Sumário

1. Resumo ............................................................................................................................................. 2
2. Procedimento Experimental ............................................................................................................. 2
3. Resultados e Análise ......................................................................................................................... 5
Características estáticas do MOSFET .................................................................................................. 5
Características dinâmicas do MOSFET. .............................................................................................. 6
4. Análise .............................................................................................................................................. 6
5. Conclusão ......................................................................................................................................... 9
6. Referências ..................................................................................................................................... 10

Siglas e Símbolos
CC : Corrente Contínua
𝑇𝑜𝑓𝑓−𝑜𝑛 : Tempo do estado desligado para ligado
𝑇𝑜𝑛−𝑜𝑓𝑓 : Tempo do estado ligado para desligado
𝑉𝐺𝑆 : Tensão porta-fonte
𝑉𝐷𝑆 : Tensão dreno-fonte
𝐼𝐷𝑆 : Corrente dreno-fonte
𝐼𝐺𝑆 : Corrente porta-dreno
𝑅𝐷𝑆(𝑂𝑁) : Resistência entre os terminais dreno-fonte do mosfet
𝑃𝑆𝑊 : Potência de chaveamento

Gabriel Bombardelli

Victor Carvalho
 Ministério da Educação
UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ
Campus Toledo

Checklist de erros mais frequentes em relatórios de experimento nas disciplinas: ET45B e ET47B
Item Sim Não
1. O texto de todo o relatório está escrito em terceira pessoa? (X ) ( )

A palavra mesmo NÃO está utiliza no lugar de pronomes pessoais. Exemplo: Er-
2. rado: “... que os mesmos podem ser...” os mesmos, o quê? Correto: “... que (X ) ( )
eles/estes/esses podem ser...” ou “... que os mesmos componentes podem ser..”?

3. Os números estão apresentados com o marcador decimal: vı́rgula? (X) ( )

4. A representação de números estão em notação de engenharia e com prefixos do SI? (X) ( )
5. O prefixo k (quilo) está representado em letra minúscula? (X) ( )
6. O sı́mbolo de unidade de medida que deriva de um nome está em com apenas a primeira
letra em maiúsculo? (X) ( )

7. As unidades de medida são apresentadas em todos os parâmetros? (X) ( )

8. Quando aplicável: as subfiguras estão identificadas como (a), (b), (c)... e detalhadas em
um só tı́tulo da legenda que contém o significado de cada subitem? (X) ( )
9. Os nomes das grandezas, bem como suas unidades de medida são apresentados nos eixos x
e y dos gráficos?
(X) ( )
10. Há pelo menos um espaçamento simples entre a legenda de uma figura e o próximo parágrafo
ou a próxima figura?
(X) ( )

11. Há legendas nas figuras, ao invés de tı́tulos dentro delas? (X) ( )
12. Todas as figuras/tabelas possuem legendas detalhadas e autoexplicativas dos conteúdos
apresentados? (X) ( )

13. Todas as figuras/tabelas estão citadas no texto? (X) ( )

14. As siglas, as variáveis e os sı́mbolo estão definidas logo na primeira citação no documento? (X) ( )
15. Os circuitos simulados são apresentados com identificação dos valores e pontos de en-
trada/sa´ıda de interesse? (X) ( )
16. As formas de onda apresentadas estão com fundo branco para melhorar a visualização dos
sinais?
(X) ( )

17. Há identificação de cores referente às formas de onda ou aos sinais apresentados? (X) ( )
18. As dificuldades encontradas durante a realização deste experimento são apresentadas e
discutidas no texto? (X) ( )
19. Ao comparar resultados, estes estão quantificados com base no valor absoluto ou percentual
de erro, ao invés de qualificado como ”grande ou pequeno erro”?
(X) ( )

20. Os parágrafos não estão muito extensos e com apenas uma oração? (X) ( )

21. Não há repetição de palavras na mesma oração? (X) ( )

22. Quando aplicável, as citações de referências seguem a NBR 10520/2002, ao invés de adici-
onar o link inteiro no texto? (X) ( )

23. As palavras em idioma estrangeiro estão representadas em itálico, exceto nome próprio? (X) ( )

24. Os resultados são apresentados, discutidos e explicado no texto? (X) ( )

25. As siglas são apresentadas em letras maiúsculas? (X) ( )
26. Há uma comparação entre os resultados teóricos e simulados? (X) ( )

Checklist - Relatório de experimento p. 1/1 Docente: Alberto Oliveira

 Objetivo do Experimento
Levantamento das características estáticas e dinâmicas de MOSFET de enriquecimento.

1. Resumo
Os transistores de efeito de campo, semicondutores de óxido metálico (MOSFET) possuem
grandes funcionalidades e aplicações dentro do assunto de eletrônica, principalmente na utilização de
dispositivos semicondutores para chaveamento de altas correntes elétricas em altas tensões. No
experimento, utilizou-se o dispositivo para verificação de seu funcionamento estático e dinâmico.
Além disso, os transistores são dispositivos excelentes no controle da corrente entregue à carga, com
chaveamentos em altas frequências e, consequentemente controle da potência entregue diretamente a
carga, porém devem ser levadas em consideração na hora da escolha do componente a ser utilizado a
rápida comutação, ótimo chaveamento e capacidade de suportar corrente necessária para o projeto a
desenvolver.
Diferente dos transistores bipolares de junção, o MOSFET possui menor perda de energia por
condução e comutação, além de conseguir facilmente ser modificado para menores dimensões.
No experimento foram utilizados circuitos com a utilização de MOSFET, e posteriormente serão
discutidos nos tópicos desse relatório.

2. Procedimento Experimental

Tabela 1: Lista de equipamentos e materiais

Quantidade Material
1 Fonte de Alimentação CC
1 Multímetro
1 Gerador de sinais
1 Osciloscópio
1 Protoboard
1 IRFZ44N
1 BC546 ou BC547
1 Resistor de 100 Ω / 5 W
1 Resistor de 1 kΩ / 1/4 W
1 Resistor de 10 kΩ / 1/4 W
1 Potênciometro de 100 kΩ / 1/4 W

O circuito de análise trata-se de um transistor de efeito de campo (MOSFET), como mostra a

Figura 1. Para o primeiro circuito o transistor utilizado foi o de efeito de campo IRFZ44N, já para o
segundo circuito, tanto o transistor IRFZ44N quanto o transistor de junção bipolar BC547 foram
utilizados.
 Figura 1: Circuito com utilização do transistor de efeito de campo.

Na primeira etapa do experimento, mediram-se todos os valores nominais das resistências com o
multímetro (𝑅1 = 99,3 Ω, (𝑅2 = 988 Ω, 𝑅3 = 9,79 kΩ, 𝑅4 = 97,4 kΩ). Em seguida, o circuito da
Figura 1 foi montado usando transistor de efeito de campo IRFZ44N e os resistores 𝑅1 e 𝑅3 , mantendo
a fonte de alimentação desligada. Posteriormente, a fonte de tensão referente a polarização 𝑉𝐺𝑆 foi
ligada e sua tensão foi ajustada de acordo com a Tabela 2, para cada valor com auxilio do multímetro
foram medidos todos os parâmetros de corrente e tensão.
Após os valores da tabela serem completados, foram calculados os valores da resistência elétrica
( 𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 ) e perda de potência elétrica ( 𝑃𝑂𝑁 ) do componente e, através dos valores obtidos, foram
calculados os valores dispostos na Tabela 3.
Ao realizar todas as etapas citadas, montou-se o circuito proposto na Figura 2.

Figura 2: Circuitos com transistores de efeito de campo e de junção conectados em cascata.

 Após a montagem do circuito com os transistores em cascata, conforme mostra a Figura 3, foram
ajustados os parâmetros do gerador de sinais aplicado a base do transistor de junção. O valor adequado
foi para uma onda quadrada de amplitude 2V, frequência de 1 kHz e ciclo de trabalho de 65%. Além
disso, foi ajustado o valor da tensão aplicada ao terminal do coletor ( 𝑉𝐶 ) conforme Tabela 3.
Logo após a montagem do circuito com as atribuições aplicadas aos parâmetros citados do gerador
de sinais, e as tensões do coletor do transistor de junção e do terminal do dreno do transistor de efeito
de campo, foi certificado que o transistor IRFZ44N estivesse operando correctamente como chave,
conforme Figura 3, não sendo necessário realizar ajustes no circuito para que atuasse em
chaveamento.

Figura 3: Verificação da operação de chaveamento transistor IRFZ44N.

Verificada a operação, com o auxílio do multímetro, foram medidas as tensões nos terminais de
gate ( 𝑉𝐺 ) e dreno ( 𝑉𝐷 ) do componente. Os valores obtidos estão dispostos na Tabela 7.
Após a medição com o multímetro, com ajuda do osciloscópio foram medidos e registrados os
parâmetros de tempos de subida (𝑇𝑜𝑓𝑓−𝑜𝑛 ) e descida (𝑇𝑜𝑛−𝑜𝑓𝑓 ), ou seja, tempos de chaveamento do
estado desligado para ligado, e de ligado para desligado. As medições dos parâmetros de
características dinâmicas, estão demonstrados na Tabela 7.
Posteriormente, foram utilizados os valores obtidos para os cálculos de perdas por chaveamento,
conforme Tabela 8.
 3. Resultados e Análise
As Tabela 2 a 7, apresentam os valores medidos no laboratório para os circuitos e análises
dispostas no cronograma do experimento.

Características estáticas do MOSFET

Valores obtidos para o transistor IRFZ44N.

Tabela 2: Tensões e correntes do transistor IRFZ44N.

𝑉𝐺 [V] 𝑉𝐷𝑆 [V] 𝐼𝐷𝑆 [A] 𝐼𝐺𝑆 [A]
-10,00 10,05 0,00 0
-5,00 10,05 0,00 0
0,00 10,05 0,00 0
5,00 2,70 m 96,30 m 0
10,00 1,40 m 97,20 m 0

Tabela 3: Valores da resistência do componente e potência no estado ligado.

𝑉𝐺 [V] 𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 [Ω] 𝑃𝑂𝑁 [W]
-10,00 ∞ 0
-5,00 ∞ 0
0,00 ∞ 0
5,00 28,03 m 260,00 µ
10,00 14,40 m 136,08 µ

Tabela 4: Tensões e correntes do transistor IRFZ44N na simulação.

𝑉𝐺 [V] 𝑉𝐷𝑆 [V] 𝐼𝐷𝑆 [A] 𝐼𝐺𝑆 [A]
-10,00 10,0 10,00 μ -10,00 p
-5,00 10,00 10,00 μ -5,00 p
0,00 10,00 10,00 μ 0
5,00 3,11 m 100,00 m -5,00 p
10,00 1,74 m 100,0 m -10,00 p

Tabela 5: Valores da resistência do componente e potência no estado ligado na simulação.

𝑉𝐺 [V] 𝑅𝐷𝑆𝑂𝑁 [Ω] 𝑃𝑂𝑁 [W]
-10,00 1,00 M 0,1 m
-5,00 1,00 M 0,1 m
0,00 1,00 M 0,1 m
5,00 31,1 m 3,11 m
10,00 17,40 m 174,00 µ
Características dinâmicas do MOSFET.
Valores obtidos com a utilização dos transistores BC546 e IRFZ44N.

Tabela 6: Tensões nos terminais gate e dreno.

𝑉𝐺 [V] 𝑉𝐷 [V]
1,43 6,95

Tabela 7: Tempos de desligado para ligado e ligado para desligado do transistor IRFZ44N.
𝑉𝐺 [V] 𝑡𝑂𝐹𝐹−𝑂𝑁 [s] 𝑡𝑂𝐹𝐹−𝑂𝑁 [s]
5,00 256 n 78,40 µ
10,00 256 n 17,20 µ
15,00 264 n 8,80 µ

Tabela 8: Cálculo das perdas por chaveamento no MOSFET IRFZ44N.

𝑉𝐶 [V] 𝑃𝑆𝑊𝑂𝑁−𝑂𝐹𝐹 [W] 𝑃𝑆𝑊𝑂𝐹𝐹−𝑂𝑁 [W] 𝑃𝑆𝑊𝑇 [W]
5,00 2,76 µ 9,044 n 2,76 m
10,00 607,6 n 9,044 n 616,644 µ
15,00 310,89 n 9,044 n 319,93 µ

4. Análise
Os valores obtidos com as medidas das resistências utilizadas nos circuitos estão dentro do
esperado, devido ao percentual de precisão dos componentes.
Após realizada a montagem do circuito e registrado as medições na Tabela 2, notou-se que o
componente (MOSFET) retém toda a tensão aplicada (10V) entre os terminais dreno e fonte por não
ter atingido o valor necessário de tensão entre gate e fonte suficiente para que ocorra criação do canal
no componente e consequentemente passagem de corrente elétrica. Ao aplicar uma tensão acima de
5V no gate, o transistor começa a conduzir corrente, devido a criação do canal.
No cálculo das resistências e perdas do MOSFET, verificou-se similaridade com o citado no
parágrafo anterior. Após início da criação do canal do componente, a resistência elétrica do canal
diminui, liberando a passagem da corrente até que atinja o valor de saturação e limite o valor da
resistência. Ao aplicar uma tensão no gate menor que 𝑉𝑇𝐻 para que inicie a condução, o valor da
resistência do componente pode ser considerada como infinito. A perda de potência ocorre apenas
quando o circuito entra em condução, com canal existente, e é calculada a partir do produto entre 𝑉𝐷𝑆
e 𝐼𝐷𝑆 .
É importante destacar que os valores da simulação são bem parecidos com os valores obtidos em
laboratório, o único diferencial é a corrente na porta, que de acordo com o circuito simulado, estaria
em uma faixa de valores muito baixa que o multímetro não consegue medir.
Para o segundo circuito montado e verificado a atuação de chaveamento do MOSFET, os valores
aferidos com o multímetro para 𝑉𝐺 e 𝑉𝐷 condiz com a teoria, pois a tensão no gate é o suficiente para
a criação do canal no componente, dessa forma, ocorre perda de tensão no resistor alocado no dreno,
definindo então a tensão no terminal.
As medições dos tempos de subida e de descida do circuito foram realizadas com êxito, conforme
é possível verificar nas Figuras 4, 5 e 6 abaixo.

Figura 4: Tempo de subida e descida para tensão no coletor de 5V.

Figura 5: Tempo de subida e descida para tensão no coletor de 10V.

 Figura 6: Tempo de subida e descida para tensão no coletor de 15V.

Em comparação com os tempos de subida e descida do transistor bipolar de junção, os valores

obtidos para o MOSFET são melhores, ocasionando menor perda no chaveamento e entregando a
carga maior potência. Por exemplo, para o transistor BC546, foi obtido para o tempo de subida
(desligado para ligado) 134 µs, e descida (ligado para desligado) 1,20 µs, com uma tensão aplicada
ao coletor de 15V. Em comparação com o MOSFET, o tempo de subida e descida entre os
componentes é maior para o transistor semicondutor de junção.
Para o cálculo da Tabela 8, utilizou-se o valor de 𝑉𝐷 da Tabela 6, os cálculos das perdas por
chaveamento no componente foram realizados a partir das fórmulas abaixo.
𝑉𝐷𝑆 𝐼𝐷 𝑡𝑡 𝑉𝐷𝑆 𝐼𝐷 𝑡𝑓
𝑃𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙 = ( + ) 𝑓 (1)
6 6
Onde 𝑡𝑟 é o tempo de subida da corrente de dreno (𝐼𝐷 ) e 𝑡𝑓 é o tempo de descida da corrente de
dreno (𝐼𝐷 ). [1]
Com os valores da Tabela 8, percebe-se que a potência dissipada por chaveamento do dispositivo
diminui conforme a tensão de coletor do BC547 aumenta.
5. Conclusão
 6. Referências
[1] AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência. São Paulo - SP. Pearson Education do Brasil Ltda,
setembro de 2009.