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FACULDADE DE ENGENHARIA
www.feb.unesp.br
unesp
LABORATRIO DE ELETRNICA I
PROGRAMAO DE AULAS 2 SEMESTRE 2013
Horrios das Aulas
Turma 2313EE21
Turma 2313EE22
Turma 2313EE23
Turma 2313EE24
Teras-feiras
Teras-feiras
Teras-feiras
Teras-feiras
14h00
16h00
19h00
21h00
Lab 33
Lab 33
Lab 33
Lab 33
Prof. Alceu
Prof. Alceu
Prof. Fernando
Prof. Fernando
Atividades Programadas
(conforme Calendrio Escolar aprovado pela Congregao)
Semana
Data
01
30/07
02
06/08
03
13/08
04
20/08
05
27/08
06
03/09
07
10/09
08
17/09
09
24/09
10
01/10
11
08/10
12
15/10
13
22/10
14
29/10
15
05/11
16
12/11
17
19/11
18
26/11
03/12
11/12
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unesp
Critrio de Avaliao:
1) No h relatrios semanais.
2) Haver 02 (duas) provas (PL1 e PL2), prticas, individuais, obrigatrias, constando tambm de
questes tericas, com durao mxima de 01 (uma) hora, nas datas especificadas na programao.
3) As notas das provas PL1 e PL2 sero ponderadas pela freqncia do aluno nas aulas de
laboratrio que antecederam s mesmas, dando origem s notas P1 e P2:
P1 = a * PL1 e P2 = b * PL2 , sendo a e b os pesos respectivos das notas de provas PL1 e PL2,
calculados pela expresso:
n de presenas
n de aulas dadas
Caso MP = (P1 + P2) / 2 seja >= 5,0, esta nota passa a ser a Mdia Final (MF) e o aluno est
aprovado por nota;
Caso MP < 5,0, a P3 obrigatria, englobando toda a matria lecionada no semestre, e a mdia final
(MF) recalculada como segue:
MF = (P1 + P2 + 2*P3) / 4
Neste caso, a mdia final dever ser igual ou superior 5,0 para aprovao.
4) Controle de Frequncia: haver chamada todas as aulas. Para aprovao: frequncia >= 70%
INSTRUES GERAIS
Aulas prticas com 01 (um) ou 02 (dois) alunos por bancada; os alunos podem e devem discutir os
procedimentos e resultados com os colegas e o professor, mas preciso entender os objetivos da
experincia e tirar suas concluses individualmente;
Horrio de incio das aulas ser rigorosamente cumprido;
imprescindvel o uso da apostila (edio 2013, em branco) para realizao dos experimentos,
sem a qual o aluno poder ser impedido de fazer a prtica;
O atraso mximo permitido aos alunos ser 10 minutos; aps esta tolerncia, o aluno poder
entrar na sala e fazer a prtica, mas ficar com registro de falta na aula, podendo substituir at
uma aula sem justificativa;
Ao terminar de fazer a prtica e colher seus dados experimentais, o aluno poder ir embora, aps
organizar todo o material utilizado;
Controle de Frequncia: chamada todas as aulas
O descumprimento das Normas de Utilizao ser julgado pelo professor, que poder, a seu
critrio, aplicar um redutor no coeficiente de presena na aula de 0 a 100% (marcar falta), o que
alterar a ponderao do clculo da mdia de laboratrio.
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unesp
1) Cada aluno dever informar ao professor da disciplina qual ser a sua bancada de trabalho
durante todo o semestre e ficar responsvel pela conservao da mesma (mesa,
equipamentos, bancos , etc.);
2) Ao iniciar a aula, o aluno dever informar ao professor qualquer problema verificado com sua
bancada;
3) Ao terminar a aula, o aluno dever deixar sua bancada em perfeita ordem, observando:
a) Os bancos devero ser colocados sob as mesas;
b) As mesas devero estar limpas, sem resduos de borrachas, restos de papel, copos
descartveis, etc.;
c) Os equipamentos devero estar desligados e em ordem para o aluno que for utilizar a
bancada em seguida:
O osciloscpio com os 2 canais calibrados, em DC, foco ajustado, trigger em
AUTO, base de tempo calibrada;
Multmetro em DC VOLTS, escala de 20V;
Gerador com DC offset fechado, freqncia em 1kHz, onda senoidal, amplitude
baixa e atenuador em 0dB;
MB-U com as fontes PS-1 e PS-2 zeradas.
4) As placas, cabos, fios, alicates e componentes eletrnicos devero ser colocados onde foram
encontrados, e os fios usados em protoboard devem ser devolvidos em ordem;
5) Defeitos constatados em componentes, cabos ou equipamentos devero ser comunicados ao
professor para que sejam tomadas providncias no sentido de efetuar-se a manuteno
adequada;
6) A tenses utilizadas durante as aulas so geralmente baixas, mas lembre-se que tenses
acima de 50V podem matar; portanto, preste bastante ateno no circuito que est montando e
s ligue aps ter absoluta certeza do que est fazendo.
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unesp
INFORMAES GERAIS
A MODO DE EXPERINCIA
Antes de dar incio a cada sesso de laboratrio, o aluno deve preparar o PU-2000 para operao,
seguindo os passos descritos abaixo:
PASSO
PRESSIONE
VISOR
COMENTRIOS
1
2
815
PC1
815
3
4
*
017
PC2
017
EB-111
Id1
7
8
(nmero)
*
(nmero)
Id2
9
10
(nmero)
*
(nmero)
Id3
11
12
13
(nmero)
*
1
(nmero)
Fn
Fn1
14
15
*
*
E.00
E.01
Obs: O indicador de experincias pode ser incrementado digitando-se "" e decrementado digitandose "0"; v at o monitor do professor e confirme se seu cadastro est correto e se sua sesso
foi inicializada.
B MODO DE PRTICA
Para dar incio ao modo de prtica, o aluno deve seguir os passos descritos abaixo:
PASSO
PRESSIONE
VISOR
COMENTRIOS
1
2
3
4
5
#
2
*
2
*
"1"
"2"
Fn
Fn2
P.00
"X"
P.0"X"
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
PRESSIONE
VISOR
COMENTRIOS
1
2
3
*
1
*
Fn
Fn1
E.0"X"
E.0"X"+1
Seleo de Funo
Retorno ao modo de Experincia
Indicador do nmero da ltima
experincia selecionada
Incrementa-se o contador de experincia
PRESSIONE
VISOR
COMENTRIOS
1
2
3
#
3
*
"1"
"3"
PCI
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unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc dever ser capaz de:
1. Medir a tenso e a corrente do diodo quando em polarizao direta.
2. Medir a tenso e a corrente do diodo quando em polarizao reversa.
3. Traar a curva caracterstica de um diodo.
4. Determinar a resistncia dinmica de um diodo.
5. Determinar o modelo de um diodo em polarizao reversa.
6. Verificar o funcionamento do diodo de juno como retificador de meia onda.
7. Medir a tenso de barreira de potencial do diodo utilizado.
8. Observar a curva caracterstica de transferncia de um diodo no osciloscpio.
2.0 DISCUSSO
Os diodos semicondutores podem ser polarizados diretamente ou reversamente. Idealmente pode-se
considerar que um diodo polarizado diretamente age como um curto-circuito e quando
reversamente polarizado age como um circuito aberto. Em circuitos reais ("prticos") os diodos
apresentam valores de resistncia direta que dependem da tenso e da corrente CC no diodo.
O diodo um dispositivo no-linear e suas caractersticas eltricas so representadas por uma curva
caracterstica V-I. Algumas vezes, utiliza-se uma tenso de polarizao CC superposta ao sinal CA
que deseja-se aplicar ao diodo; a resistncia equivalente do diodo para o intervalo de operao CA
chamada de resistncia dinmica, sendo representada pelo inverso da inclinao da curva
caracterstica no ponto desejado.
Os diodos podem ser usados em circuitos para transformar tenso e corrente alternadas em tenso e
corrente contnuas. O circuito mais simples que pode ser utilizado para esta finalidade o circuito
retificador de meia onda. As diferenas de tenso entre as ondas de entrada e sada so
decorrentes da tenso de barreira de potencial do semicondutor, a qual precisa ser vencida para o
diodo conduzir. As freqncias dos sinais de entrada e sada no so alteradas pelo circuito
retificador de meia onda.
3.0 PROCEDIMENTO
POLARIZAO DIRETA
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm o diodo D1 (Fig. 1) na placa de circuito impresso.
3. Conecte o miliampermetro para medir a corrente direta no diodo e o canal 1 do osciloscpio para
medir a tenso direta no diodo. Use a escala de sensibilidade vertical de 0.1 Volt/diviso e centralize
o trao horizontal na referncia inferior do osciloscpio para comear as medies.
4. Ligue o sistema e execute o procedimento de inicializao conforme descrito na pgina de
Informaes Gerais.
5. Ajuste a fonte de alimentao PS-1 at obter uma tenso direta sobre o diodo de 0.1V.
6. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 2. Mea a corrente do circuito e anote,
completando a tabela com todos os valores da Fig. 2.
OBS: Ao mudar a escala do ampermetro, reajustar PS-1, porque a resistncia interna do aparelho
altera o ajuste feito anteriormente.
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unesp
R1
R2
D1
+
_
PS-1
osciloscpio
PS-2
Vdireta
(V)
Idireta
(mA)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
7. Trace um grfico com os valores obtidos, tendo a corrente direta no eixo vertical e a tenso direta
no eixo horizontal.
I (mA)
F
12
10
V (V)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
8. A partir do grfico obtido, calcule as resistncias dinmicas do diodo nos pontos de Vf=0.5V
(intervalo Vf=0.1V Vf1=0.45V e Vf2=0.55V) e Vf=0.65V (intervalo Vf=0.1V Vf1=0.60V e
Vf2=0.70V). Anote os clculos realizados e os resultados obtidos. Discuta com os colegas e o
professor.
POLARIZAO REVERSA
9. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 3. Monte o circuito da Fig. 4. Desconecte o
osciloscpio do circuito.
R1
R2
D1
+
PS-1
PS-2
osciloscpio
10. Ajuste a tenso da fonte inicialmente para zero, atravs do potencimetro de PS-2. A medida de
tenso nos bornes do sistema principal porque no h ponto de prova no circuito
11. Mea a corrente no circuito para as vrias tenses da fonte indicadas e anote os resultados na
tabela da Fig. 5 (modo experimental).
12. Ao terminar, retorne PS-2 para zero volt.
PS-2
[V]
Corrente Reversa
[A]
-1
-5
-10
MODO DE PRTICA
13. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 4. Introduza o modo de prtica conforme
descrito na folha de Informaes Gerais - Parte B, e selecione o cdigo de falha nmero 4. (X=4).
14. Repita as medies de corrente reversa e registre os resultados na tabela da Fig. 6.
15. Compare os valores do modo prtica com os valores do modo experimental e tente concluir
porque a corrente no zero, se foi acrescentado algum componente ao circuito, ou se o diodo est
em falha.
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unesp
PS-2
[V]
Corrente Reversa
[A]
-1
-5
-10
osciloscpio
D2
osciloscpio
Vin
R3
CANAL 01
CANAL 02
21. Conecte o osciloscpio ao circuito de modo que o canal 2 monitore a sada (tenso sobre a carga
R3) e o canal 1 monitore a entrada (tenso do gerador). Ambos os canais devero estar no modo DC.
22. Ajuste as escalas de sensibilidade vertical do osciloscpio para 0.5V/div (ambos os canais) e a
varredura horizontal para 0.2ms/div.
23. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 7.
24. Observe os sinais nos dois canais do osciloscpio e esboce-os na Fig. 8. H alguma diferena
mensurvel entre um diodo ideal e este diodo ? Qual esta diferena ? Qual o seu significado ?
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unesp
Canal 1 - Vin (gerador)
escala vertical: _____ V/div
Canal 2 - VR3
escala vertical: _____ V/div
VR3 [V]
2
-2
-1
Vin [V]
-1
-2
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de meia onda, tendo como gerador um transformador.
2. Medir a tenso de barreira de potencial do diodo utilizado.
3. Medir a tenso reversa mxima que ocorre sobre o diodo inversamente polarizado e comparar com
o valor terico esperado.
4. Verificar o funcionamento de um filtro capacitivo e medir a ondulao de sada de uma fonte
(ripple).
2.0 DISCUSSO
Os retificadores de meia onda so os circuitos mais simples capazes de converter tenso e corrente
alternadas em tenso e corrente contnuas; entretanto, as tenses geradas por estes circuitos so do
tipo pulsadas, devendo, na maioria dos casos, serem filtradas para posterior utilizao nos circuitos
eletrnicos para polarizao de componentes bipolares. O sinal alternado de entrada do retificador
pode ser obtido de um gerador de sinais ou de um transformador, que reduz ou aumenta a tenso
disponvel na rede. A tenso de sada do retificador pode ser filtrada por um capacitor colocado em
paralelo com a carga, que conhecido como filtro capacitivo. A ondulao observada sobre o nvel
DC aps a filtragem conhecida como ripple e depende da freqncia da entrada, do valor da
capacitncia e da corrente solicitada pela carga.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM FILTRO
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm o diodo D1 (Fig. 1). Este circuito encontra-se na poro superior
esquerda da placa de circuito impresso.
SGin
Amplificador
VN1
T1
D1
Vout(+)
1N4003
N1
oscil.
oscil.
+ C1
N2
R21
10
470 F
25V
+/-20%
R1
10k
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscpio e, antes de conect-lo ao circuito, ajuste sua sada para
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqncia de 50Hz, forma de onda
senoidal e com off-set igual a zero. SADA DO GERADOR EM 4Vpp.
4. Ligue o tap-central do transformador ao R21 utilizando-se de um fio como jumper.
5. Utilize o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso de secundrio N1 (entre anodo de D1 e terra)
e reajuste o gerador para obter uma tenso VN1=14Vpp.
6. Utilize o canal 2 do osciloscpio para medir a tenso de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais
devem estar na mesma escala e com a mesma referncia.
7. Desenhe as formas de onda de tenso de entrada e sada do retificador de meia onda na Fig. 2.
possvel observar a queda de tenso sobre D1 ?
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
8. Mea e apresente o valor da Tenso Reversa Mxima que ocorre no diodo. Est coerente com o
valor terico esperado ?
9. Passe o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso sobre R21 (OBSERVE O TERRA !).
Desenhe a forma de onda de tenso observada na Figura 3, explique o seu significado e porque est
invertida quando comparada a VN1.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
VR21 [mV]
10
20
30
40
t [ms]
-20
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
12. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade do canal at poder observar a
ondulao da tenso de sada (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 5 e mea o valor de pico
a pico da ondulao.
13. Calcule o valor terico desta ondulao e compare com o valor medido. coerente ?
OBS: Use a expresso:
V =
I
Vout
=
fC RfC
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Vripple [mV]
10
20
30
t [ms]
40
14. Passe novamente o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso sobre R21 (OBSERVE O
TERRA !). Desenhe a forma de onda de tenso observada na Figura 6 e explique o seu significado.
VR21 [mV]
10
20
30
40
t [ms]
-100
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa com dois diodos, tendo como
gerador um transformador com tap-central.
2. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa em ponte.
3. Observar a tenso de barreira de potencial do diodo utilizado.
4. Medir a tenso reversa mxima que ocorre sobre o(s) diodo(s) inversamente polarizado(s) e
comparar com o valor terico esperado para cada caso.
5. Verificar o funcionamento de filtros capacitivos e medir a ondulao de sada (ripple).
6. Observar o efeito da variao da corrente de carga sobre um circuito retificador com filtro
capacitivo, sem regulador de tenso.
2.0 DISCUSSO
Os retificadores de onda completa so circuitos capazes de converter tenso e corrente alternadas
em tenso e corrente contnuas de maneira mais eficiente que os retificadores de meia onda, por
fornecerem uma tenso pulsada na sada com o dobro da freqncia do sinal de entrada, o que
melhora as condies de filtragem. Dependendo da configurao utilizada (dois ou quatro diodos na
retificao), a tenso reversa sobre os diodos polarizados reversamente pode ser maior ou menor,
assim como a corrente nominal direta, o que deve ser cuidadosamente observado ao projetarem-se
tais circuitos. A ondulao que pode ser observada sobre o nvel DC aps a filtragem conhecida
como ripple e depende da freqncia da entrada (e sada), do valor da capacitncia e da corrente
solicitada pela carga. Dependendo da corrente de carga, a tenso mdia de sada pode variar, devido
ao aumento do ripple e devido s impedncias envolvidas no circuito.
3.0 PROCEDIMENTO
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, SEM FILTRO
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm os diodos D1 e D2 e faa a montagem da Fig. 1.
SGin
Amplificador
Vout(+)
D1
T1
1N4003
N1
~
+
N2
R21
D2
C1
10
1N4003
470 F
25V
+/-20%
oscil.
R1
10k
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscpio e, antes de conect-lo ao circuito, ajuste sua sada para
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqncia de 50Hz, forma de onda
senoidal e com off-set igual a zero.
4. Utilize o canal 1 do osciloscpio para medir a tenso de secundrio N1 e reajuste o gerador para
obter uma tenso VN1=14Vpp. ***** ATENO: entre anodo de D1 e terra ! *****
5. Utilize o canal 2 do osciloscpio para medir a tenso VN2 e anote junto com VN1 na Fig. 2; passe
o canal 2 para medir a tenso de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais devem estar na mesma
escala e com a mesma referncia.
6. Desenhe a forma de onda de tenso de sada do retificador na Fig. 2.
possvel observar a queda de tenso sobre D1 e sobre D2 ? Mea e apresente o valor da tenso
reversa mxima nos diodos. Est coerente com o valor terico esperado ?
VN1, VN2, Vout [V]
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
+7
10
20
30
40
t [ms]
-7
unesp
Vripple [mV]
10
20
30
40
t [ms]
Fig. 4 - Forma de Onda da Tenso de Ripple para o Retificador de Onda Completa com Filtro
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Vout(+)
D2
D1
SGin
Amplificador
T1
+
N1
C1
470 F
25V
+/-20%
R1
oscil.
10k
N2
D4
D3
Vout [V]
+14
10
20
30
40
t [ms]
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Vout [V]
+14
10
20
30
t [ms]
40
Vripple [mV]
10
20
30
40
t [ms]
Fig. 8 Forma de Onda da Tenso de Ripple para o Retificador em Ponte com Filtro
17. Retorne o canal para o modo DC e desligue o capacitor C1.
unesp
A
D1
SGin
T1
Amplificador
in
1N4003
N1
oscil.
+
470 F
25V
+/-20%
R21
N2
10
C1
Carga
Eletrnica
R1
10k
RV1
I [mA]
2.5
7.5
10
12.5
15
17.5
20
25
Vripple
[mVpp]
Fig. 10 - Variao do Ripple com Carga Varivel
Vripple [mVpp]
800
640
480
320
160
10
15
20
25
[mA]
unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Verificar o funcionamento de um circuito triplicador de tenso, observando a influncia dos diversos
parmetros de circuito na forma de onda de sada.
2. Verificar o funcionamento de um grampeador positivo e a influncia da configurao do circuito na
forma de onda de sada.
3. Observar o funcionamento de circuitos limitadores de tenso.
2.0 DISCUSSO
Os multiplicadores de tenso so circuitos construdos com diodos e capacitores e que tm a
capacidade de produzir em sua sada tenses contnuas que so mltiplas inteiras do valor de pico
da tenso alternada de entrada. Como seu funcionamento depende da carga armazenada nos
capacitores, seu desempenho influenciado por de 3 principais fatores: o valor da capacitncia, a
freqncia do sinal de entrada e a solicitao de corrente por parte da carga. Estes fatores, aliados
queda de tenso direta nos diodos que compem o circuito, determinam o valor CC da tenso de
sada do multiplicador. Os multiplicadores so utilizados como fontes de alimentao de alta tenso e
baixa corrente, pois uma alta corrente de carga faz com que os capacitores descarreguem-se mais
rapidamente, gerando elevada ondulao (ripple) e conseqente diminuio do valor mdio da tenso
de sada.
Os limitadores de tenso (tambm conhecidos como ceifadores) so circuitos construdos com
diodos e tm por funo manter a tenso em sua sada dentro de limites pr-estabelecidos, conforme
a sua configurao. Sua principal aplicao proteo, a partir do condicionamento de sinais,
garantindo que determinada carga no receber tenses fora de uma determinada faixa de valores.
Dependendo do arranjo dos componentes no circuito, pode-se limitar a tenso a um valor mximo, a
um valor mnimo ou dentro de determinada faixa.
Circuitos grampeadores tm como funo deslocar a tenso alternada de entrada, adicionando ou
subtraindo um valor CC forma de onda alternada. So construdos com diodos e capacitores, e
tambm tem seu funcionamento dependente da carga armazenada nos capacitores, o que limita a
corrente a ser fornecida para o circuito de carga, de modo a garantir seu funcionamento adequado.
3.0 PROCEDIMENTO
CIRCUITO TRIPLICADOR DE TENSO
1. No necessrio inicializar o sistema e nem ligar a fonte principal da MB-U.
2. Utilize o protoboard para montar o circuito do Triplicador de Tenso esquematizado na Figura 1
observando os seguintes cuidados:
a) Seja organizado na sua montagem, para facilitar eventuais correes no circuito montado;
b) Evite entortar os terminais dos componentes, pois estes so frgeis podem se quebrar;
c) Aplique o sinal ao circuito somente quando tiver terminado a montagem e conferido todas
as ligaes.
3. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 1KHz com amplitude de 4Vp, offset
zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacar.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
C2
2,2F
D3
D2
D1
Canal 1
C1
C3
2,2F
2,2F
Canal 2
1M
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Ripple de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
DC
Ripple de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
C1
Canal 1
10 F
Canal 2
1M
D1
12. Com o osciloscpio, verifique as tenses de entrada e sada do circuito e anote as formas de
onda na figura 5, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de visualizao do aparelho. Para
melhor entendimento, indique tambm na figura a linha de referncia para cada canal.
13. Desconecte o gerador do circuito, inverta o diodo e a polaridade do capacitor. Reconecte o
gerador e anote as formas de onda de tenso na figura 6.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
DC
Tenso de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Tenso de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Pergunta: Qual foi a diferena observada no funcionamento do circuito grampeador, aps a alterao
realizada? Qual o efeito da tenso de barreira de potencial do diodo no resultado
observado?
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
1k
Canal 1
Canal 2
D1
PS-2
1M
Tenso de Entrada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
Tenso de Sada
escala: _____ V/div
modo de acoplamento vertical:
AC
DC
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
REGULADOR A DIODO ZENER
1.0 OBJETIVOS
2.0 DISCUSSO
Os diodos zener so diodos especialmente projetados para funcionamento em sua regio de ruptura,
sendo tambm conhecidos como diodos de avalanche controlada e, portanto, construdos para
trabalhar com polarizao reversa. Em um diodo reversamente polarizado, a corrente verificada na
juno de portadores minoritrios, sendo normalmente bastante baixa. Conforme aumenta-se a
tenso reversa aplicada, ocorre a ruptura, e a corrente reversa aumenta rapidamente. Nos diodos
Zener, aps a ruptura, a tenso nos terminais pouco se altera, sendo porisso, utilizados para produzir
tenses de referncia e em circuitos reguladores de tenso.
3.0 PROCEDIMENTO
CURVA CARACTERSTICA DO DIODO ZENER
1. Coloque a placa EB-111 (cdigo 815*017*) nas guias do bastidor e encaixe o conector. Inicialize o
sistema e digite "" at mudar o indicador de experincias para 10.
2. Localize o circuito que contm o diodo D3 e faa a montagem da Fig. 1.
R7
R6
A
150
PS-1
Vz
oscil.
+
D3
RV2
canal 1
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
6. Complete a tabela da figura 2 e trace a curva caracterstica V-I do diodo Zener na figura 3.
Ventrada [V]
10
Vz [V]
Iz [mA]
50
40
30
20
10
Vz [V]
10
Vz (R=800
) [V]
Vz (R=500
) [V]
Vz (R=200
) [V]
Vz (R=_____
) [V]
REGULAO (%)
Fig. 4 - Regulao de Tenso e Carga
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
V ( R = 800 ) V ( Rmin )
x100%
V ( R = 800 )
14. Trace a curva de Regulao de Tenso versus Tenso de Entrada na Figura 5, e trace as curvas
de Tenso na Sada versus Tenso de Entrada na Figura 6, para os quatro valores de carga
experimentados (todos no mesmo grfico).
Regulao [%]
Ventrada [V]
5
10
Ventrada [V]
5
10
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
MODO DE PRTICA
15. Digite "" para mudar o indicador de experincia para 14. Introduza o modo de prtica conforme
descrito na folha de Informaes Gerais - Parte B, e selecione o cdigo de falha nmero 7. (X=7).
16. Repita a etapa de regulao de carga (passos 8, 9 e 10) para R = (R7 + RV2) = 800. Anote os
resultados na tabela da Figura 7.
Ventrada [V]
10
Vz (R=800) [V]
17. Compare os valores do modo prtica com os valores do modo experimental e tente explicar as
diferenas observadas.
O circuito continua atuando como um regulador de tenso ? Que tipo de dispositivo foi acrescentado
ao circuito ? Em que ponto ? Tente calcular o valor do componente acrescentado.
18. Siga as instrues da folha de Informaes Gerais, retorne ao modo de experincia e encerre sua
sesso de laboratrio digitando # 3 *
unesp
= Ic / Ib
Para um transistor ideal, pode ser representado por um valor constante, mas na prtica, o
valor de bastante varivel, dependendo principalmente da temperatura da juno e da corrente de
base. As caractersticas de sada de um transistor (curvas de coletor) mostram a relao entre a
corrente de coletor e a tenso coletor-emissor e so usualmente representadas pelo conjunto das
curvas para diferentes correntes de base.
3.0 PROCEDIMENTO
CARACTERSTICAS DA JUNO BASE-EMISSOR
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector.
2. Localize o circuito que contm o transistor Q1 e faa a montagem ilustrada na Fig. 1, observando
cuidadosamente a ligao do ampermetro ao circuito.
R5
RV1
R4
Q1
+
A
+
+
PS-1
+
5V
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
3. Ajuste RV1 para obter as diversas correntes de base conforme a tabela da figura 2.
4. Para cada valor de corrente de base, mea a tenso entre base e emissor e registre os resultados.
5-10
Ibase [A]
(desejada)
Ibase [A]
(real)
VBE [V]
16-25
30-50
60-100
120-200
200
160
120
80
40
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
BE
[V]
GANHO DE CORRENTE
6. Conecte o circuito ilustrado na figura 5 e ajuste a tenso PS-1 para 10V.
7. Varie a corrente de base atravs do potencimetro RV1, para os valores mostrados na tabela da
fig. 4.
IB [A]
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC [mA]
= Ic / Ib
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
R5
RV1
R4
Q1
mA
+
A
+
+
PS-1
+
5V
PS-1
[V]
IC
[mA]
10
Pergunta-se: A corrente de coletor variou? Por que? Qual deveria ser o comportamento esperado?
CARACTERSTICAS DE SADA
11. Monte o circuito esquematizado na figura 7. Observe que o mesmo circuito anterior, bastando
curtocircuitar o resistor R5 utilizando-se de um jumper ou um cabo apropriado.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
R5
Q1
RV1
R4
mA
+
A
+
+
PS-1
osciloscpio
5V
12. Ajuste RV1 para obter corrente de 10A na base e ajuste PS-1 de modo a obter 0.5V ; mea o
valor da corrente de coletor com o ampermetro e anote na tabela da figura 8.
13. Mude o valor de PS-1 de modo a obter todos os valores de VCE listados na tabela da figura 8.
Para cada tenso VCE , anote o valor da corrente de coletor correspondente.
Obs: NO altere a resistncia RV1 durante as medidas. Preencha a tabela por colunas, no por linhas.
IB [A]
10
20
VCE [V]
50
80
100
IC [mA]
0.5
1
2
4
6
8
10
14. Trace na figura 9 a famlia de curvas de IC versus VCE para IB constante. Trace uma curva para
cada valor de corrente de base, construindo o conjunto de curvas de coletor para o transistor.
15. Identifique as regies de corte, saturao e ativa no grfico construdo.
possvel observar a regio de ruptura?
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
I [ mA]
C
20
15
10
10
CE
[V]
unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, voc ser capaz de:
1. Projetar um amplificador emissor-comum e mont-lo em protoboard.
2. Medir as tenses e correntes de polarizao e comparar com os clculos realizados.
3. Calcular o ganho de tenso terico. Medir o ganho de tenso experimental e comparar.
4. Variar o ponto de polarizao (para o corte e para a saturao) e verificar as distores que
ocorrem no sinal de sada amplificado.
5. Avaliar o efeito do capacitor de derivao de emissor no ganho de tenso.
2.0 DISCUSSO
Para que um amplificador transistorizado funcione adequadamente necessrio escolher-se
um ponto de operao prximo ao meio da reta de carga CC. Para isto, o valor da tenso VCE
quiescente deve ser aproximadamente igual metade da tenso de alimentao total do circuito, a
fim de permitir a gerao de um sinal CA simtrico na sada do amplificador. Quando esta condio
no atendida, o transistor poder estar trabalhando prximo sua regio de corte ou sua regio
de saturao, causando distoro do sinal de sada por ceifamento.
Um amplificador emissor-comum (EC) tem como caracterstica principal o alto ganho de
tenso e a fase de sada invertida em relao entrada.
O capacitor de derivao de emissor tem por funo fornecer um terra CA ao emissor,
reduzindo a linearizao do circuito e aumentando o ganho de tenso, sem interferir nos valores de
polarizao CC previamente estabelecidos.
3.0 PROCEDIMENTO
1. Projete um amplificador EC utilizando o transistor 2N2222A (mn = 75). Ajuste o ponto quiescente
prximo ao meio da reta de carga CC. Utilize Vcc = 12V e corrente de coletor 2mA.
2. Monte, utilizando um protoboard, o circuito projetado, conforme ilustra a Figura 2.
3. Mea, utilizando o multmetro, os valores das tenses CC. Anote os resultados na tabela da Fig. 1
e compare-os com os valores tericos esperados. Discutir os resultados.
VCC [V]
VB [V]
VE [V]
VC [V]
VCE [V]
4.Com o gerador de sinais, aplique uma tenso senoidal na entrada, com frequncia 1kHz.
5. Utilizando o osciloscpio, verifique a tenso de sada, anotando as formas de onda observadas na
Figura 3.
6. Calcule o ganho experimental. Compare os valores terico e experimental. Discutir os resultados
observados.
7. Variar o ponto de polarizao variando o valor de R2. Observe as distores que ocorrem devido
ao corte e saturao.
8. Desligue e reconecte o capacitor de derivao e observe o que ocorre com o ganho.
9. Antes de encerrar o seu experimento, apresente ao professor os clculos e os resultados.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Vcc
R1
Rc
E
R2
1k
RE
unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de:
1. Traar as curvas caractersticas de dreno e de transferncia a partir de valores medidos.
2. Determinar a resistncia de canal.
3. Ligar o JFET como uma resistncia varivel.
2.0 DISCUSSO
O FET conhecido como transistor unipolar porque a conduo de corrente acontece por apenas um
tipo de portador (eltron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome
efeito de campo decorre do fato que o mecanismo de controle do componente baseado no campo
eltrico estabelecido pela tenso aplicada no terminal de controle. O Transistor JFET recebe este
nome porque um transistor FET de Juno.
CONSTRUO
SMBOLO
DRENO
V
DG
D (drain)
+
_
p
PORTA
V
GS
V
DS
(gate) G
_
S
(source)
FONTE
A figura 1 apresenta um JFET de canal n (existe tambm o JFET de canal p). Seu diagrama
construtivo simplificado representa uma barra de silcio semicondutor tipo n (semicondutor dopado
com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regies tipo p. O JFET da figura 1 tem as
seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os eltrons livres,
DRENO: (drain) drena os eltrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos eltrons entre a fonte e o dreno.
As regies p da porta so interligadas eletricamente.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma juno pn de um diodo.
O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porm seu smbolo
apresenta a seta em sentido contrrio, e as correntes e tenses so consideradas invertidas em
relao ao JFET de canal n.
POLARIZAO DO JFET
G
p
S
+
Regies de
Depleo
+
V
DD
V
GG
V
DD
V
GG
A figura 2 apresenta o circuito de polarizao de um transistor JFET de canal n. Observa-se que para
que seja possvel o controle da corrente de dreno so necessrias as seguintes condies:
VDD > 0
VGG < 0
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
O fluxo de eltrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto , polarizao reversa na
porta causa aumento das regies de depleo, diminuindo a largura do canal e dificultando desta
forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte ( uma regio de ons, formada pela difuso
pela juno). Desta forma temos as seguintes condies:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tenso VGG, isto , quanto mais negativa, maior ser a regio
de depleo e portanto, mais estreito o canal.
b) TENSO DE CORTE (VGS): a tenso suficiente para desaparecer o canal (VGScorte)
tambm conhecida como Tenso de Deslocamente (pinch-off).
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a juno da porta opera em polarizao reversa,
tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO igual CORRENTE DA FONTE
(ID). Esta a causa da alta impedncia de entrada dos JFET.
OBS: Como a polarizao reversa entre a porta e a fonte (VGS) no consome corrente e a largura do
canal depende de VGS, o controle de ID efetivamente feito pela tenso da porta.
CURVAS DE DRENO
ID
Parbola
I d=kV
V GS = 0
Idss= 10mA
Vp
V GS = -1
5.62mA
VGS = -2
2.5mA
VGS = -4
VGS = -3
0.625mA
4
15
30
V DS
A figura 03 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo n. Observa-se que estas caractersticas
so semelhantes s caractersticas de um transistor BJT, apresentando as regies de saturao,
ruptura, e regio ativa. Observa-se tambm que, nestas caractersticas, a regio entre VDS = 0 e VDS =
4V apresenta um comportamento linear (regio hmica) e que a partir de Vp a resistncia aumenta.
Para VGS = 0 (porta em curto) e uma tenso VDS = Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que a
mxima corrente de dreno (drain-source short circuit current).
Observa-se que h uma semelhana entre as caractersticas de dreno do transistor JFET com as
caractersticas de coletor de um transistor BJT.
Nota-se uma regio de saturao, compreendida entre VDS = 0 e VDS = Vp.
H uma equivalncia entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre
a tenso dreno-fonte do JFET e a tenso coletor-emissor do BJT.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
A regio de saturao do JFET tambm conhecida como REGIO HMICA, pois nesta regio a
resistncia entre dreno e fonte dependente da tenso de controle da porta. Da o fato dos
transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistncia
atravs de tenso.
Uma caracterstica importante do transistor FET que este apresenta uma tenso VGS de corte igual
a tenso Vp (mxima na saturao).
CURVAS DE TRANSCONDUTNCIA
A curva de transcondutncia relaciona a corrente de sada com a tenso de entrada de um
JFET. Atravs da Equao de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tenso VGS, segundo uma
relao quadrtica:
VGS
I D = I DSS 1
VGS ( corte )
Como o JFET apresenta uma relao quadrtica entre a corrente de dreno-fonte e a tenso
de controle VGS, diz-se que este dispositivo um dispositivo de Lei Quadrtica.
ID
I Dss
arco de parbola
VGS(corte)
VGS
Na regio hmica, o JFET apresenta a seguinte relao para a sua resistncia de canal:
ro
rD =
VGS
1 +
V p
2
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
3.0 PROCEDIMENTO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Localize o circuito da figura 5 na placa de circuito impresso e faa as ligaes indicadas.
A
D
Q1
Vo1
(+) PS-1
Ids
G
S
R4
1 M
Vgs
Vds
osciloscpio
osciloscpio
PS-2
+
CURVAS DE DRENO
4. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 2.
5. Ajuste Vgs = 0 atravs de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tenses de acordo com a
figura 6. Mea e registre os valores das tenses e correntes para cada caso.
PRESTE ATENO: Mudanas na escala do ampermetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a
escala do ampermetro, refaa o ajuste de Vds. Usar o osciloscpio no modo HF Rej.
Levantar os dados para uma curva de Vgs de cada vez. Aterrar Vin2 para evitar rudos.
Vds[V]
Vgs[V]
0
-0.25
-0.5
-1.0
-3.0
0.1
0.25
0.5
1.0
2.0
10
Id[mA]
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
ID [mA]
2.0
1.5
1.0
0.5
VDS [V]
0
0 1
10
CARACTERSTICAS DE TRANSFERNCIA
8. Usando os resultados obtidos na figura 6, registre as variaes da corrente de dreno Id com a
variao na tenso de porta Vgs, para trs tenses Vds diferentes, conforme indicado na figura 8.
Vgs[V]
Vds[V]
0.1
1
10
-0.25
-0.5
Id[mA]
-1.0
-3.0
[mA]
2.0
1.5
1.0
0.5
V
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
GS
[V]
-0.5
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
R3
Vin1
(+)PS-1
Q1
R4
V
Vds
Vds [mV]
PS-1 [V]
1
Rds(on) []
Rds (on ) =
R3 .Vds
Vds
=
Id
( PS 1 Vds )
unesp
20. Encerre, digitando # 3 * .
Vin1
Vo1
R3
10k
Q1
gerador
R4
1M
Vds
V
Vgs
osciloscpio
osciloscpio
PS-2
+
200
100
Vgs [V]
0
Vds [mVpp]
Vin1 [mVpp]
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-5.0
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
1.0 OBJETIVOS
Aps completar estas atividades de laboratrio, o aluno dever ser capaz de:
1. Medir os valores CC no circuito amplificador com JFET.
2. Determinar a resposta em freqncia experimental do amplificador com JFET.
3. Verificar como as mudanas no resistor de carga alteram o valor do ganho de tenso.
2.0 DISCUSSO
De maneira anloga ao que ocorre com os transistores bipolares de juno (BJT), nos transistores de
efeito de campo de juno (JFET), o sinal de sada invertido em relao ao sinal de entrada, e para
o seu funcionamento necessria a polarizao CC.
Ainda de maneira anloga, com o JFET possvel construir-se amplificadores Fonte-Comum, DrenoComum, associar estgios em cascata e montar circuitos muito parecidos com aqueles construdos
com o BJT.
O amplificador FET tem menor ganho e impedncia mais alta que os amplficadores similares com
BJT, alm de ser menos sensvel radiao e gerar menos rudo.
3.0 PROCEDIMENTO
TENSES DE POLARIZAO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Localize o circuito da figura 1 na placa de circuito impresso e faa as ligaes indicadas.
Vo1
Q1
R1
(+) PS-1
(VDD)
G
S
R4
1 M
RV1
C3
unesp
OBS.: Se no for possvel ajustar a fonte PS-1 para 12V, ajustar para o maior valor possvel. Anote o
resultado na tabela da Figura 2.
6. Ajuste RV1 de modo que a tenso VD (medida no multmetro) seja 6V (ou aproximadamente a
metade da tenso Vdd ajustada, caso esta no tenha sido +12V).
ATENO: Aps ajustar RV1, cuidado para no encostar no boto do potencimetro, pois este
desajusta-se com facilidade.
7. Mea as demais tenses de polarizao do JFET e registre na tabela da Figura 2.
VDD [V]
VS [V]
VD [V]
VGS [V]
RESPOSTA EM FREQNCIA
8. Retire o voltmetro do circuito. Para verificar o funcionamento do amplificador SC, acrescente o
gerador de sinais e os 2 canais do osciloscpio, conforme esquema na figura 3.
(+) PS-1
R1=RL=10k
C1
Vo2
Q1
VIN2
C2
G
Gerador
de
Sinais
R4
1M
VIN
VOUT
RV1
C3
9. Ajuste o gerador de sinais para um sinal senoidal de 1kHz e amplitude de 200mVpp (medir no
GATE).
10. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 7.
11. Mea as tenses de entrada e sada e registre-as na tabela da Figura 4.
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
12. Varie a freqncia do gerador de sinais de acordo com os valores da tabela da figura 4; registre
os valores de tenso de sada, conferindo sempre se a tenso de entrada e corrigindo-a, se
necessrio.
13. Calcule o ganho de tenso Av = Vout/Vin e complete a tabela.
f [kHz]
VIN [mVpp]
0,1
200
200
200
10
200
20
200
30
200
50
200
70
200
100
200
VOUT [Vpp]
Av
14. Esboce o grfico da resposta em freqncia para o amplificador SC sob anlise na Figura 5.
10
10
10
10
10
10
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
RL
VIN [mVpp]
VOUT [Vpp]
Av
R1=10 k
R2=2.2 k
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
2.0 DISCUSSO
Transistores de Efeito de Campo Metal-xido-Semicondutor (MOSFET) apresentam diversas
semelhanas e algumas diferenas em relao aos Transistores JFET; a principal diferena o fato
da porta ser totalmente isolada do canal por uma camada de xido (dixido de silcio). Com isto, o
dispositivo apresenta uma impedncia de entrada infinita e, dependendo da construo, tamanho
fsico bastante reduzido, quando comparado ao BJT ou ao JFET de mesma potncia. Esta
caracterstica permite a construo de circuitos integrados com altssima escala de integrao (VLSI).
Apresenta-se a seguir o apecto construtivo bsico de MOSFET tipo intensificao e tipo depleo.
SiO 2
n
D
n+
D
substrato
_
p
SS
G
p
Contatos
Metlicos
(substrato)
S
n+
Canal n
SiO 2
n
D
n+
substrato
_
p
SS
G
p
(substrato)
Contatos
Metlicos
n+
sem canal
CARACTERSTICAS
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
FUNCIONAMENTO
a) VGS=0: Com uma polarizao nula na porta, no h alterao do canal (fisicamente ou
eletricamente) e a corrente que flui pelo canal corresponde ao fluxo de eltrons livres, da mesma
forma que ocorre nos transistores JFET.
b) VGS<0: Aplicando-se uma tenso negativa na porta estabelece-se um campo eltrico no material
dieltrico de modo que os eltrons do canal so repelidos em direo do substrato e as lacunas do
substrato so atradas, ocorrendo recombinao de portadores e causando uma diminuio do
nmero de eltrons livres no canal. Quanto mais negativa for a tenso VGS, menor a corrente entre o
dreno e a fonte (IDS). No MOSFET intensificao permanece a inexistncia de canal.
c) VGS>0: Ao aplicar-se uma tenso positiva na porta, estabelece-se um campo eltrico que arrasta os
portadores livres do substrato (corrente de fuga), criando-se assim, novos portadores de corrente no
canal a partir das colises resultantes, e em decorrncia disto h um aumento na capacidade de
conduo de corrente no canal; isto chamado de operao no modo intensificao. No caso do
MOSFET tipo intensificao, o acmulo de eltrons do substrato junto ao dieltrico, causado pelo
campo aplicado, forma um canal por onde circula a corrente dreno-fonte.
CURVAS DE DRENO
ID
VGS > 0
IDss
VGS = 0
modo intensificao
modo depleo
VGS < 0
VGS(off)
V DS
Vp
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
ID
modo depleo
modo intensificao
VGS(off)
VGS
3.0 PROCEDIMENTO
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
A
R5
Vout2
(+) PS-1
Q2
Vin2
Vds
R6
Vgs
osciloscpio
osciloscpio
+
V2
Vds[V]
Vgs[V]
0.05
0.1
0.25
0.3
0.35
0.4
0.5
1.0
5.0
Id[mA]
0
1
1.5
2
2.5
3
4
5
Fig. 2 Caractersticas do Dreno VMOS
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
10
10
10
10
10
10
Vout2
R5
(+) PS-1
Q2
Vin2
Vout
Gerador
Vin
R6
osciloscpio.
osciloscpio
unesp
13. Mantendo a freqncia em 10kHz, varie PS-1 e observe o que ocorre com VdsON. Explique.
Vin(V)
5
Vout(V)
5
t 0
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
Vin1
Q2
Vin
Gerador
Vout1
osciloscpio
R7
R6
Vout
osciloscpio
+ 5V
Vin(V)
4
0
Vout(V)
4
on
off
on
off
on
off
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
MODO DE PRTICA
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unesp
2.0 DISCUSSO
De maneira anloga aos circuitos amplificadores construdos com Transistores Bipolares de Juno
(BJT) e com os Transistores de Efeito de Juno (JFET), podem-se construir amplificadores utilizando
Transistores MOSFET nas mesmas configuraes. O amplificador Fonte Comum apresenta as
mesmas caractersticas do amplificador SC com JFET, ou seja, alto ganho, inverso de fase na sada
e alta impedncia de entrada.
3.0 PROCEDIMENTO
GANHO DE TENSO
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema.
2. Execute os passos contidos na folha de Informaes Gerais para entrar no Modo de Experincia.
3. Digite "" para mudar o indicador de experincias para 15.
4. Observe o circuito da Figura 1 e localize na placa EB-112 os componentes necessrios para
construir o amplificador SC esquematizado.
5. Aps montar o amplificador, ajuste PS-1 para 10V (Vdd) .
6. Ajuste Vg de modo a obter uma tenso Vds de aproximadamente 5V (meio da reta de carga).
7. Aplique na entrada um sinal senoidal de f=1kHz e valor pico-a-pico de 40mV.
8. Observe e anote na Figura 2 as formas de onda de entrada e sada, observadas simultaneamente
nos dois canais do osciloscpio.
9. Calcule o ganho de tenso nesta situao.
RESPOSTA EM FREQNCIA
10. Utilizando o mesmo circuito de amplificador j montado, varie a freqncia do sinal de entrada e
observe o comportamento do amplificador na faixa estabelecida (valores na tabela da Figura 3).
11. Trace o grfico Ganho X Freqncia na Figura 4 e entenda o resultado observado.
12. Encerre, digitando # 3 * .
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PS-1
10k
Q
C
10k
Vin
Vd
100F
5k
+
osciloscpio
osciloscpio
DC
DC
_____________________________________________________________________________________________________
unesp
f [kHz]
VIN [mVpp]
0,1
40
40
40
10
40
20
40
30
40
50
40
70
40
100
40
200
40
500
40
1000
40
VOUT [Vpp]
Av
10
10
10
10
10
10
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unesp
ANEXO
TEORIA DO OSCILOSCPIO
1.0 OBJETIVOS
Apresentar Noes Elementares de funcionamento do Osciloscpio de Tubo de Raios Catdicos e
seus principais comandos e funes.
2.0 INTRODUO
O osciloscpio de raios catdicos foi inventado em 1897 por Ferdinand Braun, com a
finalidade de analisar as variaes de tenso eltrica no tempo. Paralelamente, neste mesmo ano,
J.J. Thomson mediu a carga do eltron a partir da sua deflexo na presena de campos
magnticos. Em 1905 foi possvel a industrializao deste tipo de equipamento com a utilizao de
tubos de raios catdicos feitos por Welhnet e que tem passado por diversos aperfeioamentos,
com osciloscpios cada vez mais modernos, providos de recursos mais avanados.
A apresentao de dados pelo osciloscpio fornece mais informaes do que seria possvel
obter de qualquer outro instrumento de teste e medio, tal como freqncmetros, multmetros,
etc., podendo-se determinar quanto de um sinal corrente contnua, alternada e rudo (ou se o
rudo varia com o tempo), alm da prpria freqncia do sinal. O osciloscpio permite observar
tudo de uma vez, ao invs de exigir vrias etapas de teste e medio.
Com o osciloscpio torna-se possvel a observao de uma diferena de potencial (ddp) em
funo do tempo, ou de outra ddp, a partir da posio de uma mancha ou mesmo um ponto
luminoso numa tela graduada, resultante do impacto de um feixe de eltrons acelerados e
defletidos pela ao de campos eltricos ou magnticos, incidentes num anteparo revestido de
material fluorescente. Pode-se tambm, atravs de um transdutor adequado, avaliar qualquer
outro fenmeno dinmico, como exemplo: a oscilao de um pndulo, a variao da temperatura
ou de luz de um ambiente, as batidas de um corao, transformando as grandezas em anlise em
tenses eltricas.
As descries que sero apresentadas neste texto dizem respeito aos modelos mais comuns
de osciloscpios, de duplo trao, e no seu aparelho especificamente, pode aparecer com outro
nome, mas as funes so anlogas.
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unesp
Todo osciloscpio possui um conjunto de circuitos que permitem, na ausncia de sinal, formar
corretamente
mente o feixe eletrnico, focalizando-o
focalizando
e posicionando-o
o num ponto do anteparo,
correspondentes aos controles que devem ser ajustados em primeiro lugar:
1. Controle de intensidade do ponto luminoso que varia o brilho da imagem. Cuidado para
no usar um brilho
ho excessivo, que pode danificar permanentemente o anteparo.
anteparo A
condio perigosa anunciada pelo aparecimento de um halo em torno do feixe.
2. Controle de foco que procura reduzir a imagem do feixe a um ponto luminoso. Verifica-se
Verifica
uma interao entre os controles
controles de intensidade e de foco, devendo este ser reajustado
sempre em funo da intensidade.
3. Controle de posicionamento horizontal em conseqncia da variao da diferena de
potencial contnua que aplicada s placas defletoras verticais (eixo X).
4. Controle
le de posicionamento vertical em conseqncia da variao da diferena de
potencial contnua que aplicada s placas defletoras horizontais (eixo Y).
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O sinal fornecido pela base de tempo, na operao normal do aparelho, aplicado entrada
do amplificador horizontal. O dente de serra
serra ento amplificado e aplicado s placas defletoras
verticais adequadas ao tubo de raios catdicos, gerando assim a base de tempo.
Para se obter uma onda peridica estvel no osciloscpio, a base de tempo deve ser
disparada assim que o sinal atinja um certo valor. Para isso extrai-se
extrai se do sinal a ser observado uma
forma de onda que dispara a base de tempo ou inversamente, uma base de tempo que opera
continuamente. Como pode ser observado pela Fig. 4, o sistema da base de tempo (dente de
serra) sincronizado com o circuito de disparo mostra na tela a forma de onda a ser analisada.
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unesp
Nos osciloscpios mais comuns, o sinal da fonte de disparo ou sincronizao pode ser obtido:
Internamente, ou seja, pelo prprio sinal que est sendo observado em qualquer dos
dois canais (CH1 ou CH2).
Pela rede de alimentao de energia eltrica (LINE), com uma onda senoidal de
freqncia 60 Hz (ou 50 Hz
H nos aparelhos europeus).
Externamente (EXT), isto , por um sinal externo qualquer, aplicado ao terminal de
sincronizao (EXT. IN).
Em quaisquer
quer dos casos a sincronizao ou o ponto de disparo pode ser efetuado sobre
pores positivas (+) ou negativas
negativ (-) do referido sinal de disparo.
Em alguns osciloscpios possvel fazer uma varredura nica (single sweep) em que se
dispara apenas um ciclo da base de tempo. Este modo de operao til para a observao de
fenmenos no peridicos, entretanto,
entretanto, para uma melhor visualizao destes eventos, os
osciloscpios de armazenamento ou digitais so mais adequados.
A Fig. 5 mostra como uma imagem exibida no anteparo fluorescente da tela do
osciloscpio, atravs de uma sucesso de fotos obtidas pelo sistema
sistema de varredura sincronizado
com o circuito de disparo aliado nossa persistncia retiniana, fornecendo o andamento de uma
funo no decorrer do tempo.
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Para eliminar esses inconvenientes, usam-se pontas de prova adequadas. As mais comuns
so pontas atenuadoras, que dividem por um fator constante o sinal aplicado ao osciloscpio. Tais
pontas de prova em conjunto com um cabo coaxial oferecem uma alta impedncia vista pelo
circuito examinado, dispondo de capacitores de compensao que eliminam distores nas formas
de ondas. Tais cabos coaxiais possuem a blindagem ligada massa do osciloscpio e procuram
eliminar o primeiro inconveniente citado acima.
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Uma ponta de prova fornece a diferena de potencial entre um ponto a ser medido e o terra.
Torna-se aqui oportuno salientar que o terminal tipo jacar da ponta de prova est conectado
eletricamente ao terra do osciloscpio, e consequentemente, da rede. Requer, portanto, cuidados
para que no seja simplesmente utilizado como o outro terminal de um voltmetro, mas sempre
ligado ao terra do circuito!
Modo XY para se analisar um sinal do canal 2 (Y) em funo do canal 1 (X). Neste caso, o
sistema de base de tempo deixa de atuar sobre os canais, a funo do canal 1 passa a operar
como um amplificador horizontal e a do canal 2 como um amplificador vertical e podemos observar
o andamento de uma funo em estudo, independentemente do tempo. Alternativamente pode-se
utilizar a entrada do controle de disparo externo (EXT. IN.) como entrada de sinal no eixo X.
Para melhor elucidar o que foi dito, apresenta-se a seguir uma foto com os controles frontais
e conexes e, uma sucinta descrio de cada comando e controle oferecido pelo osciloscpio
Degem utilizado nas aulas de laboratrio.
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