Os transistores de potncia apresentam caractersticas de chaveamento

controlado. Os transistores, utilizados como elementos de chaveamento, operam na

regio de saturao, apresentando uma baixa queda de tenso de conduo ( VCE 0 ).
A velocidade de chaveamento dos transistores modernos muito maior do que a
dos tiristores, sendo largamente utilizados em conversores CC/CC e CC/CA,
apresentando, internamente, um diodo conectado em antiparalelo (manter um caminho
para a corrente).
Entretanto, as especificaes de tenso e corrente ainda so menores que a dos
tiristores, sendo ento aplicados em baixa e mdia potncia. Os transistores de potncia
podem ser divididos em:
Transistor de juno bipolar - BJT;
Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor - MOSFET;
Static induction transistor - SIT;
Isulated-gate bipolar transistor IGBT
Estes transistores so considerados como chaves ideais em tcnicas de converso
de potncia. O chaveamento de um transistor mais simples que o chaveamento de um
tiristor por comutao forada. Entretanto, a escolha entre um transistor bipolar e um
MOSFET em um circuito de converso no bvia, mas qualquer um deles pode
substituir o tiristor, contanto que suas especificaes de tenso e corrente satisfaam as
condies impostas pelo conversor.
Na prtica, os transistores apresentam certas limitaes e so restritos a algumas
aplicaes. As caractersticas e a avaliao de cada tipo devero ser examinadas para
determinar o componente mais adequado para uma aplicao particular.
Transistor de Juno Bipolar BJT
O transistor bipolar formado pela adio de uma segunda regio p ou n em
uma juno pn. Pode-se obter assim, um transistor NPN ou PNP. O transistor apresenta
trs terminais: coletor ( C ), base ( B ) e emissor ( E ); e duas junes : coletor-base ( CB
) e base-emissor ( BE ).

Figura 4.1 : transistor NPN e PNP.

Existem trs configuraes bsicas de operao para o transistor bipolar :

a) - Base-comum :
b) - Coletor-comum :
c) - Emissor-comum :
Figura 4.2: Configuraes para o Transistor Bipolar: a) Base-comum; b) Coletorcomum; c) Emissor-comum.
Esta ltima configurao a mais utilizada para a operao do transistor como
chave.
Existem trs regies de operao para o transistor: corte (B), saturao (A) e
regio ativa (C). Na regio de corte, o transistor est desligado ou a corrente I B no
grande o suficiente para lig-lo e as junes esto reversamente polarizadas. Na regio
ativa, o transistor funciona como um amplificador onde I C amplificada pelo ganho de
corrente e a diminuio da queda VCE. A juno coletor-base est reversamente
polarizada e a juno base-emissor, diretamente polarizada.
Na regio de saturao, a corrente de base IB suficientemente grande, fazendo
com que a tenso VCE seja muito baixa. Assim, o transistor opera como chave. Ambas as
junes esto diretamente polarizadas. A curva mostrada na figura 4.3 d a caracterstica
de transferncia VCE x IB.
Figura 4.3: Caracterstica de transferncia do transistor.

Tiristores
So os componentes bsicos da Eletrnica Industrial, chaveando grandes cargas,
como motores, eletroims, aquecedores, convertendo CA em CC, CC em CA e gerando
pulsos de controle para outros tiristores.

Trava ideal a transistores

A estrutura semicondutora comum (com variaes) dos tiristores PNPN. A
trava ideal um circuito que permite compreender o funcionamento dos tiristores.
Fig 1:

Funcionamento
No circuito, a base do transistor NPN alimentada pelo coletor do PNP, e viceversa. No h inicialmente corrente de coletor alimentando o outro transistor, e ambos
esto no corte.
Mas se aplicarmos um pulso positivo na base do NPN, ou negativo na do PNP, o
transistor ser ativado, fornecendo uma corrente amplificada na base do outro, que
amplificar esta corrente fornecendo uma corrente ainda maior base do transistor que
recebeu o pulso. O processo leva rapidamente os transistores saturao, fornecendo
corrente somente limitada pela carga, o resistor.Fig 2:

Uma vez disparada, a trava s se desliga quando a corrente for limitada a um

valor a um valor mnimo, corrente de manuteno, que no permite manter os
transistores na saturao. Isto pode ser conseguido desligando o circuito, ou
curtocircuitando os emissores.

A trava tambm pode ser disparada por avalanche, aplicando-se uma

sobretenso entre os emissores, que inicia a ruptura em um dos transistores, alimentando
a base do outro, que leva saturao como no caso do pulso anterior.
SCR:
o principal dos tiristores, pelo nmero de aplicaes.
A sigla significa retificador controlado de silcio (Sillicon Controlled
Rectificier). Ele um diodo controlado por pulso, aplicado no gatilho ( gate ). Sua
estrutura PNPN igual da trava ideal, sendo o pulso positivo aplicado no terminal
que corresponde base do transistor NPN, o gatilho. O emissor do PNP o anodo e o
do NPN, o catodo do diodo.
SCS:
um tiristor semelhante ao SCR, mas com dois terminais de disparo,
correspondentes s bases dos transistores da trava ideal, gatilho de anodo, Ga, e g. de
catodo, Gc, permitindo disparo por pulsos negativo ou positivo, respectivamente.
No muito comum, sendo geralmente de baixa potncia. A sigla significa
chave controlada de silcio (S de Switch)
Diodo de quatro camadas:
um tiristor de avalanche, sendo disparado com tenses de algumas dezenas de
V. Seu dois terminais so o catodo e o anodo, no h gatilho.
usado em geradores de pulso de disparo de SCR e osciladores dente-de-serra.

GTO:
Todos os tiristores s se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de
manuteno, o que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO

permite o desligamento pelo gatilho, por pulso negativo de alta corrente, da o nome
(Gate Turn Off, desligamento pelo gatilho).
Estruturalmente, similar ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do
gatilho permite minimizar o sobreaquecimento no desligamento (que destruiria um
SCR).
O deligamento feito em geral atravs de descarga de um capacitor.
Foto-SCR
Se expusermos a juno NP central da trava ideal luz, atravs de uma
janela e lente, esta se comportar como um fotodiodo, fornecendo uma corrente de base
ao transistor NPN, e disparando o SCR. Isto permite isolar o circuito de disparo, feito
por um LED, do circuito de potncia.
DIAC:
Pode ser entendido como dois diodos Schokley em antiparalelo. O seu
disparo ocorre quando se atinge a tenso de bloqueio em qualquer sentido, da ordem de
25 a 40 V. usado em geral para disparar o TRIAC, em circuitos de controle de tenso
CA por ngulo de disparo. Sua estrutura PNP, e funciona como um transistor cuja base
s alimentada quando se atinge a tenso de ruptura, o que leva saturao, caindo a
tenso nos terminais para uns 0.2 V.
TRIAC:
o equivalente ao SCR, para operao em CA. A sua estrutura a mais
complexa entre os tiristores, contendo diversas regies PNPN que atuam como travas
ideais interligadas, o que permite que o disparo seja feito com tenso + ou -, e a
polarizao entre terminais principais 1 e 2 (anlogos ao K e A do SCR) + ou - , o que
chamado operao em 4 quadrantes. A corrente de disparo menor no quadrante 1
(gatilho e terminal principal 2 - MT2 - positivos em relao ao terminal principal 1MT1) e maior no quadrante 4, (G + e MT2 -).
O TRIAC seria mais comum em aplicaes CA se no fosse menos robusto e
sensvel (exige bem maior corrente de disparo), alm de mais caro que 2 SCRs ou
GTOs em antiparalelo de grandes correntes. usado em controle de lmpadas e
motores universais, e chaveamento de cargas at uns 50A.

Disparo dos Tiristores:

Os tiristores podem ser disparados de diversos modos: atravs de pulso, por
ngulo de fase em CA e por CC.
O disparo por CC usado em chaveamento de cargas por longos perodos, como
lmpadas, calefatores, eletroims e motores, em sistemas de controle tipo liga-desliga e
por ciclos. Nestes casos manter a alimentao de gatilho, apesar do consumo de energia
desnecessrio e o aquecimento da juno, simplifica o circuito de comando.
O disparo por ngulo de fase tpico de controle de luminosidade de lmpadas
em CA (dimmer), e de velocidade de motores universais ou de CC. Nestes, a cada ciclo
da tenso CA de alimentao, gerada uma tenso defasada por uma ou duas redes de
atraso RC, e quando a tenso atingir a tenso necessria ao disparo do SCR ou TRIAC
(mais a do DIAC, se estiver em srie), num dado ngulo de fase, o tiristor disparado.
O processo se repete a cada ciclo (ou sericcola, em onda completa), e variando o valor
do(s) resistor(es), varria-se a poro do ciclo em que alimentada a carga (ngulo de
conduo do tiristor), variando a tenso mdia e eficaz, e a potncia na carga.

O disparo por pulsos o mais sofisticado e preciso, e o mais empregado.

Usa um gerador de pulsos, freqentemente com transistor unijuno, UJT, que outro
tiristor, constitudo de uma barra de material N, com uma poro lateral tipo P prxima
do centro. A regio P o emissor, E, e os extremos da barra as bases 1 e 2, B1 e B2
Funcionamento do UJT
O UJT atua como uma trava ideal com a base do PNP polarizada por um divisor
de tenso, que o efeito da barra N dividida pela regio P. Quando a tenso no emissor
for 0.6 V acima da tenso fornecida pelo divisor, o PNP ativado, que polariza o NPN,
disparando a trava. Quando a corrente cair abaixo do valor de manuteno, a trava se
desliga.

.
Circuito equivalente

Gerador de pulsos

O UJT usado como gerador de pulsos, conforme o circuito direita. O

capacitor se carrega atravs do resistor e quando a tenso no E do UJT ultrapassa a
tenso de disparo do UJT, fornecida pel0a fonte e resistores, ele se dispara,
descarregando o capacitor e fornecendo um pulso curto ao resistor de carga, ligado
B1.
O valor da tenso de disparo est entre 0.55 e 0.8 vezes a tenso de alimentao,
conforme o UJT. O perodo dos pulsos prximo de T = RC e a freqncia de f = 1 /
RC, o resistor e o capacitor ligados ao emissor, variando um pouco com o UJT.