3 - Eletroncia de Potencia - Diodos - de - Potência PDF

Faculdade Patos de Minas FPM
Disciplina Eletrnica de Potncia

Professor: Me. Adjeferson Custdio Gomes
e-mail: adjefersoncustodio@yahoo.com.br

Eletrnica de Potncia
Semicondutores de Potncia
Simulao computacional
Uso de softwares para simulao de circuitos (PSIM, Orcad,
Proteus, Matlab etc)

Breve reviso da Fsica de Semicondutores

A passagem de corrente eltrica em um meio depende da aplicao
de um campo eltrico
e da existncia de portadores livres (usualmente eltrons) neste meio.
Em metais, como o cobre ou a prata, a densidade de portadores livres
(eltrons) da ordem de 1023/cm3, enquanto nos materiais isolantes,
como o quartzo ou o xido de alumnio, o valor da ordem de 103/cm3.
Os chamados semicondutores, como o silcio, tm densidades
intermedirias, na faixa de 108 a 1019/cm3.
Nos condutores e nos isolantes, tais densidades so propriedades
dos materiais, enquanto nos semicondutores estas podem ser
variadas, seja pela adio de impurezas de outros materiais, seja
pela aplicao de campos eltricos em algumas estruturas de
semicondutores.

Os portadores: Eltrons e Lacunas

tomos de materias com 4 eltrons em sua camada mais externa
(C, Ge, Si, etc.), ou ainda molculas com a mesma propriedade,
permitem o estabelecimento de ligaes muito
estveis, uma vez que, pelo compartilhamento dos eltrons externos
pelos tomos vizinhos (ligao covalente), tem-se um arranjo com 8
eltrons na camada de valncia, como ilustra a abaixo.

Em qualquer temperatura acima do zero absoluto (-273 oC), algumas

destas ligaes so rompidas (ionizao trmica), produzindo eltrons
livres. O tomo que perde tal eltron se torna positivo. Eventualmente
um outro eltron tambm escapa de outra ligao e, atrado pela carga
positiva do tomo, preenche a ligao covalente. Desta maneira temse uma movimentao relativa da carga positiva, chamada de lacuna,
que, na verdade, devida ao deslocamento dos eltrons que saem de
suas ligaes covalentes e vo ocupar outras, como mostra a figura a
seguir.

A ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas. Em

um material puro, a densidade de portadores aproximadamente dada
por:
onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron

(valor absoluto), Eg a banda de energia do semicondutor (1,1 eV
parao Si), k a constante de Boltzmann, T a temperatura em Kelvin.
Para o Si, temperatura ambiente (300K), ni1010/cm3 .

Semicondutores dopados
Quando se faz a adio de tomos de materiais que possuam 3
(como o alumnio ou o boro) ou 5 eltrons (como o fsforo) em sua
camada de valncia estrutura dos semicondutores, os tomos
vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas ou
com excesso de eltrons, como mostra abaixo.

Neste caso no se tem mais o equilbrio entre eltrons e lacunas,

passando a existir um nmero maior de eltrons livres nos materiais
dopados com elementos da quinta coluna da tabela peridica, ou de
lacunas, caso a dopagem seja com elementos da terceira coluna.
Respectivamente, produzem-se os chamados materiais semicondutores
tipo N e tipo P. Observe-se, no entanto, que o material permanece
eletricamente neutro, uma vez que a quantidade total de eltrons e
prtons a mesma.
Quando a lacuna introduzida pelo boro captura um eltron livre, temse a movimentao da lacuna. Neste caso diz-se que as lacunas so
os portadores majoritrios, sendo os eltrons os portadores
minoritrios.
J no material tipo N, a movimentao do eltron excedente deixa o
tomo ionizado, o que o faz capturar outro eltron livre. Neste caso os
portadores majoritrios so os eltrons, enquanto os minoritrios so as
lacunas.

As dopagens das impurezas (1019/cm3 ou menos), tipicamente so

feitas em nveis muito menores que a densidade de tomos do material
semicondutor (1023/cm3), de modo que as propriedades de ionizao
trmica no so afetadas.
Mesmo em um material dopado, o produto das densidades de
lacunas e de eltrons (po e no, respectivamente) igual ao valor ni2
dado pela abaixo, embora aqui pono.

Alm da ionizao trmica, tem-se uma quantidade adicional de

cargas livres, relativas s prprias impurezas. Pelos valores indicados
anteriormente, pode-se verificar que a concentrao de tomos de
impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de
portadores gerados por efeito trmico, de modo que, num material tipo
P, po Na, onde Na a densidade de impurezas aceitadoras de
eltrons. J no material tipo N, no Nd, onde Nd a densidade de
impurezas doadoras de eltrons.
Em qualquer dos materiais, a densidade dos portadores minoritrios
proporcional ao quadrado da densidade intrnseca, ni, e fortemente
dependente da temperatura.

Recombinao
Uma vez que a quantidade ni determinada apenas por
propriedades do material e pela temperatura, necessrio que exista
algum mecanismo que faa a recombinao do excesso de portadores
medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um
eltron com uma lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos
eltrons pela impureza ionizada ou, adicionalmente, por imperfeies
na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os tomos
adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes.
Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo
mdio necessrio para que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados
pela consecuo de uma ligao covalente. Em muitos casos pode-se
considerar o tempo de vida de um portador como uma constante do
material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia,
esta no uma boa
simplificao.

Quando ocorre um significativo aumento na temperatura do

semicondutor, tem-se um aumento no tempo de recombinao do
excesso de portadores, o que leva a um aumento nos tempos de
comutao dos dispositivos de tipo portadores minoritrios, como o
transistor bipolar e os tiristores.
Uma vez que este tempo de vida dos portadores afeta
significantemente o comportamento dos dispositivos de potncia, a
obteno de mtodos que possam control-lo importante. Um dos
mtodos que possibilita o ajuste deste tempo a dopagem com ouro,
uma vez que este elemento funciona como um centro de
recombinao, uma vez que realiza tal operao com grande facilidade.
Outro mtodo o da irradiao de eltrons de alta energia,
bombardeando a estrutura cristalina de modo a deform-la e, assim,
criar centros de recombinao. Este ltimo mtodo tem sido preferido
devido sua maior controlabilidade (a energia dos eltrons facilmente
controlvel, permitindo estabelecer a que profundidade do cristal se
quer realizar as deformaes) e por ser aplicado no final do processo
de construo do componente.

Correntes de derivao e de difuso

Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor,
as lacunas se movimentaro no sentido do campo decrescente,
enquanto os eltrons seguiro em sentido oposto. Esta corrente
depende de um parmetro denominado mobilidade, a qual varia com
o material e do tipo de portador. A mobilidade dos eltrons
aproximadamente 3 vezes maior do que a das lacunas para o Si em
temperatura ambiente. A mobilidade diminui aproximadamente com o
quadrado do aumento da temperatura.
Outro fator de movimentao de portadores por difuso, quando
existem regies adjacentes em que h diferentes concentraes de
portadores. O movimento aleatrio dos portadores tende a equalizar
sua disperso pelo meio, de modo que tende a haver uma migrao
de portadores das regies mais concentradas para as mais dispersas.

Semicondutores de Potncia - DIODO
Diodo
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N ou N-P que, dentro de

seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de
corrente em um nico sentido.

Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de

potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a
resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do
restante do componente (devido concentrao de portadores).

Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma

tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N),
mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e viceversa, de modo que a largura da regio de transio aumenta,
elevando a barreira de potencial.

Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores

minoritrios penetra na regio de transio. So, ento, acelerados
pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo.
Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada,
variando, basicamente, com a temperatura.

Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os

portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem
com tomos da estrutura, produziro novos portadores, os quais,
tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o
aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno,
produz-se um pico de potncia que destri o componente.

Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio

e reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada
superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si,
os portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial
positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo.




Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material

semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento
hmico, ou seja, a resistncia do contato governa o fluxo da
corrente.
Quando este contato feito entre um metal e uma regio
semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o
efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver tambm
um efeito retificador.
Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em
contato direto com um semicondutor, como indicado na figura
abaixo.

O metal usualmente depositado sobre um material tipo N, por

causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material. A
parte metlica ser o anodo e o semicondutor, o catodo.
Numa deposio de A1 (3 eltrons na ltima camada), os eltrons do
semicondutor tipo N migraro para o metal, criando uma regio de
transio na juno.
Note-se que apenas eltrons (portadores majoritrios em ambos
materiais) esto em trnsito. O seu chaveamento muito mais
rpido do que o dos diodos bipolares, uma vez que no existe carga
espacial armazenada no material tipo N, sendo necessrio apenas
refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio N+
tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de
conduo, com isso, a mxima tenso suportvel por estes diodos
de cerca de 100V.

A aplicao deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de

baixa tenso, nas quais as quedas sobre os retificadores so
significativas. Na figura abaixo tem-se uma forma de onda tpica no
desligamento do componente. Note que, diferentemente dos diodos
convencionais, assim que a corrente se inverte a tenso comea a
crescer, indicando a no existncia dos portadores minoritrios no
dispositivo.





Eletrnica de Potncia
Simulao computacional
Uso de softwares para simulao de circuitos (PSIM, Orcad,
Proteus, Matlab etc)

PSIM

Simulao:
VR
20
19.98
19.96
19.94
19.92
19.9
I(D2)
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0
0.002
0.004
0.006
Time (s)
0.008
0.01



Simulao:
V1
17.88
17.84
17.8
V2
7.2
7.16
7.12
Vo
2.4
2.2
2
I(D1)
0.004
0.0036
0.0032
0
0.002
0.004
0.006
Time (s)
0.008
0.01





Simulao:
Vs
200
100
0
-100
-200
VR
200
100
0
VD
0
-100
-200
I(D)
0.2
0.1
0
0
0.01
0.02
Time (s)
0.03




























Fazer os exerccios dos

Captulos 1 (EXERCCIOS
DE 1 AT O 14) e do
Captulo 2 (EXERCCIOS
DE 1 AT O 15)
ENTREGAR DIA 24/08/14
ANTES DA PROVA.

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onde C uma constante de proporcionalidade, q a carga do eltron

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