Aluna: Anne Kariny Silva Freitas

Disciplina = Eletricidade e Eletrnica para a computao

Professor = Marcelo Laranjeira
Lista de Exerccios 1 - Diodos
1. B
2. B
3. C
4. B
5. C
6. B
7. B
8. B
9. C
10. C
11. A
12. B
13. B
14. D
15. B
16. A
17. C
18. B
19. B
20. Assim como existem materiais condutores e materiais isolantes, existe um tipo de
material que um meio termo entre esses dois primeiros. Esse material o
semicondutor.

O semicondutor, portanto, possui um nvel de condutividade entre os extremos de um

isolante e um condutor.
Os materiais semicondutores mais usados na indstria eletrnica so o Germnio (Ge)
e o Silcio (Si), apesar do Silcio predominar a produo atualmente. Seu
comportamento se deve sua ligao qumica, chamada ligao covalente (por
compartilhar eltrons).
21. A camada de valncia a ltima camada a receber eltron no tomo ou o nvel de
maior nmero quntico principal e secundrio na distribuio eletrnica.
Normalmente os eltrons pertencentes camada de valncia so os que participam de
alguma ligao qumica, pois so os mais externos.
22. Os materiais semicondutores se caracterizam por possuir como portadores as
lacunas e os eltrons livres. Estes materiais se ligam atravs de ligaes covalentes
formando cristais. Os cristais formados podem ser classificados em dois grupos, os de
cristais intrnsecos e os de cristais extrnsecos. Os cristais intrnsecos se caracterizam
pela presena de tomos de semicondutores apenas, enquanto que os extrnsecos
apresentam elementos que adicionam propriedades aos cristais.
23. a adio de impurezas qumicas elementares (usualmente ndio ou fsforo) em
elemento qumico semicondutor puro (ou o germnio ou o silcio, notadamente este
ltimo, na era atual), com a finalidade de dot-los de propriedades de semiconduo
controlada especfica (presena majoritria de portadores de carga ou tipo P, as
lacunas, ou tipo N, os eltrons, respectivamente para as adies de ndio e de fsforo),
para aplicao em dispositivos eletrnicos elementares de circuitos.
24. Com a insero de impurezas pentavalentes (tomo de Fsforo, por exemplo),
sobra um eltron que fica sem nenhuma ligao covalente. Esse eltron chamado de
Eltron Livre, pois ele no est preso a nenhum tomo do semicondutor. Por isso, ele
pode facilmente circular pelo material e conduzir eletricidade. Um cristal
semicondutor dopado com impurezas pentavalentes se torna um cristal Tipo N (N de
Negativo), pois nesse material h muitos eltrons livres.
25. Quando inserimos uma impureza trivalente no cristal (tomo de Boro ou Glio, por
exemplo), um dos tomos de Silcio fica com apenas 7 eltrons de valncia. Esse oitavo
eltron no existe, fica faltando, mas necessrio para a estabilizao do
semicondutor. Sobra um buraco no lugar dele. Esse buraco, essa ausncia de eltron,
chamado de LACUNA. A lacuna funciona como uma carga positiva, pois a ausncia
de uma carga negativa (eltron). Entretanto, a lacuna na verdade apenas um buraco,
um espao em branco onde deveria estar um eltron. Na dopagem trivalente, fica
faltando um eltron. Por isso, chamamos esse cristal de Cristal Tipo P (P de Positivo),
pois a ausncia de eltrons (e a presena das lacunas) faz com que o cristal fique
positivo.

26. No momento da juno, os eltrons que esto em excesso no material N e podem

movimentar-se procuram as lacunas que esto presentes no material P preenchendoas. O resultado que estas cargas se neutralizam e ao mesmo tempo o aparece uma
certa tenso entre os dois materiais (P e N). Esta tenso que aparece na juno
consiste numa verdadeira barreira que precisa ser vencida para que possamos fazer
circular qualquer corrente entre os dois materiais. Conforme o fenmeno sugere, o
nome dado barreira de potencial. Esta barreira possui um valor que depende da
natureza do material semicondutor, sendo tipicamente de 0,3 V para o Germnio e 0,7
V para o Silcio.
27. No local da unio do material do tipo P com material do tipo N, alguns eltrons
preenchero as lacunas (fenmeno chamado de recombinao), formando ali no meio
uma regio sem portadores de cargas livres. Essa regio chamada de camada de
depleo.
28.

Se o potencial externo V aplicado no sentido dado na figura acima, a regio de

depleo diminui e entra em colapso, permitindo a troca dos portadores de carga de
ambas s partes. O resultado uma considervel corrente I pelo circuito. Nessa
condio, o diodo est diretamente polarizado, ou seja, ele conduz.
29. B
30. A
31. A
32. A
33. D
34. C
35. O diodo semicondutor um dispositivo eletrnico feito de silcio ou germnio que
tem como funo retificar a corrente eltrica ou chavear um circuito. Ele utilizado
em aparelhos eletrnicos, como televiso, computador, aparelhos de som, entre
outros.

36. A principal diferena a tenso de conduo (ou tenso de joelho) que nos diodos
de Germnio de 0,3V, nos diodos de Silcio 0,7V.
37. Tenso de joelho de um diodo a tenso mnima que pode ser aplicada em um
diodo polarizado (no reverso) para que ele possa conduzir.
38.

39. Na polarizao reversa, o diodo praticamente no conduz, somente uma corrente

eltrica superficial circula, de valor geralmente desprezvel, devido a cargas eltricas e
impurezas entre a superfcie do cristal com o meio. Mas para um valor de tenso muito
alto, a rigidez dieltrica do diodo pode ser ultrapassada, causando uma circulao
instantnea de corrente e a queima do diodo, pela dissipao excessiva de potncia.
40. D
41. A
42. E
43. E
44. I) B e C, II) B, III)E, IV)C
45. A)I = 0 (pois est polarizado inversamente)
B)I = 0 (pois no consegue vencer a tenso de joelho)
C) I = 9,416 mA

D) I = 5,136 mA
46. I = 0, pois um dos diodos est polarizado inversamente.
47. I) V = 19,3V, I = 0,80416 A, P = 15,5204 W
II) V = 0V, I= 0A, P = 0W (o diodo est polarizado inversamente)