Você está na página 1de 5

Tipos de memria Famlia RAM

Tema de hoje: TIPOS DE MEMRIAS e


BANCO DE MEMRIARIA
Famlia RAM
RAM esttica
RAM dinmica
Famlia ROM
MROM
PROM
EPROM
EEPROM
FLASH
Banco de memrias

A sigla RAM significa Random-Access Memory,


memria de acesso aleatrio foi originalmente
utilizada para diferenciar dispositivos de memria cujo
tempo de acesso (tacc) independiam da posio fsica
da palavra armazenada, ou seja, lendo a primeira
posio de memria, uma posio intermediria, ou
mesmo a ltima posio de memria de uma RAM, o
tempo de aceso o mesmo.
Existem memrias cujo tempo de acesso varia com a
posio da palavra. So as chamadas SAM
Sequential-Access Memory, memria de acesso
sequencial onde os dados so armazenados,
fisicamente, um aps o outro.
Hoje a origem do termo no rigidamente aplicvel. A
maioria das memrias ROMs, so, conceitualmente,
memrias de acesso aleatrio, porm o termo RAM
ficou restrito as memrias de escrita-leitura volteis.

Memrias RAMs servem para armazenar o programa de


um MCU? Justifique.

Tipos de memria RAM Esttica

Tipos de memria RAM Dinmica

O circuito de clula apresentado ao lado um


circuito de memria RAM esttica.

Nela cada clula constituda por um transistor e um


capacitor. Com isso, muito espao economizado em cada
clula, resultando na construo de memrias RAMs de
maior capacidade de armazenamento e mais baratas.

Observe que o roteiro para se gravar a memria


muito semelhante ao roteiro para se ler esta
memria (memria de escrita-leitura).
Observe que na falta de energia eltrica, o nvel
lgico existente no FF ser perdido (memria voltil).
As memrias RAMs Estticas so hoje a tecnologia
que oferece menor tempo de acesso (mais rpidas).
So utilizadas em locais onde este tempo redunda
em maior velocidade de processamento. So
memrias caras. O alto preo devido
complexidade de circuito existente em cada clula.

Muitos componentes para se implementar uma


clula, maior rea de silcio necessrio por cada
clula, implica em circuitos integrados de baixa
capacidade de armazenamento = alto custo de
armazenagem.

Porm, o capacitor se descarrega e a informao ser


perdida se algo no for feito. Com a RAM dinmica surge o
conceito de refresh, que consiste no procedimento
rotineiro de leitura de todas as posies de memria e
subsequente reescrita de todos os dados, ou seja, a
informao reescrita de tempo em tempo (os
capacitores so recarregados).
Para esta tarefa a RAM dinmica possui um circuito
dedicado, chamado de circuito de refresh. O refresh
automtico nas memrias RAMs dinmicas e no exige a
participao do processador nesta tarefa. Durante o
refresh, a memria fica indisponvel para o processador.
Devido ao refresh, as memrias RAMs dinmicas tm
maiores tempo de acesso do que as memrias RAMs
estticas.
Poucos componentes em cada clula, menor rea de silcio necessria por cada clula, implica em
circuitos integrados de alta capacidade de armazenamento = baixo custo de armazenagem.

Tipos de memria Famlia ROM

ROM significa Read Only Memory, memria apenas de


leitura.
Originalmente significava dispositivos que eram gravados
durante a fabricao do circuito integrado.
O processador s podia ler os dados l armazenados.
Hoje o nome ROM hoje engloba uma famlia de
dispositivos que possuem a taxa de escrita muito menor
do que a taxa de leitura, so as chamadas memria de
leitura preferencial.
A caracterstica comum a todas as ROMs a no
volatilidade. Isso significa que os dados armazenados em
qualquer tipo de ROM no se perdero se a alimentao
eltrica da memria for interrompida.

Memrias ROMs servem para constituir memria de


trabalho de um computador pessoal?

Tipos de memria MROM


As clulas dessa ROM so fusveis. Os fusveis de cada
clula so, ou no, queimados durante o
armazenamento dos dados. Fusvel intacto um nvel
lgico, fusvel rompido, o outro nvel lgico.
Claro que a presena ou ausncia da energia eltrica no
reconstitui fusveis, logo os dados armazenados no
dependem da energia eltrica para serem mantidos
(memria no voltil).
A queima dos fusveis (gravao dos dados na memria)
feita atravs de uma mscara durante o processo de
fabricao do circuito integrado. A mscara aponta para
os fusveis de devam ser queimados e o processo de
produo do CI se incube disso. A memria sai de fbrica
programada e qualquer alterao necessria aos dados
armazenados s ser possvel produzindo nova memria
com a nova mscara.
As MROMs so as memria mais baratas que existem
para alto volume de produo. Possui o inconveniente de
no permitirem alterao dos dados. Ela realmente
uma memria apenas de leitura.

Tipos de memria PROM ROM Programvel

Tipos de memria EPROM ROM Programvel e Apagvel

A ROM programvel bem parecida com a MROM


com a diferena que os fusveis armazenadores de
dados podem ser queimados eletricamente. As PROM
saem da fbrica com todos os fusveis intactos.

Evoluo do PROM, nessa memria possvel o seu


apagamento total atravs da aplicao de luz sobre as
clulas.

Atravs de um equipamento prprio (gravadora de


PROMs) possvel queimar os fusveis que nos
interessam atravs da aplicao de uma tenso
elevada em pinos especiais.

Toda EPROM possui no seu invlucro uma janela


translcida por onde possvel enxergar a pastilha de
silcio. O processo de apagamento a incidncia de luz
por cerca de 20 minutos sobre as clulas.

Isso leva para a bancada a gravao da ROM e


possibilita a gravao de pequenas quantidades de
memria.

No possvel apagar algumas clulas. Aps o


apagamento, testa-se a memria certificando que todas
as clulas esto sem informao. Aps isso, a memria
est pronta para receber nova programao.

Veja que a operao de gravao s possvel uma


vez. Caso seja necessrio alterar dados, nova PROM
dever ser gravada e a PROM antiga descartada.

Assim possvel a correo de dados gravados na


EPROM, sem a perda do circuito integrado, o que no
era possvel na PROM.

Tipos de memria EEPROM ROM Programvel e


Eletricamente Apagvel

Tipos de memria FLASH

uma EPROM cujo processo de apagamento


eletricamente executado.

As memrias FLASH possuem tempo de escrita (que


engloba o tempo de apagamento das clulas) muito
menor do que a EEPROM (da o seu nome flash, em uma
aluso alta velocidade de escrita), porm so mais
lentas do que as memrias RAMs estticas.

Com isso ganha-se tempo em relao EPROM, cujo


apagamento exige minutos de aplicao de luz.

A EEPROM permite o apagamento de regies da


memria, tornando o ciclo de escrita bastante mais
complexo do que o ciclo de leitura (leitura preferencial!).
So memrias caras e pouco densas.

Na realidade so EEPROM com tecnologia de escrita que


simplifica o ciclo de armazenamento, principalmente
para a escrita de grande quantidades de bits.

Os sinais eltricos para gravao e apagamento so


compatveis com os nveis existentes no funcionamento
normal dos MCU e MPU, tornando-se a primeira
memria da famlia ROM cuja gravao pode se dar
durante o funcionamento normal do equipamento
processado.

apontada como um passo para a confeco de


estruturas em estado slido que fornea densidade e
custo suficiente para substituir memrias de massa.

Bancos de memria

Bancos de memria

Qualquer que seja a tecnologia de memria utilizada,


h de se ter um casamento entre as caractersticas
necessrias do equipamento processado (seja MCU,
seja MPU) e as caractersticas dos circuitos integrados
de memria.

Graas aos barramentos (mais uma!), possvel


implementar um banco de memrias.

Por exemplo, um MCU (ou MPU) com palavra de dados


de 16 bits, precisa encontrar em cada posio de
memria, componentes suficientes para armazenar os
16 bits presentes na palavra de dados.
Um equipamento (sistema) processado tem uma
necessidade de capacidade de armazenamento de
memria, a qual, evidentemente, tem de ser suprida
pelos componentes de memria existente no
equipamento.

muito usada em mquinas fotogrficas digitais,


telefones celulares, armazenamento de configurao de
computadores e outras aplicaes onde a no
volatilidade seja importante.

Um banco de memria constitudo por vrios CIs de


memria, devidamente interligados de forma a constituir
um banco (sistema de memria) de memria casado
com as necessidade (tamanho de palavra e de
capacidade de armazenamento) do sistema.

Bancos de memria

Bancos de memria

Dois CIs de oito posies de memria (confira!), palavra de quatro bits (confira!) ligados de forma
tal a formar um banco de memria de oito posies de memria, palavra de oito bits.

Dois CIs de oito posies de memria (confira!), palavra de quatro bits (confira!) ligados de forma
tal a formar um banco de memria de dezesseis posies de memria, palavra de quatro bits.

Exerccios

Exerccios

1. Atualmente, o que significa memria RAM?

11. Ao est a pinagem do CI de memria da Fairchild F2114


(a) Qual o tamanho de palavra dessa matriz de memria?
(b) Quantas posies de memria h nessa matriz?
(c) Quantos pinos de controle h nesse CI de memria?

2. Atualmente, o que significa memria ROM?


3. Um MCU possui janela translcida em seu invlucro. O que isso significa?
4. O que circuito de refresh? Onde ele necessrio?
5. Qual a memria de menor tempo de acesso (mais rpida)?
6. Diferencie memria de leitura-escrita de memria de leitura preferencial.
7. O que so bancos de memria?

8. O que so memrias cache? Qual a tecnologia de memria mais indicada para essa
aplicao?
9. O que BIOS? Qual a tecnologia de memria mais indicada para essa aplicao?
10. Qual a tecnologia mais adequada para se aplicar em um pen drive? Justifique.

12. Interligue os 2 CIs de memria abaixo de forma a compor um banco com palavra de
memria de 8 bits. Quantas posies de memria possui este banco?

Exerccios
13. Interligue os 2 CIs de memria abaixo de forma a compor um banco com 2k posies
de memria. Qual a palavra de memria desse banco?