Você está na página 1de 69

UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JLIO DE MESQUITA FILHO

Campus Universitrio de Bauru

FACULDADE DE ENGENHARIA
www.feb.unesp.br

Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves


2013

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

LABORATRIO DE ELETRNICA I
PROGRAMAO DE AULAS 2 SEMESTRE 2013
Horrios das Aulas
Turma 2313EE21
Turma 2313EE22
Turma 2313EE23
Turma 2313EE24

Teras-feiras
Teras-feiras
Teras-feiras
Teras-feiras

14h00
16h00
19h00
21h00

Lab 33
Lab 33
Lab 33
Lab 33

Prof. Alceu
Prof. Alceu
Prof. Fernando
Prof. Fernando

Atividades Programadas
(conforme Calendrio Escolar aprovado pela Congregao)

Semana

Data

01

30/07

02

06/08

03

13/08

04

20/08

Prtica 3 Circuitos com Diodos Retificadores (1 parte)

05

27/08

Prtica 4 Circuitos com Diodos Retificadores (2 parte)

06

03/09

Prtica 5 Circuitos Multiplicadores e Limitadores

07

10/09

Prtica 6 Regulador a Diodo Zener

08

17/09

Atividades referentes Semana da Engenharia

09

24/09

Prova de Laboratrio PL1 frequncia e matria relativas s


prticas de 1 a 6 Prova Prtica

10

01/10

Prtica 7 Caractersticas do Transistor Bipolar

11

08/10

Prtica 8 Amplificador Transistorizado Bsico

12

15/10

Prtica 9 Caractersticas do Transistor JFET

13

22/10

Prtica 10 Circuito Amplificador com JFET

14

29/10

Prtica 11 Caractersticas do Transistor MOSFET

15

05/11

Prtica 12 Circuito Amplificador com MOSFET

16

12/11

Prtica Substitutiva aos alunos que deixaram de fazer


alguma das aulas prticas, sem justificativa

17

19/11

Prova de Laboratrio PL2 frequncia e matria relativas s


prticas de 7 a 12 Prova Prtica

18

26/11

Prova de Laboratrio PL3 matria relativa a todo o contedo


ministrado no semestre Prova Prtica

03/12

Aula de Recuperao Lab. 33 horrio a combinar

11/12

Prova de Recuperao Lab. 33 horrio a combinar

Apresentao do Programa, Critrios de Avaliao, Informaes


Gerais (esta aula no ser vlida para efeito de avaliao)
Prtica 1 Resumo das Tcnicas de Manuseio dos Instrumentos
de Medidas Eletrnicas, Prticas de Uso da Instrumentao,
Apresentao dos Equipamentos do Curso, Teoria do Osciloscpio
Prtica 2 Caractersticas do Diodo de Juno e Circuito
Retificador de Meia Onda

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I Prof. Alceu Ferreira Alves 2013


pgina i

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
Critrio de Avaliao:
1) No h relatrios semanais.

2) Haver 02 (duas) provas (PL1 e PL2), prticas, individuais, obrigatrias, constando tambm de
questes tericas, com durao mxima de 01 (uma) hora, nas datas especificadas na programao.
3) As notas das provas PL1 e PL2 sero ponderadas pela freqncia do aluno nas aulas de
laboratrio que antecederam s mesmas, dando origem s notas P1 e P2:
P1 = a * PL1 e P2 = b * PL2 , sendo a e b os pesos respectivos das notas de provas PL1 e PL2,
calculados pela expresso:

n de presenas
n de aulas dadas
Caso MP = (P1 + P2) / 2 seja >= 5,0, esta nota passa a ser a Mdia Final (MF) e o aluno est
aprovado por nota;

Caso MP < 5,0, a P3 obrigatria, englobando toda a matria lecionada no semestre, e a mdia final
(MF) recalculada como segue:

MF = (P1 + P2 + 2*P3) / 4

Neste caso, a mdia final dever ser igual ou superior 5,0 para aprovao.

4) Controle de Frequncia: haver chamada todas as aulas. Para aprovao: frequncia >= 70%

INSTRUES GERAIS
Aulas prticas com 01 (um) ou 02 (dois) alunos por bancada; os alunos podem e devem discutir os
procedimentos e resultados com os colegas e o professor, mas preciso entender os objetivos da
experincia e tirar suas concluses individualmente;
Horrio de incio das aulas ser rigorosamente cumprido;
imprescindvel o uso da apostila (edio 2013, em branco) para realizao dos experimentos,
sem a qual o aluno poder ser impedido de fazer a prtica;
O atraso mximo permitido aos alunos ser 10 minutos; aps esta tolerncia, o aluno poder
entrar na sala e fazer a prtica, mas ficar com registro de falta na aula, podendo substituir at
uma aula sem justificativa;
Ao terminar de fazer a prtica e colher seus dados experimentais, o aluno poder ir embora, aps
organizar todo o material utilizado;
Controle de Frequncia: chamada todas as aulas
O descumprimento das Normas de Utilizao ser julgado pelo professor, que poder, a seu
critrio, aplicar um redutor no coeficiente de presena na aula de 0 a 100% (marcar falta), o que
alterar a ponderao do clculo da mdia de laboratrio.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I Prof. Alceu Ferreira Alves 2013


pgina ii

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

NORMAS DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO

1) Cada aluno dever informar ao professor da disciplina qual ser a sua bancada de trabalho
durante todo o semestre e ficar responsvel pela conservao da mesma (mesa,
equipamentos, bancos , etc.);
2) Ao iniciar a aula, o aluno dever informar ao professor qualquer problema verificado com sua
bancada;
3) Ao terminar a aula, o aluno dever deixar sua bancada em perfeita ordem, observando:
a) Os bancos devero ser colocados sob as mesas;
b) As mesas devero estar limpas, sem resduos de borrachas, restos de papel, copos
descartveis, etc.;
c) Os equipamentos devero estar desligados e em ordem para o aluno que for utilizar a
bancada em seguida:
O osciloscpio com os 2 canais calibrados, em DC, foco ajustado, trigger em
AUTO, base de tempo calibrada;
Multmetro em DC VOLTS, escala de 20V;
Gerador com DC offset fechado, freqncia em 1kHz, onda senoidal, amplitude
baixa e atenuador em 0dB;
MB-U com as fontes PS-1 e PS-2 zeradas.
4) As placas, cabos, fios, alicates e componentes eletrnicos devero ser colocados onde foram
encontrados, e os fios usados em protoboard devem ser devolvidos em ordem;
5) Defeitos constatados em componentes, cabos ou equipamentos devero ser comunicados ao
professor para que sejam tomadas providncias no sentido de efetuar-se a manuteno
adequada;
6) A tenses utilizadas durante as aulas so geralmente baixas, mas lembre-se que tenses
acima de 50V podem matar; portanto, preste bastante ateno no circuito que est montando e
s ligue aps ter absoluta certeza do que est fazendo.

PENSE PRIMEIRO, FAA DEPOIS !

No permitido fumar, comer ou beber dentro do Laboratrio Didtico.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I Prof. Alceu Ferreira Alves 2013


pgina iii

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
INFORMAES GERAIS
A MODO DE EXPERINCIA

Antes de dar incio a cada sesso de laboratrio, o aluno deve preparar o PU-2000 para operao,
seguindo os passos descritos abaixo:
PASSO

PRESSIONE

VISOR

COMENTRIOS

1
2

815

PC1
815

3
4

*
017

PC2
017

EB-111

Id1

7
8

(nmero)
*

(nmero)
Id2

9
10

(nmero)
*

(nmero)
Id3

11
12
13

(nmero)
*
1

(nmero)
Fn
Fn1

14
15

*
*

E.00
E.01

Primeira parte do cdigo da placa


Entre com os 3 primeiro dgitos do
cdigo da placa
Segunda parte do cdigo da placa
Entre com os 3 ltimos dgitos do cdigo
da placa
Confirmao da placa a ser utilizada,
piscando EB-111 alternadamente
Entre com os 3 primeiros dgitos do
nmero de matrcula (000)
Trs primeiros dgitos
Entre com os 3 dgitos seguintes do
nmero de matrcula
Trs dgitos seguintes
Entre com os 3 ltimos dgitos do
nmero de matrcula
Trs ltimos dgitos
Seleo de Funo
Seleo de Funo
( 1 indica Modo de Experincia)
Indicador de Experincia no valor inicial
Incremente o Indicador de Experincias

Obs: O indicador de experincias pode ser incrementado digitando-se "" e decrementado digitandose "0"; v at o monitor do professor e confirme se seu cadastro est correto e se sua sesso
foi inicializada.

B MODO DE PRTICA
Para dar incio ao modo de prtica, o aluno deve seguir os passos descritos abaixo:
PASSO

PRESSIONE

VISOR

COMENTRIOS

1
2
3
4
5

#
2
*
2
*

"1"
"2"
Fn
Fn2
P.00

"X"

P.0"X"

Termina o Modo de Experincia


Selecione uma nova funo
Seleo de Funo
Selecione o Modo de Prtica
Voc est no Modo de Prtica
Selecione o cdigo de falha.
Um "X" pisca por um curto perodo de
tempo indicando que uma falha foi
selecionada

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I Prof. Alceu Ferreira Alves 2013


pgina iv

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

C RETORNO AO MODO DE EXPERINCIA


Para voltar ao modo de experincia, siga os passos descritos abaixo:
PASSO

PRESSIONE

VISOR

COMENTRIOS

1
2
3

*
1
*

Fn
Fn1
E.0"X"

E.0"X"+1

Seleo de Funo
Retorno ao modo de Experincia
Indicador do nmero da ltima
experincia selecionada
Incrementa-se o contador de experincia

D - PARA ENCERRAR A SESSO DE LABORATRIO


Para encerrar a sesso de laboratrio, siga os passos descritos abaixo:
PASSO

PRESSIONE

VISOR

COMENTRIOS

1
2
3

#
3
*

"1"
"3"
PCI

Termina o Modo de Experincias


Modo de Finalizao
Encerra a sesso

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I Prof. Alceu Ferreira Alves 2013


pgina v

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CARACTERSTICAS DO DIODO DE JUNO E CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc dever ser capaz de:
1. Medir a tenso e a corrente do diodo quando em polarizao direta.
2. Medir a tenso e a corrente do diodo quando em polarizao reversa.
3. Traar a curva caracterstica de um diodo.
4. Determinar a resistncia dinmica de um diodo.
5. Determinar o modelo de um diodo em polarizao reversa.
6. Verificar o funcionamento do diodo de juno como retificador de meia onda.
7. Medir a tenso de barreira de potencial do diodo utilizado.
8. Observar a curva caracterstica de transferncia de um diodo no osciloscpio.

2.0 DISCUSSO
Os diodos semicondutores podem ser polarizados diretamente ou reversamente. Idealmente pode-se
considerar que um diodo polarizado diretamente age como um curto-circuito e quando
reversamente polarizado age como um circuito aberto. Em circuitos reais ("prticos") os diodos
apresentam valores de resistncia direta que dependem da tenso e da corrente CC no diodo.
O diodo um dispositivo no-linear e suas caractersticas eltricas so representadas por uma curva
caracterstica V-I. Algumas vezes, utiliza-se uma tenso de polarizao CC superposta ao sinal CA
que deseja-se aplicar ao diodo; a resistncia equivalente do diodo para o intervalo de operao CA
chamada de resistncia dinmica, sendo representada pelo inverso da inclinao da curva
caracterstica no ponto desejado.
Os diodos podem ser usados em circuitos para transformar tenso e corrente alternadas em tenso e
corrente contnuas. O circuito mais simples que pode ser utilizado para esta finalidade o circuito
retificador de meia onda. As diferenas de tenso entre as ondas de entrada e sada so
decorrentes da tenso de barreira de potencial do semicondutor, a qual precisa ser vencida para o
diodo conduzir. As freqncias dos sinais de entrada e sada no so alteradas pelo circuito
retificador de meia onda.

3.0 PROCEDIMENTO
POLARIZAO DIRETA
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm o diodo D1 (Fig. 1) na placa de circuito impresso.
3. Conecte o miliampermetro para medir a corrente direta no diodo e o canal 1 do osciloscpio para
medir a tenso direta no diodo. Use a escala de sensibilidade vertical de 0.1 Volt/diviso e centralize
o trao horizontal na referncia inferior do osciloscpio para comear as medies.
4. Ligue o sistema e execute o procedimento de inicializao conforme descrito na pgina de
Informaes Gerais.
5. Ajuste a fonte de alimentao PS-1 at obter uma tenso direta sobre o diodo de 0.1V.
6. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 2. Mea a corrente do circuito e anote,
completando a tabela com todos os valores da Fig. 2.
OBS: Ao mudar a escala do ampermetro, reajustar PS-1, porque a resistncia interna do aparelho
altera o ajuste feito anteriormente.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 1

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

R1

R2

D1
+

_
PS-1

osciloscpio

PS-2

Fig. 1 - Circuito de Polarizao Direta

Vdireta
(V)
Idireta
(mA)

0.1

0.2

0.3

0.4

0.45

0.5

0.55

0.6

0.65

0.7

Fig. 2 - Medidas de Corrente no Diodo

7. Trace um grfico com os valores obtidos, tendo a corrente direta no eixo vertical e a tenso direta
no eixo horizontal.

I (mA)
F

12

10

V (V)
0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Fig. 3 - Caracterstica V-I do Diodo

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 2

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

8. A partir do grfico obtido, calcule as resistncias dinmicas do diodo nos pontos de Vf=0.5V
(intervalo Vf=0.1V Vf1=0.45V e Vf2=0.55V) e Vf=0.65V (intervalo Vf=0.1V Vf1=0.60V e
Vf2=0.70V). Anote os clculos realizados e os resultados obtidos. Discuta com os colegas e o
professor.

POLARIZAO REVERSA
9. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 3. Monte o circuito da Fig. 4. Desconecte o
osciloscpio do circuito.

R1

R2

D1

+
PS-1

PS-2

osciloscpio

Fig. 4 - Circuito de Polarizao Reversa

10. Ajuste a tenso da fonte inicialmente para zero, atravs do potencimetro de PS-2. A medida de
tenso nos bornes do sistema principal porque no h ponto de prova no circuito
11. Mea a corrente no circuito para as vrias tenses da fonte indicadas e anote os resultados na
tabela da Fig. 5 (modo experimental).
12. Ao terminar, retorne PS-2 para zero volt.

PS-2
[V]
Corrente Reversa
[A]

-1

-5

-10

Fig. 5 - Medidas de Corrente Reversa no Modo Experimental


Discuta com os colegas e o professor os seus resultados. So coerentes com o esperado ?

MODO DE PRTICA
13. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 4. Introduza o modo de prtica conforme
descrito na folha de Informaes Gerais - Parte B, e selecione o cdigo de falha nmero 4. (X=4).
14. Repita as medies de corrente reversa e registre os resultados na tabela da Fig. 6.
15. Compare os valores do modo prtica com os valores do modo experimental e tente concluir
porque a corrente no zero, se foi acrescentado algum componente ao circuito, ou se o diodo est
em falha.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 3

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
PS-2
[V]
Corrente Reversa
[A]

-1

-5

-10

Fig. 6 - Medidas de Corrente Reversa no Modo de Prtica

16. Siga as instrues da folha de Informaes Gerais e retorne ao modo de experincia.

RETIFICAO DA ONDA SENOIDAL


17. Digite "" at mudar o indicador de experincias para 6.
18. Localize o circuito que contm o diodo D2 (Fig. 7). Este circuito encontra-se na poro central
superior da placa de circuito impresso.
19. Ligue o gerador de sinais ao osciloscpio e, antes de conect-lo ao circuito, ajuste sua sada para
um sinal de 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqncia de 500Hz, forma de onda senoidal e com off-set
igual a zero.
20. Conecte o gerador de sinais aos terminais de entrada (Vin) do circuito retificador de meia onda.

osciloscpio

D2

osciloscpio

Vin

R3

CANAL 01

CANAL 02

Fig. 7 Circuito Retificador de Meia Onda

21. Conecte o osciloscpio ao circuito de modo que o canal 2 monitore a sada (tenso sobre a carga
R3) e o canal 1 monitore a entrada (tenso do gerador). Ambos os canais devero estar no modo DC.
22. Ajuste as escalas de sensibilidade vertical do osciloscpio para 0.5V/div (ambos os canais) e a
varredura horizontal para 0.2ms/div.
23. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 7.
24. Observe os sinais nos dois canais do osciloscpio e esboce-os na Fig. 8. H alguma diferena
mensurvel entre um diodo ideal e este diodo ? Qual esta diferena ? Qual o seu significado ?

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 4

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
Canal 1 - Vin (gerador)
escala vertical: _____ V/div
Canal 2 - VR3
escala vertical: _____ V/div

escala horizontal: ____ ms/div

Fig. 8 Retificao da Onda Senoidal

CURVA DE TRANSFERNCIA SENOIDAL


25. Ajuste o osciloscpio na modalidade X-Y (Vin=X e VR3=Y) de modo a obter a curva de
transferncia VR3 = f(Vin). Plote a curva de transferncia para valores de entrada entre -2V e +2V na
Fig. 9.
Obs: Selecione para exibio apenas o canal 2 (CH2), e diminua a intensidade do trao. Colocar os 2
canais em GND e centrar o ponto na tela, para poder anotar os valores medidos.

VR3 [V]
2

-2

-1

Vin [V]

-1

-2

Fig. 9 - Caracterstica de Transferncia de Tenso da Onda Senoidal

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 5

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CIRCUITOS RETIFICADORES 1 PARTE

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de meia onda, tendo como gerador um transformador.
2. Medir a tenso de barreira de potencial do diodo utilizado.
3. Medir a tenso reversa mxima que ocorre sobre o diodo inversamente polarizado e comparar com
o valor terico esperado.
4. Verificar o funcionamento de um filtro capacitivo e medir a ondulao de sada de uma fonte
(ripple).

2.0 DISCUSSO
Os retificadores de meia onda so os circuitos mais simples capazes de converter tenso e corrente
alternadas em tenso e corrente contnuas; entretanto, as tenses geradas por estes circuitos so do
tipo pulsadas, devendo, na maioria dos casos, serem filtradas para posterior utilizao nos circuitos
eletrnicos para polarizao de componentes bipolares. O sinal alternado de entrada do retificador
pode ser obtido de um gerador de sinais ou de um transformador, que reduz ou aumenta a tenso
disponvel na rede. A tenso de sada do retificador pode ser filtrada por um capacitor colocado em
paralelo com a carga, que conhecido como filtro capacitivo. A ondulao observada sobre o nvel
DC aps a filtragem conhecida como ripple e depende da freqncia da entrada, do valor da
capacitncia e da corrente solicitada pela carga.

3.0 PROCEDIMENTO
RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM FILTRO
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm o diodo D1 (Fig. 1). Este circuito encontra-se na poro superior
esquerda da placa de circuito impresso.

SGin
Amplificador

VN1

T1

D1

Vout(+)

1N4003

N1
oscil.

oscil.

+ C1
N2

R21
10

470 F
25V
+/-20%

R1
10k

Fig. 1 - Circuito Retificador de Meia Onda

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 6

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscpio e, antes de conect-lo ao circuito, ajuste sua sada para
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqncia de 50Hz, forma de onda
senoidal e com off-set igual a zero. SADA DO GERADOR EM 4Vpp.
4. Ligue o tap-central do transformador ao R21 utilizando-se de um fio como jumper.
5. Utilize o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso de secundrio N1 (entre anodo de D1 e terra)
e reajuste o gerador para obter uma tenso VN1=14Vpp.
6. Utilize o canal 2 do osciloscpio para medir a tenso de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais
devem estar na mesma escala e com a mesma referncia.
7. Desenhe as formas de onda de tenso de entrada e sada do retificador de meia onda na Fig. 2.
possvel observar a queda de tenso sobre D1 ?

VN1, Vout [V]

+7

10

20

30

40

t [ms]

-7

Fig. 2 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda

8. Mea e apresente o valor da Tenso Reversa Mxima que ocorre no diodo. Est coerente com o
valor terico esperado ?
9. Passe o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso sobre R21 (OBSERVE O TERRA !).
Desenhe a forma de onda de tenso observada na Figura 3, explique o seu significado e porque est
invertida quando comparada a VN1.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 7

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
VR21 [mV]

10

20

30

40

t [ms]

-20

Fig. 3 - Forma de Onda da Tenso sobre R21

RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO


10. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando-se de um jumper.
11. Desenhe as formas de onda de tenso de entrada e sada na Figura 4, e explique o que ocorreu.
VN1, Vout [V]

+7

10

20

30

40

t [ms]

-7

Fig. 4 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo

12. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade do canal at poder observar a
ondulao da tenso de sada (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 5 e mea o valor de pico
a pico da ondulao.
13. Calcule o valor terico desta ondulao e compare com o valor medido. coerente ?
OBS: Use a expresso:

V =

I
Vout
=
fC RfC

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 8

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Vripple [mV]

10

20

30

t [ms]

40

Fig. 5 - Forma de Onda da Tenso de Ripple para o Retificador de Meia Onda

14. Passe novamente o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso sobre R21 (OBSERVE O
TERRA !). Desenhe a forma de onda de tenso observada na Figura 6 e explique o seu significado.

VR21 [mV]

10

20

30

40

t [ms]

-100

Fig. 6 - Forma de Onda da Tenso sobre R21 com Filtro Capacitivo

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 9

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CIRCUITOS RETIFICADORES 2 PARTE

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa com dois diodos, tendo como
gerador um transformador com tap-central.
2. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa em ponte.
3. Observar a tenso de barreira de potencial do diodo utilizado.
4. Medir a tenso reversa mxima que ocorre sobre o(s) diodo(s) inversamente polarizado(s) e
comparar com o valor terico esperado para cada caso.
5. Verificar o funcionamento de filtros capacitivos e medir a ondulao de sada (ripple).
6. Observar o efeito da variao da corrente de carga sobre um circuito retificador com filtro
capacitivo, sem regulador de tenso.

2.0 DISCUSSO
Os retificadores de onda completa so circuitos capazes de converter tenso e corrente alternadas
em tenso e corrente contnuas de maneira mais eficiente que os retificadores de meia onda, por
fornecerem uma tenso pulsada na sada com o dobro da freqncia do sinal de entrada, o que
melhora as condies de filtragem. Dependendo da configurao utilizada (dois ou quatro diodos na
retificao), a tenso reversa sobre os diodos polarizados reversamente pode ser maior ou menor,
assim como a corrente nominal direta, o que deve ser cuidadosamente observado ao projetarem-se
tais circuitos. A ondulao que pode ser observada sobre o nvel DC aps a filtragem conhecida
como ripple e depende da freqncia da entrada (e sada), do valor da capacitncia e da corrente
solicitada pela carga. Dependendo da corrente de carga, a tenso mdia de sada pode variar, devido
ao aumento do ripple e devido s impedncias envolvidas no circuito.

3.0 PROCEDIMENTO
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, SEM FILTRO
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm os diodos D1 e D2 e faa a montagem da Fig. 1.

SGin
Amplificador

Vout(+)

D1

T1

1N4003

N1

~
+
N2

R21

D2

C1

10

1N4003

470 F
25V
+/-20%

oscil.
R1
10k

Fig. 1 Circuito Retificador de Onda Completa com Tap

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 10

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscpio e, antes de conect-lo ao circuito, ajuste sua sada para
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqncia de 50Hz, forma de onda
senoidal e com off-set igual a zero.
4. Utilize o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso de secundrio N1 e reajuste o gerador para
obter uma tenso VN1=14Vpp. ***** ATENO: entre anodo de D1 e terra ! *****
5. Utilize o canal 2 do osciloscpio para medir a tenso VN2 e anote junto com VN1 na Fig. 2; passe
o canal 2 para medir a tenso de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais devem estar na mesma
escala e com a mesma referncia.
6. Desenhe a forma de onda de tenso de sada do retificador na Fig. 2.
possvel observar a queda de tenso sobre D1 e sobre D2 ? Mea e apresente o valor da tenso
reversa mxima nos diodos. Est coerente com o valor terico esperado ?
VN1, VN2, Vout [V]

+7

10

20

30

40

t [ms]

-7

Fig. 2 Formas de Onda de um Retificador Onda Completa com Tap


RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, COM FILTRO
7. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper.
8. Desenhe as formas de onda de tenso de entrada (VN1) e sada (Vout +) na Fig. 3 e mea o valor
DC da sada.
VN1, Vout [V]

+7

10

20

30

40

t [ms]

-7

Fig. 3 Formas de Ondas com Filtro Capacitivo


_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 11

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

9. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade at poder observar a ondulao da


tenso de sada (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 4 e mea o valor de pico a pico da
ondulao (mea o lado da descida da onda triangular, que corresponde descarga do capacitor).
10. Calcule o valor terico desta ondulao e compare com o valor medido. coerente ?

Vripple [mV]

10

20

30

40

t [ms]

Fig. 4 - Forma de Onda da Tenso de Ripple para o Retificador de Onda Completa com Filtro

11. Retorne o canal 2 para o modo DC e desligue o capacitor C1.


12. Desligue o jumper que liga o tap central a R21. (No se esquea: O terra do osciloscpio ligado
ao terra da instalao eltrica!)
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
13. Monte o circuito da Figura 5 e desenhe na Figura 6 a forma de onda de tenso de sada.
*** ATENO: O JUMPER DO TAP CENTRAL EST ABERTO! ***
14. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper e desenhe a forma de onda de
tenso de sada na Figura 7; com o multmetro, mea tambm o valor DC.
15. Selecione o modo AC e aumente a sensibilidade at poder observar a ondulao da tenso de
sada (ripple). Desenhe este sinal na Figura 8 e mea o valor de pico a pico da ondulao.
16. Calcule o valor terico desta ondulao e compare com o valor medido. coerente ?

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 12

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Vout(+)
D2

D1
SGin
Amplificador

T1
+

N1

C1

470 F
25V
+/-20%

R1

oscil.

10k

N2

D4

D3

Fig. 5 Retificador de Onda Completa em Ponte, sem Filtro Capacitivo

Vout [V]

+14

10

20

30

40

t [ms]

Fig. 6 Tenso de Sada de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, sem Filtro

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 13

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
Vout [V]

+14

10

20

30

t [ms]

40

Fig. 7 Tenso de Sada de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, com Filtro

Vripple [mV]

10

20

30

40

t [ms]

Fig. 8 Forma de Onda da Tenso de Ripple para o Retificador em Ponte com Filtro
17. Retorne o canal para o modo DC e desligue o capacitor C1.

EFEITO DA CARGA SOBRE UM RETIFICADOR COM FILTRO, SEM REGULADOR


18. Monte o circuito da Figura 9, e ajuste RV1 no sentido anti-horrio (corrente mnima).
19. Mea, com o osciloscpio, o ripple de pico a pico e anote na tabela da Fig. 10.
20. Preencha a tabela da Figura 10, desligando a carga para obter 0 mA.
21. Desenhe o grfico do ripple versus corrente de carga na Figura 11 e explique o que ocorreu.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 14

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

A
D1

SGin

T1

Amplificador

in

1N4003

N1
oscil.

+
470 F
25V
+/-20%

R21

N2

10

C1

Carga
Eletrnica

R1
10k

RV1

Fig. 9 - Retificador de Meia Onda com Carga Varivel

I [mA]

2.5

7.5

10

12.5

15

17.5

20

25

Vripple
[mVpp]
Fig. 10 - Variao do Ripple com Carga Varivel

Vripple [mVpp]

800

640

480

320

160

10

15

20

25

[mA]

Fig. 11 - Tenso de Ripple em funo da Corrente de Carga

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA I
(pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR EM
DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 15

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CIRCUITOS MULTIPLICADORES, LIMITADORES E GRAMPEADORES DE TENSO

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um circuito triplicador de tenso, observando a influncia dos diversos
parmetros de circuito na forma de onda de sada.
2. Verificar o funcionamento de um grampeador positivo e a influncia da configurao do circuito na
forma de onda de sada.
3. Observar o funcionamento de circuitos limitadores de tenso.

2.0 DISCUSSO
Os multiplicadores de tenso so circuitos construdos com diodos e capacitores e que tm a
capacidade de produzir em sua sada tenses contnuas que so mltiplas inteiras do valor de pico
da tenso alternada de entrada. Como seu funcionamento depende da carga armazenada nos
capacitores, seu desempenho influenciado por de 3 principais fatores: o valor da capacitncia, a
freqncia do sinal de entrada e a solicitao de corrente por parte da carga. Estes fatores, aliados
queda de tenso direta nos diodos que compem o circuito, determinam o valor CC da tenso de
sada do multiplicador. Os multiplicadores so utilizados como fontes de alimentao de alta tenso e
baixa corrente, pois uma alta corrente de carga faz com que os capacitores descarreguem-se mais
rapidamente, gerando elevada ondulao (ripple) e conseqente diminuio do valor mdio da tenso
de sada.
Os limitadores de tenso (tambm conhecidos como ceifadores) so circuitos construdos com
diodos e tm por funo manter a tenso em sua sada dentro de limites pr-estabelecidos, conforme
a sua configurao. Sua principal aplicao proteo, a partir do condicionamento de sinais,
garantindo que determinada carga no receber tenses fora de uma determinada faixa de valores.
Dependendo do arranjo dos componentes no circuito, pode-se limitar a tenso a um valor mximo, a
um valor mnimo ou dentro de determinada faixa.
Circuitos grampeadores tm como funo deslocar a tenso alternada de entrada, adicionando ou
subtraindo um valor CC forma de onda alternada. So construdos com diodos e capacitores, e
tambm tem seu funcionamento dependente da carga armazenada nos capacitores, o que limita a
corrente a ser fornecida para o circuito de carga, de modo a garantir seu funcionamento adequado.

3.0 PROCEDIMENTO
CIRCUITO TRIPLICADOR DE TENSO
1. No necessrio inicializar o sistema e nem ligar a fonte principal da MB-U.
2. Utilize o protoboard para montar o circuito do Triplicador de Tenso esquematizado na Figura 1
observando os seguintes cuidados:
a) Seja organizado na sua montagem, para facilitar eventuais correes no circuito montado;
b) Evite entortar os terminais dos componentes, pois estes so frgeis podem se quebrar;
c) Aplique o sinal ao circuito somente quando tiver terminado a montagem e conferido todas
as ligaes.
3. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 1KHz com amplitude de 4Vp, offset
zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacar.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 16

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

C2

2,2F

D3

D2

D1

Canal 1

C1

C3

2,2F

2,2F

Canal 2

1M

Fig. 1 Triplicador de Tenso

4. Com o multmetro mea a tenso DC de sada. Valor encontrado: _________________ .


5. Utilizando o osciloscpio, observe e anote na Figura 2 as formas de onda de tenso de entrada e
tenso de ripple na sada do circuito, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de
visualizao do aparelho. Para melhor entendimento, indique tambm na figura a linha de referncia
para cada canal.
Pergunta: O valor observado da tenso DC de sada o esperado? Justifique a sua resposta
apresentando os valores das tenses envolvidas.

Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

Ripple de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

escala horizontal: ______s/div

Fig. 2 Resultados do Triplicador com frequncia 1kHz

6. Altere a frequncia do sinal de entrada para 100kHz.


7. Com o multmetro mea a tenso DC de sada. Valor encontrado: _________________ .
8. Utilizando-se do osciloscpio, observe e anote na figura 3 as formas de onda de tenso de entrada
e tenso de ripple na sada.
Pergunta: O que ocorreu com a tenso de sada e com o ripple? Explique o ocorrido.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 17

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div

modo de acoplamento vertical:


AC

DC

Ripple de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

escala horizontal: ______s/div

Fig. 3 Resultados do Triplicador com freqncia 100kHz


9. Experimente variar a frequncia do sinal para mais e para menos e observe o comportamento do
ripple. Explique o que est acontecendo.

CIRCUITO GRAMPEADOR DE TENSO


10. Monte agora o circuito Grampeador esquematizado na figura 4 observando os mesmos cuidados
do item 2.
11. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 10KHz com amplitude de 3Vp,
offset zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacar.

C1

Canal 1

10 F

Canal 2

1M

D1

Fig. 4 Grampeador Positivo de Tenso

12. Com o osciloscpio, verifique as tenses de entrada e sada do circuito e anote as formas de
onda na figura 5, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de visualizao do aparelho. Para
melhor entendimento, indique tambm na figura a linha de referncia para cada canal.
13. Desconecte o gerador do circuito, inverta o diodo e a polaridade do capacitor. Reconecte o
gerador e anote as formas de onda de tenso na figura 6.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 18

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div

modo de acoplamento vertical:


AC

DC

Tenso de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

escala horizontal: ______s/div

Fig. 5 Resultado do Grampeador Positivo de Tenso

Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

Tenso de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

escala horizontal: ______s/div

Fig. 6 Resultado do Grampeador Negativo de Tenso

Pergunta: Qual foi a diferena observada no funcionamento do circuito grampeador, aps a alterao
realizada? Qual o efeito da tenso de barreira de potencial do diodo no resultado
observado?

CIRCUITO LIMITADOR DE TENSO (CEIFADOR)


14. Monte o circuito Limitador Positivo Polarizado (vide Figura 7) observando os mesmos cuidados do
item 2.
15. Aplique na entrada um sinal senoidal de 1KHz com amplitude de 6Vp, offset zero, usando o cabo
BNC-jacar.
16. Ajuste a fonte PS-2 para zero e anote na figura 8 os sinais de tenso de entrada e de sada.
17. Varie o valor da fonte PS-2 e observe o comportamento do sinal de sada. Explique e justifique a
variao ocorrida.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 19

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

1k
Canal 1

Canal 2

D1

PS-2

1M

Fig. 7 Limitador de Tenso

Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

Tenso de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

escala horizontal: ______s/div

Fig. 8 Resultado do Limitador Positivo Polarizado

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 20

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
REGULADOR A DIODO ZENER
1.0 OBJETIVOS

Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:


1. Traar a curva caracterstica de um diodo zener.
2. Determinar a tenso de ruptura (tenso nominal do Zener) a partir de valores medidos, aps
plotagem da curva caracterstica.
3. Observar o funcionamento de um circuito regulador de tenso a diodo Zener.
4. Determinar a regulao de tenso experimentalmente.

2.0 DISCUSSO
Os diodos zener so diodos especialmente projetados para funcionamento em sua regio de ruptura,
sendo tambm conhecidos como diodos de avalanche controlada e, portanto, construdos para
trabalhar com polarizao reversa. Em um diodo reversamente polarizado, a corrente verificada na
juno de portadores minoritrios, sendo normalmente bastante baixa. Conforme aumenta-se a
tenso reversa aplicada, ocorre a ruptura, e a corrente reversa aumenta rapidamente. Nos diodos
Zener, aps a ruptura, a tenso nos terminais pouco se altera, sendo porisso, utilizados para produzir
tenses de referncia e em circuitos reguladores de tenso.

3.0 PROCEDIMENTO
CURVA CARACTERSTICA DO DIODO ZENER
1. Coloque a placa EB-111 (cdigo 815*017*) nas guias do bastidor e encaixe o conector. Inicialize o
sistema e digite "" at mudar o indicador de experincias para 10.
2. Localize o circuito que contm o diodo D3 e faa a montagem da Fig. 1.

R7

R6
A
150

PS-1

Vz

oscil.
+

D3

RV2

canal 1

Fig. 1 Circuito de Polarizao do Diodo Zener

3. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 11.


4. Ajuste PS-1 para obter as tenses de entrada da figura 2, iniciando com Ventrada = 0V.
OBS: Utilize a melhor escala possvel de sensibilidade do osciloscpio, para no comprometer a
preciso das medidas.
5. Mea a tenso Vz nos terminais de D3 e registre os resultados na tabela da figura 2, para todos os
valores de Ventrada.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 21

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

6. Complete a tabela da figura 2 e trace a curva caracterstica V-I do diodo Zener na figura 3.
Ventrada [V]

10

Vz [V]
Iz [mA]

Fig.2 - Tenses e Correntes no Zener


Iz [mA]

50

40

30

20

10

Vz [V]

Fig. 3 - Caracterstica V-I do Diodo Zener

MEDIDAS DE REGULAO DE TENSO


7. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 12.
8. Ajuste a resistncia R = (R7 + RV2) para 800 utilizando-se do ohmmetro.
9. Desconecte o ohmmetro e faa a ligao entre D3 e R7 utilizando-se de um jumper.
10. Com Ventrada (PS-1) = 5V, mea a tenso Vz nos terminais da carga e anote o resultado na
tabela da figura 4. Varie a tenso de entrada conforme a tabela e complete a linha de resultados para
R=800.
Ventrada [V]

10

Vz (R=800
) [V]
Vz (R=500
) [V]
Vz (R=200
) [V]
Vz (R=_____
) [V]
REGULAO (%)
Fig. 4 - Regulao de Tenso e Carga

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 22

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

11. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 13.


12. Repita a experincia para os demais valores de resistncias indicadas na tabela, e no ltimo
caso, para a menor resistncia possvel, anotando o valor da mesma, e anote as tenses obtidas
para cada caso.
13. Calcule a regulao e complete a tabela, utilizando a seguinte expresso:

V ( R = 800 ) V ( Rmin )
x100%
V ( R = 800 )
14. Trace a curva de Regulao de Tenso versus Tenso de Entrada na Figura 5, e trace as curvas
de Tenso na Sada versus Tenso de Entrada na Figura 6, para os quatro valores de carga
experimentados (todos no mesmo grfico).

Regulao [%]

Ventrada [V]
5

10

Fig. 5 Regulao de Tenso X Tenso de Entrada


Vsada [V]

Ventrada [V]
5

10

Fig. 6 Tenso de Sada X Tenso de Entrada

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 23

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Analise os grficos traados e conclua se o comportamento do circuito quanto regulao de tenso


o esperado. Por que ?
E quanto regulao de carga, a variao da tenso de sada a esperada? Por que ?

MODO DE PRTICA
15. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 14. Introduza o modo de prtica conforme
descrito na folha de Informaes Gerais - Parte B, e selecione o cdigo de falha nmero 7. (X=7).
16. Repita a etapa de regulao de carga (passos 8, 9 e 10) para R = (R7 + RV2) = 800. Anote os
resultados na tabela da Figura 7.
Ventrada [V]

10

Vz (R=800) [V]

Fig. 7 - Regulao da Carga - Modo Prtica

17. Compare os valores do modo prtica com os valores do modo experimental e tente explicar as
diferenas observadas.
O circuito continua atuando como um regulador de tenso ? Que tipo de dispositivo foi acrescentado
ao circuito ? Em que ponto ? Tente calcular o valor do componente acrescentado.

18. Siga as instrues da folha de Informaes Gerais, retorne ao modo de experincia e encerre sua
sesso de laboratrio digitando # 3 *

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 24

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR


1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Traar as curvas caractersticas de um transistor bipolar a partir de valores medidos.
2. Determinar o valor do ganho de corrente CC ( ).
3. Observar o funcionamento de um circuito em emissor comum como fonte de corrente constante.
4. Identificar as regies ativa, de saturao e de corte, na famlia de curvas caractersticas.
5. Determinar o ganho de corrente CC ( ) a partir da famlia de curvas de sada.
2.0 DISCUSSO
O ganho de corrente CC ( ) de um transistor bipolar conectado na configurao emissor
comum pode ser determinado a partir dos valores medidos de corrente de coletor e de corrente de
base (entrada, sada) a partir da seguinte expresso:

= Ic / Ib
Para um transistor ideal, pode ser representado por um valor constante, mas na prtica, o
valor de bastante varivel, dependendo principalmente da temperatura da juno e da corrente de
base. As caractersticas de sada de um transistor (curvas de coletor) mostram a relao entre a
corrente de coletor e a tenso coletor-emissor e so usualmente representadas pelo conjunto das
curvas para diferentes correntes de base.

3.0 PROCEDIMENTO
CARACTERSTICAS DA JUNO BASE-EMISSOR
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm o transistor Q1 e faa a montagem ilustrada na Fig. 1, observando
cuidadosamente a ligao do ampermetro ao circuito.

R5
RV1

R4
Q1
+

A
+

+
PS-1

+
5V

Fig. 1 - Caractersticas de Entrada do Transistor Bipolar

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 25

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

3. Ajuste RV1 para obter as diversas correntes de base conforme a tabela da figura 2.
4. Para cada valor de corrente de base, mea a tenso entre base e emissor e registre os resultados.
5-10

Ibase [A]
(desejada)
Ibase [A]
(real)
VBE [V]

16-25

30-50

60-100

120-200

Fig. 2 Caractersticas da Juno Base-Emissor

5. Trace o grfico da corrente de base versus tenso base-emissor na figura 3.


I [ A]
B

200

160

120

80

40

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

BE

[V]

Fig. 3 - Caracterstica V-I da Juno Base-Emissor

Analise os resultados obtidos e conclua se o comportamento o esperado. Discuta os resultados


obtidos.

GANHO DE CORRENTE
6. Conecte o circuito ilustrado na figura 5 e ajuste a tenso PS-1 para 10V.
7. Varie a corrente de base atravs do potencimetro RV1, para os valores mostrados na tabela da
fig. 4.

IB [A]

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

IC [mA]

= Ic / Ib

Fig. 4 - Valores para Ganho de Corrente CC

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 26

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

R5
RV1

R4
Q1

mA
+

A
+

+
PS-1

+
5V

Fig. 5 Circuito para Medidas de Ganho de Corrente CC


8. Calcule o valor do ganho de corrente a partir dos resultados registrados na figura 4.
Por que o valor de CC varia durante a experincia?

O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE


9. Utilizando o mesmo circuito da experincia anterior (figura 5), ajuste a tenso de PS-1 para 2V,
medindo com o osciloscpio, e ajuste RV1 de modo a obter uma corrente de coletor de 2mA.
10. Altere o valor de PS-1 de acordo com os valores da tabela da figura 6 e anote as diferentes
correntes de coletor obtidas.

PS-1
[V]
IC
[mA]

10

Fig. 6 Medidas para o transistor como Fonte de Corrente

Pergunta-se: A corrente de coletor variou? Por que? Qual deveria ser o comportamento esperado?

CARACTERSTICAS DE SADA
11. Monte o circuito esquematizado na figura 7. Observe que o mesmo circuito anterior, bastando
curtocircuitar o resistor R5 utilizando-se de um jumper ou um cabo apropriado.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 27

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

R5
Q1
RV1

R4
mA
+

A
+

+
PS-1

osciloscpio

5V

Fig. 7 Levantamento das Caractersticas de Sada

12. Ajuste RV1 para obter corrente de 10A na base e ajuste PS-1 de modo a obter 0.5V ; mea o
valor da corrente de coletor com o ampermetro e anote na tabela da figura 8.
13. Mude o valor de PS-1 de modo a obter todos os valores de VCE listados na tabela da figura 8.
Para cada tenso VCE , anote o valor da corrente de coletor correspondente.
Obs: NO altere a resistncia RV1 durante as medidas. Preencha a tabela por colunas, no por linhas.

IB [A]

10

20

VCE [V]

50

80

100

IC [mA]

0.5
1
2
4
6
8
10

Fig. 8 Dados para Levantamento das Caractersticas de Sada

14. Trace na figura 9 a famlia de curvas de IC versus VCE para IB constante. Trace uma curva para
cada valor de corrente de base, construindo o conjunto de curvas de coletor para o transistor.
15. Identifique as regies de corte, saturao e ativa no grfico construdo.
possvel observar a regio de ruptura?

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 28

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
I [ mA]
C

20

15

10

10

CE

[V]

Fig.9 Curvas de Coletor

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 29

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO BSICO

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Projetar um amplificador emissor-comum e mont-lo em protoboard.
2. Medir as tenses e correntes de polarizao e comparar com os clculos realizados.
3. Calcular o ganho de tenso terico. Medir o ganho de tenso experimental e comparar.
4. Variar o ponto de polarizao (para o corte e para a saturao) e verificar as distores que
ocorrem no sinal de sada amplificado.
5. Avaliar o efeito do capacitor de derivao de emissor no ganho de tenso.

2.0 DISCUSSO
Para que um amplificador transistorizado funcione adequadamente necessrio escolher-se
um ponto de operao prximo ao meio da reta de carga CC. Para isto, o valor da tenso VCE
quiescente deve ser aproximadamente igual metade da tenso de alimentao total do circuito, a
fim de permitir a gerao de um sinal CA simtrico na sada do amplificador. Quando esta condio
no atendida, o transistor poder estar trabalhando prximo sua regio de corte ou sua regio
de saturao, causando distoro do sinal de sada por ceifamento.
Um amplificador emissor-comum (EC) tem como caracterstica principal o alto ganho de
tenso e a fase de sada invertida em relao entrada.
O capacitor de derivao de emissor tem por funo fornecer um terra CA ao emissor,
reduzindo a linearizao do circuito e aumentando o ganho de tenso, sem interferir nos valores de
polarizao CC previamente estabelecidos.

3.0 PROCEDIMENTO
1. Projete um amplificador EC utilizando o transistor 2N2222A (mn = 75). Ajuste o ponto quiescente
prximo ao meio da reta de carga CC. Utilize Vcc = 12V e corrente de coletor 2mA.
2. Monte, utilizando um protoboard, o circuito projetado, conforme ilustra a Figura 2.
3. Mea, utilizando o multmetro, os valores das tenses CC. Anote os resultados na tabela da Fig. 1
e compare-os com os valores tericos esperados. Discutir os resultados.

VCC [V]

VB [V]

VE [V]

VC [V]

VCE [V]

Fig. 1 Medidas das Tenses de Polarizao

4.Com o gerador de sinais, aplique uma tenso senoidal na entrada, com frequncia 1kHz.
5. Utilizando o osciloscpio, verifique a tenso de sada, anotando as formas de onda observadas na
Figura 3.
6. Calcule o ganho experimental. Compare os valores terico e experimental. Discutir os resultados
observados.
7. Variar o ponto de polarizao variando o valor de R2. Observe as distores que ocorrem devido
ao corte e saturao.
8. Desligue e reconecte o capacitor de derivao e observe o que ocorre com o ganho.
9. Antes de encerrar o seu experimento, apresente ao professor os clculos e os resultados.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 30

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Vcc

R1

Rc
E

R2
1k

RE

Fig. 2 Amplificador EC com Circuito de Polarizao Universal

Fig. 3 Formas de Onda de Amplificao CA

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 31

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CARACTERSTICAS DOS TRANSISTORES JFET

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de:
1. Traar as curvas caractersticas de dreno e de transferncia a partir de valores medidos.
2. Determinar a resistncia de canal.
3. Ligar o JFET como uma resistncia varivel.

2.0 DISCUSSO
O FET conhecido como transistor unipolar porque a conduo de corrente acontece por apenas um
tipo de portador (eltron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome
efeito de campo decorre do fato que o mecanismo de controle do componente baseado no campo
eltrico estabelecido pela tenso aplicada no terminal de controle. O Transistor JFET recebe este
nome porque um transistor FET de Juno.

CONSTRUO

SMBOLO

DRENO

V
DG

D (drain)
+

_
p

PORTA

V
GS

V
DS

(gate) G

_
S

(source)

FONTE

Fig. 1 O transistor JFET

A figura 1 apresenta um JFET de canal n (existe tambm o JFET de canal p). Seu diagrama
construtivo simplificado representa uma barra de silcio semicondutor tipo n (semicondutor dopado
com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regies tipo p. O JFET da figura 1 tem as
seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os eltrons livres,
DRENO: (drain) drena os eltrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos eltrons entre a fonte e o dreno.
As regies p da porta so interligadas eletricamente.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 32

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma juno pn de um diodo.
O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porm seu smbolo
apresenta a seta em sentido contrrio, e as correntes e tenses so consideradas invertidas em
relao ao JFET de canal n.

CARACTERSTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET


Controle por Tenso: a corrente entre o dreno e a fonte controlada pela tenso aplicada na porta,
em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor controlada pela corrente de base.
Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n necessrio
que se produza uma polarizao reversa das junes da porta, provocando desta forma um aumento
na regio de depleo destas junes e em decorrncia disto um estreitamento do canal; com isto,
tem-se baixas correntes de porta, e conseqentemente, alta impedncia.
Curvas Caractersticas: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e
de transcondutnica.
Outras Caractersticas: os transistores JFET apresentam menores ganhos em relao aos transistores
BJT e em decorrncia disto tm maior estabilidade trmica; geometricamente, os JFET tm
dimenses menores quando comparados com os transistores BJT.

POLARIZAO DO JFET

G
p

S
+

Regies de
Depleo
+

V
DD

V
GG

V
DD

V
GG

Fig. 2 Polarizao do JFET

A figura 2 apresenta o circuito de polarizao de um transistor JFET de canal n. Observa-se que para
que seja possvel o controle da corrente de dreno so necessrias as seguintes condies:
VDD > 0
VGG < 0

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 33

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

O fluxo de eltrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto , polarizao reversa na
porta causa aumento das regies de depleo, diminuindo a largura do canal e dificultando desta
forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte ( uma regio de ons, formada pela difuso
pela juno). Desta forma temos as seguintes condies:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tenso VGG, isto , quanto mais negativa, maior ser a regio
de depleo e portanto, mais estreito o canal.
b) TENSO DE CORTE (VGS): a tenso suficiente para desaparecer o canal (VGScorte)
tambm conhecida como Tenso de Deslocamente (pinch-off).
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a juno da porta opera em polarizao reversa,
tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO igual CORRENTE DA FONTE
(ID). Esta a causa da alta impedncia de entrada dos JFET.
OBS: Como a polarizao reversa entre a porta e a fonte (VGS) no consome corrente e a largura do
canal depende de VGS, o controle de ID efetivamente feito pela tenso da porta.
CURVAS DE DRENO

ID
Parbola
I d=kV

V GS = 0
Idss= 10mA

Vp
V GS = -1
5.62mA

VGS = -2
2.5mA

VGS = -4

VGS = -3

0.625mA
4

15

30

V DS

Fig. 3 - Curvas de Dreno do JFET

A figura 03 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo n. Observa-se que estas caractersticas
so semelhantes s caractersticas de um transistor BJT, apresentando as regies de saturao,
ruptura, e regio ativa. Observa-se tambm que, nestas caractersticas, a regio entre VDS = 0 e VDS =
4V apresenta um comportamento linear (regio hmica) e que a partir de Vp a resistncia aumenta.
Para VGS = 0 (porta em curto) e uma tenso VDS = Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que a
mxima corrente de dreno (drain-source short circuit current).
Observa-se que h uma semelhana entre as caractersticas de dreno do transistor JFET com as
caractersticas de coletor de um transistor BJT.
Nota-se uma regio de saturao, compreendida entre VDS = 0 e VDS = Vp.
H uma equivalncia entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre
a tenso dreno-fonte do JFET e a tenso coletor-emissor do BJT.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 34

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

A regio de saturao do JFET tambm conhecida como REGIO HMICA, pois nesta regio a
resistncia entre dreno e fonte dependente da tenso de controle da porta. Da o fato dos
transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistncia
atravs de tenso.
Uma caracterstica importante do transistor FET que este apresenta uma tenso VGS de corte igual
a tenso Vp (mxima na saturao).

CURVAS DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia relaciona a corrente de sada com a tenso de entrada de um
JFET. Atravs da Equao de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tenso VGS, segundo uma
relao quadrtica:

VGS
I D = I DSS 1

VGS ( corte )

Como o JFET apresenta uma relao quadrtica entre a corrente de dreno-fonte e a tenso
de controle VGS, diz-se que este dispositivo um dispositivo de Lei Quadrtica.
ID

I Dss

arco de parbola

VGS(corte)

VGS

Fig. 4 - Curva de Transcondutncia

Na regio hmica, o JFET apresenta a seguinte relao para a sua resistncia de canal:
ro
rD =
VGS
1 +

V p
2

Idmax = KV , onde K uma constante especificada pelo fabricante.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 35

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
3.0 PROCEDIMENTO

1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Localize o circuito da figura 5 na placa de circuito impresso e faa as ligaes indicadas.

A
D

Q1

Vo1
(+) PS-1
Ids

G
S

R4
1 M

Vgs

Vds

osciloscpio

osciloscpio

PS-2
+

Fig. 5 Circuito com JFET

CURVAS DE DRENO
4. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 2.
5. Ajuste Vgs = 0 atravs de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tenses de acordo com a
figura 6. Mea e registre os valores das tenses e correntes para cada caso.
PRESTE ATENO: Mudanas na escala do ampermetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a
escala do ampermetro, refaa o ajuste de Vds. Usar o osciloscpio no modo HF Rej.
Levantar os dados para uma curva de Vgs de cada vez. Aterrar Vin2 para evitar rudos.
Vds[V]
Vgs[V]
0
-0.25
-0.5
-1.0
-3.0

0.1

0.25

0.5

1.0

2.0

10

Id[mA]

Fig. 6 Caractersticas do Dreno


6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.
7. Em seguida, trace as Curvas Caractersticas de Dreno (conforme sugesto na figura 7), a partir dos
valores medidos e responda:
Quais so os valores de Idss e Vp (quando Vgs = 0 ) ?

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 36

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
ID [mA]
2.0
1.5
1.0
0.5

VDS [V]

0
0 1

10

Fig. 7 Curvas Caractersticas de Dreno

CARACTERSTICAS DE TRANSFERNCIA
8. Usando os resultados obtidos na figura 6, registre as variaes da corrente de dreno Id com a
variao na tenso de porta Vgs, para trs tenses Vds diferentes, conforme indicado na figura 8.

Vgs[V]
Vds[V]
0.1
1
10

-0.25

-0.5
Id[mA]

-1.0

-3.0

Fig. 8 Caractersticas de Transferncia

9. Trace as Curvas Caractersticas de Transferncia conforme sugesto na figura 9.


I

[mA]

2.0
1.5
1.0
0.5
V
-3

-2.5

-2

-1.5

-1

GS

[V]

-0.5

Fig. 9 Curvas Caractersticas da Transferncia

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 37

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

RESISTNCIA DO CANAL (Rds)


10. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mnimos (zerar as fontes). Monte o circuito de
teste da figura 10. Obs: Neste circuito, a fonte PS-1 precisa ser ligada com fio. Use o voltmetro na
menor escala.
Vo1

R3

Vin1
(+)PS-1

Q1

R4

V
Vds

Fig. 10 Circuito Para Medida de Resistncia "ON"


11. Digite "" para mudar o contador de experincias para 3.
12. Ajuste a fonte PS-1 inicialmente para 1V (mea com o voltmetro diretamente em Vin1).
13. Mea a tenso Vds para as duas situaes indicadas na figura 11 e calcule o valor da resistncia
de canal Rds(on) em Ohms, para cada caso, considerando-se que R3 vale 10k. Houve alterao no
valor de Rds(on) ? Por que Vds tem que ser baixo ?

Vds [mV]

PS-1 [V]
1

Rds(on) []

Rds (on ) =

R3 .Vds
Vds
=
Id
( PS 1 Vds )

Fig. 11 Medidas de Resistncia do Canal

O FET COMO RESISTNCIA VARIVEL (ATENUADOR)


14. Digite "" para mudar o contador de experincias para 4.
15. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mnimos (zerar as fontes) e faa as ligaes do
circuito da figura 12. O circuito um divisor resistivo R3-Rds, observe !
16. Ajuste Vgs para 0V e aterre a entrada Vin2 .
17. Ajuste a freqncia do gerador de sinais para 1kHz e sua amplitude para 200mVp-p com uma
componente contnua de 100mV, como mostra a Fig. 13. (osciloscpio em DC)
18. Mea a tenso dreno-fonte Vds e anote os valores de pico-a-pico na Figura 10. Mea e registre o
valor da tenso de entrada Vin1 ao mesmo tempo. Varie Vgs de acordo com a tabela da Fig. 14 e
complete-a.
Responda:

As mudanas em Vds so lineares ? Por que ?

Obs: Rds diferente para cada Vgs.


19. Aumente Vent para 3Vp-p com uma componente contnua de 1,5V. Varie o valor de Vgs entre 0V
para 5V e observe as mudanas em Vds.
Responda:
H distores ? Explique as causas.
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 38

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
20. Encerre, digitando # 3 * .

Vin1

Vo1

R3
10k
Q1

gerador

R4
1M

Vds

V
Vgs

osciloscpio

osciloscpio

PS-2
+

Fig. 12 O FET como Atenuador

200

100

Fig. 13 Forma de Onda do Sinal de Entrada

Vgs [V]
0

Vds [mVpp]

Vin1 [mVpp]

-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-5.0

Fig. 14 Medidas de Atenuao

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 39

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CIRCUITO AMPLIFICADOR COM JFET

1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de:
1. Medir os valores CC no circuito amplificador com JFET.
2. Determinar a resposta em freqncia experimental do amplificador com JFET.
3. Verificar como as mudanas no resistor de carga alteram o valor do ganho de tenso.

2.0 DISCUSSO
De maneira anloga ao que ocorre com os transistores bipolares de juno (BJT), nos transistores de
efeito de campo de juno (JFET), o sinal de sada invertido em relao ao sinal de entrada, e para
o seu funcionamento necessria a polarizao CC.
Ainda de maneira anloga, com o JFET possvel construir-se amplificadores Fonte-Comum, DrenoComum, associar estgios em cascata e montar circuitos muito parecidos com aqueles construdos
com o BJT.
O amplificador FET tem menor ganho e impedncia mais alta que os amplficadores similares com
BJT, alm de ser menos sensvel radiao e gerar menos rudo.

3.0 PROCEDIMENTO

TENSES DE POLARIZAO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Localize o circuito da figura 1 na placa de circuito impresso e faa as ligaes indicadas.

Vo1

Q1

R1
(+) PS-1
(VDD)

G
S

R4
1 M

RV1
C3

Fig. 1 Polarizao do Amplificador Fonte Comum (SC)

4. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 6.


5. Ajuste Vdd ajustando a fonte PS-1 para +12V. (utilize o voltmetro).
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 40

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

OBS.: Se no for possvel ajustar a fonte PS-1 para 12V, ajustar para o maior valor possvel. Anote o
resultado na tabela da Figura 2.
6. Ajuste RV1 de modo que a tenso VD (medida no multmetro) seja 6V (ou aproximadamente a
metade da tenso Vdd ajustada, caso esta no tenha sido +12V).
ATENO: Aps ajustar RV1, cuidado para no encostar no boto do potencimetro, pois este
desajusta-se com facilidade.
7. Mea as demais tenses de polarizao do JFET e registre na tabela da Figura 2.
VDD [V]

VS [V]

VD [V]

VGS [V]

Fig. 2 Tenses de Polarizao do Amplificador SC

RESPOSTA EM FREQNCIA
8. Retire o voltmetro do circuito. Para verificar o funcionamento do amplificador SC, acrescente o
gerador de sinais e os 2 canais do osciloscpio, conforme esquema na figura 3.
(+) PS-1
R1=RL=10k
C1
Vo2

Q1
VIN2

C2
G

Gerador
de
Sinais

R4
1M

VIN

VOUT

RV1
C3

Fig. 3 Amplificador Fonte Comum (SC)

9. Ajuste o gerador de sinais para um sinal senoidal de 1kHz e amplitude de 200mVpp (medir no
GATE).
10. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 7.
11. Mea as tenses de entrada e sada e registre-as na tabela da Figura 4.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 41

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

12. Varie a freqncia do gerador de sinais de acordo com os valores da tabela da figura 4; registre
os valores de tenso de sada, conferindo sempre se a tenso de entrada e corrigindo-a, se
necessrio.
13. Calcule o ganho de tenso Av = Vout/Vin e complete a tabela.

f [kHz]

VIN [mVpp]

0,1

200

200

200

10

200

20

200

30

200

50

200

70

200

100

200

VOUT [Vpp]

Av

Fig. 4 Variao do Ganho com a Freqncia para o Amplificador SC

14. Esboce o grfico da resposta em freqncia para o amplificador SC sob anlise na Figura 5.

10

10

10

10

10

10

Fig. 5 Resposta em Freqncia para o Amplificador SC

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 42

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Usando o valor da transcondutncia encontrado na experincia anterior, calcule o ganho


usando a expresso Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. So prximos?
So coerentes?

EFEITO DA VARIAO DE CARGA


15. Utilizando-se do mesmo circuito anterior, retorne a freqncia do gerador para 1kHz.
16. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 8.
17. Mea e registre na tabela da Figura 6 os valores de Vin e Vout para RL=R1.
18. Altere o valor da carga para RL=R2 e mea novamente os valores de Vin e Vout, registrando-os
na tabela da Figura 6.
19. Calcule o ganho de tenso Av para ambos os casos e registre-os na tabela da Figura 6.

RL

VIN [mVpp]

VOUT [Vpp]

Av

R1=10 k

R2=2.2 k

Fig. 6 Efeito da Variao da Carga sobre o Ganho de Tenso no Amplificador SC

Usando o valor da transcondutncia encontrado na experincia anterior, calcule o ganho


usando a expresso Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. Comente.

20. Encerre, digitando # 3 * .

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 43

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR MOSFET


1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de:
1. Traar as curvas caractersticas do MOSFET a partir de valores medidos.
2. Ligar o MOSFET como uma chave digital e determinar suas caractersticas de comutao.
3. Ligar o MOSFET como uma chave analgica e determinar suas caractersticas de comutao.

2.0 DISCUSSO
Transistores de Efeito de Campo Metal-xido-Semicondutor (MOSFET) apresentam diversas
semelhanas e algumas diferenas em relao aos Transistores JFET; a principal diferena o fato
da porta ser totalmente isolada do canal por uma camada de xido (dixido de silcio). Com isto, o
dispositivo apresenta uma impedncia de entrada infinita e, dependendo da construo, tamanho
fsico bastante reduzido, quando comparado ao BJT ou ao JFET de mesma potncia. Esta
caracterstica permite a construo de circuitos integrados com altssima escala de integrao (VLSI).
Apresenta-se a seguir o apecto construtivo bsico de MOSFET tipo intensificao e tipo depleo.
SiO 2
n
D
n+

D
substrato
_
p
SS

G
p
Contatos
Metlicos

(substrato)

S
n+

Canal n

MOSFET TIPO DEPLEO

SiO 2
n
D

n+
substrato
_
p
SS

G
p

(substrato)

Contatos
Metlicos

n+

sem canal

MOSFET TIPO INTENSIFICAO

CARACTERSTICAS
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 44

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

 A porta isolada do canal


 Substrato fracamente dopado e conectado ao terminal S (fonte)
 Controlado por tenso
 O MOSFET depleo pode funcionar tambm no modo intensificao

FUNCIONAMENTO
a) VGS=0: Com uma polarizao nula na porta, no h alterao do canal (fisicamente ou
eletricamente) e a corrente que flui pelo canal corresponde ao fluxo de eltrons livres, da mesma
forma que ocorre nos transistores JFET.
b) VGS<0: Aplicando-se uma tenso negativa na porta estabelece-se um campo eltrico no material
dieltrico de modo que os eltrons do canal so repelidos em direo do substrato e as lacunas do
substrato so atradas, ocorrendo recombinao de portadores e causando uma diminuio do
nmero de eltrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tenso VGS, menor a corrente entre o
dreno e a fonte (IDS). No MOSFET intensificao permanece a inexistncia de canal.
c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tenso positiva na porta, estabelece-se um campo eltrico que arrasta os
portadores livres do substrato (corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente no
canal a partir das colises resultantes, e em decorrncia disto h um aumento na capacidade de
conduo de corrente no canal; isto chamado de operao no modo intensificao. No caso do
MOSFET tipo intensificao, o acmulo de eltrons do substrato junto ao dieltrico, causado pelo
campo aplicado, forma um canal por onde circula a corrente dreno-fonte.

CURVAS DE DRENO

ID

VGS > 0
IDss

VGS = 0

modo intensificao
modo depleo

VGS < 0
VGS(off)
V DS

Vp

Curvas de Dreno de um MOSFET

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 45

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

ID

modo depleo

modo intensificao

VGS(off)

VGS

Curva de Transcondutncia do MOSFET

O VMOS um MOSFET de potncia. Um MOSFET comum trabalha com correntes na ordem de


miliamperes, e o VMOS tpico transfere correntes de centenas de miliamperes (exemplo: o VMOSFET
VN10KM tem uma corrente tpica de dreno de 300mA).
O VMOS normalmente usado em circuitos de comutao, na interface entre circuitos integrados de
baixa potncia e cargas de alta potncia e em amplificadores de potncia.
Nota: H uma diferena de parmetros entre os MOSFETs de cada unidade, o que perfeitamente
normal.

3.0 PROCEDIMENTO

CURVAS DE DRENO (CARACTERSTICAS DE SADA)


1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Localize o circuito da Fig. 1 na placa de circuito impresso e faa as ligaes indicadas.
4. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 11.
5. Ajuste Vgs = 0 atravs de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tenses de acordo com a
tabela da figura 2. Mea e registre os valores das tenses e correntes para cada caso.
PRESTE ATENO: Ajuste primeiro V2 (V2 = PS-2), retire a ponta do osciloscpio do circuito, e
aps mea Id. Os resultados sero mais precisos. Mudanas na escala do ampermetro afetam as
medidas e ajustes !
( perfeitamente normal no serem preenchidos todos os quadradinhos da tabela, principalmente
para valores Vds maiores que 1V.)

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 46

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

A
R5

Vout2

(+) PS-1
Q2
Vin2
Vds
R6
Vgs
osciloscpio

osciloscpio

+
V2

Fig. 1 Circuito de teste VMOS

Vds[V]
Vgs[V]

0.05

0.1

0.25

0.3

0.35

0.4

0.5

1.0

5.0

Id[mA]

0
1
1.5
2
2.5
3
4
5
Fig. 2 Caractersticas do Dreno VMOS

6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a.


7. Aps, trace as Curvas Caractersticas de Dreno na figura 3 (monolog) (ID x VDS), a partir dos
valores medidos e responda:
7.1 - Por que nem sempre Vds pode atingir Vdd ?
7.2 - O VMOS semelhante a qual dispositivo ? Qual a principal diferena ?

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 47

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

10

10

10

10

10

10

Fig. 3 Curvas de Dreno VMOSFET

RESPOSTA ONDA QUADRADA


8. Zerar as fontes PS-1 e PS-2 (retorne-as aos seus valores mnimos, em mdulo).
9. Altere o circuito anteriormente montado para o indicado na figura 4a. e digite "" para mudar o
indicador de experincias para 12.
10. Ajuste o gerador de sinais para fornecer uma onda quadrada entre 0V e 5V (sada TTL) de 10kHz
e fixe a fonte PS-1 em 5V.
11. Com o osciloscpio, obtenha as formas de onda de entrada e sada e esboce-as na figura 4b.
Indique os valores de tenso e tempo.

Vout2

R5
(+) PS-1
Q2
Vin2

Vout

Gerador

Vin

R6
osciloscpio.

osciloscpio

Fig. 4a O VMOS como comutador para onda quadrada


12. Repita o procedimento para as freqncias de 1Hz, 10Hz, 100Hz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 1MHz
(no preciso anotar as formas de onda, apenas observe o comportamento).
_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 48

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Observe atentamente os resultados observados para estas freqncias e responda:


12.1 - Como a resposta freqncia ?
12.2 - Existem distores devido ao aumento da freqncia ?
12.3 - Compare a linearidade com um circuito semelhante que use um transistor bipolar.

13. Mantendo a freqncia em 10kHz, varie PS-1 e observe o que ocorre com VdsON. Explique.

Vin(V)
5

Vout(V)
5

t 0

Fig. 4b Caractersticas de comutao do VMOS para onda quadrada

O VMOS-FET COMO CHAVE ANALGICA (COMUTADOR ANALGICO)


14. Zerar as fontes PS-1 e PS-2 (retorne aos seus valores mnimos, em mdulo).
15. Altere o circuito anteriormente montado para o indicado na figura 5a. e digite "" para mudar o
indicador de experincias para 13.
16. Ajuste o gerador de sinais de modo que Vin1 seja uma senide com aproximadamente 3,3Vpp,
toda positiva (valor mnimo de 0.2V e mximo de 3.5V), com freqncia de 1kHz. (ajustar o off-set do
gerador).
17. Ligue alternadamente o resistor R6 a +5V ou terra, como indicado pelas setas tracejadas na
figura 5a., para operar o circuito como uma chave.
Cuidado para no ligar os dois jumpers ao mesmo tempo, o que causaria uma curto-circuito na
fonte de alimentao.
18. Ligue e desligue o VMOS-FET e esboce as formas de onda de entrada e sada conforme
sugesto na figura 5b.
19. Desligue o VMOS e determine se a chave VMOS funciona como uma chave ideal nas freqncias
de 10Hz, 100Hz, 10kHz e 100kHz.
20. Mude a senide para uma onda quadrada e observe. Como a resposta do VMOS ?
21. Reajuste o gerador de sinais para fornecer uma onda senoidal de 1kHz com picos entre -3V e
+3V, e observe com o osciloscpio a forma de onda de sada enquanto o VMOS corta e conduz.
Responda:
21.1 - O VMOS-FET uma chave analgica bidirecional ? Por que ?
21.2 - O que acontece se voc usar uma fonte varivel em vez da tenso de +5V ?

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 49

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

Vin1

Q2

Vin

Gerador

Vout1
osciloscpio

R7

R6

Vout
osciloscpio

+ 5V

Fig. 5a. O VMOS como comutador (chave) analgico

Vin(V)
4

0
Vout(V)
4

on

off

on

off

on

off

Fig. 5b Formas de Onda do Comutador Analgico (Chave Analgica com MOSFET)

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 50

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
MODO DE PRTICA

22. Digite "" para mudar o contador de experincias para 14.


23. Ligue o VMOS como uma chave analgica (vide figura 5a).
24. Ajuste o gerador de sinais de modo que Vin1 seja uma senide entre 0.2V e 3.5V de 1kHz.
25. Ligue o resistor R6 a +5V.
26. Siga os passos descritos no folheto de Informaes Gerais - item B - para introduzir o Modo de
Prtica, e insira o cdigo de falha n 6 ("X"=6).
27. Observe os sinais de entrada e sada e compare com as formas de onda da figura 5b. Responda:
H alguma diferena ? O que pode ter causado esta diferena ?
28. Volte ao Modo de Experincia, seguindo as instrues do tem C da Informaes Gerais.
29. Encerre, digitando # 3 * .

ATENO: APS A EXPERINCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS NORMAS


DE UTILIZAO DO LABORATRIO DIDTICO PELOS ALUNOS DE ELETRNICA
I (pgina iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETAR
EM DIMINUIO DA NOTA DE LABORATRIO, CONFORME PREVISTO.

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 51

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

CIRCUITO AMPLIFICADOR COM MOSFET


1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de:
1. Montar um amplificador Fonte Comum utilizando um transistor MOSFET e os componentes
disponveis na placa EB-112.
2. Medir o ganho do amplificador e observar sua resposta em freqncia.

2.0 DISCUSSO
De maneira anloga aos circuitos amplificadores construdos com Transistores Bipolares de Juno
(BJT) e com os Transistores de Efeito de Juno (JFET), podem-se construir amplificadores utilizando
Transistores MOSFET nas mesmas configuraes. O amplificador Fonte Comum apresenta as
mesmas caractersticas do amplificador SC com JFET, ou seja, alto ganho, inverso de fase na sada
e alta impedncia de entrada.

3.0 PROCEDIMENTO

GANHO DE TENSO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 15.
4. Observe o circuito da Figura 1 e localize na placa EB-112 os componentes necessrios para
construir o amplificador SC esquematizado.
5. Aps montar o amplificador, ajuste PS-1 para 10V (Vdd) .
6. Ajuste Vg de modo a obter uma tenso Vds de aproximadamente 5V (meio da reta de carga).
7. Aplique na entrada um sinal senoidal de f=1kHz e valor pico-a-pico de 40mV.
8. Observe e anote na Figura 2 as formas de onda de entrada e sada, observadas simultaneamente
nos dois canais do osciloscpio.
9. Calcule o ganho de tenso nesta situao.

RESPOSTA EM FREQNCIA
10. Utilizando o mesmo circuito de amplificador j montado, varie a freqncia do sinal de entrada e
observe o comportamento do amplificador na faixa estabelecida (valores na tabela da Figura 3).
11. Trace o grfico Ganho X Freqncia na Figura 4 e entenda o resultado observado.
12. Encerre, digitando # 3 * .

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 52

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp

PS-1
10k

Q
C
10k

Vin

Vd

100F
5k
+

osciloscpio

osciloscpio

Fig. 1 Circuito Amplificador Fonte Comum SC

Canal 1 sinal de entrada (gerador)


escala vertical: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

Canal 2 sinal de sada


escala vertical: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC

DC

escala horizontal: _______ s/div


OBS: Indicar onde foi ajustada a
referncia de tenso (GND)

Fig. 2 Tenses de Entrada e Sada do Amplificador SC

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 53

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

unesp
f [kHz]

VIN [mVpp]

0,1

40

40

40

10

40

20

40

30

40

50

40

70

40

100

40

200

40

500

40

1000

40

VOUT [Vpp]

Av

Fig. 3 Variao do Ganho com a Freqncia para o Amplificador SC

10

10

10

10

10

10

Fig. 4 Resposta em Freqncia do amplificador SC

_____________________________________________________________________________________________________

Laboratrio de Eletrnica I - Prof. Alceu Ferreira Alves - 2013


pgina 54

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

ANEXO
TEORIA DO OSCILOSCPIO
1.0 OBJETIVOS
Apresentar Noes Elementares de funcionamento do Osciloscpio de Tubo de Raios Catdicos e
seus principais comandos e funes.

2.0 INTRODUO
O osciloscpio de raios catdicos foi inventado em 1897 por Ferdinand Braun, com a
finalidade de analisar as variaes de tenso eltrica no tempo. Paralelamente, neste mesmo ano,
J.J. Thomson mediu a carga do eltron a partir da sua deflexo na presena de campos
magnticos. Em 1905 foi possvel a industrializao deste tipo de equipamento com a utilizao de
tubos de raios catdicos feitos por Welhnet e que tem passado por diversos aperfeioamentos,
com osciloscpios cada vez mais modernos, providos de recursos mais avanados.
A apresentao de dados pelo osciloscpio fornece mais informaes do que seria possvel
obter de qualquer outro instrumento de teste e medio, tal como freqncmetros, multmetros,
etc., podendo-se determinar quanto de um sinal corrente contnua, alternada e rudo (ou se o
rudo varia com o tempo), alm da prpria freqncia do sinal. O osciloscpio permite observar
tudo de uma vez, ao invs de exigir vrias etapas de teste e medio.
Com o osciloscpio torna-se possvel a observao de uma diferena de potencial (ddp) em
funo do tempo, ou de outra ddp, a partir da posio de uma mancha ou mesmo um ponto
luminoso numa tela graduada, resultante do impacto de um feixe de eltrons acelerados e
defletidos pela ao de campos eltricos ou magnticos, incidentes num anteparo revestido de
material fluorescente. Pode-se tambm, atravs de um transdutor adequado, avaliar qualquer
outro fenmeno dinmico, como exemplo: a oscilao de um pndulo, a variao da temperatura
ou de luz de um ambiente, as batidas de um corao, transformando as grandezas em anlise em
tenses eltricas.
As descries que sero apresentadas neste texto dizem respeito aos modelos mais comuns
de osciloscpios, de duplo trao, e no seu aparelho especificamente, pode aparecer com outro
nome, mas as funes so anlogas.

2.1 DESCRIO GERAL


Os modelos mais comuns dispem de dois circuitos verticais que geram as tenses de
deflexo do feixe de eltrons no eixo Y (vertical) que aparece na tela, fruto das variaes da
grandeza em anlise. O circuito horizontal movimenta este feixe ao longo do eixo X (horizontal) da
tela, deslocando-o para a direita ou para a esquerda. O circuito de disparo ou trigger determina
quando o aparelho traa o grfico na tela, dando incio varredura na tela.
O elemento bsico de um osciloscpio o tubo de raios catdicos, onde um feixe de eltrons
emitido pelo catodo focalizado e acelerado por dois anodos, um dos quais a um potencial mais
elevado em relao ao catodo. A intensidade deste feixe controlada por uma grade entre o
catodo e o primeiro anodo conforme Fig.1. O feixe eletrnico passa entre dois pares de placas
defletoras (verticais e horizontais). As ddps aplicadas a estas placas, carregando-as positiva ou
negativamente, desviam o feixe eletrnico nas direes horizontal ou vertical e finalmente o fazem
incidir sobre um anteparo fluorescente, resultando na formao de uma mancha ou de um ponto
luminoso.

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 1

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Figura 1: o tubo de raios catdicos (TRC).

Todo osciloscpio possui um conjunto de circuitos que permitem, na ausncia de sinal, formar
corretamente
mente o feixe eletrnico, focalizando-o
focalizando
e posicionando-o
o num ponto do anteparo,
correspondentes aos controles que devem ser ajustados em primeiro lugar:
1. Controle de intensidade do ponto luminoso que varia o brilho da imagem. Cuidado para
no usar um brilho
ho excessivo, que pode danificar permanentemente o anteparo.
anteparo A
condio perigosa anunciada pelo aparecimento de um halo em torno do feixe.
2. Controle de foco que procura reduzir a imagem do feixe a um ponto luminoso. Verifica-se
Verifica
uma interao entre os controles
controles de intensidade e de foco, devendo este ser reajustado
sempre em funo da intensidade.
3. Controle de posicionamento horizontal em conseqncia da variao da diferena de
potencial contnua que aplicada s placas defletoras verticais (eixo X).
4. Controle
le de posicionamento vertical em conseqncia da variao da diferena de
potencial contnua que aplicada s placas defletoras horizontais (eixo Y).

2.2 Descrio funcional do osciloscpio


As principais funes efetuadas pelos vrios circuitos que compem um osciloscpio e suas
inter-relaes
relaes podem ser visualizadas com clareza atravs do diagrama de blocos apresentado na
Fig. 2.
O sinal a ser examinado deve sempre ser transformado numa tenso eltrica. Uma grandeza
no eltrica deve ser transformada em tenso com o emprego de um transdutor. Este sinal
normalmente aplicado a uma das entradas (CH1 ou CH2) dos amplificadores verticais. Nestes
amplificadores, a tenso do sinal amplificada at atingir a amplitude suficiente para provocar
deflexes no feixe
e eletrnico e que possam ser observadas na tela do tubo de raios catdicos.
Na maioria das vezes, deseja-se
deseja se observar uma tenso em funo do tempo, sendo
necessrio gerar no prprio instrumento, uma base de tempo, isto , uma tenso peridica que
aumente proporcionalmente ao tempo, durante uma certa parte de seu perodo. Tais ondas de
tenso so chamadas dente de serra e sua aparncia aquela apresentada na Fig. 3. A parte
til do dente de serra, em cada ciclo, apenas o intervalo definido pela rampa;
ramp somente durante
o tempo correspondente a este intervalo que o feixe eletrnico deve realmente existir. O bloco
denominado DESBLOQUEIO na Fig. 2 encarregado de interromper periodicamente o feixe,
aplicando, no instante adequado, uma polarizao conveniente
conveniente grade de controle do tubo de
raios catdicos.

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 2

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Figura 2: diagrama de blocos funcionais do osciloscpio.

O sinal fornecido pela base de tempo, na operao normal do aparelho, aplicado entrada
do amplificador horizontal. O dente de serra
serra ento amplificado e aplicado s placas defletoras
verticais adequadas ao tubo de raios catdicos, gerando assim a base de tempo.

Figura 3: o dente de serra e a base de tempo.

Para se obter uma onda peridica estvel no osciloscpio, a base de tempo deve ser
disparada assim que o sinal atinja um certo valor. Para isso extrai-se
extrai se do sinal a ser observado uma
forma de onda que dispara a base de tempo ou inversamente, uma base de tempo que opera
continuamente. Como pode ser observado pela Fig. 4, o sistema da base de tempo (dente de
serra) sincronizado com o circuito de disparo mostra na tela a forma de onda a ser analisada.

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 3

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Figura 4: o disparo sincronizado com a varredura horizontal.

Nos osciloscpios mais comuns, o sinal da fonte de disparo ou sincronizao pode ser obtido:
Internamente, ou seja, pelo prprio sinal que est sendo observado em qualquer dos
dois canais (CH1 ou CH2).
Pela rede de alimentao de energia eltrica (LINE), com uma onda senoidal de
freqncia 60 Hz (ou 50 Hz
H nos aparelhos europeus).
Externamente (EXT), isto , por um sinal externo qualquer, aplicado ao terminal de
sincronizao (EXT. IN).
Em quaisquer
quer dos casos a sincronizao ou o ponto de disparo pode ser efetuado sobre
pores positivas (+) ou negativas
negativ (-) do referido sinal de disparo.
Em alguns osciloscpios possvel fazer uma varredura nica (single sweep) em que se
dispara apenas um ciclo da base de tempo. Este modo de operao til para a observao de
fenmenos no peridicos, entretanto,
entretanto, para uma melhor visualizao destes eventos, os
osciloscpios de armazenamento ou digitais so mais adequados.
A Fig. 5 mostra como uma imagem exibida no anteparo fluorescente da tela do
osciloscpio, atravs de uma sucesso de fotos obtidas pelo sistema
sistema de varredura sincronizado
com o circuito de disparo aliado nossa persistncia retiniana, fornecendo o andamento de uma
funo no decorrer do tempo.

Figura 5: a imagem no osciloscpio e a persistncia da retina.

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 4

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

2.3 Algumas caractersticas dos osciloscpios


1. Sensibilidade (ou fator de deflexo), expressa em tenso por divises na tela (V/div.,
mV/div.), indica a relao entre a tenso aplicada entrada do osciloscpio e a deflexo
do feixe luminoso. Os amplificadores horizontal e vertical, em geral tm sensibilidades
diferentes, com o vertical mais sensvel (isto , menor tenso aplicada para uma dada
deflexo). A sensibilidade tambm pode variar conforme se tenha um acoplamento direto
(DC) ou apenas alternado (AC).
2. Resposta em freqncia mostra a faixa de freqncias onde a sensibilidade permanece
constante (dentro da preciso do aparelho). So comuns, por exemplo, osciloscpios com
resposta de 3 Hz a 30 MHz. Quando o extremo inferior da faixa de resposta 0 (zero) Hz,
isto , o osciloscpio responde a sinais contnuos, diz-se que h acoplamento direto.
3. O tempo de subida d uma indicao do menor intervalo de tempo em que se pode
mudar significativamente a posio do feixe eletrnico. Medido em micro ou nanosegundos, est relacionado com a resposta em freqncia, sendo tanto menor quanto
maior for o extremo superior da resposta em freqncia.
4. Taxa de varredura, medida em tempo por divises na tela (s/div., ms/div., s/div.),
corresponde ao tempo em que o feixe se desloca horizontalmente de uma diviso. Na
utilizao normal do osciloscpio, o feixe eletrnico deve deslocar-se segundo o eixo X,
com velocidade constante, tendo assim uma deflexo proporcional ao tempo. No eixo Y
aplicada a tenso que se deseja examinar. As taxas de varredura indicam as escalas de
tempo disponveis sobre o eixo X.
5. Tubo de raios catdicos (TRC ou CRT = cathodic rays tube), considerando aqui o tipo de
persistncia da imagem, se rpida, mdia ou lenta.

2.4 Atenuadores, ganho e pontas de prova


Na entrada dos amplificadores horizontal (X) e verticais (Y) encontram-se atenuadores de
sinal, que operam de maneira discreta e amplificadores com um controle de ganho contnuo.
Manipulando-se o atenuador e o controle de ganho pode-se obter um tamanho conveniente para a
figura exibida na tela do osciloscpio.
A ligao do osciloscpio a um circuito ou dispositivo a ser analisado no deve ser feita por
dois fios quaisquer, pelas seguintes razes:

H a possibilidade de se captarem sinais esprios, tais como a emisso de estaes de


rdio e TV no muito distantes, sinais de 60 Hz proveniente da rede e outros tipos de
interferncias.
A operao do circuito a ser examinado poderia ser perturbada de um modo imprevisvel.
sinal observado no osciloscpio pode ser diferente daquele captado na ponta dos fios.

Para eliminar esses inconvenientes, usam-se pontas de prova adequadas. As mais comuns
so pontas atenuadoras, que dividem por um fator constante o sinal aplicado ao osciloscpio. Tais
pontas de prova em conjunto com um cabo coaxial oferecem uma alta impedncia vista pelo
circuito examinado, dispondo de capacitores de compensao que eliminam distores nas formas
de ondas. Tais cabos coaxiais possuem a blindagem ligada massa do osciloscpio e procuram
eliminar o primeiro inconveniente citado acima.

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 5

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

Uma ponta de prova fornece a diferena de potencial entre um ponto a ser medido e o terra.
Torna-se aqui oportuno salientar que o terminal tipo jacar da ponta de prova est conectado
eletricamente ao terra do osciloscpio, e consequentemente, da rede. Requer, portanto, cuidados
para que no seja simplesmente utilizado como o outro terminal de um voltmetro, mas sempre
ligado ao terra do circuito!

2.5 Outras tcnicas de medidas


Modo diferencial usado para fazer uma medida entre dois pontos quando nenhum deles
est conectado ao terra. Recorremos tcnica onde o sinal em relao ao terra na entrada do
canal 2 algebricamente subtrado do sinal de entrada do canal 1 tambm em relao ao terra.
Com isto, o sinal de uma ddp entre dois pontos no conectados ao terra pode ser observado sem
que se promova um curto-circuito a qualquer dos sinais presente nestes pontos.

Modo XY para se analisar um sinal do canal 2 (Y) em funo do canal 1 (X). Neste caso, o
sistema de base de tempo deixa de atuar sobre os canais, a funo do canal 1 passa a operar
como um amplificador horizontal e a do canal 2 como um amplificador vertical e podemos observar
o andamento de uma funo em estudo, independentemente do tempo. Alternativamente pode-se
utilizar a entrada do controle de disparo externo (EXT. IN.) como entrada de sinal no eixo X.

Para melhor elucidar o que foi dito, apresenta-se a seguir uma foto com os controles frontais
e conexes e, uma sucinta descrio de cada comando e controle oferecido pelo osciloscpio
Degem utilizado nas aulas de laboratrio.

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 6

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

2.6 PAINEL FRONTAL CONTROLES E CONEXES

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 7

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 8

unesp

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA

____________________________________________________________________________________________________

Anexo da Apostila de Lab. de Eletrnica I - Prof. Cludio Vara de Aquino


pgina 9