mdia
das lminas de cinco processos foi de 11,2% no intervalo de comprimentos de onda de 400 nm a 1050 nm. A altura
mdia das micropirmides foi da ordem de 4 m e a distribuio das pirmides podem ser observadas na Fig. 3 (a) e
(b), respectivamente.
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
0 20 40 60 80 100 120 140
Tempo (min)
100
160
220
280
340
400
460
520
580
E
s
p
e
s
s
u
r
a

(
u
m
)


Figura 2- Espessura das lminas versus tempo de imerso em soluo com KOH.


(a) (b)

Figura 3- (a) Altura ( 4 m) e (b) distribuio das
micropirmides formadas pelo ataque anisotrpico.

Em seguida, realizou-se uma limpeza RCA das lminas baseada em solues qumicas com H
2
O
2
, NH
4
OH, HCl e
H
2
O
DI
. Depois da limpeza, as lminas foram introduzidas em um forno de alta temperatura (a 1000C), com cmara de
quartzo, para oxidao das superfcies. Este xido tem a finalidade de proteger uma das faces das lminas da difuso de
fsforo. Aps a oxidao, foi depositada resina fotossensvel por spin-on em uma das superfcies da lmina. Depois da
secagem da resina, o xido na outra face foi atacado em soluo de HF tampo e realizada a limpeza da resina. Para
retirar todos os resduos, foi usada novamente a limpeza RCA.
Para formao da regio n
+
, foi realizada a difuso de fsforo a partir de POCl
3
em um forno de alta temperatura
tipicamente usado na fabricao de clulas solares. A regio n
+
pode ser formada com uma concentrao em superfcie
e profundidade que dependem da temperatura e do tempo de difuso e da concentrao de POCl
3
no ambiente. Para
este trabalho foram produzidas regies n
+
com resistncia de folha de aproximadamente 33 /. Na sequncia,
extraram-se os fosforosilicatos por ataque em cido fluordrico. Nesta etapa, com o objetivo de analisar a qualidade da
passivao com SiO
2
para clulas solares finas, foram extrados ou mantidos os xidos bem como crescidas novas
camadas de xido. Foram testadas as seguintes formas para passivar ou no as superfcies aps a difuso de fsforo: 1)
as lminas foram submersas em HF por um perodo de tempo (aproximadamente 17 min) at que a camada de
fosforosilicato e de xido de proteo (100 nm) fossem retiradas completamente, situao que gera uma clula solar
sem passivao por xido de silcio; 2) as lminas permaneceram 11 min em HF, sendo extrados os fosforosilicatos e
xidos da face frontal n
+
, mas mantendo-se um xido de 18 nm na face posterior; 3) foram extrados os xidos de
ambas as faces e crescida nova camada de 10 nm de SiO
2
em processo trmico a 800 C. A espessura dos xidos finos
foi determinada pela medida da refletncia espectral de amostras texturadas e recobertas com SiO
2
e filme antirreflexo
(AR) de TiO
2
.
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Depois dos processos de extrao dos xidos, realizou-se uma limpeza RCA e depositou-se um filme antirreflexo
de TiO
2
sobre a superfcie n
+
por evaporao em alto vcuo com canho de eltrons. Embora as clulas bifaciais devam
receber filme AR em ambas as faces, optou-se por no depositar o filme nos primeiros lotes desenvolvidos com o
objetivo de primeiro otimizar a temperatura de difuso de Al e queima de pastas para a superfcie posterior no
recoberta e coberta com xido de silcio.
A regio do campo retrodifusor foi implementada com deposio de pasta de Al por serigrafia. Esta regio cria
um campo eltrico que pode repelir os portadores minoritrios, reduzindo a velocidade de recombinao em superfcie.
Em clulas solares bifaciais, o BSF de Al deve ser realizado em reas localizadas para que a radiao incidente na face
posterior (onde esta a regio de BSF) possa ser absorvida. Um bom desempenho eltrico do dispositivo, quando se
utiliza BSF de Al depositado por serigrafia, depende de trs variveis de controle: composio qumica da pasta,
quantidade depositada e condies de queima (Janben et al., 2007 e Ebong et al., 2007). O processo de queima/difuso
geralmente realizado em temperaturas maiores do que 800 C. Nesta temperatura, uma fase lquida de Al-Si j est
formada e o Si comea a difundir-se para a camada de Al e vice-versa (Uruena et al., 2009).
H um limite entre a espessura da lmina e a quantidade de pasta serigrfica usada para fazer a dopagem de Al e
com isso formar o BSF. Lminas muito finas abaulam com o excesso de pasta e, caso a quantidade de pasta seja
inferior a necessria, h problemas com a uniformidade do BSF (Duerinckx et al., 2004; Ebong et al., 2007 e Jaben, et
al. 2006). O abaulamento da clula solar se d devido diferena no coeficiente de dilatao trmica () da liga Al-Si,
que maior do que a do Si (
AlSi
= 23,1.10
-6
K
-1
e
Si
= 3,5.10
-6
K
-1
).
Nas clulas solares desenvolvidas, usou-se a pasta PV381 da empresa DuPont. Esta pasta produz pouco
abaulamento e foi projetada para ser difundida ao mesmo tempo em que a pasta de prata queimada na face frontal n
+
.
Para comparar os resultados com pastas convencionais de Al/Ag normalmente usadas como contato posterior em
clulas n
+
pp
+
, usou-se a pasta PV 202 da empresa DuPont como alternativa a PV381 para metalizar a face p. A pasta
PV202 possui maior condutividade eltrica e pode ser soldada com as tpicas fitas de cobre-estanho-prata. No caso da
PV381, uma camada de PV202 deve ser depositada sobre a barra coletora de PV381 para permitir a soldagem.
Depois da deposio, a pasta de Al passou pelo processo de secagem em forno de esteira. Em seguida foi
depositada a pasta de Ag, tambm da empresa DuPont, na face dopada com fsforo para formao do contato frontal e
mesma foi secada. Na prxima etapa, as lminas foram submetidas a um processo trmico de alta temperatura em forno
de esteira para que a pasta de Al se difundisse e a de Ag perfurasse o filme AR e realizasse o contato com a regio n
+
.
Este ltimo processo comumente chamado de queima das pastas (firing). A temperatura deste processo de
queima/difuso foi otimizada para lminas finas. A face frontal e a posterior receberam uma malha de metal com trilhas
de 100 m de largura, duas barras coletoras de 2 mm de largura e com um fator de sombra ou de recobrimento de
9,5%.
Para finalizar, as bordas das clulas solares foram cortadas ou isoladas por meio de um sistema com radiao laser
para obter clulas solares pseudo-quadradas de 8 cm x 8 cm com rea de 61,58 cm
2
. Embora estas dimenses no sejam
o padro industrial atual (a indstria usa lminas de 156 mm x 156 mm), o tamanho permite a avaliao de processos
industriais, mantendo-se a vantagem do baixo consumo de produtos qumicos e gases.


3. RESULTADOS E DISCUSSES

3.1 Otimizao da temperatura de difuso de Al e queima simultnea da pasta de Ag

Para encontrar a melhor temperatura de difuso de alumnio e queima da pasta de prata, este parmetro foi variado
de 800 C a 850 C quando se usou a pasta PV381. Os primeiros resultados obtidos foram para clulas solares bifaciais
sem xido de silcio. Aps encontrar a melhor temperatura para esta pasta, o mesmo processo foi realizado para a pasta
de Ag/Al (PV 202) utilizando-se um intervalo menor de temperatura de queima, de 830 a 850 C, regio tima da pasta
PV381. Os parmetros eltricos mdios das clulas solares tais como a densidade de corrente de curto-circuito (Jsc), a
tenso de circuito aberto (Voc), o fator de forma (FF) e eficincia () bem como a maior eficincia (
Mx
) so
apresentados na Tab. 1. Estes valores foram obtidos da curva caracterstica I x V, medida sob condies padro (100
mW/cm
2
, espectro AM1,5G, temperatura de 25 C).
Pode-se concluir dos resultados que: 1) a melhor temperatura de queima/difuso para as pastas PV381 e PV202 na
estrutura estudada de 840 C; 2) a pasta PV381 produziu clulas com maior eficincia principalmente pela maior J
sc
,
da ordem de 2 mA/cm
2
acima do valor encontrado para clulas com as pasta PV202 para iluminao pela face n
+
; 3) o
baixo fator de forma advm da alta resistncia em srie da face posterior, pois a malha cobre somente 9,5% da
superfcie e no h regio dopada entre as trilhas metlicas; 4) a baixa eficincia da clula solar iluminada pela face
posterior onde est o BSF localizado denota o efeito da ausncia de passivao de superfcie e/ou um baixo tempo de
vida dos portadores minoritrios na base.
A Tab. 2 apresenta os parmetros eltricos da melhor clula processada bem como os resultados obtidos de
simulaes com o programa PC-1D (Basore e Clugston, 1997). Foram fixados os seguintes parmetros nas simulaes:
espessura de 150 m, refletncia da superfcie texturada frontal com filme AR de TiO
2
, fator de sombra de 9,5% e
resistividade de base de 2 .cm. Para ajustar os dados obtidos das simulaes com os experimentais, variou-se o tempo
de vida dos portadores minoritrios (), a velocidade de recombinao na superfcie n
+
(S
f
), a velocidade de
recombinao efetiva na superfcie posterior de tipo p e com BSF localizado (S
p-ef
) e a resistncia em srie especfica.
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Como na face posterior h 9,5% da rea com BSF, calculou-se a velocidade de recombinao efetiva considerando esta
regio de BSF com 1x10
19
cm
-3
de concentrao de superfcie e espessura da regio p
+
de 4 m e o restante da
superfcie sem passivao, isto , com S
p
= 1x10
7
cm/s. Para calcular a velocidade de recombinao efetiva utilizou-se
o procedimento apresentado por Lago-Aurrekoetxea (2002). Os valores que melhor se ajustaram aos resultados
experimentais com os dois modos de iluminao independentes foram: S
f
= 1x10
7
cm/s, S
p-ef
= 9,05x10
6
cm/s, = 10 s
e resistncia srie especfica de 2,8 .cm
2
. Os valores de S esto de acordo com ausncia de passivao de superfcie,
mas o muito baixo para clulas que passam por difuso de fsforo em alta concentrao, processo que realiza
gettering. Da mesma forma, a resistncia em srie elevada, mas como foi comentado anteriormente, pode ser
explicada pela resistncia na face posterior, onde h malha de alumnio, mas no h regio dopada por toda a
superfcie.
Embora o fator de forma tenha sido bem ajustado para iluminao pela face n
+
considerando a resistncia
especfica de 2,8 .cm
2
, h grande diferena entre o FF experimental e o simulado para iluminao pela face p. Isto
deve-se a malha de Al, que no caso da iluminao pela face n
+
est totalmente em contato com a plataforma, o que no
ocorre quando a clula iluminada pela face p e somente as barras coletoras so contatadas.

Tabela 1. Parmetros eltricos das clulas solares bifaciais sem SiO
2
e com filme AR na face n
+
.

Iluminao pela face n
+

Pasta
T
Queima

(C)
N de
clulas
V
oc

(mV)
J
sc

(mA/cm)
FF

(%)

Mx
(%)
Al
PV381
800 03 56023 214 0,460,05 5,41,8 6,7
820 02 5367 25,00,4 0,600,03 8,10,7 8,5
830 03 5722 29,30,5 0,660,02 11,00,6 11,4
840 03 5723 29,70,6 0,690,02 11,70,2 11,9
850 02 5622 26,90,7 0,680,02 10,240,05 10,3
Ag/Al
PV202
830 03 5701 271 0,660,01 10,10,6 10,7
840 03 5722 27,90,5 0,680,01 10,80,3 11,0
850 02 570 4 262 0,670,01 101 10,6
Iluminao pela face p, com regio de BSF localizada
Al
PV381
800 03 49636 3,1 1,6 0,630,01 1,0 0,5 1,4
820 02 4666 2,70,2 0,670,04 0,840,01 0,8
830 03 5203 4,720,05 0,680,03 1,70,1 1,7
840 03 5204 4,80,2 0,710,02 1,80,0 1,8
850 02 5161 4,70,3 0,690,01 1,70,1 1,8
Ag/Al
PV202
830 03 525,60,3 5,40,1 0,710,02 2,00,1 2,1
840 03 526,80,3 5,00,4 0,730,02 1,90,2 2,1
850 02 5252 5,020,02 0,720,01 1,8990,003 1,9

Tabela 2. Caractersticas eltricas da melhor clula processada sem passivao com SiO
2
e valores obtidos
mediante simulao com o programa PC-1D, aps ajustar parmetros de recombinao e resistncia em srie.

Pasta /
T
Queima

(C)
Iluminao Resultado
V
oc

(mV)
J
sc

(mA/cm)
FF

(%)
PV381 /
840
n
+

Experimental 573 29,3 0,709 11,9
Simulado 579 29,2 0,698 11,8
p
Experimental 521 4,7 0,723 1,8
Simulado 523 2,8 0,799 1,2


3.2 Anlise de xido de passivao

A Tab. 3 apresenta os resultados de clulas solares bifaciais com xido de silcio na face posterior e com xido
crescido em ambas as faces. Para as clulas com SiO
2
somente na face posterior, o xido foi obtido no primeiro passo
trmico do processo de fabricao e foi reduzido por ataque qumico para 18 nm depois da difuso de fsforo. Tendo
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em vista a existncia de uma camada de xido nas faces das clulas solares, avaliaram-se duas temperaturas de
difuso/queima das pastas: 840 C, a melhor para situao sem xido e 850 C.
Dos resultados apresentados pode-se concluir que: 1) a Voc das clulas solares, quando so iluminadas pela face
n
+
, aumentou em mdia de 8 mV e 7 mV para clulas totalmente passivadas e com face posterior passivada,
respectivamente; 2) a Jsc somente cresceu nas clulas com face frontal passivada; 3) os melhores fatores de forma
ocorreram para as clulas que passaram por processo de queima/difuso a temperatura de 850 C, resultado compatvel
com a necessidade das pastas perfurarem uma camada de xido para contatar as lminas de silcio; 4) no se observou
uma melhora na Jsc das clulas solares para iluminao pela face posterior p para ambos tipos de xido em relao as
clulas sem passivao apresentadas na Tab. 2, indicando que o tempo de vida dos minoritrios o principal limitador
para a baixa eficincia com este modo de iluminao.

Tabela 3. Parmetros eltricos de clulas solares bifaciais com passivao da superfcie posterior (SiO
2
reduzido) e com
passivao em ambas as faces (SiO
2
crescido).

Iluminao pela face n
+

SiO
2
Pasta N de clulas T
Queima
(C)
Voc
(mV)
Jsc
(mA/cm)
FF

(%)

Mx
(%)
SiO
2

Crescido
PV381
04 840 581,1 0,8 30,0 0,5 0,65 0,04 11,3 0,6 11,9
03 850 583 3 30,1 0,4 0,69 0,01 12,1 0,2 12,3
SiO
2

Reduzido
03 840 580 3 29,1 0,3 0,68 0,01 11,4 0,3 11,8
04 850 579 3 29,4 0,2 0,67 0,01 11,5 0,2 11,7
Iluminao pela face p, com regio de BSF localizada
SiO
2

Crescido
PV381
04 840 529 2 4,3 0,1 0,72 0,02 1,6 0,1 1,68
03 850 530 3 4,3 0,1 0,74 0,01 1,67 0,03 1,70
SiO
2

Reduzido
03 840 529 4 4,0 0,6 0,74 0,03 1,6 0,2 1,74
04 850 528 3 4,3 0,1 0,74 0,01 1,68 0,02 1,69

A Tab. 4 resume os resultados da melhor clula fabricada com xido de silcio crescido e os valores obtidos por
simulao com o programa PC-1D. Com exceo das velocidades de recombinao em superfcie, os demais
parmetros anteriormente comentados foram mantidos. Para a superfcie frontal, para ajustar os resultados
experimentais ao das simulaes, a S
f
foi de 1x10
5
cm/s, compatvel com valores experimentais para regies altamente
dopadas com fsforo. No caso da regio tipo p, o melhor ajuste foi obtido com uma S
p-ef
de 2,5x10
4
cm/s, valor muito
acima do necessrio para as regies entre as trilhas da malha de alumnio da face posterior.

Tabela 4. Caractersticas eltricas da melhor clula com SiO
2
crescido e valores obtidos mediante simulao com
o programa PC-1D, aps ajustar parmetros de recombinao e resistncia em srie.

Pasta /
T
Queima

(C)
Iluminao Resultado
V
oc

(mV)
J
sc

(mA/cm)
FF

(%)
PV381 /
850
n
+

Experimental 585 30,5 0,688 12,3
Simulado 584 31,0 0,694 12,5
p
Experimental 532 4,3 0,750 1,7
Simulado 533 4,0 0,788 1,7

As melhores clulas solares sem xido, com xido na face posterior e com xido em ambas as faces foram
analisadas pela tcnica LBIC (light beam induced current), com o equipamento WT 2000 PV da Semilab, em quatros
comprimentos de onda: 648 nm, 845 nm, 953 nm and 973 nm. Com a medida da corrente de curto-circuito nestes
quatro comprimentos de onda possvel estimar o comprimento de difuso (L) dos portadores minoritrios. A Fig. 4
apresenta os mapas de comprimento de difuso para as trs melhores clulas. Observa-se que este parmetro menor
que a espessura da lmina de silcio usada na fabricao das clulas solares, o que explica a baixa eficincia para
iluminao pela face posterior com regio p
+
localizada. Comprimentos de difuso mdios de 73 m, 92 m e 102 m
foram obtidos para clulas sem xido, com xido na face posterior e com xido em ambas as faces. Estes valores
correspondem a tempos de vida dos portadores minoritrios da ordem de 3 s para lminas com resistividade de base
de 2 .cm.
A partir dos resultados obtidos, simularam-se clulas solares para identificar quais os parmetros mais importantes
para aumentar a eficincia das mesmas. Verificou-se que aumentar o de 10 s para 200 s faz com que a eficincia
IV Congresso Brasileiro de Energia Solar e V Conferencia Latino-Americana da ISES So Paulo, 18 a 21 de setembro de 2012
aumente de 12,5% para 13,3%, na face frontal. Para a face posterior e considerando a mesma com filme AR, o aumento
seria de 1,8% para 2,1%. Em resumo, um tempo de vida muito elevado teria pouco impacto nestas clulas bifaciais
finas. Por outro lado, para = 50 s e com S
f
=1x10
4
cm/s e S
p-ef
= 100 cm/s, a eficincia sob iluminao frontal sobe
para 15,1%. Nesta condio, a eficincia da clula solar sob iluminao pela face p subiria de 1,8% para 13,9%. Se a
resistncia em srie for diminuda para 1,6 .cm
2
pela reduo da resistncia advinda da malha posterior, a eficincia
subiria para 16,4% para a iluminao pela face n
+
e para 14,9% quando a clula iluminada pela face p. Neste caso, a
Voc seria de aproximadamente 628 mV para ambas iluminaes, a Jsc seria de 34,8 mA/cm
2
e de 31,3 mA/cm
2
para
iluminao pela regio n
+
e pela face posterior p, respectivamente. Somente nesta condio haveria uma clula bifacial
eficaz, com uma razo entre as correntes de curto-circuito posterior e frontal de 0,9. Os valores de Voc e Jsc seriam
compatveis com as melhores clulas monofaciais fabricadas atualmente em nvel industrial.


(a) (b) (c)
Figura 4- Mapas do comprimento de difuso dos portadores minoritrios das melhores clulas solares: (a) sem SiO
2
(variao de 62 m a 86 m), (b) com SiO
2
na face posterior (variao de 82 m a 101 m) e (c) com xido em ambas
as faces (variao de 81 m a 114 m).


4. CONCLUSES

Pela anlise de duas pastas serigrficas, concluiu-se que o uso da pasta de alumnio permitiu a produo de clulas
mais eficientes que com a pasta de prata/alumnio e a temperatura tima de difuso/queima de em torno de 840 C
para clulas sem xido e de 850 C para clulas com xido de 10 nm em ambas as faces.
As melhores clulas atingiram eficincias de 12,3% para iluminao pela face frontal n
+
e de 1,8% para
iluminao pela face posterior de tipo p. Estas clulas foram passivadas com uma camada de SiO
2
crescido em alta
temperatura.
Embora o processo seja baseado em uma difuso de fsforo que gera uma alta concentrao de superfcie, o
comprimento de difuso dos portadores minoritrios ao final do processo menor que a espessura da lmina, reduzindo
a eficincia para iluminao pela face n
+
e degradando fortemente a eficincia da clula quando iluminada pela face p.
A fonte de contaminao mais provvel o prprio forno de esteira usado para metalizao das clulas solares.
Para fabricar clulas solares com a estrutura com BSF localizado em ambiente industrial, esforos devero ser
realizados para obter um xido passivador eficaz e que proteja a lmina dos contaminantes existentes em fornos de
esteira.


AGRADECIMENTOS

O trabalho foi realizado no mbito do projeto Clulas Solares Bifaciais em Substratos Finos e com Regio p
+

Localizada, Contrato PUCRS-CEEE 9942397. Os autores agradecem o apoio financeiro do CNPq e FINEP, por meio do
projeto Desenvolvimento de Clulas Solares Eficientes em Lminas de Silcio Tipo n e tambm agradecem a equipe do
NT-Solar/PUCRS pelo apoio na fabricao das clulas solares.


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ANALYSIS OF THE METAL PASTE DIFFUSION/FIRING PROCESS AND THE SiO
2

PASSIVATION IN THIN BIFACIAL SOLAR CELLS WITH P
+
LOCAL REGION

Abstract: In this paper are presented the results of an analysis of the processes involved in the fabrication of thin
bifacial solar cells with locally diffused back surface field. Czochralski-grown monocrystalline silicon wafers, p-type,
with a thickness of around 150 m were used. The p
+
region was formed with aluminum paste deposited by screen-
printing and Al diffusion was performed in a belt furnace. The diffusion/firing process of Al and Ag/Al pastes was
optimized and different approaches to passivate surfaces with SiO
2
were analyzed. The best diffusion/firing
temperature was of 840 C for cells without oxide layer and of 850 C for ones with a 10 nm thick SiO
2
layer.
Passivation of both surfaces by SiO
2
thermally growth improved the solar cell performance, but the minority carrier
diffusion length in the cells was lower than the wafer thickness, explaining the low efficiency obtained when the cell
was illuminated by local Al-BSF rear face.

Key Words: thin bifacial solar cells; local Al BSF.