Sumário

1 Resumo 2

2 Procedimento Experimental 2

3 Resultados e Análise 4
3.1 Caracteristicas estáticas do TIP 31................................................................................. 4
3.2 Caracteristicas Dinâmicas do TBJ.................................................................................. 4
3.3 Simulação .............................................................................................................................. 5
3.4 Análise................................................................................................................................... 8

4 Conclusão 9

5 Referências 9

Siglas e Símbolos
CC : Corrente Contínua toffon: Tempo do estado desligado para ligado
tonoff : Tempo do estado ligado para desligado
VCEsat : Tensão de saturação entre os terminais de coletor e emissor
IBsat : Corrente de saturação no terminal de base
ICsat : Corrente de saturação no terminal de coletor
IB : Corrente no terminal base
IC : Corrente no terminal coletor
IE : Corrente no terminal emissor
Ω : Resistência em Ohm

1
 Ministério da Educação
UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ
Campus Toledo

Checklist de erros mais frequentes em relatórios de experimento nas disciplinas: ET45B e ET47B
Item Sim Não
1. O texto de todo o relatório está escrito em terceira pessoa? (X ) ( )

A palavra mesmo NÃO está utiliza no lugar de pronomes pessoais. Exemplo: Er-
2. rado: “... que os mesmos podem ser...” os mesmos, o quê? Correto: “... que (X ) ( )
eles/estes/esses podem ser...” ou “... que os mesmos componentes podem ser..”?

3. Os números estão apresentados com o marcador decimal: vı́rgula? (X) ( )

4. A representação de números estão em notação de engenharia e com prefixos do SI? (X) ( )
5. O prefixo k (quilo) está representado em letra minúscula? (X) ( )
6. O sı́mbolo de unidade de medida que deriva de um nome está em com apenas a primeira
letra em maiúsculo? (X) ( )

7. As unidades de medida são apresentadas em todos os parâmetros? (X) ( )

8. Quando aplicável: as subfiguras estão identificadas como (a), (b), (c)... e detalhadas em
um só tı́tulo da legenda que contém o significado de cada subitem? (X) ( )
9. Os nomes das grandezas, bem como suas unidades de medida são apresentados nos eixos x
e y dos gráficos?
(X) ( )
10. Há pelo menos um espaçamento simples entre a legenda de uma figura e o próximo parágrafo
ou a próxima figura?
(X) ( )

11. Há legendas nas figuras, ao invés de tı́tulos dentro delas? (X) ( )
12. Todas as figuras/tabelas possuem legendas detalhadas e autoexplicativas dos conteúdos
apresentados? (X) ( )

13. Todas as figuras/tabelas estão citadas no texto? (X) ( )

14. As siglas, as variáveis e os sı́mbolo estão definidas logo na primeira citação no documento? (X) ( )
15. Os circuitos simulados são apresentados com identificação dos valores e pontos de en-
trada/sa´ıda de interesse? (X) ( )
16. As formas de onda apresentadas estão com fundo branco para melhorar a visualização dos
sinais?
(X) ( )

17. Há identificação de cores referente às formas de onda ou aos sinais apresentados? (X) ( )
18. As dificuldades encontradas durante a realização deste experimento são apresentadas e
discutidas no texto? (X) ( )
19. Ao comparar resultados, estes estão quantificados com base no valor absoluto ou percentual
de erro, ao invés de qualificado como ”grande ou pequeno erro”?
(X) ( )

20. Os parágrafos não estão muito extensos e com apenas uma oração? (X) ( )

21. Não há repetição de palavras na mesma oração? (X) ( )

22. Quando aplicável, as citações de referências seguem a NBR 10520/2002, ao invés de adici-
onar o link inteiro no texto? (X) ( )

23. As palavras em idioma estrangeiro estão representadas em itálico, exceto nome próprio? (X) ( )

24. Os resultados são apresentados, discutidos e explicado no texto? (X) ( )

25. As siglas são apresentadas em letras maiúsculas? (X) ( )
26. Há uma comparação entre os resultados teóricos e simulados? (X) ( )

Checklist - Relatório de experimento p. 1/1 Docente: Alberto Oliveira

 Objetivo do Experimento
Levantamento das características estáticas e dinâmicas dos Transistores Bipolares de Junção.

1 Resumo
Os transistores bipolares de junção (TBJ) possuem grandes funcionalidades e aplicações
dentro do assunto de eletrônica de potência, principalmente na utilização de dispositivos se-
micondutores de potência para chavear altas correntes elétricas com grande eficiência em altas
tensões. No experimento, utilizamos o dispositivo para verificarmos seu funcionamento estático
e dinâmico, e posteriormente analisarmos as condições diretamente à carga. Além disso, os
transistores são dispositivos excelentes no controle da corrente entregue a carga, com chavea-
mentos em altas frequências e consequentemente controlar a potência entregue diretamente a
carga.

Será utilizado no experimento, circuitos com a utilização de TBJ na configuração emissor

comum, que será discutido poteriormente em próximos tópicos.

2 Procedimento Experimental

Tabela 1: Lista de equipamentos e materiais

Quantidade Material
1 Fonte de Alimentação CC
1 Multímetro
1 Gerador de sinais
1 Osciloscópio
1 Protoboard
1 TIP31 ou TIP41
1 BC546 ou BC547
1 Resistor de 100 Ω 5 W
1 Resistor de 100 Ω 1/4 W
1 Resistor de 160 Ω 1/4 W
1 Resistor de 3,3 kΩ 1/4 W
2 Resistores 22 kΩ 1/4 W
1 Resistor de 2,7 kΩ 1/4 W
1 Potênciometro de 20 kΩ 1/4 W
1 Resistor de 1 kΩ 1/4 W

O circuito de análise se tratava de um transistor de junção (TBJ) na configuração emissor

comum, como mostrado na Figura Figura 1. Para o primeiro circuito o transistor Q1 utilizado
foi o de junção TIP31, já para o segundo circuito, tanto o transistor TIP31 quanto o transistor
BC547 foi utilizado.

2
 Figura 1: Circuito Emissor-Comum montado em laboraório (Autoria Própria

Na primeira etapa do experimento, mediu-se todos os valores normais das resistências com
o multímetro (RC = RC2 = 99 Ω, RB1 = 2,66 kΩ, RB = 22,76 kΩ, RC1 = 99,6 Ω). Em
seguida, o circuito da Figura Figura 1 foi montado usando o diodo TIP31 e os resistores RC e
RB, mantendo a fonte de alimentação desligada. Posteriormente, a fonte de tensão referente a
polarização VCE ou V2 da figura foi ligada e sua tensão foi ajustada para 15V. Para os valores
de tensão aplicada à V1, foi atribuído conforme indicado na Tabela 2, para cada valor mediu-se
com o multímetro todos os parâmetros de corrente, tensão e cálculo do ganho como listados da
tabela.
Após os valores da tabela serem completados, foi substituido o resistor da base do transistor
RB por um resistor com valor nominal de 3,32 kΩ em série com um potênciometro de 100 kΩ,
para que a partir do controle de resistência de base, fosse possível achar uma corrente de IC
cuja tesnão VCE do dispositivo atingisse uma saturação. O valor da corrente de saturação do
coletor foi calculado a partir da equação:
V
ICsat = Rcc = 130mA (1)
c
Com o potênciometro ajustado, conseguiu-se o valor de corrente desejado, assim, calculando
os valores de corrente de base saturada e de VCE, como mostra na Tabela 3.
Após a medição dos valores citados, alterou-se o valor de RB para um valor 5 vezes menor
que ele, no caso, um de aproximadamente 672 Ω, desta maneira, atingindo uma corrente de
base 5 vezes maior. Com isso, mediu-se os valores de corrente de base e coletor de saturação e
a tensão de saturação da junção coletor-emissor novamente, conforme Tabela 4.
Ao realizar todas etapas citadas, montou-se o circuito proposto na Figura 2.

Figura 2: Circuito Emissor-Comum montado em laboraório (Autoria Própria

3
 Após a montagem do circuito, foi necessário a substituição do resistor da base de Q2 (EB2),
de 22 kΩ para um de 1KΩ devido ao transistor não estar atuando como uma chave na frequência.
Com o circuito enfim funcionando como deveria, foi medido com o multimetro os parametros
de IB2 , IC2 , VCEmin e ICEmax , os valores estão dispostos na Tabela 5.
Através do osciloscópio, foi medido os tempos de chaveamento do estado desligado para
ligado (toff−on) e ligado para desligado (ton−ff ). Por fim, foi ajustado o valor de RB2 para
160Ω e RC1 para 100 Ω, com mesmo intuíto de aumentar novamente em cinco vezes a corrente
da base, agora em Q2. Mediu-se os valores dispostos na Tabela 6. A ultima etapa do expe-
rimento seria a leitura com o osciloscópio dos valores de Toff-on, Ton-off e o atraso dos sinais
de tensão da base e coletor de Q2, que não foi possível realizar no tempo disposto em laboratório.

3 Resultados e Análise
3.1 Caracteristicas estáticas do TIP 31
A Tabela 2 apresenta os valores medidos no laboratório para o circuito da Figura 1. Já as
tabelas 3 e 4, apresentam os valores do TIP 31 trabalhando em regiões de saturação diferentes.

Tabela 2: Tensões e correntes medidas do transistor TIP31 na prática

VB [V] VBE [V] VCE [V] IC [V] IB [A] IE [A] β

0 52m 15,06 0 0 0 0
0,25 223m 15,06 0 0,1 µ 0,1 µ 0
0,5 483m 15,05 24,5 µ 0,3 µ 24,2 µ 0
1,0 594m 14,92 1,45m 19,3 µ 1,53m 0

Tabela 3: Correntes e Tensões do laboratório e da simulação para o transistor em saturação,

com um resistor de base de aproximadamente 3,3 kΩ

ICsat 138,7 mA
IBsat 1,53 mA
VCEsat 375 mV

Tabela 4: Correntes e Tensões do laboratório e da simulação para o transistor em saturação,

com um resistor de base de 660 Ω

ICsat 137,4 mA
IBsat 7,8 mA
VCEsat 145 mV

3.2 Caracteristicas Dinâmicas do TBJ

Após verificar-se com o osciloscópio que o transistor TIP31 estava funcionando como chave,
foi-se medidos os valores de tensão e corrente do transistor em saturação.

4
 Tabela 5: Valores de tensão e corrente para o circuito da 2

IB2 5,61 mA
IC2 91,6 mA
VCEmin 0V
VCEmax 15 V

Ao analisar-se a saída do coletor do TIP31 com o osciloscópio, verificou-se os valores do

tempo de ligamento e desligamento do transistor, sendo estes ton−off = 2,8 µs e toff−on = 2,20
µs.

Por último, buscou-se aumentar a corrente de base do TIP31, assim como feito na Parte 1 do
experimento, para atingir este resultado, os valores das resistências RB2 e RC1 foram reduzidos
como mencionados na Seção 2, com a nova configuração do circuito, foi obtido os seguintes
valores:

Tabela 6: Valores de tensão e corrente para o circuito da Figura 2, com RB2 e RC1 trocados

IB2 24,3 mA
IC2 147,2 mA
VCEmin 0V
VCEmax 15 V

3.3 Simulação

Figura 3: Circuito 1 Simulado em saturação

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 Figura 4: Circuito 1 Simulado em saturação, com RB de 660 Ω

Figura 5: Circuito 2 Simulado, RB2 de 1 kΩ

Figura 6: Circuito 2 Simulado, RB2 de 180 Ω e RC1 de 100 Ω

Os resultados da simulação da Parte 1 estão apresentados nas tabelas

Tabela 7: Valores de tensão e corrente para o circuito saturado da Figura 1

IBsat 1,31 mA
ICsat 147 mA
VCEsat 264 mV

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Tabela 8: Valores de tensão e corrente para o circuito saturado da Figura 1, com RB trocado

IBsat 6,51 mA
ICsat 148 mA
VCEsat 162 mV

Os resultados da simulação da Parte 2 estão apresentados nas tabelas

Tabela 9: Valores de tensão e corrente para o circuito saturado da Figura 2

IB2 24,3 mA
IC2 147,2 mA
VCEmin 0V
VCEmax 15 V

Tabela 10: Valores de tensão e corrente para o circuito da Figura 2, com RB2 e RC1 trocados

IB2 24,3 mA
IC2 147,2 mA
VCEmin 0V
VCEmax 15 V

Nas figuras 7 e 8, tem-se os valores de ligamento e desligamento do transistor TIP31C

Figura 7: :
a)Tempo toff−on para RB2 de 1 kΩ

b)Tempo ton−off para RB2 de 1 kΩ

7
 Figura 8: :
a) Tempo toff−on para RB2 de 1 kΩ com RC1
de 1 kΩ

b)Tempo ton−off para RB2 e RC1 trocados

3.4 Análise
Verificando os valores nas tabelas Tabela 2, pode-se analisar as características estatícas do
transistor TIP31. Observa-se que os transistor começa a passar uma corrente considerável de
corrente a partir de um VBE = 594 mV, passando uma corrente de emissor de IE = 1,53 mA.
Uma simulação feita do circuito, mostrou um funcionamento semelhante com valores um pouco
diferentes.
Com a troca do resistor RB1 por um de 3 kΩ, junto de um potênciometro em série 100 kΩ,
foi possível obter os valores da Tabela 3. É importante dizer que a utilização do resistor de
3,3 kΩ foi necessário pelo motivo de não haver mais potênciometros de 20 kΩ, com esses, a
regulagem da resistência seria mais fácil para atingir os valores desejados, como o de 100 kΩ
varia muito quando se chega na faixa de valor desejado, seria perigoso queimas o transistor ao
colocar um valor muito baixo. Pela simulação valores de saturação se encontram e uma faixa
de valor parecida, com a corrente de de IC variando bem pouco depois de chgear na faixa dos
140 mA, tendo valores de VCE de 643 mV.
Para o último tópico da parte um, com um valor de RB reduzido, obtive-se uma corrente
de base maior, entratanto, é importante notar que a corrente de coletor varia muito pouco, isto
ocorre devido ao transistor ter atingido a sua saturação, neste estado o único parâmetro que
vai mudar seria a tensão VCE, como mostrado na tabela.
Para a segunda parte do experimento, o valor de RB2 foi substituido para um valor menor
pois sua corrente não era o suficiente para que o TIP31 estivesse funcionando como chave, na
prática, conseguiu-se valores relativamente parecido, enquanto para a simulação, que utilizou a
mesma configuração para RB2 , o tempo toffon ficou bem maior, como mostra as Figuras 7a) e
b), indentifica-se os tempos de chaveamento do transistor, tendo toff−on aproximadamente 10
µs e ton−off de 2 µs.
já para os valores da de RB2 e RC1 trocados, percebe-se que o aumento de corrente na base
de Q2 faz com que o tempo de toff−on suba para mais que o dobro e tono−ff caia.

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4 Conclusão

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5 Referências
AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência. São Paulo - SP. Pearson Education do Brasil
Ltda, setembro de 2009.

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