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COM UM POC
O QUANTICO
DE GaAs
DE MESTRADO
DISSERTAC
AO
ESTUDOS DE EFEITOS ELETRODINAMICOS
NUMA MICROCAVIDADE SEMICONDUTORA
COM UM POC
O QUANTICO
DE GaAs
Orientador:
A COMISSAO
AO
COM UM POC
O QUANTICO
DE GaAs
ELABORADA POR
Eduardo Adriano Cotta
DO GRAU DE
COMO REQUISITO PARCIAL PARA A OBTENC
AO
MESTRE EM FISICA
EXAMINADORA:
COMISSAO
Agradecimentos
Ao meu orientador, Prof. Franklin Matinaga, pois gracas `a sua orientacao e amizade
foi possvel realizar esta dissertacao;
Ao aluno de iniciacao cientfica Leandro que me concedeu seu apoio para a realizacao
das simulacoes do ndice de refracao efetivo ;
` minha namorada Tathiana que me apoiou e me incentivou em todos os momentos
A
para a realizacao dessa dissertacao;
Agradeco, de forma geral, a todas as pessoas que de algum modo colaboraram para
a realizacao deste trabalho e contriburam para minha formacao.
Este trabalho foi parcialmente financiado pelo CNPq.
RESUMO
Neste trabalho estudamos os efeitos de eletrodinamica quantica numa microcavidade
semicondutora planar formada por dois espelhos DBR (Distributed Bragg Reflector ) de AlAs e
Al0.2 Ga0.8 As (26.5 pares no espelho inferior e 22 pares no espelho superior). Entre os espelhos
encontra-se a camada espacadora de Al0.3 Ga0.7 As (espessura ) que contem ao seu centro um
poco quantico (SQW) de GaAs (100
A). A amostra foi crescida por MBE (Molecular Beam
Epitaxy) pela empresa Quantum Epitaxial Designs, Inc. (USA).
A heteroestrutura foi analisada tanto do ponto de vista experimental quanto teorico. O
tratamento teorico consistiu em estudar o comportamento da curva de reflectancia atraves do
modelo de matrizes de transferencia e a largura de linha da janela ressonante em func
ao do
n
umero de camadas que formam o DBR. Foram abordados tambem o comportamento do limiar
de bombeio Pth no processo de emissao laser atraves de equac
oes de taxa. Neste caso, tambem
analisamos o comportamento da largura de linha da emissao e verificamos a existencia de uma
largura de linha mnima para o processo de emissao laser. Por u
ltimo, analisamos dois regimes
de acoplamento entre o exciton gerado no meio de ganho e o foton confinado na cavidade. Estes
regimes sao conhecidos como regime de acoplamento forte e fraco sendo caracterizados pelo
efeito de Rabi-Splitting na curva de reflectancia. Este efeito foi analisado e, conseq
uentemente,
foram obtidas as curvas de dispersao do exciton-polariton que se forma na cavidade.
Para se verificar a consistencia destas abordagens, varios experimentos foram realizados
usando dois angulos de incidencia distintos (3, 2o e 6, 8o ) em que analisamos os processos de
emissao laser tanto com bombeio ressonante, com a cavidade (e com o exciton), quanto fora de
ressonancia. Para uma analise inicial verificamos que a medida de fotoreflectancia da microcavidade apresenta uma janela ressonante de 0.47
A, centrada em 8049
A, o que nos permite estimar
um fator de qualidade Q 3300. Ou seja, um aumento no acoplamento do campo com o meio
ativo maior que 103 . O estudo optico a 10K para uma excitac
ao nao-ressonante, apresenta uma
performance superior aos resultados ja obtidos na literatura.
Os experimentos de fotoluminescencia para o exciton-polariton (e-p) identificaram uma
queda contnua da largura de linha da emissao para bombeios cada vez mais intensos, sem a
usual descontinuidade no limiar. Este comportamento anomalo, somado ao deslocamento para
o azul dos picos de emissao para bombeios cada vez mais intensos, pode ser atribudo a um forte
acoplamento do e-p. Este fato encontra-se de acordo com a curva de reflectancia pela presenca
da separacao do modo normal da cavidade no stop-band apresentando uma diferenca de energia
de 3meV , o chamado Rabi-Splitting. Foi verificado tambem que este acoplamento e quebrado
para temperaturas acima de 40K.
ii
ABSTRACT
In this work we study quantum electrodynamics effects in a plane semiconductor microcavity
formed by two DBR mirrors (Distributed Bragg Reflector) of AlAs/Al0.2 Ga0.8 As (22 pairs in
the upper mirror and 26.5 pairs in the lower mirror). The spacer layer between the mirrors
is layer of Al0.3 Ga0.7 As (thickness ) with a single quantum well (SQW) of GaAs (100
A) at
the middle. The sample was grown by MBE (Molecular Beam Epitaxy) by Quantum Epitaxial
Designs Inc. (USA).
The heterostructure was analyzed by experimental and theoretical view point. In this last
case was verify the behavior of the reflectance curve through the transference matrices model and
the linewidth of the resonant window as function of pairs number of the layers that constitute
the DBR. We analyzed also the behavior of the threshold power Pth in the laser emission process
though rate equations. In this case, we analyze also the behavior of linewidth of the emission and
we verify the existence of the a minimum linewidth to the laser emission process. Ultimately,
we analyzed two coupling regimes between the exciton created in the active material and the
photon confined in the cavity. This regimes are known as strong and weak coupling regimes
being featured by Rabi-Splitting effect in the reflectance curve. This effect it was analyzed, and
though this analysis we obtain the dispersion curve for the exciton-polariton that shape it in
the cavity.
From experimental view point, we analyzed two different incidence angles (3, 2o and 6, 8o )
in that we analise the laser emission processes off-resonant and resonantly. Firstly, we verify
that the fotoreflectance measurement of the microcavity exhibit a resonant window of 0.47
A,
positioned at 8049
A, what enable us to evaluate a quality factor Q 3300. In other words,
an increase in the field coupling with the active material larger than 103 . The optical study at
10K for off-resonant excitation exhibit a better performance than the results already obtained
in literature.
The fotoluminescence experiments for the exciton-polariton (e-p) had identified a continuously reduction of the linewidth emission when the pump was increased, without the usual
kink in the threshold. This anomalous behavior added at the blue-shift of the emission peaks
for higher pump intensity, can be attributed a strong coupling of the e-p. This fact is verified
in the reflectance curve by the presence of the cavity normal mode splitting in the stop-band,
presenting a difference of energy of 3.4meV , the so called Rabi-Splitting. We verify also that
this coupling is broken to temperatures above 40K.
Indice
Introduc
ao:
O espelho DBR:
2.1
2.2
A Cavidade Fabry-Perot:
3.1
15
An
alise de uma Microcavidade Semicondutora Laser usando equac
oes
de taxa:
19
4.1
Equacoes de taxa: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
4.2
Comportamento do Limiar: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
4.3
Potencia da Emissao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3.2
Largura de Linha: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.3.3
4.3.4
Restricoes da Cavidade: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Rabi-Splitting:
43
5.1
5.2
Experimentos em Microcavidades:
62
6.1
Sistema Experimental: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
6.2
O efeito Rabi-Splitting: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
6.3
Excitacao nao-ressonante: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
6.4
Excitacao Quase-Ressonante:
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
iv
6.5
6.4.1
Angulo
incidente de 3.2o : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
6.4.2
Angulo
incidente de 6.8o : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
Conclus
ao:
77
80
Ap
endice
83
84
88
C Algoritmo para o C
alculo da Reflect
ancia:
92
Lista de Figuras
1.1
2.1
2.2
2.3
Curvas de dispersao para o AlAs, o Al0.2 Ga0.8 As, o Al0.3 Ga0.7 As e o GaAs.
o substrato de GaAs e
Para comprimentos de onda abaixo de = 7000 A
altamente absorvedor. Portanto, o espectro e analisado apenas acima deste valor.
A regiao hachurada indica a faixa de comprimentos de onda onde os processos
mais relevantes serao analisados. Os simbolos representam dados experimentais
?? eo as linhas cheias mostram um ajuste destes pontos utilizando a quac
ao de
2.4
3.1
3.2
12
14
17
3.3
17
4.1
vi
19
4.2
4.3
21
4.4
26
4.5
4.6
26
31
O n
umero medio de fotons no modo laser (eixo `a esquerda) e a correspondente
versus a potencia
potencia de emissao (Pout = phc/o sp ) para o = 8000A
de bombeio. Nas condic
oes indicadas e sempre maior que a unidade e a
recombinacao nao-radioativa e desprezada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7
32
4.8
34
40
5.1
45
5.2
5.3
46
Forma dos potenciais para um poco quantico. A linha tracejada mostra o nvel
excitonico levemente menor que primeiro estado excitado, n = 1. . . . . . . . .
vii
48
5.4
5.5
50
5.6
5.7
57
5.8
51
. 58
5.9
58
60
6.1
para a realizac
ao dos experimentos.
No
6.2
61
64
6.3
65
viii
67
6.4
68
6.5
Espectro (`a esquerda) e o comportamento do pico de emissao da microcavidade (`a direita) em funcao da potencia incidente para a excitacao naoressonante a 3.2o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
6.6
6.7
70
6.8
6.9
72
6.10 Curva da largura de linha para um angulo incidente de 3.2o com excitacao
ressonante. Os crculos vazios correspondem `a correc
ao de Schawlow-Townes
(Arquivo: Las270-293.opj). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
73
6.11 Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o
comportamento do pico de emissao em funcao da potencia incidente para
a excitacao ressonante a 6.8o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.12 Curva de I/O para um angulo incidente de 6.8o com excitacao ressonante com o
exciton. O laser esta posicionado em L = 7980, 4
A. . . . . . . . . . . . . . . . 74
6.13 Curva da largura de linha para um angulo incidente de 6.8o com excitacao ressonante. Nesta figura nao foi realizada a correc
ao de Schawlow-Townes pois nao
e possvel identificar o ponto onde ocorre o limiar. . . . . . . . . . . . . . . . .
8.1
75
ix
82
85
A.2 Curvas de reflectancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada
por espelhos DBR planares, ambos produzidos com o = 8000
A e com 20 pares
cada espelho. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
87
89
Lista de Abreveaturas:
Re - Parte real de um n
umero.
Im - Parte imaginaria de um n
umero.
TM - Trasnversal Magnetic. A direcao do campo magnetico e perpendicular ao plano de
incidencia.
TE - Trasnversal Eletric. A direcao do campo eletrico e perpendicular ao plano de
incidencia.
QW - Quantum Well. Poco Quantico.
Captulo 1
Introduc
ao:
A decada compreendida entre 1992 a 2003 pode ser chamada de a decada das
microcavidades para as pesquisas em optica de semicondutores. Desde entao, surgiram
centenas de publicacoes dedicadas ao estudo da interacao da luz com a materia em sistemas
periodicos. E ainda assim, as microcavidades lasers permanecem um dos mais intrigantes
sistemas semicondutores, ricos em novos efeitos fundamentais e com indicacoes de novos
fenomenos, como por exemplo a condensacao bosonica de excitons e o acoplamento forte
entre fotons e excitons[1, 2, 3].
Uma estrutura tpica de uma microcavidade consiste numa cavidade Fabry-Perot,
geralmente planar, formada por dois espelhos de Bragg (DBR - Distributed Bragg
Reflector ) e contendo um meio ativo entre estes espelhos. Este meio pode ser constitudo
de varias estruturas como poco(s) quantico(s) (QWs) ou possivelmente uma fina camada
do bulk semicondutor, fios quanticos ou ainda pontos quanticos. Um espelho de Bragg
e uma estrutura periodica feita de dois materiais semicondutores distintos com ndices
de refracao diferentes (vide fig. 1.1). A espessura das camadas do DBR sao escolhidas
tal que a luz refletida por todas as interfaces interfiram construtivamente, resultando
num espelho com altssima reflectividade numa faixa espectral chamada de stop-band .
Em estruturas com um alto fator de qualidade, a reflectividade dos espelhos no stopband excede a 99% e sua largura espectral e de 100meV . As espessuras das camadas
espacadoras da cavidade, que definirao a janela de ressonancia, sao escolhidas de forma
que haja um acoplamento entre o modo da cavidade e as energias do exciton na estrutura
do meio ativo.
Devemos lembrar que os excitons provem da correlacao Coulombiana entre o par
eletron-buraco (e-h), caracterizado por transicoes discretas numa faixa de energia. Os
efeitos originados do acoplamento do exciton com o modo da cavidade (com o foton
confinado na cavidade), sao conhecidos como exciton-polariton (e-p) possuindo caractersticas tanto do exciton quanto do foton, uma quasi-partcula.
Captulo 2
O espelho DBR:
Os espelhos DBR sao formados por camadas alternadas de dois materiais semicondutores distintos, portanto, com ndice de refracao diferentes, sobrepostos uns sobre os
outros formando pares de camadas. Este tipo de construcao nos permite produzir espelhos
dieletricos de altssima reflectividade, sendo esta caracterstica diretamente proporcional
ao n
umero de pares e `a diferenca no ndice de refracao das camadas que compoem o par.
Em geral os espelhos DBR sao do tipo planar e crescidos pela tecnica de MBE
(Molecular Beam Epitaxy), o que nos permite obter uma estrutura com reflectividade
superior a 99%. Isto proporciona um alto fator de qualidade para uma cavidade formada
por estes espelhos, apresentando um aumento no tempo de vida do foton confinado, e
conseq
uentemente, na eficiencia do processo de emissao laser.
Os estudos abordados por esta dissertacao foram baseados numa microcavidade
formada por espelhos planares, assim, iremos realizar uma breve discussao sobre este tipo
de espelho. Esta analise consiste em simular o espectro da reflectancia para um sistema
de multicamadas atraves do metodo das Matrizes de Transferencia[16, 17] obtendo assim,
a regiao de maxima reflectancia.
Uma breve analise dos espectros obtidos atraves da simulacao (o algoritmo utilizado
pode ser encontrado no Apendice C) serao abordados no Apendice A com o objetivo de
se caracterizar duas configuracoes distintas destes espelhos que se diferem apenas na
espessura das camadas que formam o par.
2.1
Propagac
ao de ondas eletromagn
eticas em meios
peri
odicos:
n2
n1
0<z<b
b < z < ,
(2.1)
onde z e o eixo normal `as interfaces das camadas dieletricas, cada qual de espessura l1 e
l2 e ndice de refracao n1 e n2 , respectivamente.
Esta geometria pode ser visualizada na fig. 2.1 onde podemos identificar apenas
4 pares de camadas. Entretanto, em amostras de DBRs geralmente sao constitudas de
muitos pares (entre 20 e 30 pares).
(2.2)
(z) = (z + a)
(2.3)
(2.4)
(2.5)
(2.6a)
~ =H
~ k (z)ei~k.~zt
H
(2.6b)
~ k (z) = E
~ k (z + a)
E
(2.7a)
~ k (z) = H
~ k (z + a)
H
(2.7b)
onde:
Estas relacoes sao conhecidas como teorema de Floquet (ou Bloch) e o ndice k, em
~
~
Ek e Hk , e o conhecido vetor de onda de Bloch e mostra a dependencia dos campos em
relacao a esta variavel.
Para descrevermos este sistema trataremos, inicialmente, o caso de uma u
nica
camada dieletrica de ndice de refracao n1 e espessura l entre dois meios de ndices de
refracao no e nT , como mostra a fig. 2.2. Posteriormente devemos escrever os campos
eletrico e magnetico apenas para as duas primeiras interfaces, que devem satisfazer as
condicoes de contorno:
~a D
~ b) n
(D
=
(2.8a)
~a B
~ b) n
(B
=0
(2.8b)
~a E
~ b) = 0
n
(E
(2.8c)
~a H
~ b) =
n
(H
(2.8d)
Sendo n
o vetor normal `a superfcie e a densidade de corrente superficial. Os ndices
a e b fazem referencia aos meios de propagacao da onda e podem variar dependendo da
interface a ser analisada.
polarizac
ao TE.
Primeira Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~o + E
~ 0o = E
~1 + E
~ 01
E
~o + H
~ 0 o ) cos o = (H
~1 + H
~ 0 1 ) cos 1
(H
~o + E
~ 0 o )no cos o = (E
~1 + E
~ 0 1 )n1 cos 1
(E
Segunda Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd = E
~T
E
~ 1 eikd + H
~ 0 1 eikd ) cos 1 = H
~ T cos T
(H
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd )n1 cos 1 = nT E
~ T cos T
(E
polarizac
ao TM.
Primeira Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~1 + E
~ 0 1 ) cos 1
~o + E
~ 0 o ) cos o = (E
(E
~o H
~ 0o = H
~1 H
~ 01
H
~o + E
~ 0 o )no = (E
~1 + E
~ 0 1 )n1
(E
Segunda Interface
Campo Eletrico:
Campo Magnetico:
ou
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd ) cos 1 = E
~ T T
(E
~ 1 eikd + H
~ 0 1 eikd = H
~T
H
~ 1 eikd + E
~ 0 1 eikd )n1 = nT E
~T
(E
~1 e E
~ 0 1 destas relacoes e utilizando a lei de Snell obtemos:
Eliminando as amplitudes E
Eo0
ET
1+
=
Eo
Eo
i
cos nT cos T sin
p
Eo0 ET
no cos o 1
=
Eo
Eo
)
(2.9a)
(2.9b)
onde = kl cos o representa a fase efetiva do feixe que penetra no meio, p = n1 cos 1
para a polarizacao TE e p = cosn11 para a polarizacao TM.
Escrevendo estas relacoes na forma matricial obtemos:
h
iE
h
i h
i E0
cos
pi sin
1
1
1
T
o
=
+
nT cos 3 Eo
no cos o
no cos o Eo
ip sin
cos
|
{z
}
(2.10)
M
A matriz indicada por M e a chamada Matriz de Transfer
encia. Podemos
ent
ao
Eo0
reescrever a equacao matricial acima em termos dos coeficientes de reflexao r = Eo e
de transmissao t = EETo .
h
M
1
nT cos 3
h
t=
1
no cos o
10
h
+
1
no cos o
i
r
(2.11)
1
no cos o
h
+
1
no cos o
h
r=
A B
C D
ih
1
nT cos 3
i
t
(2.13)
Dessa forma, a solucao desta equacao para r e t a partir da relacao 2.13, resulta em:
r=
(2.14a)
t=
2no
Ano + BnT no + C + DnT
(2.14b)
Conseq
uentemente, a reflectancia e a transmitancia sao dados por R =| r |2 e
T =| t |2 , respectivamente.
2.2
A princpio, para se obter um alto valor na reflectancia em um sistema de multicamadas, utilizamos basicamente dois materiais distintos dispostos alternadamente. Assim,
para que haja interferencia construtiva da luz refletida e necessario que a diferenca de
fase entre os m
ultiplos feixes refletidos satisfacam 2kl = (2j + 1) (incidencia normal),
e o termo adicional foi includo devido `a reflexao especular
sendo j = 0, 1, 2, ... , k = 2n
o
na primeira interface que promove uma inversao de fase de para a luz que percorre uma
distancia de 2l. Tomando o termo de ordem zero (j = 0) temos que cada camada deve
o
sendo o o comprimento de onda no vacuo em que se deseja uma
possuir espessura de 4n
alta reflectividade .
11
4,0
Interpolao
AlAs
n (Parte Real)
3,8
GaAs
Al
Ga
As
Al
Ga
As
0.2
3,6
0.3
0.8
0.7
3,4
3,2
3,0
2,8
6000
8000
10000
12000
14000
()
Apesar de haver uma forte absorcao por parte do Alx Ga1x As para comprimentos
de onda abaixo de 7000
A, a figura acima foi produzida na faixa espectral indicada para
se ter uma ideia clara do comportamento da parte real do ndice de refracao para todos
os materiais que constituem nossa microcavidade. Isto nos limita a analisar os efeitos
opticos apenas para comprimentos de onda acima deste valor.
12
Tabela 2.3: F
ormulas de dispers
ao para a parte real do ndice de refrac
ao[19].
Nome
Selmeier 1
Selmeier 2
Selmeier 3
Selmeier 4
Cauchy
Hartmann 1
Hartmann 2
Schott Glass
Drude
Equac
ao de Dispers
ao
B2
2 C
n2 () = A +
n2 () = A +
B2
2 C
n2 () = A +
n2 () = 1 +
B2
2 C
A2
2 B
n() = A +
n() = A +
n2 () = A + B2 +
+ D2
C2
2 D
B
2
n() = A +
D2
2 E
E2
2 F
C
4
B
C
B
(C)2
C
2
D
4
n2 () 2 () = A
E
6
+ ...
B2
(2 +C)
Como fora discutido anteriormente, cada camada pode possuir uma espessura de
e =
onde n e o ndice de refracao de cada meio e o e o comprimento de onda
no vacuo, este tipo de espelho recebe o nome de quarter-wave (QWM - QuarterWave-Mirror ). Podemos ainda, obter um espelho cuja camada constituda do material de
o
menor ndice de refracao nL com espessura de eL = 4n
e a de maior ndice de refracao nH
L
o
com espessura eH = 2nH , este tipo de espelho recebe o nome de half-quarter-wave
(HQWM - Half-Quarter-Wave-Mirror )[20].
o
,
4n
13
100
Reflectncia (%)
90
5 pares
80
10 pares
70
20 pares
60
50
Stop-Band
40
30
20
10
0
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
()
Detalhes a respeito do comportamento do segundo harmonico para cavidades formadas por espelhos quarter-wave e half-quarter-wave podem ser encontradas no Apendice
A desta dissertacao. Neste apendice poderao ser encontradas simulacoes computacionais
que identificam e descrevem estes espelhos.
14
Captulo 3
A Cavidade Fabry-Perot:
Este captulo tem por objetivo tratar teoricamente uma cavidade tipo Fabry-Perot
que e constitituda basicamente por dois espelhos em paralelo separados entre si por uma
distancia o /n, onde o e o comprimento de onda ressonante e n e o ndice de refracao
do material que constitui a camada espacadora. Esta distancia deve ser ressonante com
a regiao de comprimento de onda de maxima reflectividade dos espelhos que formam a
cavidade, pois isto faz aumentar o confinamento de fotons dentro da mesma. Isto promove
um aumento do fator de Qualidade Q proporcionando um aumento relativamente grande
do tempo em que a luz permanece dentro da cavidade. Assim, a cavidade (camada
espacadora) pode ser constituda de um material qualquer ou simplesmente conter vacuo
entre os espelhos[16].
Uma caracterstica importante de uma cavidade Fabry-Perot esta no fato dela
selecionar de forma eficiente um u
nico modo de oscilacao, o chamado modo da cavidade.
Isto nos permite utiliza-la em espectroscopia separando as franjas de interferencia de
m
ultiplos feixes e medir comprimentos de onda com muita precisao diferindo o espectro
de linhas muito proximas. Isto nos permite estabelecer um criterio para diferir duas linhas
no espectro, que sem perda de generalidade adotaremos o criterio de Taylor. Este criterio
assume que duas linhas iguais do espectro sao consideradas distinguveis se na situacao
em que duas curvas individuais se cruzam `a meia altura, a intensidade maxima desta
superposicao possui a mesma intensidade de uma das linhas individuais.
Uma cavidade, sera caracterizada basicamente pelos espelhos que a constituem,
sendo definida entao, um fator de qualidade Q que ira determinar o quanto eficiente e o
processo de confinamento da luz (vide Apendice B).
Este tipo de interferometro foi descoberto por C. Fabry e A. Perot em 1899 e para
caracteriza-lo dentro deste contexto devemos determinar o seu coeficiente de Finesse F,
seu poder de resolucao RP e o intervalo espectral livre SF (free spectral range). A descricao
destes parametros espectroscopicos poderao ser encontrados no Apendice B.
15
3.1
Os espelhos DBR sao considerados o tipo de espelho mais adequado para a producao
de uma microcavidade Fabry-Perot por diversos motivos. Para que haja um bom acoplamento da luz com a cavidade (vazia), a camada espacadora deve possuir uma espessura
de um m
ultiplo de 2 , onde e comprimento de onda de ressonancia na cavidade, ou seja,
o
sendo j = 1, 2, ... e n o ndice de refracao da camada espacadora.
d = j 2n
Para que a cavidade possua uma alta eficiencia, os espelhos devem possuir uma
altssima reflectividade na regiao em torno do comprimento de onda de ressonancia da
cavidade. Isto pode ser obtido facilmente atraves dos espelhos DBR utilizando poucos
pares de camadas (cerca de 20), como foi discutido no captulo anterior. Dessa forma,
as espessuras das camadas que formam o dispositivo devem possuir dimensoes da ordem
do comprimento de onda da luz, portanto, as melhores tecnicas para o crescimento das
amostras sao o MOCVD e o MBE. Devemos salientar ainda que os materiais que constituem o dispositivo (meio de ganho) devem possuir uma grande eficiencia optica de
absorcao e emissao, isto nos permite classificar os materiais semicondutores como um
bom candidato para a sua producao.
Utilizando o mesmo tratamento teorico que foi descrito no captulo anterior foi
possvel simular computacionalmente o espectro de reflectancia de luz branca de uma
microcavidade Fabry-Perot e comparar o resultado obtido com um espectro experimental.
A simulacao para a reflectancia de um espelho do tipo QWM pode ser visualizado na fig.
3.1, para polarizacao TE com diferentes n
umeros de pares de camadas.
Esta figura (3.1) aponta apenas a regiao do modo fundamental para um espelho
DBR tipo quarter-wave. Nesta figura podemos verificar o comportamento da largura de
linha da janela de ressonancia da cavidade estreitando-se cada vez mais `a medida que a
reflectividade dos espelhos e aumentada com o acrescimo de pares de camadas. O comportamento da largura de linha em funcao do n
umero de pares pode ser analizado segundo a
figura 3.2. Nesta figura encontramos uma tendencia exponencial para a queda da largura
de linha. Estes resultados foram obtidos atraves da simulacao de uma microcavidade
como a descrita anteriormente formada por espelhos DBR planos tipo QWM descritos
como ilustrado pela figura 6.1.
16
Reflectncia (%)
100
90
20 pares
80
10 pares
5 pares
70
60
50
40
30
20
10
0
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
()
Largura de Linha ()
140
120
100
80
60
40
20
4
10
12
14
16
18
20
22
Nmero de Pares
Figura 3.2: Curva teoricamente prevista para o comportamento da largura de linha em func
ao
do n
umero de pares que constituem uma microcavidade formada por espelhos DBR, centrado
em o = 8000
A.
Foi obtido um espectro experimental a qual foi interpolada uma curva de reflectancia.
O resultado obtido pode ser analisado na fig. 3.3 que se segue. Nesta figura e importante
salientar a discrepancia entre a largura de linha obtida entre os espectros experimental e
teorico. O tratamento teorico nao inclui as perdas na cavidade que sao preponderantes
ao se avaliar a estrutura como um todo, pois elas proporcionam um aumento da largura
de linha e, portanto, uma queda do fator de qualidade da estrutura.
Reflectncia (%)
100
80
60
1,0
40
0,8
20
0,6
8025
8040
8055
8070
0
7200
7600
8000
8400
8800
()
A
simulacao possui as mesmas caractersticas que a estrutura crescida por MBE. Par
ametros:
o = 8045
A o espelho inferior possui 26 pares e o superior 22 pares.
Captulo 4
An
alise de uma Microcavidade
Semicondutora Laser usando equac
oes de
taxa:
Um sistema laser tpico pode ser tratado basicamente por um sistema de tres nveis,
como e mostrado na figura 4.1 que se segue. A dinamica de emissao laser se baseia
em excitar os portadores livres (eletrons) do nvel fundamental, indicado por |1i, para
o nvel excitado, indicado por |2i atraves de um campo incidente com energia igual a
E2 E1 = hp .
19
Abordaremos tambem uma solucao para as equacoes de taxa para uma microcavidade semicondutora e para o comportamento do estado estacionario do laser com
algumas das suas caractersticas dinamicas. Este tratamento sera realizado manipulandose as taxas de emissao espontanea dos modos da cavidade. Entretanto, para se explorar
totalmente as alteracoes da emissao espontanea, o volume do meio ativo na cavidade deve
ser menor que um certo valor. Neste captulo trataremos do comportamento do limiar
usando diferentes definicoes e relacionando o limiar com o fator de inversao de populacao.
A proposta final deste captulo e tratar curvas de I/O (Input Output) para uma
microcavidade semicondutora, analisando o comportamento do limiar para diversas estruturas e compara-las com resultados experimentais. Alem disso, curvas da largura de linha
dos espectros de fotoluminescencia da microcavidade em estudo serao analizados para
se determinar como a estrutura passa do comportamento de simples luminescencia para
uma emissao laser caracterstica. Nesta u
ltima analise, estudaremos a tendencia do limiar
para bombeios ressonante e fora da ressonancia verificando as diferencas de cada caso.
Entretanto, nosso tratamento experimental para os presentes dispositivos operam longe
dos limites ideais, principalmente devido a processos de recombinacao nao-radioativas.
21
4.1
Equac
oes de taxa:
dt
ho V
sp nr
V
(4.1a)
d
N V
p = (g )p +
dt
sp
(4.1b)
(4.2)
onde Ai e a taxa de emissao espontanea do meio ativo no modo i. Nesta relacao podemos
notar que os diferentes valores para Ai podem diferir devido a presenca da cavidade.
22
(4.3)
(4.4)
23
Qc3
4Vc o3
(4.6)
4.2
Comportamento do Limiar:
falando, (4.7) nao possui realidade fsica, tal que a emissao estimulada nunca podera
compensar as perdas opticas. Se a emissao estimulada pode ser considerada desprezvel,
podemos partir das equacoes (4.4), (4.5) e (4.7), obtendo:
N
P
in
1
sp
ho V
(4.8)
nr
1
sp
(4.9)
Nth1 = No +
= No 1 +
V
No V
sp
(4.10)
(4.11)
Como o n
umero de fotons foi implicitamente assumido infinito quando a relacao 4.7
e satisfeita, este resultado tambem corresponde ao fator de inversao de populacao de uma
microcavidade laser bem acima do limiar.
Utilizando as equacoes (4.9) e (4.8) encontramos a potencia do limiar:
sp
Pth1 = ho (1 + ) 1 +
nr
(4.12)
10
-11
= 10
nr
th
10
th
-12
V = 10
1
( W )
10
>
nr
sp
10
sp,th
= 1
-3
cm
-1
5
10
th
= n
cm
-3
-1
10
-3
-12
12
= 10
-2
10
-9
sp
= 10
-3
10
18
= 10
V = 10
-1
10
cm
-1
5
cm
-3
-3
cm
-4
10
-5
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
g =
10
-12
= 10
-9
10
sp
= 10
18
= 10
-1
th
= n
sp,th
s
cm
-3
-3
-1
sp,th
10
10
0
1
-15
V = 10
10
cm
-3
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
espont
anea, para dois volumes diferentes para o meio ativo. A recombinac
ao nao-radiativa
foi considerada desprezvel quando comparada `a taxa de recombinac
ao radioativa. As linhas
pontilhadas corresponde `a definic
ao descrita pela eq. 4.7 e a linha solida para a definic
ao
pth = nsp,th .
26
sp
Pth1 ho
1+
nr
Por outro lado se 1, a potencia do limiar pode ser aproximada por
No V
sp
Pth1 ho
1+
sp
nr
(4.13)
(4.14)
(nr
(4.15)
pth2
Nth
= nsp,th2
Nth No
(4.16)
2No V
= 1 + 2.
sp
(4.17)
No
=
2
1
2+
(4.18)
Desta relacao podemos perceber que para a definicao do limiar (4.16) a densidade de
portadores livres no limiar sera sempre maior que a densidade de portadores transparentes
No . Substituindo os resultados obtidos em (4.17) e (4.18) na relacao (4.1a), encontramos
para a potencia do limiar
nsp,th2
sp
Pth2 = ho
= 1+
2
nr
(4.19)
h
sp i
= ho
(1 + 2) 1 + +
2
nr
28
O comportamento desta funcao pode ser visto na fig. 4.3 atraves de linhas pontilhadas. A equacao obtem o mesmo resultado daquele obtido na eq. 4.12 quando 1,
e dela obtemos um resultado duas vezes menor que (4.12) quando 1.
Uma terceira definicao a ser utilizada seria uma taxa da emissao estimulada simplesmente igual a taxa de emissao espontanea no limiar. A razao por tras desta definicao
e que no limiar cerca de metade dos fotons que emitem no modo da cavidade emitem
coerentemente e a outra metade adiciona incoerencia. Para altas potencias, tanto as propriedades de coerencia quanto de eficiencia quantica melhoram rapidamente devido ao
aumento da emissao estimulada. Das relacoes de Einstein ja mencionadas, esta definicao
do limiar implica que o n
umero medio de fotons no modo laser no limiar e unitario:
pth3 1
(4.20)
Nth3 =
No +
sp
V
No
=
2
1
1+
(4.21)
nsp,th3
1 + n 1 + 2
=
1
1
se 1
se 1
(4.22)
O fato de que o fator de inversao de populacao ser -1 quando e grande, mostra que
a definicao do limiar nao deve ser adequado quando > 1. Levando isto em consideracao
e utilizando as eqs. 4.1a e 4.20, podemos encontrar para a potencia do limiar
Pth3
No V
sp
sp
+
1+
= ho
1++
2
nr
2sp
nr
sp
sp
= ho
+ 1+
.
1++
2
nr
nr
29
(4.23)
Na fig. 4.3 podemos verificar o comportamento do limiar descrito pela relacao acima
em funcao do fator de acoplamento da emissao espontanea usando linhas cheias. Podemos
verificar ainda, que a eq. 4.20 adquire o mesmo resultado que a relacao (4.12) quando
1 e sera duas vezes menor quando 1. A u
nica faixa onde existe uma substancial
discrepancia entre as duas definicoes para o limiar e quando tanto o volume do meio ativo
quanto o fator de acoplamento da emissao espontanea sao consideravelmente grandes e
a recombinacao nao-radioativa e desprezada. A diferenca pode ser facilmente explicada
observando o n
umero de fotons no modo laser no limiar definido pela eq. 4.16. Neste
regime a eficiencia quantica total e aproximadamente unitario, como pode ser visto na
fig.4.4. Assim, para aumentar o n
umero de fotons em uma ordem de grandeza, devemos
aumentar a potencia do bombeio tambem em uma ordem de grandeza. Mas quando = 1
o n
umero de fotons no limiar para as duas primeiras definicoes do limiar diferem de um
fator de 2000, tal que a potencia do limiar tambem difere do mesmo fator.
Resultados quantitativos destas definicoes mostram que a potencia do limiar para
os dois primeiros casos sera tao maior quanto menor for , a menos de um fator 2 de
diferenca. Alem disso, quando 1 os resultados possuem boa aceitacao, exceto quando
1. Neste regime se torna difcil fazer uma clara distincao quando se inicia a transicao
de simples luminescencia para a emissao laser.
4.3
4.3.1
sp
p
Pin = ho
(1 + ) 1 + p +
p .
1+p
nr
30
(4.24)
Na fig. 4.6 apresentamos uma simulacao da equacao 4.24 onde podemos identificar
o comportamento da funcao 4.24, para varios valores atribudos ao parametro . Nela,
podemos verificar um aumento abrupto na potencia de emissao para certos valores de
potencia para o bombeio Pth , exceto para 1, e conseq
uentemente um aumento
significativo no n
umero de fotons (excedendo `a unidade). Quando 1 a transicao
tanto acima quanto abaixo do limiar e suave, desde que a recombinacao nao-radioativa
seja desprezvel.
Em nossas amostras, o volume da cavidade estimulada pelo laser incidente e determinado basicamente pelo diametro do ponto de excitacao. O diametro d deste ponto,
para um feixe gaussiano, e dado por d = 4f /(w)[30], onde e a freq
uencia do laser
incidente, f e a distancia focal da lente e w e o diametro do feixe incidente, como esta
indicado na figura 4.5 que se segue. Isto nos fornece um valor de aproximadamente
d = 4(5cm)(800nm)/(3mm) ' 17m.
amostra.
31
10
10
12
10
10
10
10
-9
sp
nr
= 10
>
10
10
sp
18
= 10
-12
V =10
o
-1
cm
cm
-3
10
-1
10
= 8000
-2
10
= 1
0.1
-2
10
-3
10
-4
10
10
10
-5
-3
10
-1
= 1
th3
10
-2
10
10
-4
10
10
= 10
-5
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
10
10
Figura 4.6: O n
umero medio de fotons no modo laser (eixo `a esquerda) e a correspondente
4.3.2
Largura de Linha:
potencia.
A figura 4.7 mostra como podemos relacionar a mudanca na largura da linha laser
devido a flutuacoes na fase do campo optico[34, 35]. Estas flutuacoes sao causadas por
eventos de emissao espontanea, que aleatoriamente altera a fase e a intensidade do campo
laser, como e ilustrado na figura 4.7.
( I +
I )
1/2
1/2
I
j
~ = I 1/2 ei aumenta de
pelo j-esimo evento de emissao espont
anea. A amplitude do campo |E|
~ j com uma amplitude unitaria e fase + j , onde j corresponde a um angulo arbitrrio.
|E|
(4.25)
(4.26)
onde j e aleatoria.
Quando I e alterado, o laser submete-se a oscilacoes de relaxacao permitindo que I
retorne ao estado estacionario. As equacoes que descrevem pequenas oscilacoes do laser em
torno do estado estacionario sao lineares; conseq
uentemente, o princpio da superposicao e
satisfeito e a mudanca de fase total para muitos eventos de emissao espontanea simultaneos
corresponde `a soma das mudancas de fase individuais j .
Existem duas contribuicoes para a mudanca de fase que serao denotadas por 0 e
00 . A mudanca 0 e devido `a componente fora de fase de Eji . Pela figura 4.7 fica
claro que esta mudanca e de
0j = I 1/2 sin j .
(4.27)
(4.28)
O segundo termo da equacao 4.28 tem media zero, assim na media, a emissao
espontanea causa uma mudanca na intensidade do campo equivalente a adicao de um
foton por modo. Entretanto, I e da ordem de 104 , tal que o segundo termo da eq. 4.28,
que proporciona as flutuacoes na intensidade da luz devido a interferencia, e equivalente
a varias centenas de fotons.
O tratamento classico das equacoes de taxa para I e sao obtidas a partir da
~ propagando na direcao do eixo z:
equacao de onda para o campo eletrico E
~
1 2
2E
=
(E).
z 2
c2 t2
(4.29)
(4.30)
i i(tkz)
i
+ ...
(4.31)
E ()E + i E e
35
i
onde E i = E
. Substituindo (4.30) e (4.31) em (4.29) obtemos duas equacoes, uma para
t
E i e outra para E i , que sao o complexo conjugado uma da outra. Se tomarmos apenas
as derivadas de primeira ordem para E i , obtemos:
i2
i
2
+
(4.32)
E = 2 k E i.
c2
2
c
Onde k e o vetor de onda, e a constante dieletrica, que e complexa, pode ser escrita como
o quadrado do ndice de refracao = 2 = n i, onde determina o ganho total de
acordo com
2
gl =
(4.33)
c
Aqui, gl e o ganho por unidade de comprimento e corresponde `as perdas, incluindo as
perdas devido as interfaces dos materiais que constituem os espelhos. No limiar gl = ,
e real e e tal que k = c n.
Mudancas na densidade de portadores causam desvios em n e dos valores no
limiar. Para incluir este efeito devera ser escrito como:
= n2 + 2n(n i)
= n2 2in(1 + i)
onde
(4.34)
n
.
n
c
+
=n n+
= n
(4.35)
2
vg
Assim, substituindo (4.34) e (4.35) em (4.32) e considerando que k = c n, encontramos:
E i = vg (1 + i)E i
c
(g )vg
(1 + i)E i .
=
2
(4.36)
(4.37)
36
(4.38)
Analogamente;
G
E i =
(1 i)E i .
2
(4.39)
~ na representacao de I e usando I = E i E i e
Transformando o campo eletrico E
i
= 2i1 ln( EEi ), encontramos;
I = I(G )
= (G )
2
(4.40a)
(4.40b)
Este resultado representa as equacoes de taxa para I e . Combinando estes resultados obtemos:
= I.
2I
(4.41)
Ii
2I
= (1 + 2I 1/2 cos i )
2I
00i =
(4.42)
1
+ 1/2 [sin j cos j ].
2I I
(4.43)
(4.45)
S
X
j=1
37
(4.46)
O valor de h2 i pode ser obtido pelo resultado acima, pois, para angulos aleatorios,
a media de todos os termos cruzados anulam-se, desse resultado obtem-se:
h2 i =
sp (1 + 2 )
t
2I
(4.47)
Pelo fato de que os eventos de emissao espontanea sejam aleatorios, a fase executa
um movimento tipo Browniano e possui uma distribuicao de probabilidade gaussiana[35].
Dessa forma, foi mostrado por Lax[35] que
|t|
(4.48)
h2 i
=
.
2t
(4.49)
sp
=
(1 + 2 )
c
4I
(4.50)
udz =
I=2
0
2u(0)e(g)L 1
.
(g )
(4.51)
(4.52)
r1 r2 )vg u(L)ho
(4.53)
2Pout
ho vg m
(4.54)
sp = vg gnsp
(4.55a)
G = vg g
(4.55b)
vg2 gnsp m ho
(1 + 2 )
8Pout
(4.56)
(N No ) (1 + 2 ).
sp
(4.57)
V No
sp
(1 + 2 ).
(4.58)
(1 + )
2p
(4.59)
10
= 1
10
0.1
-2
10
10
-3
10
-4
10
12
= 10
sp
nr
10
= 10
>
sp
18
10
= 10
s
= 10
-5
-9
10
10
-1
-12
V = 10
cm
cm
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
10
10
10
Potncia (mW)
largura de linha foi assumido como zero. As linhas pontilhadas representam o limite ideal
para a largura de linha.
4.3.3
Podemos verificar que o resultado para a largura de linha encontrada na eq. 4.56
estreita-se inversamente com a potencia. Entretanto, dados experimentais, que serao
mostrados mais adiante, revelam mecanismos de alargamento adicionais que resultam em
uma largura de linha mnima para altas potencias.
Esta primeira observacao de uma largura de linha mnima foram realizadas por
Mooradian e co-autores[45] utilizando um laser de AlGaAs. Seus dados experimentais
mostram que a largura de linha estreita-se da forma como descrita pela eq. 4.56. Entretanto, a extrapolacao para potencias muito altas a largura de linha nao vai a zero, mas
aproxima-se de um valor finito e que aumenta quando a temperatura diminui. Este valor
para a largura de linha mnima se limitava a poucos MHz, sendo que a 1.6K a largura de
linha mnima chegava a aproximadamente 30MHz.
Mooradian sugeriu que a largura de linha mnima encontrada era devido a flutuacoes
na densidade de portadores livres, que alterariam o ndice de refracao e conseq
uentemente
a freq
uencia de emissao laser. Entretanto, eles tambem alteram o ganho e isto proporciona
mecanismos de realimentacao no modo laser acima do limiar que amortecem as flutuacoes.
Estas flutuacoes dos portadores na cavidade sao importantes devido `a sua contribuicao
para a mudanca no ndice de refracao e das flutuacoes na freq
uencia sem afetar o ganho.
Este comportamento da largura de linha tem sido observado em varios experimentos
realizados com QW lasers[46].
40
Yasaka et al.[47] apontou uma outra forma de associar a largura de linha mnima.
Dessa vez com a uniformidade da distribuicao espacial de intensidade. Esta nao uniformidade resulta em variacoes na emissao estimulada que por sua vez causa variacoes na
densidade de portadores, no ganho e no comprimento de onda de Bragg. Este mecanismo
pode ser compensado pelo ajuste da distribuicao da potencia de bombeio tal que o excesso
se concentre em regioes de maior emissao estimulada.
Neste trabalho apresentaremos alguns resultados experimentais que mostram a
existencia deste tipo de comportamento para a largura de linha assim como a sua tendencia
em todo o espectro como descrito pela teoria apresentada anteriormente.
4.3.4
Restric
oes da Cavidade:
(4.60)
(4.61)
(4.62)
(4.63)
Tomando quantidades tpicas para materiais semicondutores; ' 300T Hz, d = 1014 s,
encontramos que T deve ser maior que 0.3 para quebrar a condicao descrita acima.
Para expressar esta condicao em termos de uma cavidade vazia com fator de qualidade
Qc , usamos a relacao Qc = 2/ e obtemos
Qc < 2sp
41
(4.64)
42
Captulo 5
Rabi-Splitting:
43
~kz [58]. Dessa forma, os polaritons exibem um espectro discreto que apresenta ressonancias
nas energias correspondentes `as transicoes entre picos de densidades de estado. Num
QW, para cada nvel excitonico apenas uma ressonancia aparece, cuja energia e deslocada
da energia do exciton por um valor muito pequeno[59] (alguns eV em GaAs). Esta
e uma situacao tpica, onde o processo de decaimento dos excitons pode ser tratado
perturbativamente, como descrito anteriormente.
Reflectncia (u.a.)
3,4meV
1,544
1,548
1,552
1,556
1,560
1,564
1,568
Energia (eV)
em sua tese de doutorado para uma microcavidade com as mesmas caractersticas que a
apresentada na introducao desta dissertacao, a menos do fato de que em sua estrutura
existem dois pocos quanticos (camada espacadora de espessura 3/2o ) e seus espelhos
DBR possuem 28 (superior) e 33 pares (inferior). Atraves do registro da posicao espectral
de cada modo do Rabi-Splitting, e possvel determinar a curva de dispersao do excitonpolariton para o upper e o lower polariton.
Dessa forma, abordaremos neste captulo a teoria que descreve o efeito de Rabi
Splitting e sua relacao com o fator de ganho atraves do calculo do espectro de reflectancia
da microcavidade para o caso de acoplamentos forte e fraco. Para finalizarmos nossos
estudos, mostraremos o comportamento da funcao resposta que descreve a transmitancia
da luz incidente, informacoes a respeito da dispersao do exciton-polariton confinado em
regime de acoplamento forte, alem de propriedades de absorcao e dispersao do excitonpolariton.
5.1
Um material semicondutor pode ser excitado opticamente assim que a luz incidente
com energia hc/ se torna superior `a energia do gap Eg do material. De fato, os eletrons
da banda de valencia adquirem, por absorcao da luz, energia suficiente para passar para
a banda de conducao e a energia total dos estados que podem ser excitados formam um
contnuo, para materiais bulk.
Entretanto, um poco quantico (QW) consiste de uma camada bem fina (alguns
angstrons) de um material semicondutor localizado entre duas camadas de outro material,
formando uma barreira de potencial, como mostrado na figura 5.3. Em nossa microcavidade ela e tipicamente uma camada de 100
A de GaAs intercalada por duas camadas
de Alx Ga1x As (x = 30%) formando no total (inclusive o poco, mas este possui dimensoes
que sao consideradas desprezveis quando comparadas `as dimensoes da camada espacadora)
uma camada de espessura o /n, onde o e o comprimento de onda de ressonancia da
cavidade e n e o ndice de refracao do Al0.3 Ga0.7 As para o . O material do poco deve
ser escolhido de tal forma que a energia da banda proibida Eg seja menor que a do
material em que ele se encontra imerso. Uma descontinuidade das bandas de valencia e
de conducao e obtida devido ao alinhamento dos nveis de Fermi dos dois constituintes.
Esta descontinuidade causa modificacoes nos estados eletronicos do poco quando comparado ao material bulk na forma de nveis discretos de energia.
47
Energia
UP
Ccav
E
LP
Excitao
k1
k2
k||
polariton (e-p) (linhas cheias), devido ao acoplamento forte entre o exciton e o campo confinado
na cavidade. O ramo tracejado corresponde ao modo da cavidade (C ) e a linha horizontal
tracejada com pontos corresponde `a energia do exciton confinado (E ).
50
5.2
Nosso modelo para descrever o meio de ganho constitudo por excitons confinados
numa cavidade pode ser ilustrado na figura 5.5 que se segue. Nela assumimos um ensemble
de N excitons localizados entre dois espelhos planos. O Hamiltoniano Hs para este sistema
deve incluir termos devido aos portadores livres (excitons confinados no plano do poco
quantico) He , ao campo HF e devido `a interacao HI [76]-[78].
Hs = He + HF + HI
(5.1)
onde
HI = i
h
N
h
e X z
He =
2 j=1 j
(5.2a)
HF = h
o (a a)
(5.2b)
N
X
(5.2c)
j=1
formada por espelhos planos. O acoplamento coerente entre um exciton individual e o campo
na cavidade e descrito pela taxa g. A dissipac
ao da luz emitida pela emissao espont
anea em
todos os modos exceto o modo da cavidade que possui uma taxa de decaimento .
51
Os operadores a e a correspondem aos operadores criacao e aniquilacao respectivamente, os operadores jz e j sao os operadores de Pauli para a inversao, levantamento
e abaixamento que descrevem o processo de absorcao, emissao estimulada e emissao
espontanea do j-esimo portador localizado na posicao ~rj . As freq
uencias e e o correspondem ao exciton e ao modo da cavidade, respectivamente. O acoplamento coerente
entre o j-esimo exciton e o modo da cavidade e g(~rj ), tal que
2
1/2
o
g(~rj ) =
(~rj ) go (~rj )
(5.3)
2
ho Vm
onde e o momento de dipolo do exciton, a funcao de dependencia espacial do modo
da cavidade e escolhida tal que o volume do modo da cavidade seja dado por Vm =
R 3
d r|(~r)|2 . O termo (~r) da eq. (5.3) comporta toda a dependencia espacial de g(~r).
A relacao que descreve o acoplamento entre o dipolo excitonico e o campo de um foton
~ pode ser escrito como go = E/
~ h, tal que |E|
~ 2=h
confinado na cavidade E,
o /2o Vm ,
onde o e a freq
uencia do foton confinado no modo da cavidade. O espectro de autovalores
para Hs apresenta um aumento da separacao em energia de cada um dos seus nveis
k
4 2
b
=
4go2
3go2
(5.4a)
No
2
2
=
go2
go2
(5.4b)
onde b depende da geometria da cavidade (b = 8/3 para uma cavidade contendo um modo
Gaussiano[80]).
Podemos notar que no nos fornece o n
umero de fotons de saturacao para a
interacao entre o campo da cavidade e os excitons, enquanto No nos da ideia da densidade
excitonica crtica, que define o limiar da emissao laser[77]. Em termos qualitativos (no ,
No ) especificam o comportamento de um u
nico foton e de um u
nico exciton, respectivamente.
Entretanto, no regime de acoplamento forte go (,) e (no ,No ) < 1, o tempo
de coerencia dentro da cavidade go1 e menor que o tempo de dissipacao da cavidade
( 1 ,1 ) permitindo que a emissao laser do sistema exciton-cavidade (polariton) tenha
tempo para acoplarem-se coerentemente, de forma que a emissao possua um tempo de
52
X
ha(t)i
= (1 + i)ha(t)i +
gj hj (t)i
t
j=1
hj (t)i
= (1 + i)hj (t)i + gj ha(t)ihjz (t)i
t
hjz (t)i
(5.5a)
(5.5b)
(5.5c)
N
X
g(~rj )j (t)
(5.6a)
(5.6b)
j=1
P
satisfazem j gj j e E = 0[79]. Os dois autovalores restantes estao associados com os
graus de liberdade dos polaritons e sao determinados a partir dos dipolos excitonicos
individuais que no ensemble constituem uma polarizacao excitonica coletiva (t),
N
1 X
(t)
g(~rj )j (t).
2C j=1
(5.7)
N
1 X
|g(~rj )|2
2 j=1
(5.8)
go2 Nef f
2
P
umero efetivo de excitons que interagem com o campo
Aqui, Nef f j |(~rj )|2 e o n
confinado na cavidade. Podemos descreve-lo em termos do parametro de cooperatividade
por exciton Ce (Ce go2 /(2)), tal que C = Nef f Ce = Nef f /No ou No = 1/Ce .
Substituindo a relacao 5.7 nas equacoes em 5.6 juntamente com a definicao 5.8,
obtemos:
(t)
= (1 + i)(t) E(t)
(5.9a)
= (1 + i)E(t) + 2C(t)
E(t)
(5.9b)
(t)
E(t)
(1 + i)
2C
(1 + i)
(t)
E(t)
(5.10)
(5.11)
+
[1 + i( + )] g 2
2
2
(5.12)
1
= [ + + i(e + o 2)]
2
i
1 hp
( + )2 + (e )[1 + 4(o i)] + (o )(1 i4) 4g 2
(5.13)
"
2
+
g2
(5.14)
2
2
O resultado acima e totalmente coerente com o apresentado por Grangier et al.[82].
A partir das equacoes em (5.9) e dos autovalores podemos perceber que a
polarizacao coletiva devido aos excitons (t) e que o campo dentro da cavidade E(t)
comportam-se como osciladores lineares acoplados no limite de campo fraco. Como caso
geral deste osciladores, a resposta do estado estacionario do sistema conduzido pelas forcas
devido a (t) e E(t) e dado pela superposicao dos modos normais, com os coeficientes da
superposicao determinados pelas particularidades dos termos forcados[83]. Mas devemos
notar tambem que a resposta dos dipolos individuais j pode ser escrita simplesmente em
termos dos modos normais das variareis coletivas apenas para certas escolhas especiais da
excitacao.
Uma destas escolhas, bastante conveniente, para a excitacao dos modos normais
coletivos e permitir que o proprio campo dentro da cavidade os estimule. Isto faz com
que a equacao 5.9-b tome a forma:
= (1 + i)E(t) + 2C(t) + (t)
E(t)
(5.15)
onde (t) e devido ao campo coerente externo da forma (t) = (t)eio t . Para o caso de
(t) = = constante, a solucao do estado estacionario das eqs. (5.9) e (5.15) e:
Ein =
1+
2C
1+2
Eout
+i
2C
1+2
(5.16)
go2 N
go2 N
+ = +
=
(5.17)
go2 N
go2 N
+ = +
=
(5.18)
assim, encontramos uma troca de das regras descritas pelas equacoes 5.17.
( + )
io
2
(5.19)
2 i1/2
onde o go2 N
uencia do modo
= go N expressa a separacao em freq
2
normal da cavidade devido ao forte acoplamento entre o campo na cavidade E e a
polarizacao excitonica , o chamado Rabi Splitting.
Na figura (5.6) podemos verificar o comportamento das funcoes + e em funcao
do fator de acoplamento coerente g. Nesta figura podemos verificar que enquanto a parte
real dos autovalores varia, a parte imaginaria e identicamente nula. Entretanto, a
partir de um certo valor de g a parte real permanece constante e a parte imaginaria
comeca a variar, este limiar e que define os regimes de acoplamento forte e fraco. Dessa
forma, logo que a parte imaginaria adquire um valor diferente de zero comecamos a entrar
num regime de acoplamento forte, tal que podemos identificar atraves da equacao (5.19)
56
[(1 + i) i$]
(+ + i$)( + i$)
(5.20)
Reflectncia (%)
100
95
/2
90
85
80
2300
2305
2310
2315
2320
(THz)
Para termos uma ideia a respeito da forma desta funcao transmissao, apresentamos
na figura 5.8 tres curvas que representam as contribuicoes devido `a absorcao (Re[T ()]),
`a dispersao (Im[T ()]) e `a transmissao total (|T ()|) para o caso de acoplamento forte.
Esta figura, e tambem a figura seguinte (5.9), que mostra uma sequencia de curvas de
transmitancia (|T ()|2 ) para varios valores da defasagem entre a energia do exciton,
determinada a partir de e e da ressonancia da cavidade o , as curvas de transmitancia
foram reproduzidas apenas na regiao de interesse, ou seja, proximo `a ressonancia e na
regiao de maxima reflectividade dos espelhos DBR.
25
Im[T()]
|T()|
Re[T( )]
20
15
12
g = 2 x10
-1
T( )
10
5
0
-5
-10
-15
7980
7990
8000
8010
8020
Comprimento de onda ( ) -
58
A energia do exciton pode ser alterada de varias formas. Duas delas sao experimentalmente bastante convenientes: a primeira se trata da mudanca da sua energia
variando-se a temperatura da amostra, uma vez que os excitons possuem caractersticas
bosonicas (spin inteiro). A outra pode ser obtida aplicando-se um campo magnetico
externo, dessa forma o exciton muda de energia linearmente com o campo aplicado. Isto
permite um estudo do comportamento da curva de reflectancia no limite de acoplamento
forte para varios valores de temperatura e/ou de campo aplicado.
Entretanto, podemos tambem abordar o caso em que foi construdo uma microcavidade nao-planar, possuindo a forma de uma cunha, permitindo, assim, variar a freq
uencia
de ressonancia da cavidade. Isto corresponde a tomar, na eq. 5.20, um valor fixo para
= L , sendo L a freq
uencia do laser incidente, e permitir variar o parametro o , ou seja,
para cada posicao na superfcie da amostra havera um comprimento de onda ressonante
que ira casar ou nao com a energia de emissao do exciton.
Dessa forma, realizando uma sequencia de simulacoes do espectro de transmitancia
da luz branca de uma microcavidade, poderemos tracar o comportamento da posicao dos
picos para cada defasagem. Isto nos permite construir uma curva como a mostrada na
figura 5.2. Nela podemos identificar o comportamento da separacao dos modos normais
devido ao regime de acoplamento forte e estudar a dispersao do exciton-polariton. Na
figura 5.10 que se segue podemos identificar claramente o anticrossing e a curva de
dispersao do exciton-polariton nos ramos superior e inferior do polariton, acompanhando
o comportamento da posicao espectral dos picos de transmitancia.
59
0,08
|T( )|
0,06
0,04
0,02
0,00
7970
7980
7990
8000
8010
8020
8030
Comprimento de Onda ( ) -
(a) o = e = 8000
A
0,12
0,10
|T( )|
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
7960
7980
8000
8020
8040
Comprimento de onda ( ) -
(b) o = 8000
A e e = 7990
A
0,8
0,7
|T( )|
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
7800
7820
7840
7860
7880
7900
7920
7940
Comprimento de onda ( ) -
(c) o = 8000
A e e = 7800
A
Figura 5.9: Curvas de transmit
ancia para varias defasagens entre o exciton e a cavidade obtidas
60
8400
8200
8000
7800
7600
7400
-1000 -750 -500 -250
250
500
750
1000
()
61
Captulo 6
Experimentos em Microcavidades:
62
6.1
Sistema Experimental:
Os experimentos realizados basearam-se nas tecnicas de fotoluminescencia e fotoreflectancia, sendo analisados por um espectrometro (Jobin Yvon T64000 ) no modo
simples. Neste modo, encontramos duas redes de difracao, uma contendo 300 linhas/mm
e outra com 1800 linhas/mm, que podem ser trocadas via software, permitindo tomar um
espectro com resolucao de ate 0, 1
A.
A amostra analisada foi adquirida atraves de recursos da FAPEMIG e crescida pela
empresa Quantum Epitaxial Designs, Inc. . Ela e formada por camadas alternadas de
AlAs e Al0.2 Ga0.8 As com espessuras de 688
Ae 590
A, respectivamente. A estrutura foi
crescida sobre um substrato de GaAs(100) sob rotacao. O primeiro espelho DBR possui
26 pares e o segundo espelho (o mais externo) possui 22 pares. Devido `a grande facilidade
de oxidacao do alumnio, a camada em contato com o ar corresponde a uma fina camada
de GaAs (50
A). Entre os espelhos fica a camada espacadora de Al0.3 Ga0.7 As que contem
ao centro um poco quantico (SQW) de GaAs de 100
A, esta camada foi crescida sem a
rotacao do substrato. Dessa forma, o SQW encontra-se intercalado entre duas camadas
de Al0.3 Ga0.7 As com a cavidade na forma de uma cunha (vide figura 6.1).
Quantum Epitaxial Designs, Inc. localizada em Bethlehem, USA, tel.: (610)861-6930 e fax: (610)8615273.
63
GaAs
Al
0.2
Ga
0.8
50
As
AlAs
540
688
21x
AlAs
Al
Ga
As
1154
Al
Ga
As
1154
0.3
SQW
0.7
0.3
0.7
AlAs
26x
Al
0.2
Ga
0.8
As
AlAs
590
688
Para a realizacao dos experimentos a amostra foi excitada com um laser de Titanio
Safira sintonizavel (7200
A a 9500
A) que por sua vez e bombeado por um laser de Argonio
+
(Ar ) atraves da linha 5140
A, ambos da empresa SpectraPhysics. Isto nos permite realizar
o bombeio tanto com energia ressonante com o exciton (ou com a cavidade) quanto analisar
o comportamento da emissao laser fora de ressonancia. Apos a realizacao do vacuo (cerca
de 105 Torr) a amostra foi resfriada num criostato (Jannis) tipo dedo frio a temperaturas
em torno de 10K atraves de um fluxo constante de Helio lquido, de forma a garantir que
o estado de exciton nao fosse quebrado por espalhamento de fonons. Nossa verificacao
experimental para este efeito mostrou que o Rabi-Splitting nao foi observado para temperaturas superiores a 40K. Os espectros sao registrados e gravados num computador acoplado
atraves do software prism, produzido pelo proprio fabricante do espectrometro.
O aparato experimental pode ser visualizado de forma esquematica na figura 6.2.
Nela, podemos visualizar o feixe incidente passando proximo a um espelho, sendo focado
por uma lente (5cm de foco) e atravessando a janela optica do criostato. A luz emitida
pelos dois modos mais intensos da microcavidade (modo fundamental na forma de um
lobulo e o modo conico) sao colimados pela propria lente. A luz e entao refletida por um
espelho diretamente para o espectrometro que possui uma fenda de 20m de diametro,
sendo parte da luz, que e refletida pela janela optica, barrada por um anteparo opaco.
Esta configuracao nos permite realizar bombeios a baixo angulo (em relacao `a normal)
ate cerca de 12o , pois para angulos maiores ficamos limitados a efeitos de astigmatismo
da propria lente. Podemos identificar tambem a presenca de um prisma polarizer no
arranjo, isto foi necessario pois foi verificada uma perda da polarizabilidade do laser
incidente. Este efeito foi proporcionado pelos espelhos utilizados, que apresentaram uma
maior reflectividade para diferentes polarizacoes do campo incidente, resultando numa luz
elipticamente polarizada.
64
65
6.2
O efeito Rabi-Splitting:
Assim como fora amplamente discutido no captulo 5, a deteccao do efeito RabiSplitting em microcavidades semicondutoras indica o forte acoplamento entre o exciton e
o foton confinado na cavidade, evidenciando seu alto fator de qualidade (Q). Importantes
caractersticas da dinamica de excitons em sistemas confinados e do efeito de Rabi-Splitting
tem sido analisadas na literatura. Seja pela deteccao das curvas de dispersao da cavidadeexciton via espectro de fotoluminescencia com dependencia angular[49], ou aplicando-se
campos magneticos[87, 88], ou ainda variando-se a temperatura da amostra [50, 51]. Em
todos eles existe uma forma apropriada de ajustar as energias do modo excitonico com
o modo da cavidade para leva-los `a ressonancia. Outros metodos podem ser adotados,
como a alteracao da energia da luz incidente ou variando-se o tamanho da cavidade. Entretanto, devido `as inomogeneidades no plano do poco quantico, podem ocorrer flutuacoes
no comportamento do exciton-polariton em diferentes pontos da amostra.
Para a abordagem discutida nesta dissertacao, foram realizados experimentos cuja
a energia do campo incidente (medidas ressonante e fora de ressonancia) e a temperatura
da amostra foram escolhidas como as variaveis para a caracterizacao do acoplamento entre
o exciton e o foton confinado. O espectro de reflectancia da luz branca em certas regioes
da amostra apresentou uma dupla ressonancia, evidenciando a existencia do efeito de
Rabi-Splitting. Isto indica que a microcavidade em estudo possui todas as caractersticas
necessarias para o desenvolvimento de experimentos para a deteccao da emissao laser
exciton-polariton.
Dessa forma, nas figuras 6.3(a) e 6.3(b) apresentamos as curvas de reflectancia para
diferentes posicoes e temperaturas, respectivamente. As curvas de defasagem entre a
energia do exciton e da cavidade (fig. 6.3(a)), foram obtidas movendo-se a amostra, pois
a cavidade possui a forma de uma cunha podendo existir varios pontos para a defasagem
em relacao ao exciton . Nesta mesma figura, podemos verificar o comportamento da
posicao dos picos de reflectividade, apontando o comportamento indicado na figura 5.10.
As curvas obtidas pela variacao da temperatura foram analisadas com o objetivo de se
verificar o desacoplamento exciton-foton fixando-se a cavidade e variando a energia do
exciton. Segundo esta figura (6.3(b)) verificamos um total desacoplamento entre o exciton
e a cavidade para temperaturas superiores a 40K, pois nao observamos a existencia do
desdobramento do modo normal da cavidade.
Na figura a seguir (6.4) apresentamos um ajuste da curva teorica sobre os resultados
experimentais apresentados na figura 6.3(a) para a posicao de 290m. Assim, atraves dos
parametros utilizados para a realizacao do ajuste podemos ter ideia do valor atribudo
`as perdas da cavidade e dos espelhos , dos valores encontrados para as freq
uencias de
ressonancia da cavidade naquele ponto C e do exciton E alem do fator g que corresponde
ao ganho da cavidade.
66
Reflectncia
495
480
385
335
290
181 m
97 m
0
1,545
1,550
1,555
1,560
1,565
Energia (eV)
Reflectncia
40K
35K
30K
25K
20K
15K
10K
7K
1,545
1,550
1,555
1,560
1,565
Energia (eV)
67
1,00
Simulao
Reflectncia
0,95
0,90
(g,
, )
Experimental
= 7989
= 7987.5
0,85
7940
7960
7980
8000
8020
8040
Comprimento de Onda ()
No ajuste da figura acima verificamos que as perdas devido aos espelhos esta
relacionado com a largura de linha dos picos e as perdas devido ao meio ativo relacionase com a intensidade com que as quedas de reflectancia ocorrem. Assim, quanto maiores
as perdas maiores serao a largura de linha e a queda de reflectividade da janela optica
da microcavidade. O fator de ganho g esta relacionado com a distancia entre os picos de
h
2 i 12
reflectancia, tal que g 2
, onde 2 corresponde `a separacao em freq
uencia
2
do modo normal.
Nesta figura, podemos estimar atraves do ajuste, os valores atribudos ao ganho g e
`as perdas do poco quantico . Neste caso podemos perceber que o regime de acoplamento
forte encontra-se em seu limite pois g , apesar da condicao g > (, ) ainda permanecer
satisfeita.
Segundo os resultados experimentais apresentados na figura 5.7, para as perdas
dos espelhos, temos que 13.6THz e o ajuste acima mostra um valor bem menor,
5.0THz. Entretanto, devemos lembrar que cada ponto de excitacao na superfcie da
amostra apresenta uma caracterstica u
nica, devido principalmente `as irregularidades das
interfaces, sendo possvel encontrar regioes apresentando caractersticas bem distintas.
Outro fator interessante a ser analisado corresponde ao valor atribudo a freq
uencia
de Rabi (). Os resultados do ajuste apresentados acima indicam que (6.6 0.1)THz
que encontra-se com razoavel concordancia com a medida experimental apresentada na
figura 5.1, onde obtemos (5.0 0.1)THz.
68
6.3
Excitac
ao n
ao-ressonante:
1,5503
= 3.2
No - Ressonante
10
= 740nm
10
10
10
10
10
-1
10
1,5491
1,5498
1,5505
1,5502
1,55
1,5499
1,5498
1
1,5512
= 740nm
1,5501
10
100
Energia (eV)
(a)
(b)
Figura 6.5: Espectro (`a esquerda) e o comportamento do pico de emissao da microcavidade (`a direita)
em funcao da potencia incidente para a excitacao nao-ressonante a 3.2o .
de largura de linha mnima (linewidth floor ) discutido no captulo 4, uma vez que
a teoria preve que a largura de linha continuaria tendendo a zero. Nesta mesma figura
podemos identificar atraves dos crculos vazios o valor atribudo `a largura de linha mnima
apos a correcao de Schawlow-Townes ( = 3.2) para o GaAs[33]. Os valores atribudos
aos parametros sp , nr e No foram utilizados considerando os resultados apresentados na
referencia[27].
3
10
= 3.2
= 0.0035
10
-12
V = 10
1
sp
10
cm
= 0.3 ns
nr
= 5 ns
10
-1
10
-2
10
10
100
Potncia de Bombeio - P
in
1000
(mW)
Figura 6.6: Os crculos cheios correspondem aos dados experimentais e a linha cheia foi obtida
Largura de Linha -
(GHz)
200
150
100
50
44 GHz
(1 +
-1
4 GHz
10
100
Potncia de Bombeio - P
in
1000
(mW)
Figura 6.7: Os crculos cheios e vazios correspondem aos dados experimentais, para a largura
70
6.4
Excitac
ao Quase-Ressonante:
6.4.1
Angulo
incidente de 3.2o :
Os resultados experimentais dos espectros para as medidas com este angulo podem
ser observadas na figura 6.5(a) que se segue, juntamente com um grafico que identifica o
comportamento do pico da emissao e-p (6.5(b)). Nelas podemos identificar mais uma vez
um deslocamento para o azul destas curvas de emissao.
Atraves dos espectros realizamos as medidas de I/O e largura de linha para este caso
juntamente com um ajuste destes dados. Utilizando estes procedimentos, identificamos
uma melhora no fator de emissao espontanea , passando de 0,35% na excitacao naoressonante para 1,6% quando bombeada ressonantemente. Os valores utilizados para a
simulacao sao os mesmos que os usados para o caso nao-ressonante, a menos do valor
atribudo ao tempo de vida da emissao espontanea, que dessa vez utilizamos sp = 0.1ns,
como ja fora discutido anteriormente.
71
0.625 meV
o
= 3.2
10
Ressonante
Intensidade (u.a.)
10
10
10
10
10
1.5555
1.5554
1.5553
1.5552
1.5551
1.555
1.5549
1.5548
1.5547
0
1,5540
1,5545
1,5550
1,5555
10
1,5560
10
10
10
Energia (eV)
(a)
(b)
Figura 6.8: Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o comportamento
do pico de emissao em funcao da potencia incidente para a excitacao ressonante a 3.2o .
10
= 3.2
10
= 0.016
-12
V = 10
10
sp
= 0.1 ns
10
cm
nr
= 5 ns
-1
10
-2
10
-3
10
10
100
1000
Potncia de Bombeio - P
in
10000
(mW)
72
Largura de Linha -
(GHz)
150
120
90
60
33 GHz
30
0
10
100
1000
Potncia de Bombeio - P
in
10000
(mW)
6.4.2
Angulo
incidente de 6.8o :
A partir dos espectros apresentados na figura 6.11(a) foi possvel determinar o comportamento da emissao analisando as curvas da posicao dos picos da emissao e-p (6.11(b)),
a transicao entre a luminescencia e a emissao laser pela curva de I/O (6.12) e pela largura
de linha (6.13).
= 0.32meV
10
= 6.8
Ressonante
5
10
10
10
1,5546
1,5548
1,555
1,5552
1,5554
1,55515
1,5551
1,55505
1,555
1,55495
100
1,5556
200
300
400
500 600
Energia (eV)
(a)
(b)
Figura 6.11: Em (a) temos uma superposicao dos espectros da emissao e-p e em (b) o comportamento
do pico de emissao em funcao da potencia incidente para a excitacao ressonante a 6.8o .
Na figura acima, podemos verificar mais uma vez que os picos da emissao e-p
possuem o mesmo comportamento que aquele encontrado para o angulo de 3.2o . Ou
seja, um deslocamento para o azul, mas com menor amplitude e de forma mais contnua,
sem a presenca de uma variacao tao abrupta.
3
10
= 6.8
= 0.018
10
-12
V = 10
sp
= 0.1 ns
10
cm
nr
= 5 ns
10
-1
10
10
50
100
500
Potncia de Bombeio - P
in
1000
(mW)
74
Largura de LInha -
GHz
150
100
50
27 GHz
0
10
50
100
500
Potncia de Bombeio - P
in
1000
(mW)
Na figura 6.12 podemos perceber que o fator de emissao espontanea ainda permanece
superior ao valor limite previsto, chegando a 1.8% com o angulo de incidencia de 6.8o .
Alem disso, podemos verificar o comportamento suave desta curva na regiao onde ocorre
a transicao de simples luminescencia para a emissao laser. Outra observacao importante
encontra-se nas medidas realizadas para a largura de linha. Na figura 6.13 podemos
perceber que o comportamento da largura de linha apresenta uma queda suave e contnua
sem a presenca da tpica queda abrupta que caracteriza o limiar. Mas ainda observamos a
tendencia da largura de linha em atingir um valor mnimo em aproximadamente 27GHz,
o menor valor nos casos abordados. Alem disso, podemos perceber a grande discrepancia
entre os resultados previstos para a largura de linha pela teoria e daquelas identificadas
pelos experimentos.
Este fato marcante para o angulo de 6.8o mostra que a teoria existente para tratar
a largura de linha nao e a mais adequada, pois existe um contraste bastante visvel entre
os resultados encontrados. Dessa forma, a teoria existente apresenta-se satisfatoria para
lasers tradicionais, mas ainda em aberto para lasers sem inversao de populacao e/ou de
alta eficiencia quantica como os lasers de microcavidade.
75
6.5
Espectros da Emiss
ao e-p:
Em todas as medidas espectrais da emissao e-p, tanto para o caso ressonante (nos
dois angulos analisados) quanto o nao-ressonante, sempre verificamos um deslocamento
das curvas de emissao para o azul. Sendo as medidas de bombeio quase-ressonante para
6.8o apresentando um comportamento diferenciado dos demais.
Para tentarmos entender o que ocorre, podemos verificar nas curvas de dispersao,
apresentadas na figura 5.4, a existencia um nvel de energia (nvel de energia excitonico)
sabido que o tempo
posicionado no fundo da banda de conducao do ramo da cavidade. E
de espalhamento de um eletron para o fundo da banda de conducao via fonons e muito
menor que o tempo de vida da emissao espontanea. Devido a esta diferenca no tempo de
recombinacao, e possvel que exista um estado condensado do tipo Bose no nvel de mais
baixa energia proporcionado pelos excitons, pois para um bombeio mais intenso, havera
um um fluxo maior de eletrons sendo excitados que recombinando radioativamente. Por
algum motivo este estado deve se saturar (cavidades de alto Q) e um novo estado deve ser
populado. O estado de menor energia a ser ocupado pelos excitons corresponde ao fundo
da banda de conducao do ramo da cavidade, que possui energia levemente superior ao
nvel excitonico. Isto poderia explicar o deslocamento para o azul no espectro que pode
ser observado nas figuras apresentadas.
Para que um novo estado seja populado pelos excitons deve haver, para certa
potencia de bombeio, uma descontinuidade na posicao espectral das curvas de emissao
para o azul. Nas figuras que identificam o comportamento da emissao e-p (6.5, 6.8 e 6.11)
podemos verificar ao lado de cada espectro correspondente a posicao dos picos de emissao
para bombeio ressonante a 6.8o e a 3.2o e para um bombeio nao-ressonante a 3.2o . Nela
podemos perceber um deslocamento mais abrupto das curvas correspondentes ao angulo
de 3.2o a uma potencia em torno de 100mW. Sendo este deslocamento mais suave para o
caso ressonante a 6.8o . Este fato encontra-se em concordancia com o comportamento da
largura de linha e do I/O para este caso (analisados na proxima seccao), mostrando uma
ocupacao gradual e contnua deste novo estado excitonico.
Mas apenas a luminescencia nao e por si so suficiente para evidenciar a presenca de
um estado condensado, apesar de existirem varias referencias na literatura que apontam
neste sentido[90]-[99]. Dessa forma, e imprescindvel a realizacao de experimentos de
magneto-optica para se confirmar esta proposicao que vem sido amplamente discutida
na literatura [95, 96], pois sob a acao de um campo externo os nveis excitonicos se
desdobram e a separacao em energia entre estes nveis variam de forma quase linear com
o mesmo[98]. Assim, poderemos sintonizar a energia do nvel excitonico populado com o
modo da cavidade aumentando o acoplamento entre eles e obtendo uma largura de linha
tao fina que sua deteccao ficaria limitada `a resolucao do espectrometro utilizado.
76
Captulo 7
Conclus
ao:
Para concluir este trabalho podemos salientar alguns aspectos importantes que
apresentamos no decorrer desta dissertacao:
A amostra utilizada para a realizacao dos experimentos apresentou-se bastante
satisfatoria, pois apresenta um fator de qualidade de 3300 e uma amplitude em
energia do Rabi-Splitting de 3, 4meV , evidenciando a presenca de um regime de
acoplamento forte.
O tratamento teorico apresentou-se bastante satisfatorio, quando comparados aos
resultados experimentais, para o comportamento da reflectancia, das curvas de I/O
e do efeito de Rabi-Splitting. Entretanto, os resultados para a largura de linha da
emissao mostraram-se relativamente satisfatorios apenas para o caso nao-ressonante.
Dessa forma, verificamos que o modelo hoje proposto para se descrever o comportamento da largura de linha da emissao para o caso ressonante ainda permanece
como um problema em aberto, pois apresenta uma queda contnua sem a usual
descontinuidade no limiar.
A interpolacao dos dados experimentais para as curvas de I/O indicam uma melhora
de 0.35% para 1.6% no fator de acoplamento quando bombeada ressonantemente
a 3.2o . Aumentando-se o angulo de bombeio para 6.8o verificamos uma melhora do
fator de 1.8%.
Para o angulo de incidencia de 6.8o verificamos que ao aumentarmos a potencia
de bombeio nao encontramos uma descontinuidade da curva de I/O indicando o
alto grau de acoplamento entre o exciton e o foton confinados na cavidade. Este
resultado pode ser confirmado na curva de largura de linha.
77
Os experimentos de fotoluminescencia indicam tambem a presenca de um deslocamento das curvas de emissao para o azul em todas as situacoes analisadas. Este
deslocamento apresenta-se minimizado ( 0.32meV ) para o caso ressonante a
6.8o com um deslocamento contnuo com o aumento da potencia de bombeio. Para
os outros casos o deslocamento da curva apresenta uma certa descontinuidade.
O modelo de dispersao apresentado pode interpretar bem o comportamento detectado
nos experimentos e permanece, em parte, em concordancia com os resultados previstos
teoricamente.
O estudo do efeito de Rabi-Splitting pela variacao da temperatura da amostra
apresenta um total desacoplamento entre o exciton e o foton confinado para temperaturas superiores a 40K. Podemos verificar tambem uma diferenca de energia entre
os modos da cavidade de 3meV e um fator de ganho g 7, 6 THz. A interpolacao
da curva experimental indica uma perda de 6.8 THz e 3.1 THz para o meio
ativo e para os espelhos, respectivamente.
Os resultados encontrados para o ajuste da curva experimental de reflectancia da
luz branca em regime de acoplamento forte, mostram que tal regime encontra-se no
seu limite, devido `a pequena diferenca encontrada entre as perdas do meio ativo
e do ganho da cavidade g. Atraves destes mesmos parametros foi possvel estimar
o valor correspondente `a freq
uencia de Rabi 7.4THZ, que se encontra em boa
concordancia com aquela medida experimentalmente 5THZ. Esta diferenca
pode ser considerada satisfatoria uma vez que existem efeitos que mudam as propriedades da emissao e do meio de ganho que nao foram abordadas na teoria.
Estes resultados em conjunto mostram que a amostra possui caractersticas marcantes que possibilitam o estudo completo dos fenomenos que podem ser analisados por
uma microcavidade deste tipo. Outra informacao importante encontra-se no fato destes
resultados apresentarem fortes indcios de um estado condensado de exciton-polariton.
Entretanto, para que esta afirmacao nao permaneca como uma simples especulacao e de
suma importancia que sejam realizados experimentos de magneto-optica (ja iniciados)
com o intuito de se verificar o comportamento da largura de linha da emissao laser.
Neste caso, a presenca de um estado condensado pode ser identificado pelo estreitamento
da curva de emissao, sendo esta limitada apenas pelo equipamento utilizado. O campo
magnetico neste caso, proporciona a sintonia entre a energia da cavidade (fixo) e do
exciton confinado.
Outros efeitos de grande discussao tambem apresentam-se bastante promissores na
sua discussao. Efeitos como a super-radiancia do e-p e a correlacao de fotons gemeos
serao estudados nesta estrutura. Neste u
ltimo caso, podemos tratar o problema devido ao
comportamento existente entre os harmonicos do espelho DBR analisados no apendice B.
Podemos neste caso, construir uma microcavidade com ressonancia do segundo harmonico
78
em o = 8000
A e analisar as caracterstica do foton emitido em 2o . Dessa forma, se torna
importante o estudo do segundo harmonico para uma estrutura como esta.
Uma outra fonte de analise importante, tambem ja iniciada, corresponde ao chaveamento opto-eletronico de uma microcavidade. Este estudo pode ser realizado desfrutandonos do efeito Stark, aplicando-se um campo eletrico na estrutura e deformando os gaps
de energia entre a cavidade e o poco quantico.
As analises da polarizacao da emissao laser tambem apresenta um novo caminho
ser seguido. Medidas realizadas para luz circularmente polarizada, mostram que a microcavidade emite linearmente polarizada apenas acima do limiar e no caso ressonante,
confirmando a hipotese de que a luz emitida pela mesma apresenta caractersticas particulares sem a influencia do bombeio. Temos a expectativa de poder continuar esta analise
da polarizacao da luz laser sob a acao do campo magnetico, com o intuito de saber se e
possvel excitar eletros do meio de ganho com uma determinada polrizac ao de spin.
Entretanto, devido `a grande diversidade de fenomenos que podem ser explorados
por esta estrutura, apenas com o tempo previsto para o mestrado se torna impossvel que
os problemas sejam totalmente tratados e concludos. Tendo em vista este fato, esperamos
que seja possvel a abordagem destes fenomenos mencionados anteriormente numa tese
de doutorado.
79
Captulo 8
Estudos da Visibilidade da Emiss
ao:
80
placa /4 em frente ao prisma polarizer que era girada quando posta numa haste contendo
marcas angulares. A deteccao da intensidade da emissao para as varias polarizacoes
era registrada no sistema de aquisicao de dados e a visibilidade foi obtida pela relacao
IImin
V = Imax
, onde I e a intensidade detectada, Imin e Imax correspondem ao mnimo
+Imin
e ao maximo de intensidade, respectivamente. Na figura 8.1 apresentamos os resultados
obtidos para as curvas de visibilidade da emissao laser do exciton-polariton e para o laser
incidente. As curvas apresentam os resultados encontrados para a visibilidade acima e
abaixo do limiar tanto para o bombeio ressonante quanto para o bombeio nao-ressonante.
81
1,0
1,0
Ti:Safira
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
Visibilidade (%)
Visibilidade (%)
Emisso
0,8
0,0
100
120
140
160
180
ngulo (Graus)
1,0
1,0
Ti:Safira
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
Visibilidade (%)
Visibilidade (%)
Emisso
0,0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
ngulo (Graus)
1.0
Laser Ti:Safira
Emisso e-p
Visibilidade (%)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
ngulo (Graus)
ao laser incidente para o caso ressonante. Para (a) Abaixo do limiar e (b) Acima do limiar.
82
Arquivos: Las537-567, Las600-630 e Las631-661.
Nas figuras apresentadas (8.1) podemos verificar claramente que a emissao a 6.8o
apresenta certa polarizabilidade acima do limiar (modo laser), cerca de 30%. Alem disso,
a polarizacao da emissao acompanha a polarizacao do laser incidente. Entretanto, e
importante notar tambem que abaixo do limiar (luminescencia) a emissao nao apresenta
polarizabilidade alguma, da mesma forma que a emissao nao-ressonante.
83
Ap
endice A
Espelhos DBR Quarter-Wave e
Half-Quarter-Wave:
1,0
Reflectncia (%)
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
()
(a) Quarter-Wave
1,0
0,9
Reflectncia (%)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
6000
8000
10000
12000
14000
()
(b) Half-Quarter-Wave
Figura A.1: Curvas de reflect
ancia para o caso de incidencia normal de um espelho DBR planar
em (a) para o tipo QWM e em (b) para o tipo HQWM, ambos produzidos com o = 8000
A.
Nesta mesma fig. 2.4 podemos confirmar o comportamento do espectro de reflectancia ao verificarmos que a banda de maxima reflectividade se torna cada vez
mais estreita ao passo que aumentamos o n
umero de pares que constituem o espelho. Um
processo de saturacao da reflectividade pode ser observado para um espelho formado
por mais de vinte pares de forma que se continuarmos a aumentar o n
umero de pares
verificaremos apenas um estreitamento na largura da banda.
A fig. A.2 mostra os modos fundamental e o segundo harmonico, indicando o mesmo
comportamento que anteriormente descrito nos espelhos DBR isoladamente, diferindo
apenas no aparecimento de uma janela de ressonancia tpica de uma cavidade FabryPerot. O comprimento de onda de ressonancia foi de o = 8000
A.
86
1,0
0,9
Reflectncia (%)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
2000
4000
6000
8000
10000
()
(a) Quarter-Wave
1,0
Reflectncia (%)
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
6000
8000
10000
12000
14000
()
(b) Half-Quarter-Wave
Figura A.2: Curvas de reflect
ancia para o caso de incidencia normal de uma cavidade formada
87
Ap
endice B
Para fins praticos podemos desfrutar de microcavidades ocas (sem meio ativo) para
uso em espectroscopia. Para esta finalidade e necessario medidas do comprimento de onda
com altssima precisao e boa definicao das linhas do espectro.
Assim, tomando uma cavidade Fabry-Perot constituda de placas de vidro ou quartzo
com suas superfcies refletoras bem polidas e postas em paralelo, podemos construir um
interferometro variando mecanicamente a distancia entre os espelhos utilizados, ou o ndice
de refracao da camada espacadora. Isto pode ser realizado, por exemplo, colocando um
gas entre os espelhos e variar a pressao do mesmo. Caso a distancia entre os espelhos e
mantida fixa o interferometro e chamado de etalon. O polimento e o paralelismo entre
os espelhos e essencial para obter uma maxima precisao nas franjas de interferencia, ou
seja, para que a largura de linha seja a menor possvel. Variacoes de 14 de comprimento de
onda da rugosidade nas superfcies refletoras ja sao consideradas comprometedoras para
aplicacoes precisas. Assim, rugosidades da ordem de 1/20 a 1/100 do comprimento de
onda sao necessarios.
A interferencia de m
ultiplos feixes providos de m
ultiplas reflexoes internas (devido `as
varias interfaces) de um feixe incidente uma cavidade tipo Fabry-Perot permite descrever
um padrao de interferencia circular de aneis concentricos. Ao analisarmos a diferenca
de caminho optico entre dois raios transmitidos sucessivamente podemos identificar uma
nd cos , onde n e o ndice de refracao do meio
diferenca de fase de = 2kd cos = 4
o
entre as superfcies refletoras separadas por uma distancia d e e o angulo de incidencia
em relacao `a normal.
88
Eot2r2
Eot2
Eo
ET = Eo t2 + Eo t2 r2 ei + Eo t2 r4 e2i + ...
X
2
= Eo t
(r2 ei )j1
(B.1)
j=1
Esta e uma serie geometrica com razao r2 ei , que por sua vez tende a:
ET =
Eo t2
1 r2 ei
(B.2)
T2
|1 Rei |2
(B.3)
Este resultado e obtido assumindo r = |r|ei 2 , isto apenas inclui um fator de fase
no coeficiente de reflexao r. Sendo T = |t|2 , R = |r|2 e = + r .
h
i
4Rsen2
O denominador de B.3 pode ser escrito como: |1 Rei |2 = (1 R)2 1 + (1R)22
E a equacao para a intensidade pode ser expressa como:
!
T2
1
IT = Io
(1 R)2 1 + Fsen2 2
89
(B.4)
(B.5)
(B.6a)
j = 2kj d cos + r
(B.6b)
Mas;
(B.7)
!
!
1
1
IT = Io
+ Io
(B.8)
0
1 + Fsen2 2
1 + Fsen2 2
Dessa forma, utilizado do criterio de Taylor para a distincao das duas linhas espectrais,
a intensidade total no ponto da superposicao das duas linhas e dado por:
!
1
I = 2Io
= Io
(B.9a)
0
1 + Fsen2
4
Fsen2
0
=1
4
(B.9b)
Assumindo que as duas linhas espectrais estao muito proximas a ponto de assumirmos
que a quantidade 0 e pequena, obetemos:
1R
0
12
(B.10)
| | = 4F = 2
R
90
E conseq
uentemente, em termos da freq
uencia:
2c 1
c 1R
0
| | = F 2 =
d
d
R
(B.11)
RP = |
ancia dos espelhos que
0 | = |0 | que pode ser expresso em termos da reflect
constituem a cavidade como:
!
R
(B.12)
RP = j
1R
Da o fator de qualidade pode ser expresso como Q =
1
.
RP
pois 2 = j, podemos perceber que quanto maior a separacao entre os espelhos d maior
sera a ordem de interferencia e por sua vez maior sera o intervalo espectral livre, o que
acompanha a tendencia no incremento de RP .
Um bom interferometro deve possuir um alto poder de resolucao, mas uma cavidade
laser deve possuir um alto fator de qualidade, e os dois sao propriedades bem distintas
que caracterizam cada estrutura, segundo sua finalidade. Entretanto, as microcavidades
por possurem dimensoes tao pequenas e espelhos de tao boa qualidade quanto os DBR,
elas podem ser fortes candidatas para a utilizacao em espectroscopia, podendo facilmente
adquirir um poder de resolucao da ordem de 106 , o que e de 10 a 100 vezes superior a
um prisma ou uma pequena rede de difracao. Do ponto de vista da sua utilizacao como
uma cavidade, a grande reflectividade dos espelhos proporciona uma largura de linha da
janela de ressonancia muito estreita, proporcionando um alto fator de qualidade, segundo
0|
a definicao Q = |
.
91
Ap
endice C
Algoritmo para o C
alculo da Reflect
ancia:
function Y = DBR(X);
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Introducao.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
disp ( << ESTE PROGRAMA SIMULA ESPELHOS DO TIPO "DBR" PARA PARES
DE GaAs & AlGaAs DEPOSITADOS NUM WAFFER DE GaAs >>);
disp (Produzido por "Eduardo Adriano Cotta" );
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Entrada de Parametros
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
X = input(Entre com as espessuras das camadas dieletricas em
nanometros:);
lambR = input(Entre com o comprimento de onda de ressonancia em
angstrons:);
n0 = input(Entre com o indice de refracao do meio em que a amostra
se encontra imersa:);
lam(1) = input(Entre com o comprimento de onda inicial em
angstrons:);
delta = input(Entre com a precisao em angstrons:);
Np = input(Entre com o numero de pontos a serem calculados:);
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Calculo da faixa de comprimentos de onda.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
for b=2 : Np
lam(b) = (lam(b-1) + delta); % Calcula de 3000 at\e 10000
end
% acrescentando pontos cujo intervalo
% determinado por "delta".
lamb = lam*1E-10;
92
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Indice de Refracao
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
for b = 1 : Np
nAlGaAs3(b) = 3.05788 + 20996842.96664/((lam(b))^2 - 3970700.41998) +
6.3991E-10*(lam(b))^2;
nAlAs(b) = 2.8612 + 8221952.80139/((lam(b))^2 - 7029576.03654) (1.5824E-11)*(lam(b))\^2;
nAlGaAs2(b) = 2.99001 + 36363415.91617/((lam(b))^2 + 11083814.87268) +
9.4594E-10*(lam(b))^2;
end
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Definicoes
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
N = length(X); %Numero de camadas dieletricas.
X = X*1E-9; %Transforma as unidades das espessuras em metros.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Reflectividade
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
for b=1 : Np
% #1
m = [1 0; 0 1];
n = nAlGaAs2;
% Loop que calcula a refletividade do sistema para o
% comprimento de onda lamb(b).
for a=1 : N
% #2
K = (2*pi*n(b))/(lamb(b)); %Calcula o vetor de onda K.
p = [(cos(K*X(a))) -(i*sin(K*X(a))/n(b)); -(i*n(b)*sin(K*X(a)))
(cos(K*X(a)))];
m = m*p;
if n == nAlGaAs2 % Indice de refracao da primeira camada
% dieletrica.
n = nAlAs;
% Indice de refracao da segunda camada
% dieletrica.
else
n = nAlGaAs2; % Indice de refracao da primeira camada
% dieletrica.
end
% Fim "if".
end
% Fim "for" #2.
A = m(1,1); B = m(1,2); C = m(2,1); D = m(2,2);
r=((A*n0)+(B*n0*nGaAs(b))-(C)-(D*nGaAs(b)))/((A*n0)+(B*n0*nGaAs(b))+(C)+(D*nGaAs(b)));
R(b) = r*(r);
end
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
% Producao das imagens graficas.
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
plot(lamb,R,r)
xlabel(Comprimento de Onda (metros))
ylabel(Reflectividade)
title(Reflectividade versus Comprimento de onda incidente num
espelho DBR)
93
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
%Gravacao de dados
%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%%
data = [lamb R];
save a:\reflectance.dat data -ASCII;
94
Refer
encias
[23] D. J. Heinzen, J. J. Childs, J. E. Thomas and M. S. Feld, Phys. Rev. Lett., Vol. 58,
1320, (1987).
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