ELETRNICA ANALGICA

Transistores de Efeito de Campo - FET

Prof. Vitor Leo

vitorleao@ifba.edu.br
Departamento de Eletrnica

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Definio
Construo Fsica
O JFET de Canal N
Operao Fsica
Modos de Operao
Modo de Corte
Modo Triodo
Modo Saturao
Curvas Caractersticas
O JFET de Canal P
Operao Fsica
Modo de Corte
Modo Triodo
Modo Saturao
Resumo
Exerccios
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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.

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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados so o JFET
(Junction Field-Effect Transistor ) e o MOSFET (Metal Oxide
Semicondutor Field-Effect Transistor ).

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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados so o JFET
(Junction Field-Effect Transistor ) e o MOSFET (Metal Oxide
Semicondutor Field-Effect Transistor ).
Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo
Sua operao depende apenas do fluxo de portadores majoritrios
(eltrons ou buracos), sendo considerados dispositivos unipolares.

Ao contrrio dos transistores bipolares, suas junes PN operam sempre

reversamente polarizadas.

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Definio
O Transistor de efeito de campo um dispositivo semicondutor onde a
corrente eltrica conduzida por ele controlada por um campo
eltrico.
Os dois transistores de efeito de campo mais usados so o JFET
(Junction Field-Effect Transistor ) e o MOSFET (Metal Oxide
Semicondutor Field-Effect Transistor ).
Vantagens dos Transistores de Efeito de Campo
Sua operao depende apenas do fluxo de portadores majoritrios
(eltrons ou buracos), sendo considerados dispositivos unipolares.

Ao contrrio dos transistores bipolares, suas junes PN operam sempre

reversamente polarizadas.

So mais simples de serem fabricados e facilmente miniaturizados.

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Transistor JFET

O JFET foi concebido por Julius Lilienfeld em 1925 e patentiado por

ele mesmo em 1930.
Em 1947, os pesquisadores Barden, Brattain e Schckley da Bell Labs
estavam tentando construir um JFET, quando descobriram o transistor
bipolar de juno acidentalmente.

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Efeito de Campo Eltrico em uma Juno PN

Em uma juno PN reversamente polarizada, o campo eltrico
produzido pela fonte de tenso capaz de modificar a largura da
regio de depleo:

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Construo Fsica do JFET

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Construo Fsica do JFET

Terminais do JFET
G Gate (Porta).

D Drain (Dreno).
S Source (Fonte).
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Construo Fsica do JFET

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Operao Fsica do JFET

Em um JFET as junes PN devem estar sempre despolarizadas ou

polarizadas reversamente.
Se uma tenso VDS for aplicada entre os terminais de dreno (D) e
fonte (S) do dispositivo, haver conduo de corrente eltrica?
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Operao Fsica do JFET

O semicondutor tipo N forma um canal para a conduo de corrente

eltrica entre os terminais de dreno (D) e fonte (S).
Neste modo, o JFET funcionar com um resistor, cuja resistncia
igual do canal N. Isso faz com que a relao entre ID e VDS seja
aproximadamente linear para pequenos valores de VDS .
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Operao Fsica do JFET

Ao aplicar uma tenso VGS < 0, polarizando as junes PN

reversamente, observamos um aumento da largura da regio de
depleo e, consequentemente, um estreitamento do canal de
conduo.
Com o estreitamento do canal, a resistncia eltrica apresentada pelo
JFET ir aumentar, modificando a curva caracterstica ID VDS
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Operao Fsica do JFET

Dessa forma, o JFET funcionar como um resistor controlado pela

tenso VGS < 0, onde a resistncia eltrica do dispositivo ser to
maior quanto mais negativa for a tenso VGS .
Como as junes PN esto reversamente polarizadas, a corrente de
porta (gate) ser aproximadamente nula (exceto pelas correntes de
fuga).
11 de 46

Operao Fsica do JFET

Se a tenso VGS atingir o valor limite VP < 0, a regio de depleo

ser to larga que o canal de conduo de corrente entre o dreno (D)
e a fonte (S) ser totalmente estrangulado, fazendo com que ID = 0 e
a resistncia do JFET seja infinita (circuito aberto).
A tenso VP < 0 denominada tenso de pinch-off, e o JFET
funcionar como um circuito aberto para tenses VGS VP < 0.
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Operao Fsica do JFET

Para garantir que o JFET apresente uma corrente de dreno ID 6= 0,

deveremos manter VP < VGS < 0.
A partir de agora, vamos manter a tenso VGS fixa e vamos variar a
tenso VDS para verificar a sua influncia na operao fsica do JFET.
13 de 46

Operao Fsica do JFET

Com uma tenso VDS > 0, teremos que VGD < VGS < 0. Assim, a
regio de depleo ser mais larga nas proximidades do dreno (D) do
que nas proximidades da fonte (S).
Com o aumento de VDS , o canal sofrer um estreitamento nas
proximidades do dreno, aumentando progressivamente a resistncia
do canal. Assim, a derivada das curvas ID xVDS (condutncia) ir
diminuir
com o aumento de VDS .
14 de
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Operao Fsica do JFET

Quando a tenso VDS for elevada o suficiente para fazer com que
VGD VP < 0, o canal ser estrangulado apenas nas proximidades
do dreno (D).
Nessa situao, o campo eltrico na pequena regio onde o canal
est estrangulado ir superar o campo eltrico da regio de depleo.
Esse campo eltrico impulsiona os eltrons do canal atravs da regio
estrangulada,
mantendo a corrente ID saturada em um valor limite.
15 de
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Operao Fsica do JFET

A tenso VDS a partir da qual a corrente ID satura dada por:

VGD VP
VG VS (VD VS ) VP

VG VD VP
VGS VDS VP

VDS VGS VP
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Modos de Operao do JFET

De acordo com a operao fsica do JFET, identificamos trs modos de
operao:
Modo de Corte
Quando temos VGS VP < 0, o canal estar completamente estrangulado
e teremos ID = 0 independente da tenso VDS . Nesse modo de operao,
o JFET opera como um circuito aberto.

17 de 46

Modos de Operao do JFET

De acordo com a operao fsica do JFET, identificamos trs modos de
operao:
Modo de Corte
Quando temos VGS VP < 0, o canal estar completamente estrangulado
e teremos ID = 0 independente da tenso VDS . Nesse modo de operao,
o JFET opera como um circuito aberto.
Modo Triodo
Quando temos VP < VGS < 0, o canal estar aberto e teremos ID 6= 0.
Nesse modo de operao, o JFET opera como um resistor controlado pela
tenso VGS , assim como as antigas vlvulas triodo. Para isso acontecer,
devemos ter VDS < VGS VP para que o canal no seja estrangulado nas
proximidades do dreno.
17 de 46

Modos de Operao do JFET

Modo Saturao
Nesse modo de operao, tambm teremos VP < VGS < 0, para que o
canal esteja aberto e ID 6= 0. Entretanto, nesse modo de operao, a corrente ID estar saturada em um valor limite em virtude do estrangulamento
do canal nas proximidades do terminal de dreno. Para isso acontecer, deveremos ter VDS VGS VP .

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Modo de Corte

Condio de Operao e Modelo Matemtico

VGS VP < 0
Como o canal se encontra completamente estrangulado, teremos:
ID = 0
independente
da tenso VDS .
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Modo Triodo

Condies de Operao

VP < VGS < 0

VDS < VGS VP

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Modo Triodo

Modelo Matemtico
No modo de triodo, a corrente de dreno ser dada por:

"

ID = IDSS 2 1

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

onde IDSS (Drain to Source Saturation Current) um parmentro do JFET.

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Modo Saturao

Condies de Operao

VP < VGS < 0

VDS VGS VP

Com o estrangulamento do canal nas proximidades do terminal de dreno,

a corrente ID satura no valor limite atingido no ponto onde o JFET muda
de operao do modo de triodo para o modo de saturao.
22 de 46

Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .

23 de 46

Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:

"

ID = IDSS 2 1

23 de 46

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:

"

ID = IDSS 2 1

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

Obteremos:

"

ID = IDSS 2 1

23 de 46

VGS
VP

 
 
2 #
VP VGS
VGS VP

VP

VP

Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:

"

ID = IDSS 2 1

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

Obteremos:

 
 
2 #
VP VGS
VGS VP
ID = IDSS 2 1

VP
VP
VP
" 
 
 
2 #
VGS
VGS
VGS
ID = IDSS 2 1
1
1
"

VGS

VP

23 de 46

VP

VP

Modo Saturao
O valor de saturao da corrente ID atingido quando o JFET, operando
no modo de triodo, atinge o limiar VDS = VGS VP .
Assim, substituindo esse valor de VDS em:

"

ID = IDSS 2 1

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

Obteremos:

 
 
2 #
VP VGS
VGS VP
ID = IDSS 2 1

VP
VP
VP
" 
 
 
2 #
VGS
VGS
VGS
ID = IDSS 2 1
1
1
"

VGS

VP

VP


ID = IDSS 1
23 de 46

VGS
VP

VP

2

Modo Saturao

Modelo Matemtico - Equao de Shockey

No modo de saturao, a corrente de dreno ser dada por:


ID = IDSS 1
24 de 46

VGS
VP

2

Modo Saturao

Modelo Matemtico - Equao de Shockey

No modo de saturao, a corrente de dreno ser dada por:


ID = IDSS 1
25 de 46

VGS
VP

2

Curvas Caractersticas do JFET

A transio entre o modo de triodo e o
modo de saturao acontece quando
VDS = VGS VP . Nessa situao, a
corrente ID satura em:


ID = IDSS 1

26 de 46

VGS
VP

2

Curvas Caractersticas do JFET

A transio entre o modo de triodo e o
modo de saturao acontece quando
VDS = VGS VP . Nessa situao, a
corrente ID satura em:


ID = IDSS 1

VGS

2

VP
Assim, substituindo VGS = VDS + VP na equao da corrente de
saturao ID , obteremos a curva que define a fronteira entre os modos
de triodo e de saturao no grfico ID VDS


ID = IDSS 1

26 de 46

VDS + VP
VP

2

Curvas Caractersticas do JFET

A transio entre o modo de triodo e o
modo de saturao acontece quando
VDS = VGS VP . Nessa situao, a
corrente ID satura em:


ID = IDSS 1

VGS

2

VP
Assim, substituindo VGS = VDS + VP na equao da corrente de
saturao ID , obteremos a curva que define a fronteira entre os modos
de triodo e de saturao no grfico ID VDS


ID = IDSS 1

VDS + VP


ID = IDSS
26 de 46

VP
2
VDS
VP

2

Curvas Caractersticas do JFET

A transio entre o modo de triodo e o
modo de saturao acontece quando
VDS = VGS VP . Nessa situao, a
corrente ID satura em:


ID = IDSS 1

VGS

2

VP
Assim, substituindo VGS = VDS + VP na equao da corrente de
saturao ID , obteremos a curva que define a fronteira entre os modos
de triodo e de saturao no grfico ID VDS


ID = IDSS 1

VDS + VP


ID = IDSS
27 de 46

VP
2
VDS
VP

2

Operao Fsica do JFET canal P

Em um JFET as junes PN devem estar sempre despolarizadas ou

polarizadas reversamente. Portanto, em um JFET de canal P
deveremos ter VGS 0.
O semicondutor tipo P forma um canal para a conduo de corrente
eltrica entre os terminais de dreno (D) e fonte (S).
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Operao Fsica do JFET canal P

O terminal de fonte definido como sendo o ponto de partida dos

portadores majoritrios de carga (buracos), que sero drenados
pelo terminal de dreno. Por essa razo, no JFET de canal P teremos
VDS 0.
29 de 46

Operao Fsica do JFET canal P

Neste modo, o JFET funcionar como um resistor, cuja resistncia

igual do canal P. Isso faz com que a relao entre ID e VDS seja
aproximadamente linear para pequenos valores de VDS .
Ao aplicar uma tenso VGS < 0, polarizando as junes PN
reversamente, observaremos um estreitamento do canal de conduo
e, consequentemente, um aumento na resistncia eltrica
apresentada pelo JFET, modificando a curva caracterstica ID VDS .
30 de 46

Operao Fsica do JFET canal P

Se a tenso VGS atingir o valor limite VP > 0, a regio de depleo

ser to larga que o canal de conduo de corrente entre o dreno (D)
e a fonte (S) ser totalmente estrangulado, fazendo com que ID = 0 e
a resistncia do JFET seja infinita (circuito aberto).
A tenso VP > 0 denominada tenso de pinch-off, e o JFET
funcionar como um circuito aberto para tenses VGS VP .
31 de 46

Operao Fsica do JFET canal P

Com uma tenso VDS < 0, teremos que 0 < VGS < VGD . Assim, a
regio de depleo ser mais larga nas proximidades do dreno (D) do
que nas proximidades da fonte (S).
Com o aumento de |VDS |, o canal sofrer um estreitamento nas
proximidades do dreno, aumentando progressivamente a resistncia
do canal. Assim, a derivada das curvas ID VDS (condutncia) ir
diminuir com o aumento de |VDS |.
32 de 46

Operao Fsica do JFET canal P

Quando a tenso |VDS | for elevada o suficiente para fazer com que
VGD VP , o canal ser estrangulado apenas nas proximidades do
dreno (D).
Nessa situao, o campo eltrico na pequena regio onde o canal
est estrangulado ir superar o campo eltrico da regio de depleo.
Esse campo eltrico impulsiona os eltrons do canal atravs da regio
estrangulada, mantendo a corrente ID saturada em um valor limite.
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Operao Fsica do JFET canal P

A tenso VDS a partir da qual a corrente ID satura dada por:

VGD VP
VG VS (VD VS ) VP

VG VD VP
VGS VDS VP

VDS VGS VP
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Modo de Corte

Condio de Operao e Modelo Matemtico

0 < VP VGS
Como o canal se encontra completamente estrangulado, teremos:
ID = 0
independente da tenso VDS .
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Modo Triodo

Condies de Operao

VP > VGS > 0

VDS > VGS VP

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Modo Triodo

Modelo Matemtico
No modo de triodo, a corrente de dreno ser dada por:

"

ID = IDSS 2 1

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

onde IDSS (Drain to Source Saturation Current) um parmentro do JFET.

37 de 46

Modo Saturao

Condies de Operao

VP > VGS > 0

VDS VGS VP

Com o estrangulamento do canal nas proximidades do terminal de dreno,

a corrente ID satura no valor limite atingido no ponto onde o JFET muda
de operao do modo de triodo para o modo de saturao.
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Modo Saturao

Modelo Matemtico
No modo de saturao, a corrente de dreno ser dada por:


ID = IDSS 1
39 de 46

VGS
VP

2

Resumo - Modo Corte

Corrente de Dreno no Modo de Corte

ID = 0
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Resumo - Modo Triodo

Corrente de Dreno no Modo de Triodo

"

ID = IDSS 2 1
41 de 46

VGS
VP

 
 
2 #
VDS
VDS

VP

VP

Resumo - Modo de Saturao

Corrente de Dreno no Modo de Saturao - Equao Shockey


ID = IDSS 1
42 de 46

VGS
VP

2

Resumo - Equao da Curva de Transferncia

Podemos escrever uma relao entre VGS e VP a partir da equao de
Shockey.


ID

43 de 46

= IDSS 1

VGS
VP

2

Resumo - Equao da Curva de Transferncia

Podemos escrever uma relao entre VGS e VP a partir da equao de
Shockey.


ID
ID
IDSS

43 de 46

= IDSS 1

=

VGS
VP

VGS
VP

2

2

Resumo - Equao da Curva de Transferncia

Podemos escrever uma relao entre VGS e VP a partir da equao de
Shockey.


ID
ID
IDSS

ID
IDSS

43 de 46

= IDSS 1

=


=

VGS

VGS

VP
VGS
VP

VP

2


2

Resumo - Equao da Curva de Transferncia

Podemos escrever uma relao entre VGS e VP a partir da equao de
Shockey.


ID
ID
IDSS

ID
IDSS
VGS
VP

= IDSS 1

=


=

VGS

VP

2

VP
VGS

r
= 1


VGS = VP 1
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VGS

VP
ID
IDSS

ID
IDSS

2

Resumo - Exemplo de Curvas Caractersticas

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Exerccio 1, 2 e 3

Ex1 - Esboce a curva de transferncia para um dispositivo de canal N

com IDSS = 12mA e VP = 6V .

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Exerccio 1, 2 e 3

Ex1 - Esboce a curva de transferncia para um dispositivo de canal N

com IDSS = 12mA e VP = 6V .
Ex2 - Esboce a curva de transferncia para um dispositivo de canal P
com IDSS = 6mA e VP = 3V .

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Exerccio 1, 2 e 3

Ex1 - Esboce a curva de transferncia para um dispositivo de canal N

com IDSS = 12mA e VP = 6V .
Ex2 - Esboce a curva de transferncia para um dispositivo de canal P
com IDSS = 6mA e VP = 3V .
Ex3- Utilizando o exemplo de curva caracterstica anterior calcule o
valor da corrente ID para quando VGS = 1V

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Para Saber Mais

A Fsica de Materiais e Dispositivos Eletrnicos 1a Edio - Editora

Universitria da UFPE -SERGIO M. REZENDE - Captulo 7.
Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos 8a Edio - ROBERT
L. BOYLESTAD, LOUIS NASHELSKY - Captulo 5.
Eletrnica Vol.1 2a Edio - Editora McGraw-Hill - Millman e Halkias Captulo 10.
Eletrnica Bsica. Teoria e Prtica Vol.2 - Editora McGraw-Hill Wilson e Kaufman.
Notas de aula - Professor Vitor Leo

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