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SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Tambm chamados de puros , so aqueles que s possuem tomos das espcies
contidas em sua frmula qumica (Ex.: Si, Ge, GaAs, InP, InGaAs, etc.).
T =0K
T = 300 K
2
e
BAIXA CONDUTIVIDADE A 300 K n
e
i
me *
Eg
k BT
Gap DIRETO
Gap INDIRETO
E f Ei
f i
Princpio da
CONSERVAO DO MOMENTUM
i ~ ZB = p/a ~ 108 cm-1
|| >> ph
f ~ 104 cm-1
Concluso
No Si o decaimento de um eltron da B.C. para a B.V. s possvel se, aliada
emisso de um fton (conservao da energia), estiver associada a emisso de um
fnon de rede (conservao do momentum). A coincidncia dos dois fenmenos
extremamente improvvel ! NO UM MATERIAL OPTOELETRNICO.
hn
Agora:
nph = 8,7 . 1014 Hz
lph = 0,87 mm
Princpio da
CONSERVAO DO MOMENTUM
i ~ 104 cm-1
~ ph
f ~ 104 cm-1
Concluso
No GaAs o decaimento de um eltron da B.C. para a B.V. muito mais provvel,
resultando na emisso de um fton (conservao da energia e do momentum linear).
TRATA-SE DE UM MATERIAL OPTOELETRNICO muito empregado na
indstria de LEDs e lasers de estado slido.
me
*
NOTE
Uma vez que a B.C. tem concavidade
para cima , tm-se que
me* > 0
2E
2
min
eE e 0
t
d
v
Fe me* e 0
dt
me* * < 0
me
**
2
2
E
2 max
eE e 0
t
d
v
Fe me** e 0
dt
Ex = 0
Ex > 0
b e
e
b
eE
0
t
t
d
v
Fb mb* b 0
dt
mb m e
*
**
2
2
0
E
2 max
Concluso
O buraco (estado vazio simtrico a um eltron ativo no processo de conduo
na B.V.) se comporta como uma partcula com CARGA e MASSA POSITIVAS.
Qb Qe e
OBSERVAO
Tipicamente os semicondutores exibem mais de uma B.V. e B.C., com curvaturas
que variam inclusive com a direo. Consequentemente existem vrias me* e mb* .
TRMICO (T > 0 K)
Envolvendo interaes
eltrons-fnons de rede
n = p = ni (Eg, T)
g=r
e 2
e
ni
me *
Eg
com ni exp
k BT
f ( E ) D( E )dE
EC
com
f (E)
1
E E F
1 exp
k BT
EV < EF < EC
D(E)dE
0
Nos semicondutores, contudo, o Nvel de Fermi depende da forma das bandas de energia
e sua posio ser determinada relativamente a EV e EC do material.
2 2
E EC
2mC*
e, consequentemente:
2 2
EV E
2mV*
(E na B.C.)
1
2
2p
D( E )
1
2p 2
2m
2
*
C
2mV*
2
3/ 2
3/ 2
E E
1/ 2
(E na B.V.)
, na B.C.
E , na B.V.
1/ 2
1 f ( E )D( E )dE
tambm com
f (E)
1
E E F
1 exp
k BT
E EF
Eg
2
k B T
E-E F
exp , na B.C. (onde E E F )
k BT
f (E) f B (E)
E-E F
(Boltzmann)
1 exp k T , na B.V. (onde E E F )
B
E E F 1
exp
2
k
T
B
2p
EC
f ( E ) D( E )dE
EC
2m
2
*
C
3/ 2
E E
1/ 2
dE
E E F 1
p 1 f ( E )D( E )dE exp
2
k
T
B
2p
EV
EV
2mV*
2
3/ 2
E dE
1/ 2
mC* k B T
n 2
2
2p
3/ 2
EC E F
exp
k BT
mV* k B T
p 2
2
2p
3/ 2
E F EV
exp
k BT
N C ,V 2
2
2
p
*
C ,V
3/ 2
E EF
n N C exp C
k BT
E EV
p N V exp F
k BT
OBSERVAES
1) Uma prova de que os estados efetivamente envolvidos nos processos eltricos e
pticos, em condies normais, so aqueles prximos aos limites de energia extremos
nas bandas, pode ser verificada assumindo que a densidade de estados existentes D(E)
se concentra prximo a esses limites de energia:
N C E EC , na B.C.
D( E )
N V EV E , na B.V.
EC
f ( E ) D( E )dE
E E
f
(
E
)
D
(
E
)
dE
exp
N E
EV
E E F
E C E F
exp
N
E
dE
N
exp
C
C
C
k
T
k
T
B
B
EC
EV
k BT
E E F
E dE N V exp V
k
T
B
EF = Ei
n = p = ni
E C E i
Ei EV
ni N C exp
N V exp
k
T
k
T
B
B
NOTE: Ei EV EC EV E g EC E g
2
EC Ei
exp
k BT
Ei EV
exp
k BT
3/ 2
*
N V mV
N C mC*
mV*
EV EC 3
Ei
k BT ln *
2
4
mC
Ei
E EC
n np N C N V exp V
k BT
2
i
Eg
ni N C N V exp
2k B T
Num dispositivo
optoeletrnico a gerao de
calor (fnons) compete com a
gerao de luz (ftons).