FACULDADE ANHANGUERA

DE SO JOS DOS CAMPOS

CURSO DE BACHARELADO
EM ENGENHARIA DE
CONTROLE E AUTOMAO

CONTROLADOR DE TENSO

RESUMO
O objetivo do desafio construir um controlador de tenso.
Palavras-Chave: controlador e tenso.

Alan Ricardo de Carvalho Pereira

RA: 3730719093
alanpereira@aedu.com

Charles Willian Fernandes Silva

RA: 3708609372
charles.w@aedu.com

Diogo Jos Koga

RA: 4617888688
renatocajr@aedu.com

Felipe Diego Bayer

RA: 1299111260
felipe.bayer@hotmail.com

Professor orientador:
Afrnio
Anhanguera Educacional

2 ATPS: Eletrnica de potncia

Introduo
Nesta ATPS iremos estudar, compreender e criar um sistema de controle de tenso.
Iremos estudar quais tipos de componentes utilizado para a confeco da placa
controladora de tenso, tais como o diodo de potncia e os Tiristores. Tendo em vista
seu funcionamento e suas aplicaes voltado para eletrnica de potncia.
Diodos
Em nosso estudo iremos abordar dois tipos de diodo, o comum e o de potncia. Nessa
etapa farei uma previa dos dois diodos e iremos compara-los, tendo em vista que no
iremos estudar eles a fundo e sim compreender sua forma de funcionamento de cada um
deles para o nosso projeto.
Diodo semicondutor comum
um componente eletrnico composto de cristal semicondutor de silcio ou germnio
numa pelcula cristalina cujas faces opostas so dopadas por diferentes materiais durante
sua formao, que causa a polarizao de cada uma das extremidades.
o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado como retificador
de corrente eltrica entre outras aplicaes. Possui uma queda de tenso de,
aproximadamente, 0,3 V (germnio) e 0,7 V (silcio).
Veja na imagem abaixo o Diodo semicondutor:

Figura 1 - Diodo semicondutor forma mais comum de ser encontrado no mercado.

Como podemos ver esse diodo um dos mais simples encontrados na maioria das placas
eletrnicas de eletroeletrnicos e eletrodomsticos, muito deles utilizado para impedir o
retorno de corrente e evitar que queime certos componentes vitais e mais caros.
Diodos de Potencia
Diodo de potncia so utilizados em circuitos eletrnicos de potncia como retificadores
(conversor CA/CC), como diodo de retorno para transferncia de energia (freewheeling
diode), isolador de tenso, etc.

ATPS: Eletrnica de potncia Bacharelado em Engenharia de Controle e Automao Turma 8 EES

A corrente direta mxima limitada pela temperatura mxima da juno, acima da qual a
juno destruda. A juno tambm pode ser danificada por uma tenso inversa maior
que a mxima (Vrm). Quando diodo comum est conduzindo, se a tenso bruscamente
invertida, as regies P e N ainda tero portadores minoritrios de carga e o diodo se
comporta como um curto-circuito por um breve perodo de tempo. Este tempo
chamado de tempo de recuperao reversa (trr ) do diodo. Assim, h uma corrente no
sentido inverso, que pode provocar interferncias e perdas. Diodos rpidos ou
ultrarrpidos e tm esse fenmeno menos pronunciado, mas em geral a mxima tenso
inversa menor.
Dependendo das caractersticas de recuperao reversa e das tcnicas de fabricao, os
diodos de potncia podem ser classificados em trs categorias: Diodo de uso geral;
Diodo de recuperao rpida e Diodo Schottky.

Diodo de Potncia de Uso Geral

Estes diodo de uso geral apresentam um tempo de recuperao reversa relativamente
alta (25s ) e, so utilizados em aplicaes de baixa velocidade, onde o tempo de
recuperao do componente no crtico (retificadores, conversores de baixa frequncia
- 1kHz , conversores com comutao pela linha). Estes diodos trabalham dentro de uma
faixa que varia de 1A at milhares de ampres e de 50V at 5000V.
Os diodos de potncia de uso geral apresentam alm das duas camadas P e N, uma
terceira camada. A camada N extra e intermediaria s duas convencionais de baixa
dopagem (N-) e sua funo aumentar a capacidade do componente quando aplicado
em tenses elevadas.

4 ATPS: Eletrnica de potncia

Essa camada acrescenta uma parcela resistiva ao diodo quando em conduo. Alm
disso, a rea da seo transversal das junes maior do que a de um diodo normal, pois
a corrente circulante tambm maior e isso agrega urna parcela capacitiva ao diodo
quando em bloqueio. Essas caractersticas so indesejveis porque introduzem distores
na forma de onda da comutao de um diodo de potncia. Entretanto, como o
dispositivo suficientemente robusto, essas caractersticas no devero afetar o seu
funcionamento. Mesmo assim, recomendvel utilizar-se algumas tcnicas de filtragem e
amortecimento dos transientes provocados pela comutao dos diodos de potncia.
Fazendo comparao entre os Diodos comum e de potncia
Citamos a cima, o que um diodo e como cada um se comporta, nessa etapa faremos
uma comparao grfica, tais como tenso mxima, mnima comportada e corrente
mxima e mnima. Com a finalidade de diferenci-los no nosso projeto.

Transistores Bipolares
O transstor (portugus europeu) ou transistor (portugus brasileiro) um componente
eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o principal
responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So utilizados
principalmente como amplificadores e interruptores de sinais eltricos, alm de
retificadores eltricos em um circuito, podendo ter variadas funes. O termo provm do
ingls transfer resistor (resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos
seus inventores.
O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa
que a impedncia caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da
polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo, a corrente eltrica que passa entre
coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros prestabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da
variao de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente,
ocasiona o processo de amplificao de sinal.
Entende-se por amplificar o procedimento de tornar-se um sinal eltrico mais forte.
Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone,
injetado num circuito eletrnico (transistorizado por exemplo), cuja funo principal
transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais eltricos com as mesmas
ATPS: Eletrnica de potncia Bacharelado em Engenharia de Controle e Automao Turma 8 EES

caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo
todo d-se o nome de ganho de sinal.
Na imagem abaixo segue alguns exemplos de transistor:

Figura 2 - Alguns modelos de transistores

Algumas Caractersticas dos transistores

O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor
ou por hFE, que dado pela expresso iC = iB x
iC: corrente de coletor
iB: corrente de base
: beta (ganho de corrente DC)
Configuraes bsicas de um transistor:
Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC) , cada uma com suas vantagens e
desvantagens.
Base comum (BC)
Baixa impedncia (Z) de entrada.
Alta impedncia (Z) de sada.
No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de corrente igual a um.
Coletor comum (CC)
Alta impedncia (Z) de entrada.
Baixa impedncia (Z) de sada.
No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de tenso igual a um.
Emissor comum (EC)
Mdia impedncia (Z) de entrada.
Alta impedncia (Z) de sada.
Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180.
Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.

6 ATPS: Eletrnica de potncia

Transistor UJT
Transistor de uni juno (UJT) um transistor que pode ser utilizado em osciladores de
baixa frequncia, disparadores, estabilizadores, geradores de sinais, dentes de serra e em
sistemas temporizados.
Funcionamento
O valor resistivo normal entre os terminais da base 2 e 1 relativamente alto
(tipicamente entre 4 K e 12 K). Assim, se ligarmos o terminal B2 a um potencial
positivo (tipicamente entre 6 e 30 Volt), e o terminal B1 ao negativo, uma corrente muito
pequena circular por Rb2 e Rb1. Ao mesmo tempo, Rb2 e Rb1 formam um divisor de
tenso, em cujo ponto intermdio surge uma tenso menor, porm proporcional quela
que foi aplicada a B2. Suponhamos que Rb2 e Rb1 tm valores iguais, de 5 K cada um.
Assim, se aplicarmos (com a polaridade indicada) 10 Volt entre B2 e B1, o ctodo do
diodo do emissor ter uma tenso de 5 Volts. Ao aplicarmos, ento, uma tenso de
entrada no emissor (E) do UJT, esta ter que, inicialmente vencer a barreira de potencial
intrnseca da juno PN (0,6V) e, em seguida, superar a prpria tenso que polariza o
ctodo (5 Volts no exemplo). Nesse caso, enquanto a tenso aplicada ao terminal do
emissor (E) no atingir 5,6 Volt (0,6V + 5V) no haver passagem de corrente pelo
emissor atravs de Rb1 para a linha de negativo da alimentao. Mantendo-se no
exemplo, uma tenso de emissor igual ou maior do que 5,6 Volts determinar a passagem
de uma corrente; j qualquer tenso inferior (a 5,6V) ser incapaz de originar passagem
da corrente eltrica pelo emissor (E) e por Rb1. Enquanto os 5,6V no forem atingidos,
a corrente ser nula, como atravs de um interruptor aberto. Alcanando os 5,6V, tud se
passa como se o tal interruptor estivesse fechado. A corrente que circular estar limitada
unicamente pelo valor resistivo intrnseco de Rb1. Como a transio de corrente nula,
para corrente total, entre emissor (E) e base 1 (B1) se d sempre de forma abrupta
(quando a tenso de emissor chega tenso/limite de disparo), podemos considerar o
UJT como um simples interruptor acionado por tenso.

Transistor MOSFET
O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,
ou transistor de efeito de campo metal - xido - semicondutor - TECMOS), , de longe,
o tipo mais comum de transstores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto
analgicos. Seu princpio bsico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar
Lilienfeld, em 1925.
A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as
comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilcio,
mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de
material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOS ou
PMOS. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes,
principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos

ATPS: Eletrnica de potncia Bacharelado em Engenharia de Controle e Automao Turma 8 EES

canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades

eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos nas
comportas e, portanto, no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo
relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de
MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por
um isolante no xido.
O terminal de comporta uma camada de polissilcio (slicio policristalino) colocada
sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante.
Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source),
o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido"
no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da
fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa
passar. Variando-se a tenso entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa
camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

Smbolo de esquema eltrico de um MOSFET

Existem tambm modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia
FET/MOSFET, muito teis e com grande utilizao na indstria eletrnica.

8 ATPS: Eletrnica de potncia

Concluso
Podemos concluir que nessas duas etapas do trabalho, identificamos e diferenciamos dois
tipos de diodos, tais eles como o diodo comum e o diodo de potncia. Verificamos suas
formas de trabalho e onde so melhores empregados.
Estudamos tambm os diversos tipos de transistores e seu funcionamento, podemos
entender qual a finalidade de cada um deles e como cada um consegue fazer controle de
tenso e corrente.
Dessa forma podemos intender como cada componente utilizado no circuito que
iremos construir e como so importantes para o controle de tenso.
Nas prximas etapas do ATPS iremos dar incio ao projeto e faremos os clculos e testes
para que o circuito funcione.

Bibliografia
https://docs.google.com/file/d/0Bx50NPmVz1UwcENZMG02SVVsWVU/edit>.
Acesso em: 06 maio 2012.
https://www.google.com.br/search?
q=transistor+igbt&rlz=1C1AVNC_enBR631BR631&oq=transistor+igbt&aqs=chrome..6
9i57.4715j0j4&sourceid=chrome&es_sm=122&ie=UTF-8

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