Fundamentos de Electrnica

Teoria
Cap.7 Dispositivos Optoelectrnicos

Jorge Manuel Torres Pereira

IST-2010

NDICE
CAP. 7 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS
Pg.
7.1

Introduo ................................................................................................................... 7.1

7.2

Noes de Optoelectrnica ........................................................................................ 7.1

7.3

Fotoresistncias .......................................................................................................... 7.5

7.4

Fotododos ................................................................................................................... 7.8

7.5

Clulas Solares .......................................................................................................... 7.10

7.5.1 Efeito fotovoltaico em junes p-n .............................................................. 7.11
7.5.2 Efeito das resistncias srie e paralelo ........................................................ 7.17
7.5.3 Efeito da temperatura .................................................................................. 7.18
7.5.4 Clulas solares com rendimentos elevados ................................................. 7.19
7.5.5 Juno Schottky, MIS (Metal-Isolante-Semicondutor) ............................ 7.23

7.6

Fototransistores ........................................................................................................ 7.26

7.6.1 Tratamento qualitativo ................................................................................ 7.26
7.6.2 Tratamento quantitativo .............................................................................. 7.28

7.7

Fototiristores ............................................................................................................. 7.29

7.8

Dodos emissores de luz (LEDs) .............................................................................. 7.30

7.9

Acopladores pticos ................................................................................................ 7.35

7.9.1 Estrutura e princpio de funcionamento .................................................... 7.35
..................................................................... 7.38
7.9.2 Caracterstica IC (U CE )
I F = C te
...................................... 7.39
7.9.3 Caracterstica de Transferncia IC ( I F )
U CE = C te
7.9.4 Influncia da temperatura na relao de transferncia de corrente ....... 7.39
7.9.5 Influncia de uma resistncia externa REB entre Emissor e Base .......... 7.40

7.10 Laser de Semicondutor ............................................................................................ 7.41

7.10.1 Principio de funcionamento dos lasers ....................................................... 7.41
7.10.2 Estruturas para os lasers ............................................................................. 7.48
7.10.3 Caracterstica potncia luminosa-corrente e
caracterstica espectral dos LEDs e LASERs ............................................ 7.50
7.10.4 Lasers DFB e DBR ....................................................................................... 7.55
Bibliografia ......................................................................................................................... 7.56

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

7.1.

Introduo
Os dispositivos optoelectrnicos englobam um conjunto muito variado de dispositivos

cujo princpio de funcionamento assenta na interaco entre a radiao electromagntica e os

electres dos materiais utilizados no seu fabrico. Daremos especial ateno aos dispositivos
de materiais semicondutores, sendo de particular importncia:
1) Os fotodetectores: convertem num sinal elctrico as alteraes das suas propriedades
elctricas resultantes da incidncia de luz. Ex: fotoresistncias, fotododos,
fototransistores, fototiristores;
2) Os emissores de luz: transformam energia elctrica em radiao luminosa. Ex:
dodos emissores de luz (LED Light Emitting Diode) e fontes coerentes de radiao
(LASER Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation);
3) Os conversores optoelectrnicos: transformam energia luminosa em energia
elctrica. Ex: clulas solares;
4) Os acopladores pticos: promovem a ligao ptica entre dois circuitos (o emissor e
o detector de luz) que se encontram isolados galvnicamente;

7.2.

Noes de optoelectrnica
A emisso e a absoro de luz em dispositivos optoelectrnicos, pode ser explicada

fisicamente a partir da interaco entre os electres nos materiais, normalmente

semicondutores, e os quanta de energia electromagntica designados geralmente por fotes.
Interessa-nos em particular a radiao cujos comprimentos de onda se situam entre 102 e

102 m , o que corresponde ao espectro que vai do ultravioleta ao infravermelho

respectivamente, Fig. 7.1.
Das relaes fundamentais da Fsica Quntica, a frequncia f da radiao est
relacionada com a energia dos fotes atravs da constante de Planck h:

7.2 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

W = h f = ( hc ) /

(7.1)

onde c a velocidade de propagao da luz no vcuo e o comprimento de onda respectivo.

0, 4 0,8
( m )
f ( Hz )
W ( eV )

102

101

3 1014

3 1013

1.24 102 1.24 10

3 1012

1.24

ultravioleta

10

102

3 1011

3 1010

1.24 101

1.24 102

infravermelho
visvel

Fig. 7.1 Relao entre os valores de , f, e W no intervalo que vai do ultravioleta ao infravermelho.

Como conhecido, os estados de movimento para os electres num slido cristalino

encontram-se quantificados. Nas transies de electres entre estados, a energia W do sistema
assim como a quantidade de movimento p = k , descrita pelo vector de onda k, devem ser
conservadas. As interaces envolvidas podem ser de vrios tipos. Salientam-se as interaces
entre electres e a radiao electromagntica (electro-foto) e as interaces entre electres e
a rede cristalina (electro-fono). Nas interaces electro-fono a variao de energia
envolvida , em geral, muito pequena, da ordem da dezena de meV, embora a variao de
momento p possa ser aprecivel. Inversamente, nas transies electrnicas que envolvam a
emisso ou absoro de fotes, a variao de energia pode ser significativa, sendo desprezvel
a variao de momento. Assim, por incidncia de uma radiao electromagntica de
frequncia f , os fotes incidentes promovem a gerao de pares electro-buraco se a
variao de energia associada W = hf for superior altura de banda proibida, resultando
num aumento da condutividade do material. Inversamente, os processos de recombinao
esto associados emisso de fotes cuja energia hf igual variao de energia do
electro. Designa-se por transio directa aquela que no envolve modificao do momento,
Fig. 7.2 (a). Os semicondutores de banda directa so aquelas em que o mnimo de energia da
banda de conduo e o mximo de energia da banda de valncia se caracterizam pelo mesmo
valor de k. O Arsenieto de Glio, GaAs, um exemplo de semicondutor de banda directa. Por
transies indirectas so designadas aquelas que tambm exigem a variao do momento e,

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.3

portanto, esto associadas presena de fones, Fig. 7.2 (b). o caso das transies
electrnicas no Silcio para energias prximas da altura de banda proibida. Estes processos
so menos provveis do que no caso das transies directas, pois envolvem um maior nmero
de partculas.

W
WC (k )
WC (k )

hf = W

hf

k
hk
WV (k )

WV (k )

(b)

(a)

Fig. 7.2 Materiais semicondutores de (a) banda directa e (b) banda indirecta.

Se os fotes da radiao incidente tiverem uma energia superior altura da banda

proibida, WG , existe uma transio entre os estados da banda de valncia, onde existem
muitos electres ligados, e os estados da banda de conduo, onde existem muitos estados
vagos. Na banda de conduo o equilbrio entre os electres promovidos a estados de elevada
energia obtido por trocas de energia com a rede cristalina, Fig. 7.3. Se os fotes tiverem uma
energia inferior altura da banda proibida no pode haver criao de pares electro-buraco
por transio entre bandas. O material diz-se transparente radiao. Na prtica verificamse transies electrnicas que esto associadas quer a interaces com os estados profundos
da banda proibida (devidos s impurezas de substituio) quer a transies dentro da mesma
banda. Em qualquer dos casos a probabilidade de absoro de fotes muito baixa.
Consideremos um fluxo monocromtico de fotes de frequncia f e que incide num
material semicondutor segundo uma dada direco x. Em primeira anlise podemos admitir
que a taxa de absoro dos fotes com a distncia x proporcional ao nmero de fotes:
d
= ( x)
dx

m 3 s 1

(7.2)

7.4 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Transmisso de energia
rede cristalina

WC
Absoro de
um foto

hf > WG

WG

WV

Fig. 7.3 Processos associados absoro dum foto.

em que a constante de proporcionalidade designada por coeficiente de absoro dos fotes

para o material considerado. A resoluo de (7.2) conduz a uma diminuio exponencial do
nmero de fotes com a profundidade de penetrao no semicondutor, Fig. 7.4. Este
andamento de ( x) permite interpretar o inverso do coeficiente de absoro como a distncia
que em mdia os fotes percorrem no semicondutor at serem absorvidos. usual considerar
que os fotes incidentes so praticamente todos absorvidos numa espessura de semicondutor
da ordem de 4/.
( x)
0

1/

Fig. 7.4 Evoluo de ( x) .

Admitindo que cada foto absorvido origina um par electro-buraco, o ritmo de gerao por
efeito fotoelctrico interno ser dado por:
d
G fe = = 0 ex
dx

m 3 s 1

(7.3)

sendo 0 = ( x = 0) , representa assim a razo entre o ritmo de gerao por efeito

fotoelctrico e o fluxo de fotes ( x) .

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.5

Na Fig. 7.5 mostra-se a dependncia de com a energia para vrios materiais

semicondutores. de realar que, para os materiais de banda directa o valor de varia
bruscamente quando a energia dos fotes toma valores prximos dos da altura da banda
proibida do semicondutor.

Fig. 7.5 Coeficiente de absoro para vrios materiais semicondutores.

Os smbolos dos dispositivos fotoelctricos so semelhantes aos dos seus anlogos

normais, acompanhados de uma seta que alude emisso ou recepo de radiao.

7.3.

Fotoresistncias
As fotoresistncias so feitas de material semicondutor e as suas aplicaes esto

relacionadas com o aumento da condutividade devido aco de uma iluminao adequada.

Como se viu no pargrafo anterior o efeito fotoelctrico interno s se manifesta se a energia
dos fotes for maior que a altura da banda proibida. Por sua vez. a sensibilidade das
fotoresistncias ser tanto maior quanto maior o valor da resistncia na ausncia de
iluminao. Neste aspecto os semicondutores intrnsecos so mais vantajosos que os
semicondutores extrnsecos.
Se admitirmos que o material tem uma seco constante S e comprimento L, o valor da
resistncia dado por:

7.6 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

R=

1L
S

(7.4)

em que = q n n + p p .
Sob iluminao o ritmo total de gerao de pares electro-buraco possui uma
contribuio da agitao trmica da rede cristalina, Gter = rn0 p0 , e uma contribuio da
iluminao, G fe . As concentraes totais de electres e buracos apresentam um acrscimo em
relao ao valor de equilbrio termodinmico que, para iluminao uniforme, o mesmo para
os dois tipos de portadores :
n = n0 + n
p = p0 + n
Nessas condies fcil verificar que:
= o +

onde 0 = q n0 n + p0 p

(7.5)

a condutividade do material na ausncia de iluminao e

= qn p + n representa o efeito da radiao incidente na condutividade.

Em regime estacionrio, com iluminao:

G fe = R Gth = r ( n0 + n )( p0 + n ) rni2
= rn0 p0 + rn0 n + rp0 n + r n 2 rni 2

(7.6)

= r ( n0 + p0 ) n + r n 2
Consideremos as duas seguintes situaes:

1) Injeco fraca de portadores

Nessas condies (7.5) e (7.6) mostram que o ritmo de gerao por efeito fotoelctrico e
a condutividade so proporcionais.
= q

( p + n ) G fe
r ( n0 + p0 )

(7.7)

Para uma dada tenso U aplicada a variao de corrente observada por aco da
iluminao dada por:

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.7

I =

U S USq p + n G fe
=
L
L r ( n0 + p0 )

(7.8)

Define-se rendimento da fotoconduo como a razo entre o nmero de pares electro-buraco criados e o nmero de fotes absorvidos:
=

q G fe SL

U p + n

L r ( n0 + p0 )
2

(7.9)

A expresso (7.9) mostra que o rendimento da fotoconduo maior nos

semicondutores intrnsecos do que nos semicondutores extrnsecos. No entanto a diminuio
de ( n0 + p0 ) piora as respostas dinmicas dos dispositivos uma vez que aumenta os tempos
de vida mdio dos portadores. Uma outra maneira de aumentar o rendimento diminuir o
comprimento dos dispositivos mas tambm aqui se assiste a uma situao compromisso uma
vez que a consequente diminuio de resistncia do semicondutor na ausncia de iluminao
torna muito baixa a sensibilidade do dispositivo radiao.

2) Injeco forte de portadores.

Trata-se de outra situao limite. De (7.6) verifica-se no haver neste caso linearidade entre
e G fe . Consideremos, por conduzir a uma maior sensibilidade, o semicondutor como
intrnseco. Com n >> ni ter-se-
G fe

r n 2

(7.10)

pelo que

q n + p

G fe
r

O smbolo da fotoresistncia est representado na Fig. 7.6

Fig. 7.6 Smbolo da fotoresistncia.

(7.11)

7.8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Os

materiais

utilizados

nas

fotoresistncias

so

CdS

(WG = 2, 42 eV

f lim = 0,512 m) para a deteco de luz visvel e o Ge (WG = 2, 67 eV , f lim = 1,85 m ) ou o

InSb (WG = 0,18 eV , f lim = 6,89 m) para detectores de infravermelho.

7.4.

Fotododos
Nos fotodetectores s contribuem para a corrente os electres e buracos, gerados por

efeito fotoelctrico, que chegam aos contactos sem se recombinarem. Um processo simples e
eficaz para atingir este objectivo consiste em aproveitar a zona de depleo de uma juno pn. Com efeito o campo elctrico associado a esta regio permite separar espacialmente os

portadores gerados por efeito fotoelctrico e, devido fraca populao de electres e buracos
que caracterizam a regio de transio, a recombinao de portadores pouco importante. Sob
iluminao, a relao I(U) para o dodo pode escrever-se como:

I = I is e

U / uT

1 I fot

(7.12)

em que Ifot traduz a componente da corrente devida iluminao. Supondo que esta corrente
obtida por iluminao uniforme da regio de transio, ter-se-:
I fot = G fe A q

(U )

(7.13)

O comportamento do fotododo pode ser analisado em termos de uma fonte de corrente

controlada pela iluminao. O circuito elctrico equivalente dum fotododo est representado
na Fig. 7.7.
I fot

IF

U
Fig. 7.7 Circuito elctrico equivalente dum fotododo.

As caractersticas tenso-corrente de um foto-dodo, tomando o fluxo da radiao

incidente como parmetro, esto representadas na Fig. 7.8.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.9

I (A)

80

40
-0,4

-0,2

0,4

0,2

U (V)

2
3

Fig. 7.8 Caracterstica I(U) para um fotododo.

Para melhor linearidade e maior sensibilidade iluminao o fotododo deve estar

inversamente polarizado, Fig. 7.9. Neste caso a variao da tenso aos terminais da resistncia
uma medida da intensidade da radiao incidente.

+
E

Fig. 7.9 Circuito de polarizao de um fotododo.

Normalmente a iluminao do dodo feita lateralmente porque se fosse feita

directamente na regio de transio, dada a sua pequena espessura, I fot seria demasiado
baixa. Do lado iluminado a distncia do contacto metlico juno deve ser suficientemente
pequena, comparada com os comprimentos de difuso, para que os portadores gerados no
desapaream por recombinao. Dever, contudo ser suficientemente grande, comparada com
o inverso do coeficiente de absoro, para que o semicondutor, nessa regio, possa absorver
um elevado nmero de fotes incidentes.
A estrutura p-i-n revela-se particularmente adequada para a implementao de
fotododos, Fig. 7.10. Com polarizao inversa a regio depleta abrange toda a regio
intrnseca e o campo elctrico nesta regio aproximadamente constante. Deste modo

7.10 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

possvel obter valores de I fot muito mais elevados do que os que se obtm para os dodos de
juno convencionais. Por outro lado, a fotocorrente praticamente independente da tenso
de polarizao em virtude da largura da regio depleta ser determinada pela largura da regio
intrnseca, fixada tecnolgicamente. Alm das estruturas p-i-n podem-se fabricar fotododos
especialmente sensveis radiao aproveitando o mecanismo de disrupo por avalanche.
Estes fotododos de avalanche so polarizados na zona de disrupo.

Nd(x)
E(x)
n(x)
Na(x)

p(x)

p n ni
w
Zona de pleta
(a)

(b)

Fig. 7.10 Estrutura p-i-n: (a) densidade de portadores; (b) campo elctrico.

Quando comparadas com as fotoresistncias, os fotododos apresentam normalmente

uma menor sensibilidade iluminao, embora possuam vantagens em relao queles no que
diz respeito linearidade e rapidez de resposta.

7.5.

Clulas Solares
Os efeitos fotovoltaicos constituem uma classe de fenmenos em que, sob a aco da

luz, aparece uma diferena de potencial numa dada regio do semicondutor. O efeito
fotovoltaico pode tambm manifestar-se pelo aparecimento de uma corrente ou corrente e
tenso, dependendo do circuito exterior.
A luz incidente d origem ao aparecimento de excessos de portadores, relativamente aos
valores de equilbrio termodinmico. Os pares electro-buraco gerados, sob a aco de
campos locais, so separados podendo acumular-se em regies onde deixar de haver
neutralidade elctrica, resultando por isso o aparecimento de uma diferena de potencial. A
natureza e origem dos campos elctricos responsveis pelo aparecimento destes efeitos que
permitem distinguir os vrios tipos de efeitos fotovoltaicos. De entre eles ir-se- estudar com

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.11

mais pormenor o efeito fotovoltaico em junes p-n, com aplicaes importantes na gerao
de energia elctrica a partir da energia solar. Sero ainda referidas, no mesmo contexto, as
junes Schottky.

7.5.1. Efeito fotovoltaico em junes p-n

Como se sabe, na juno p-n existe um campo elctrico dirigido de n para p numa
regio relativamente estreita designada por regio de transio. Este campo elctrico ser o
responsvel pela separao dos portadores (electres e buracos) gerados aos pares pela
iluminao incidente, que deve possuir uma energia maior ou igual altura de banda proibida
do semicondutor utilizado. A separao das cargas d por isso origem ao aparecimento de
uma diferena de potencial, positiva de p para n. Se se curto-circuitarem os terminais de
juno p-n, aparecer uma corrente nos fios de ligao, a corrente de curto-circuito, e que flui
de n para p.
A expresso que relaciona a corrente e a tenso na juno p-n, sob iluminao, dever
possuir dois termos, um envolvendo a corrente devida iluminao e o outro termo associado
resposta do diodo tenso aplicada, sem iluminao. Pode escrever-se com alguma
generalidade:
U

I = I is e nuT 1 I cc

(7.14)

em que I is a corrente inversa de saturao, n o factor de idealidade e I cc a corrente

associada iluminao e que, nesta expresso, a corrente de curto-circuito, isto , a corrente
no circuito quando U=0. A expresso (7.14) vlida para os sentidos convencionados da Fig.
7.11 em que se assume que a tenso U exterior "cai" praticamente toda na regio de transio
(desprezam-se as resistncias associadas s regies quase-neutras n e p e aos contactos).
O valor de I cc depende das condies inerentes iluminao e estrutura em estudo. A
situao mais simples de analisar consiste em assumir que a iluminao monocromtica,
uniforme, com uma taxa de gerao por efeito fotoelctrico, Gfe, constante, e que a injeco
fraca. Calcula-se ento a evoluo da densidade de portadores minoritrios com a distncia,
para as regies n e p e a partir dessas expresses obtm-se as correntes de difuso nas
fronteiras entre a regio de transio e as regies neutras. A corrente associada iluminao
ser a soma destas duas contribuies (electres e buracos). Deste modo ter-se-:

7.12 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

I cc = qG fe ( L p + Ln ) A

(7.15)

I cc = qG fe (W p + Wn ) A

(7.16)

ou
2

em que L p , Ln so os comprimentos de difuso para buracos e electres respectivamente, e

W p , Wn so as larguras das regies p e n respectivamente e A a rea da seco transversal,

que se supe constante. A equao (7.15) vlida quando W p >> Ln ,Wn >> L p , e a equao
(7.16) vlida na situao em que W p << Ln ,Wn << L p (supe-se que a taxa de recombinao

nos contactos hmicos infinita). As expresses (7.15) e (7.16) no incluem a corrente

resultante da iluminao na regio de transio. Pode-se incluir esta contribuio
acrescentando em (7.15) e (7.16), dentro de parntesis, a largura da regio de transio.
d

E = hf

Lp

Ln

Wp

Wn

U
Fig. 7.11 Juno p-n sob iluminao. Assume-se Nd>>Na.

A caracterstica do dodo, sem e com iluminao, est representada na Fig. 7.12.

claro que o funcionamento da juno p-n como conversor fotovoltaico s possvel
se a juno p-n tiver o ponto de funcionamento no 4 quadrante. por isso que, para as
clulas solares, as caractersticas apresentadas na literatura, se reportam unicamente a este
quadrante.
Um dos parmetros caractersticos das clulas solares, para alm da corrente de curtocircuito, a tenso em circuito aberto, U ca . De (7.14) tira-se:
I

U ca = n uT ln cc + 1
I is

(7.17)

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.13

sem iluminao
com iluminao

UM
Pmax

U ca

Pmax

IM

( I cc + I is )
Fig. 7.12 I(U) para a clula solar.

Contudo, sob o ponto de vista das aplicaes, os parmetros determinantes na escolha

da clula solar prendem-se com a potncia mxima que ela pode fornecer e com o seu
rendimento.
O rendimento da clula solar, , definido por:
=

Pmax

(7.18)

Pincidente

Por sua vez, a potncia que a clula solar pode fornecer depende do seu ponto de
funcionamento em repouso e dada por:
U

P = UI = U I is e nuT 1 I cc

( 0 U U ca )

(7.19)

Para U = 0 e U = U ca a potncia zero, tomando o valor mximo para um dado

U = U M , no intervalo considerado. O ponto U=UM um ponto de estacionaridade da funo
P(U), pelo que se verifica a relao:

dP
=0

dU U =U M
ou seja

(7.20)

7.14 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

UM

UM

+ 1 I is e n uT I is I cc = 0

n uT

(7.21)

Desta equao transcendente obter-se-, por via numrica, o valor de UM . Substituindo

este valor em (7.14) obtm-se o valor de I= -IM, ficando ento determinado o ponto de
funcionamento em repouso (PFR) da clula solar correspondente potncia mxima.
Graficamente este PFR o ponto tangente do ramo de hiprbole da funo I= Pmax/U com a
caracterstica I(U), Fig. 7.12. A potncia mxima Pmax que a clula solar pode fornecer
ento dada por:
Pmax = U M I M

(7.22)

Na Fig. 7.12 a potncia mxima est representada pela rea a cinzento. Quando a clula
tiver uma caracterstica rectangular, o que corresponde situao ideal, o PFR correspondente
potncia mxima est no vrtice do rectngulo e Pmax= Uca Icc. Nalgumas situaes
suficiente linearizar a caracterstica por forma a facilitar a determinao do ponto de
funcionamento correspondente potncia mxima.
fcil de ver que a potncia mxima aumenta com o aumento de U ca e I cc pelo que se
devem escolher os materiais semicondutores que permitam obter valores elevados para esses
parmetros. de realar no entanto que no possvel aumentar simultaneamente U ca e I cc .
Com efeito o aumento de I cc pode ser obtido diminuindo a altura de banda proibida do
semicondutor (absorve fotes de uma gama espectral mais larga). Contudo, ao diminuir a
altura da banda proibida, a tenso em aberto diminui. Aumentando a altura da banda proibida
aumenta U ca mas diminui I cc . H por isso uma gama de valores da altura da banda proibida
que conduz a potncias mximas mais elevadas, e por isso a maiores rendimentos, Fig. 7.13.
A existncia de bandas de absoro no espectro solar, devido atmosfera terrestre, faz com
que, para um dado material, o rendimento baixe. Verifica-se tambm que, quando o efeito da
atmosfera terrestre mais pronunciado, o rendimento mximo obtido quando os materiais
utilizados tm alturas da banda proibida menores.
Define-se tambm o factor de forma ou factor de enchimento (FF) como:
FF =

P max
U ca I cc

(7.23)

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.15

em que FF < 1 . Quando FF = 1 a caracterstica da clula solar rectangular e corresponde

situao ideal.

35
30

(%)

25

Cu2S

AM1.5

Si

a:Si:H
GaAs
a:Si:H:F

Limite do corpo
negro (AMO)

20
AM0

15
CdS

10

T = 300 k

Ge

5
0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

EG (eV)

Fig. 7.13 Rendimento de clulas solares em funo da altura da banda proibida, para vrias
condies de iluminao.

O circuito de polarizao mais simples, que obriga o PFR da clula solar a estar no 4
quadrante, est representado na Fig. 7.14.

I
U

Fig. 7.14 Circuito de polarizao duma clula solar que permite fornecer energia resistncia R.

A recta de carga dada por:

I =

U
R

(7.24)

7.16 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

e est representada na Fig. 7.15.
I

U 0 U ca
U

I0

PFR

1/ R

Fig. 7.15 PFR correspondente ao circuito da Fig. 7.14.

Na Fig. 7.15 a rea a tracejado representa a potncia fornecida pela clula solar
resistncia R. evidente que a clula s pode fornecer a sua potncia mxima resistncia de
carga se esta tiver o valor Rop dado por:

Rop =

UM
IM

(7.25)

Na Fig. 7.16 mostra-se a estrutura e a caracterstica de uma clula solar de silcio com
rendimento elevado.

Contacto superior (Ti/Pd/Ag)

SiO2 ultrafino

N+

I (A)
Dupla camada antireflectora

Superfcie SiO2 (50 )

0,10

0,05

p
p+

(a)

0
Contacto inferior

-0,2 0,1

-0,05

-0,10

0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U (V)

U ca = 0, 64 V
J cc = 35, 48 mA / cm2
FF = 82, 2%
= 18, 7%

-0,15
(b)

(c)

Fig. 7.16 Clula solar de Si: (a) estrutura; (b) pormenor do contacto metlico na face iluminada;

(c) caracterstica I(U).

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.17

De acordo com (7.14), a clula solar pode ser representada pelo circuito elctrico
equivalente da Fig. 7.17.
I

D
I cc

Fig. 7.17 Circuito elctrico equivalente da clula solar baseado na equao (7.14).

7.5.2. Efeito das resistncias srie e paralelo

Um circuito mais realista inclui as resistncias srie Rs, e paralelo Rp que traduzem as
perdas de natureza hmica e as perdas por correntes de fugas respectivamente. conveniente
que Rs seja o menor possvel e Rp o maior possvel. A Fig. 7.18 mostra o circuito elctrico
equivalente da clula solar envolvendo estas resistncias.
I

RS

Rp

D
I cc

Fig. 7.18 Incluso das resistncias srie e paralelo no circuito elctrico equivalente
de uma clula solar.

Com a incluso das resistncias Rs e Rp a relao I(U) tomar a forma:

U Rs I

U Rs I
I=
+ I is e nuT 1 I cc

Rp

(7.26)

A influncia de Rs e Rp nas caractersticas da clula solar est representada na Fig. 7.19.

fcil de ver que Rs e Rp afectam fundamentalmente o factor de forma, que se traduz numa

7.18 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

alterao acentuada do rendimento. de realar que o rendimento mais sensvel a Rs do que
a Rp pelo que, na maior parte dos casos, s a influncia de Rs que contabilizada, Fig. 7.20.

Fig. 7.19 Influncia na caracterstica da clula solar de: (a) Rs, Rp= ; (b) Rp, Rs=0.

Fig. 7.20 I(U) para uma clula solar de Si com rea de 1,7 cm2 exposta luz solar.
Os crculos representam os pontos experimentais.

7.5.3. Efeito da temperatura

A temperatura pode variar entre valores muito diferentes para as clulas solares
colocadas no exterior, dependendo da estao do ano, da hora do dia, das condies
climatricas, etc.
A corrente I cc no fortemente dependente da temperatura. Sobe ligeiramente com o
aumento da temperatura j que o coeficiente de absoro do semicondutor sobe com a

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.19

temperatura devido diminuio da altura da banda proibida. Quanto tenso U ca e ao

factor de forma FF, ambos diminuem com o aumento da temperatura. Deste modo o
rendimento, que pode ser expresso por:

FF U ca I cc
Pincidente

(7.27)

dever diminuir quando a temperatura aumenta. Verifica-se que os semicondutores de maior

altura de banda proibida so menos sensveis a variaes de temperatura. Est neste caso o
GaAs que, relativamente ao Si, permite obter clulas solares com aproximadamente metade
da sensibilidade temperatura.

7.5.4. Clulas solares com rendimentos elevados

Como se viu, Fig. 7.13, o rendimento terico das clulas solares mximo, e toma
valores da ordem dos 23%, quando a altura da banda proibida est no intervalo 1,4 - 1,6 eV.
Para as clulas reais o rendimento menor devido a vrios factores, nomeadamente: a
recombinao em superfcie e no interior do semicondutor, resistncias parasitas (resistncia
srie), e ainda dificuldade de captar a luz de forma eficiente para o interior do semicondutor
(contactos bloqueiam parte da luz, reflectividade da interface semicondutor/ar). Um projecto
adequado da estrutura da clula solar poder contudo minimizar alguns dos problemas
referidos e aumentar o seu rendimento.
Pode-se melhorar o acoplamento ptico utilizando contactos metlicos com a geometria
optimizada, por forma a bloquearem o menos luz possvel. Contudo deve tambm garantir-se
que o valor da sua resistncia e o da resistncia entre o contacto e o semicondutor sejam
baixos e que haja o mnimo de perdas associadas s correntes laterais, que se estabelecem na
camada superior do semicondutor junto ao contacto. A utilizao de camadas antireflectoras
transparentes (uma ou vrias) podem reduzir a reflectividade da clula solar a valores bastante
baixos numa gama de comprimentos de onda elevada. Outra forma de reduzir a reflexo a
de fabricar a superfcie exposta de modo a apresentar textura, Fig. 7.21.
Com este tipo de clulas mais luz injectada no semicondutor permitindo tambm
maior absoro para os comprimentos de onda maiores. Estas clulas possuem contudo
algumas desvantagens nomeadamente: dificuldade de fabrico, o problema de manuseamento,
e o facto de haver fotes que podem ser injectados no semicondutor sem terem a energia
adequada para a criao de pares electro-buraco e que acabam por ser responsveis pelo
aumento da temperatura da clula.

7.20 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Contacto metlico

Luz

Microtextura

Pelcula fina de xido

p+

Contacto
da base

(a)

(b)

Fig. 7.21 Superfcie com textura para diminuir as perdas por reflexo: (a) Corte em que se mostra o
princpio de funcionamento; (b) clula solar.

Pode-se tambm aumentar a potncia luminosa incidente na clula solar utilizando

concentradores. possvel deste modo aumentar U ca , I cc e . Na Fig. 7.22 (a) e (b)
representam-se o andamento de U ca , e FF para vrios valores da densidade de potncia
incidente. O aumento de com a potncia incidente prende-se com a subida de U ca , I cc e FF .
Aps atingir um mximo decresce, fundamentalmente devido diminuio de FF que se
associa ao efeito da resistncia srie, mais importante para correntes mais elevadas.
Nas clulas solares que utilizam concentradores os so em geral mais baixos que os
previstos, devido ao aquecimento da clula solar. Neste caso necessrio arrefecer a clula
solar para que se garantam valores aceitveis. Para concentraes baixas pode ser suficiente o
arrefecimento passivo, enquanto que para concentraes altas o arrefecimento activo (e.g.
circulao forada de gua) obrigatrio.

Fig. 7.22 (a) Rendimento da clula solar em funo da potncia incidente; (b) Tenso em aberto e
factor de enchimento em funo da potncia incidente.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.21

Um sistema eficiente, sob o ponto de vista de absoro de fotes numa vasta gama de
valores de energia, consiste em ter clulas solares constitudas por materiais semicondutores
com alturas da banda proibida diferentes, dispostas por ordem decrescente de altura de banda
proibida, com o material de altura da banda proibida maior directamente exposto radiao.
Os fotes de menor energia sero absorvidos pelo material que se encontra mais longe da
superfcie enquanto que os de energia mais elevada so absorvidos pelo semicondutor
superfcie. Deste modo estas clulas solares conseguem absorver fotes duma gama espectral
maior do espectro solar do que aquelas que s utilizam um nico tipo de material
semicondutor. Um efeito semelhante conseguido atravs da separao espectral da radiao
por espelhos que a reflectem para as clulas solares apropriadas, Fig. 7.23.

Fig. 7.23 Sistemas que permitem alargar a gama espectral til do espectro solar para converso
fotovoltaica.

Na Tabela 7.1 indicam-se os rendimentos ptimos de clulas solares obtidas pela

combinao de vrios materiais para uma concentrao da luz solar correspondente a 1000
sis (1000 AM1). No clculo desprezam-se as perdas pticas, que podero reduzir esses
valores de entre 20 a 50%.
At ao momento tem estado implcito que as junes p-n referidas so homojunes,
i.e., possuem o mesmo tipo de semicondutor do lado p e do lado n. No entanto os materiais
semicondutores do lado p e do lado n podem ser diferentes e a juno p-n designa-se por
heterojuno. Estas estruturas no apresentam vantagens relativamente homojuno. De
facto a existncia de uma descontinuidade em qualquer das bandas indesejvel sob o ponto
de vista de converso fotovoltaica. Verifica-se que h uma melhoria acentuada do rendimento
das heterojunes quando a descontinuidade na banda de conduo pequena ou no existe e
que esse rendimento, nestas condies, est limitado superiormente pelo rendimento
associado clula solar fabricada com o material de menor altura de banda proibida.
de realar que embora a heterojuno no traga vantagens a existncia de uma
pelcula fina de um material de maior altura da banda proibida no topo da clula solar permite

7.22 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

melhorias substanciais no seu rendimento. Este material normalmente fortemente dopado e
d origem a maiores diferenas de potencial de contacto e por isso a tenses em circuito
aberto mais elevadas. Por sua vez, sob o ponto de vista ptico, serve de janela para a luz solar
que incide no material de banda proibida menor reduzindo as perdas. Estruturas deste tipo so
por exemplo clulas de GaAs com a camada superior de GaP ou clulas de silcio amorfo com
a regio de topo de SiC.

Tabela 7.1 Rendimentos optimizados para sistemas de clulas solares empilhadas (1000 AM1).

# Clulas

(%)

WG(eV)

Solares

1,4

32,4

1,0

1,8

1,0

1,6

2,2

0,8

1,4

1,8

2,2

0,6

1,0

1,4

1,8

2,2

0,6

1,0

1,4

1,8

2,0

2,2

0,6

1,0

1,4

1,8

2,0

2,2

2,6

0,6

1,0

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

44,3
50,3
53,9
56,3
58,5
59,6
2,6

60,6

Na Fig. 7.24 mostra-se uma estrutura correspondente soluo de clulas empilhadas

da Fig. 7.23.

Fig. 7.24 Implementao de uma estrutura com clulas empilhadas.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.23

7.5.5. Juno Schottky, MIS (Metal-Isolante-Semicondutor)

Na juno metal-semicondutor existe tambm uma diferena de potencial de contacto e

portanto um campo elctrico local. Esta juno ter caractersticas rectificadoras se, do lado
do semicondutor junto interface, se formar uma regio depleta. possvel atingir mais
facilmente este objectivo se o semicondutor for tipo n devendo o trabalho de sada do
semicondutor ser inferior ao trabalho de sada do metal. O diagrama de bandas para este
contacto metal-semicondutor com caractersticas rectificadoras est representado na Fig. 7.25
e designa-se por contacto Schottky.

Fig. 7.25 Diagrama das bandas para um contacto Schottky em equilbrio termodinmico.

A caracterstica I(U) de uma juno Schottky qualitativamente idntica de uma

juno p-n contudo, para a juno Schottky, a corrente tem duas contribuies: a corrente de
difuso de buracos no semicondutor tipo-n e a corrente de electres atravs da barreira, cuja
altura varia com a tenso aplicada. Normalmente a corrente de electres muito superior de
buracos o que indesejvel porque aumenta a corrente inversa e diminui a tenso em circuito
aberto, Fig. 7.26. Convm por isso que a altura da barreira seja o maior possvel para que Uca
tambm aumente.

Fig. 7.26 I(U) para a juno Schottky e a juno p-n.

7.24 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Poder-se-ia pensar que a utilizao dum metal com trabalho de sada maior conduziria a
caractersticas melhores. Acontece que na prtica a altura de barreira toma valores
aproximadamente constantes para os diversos metais pelo que no so observadas diferenas
apreciveis. As razes deste comportamento parece assentar na existncia de um nmero
considervel de estados na interface metal-semicondutor resultante quer da contaminao por
impurezas dessa superfcie quer pelo facto de os materiais no possurem a mesma constante
da rede cristalina. possvel conseguir uma estrutura em que os efeitos associados ao trabalho
de sada do metal so perfeitamente discernveis. Para tal deposita-se uma fina camada de
xido entre o metal e o semicondutor de modo a suprimir a corrente de maiorias na interface
metal-semicondutor. Deste modo a corrente na estrutura MIS fundamentalmente idntica
de uma juno p-n permitindo obter valores mais elevados de Uca.
A iluminao da estrutura Schottky e MIS feita do lado do metal pelo que este deve
poder deixar passar a luz para o semicondutor e ao mesmo tempo servir de ligao elctrica
ao circuito exterior. Tm sido implementadas vrias solues:
1) Camada muito fina de metal. Esta soluo d origem a uma resistncia srie
elevada pelo que necessrio utilizar uma grelha metlica de maior espessura
para efectivar a ligao ao exterior.
2) O contacto metlico feito atravs de uma grelha muito fina e densa.
3) O contacto de topo um condutor transparente (e.g. xidos de ndio e estanho que
so basicamente semicondutores fortemente dopados). A estrutura resultante
costuma designar-se por SIS (semicondutor-isolante-semicondutor). Na Fig. 7.27
mostra-se a implementao dos contactos metlicos de duas estruturas MIS.

Fig. 7.27 Contactos em duas estruturas MIS (no escala).

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.25

Na Fig. 7.28 mostram-se clulas de silcio amorfo hidrogenado de tipo Schottky, MIS e

p-i-n.

Fig. 7.28 Clulas solares base de a-Si:H do tipo: (a) Schottky; (b) MIS; (c) p-i-n.

Nas Tabelas 7.2 e 7.3 indicam-se os valores de alguns parmetros caractersticos de

clulas solares com vrias estruturas e materiais.
Tabela 7.2 Rendimento para vrios tipos de clulas solares.

Materiais

Tipo de Juno

Rendimento (%)

1. Cu2S/CdS

HJ

~10

2. Cu2S/Zn0,16CdS0,84S

HJ

10,2

3. Cu2-xS/CdS

HJ

3,3

MIS

5.CdS/CdTe

HJ

~10

6. CuInSe2/ZnCdS

HJ

~10

Schottky

2,5

HJ

5,7

9. GaAS

Schottky

5,5

10.GaAs

n+/p/p+

17

11.Si

Homo

13.Si

Homo

12

Schottky

15. a-Si:H:F

MIS

6,2

16.a-Si:H

p-i-n

10

4,. CdSe

7. Zn3P2
8.InP/CdS

14.a-Si:H

7.26 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Tabela 7.3 Parmetros caractersticos de vrios tipos de clulas solares fabricadas com a-Si:H.
Tipo

Configurao

rea
(cm2)

Uca
(mV)

Jcc
(mA cm-2)

FF

(%)

p-i-n

ITO/n c-Si:H/i-p a-Si:H/ao

1,2

860

13,9

0,655

7,8

p-i-n

ITO/n-i-p a-Si:H/ao

0,04

857

13,0

0,62

6,9

p-i-n

Al/Ti/n-i-p a-Si:H/SnO2/vidro

0,1

801

12,55

0,675

6,8

HJ

Al/n-i a:Si:H/p a-Si:C:H/ITO/vidro

0,033

880

15,2

0,601

8,0

HJ

Al/n-i a:Si:H/p a-Si:C:H/SnO2/vidro

1,0

880

14,1

0,624

7,7

HJ

ITO/p a-Si:H/i a-Si:Ge:H/n a-Si:H/ao

1,0

635

7,2

0,57

2,6

HJ

ITO/p a-B:Si:H/i-n a-Si:H/ao

0,05

670

6,9

0,35

1,6

HJ

Pd/a-B: H/i-n a-Si:H/ao

100

800

6,0

0,55

2,6

HJ

Ag/n-i a-Si:H/p a-Si:C:H/SnO2/vidro

1,09

840

17,8

0,676

10,1

7.6.

Fototransistores

7.6.1. Tratamento qualitativo

O fototransistor apresenta uma estrutura funcional idntica do transstor clssico, No

entanto a juno BC polarizada inversamente concebida como uma fotojuno, beneficiando
no entanto da aco amplificadora da vizinha juno emissora que se encontra polarizada
directamente. Consideremos o transstor clssico. Admitamos a juno BC inversamente
polarizada. Com o emissor em aberto, Fig. 7.29(a), tem-se I C = I CBO . Com a base em
aberto, Fig. 7.29(b), tem-se I C = I CEO = (1 + F ) I CBO . a diferena entre I CBO e I CEO que
traduz a vantagem do fototransistor sobre o fotododo.
Considerando de novo o circuito da Fig. 7.29 (a). Para que IE = 0, as componentes de
difuso dum lado e doutro da regio de transio cancelam-se. Os portadores difundem-se no
mesmo sentido, o que s possvel com concentraes inferiores s de equilbrio
termodinmico. A juno emissora, embora o terminal emissor esteja no ar, est polarizada
inversamente. As distribuies de minorias esto representadas na Fig.7.30.
Consideremos agora o circuito da Fig. 7.29(b). A corrente verificada corresponde a

I C = I E e distribuio de minorias da Fig. 7.31. Agora a juno emissora est polarizada

directamente para que a corrente de difuso de electres no emissor possa ser igual difuso
de electres no colector. A componente da corrente devida base muito maior do que no
caso da Fig. 7.30 porque a juno EB est polarizada no sentido directo.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.27

R
I C = I CBO

I C = I CEO

E
+

(U E < 0 )

(U E > 0 )

E
UE

UE

IE

(a)

(b)

Fig. 7.29 Fototransistor com o emissor em aberto (a) e com a base em aberto (b)

Base
(n)

Emissor
(p)

Colector
(p)

n p 0C
LnC

pn 0 B
LnE

n p0E

Fig. 7.30 Distribuio dos portadores minoritrios num fototransistor com o emissor em aberto.
A tracejado representam-se as distribuies de equilbrio termodinmico.

Emissor
(p)

Base
(n)

LnC

Colector
(p)

n p 0C

pn 0 B
n p0E
LnE

Fig. 7.31 Distribuio dos portadores minoritrios num fototransistor com a base em aberto.
A tracejado representam-se as distribuies de equilbrio termodinmico.

7.28 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

7.6.2. Tratamento quantitativo

O efeito fotoelctrico manifesta-se tambm na juno EB do transstor. Assim, sendo

I CO e I EO , respectivamente, as correntes de curto-circuito de colector e emissor, tomadas

como positivas, as equaes de Ebers-Moll devero ser substitudas por:

I E = I ES (U E ) R ICS (U C ) I EO

(7.28)

I C = F I ES (U E ) + I CS (U C ) I CO

(7.29)

sendo (U ) = exp (U / uT ) 1 e I CO

I EO .

As equaes derivadas podem ento escrever-se como:

I c = F I E + I CBO (U C ) F I EO I CO

(7.30)

I C = F I B + I CEO (U C ) F I EO (1 + F ) I CO

(7.31)

Normalmente despreza-se I E 0 em face de I C 0 . Isto resulta de, por construo, a rea

exposta da juno emissora ser desprezvel em relao rea iluminada da juno colectora,
alm de, pelo facto da juno EB estar normalmente directamente polarizada, o comprimento
da regio de transio ser menor do que o da regio de transio da juno BC.
Na montagem com base em aberto I E = I C , e o circuito exterior polariza inversamente
a juno colectora com U C

uT . A tenso U E ajusta-se s correntes I CO e I EO

resultantes da iluminao. Nestas condies (7.31) pode escrever-se como:

I C = F I EO (1 + F ) I CO I CEO

(7.32)

Na montagem com emissor em aberto a corrente de colector pode ser expressa como

I C = F I E 0 I C 0 I CB 0

(7.33)

Comparando (7.33) com (7.32) fcil de verificar que a montagem com base em aberto
mais sensvel iluminao que a de emissor em aberto.
Baseado na equao (7.32) possvel modelar o comportamento do fototransistor
custa de um fotododo e de um transstor clssico (Fig. 7.32).

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.29

C

E
pnp

E
npn

Fig. 7.32 Fototransstor e modelo equivalente envolvendo um fotododo.

O efeito fotocondutor pode ser melhorado por construo, em alguns fototransistores,

ou em montagens especiais. Assim, por exemplo, para aumentar a eficincia da fotoconduo,
o colector deve ter uma concentrao muito fraca de impurezas de substituio de modo a
aumentar a respectiva regio de transio. Contudo, a elevada resistividade que lhe est
associada pode originar uma queda de tenso que polariza directamente a juno BC, levando
o fototransistor saturao para baixos valores de tenso U CE . Como resultado o transstor
apresentar uma distoro das caractersticas de sada.
Um outro exemplo o acoplamento entre um fototransistor e um transstores normal
numa montagem de Darlington, Fig. 7.33. No transstor exterior as correntes IC0 e I EO
aparecem multiplicadas por factores da ordem do produto dos F dos dois transstores.
Embora com maior ganho esta montagem perde em rapidez.

Fig. 7.33 Montagem Darlington

7.7.

Fototiristores
Estes dispositivos so semelhantes aos correspondentes no pticos, surgindo por

acrscimo a possibilidade de iluminao com a consequente gerao de pares electro-buraco.

7.30 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

A fotoconduo vem alterar os valores das correntes aos terminais, assim como das tenses
que permitem a modificao do estado cortado ao de conduo. De salientar o facto de que a
extino da iluminao no provoca o regresso do estado de conduo ao estado cortado.
Contrariamente aos dispositivos anteriores, a corrente nos fototiristores no
proporcional intensidade de iluminao. A sensibilidade iluminao que provoca o disparo
pode ser variada modificando a resistncia exterior entre a porta G e o ctodo K, como se
pode ver na montagem de principio da Fig. 7.34. O nvel do disparo depende, tal como nos
tiristores, de vrias grandezas tais como a tenso na porta, ritmo de variao temporal da
tenso na porta, temperatura, valor de RK , etc.
C

Rk
U
Fig. 7.34 Circuito de aplicao de um fototiristor.

7.8.

Dodos emissores de luz (LEDs)

O dodo emissor de luz, LED Light Emission Diode, um dispositivo que converte

a energia elctrica em energia luminosa. A converso est associada a transies electrnicas

acompanhadas da emisso de fotes de comprimentos de onda compatveis com a variao de
energia ocorrida. As transies, ditas radiativas, podem ser de vrios tipos: transies
interbandas, entre nveis de impurezas, entre uma banda e nvel de impurezas, etc. Estas
ltimas so frequentes em semicondutores de banda indirecta, onde as transies interbanda
se fazem recorrendo a nveis de energia intermdios associados a impureza que, por
interaco com a rede cristalina, permitem absorver a diferena da quantidade de movimento
associada transio. Nos semicondutores de banda proibida directa aos nveis de energia
intermdios no so necessrios.
Seguem-se resumidamente as condies que devem ser verificadas nos LEDs de forma

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.31

a optimizar a converso de energia elctrica em luminosa:

Possibilidade de transies interbanda nos materiais. Utilizam-se por isso

dispositivos de semicondutor de banda directa, como os semicondutores compostos
binrios, e.g., GaAs ou o GaP, ou ternrios, e.g., GaAs1-xPx);

Elevada populao de electres e buracos de forma a garantir um elevado ritmo de

recombinao. Utilizam-se junes pn polarizadas directamente;

Ausncia de retro-reflexes da luz emitida. Para o efeito, utilizam-se camadas

envolventes do semicondutor com ndices de refraco prximos do semicondutor;

Ausncia de frequncias indesejveis na radiao emitida. H que utilizar materiais

sem defeito cristalinos ou outras imperfeies que possam estar na origem de centros
de recombinao das transies associadas.
A Fig.7.35 mostra vrias estruturas para dodos emissores de luz no infravermelho
(IREDs), assim como a sua implantao no encapsulamento de plstico.

Fig. 7.35 Diferentes Estuturas de LED que emitem nos infravermelhos.

O valor da altura da banda proibida do material utilizado superior ao do silcio,

correspondendo-lhe portanto concentraes intrnsecas menores, mesma temperatura. A
relao corrente-tenso a do dodo:

nuT

I = I is e 1

(1 < n < 3)

(7.34)

com I is = 1028 A para um dodo de GaAs emitindo no infravermelho, = 940 nm;

I is = 1029 A para dodo de GaAsP emitindo no vermelho, = 650nm . So valores tpicos:

7.32 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

correntes at 100 mA, tenses de aproximadamente 1 V, diferenas de potencial de contacto
de 2 V. A caracterstica tenso-corrente tpica de um dodo emissor de luz est representada
na Fig. 7.36. A parte da curva a tracejada indica a zona de funcionamento em regime pulsado
para dois impulsos de diferente durao.

Fig. 7.36 Caracterstica tenso-corrente de um LED.

A potncia luminosa emitida pelo LED, P0 , varia com a corrente que o atravessa I F , de
uma forma aproximadamente linear para correntes relativamente baixas ( I F 100mA)
tendendo a saturar para correntes mais elevadas, Fig. 7.37, em virtude do forte aquecimento
do dispositivo para este intervalo de valores de corrente. possvel contudo ultrapassar este
problema atravs da aplicao de impulsos entrada do LED em substituio da tenso
constante, o que permite aumentar o intervalo de linearidade da relao P0 ( I F ) .
Outra vantagem na utilizao de impulsos a da possibilidade de extender a zona de
funcionamento do dodo a regies correspondentes a correntes demasiado elevadas para que o
funcionamento esttico seja possvel (limitaes de potncia). A potncia P0 pode ser
expressa, de forma aproximada, por:

P0

I WG

(7.35)

WG - altura da banda proibida.

I - nmero de fotes emitidos na unidade de tempo
Por sua vez, I proporcional a I F , sendo a constante de proporcionalidade
denominada por rendimento quntico externo, e .

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.33

Fig. 7.37 Caracterstica potncia luminosa-corrente de um LED.

Pode-se pois escrever:

I = e I F / q

P0 = eWG / q I F

(7.36)

e traduz o quociente entre o nmero de fotes emitidos para o exterior e o nmero de

electres que se recombinam. Como o mecanismo de recombinao tem lugar longe da
superfcie do dodo emissor de luz, e pode ser expresso como:

e = i t s

(7.37)

Com:

i - rendimento quntico interno (quociente do nmero de fotes produzidos pelo nmero de

electres recombinados num dado elemento de volume do semicondutor

100%

para os materiais de banda directa).

t - rendimento de transmisso (quociente do nmero de fotes que atingem a superfcie do

semicondutor e os fotes emitidos no elemento de volume do mesmo).

s - rendimento de interface (quociente do nmero de fotes que escapam para o exterior e

7.34 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

os que atingem a superfcie).

Um aumento de temperatura provoca a diminuio do rendimento quntico externo, o

que explica a diminuio de P0 a I F constante, Fig. 7.38. Para os dodos emissores de luz no
infravermelho, os valores tpicos de e oscilam entre 1% e 6%.

Fig. 7.38 Evoluo da potncia luminosa emitida por um LED em funo da temperatura.

Vantagens: tempos de resposta muito baixos (da ordem dos ns), logo com possibilidade
de modulao de fluxo emitido por comando de corrente at frequncias elevadas; espectro
definido e limitado; fiabilidade e robustez.
Desvantagens: fluxo muito fraco (aprox. 100 mW ); grande sensibilidade temperatura.
Esta afecta no s o ritmo de gerao de portadores, atravs de i , assim como a constante de
proporcionalidade entre os ritmos e as concentraes de portadores, r (T ) . Um funcionamento
pulsado especialmente adequado para evitar as variaes de temperatura e os seus efeitos.
Aplicaes: lmpadas indicadoras, algarismos feitos de segmentos, leitores de fitas e
cartes, comunicao por fibra ptica, constituintes de acopladores pticos, etc.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.35

7.9.

Acopladores pticos

7.9.1. Estrutura e principio de funcionamento

Os acopladores pticos mais correntes (tambm conhecidos por isoladores pticos), so

constitudos por um dodo emissor de luz de GaAs (infravermelho) e um fototransstor de
silcio (ou um fotododo de silcio) utilizado como detector, Fig. 7.39 (a) e (b), e separados
por um dielctrico que permite o isolamento galvnico entre emissor e detector. A utilizao
do fototransistor de silcio como detector deriva da elevada sensibilidade do silcio s
frequncias emitidas pelo dodo de GaAs. A Fig. 7.40 permite comparar as frequncias
centrais de dodos emissores fabricados com vrios materiais e sensibilidade relativa do olho
humano, silcio e germnio.

hf

Sada

Entrada

hf
Entrada
Sada

(a)

(b)

Fig. 7.39 Esquema elctrico de um acoplador ptico.

%
100

GaAs
GaAs:Si

GaP:N

Sensibilidade

80

Olho
humano

Dodo de Ge

60
GaAs0.15P0.85:N
Dodo de Si

40
20
0
200
Ultra
Violeta

GaAs0.35P0.65:N
GaAs0.6P0.4
500
Luz
Visvel

1000
Infra-Vermelho
Prx.

1500

2000 nm
Infra-Vermelho
Med.

Fig. 7.40 Sensibilidade do dodos de Ge, Si e do olho humano radiao

emitida por vrios materiais semicondutores.

7.36 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

O isolante (vidro ou plstico) escolhido por forma a permitir o mnimo de perdas na
transferncia de radiao do emissor para o detector. A rigidez dielctrica do isolante
juntamente com a sua espessura, determinam o valor mximo da diferena de potencial que se
deve estabelecer entre a entrada e a sada. Como a relao de transferncia de corrente
(quociente entre a corrente de colector no fototransistor e a corrente no emissor de luz)
inversamente proporcional distncia que separa o emissor do detector e o valor mximo do
potencial proporcional a essa distncia, a escolha da espessura do dielctrico resulta do
compromisso entre estes dois efeitos. A tenso mxima de isolamento da ordem de alguns
KV e a resistncia do isolante

1011 . A Fig. 7.41 mostra o esquema elctrico e a estrutura

de um acoplador ptico.

Fig. 7.41 Esquema elctrico e estrutura de um acoplador ptico.

O fototransistor encontra-se normalmente montado num circuito com a base em aberto

(Fig. 7.41) pois corresponde situao de mxima sensibilidade (mxima relao de
transferncia de corrente para dado I F .
A equao de Ebers-Moll para o transstor com iluminao pode escrever-se da forma:

I C = F I B + I CE 0(U C ) F I E 0 ( F + 1) I C 0

(7.38)

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.37

IF

RD

RC

+
IC

UC

U1

U CE
UD
UE

IE

Fig. 7.42 Circuito de funcionamento de um acoplador ptico.

Como j foi referido I E 0 I C 0 devido estrutura de fabrico utilizada para os

fototransistores, Fig 7.43, o que permite simplificar as expresses para a corrente I C . Por sua
vez, atendendo a que a juno colectora est polarizada inversamente (U C uT ) e IB=0,
tem-se:

IC

I CE 0 ( F + 1) I C 0 = ( F + 1)( I CB 0 I C 0 )

(7.39)

Fig. 7.43 Estrutura de um fototransstor.

O clculo de corrente I C 0 pode ser efectuado, de uma forma aproximada, supondo que
a corrente devida iluminao resulta dos portadores gerados na regio de transio da juno
colectora de comprimento L e seco transversal constante A. Assim, ter-se-:
L

I C 0 = A q (G R)dx
0

(7.40)

7.38 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

em que G e R so as taxas de gerao e recombinao na regio de transio,
respectivamente. Para correntes de colector baixas G

R e, supondo que G uniforme na

regio de transio:
IC 0

AqGL

(7.41)

Considerando L = C1 U C e G = C2 P0 com C1 = C te e C2 = C te , ter-se-:

IC 0

Aqe (WG / q) I F C1C2 U C

(7.42)

E por isso
IC 0

C e I F U C

C = C1C2 AqWG / q

(7.43)

7.9.2. Caracterstica I C (U CE ) I F = C te

Substituindo (5.32 em (5.28) obtm-se:

I C = I CE 0 C e ( F + 1) I F U C

(7.44)

Esta expresso permite interpretar o crescimento de I C (U CE ) I F = C te , Fig. 7.44, em

termos da contribuio do alargamento de largura da regio de transio expresso por
U C (U C < 0) .

Fig. 7.44 Caracterstica I C (U CE ) I F = C te .

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.39

Para iguais afastamentos I F entre caractersticas, verifica-se que o afastamento I C

para um dado U CE aumenta, o que pode ser explicado em termos de um ligeiro crescimento
de F com I C .

7.9.3. Caracterstica de Transferncia I C ( I F )U

CE =C

te

A Fig. 7.45 mostra o andamento tpico das curvas I C ( I F )U

CE =C

te

de um acoplador

ptico comercial. A forma da curva consistente com a lei de variao de potncia luminosa
de sada do emissor de luz em termos da sua corrente de polarizao directa

Fig. 7.45 Caracterstica de transferncia I C ( I F )

U CE =C te

7.9.4. Influncia da Temperatura na Relao de Transferncia de Corrente.

O aumento da temperatura diminui a potncia luminosa de sada do emissor de luz mas

aumenta F do fototransistor. Estes dois efeitos compensam-se parcialmente o que permite
explicar a fraca dependncia com a temperatura da relao de transferncia, Fig. 7.46.

7.40 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Fig. 7.46 Variao da relao de transferncia de corrente com a temperatura.

7.9.5. Influncia de uma Resistncia Externa REB entre Emissor e Base.

Considere-se a montagem da Fig. 7.47.

RC
+

U CE
REB

Fig. 7.47 Fototransstor em montagem com resistncia emissor-base.

A presena da resistncia REB (valor tpico 500 k ) provoca uma diminuio da

tenso emissor base, relativamente situao de base em aberto o que implica menos
portadores de minoria armazenados nas zonas de difuso da juno emissora. A remoo
destes portadores far-se- por isso mais rapidamente, melhorando a resposta em frequncia do
dispositivo. especialmente importante quando a temperatura de funcionamento elevada,

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.41

visto que os portadores de minoria nas fronteiras da regio de transio so proporcionais ao

quadrado da densidade intrnseca, e esta depende exponencialmente da temperatura. O
inconveniente desta montagem o de baixar a relao de transferncia.

7.10. LASER de Semicondutor

Os emissores de luz mais utilizados em sistemas de comunicao ptica so os LASER
em virtude de possurem caractersticas de emisso que possibilitam elevados ritmos de
transmisso e um eficiente acoplamento emissor-fibra. Alm disso os lasers podem ser
modulados directamente a frequncias altas (at 24 GHz) em virtude de os tempos associados
ao processo de recombinao estimulada serem muito baixos.
Para sistemas de comunicao ptica que envolvem distncias curtas (alguns km) e
pouco exigentes no que se refere ao ritmo de transmisso ( 10 Mbit/s) poder-se-o utilizar
os LED que so bastante mais baratos que os LASER.

7.10.1. Princpio de funcionamento dos lasers

O funcionamento dos LED e LASER assenta em conceitos de ndole bastante geral

envolvendo os processos de gerao e recombinao que tm lugar na presena ou no de
fotes. Sero estes conceitos bsicos que se descrevem nos pargrafos seguintes, de forma
abreviada.
Existem trs processos fundamentais envolvendo fotes: absoro, emisso espontnea
e emisso estimulada. Na Fig. 7.48 mostram-se, de forma esquemtica para um semicondutor,
estes processos.

WC

WC
foto

WC
foto

WG

WV

foto 2
foto 1

WV
(a)

foto 1

WV
(b)

(c)

Fig. 7.48 (a) absoro; (b) emisso espontnea e (c) emisso estimulada.

A absoro dos fotes d origem a transies dos electres de nveis de energia mais
baixos para nveis de energia mais elevados. Para os semicondutores que possuem uma banda
proibida de altura WG , a absoro fundamentalmente devida s transies entre a banda de

7.42 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

valncia e a banda de conduo. Deste modo a energia do foto incidente deve verificar a
relao:
E = hf WG

(7.45)

A absoro de fotes por um dado material vulgarmente caracterizada pelo parmetro

, o coeficiente de absoro, com dimenses de m 1 . O coeficiente de absoro uma

medida do nmero de fotes que so em mdia absorvidos pelo material na unidade de

comprimento e depende da energia de fotes incidentes e da temperatura.
A emisso de fotes pode ter duas origens: recombinao espontnea do par electro-buraco e recombinao estimulada. A recombinao estimulada s possvel desde que
existam fotes que ao actuar sobre os electres na banda de conduo os obrigue a recombinar
com a emisso de fotes com a mesma energia e em fase que os fotes incidentes. O processo
de emisso estimulada chamado tambm de emisso coerente de radiao, que o tipo de
emisso caracterstica dos LASER. Para os LED a emisso incoerente pois assenta na
recombinao espontnea que d origem a fotes que no possuem qualquer correlao.
A recombinao espontnea de que se fala a recombinao radiativa. Este o processo
que interessa maximizar pelo que duas condies devem ser satisfeitas em simultneo:
1) o material semicondutor deve ser de banda directa;
2) devem criar-se condies para que a taxa de recombinao seja elevada, isto ,
aumentar a densidade de electres e de buracos nas bandas respectivas.

1) Os materiais semicondutores de banda directa so todos compostos binrios, ternrios ou

quaternrios, e.g., GaAs, InP, InGaAs, AlGaAs, InGaAsP. Nalguns casos o semicondutor
composto pode ser de banda directa para um dado intervalo da composio e de banda
indirecta para outro intervalo, e.g., GaAs1 x Px que de banda directa para x 0, 45 e de
banda indirecta para x > 0, 45 .
Na Fig. 7.49 encontra-se representada a relao W k para um semicondutor de banda
directa.
2) Consegue-se aumentar a taxa de recombinao polarizando directamente a juno p-n que,
como se viu, deve ser fabricada com materiais semicondutores de banda directa. Nas
junes directamente polarizadas, os excessos aparecem na zona de transio e nas zonas
vizinhas pelo que ser nestas regies do dodo que se efectua a emisso de luz.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.43

WC

0
WG

WV

Fig. 7.49 Bandas de energia para um semicondutor de banda directa.

Para que haja emisso coerente, alm das condies atrs referidas, outras devero
tambm ter lugar como se ver a seguir.
Baseado na Fig. 7.49, e de acordo com os sistemas de eixos a definidos, a
probabilidade de ocupao por electres dos estados na banda de conduo
fC (WC ) =

1
WC WFC

1 + e kT

(7.46)

e a probabilidade de ocupao por buracos dos estados na banda de valncia :

fV (WV ) =

1
WV WFV

1 + e kT

(7.47)

O ritmo de absoro de fotes pode ser definido como:

Ra = B (1 fC )(1 fV ) ( E )

(7.48)

em que B traduz a probabilidade de transio e ( E ) a densidade de fotes com energia E,

E = WC + WV + WG

(7.49)

A taxa de emisso estimulada de fotes dada por:

Rst = BfC fV ( E )

e haver ganho ptico se:

(7.50)

7.44 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Rst > Ra

(7.51)

(despreza-se a emisso espontnea).

Da relao (7.51) e substituindo nela (7.48) e (7.50), obtm-se:
fC + fV > 1

fC > (1 fV )

ou

(7.52)

Isto , haver ganho ptico se houver mais electres na banda de conduo que na
banda de valncia, o que corrente designar por inverso.
Reescrevendo (7.52) obtm-se:
EG + WFC + WFV > WC + WV + EG
Separao dos pseudo-nveis de Fermi

(7.53)

Energia do foto

WFC + WFV > WC + WV

ou

(7.54)

o que significa que a separao dos quase-nveis de Fermi deve ser superior a WG para que
haja inverso. Esta condio obtm-se por injeco da corrente numa juno directamente
polarizada, com regies p e n fortemente dopadas. Existe um dado valor de corrente a partir
do qual se verifica a relao (7.51), havendo por isso ganho ptico, isto , haver amplificao
de fotes no interior do semicondutor.
Na Fig. 7.50(a) mostra-se o andamento do ganho ptico em funo da energia para
vrios valores da densidade de corrente injectada, expressa em termos da densidade de
portadores. O ganho ptico negativo significa que o material absorveu todos os fotes que

Ganho ptico (cm-1)

Ganho mximo (cm-1)

foram emitidos e ainda no houve inverso da populao.

Energia dos fotes (eV)

(a)

N (1018cm-3)

(b)

Fig. 7.50 (a) Ganho ptico em funo da energia e (b) ganho mximo em funo da densidade de
portadores para um laser de InGaAsP a emitir em = 1,3 m.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.45

Quando N aumenta o ganho torna-se positivo numa gama de valores de energia que
aumenta com N. O valor mximo do ganho desloca-se para energias mais elevadas quando N
aumenta.
O ganho ptico por si s no permite o funcionamento do laser, devendo garantir-se a
realimentao ptica que transforma o amplificador num oscilador. Na maior parte dos lasers
a realimentao conseguida colocando a regio em que h ganho numa cavidade ptica
delimitada por dois espelhos, muitas vezes designada por cavidade de Fabry-Perot. Nos lasers
de semicondutor utilizam-se como espelhos planos de clivagem opostos que possuem
tipicamente uma reflectividade de ~ 30%, Fig. 7.51. Embora na maioria dos casos a
reflectividade dos espelhos seja igual, elas podem ser diferentes. Para que haja emisso laser
deve garantir-se que o ganho ptico seja superior s perdas na cavidade. Estas perdas podem
ser separadas em termos das perdas internas (absoro, disperso ou outras) e perdas devido
reflexo nos planos de clivagem referidos. Este ganho ptico, a partir do qual h emisso
laser, designa-se por ganho de limiar e a corrente que lhe d origem a corrente de limiar.
I
Plano de clivagem

Plano de clivagem
p

LASER
n

Regio onde existe

emisso estimulada

L
Cavidade ptica

Espelho

Espelho
L

Fig. 7.51 Laser e cavidade ptica correspondente que permite a oscilao dos fotes
segundo a direco longitudinal.

No limiar pode escrever-se

gth = i + m

(7.55)

em que gth o ganho ptico correspondente ao limiar, i as perdas internas, m as perdas

associadas reflexo nas faces espelhadas e o factor de confinamento. O parmetro d
conta da reduo do ganho devido ao espalhamento do modo ptico para alm da regio

7.46 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

activa e representa a fraco da energia do modo ptico contida na regio activa e por isso
toma valores inferiores unidade. Estes valores so fortemente dependentes da espessura da
regio activa: ~ 2% quando a espessura da regio activa 10 nm e ~ 40% quando a espessura
de 200 nm para lasers de InGaAsP-InP com um poo quntico e lasers de dupla
heterojuno respectivamente.
As perdas m podem ser escritas como:
m =

1 1
ln

2 L R1 R2

(7.56)

em que L o comprimento da cavidade ptica, R1 e R2 as reflectividades das faces

espelhadas. No caso particular de R1 = R2 = R
m =

1 1
ln
L R

(7.57)

Para R = 0,32 e uma cavidade com comprimento L 250 m ter-se- m 45 cm 1 .

As perdas internas apresentam valores tpicos i 30 40 cm 1 .
Acima do limiar o ganho ptico mximo varia de forma aproximadamente linear com a
densidade de portadores,
g = a ( n n0 )

(7.58)

em que a se designa por coeficiente de ganho e n0 traduz a densidade de portadores

necessria para se atingir a situao de transparncia, i.e., g = 0 , e que corresponde ao incio
da inverso da populao.
Para lasers de InGaAsP valores tpicos de a esto na gama de 1, 2 2,5 1016 cm 2 e de
n0 no intervalo 0,9 1,5 1018 cm 3 .

Os modos longitudinais que oscilam na cavidade ptica do laser, Fig. 7.51, devem
garantir a relao:
m

m
=L
2

(7.59)

em que m o comprimento de onda no meio e m um inteiro. Sendo:

m =

c
nf

(7.60)

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.47

com c a velocidade de propagao de luz no vcuo, n o ndice de refraco e f a frequncia

pode escrever-se:
f = fm = m

c
2nL

(7.61)

O espaamento f entre dois modos longitudinais ento dado por:

f =

c
2nL

(7.62)

c
2ng L

(7.63)

se n no depender da frequncia. Em geral

f =

em que ng o ndice de refraco de grupo e dado por:

dn c
ng = n +
=
d vg

(7.64)

A ttulo de exemplo, para L = 200 m f 200 GHz . Como se viu o ganho ptico
varia com a frequncia e possui uma largura de banda suficientemente grande para que vrios
modos longitudinais da cavidade possam ser amplificados, efeito este que mais importante
para o modo a que corresponde uma frequncia mais prxima do pico do ganho, Fig. 7.52.
Modo longitudinal na
condio de limiar
Curva relativa
s perdas
Modos
longitudinais

Ganho

Fig. 7.52 Seleco dos modos longitudinais na emisso laser correspondente ao limiar.
Os traos verticais correspondem aos vrios modos possveis na cavidade.

Abaixo do limiar no h emisso porque as perdas so superiores ao ganho, contudo no

limiar, o modo correspondente ao pico de ganho , na situao ideal, o nico que contribui
para a emisso laser. Na realidade, como os modos esto muito prximos, haver vrios nas
condies anteriores e que podem ser emitidos. Estes lasers so designados por lasers

7.48 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

multimodais. Lasers que emitem basicamente num nico modo so os lasers monomodais e
possuem estruturas especiais que sero referidas mais adiante. A disperso na fibra associada
aos lasers monomodais muito menor que a dos lasers multimodais e por isso permite ritmos
de transmisso mais elevados.

7.10.2. Estruturas para os Lasers

As estruturas para os lasers devem garantir as condies necessrias para a emisso

laser, isto , inverso e oscilao. Alm disso devem obedecer a um certo nmero de prrequisitos para que possa haver emisso eficiente em termos da corrente injectada, do valor da
potncia luminosa e da natureza de luz emitida.
Como j foi referido as estruturas laser so basicamente junes p-n que, para garantir
um melhor confinamento de portadores (isto , obrigar a que a recombinao radiativa possua
taxas elevadas numa regio estreita da estrutura), so de materiais diferentes, isto
heterojunes. Presentemente a configurao usual utilizada a da dupla heterojuno. Na
Fig. 7.53 representa-se o modelo das bandas para a homojuno e para a dupla heterojuno.
p

WC

WG

WC

WG1 < WG

WG
WG1

WV

WF
WC

WV

WF
WC
WG

WG

WV

WV

(a)
WC

WC

WV

WV

(b)
WC

WC

foto

foto

WV

WV

Dupla heterojuno

Homojun
(c)

Fig. 7.53 (a) Equilbrio termodinmico. (b) Polarizao directa. (c) Confinamento dos portadores.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.49

A homojuno, como se v na Fig. 7.53 (c), apresenta desvantagens relativamente

heterojuno porque a recombinao, determinada pelo comprimento de difuso dos
portadores, ocorre numa regio relativamente grande ( 1 10 m) . Estes, no sendo
confinados a uma dada regio do semicondutor, s com grande dificuldade ( custa de
correntes muito elevadas) podero atingir densidades adequadas para a emisso laser. O
confinamento possvel utilizando heterojunes. Na dupla heterojuno coloca-se uma
camada de material semicondutor com banda proibida mais baixa entre duas camadas de outro
material semicondutor de banda proibida mais elevada. A camada do meio pode ser ou no
dopada e, para alguns lasers esta camada na verdade constituda por camadas alternadas de
dois materiais diferentes dando origem aos lasers designados de lasers de poos qunticos
mltiplos. O confinamento dos portadores resulta da descontinuidade das bandas que se
estabelece entre materiais com altura de banda proibida diferente e permite obter densidades
de portadores elevadas j que a largura da camada intermdia, tambm designada por regio
activa, pode ser controlada tecnologicamente e reduzida a valores 0,1 m .
A dupla heterojuno possui uma vantagem acrescida e que se deve ao facto de que o
ndice de refraco da regio activa superior aos das camadas adjacentes. Assim, a regio
activa funciona tambm como guia ptico dos fotes a gerados, havendo confinamento da
radiao.
Na Fig. 7.54 mostra-se, de forma simples, a constituio de um laser de Fabry-Perot.
de realar que os lasers podem apresentar estruturas muito diferentes das da Fig. 7.54 de
modo a melhorar o confinamento ptico, garantindo o confinamento dos portadores.

E +

100 m

Regio
activa

Elctrodo Corrente
Face
espelhada

Espelho

200 m

300 m

(a)

p GaAs
p
AlGaAs
p GaAs
n
AlGaAs

Regio
Face espelhada
Elctrodo

Luz

(b)

Fig. 7.54 (a) Estrutura bsica de um laser tipo Fabry-Perot. (b) Laser de GaAs.

7.50 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

7.10.3. Caracterstica Potncia luminosa Corrente e caracterstica espectral dos LEDs
e LASERs

Na Fig. 7.55 (a) mostra-se, para vrias temperaturas, a caracterstica potncia luminosa
corrente injectada dum LED que emite em = 1,3 m . O andamento aproximadamente
linear at I 50 mA . Para valores de corrente superiores a potncia emitida cresce de forma
mais lenta devido ao aumento da temperatura na regio activa, o que aumenta a taxa de
recombinao no radiativa.
A distribuio espectral da luz emitida determinada pelo espectro da taxa de
recombinao espontnea e, para o mesmo LED, est representada na Fig. 7.55 (b). A largura
espectral deste LED da ordem de = 50 60 nm podendo-se tomar este valor como um
valor tpico. A estes valores de correspondem na fibra ptica disperses elevadas do sinal
que limitam seriamente o ritmo de transmisso.
(m)

1,35
0
C

25C
70C

(a)

1
0

50

100

150

I (mA)

1,30 1,25 1,20

Potncia (n.a.)

Potncia luminosa (mW)

0,90

(b)

0,95

1,00

1,05

Energia (eV)

Fig. 7.55 (a) relao L-I para um LED que emite em = 1, 3 m feito de InGaAsP. (b) Espectro da
luz emitida.

A caracterstica, potncia luminosa-corrente, para um dado laser tem o andamento da

Fig. 7.56. Na curva esto indicados alguns pontos de funcionamento e o espectro de emisso
correspondente. A curva que se mostra possui duas regies distintas: uma que vai at
I 12 mA e a outra para correntes superiores.

A emisso laser d-se para esta ltima regio, com uma corrente de limiar Ith de
~12 mA . A emisso do laser para I < 12 mA tem as caractersticas determinadas pela
recombinao espontnea e por isso semelhantes s do LED, Fig. 7.55. Acima de I 12 mA
verifica-se que a relao entre a potncia luminosa e a corrente tem um andamento linear
podendo ser expresso como

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.51

hf m

( I I th )
2q i + m

(7.65)

em que h a constante de Planck, f a frequncia de radiao emitida e q o mdulo de carga do

electro. Despreza-se o efeito devido corrente de fugas I L que, para alguns lasers, pode ter

Potncia de sada (mW)

uma contribuio importante.

10

20

30

40

50

60

I (mA)
Fig. 7.56 Potncia luminosa-corrente e espectro de emisso de um laser de = 1, 3 m .

A corrente injectada ter em geral dois termos, um deles, associado emisso laser e o
outro corrente de fugas. No limiar pode-se escrever, se se excluir a difuso de portadores na
zona activa e desprezar a recombinao estimulada,
I th = q

Vnth
+ IL
n (nth )

(7.66)

em que V o volume da regio activa, nth a densidade de portadores no limiar, dada por:
nth = n0 +

( i + m )
a

(7.67)

n o tempo de vida dos portadores, em geral dependente de n e associado a recombinaes

7.52 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

radiativas e no radiativas, dado por:
n = ( A + Bn + Cn 2 ) 1

(7.68)

em que o coeficiente A est associado a recombinaes no radiativas (ratoeiras, estados em

superfcie) que, para dispositivos de boa qualidade, ter um valor desprezvel em comparao
com o dos outros dois termos. O termo Bn est associado recombinao espontnea
radiativa e o termo Cn 2 prende-se com a recombinao Auger, no radiativa. Para o InGaAsP
e = 1,3 m , B 2 1010 cm3 s e C 2,3 1029 cm6 s . O declive dP dI uma medida
da eficincia do dispositivo que, para o caso de lasers de InGaAsP a emitir em = 1,3 m ,
toma um valor tpico de 0, 25 mW mA por face. Define-se ainda rendimento quntico
diferencial
d m (i + m )

(7.69)

e rendimento quntico externo

ext =

taxa de emisso de fotoes

2 P hf 2q P
=
=
I q
hf I
taxa de injeco de electres

(7.70)

O efeito da temperatura nesta caracterstica est representado na Fig. 7.57. Com o

aumento de temperatura aumenta a corrente de limiar e a relao potncia luminosa-corrente
deixa de ser linear. Para um dado valor da corrente de injeco o aumento da temperatura faz
diminuir a potncia emitida e pode eventualmente fazer com que o LASER passe a funcionar

Potncia/face (mW)

abaixo do limiar, deixando mesmo de emitir.

I (mA)
Fig. 7.57 Potncia luminosa-corrente para vrias temperaturas de um laser de = 1, 3 m .

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.53

Os resultados experimentais permitem estabelecer uma lei de variao da corrente de

limiar com a temperatura que normalmente escrita como:
I th = I 0 eT

T0

(7.71)

sendo I 0 uma constante e T0 a temperatura caracterstica do laser. Valores de T0 elevados

so desejveis pois conduzem a uma menor sensibilidade de Ith s variaes de temperatura.
Lasers de poos qunticos mltiplos fabricados com InGaAsP podem apresentar valores de
T0 60 100 K dependente da estrutura, e.g., o nmero e espessura dos poos qunticos. O

tipo de materiais semicondutores utilizados tambm afectam o valor de T0 , e.g., para lasers de
GaAs T0 120 K .
Um aspecto importante do estudo dos lasers prende-se com o seu comportamento em
regime dinmico em virtude de, nos sistemas de comunicao ptica, o envio de informao
poder ser feito por modulao directa da luz emitida. A variao da intensidade da luz pode
ser conseguida por variao da corrente injectada no laser.
A resposta do laser a variaes mais ou menos rpidas da corrente estudada com base
nas equaes de ritmo que do a evoluo no tempo da densidade de portadores e de radiao.
As equaes de ritmo, na sua forma mais simples, podem escrever-se como:
dn J
n
=
G vg P
dt qd n

(7.72)

dP
P
n
= G vg P
+
dt
p
n

(7.73)

em que n a densidade de portadores, P a densidade de fotes confinados zona activa, J a

densidade de corrente injectada, p o tempo de vida dos fotes, o coeficiente de
acoplamento associado emisso espontnea, d a largura da zona activa e G o ganho mximo.
Os restantes parmetros foram definidos anteriormente. A velocidade de grupo vg e o tempo
de vida mdio dos fotes p so dados por:
vg =

c
ng

p = vg (i + m )

(7.74)
1

(7.75)

7.54 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

em que c a velocidade de propagao de luz no vcuo e ng o ndice de refraco de grupo.
No 2 membro da equao (7.72) o 1 termo d conta da contribuio da corrente para o
aumento da densidade de portadores enquanto que os dois restantes termos so responsveis
pela diminuio dos portadores associada recombinao espontnea, radiativa e no
radiativa, (2 termo) e recombinao estimulada (3 termo). No que se refere variao de
densidade de fotes, equao (7.73), o 1 termo do 2 membro representa a contribuio
devida recombinao estimulada enquanto que o 3 termo est associado recombinao
espontnea e contabiliza os fotes emitidos com as caractersticas dos que se obtm por
recombinao estimulada. O 2 termo d conta dos fotes que desaparecem devidos s perdas
na cavidade.
Quando h uma variao brusca da corrente, entre um valor abaixo do limiar e um outro
acima do limiar, verifica-se que a emisso de luz no se faz de forma instantnea e s atinge a
situao estacionria ao fim de alguns nanosegundos, Fig. 7.58. Durante o transitrio
aparecem oscilaes que limitam o funcionamento do laser neste regime.

Fig. 7.58 Transitrios associados aos electres N e fotes P

quando a corrente varia de 0 a 4Jth, para vrios tempos de subida.
As curvas (a) referem-se transio brusca de corrente em t=0.

DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS 7.55

7.10.4. Lasers DFB e DBR

As estruturas de lasers descritas nas pginas anteriores possuem caractersticas de

emisso a que correspondem uma largura espectral da ordem de = 3 6 nm .
Atendendo a que as fibras possuem um mnimo de atenuao em = 1,55 m , a
utilizao deste comprimento de onda exige pois que os lasers sejam monomodais para que
no haja penalizao no ritmo de transmisso. Os lasers monomodais podem ser de vrios
tipos: DBR, DFB* e de cavidade acoplada. Descrevem-se s de forma abreviada os DBR e
DFB.
Na Fig. 7.59 esto representadas esquematicamente as estruturas de lasers DFB e DBR.
Corrugao
p

Zona activa Corrugao

Corrugao
p
n

Zona activa

Laser DBR

Laser DFB
Fig. 7.59 Estruturas DFB e DBR.

Embora ambas as estruturas apresentem uma corrugao, a que corresponde uma

variao peridica do ndice de refraco, para os DFB esta corrugao abrange a zona activa,
enquanto que para os DBR a corrugao est exterior zona activa. O efeito da corrugao
a de seleccionar de entre os modos activos aqueles que satisfazem a condio de Bragg e que
pode ser escrita por:
B =

2n

(7.76)

em que o perodo da corrugao, n o ndice de refraco do modo e m um inteiro.

Desta forma possvel obter uma emisso com largura de banda < 0, 001 nm .
Na Fig. 7.60 mostram-se duas estruturas, DFB e DBR, fabricadas base do InGaAsP.
Na Fig. 7.61 mostram-se, de forma comparativa, as caractersticas de emisso de LEDs
e vrios tipos de lasers.

DBR Distributed Bragg Reflector. DFB Distributed Feedback.

7.56 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS

Electrodo
InP tipo-p

Elctrodo
InGaAsP tipo-p+
InP tipo-p
InGaAsP
(regio activa)
InGaAsP
tipo-n
InP tipo-n
(substrato)
Elctrodo

InGaAsP (regio activa)

InP
InGaAsP
(guia de ondas)
InP tipo-n
(substrato)
Elctrodo
DFB

DBR

Fig. 7.60 Estruturas DFB e DBR de InGaAsP.

Densidade de potncia

c) Laser monomodal
DFB
Laser de cavidade
< 0,001 nm
externa longa
(< 100 MHz)
< 100 MHz
b) Fabry Perot Laser

a) LED

3 a 6 nm
(300-600 GHz)

50 a 100 nm
(5000-10000 GHz)

Comprimento de onda

Fig. 7.61 Caractersticas de emisso de LEDs e vrios tipos de lasers.

Bibliografia
Optical Fiber Telecommunications I , S.E. Miller e A.G. Chynoweth (edit.), Academic Press,
1979.
Solar Cells , M.A. Green, Prentice-Hall, 1982.
Electronic Processes in Materials , L.V. Azaroff, J.J. Brophy, McGraw-Hill, 1963.
The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II , J.D. Joannopoulos, G. Lucovsky,
Springer Verlag, 1984.
Long-Wavelength Semiconductor Lasers , G.P. Agrawal, N.K. Dutta, Van Nostrand Reinhold
Company Inc., 1986.
Highly Coherent Semiconductor Lasers , M. Ohtsu, Artech House, 1992.