Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO

1.1

FSICA DOS SEMICONDUTORES

A ESTRUTURA DO TOMO

O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares:

Eltrons, prtons e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal
contrrio. Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas,
num total de at sete camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada
de valncia, e geralmente ela que participa das reaes qumicas.
Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos
de tomos, diferenciados entre si pelos seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons.
Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica
o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos especiais:
MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE

So materiais que no oferecem resistncia passagem de corrente eltrica.

Quanto menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O
que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem
fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus
tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo,
com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar
estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre.
MATERIAIS ISOLANTES

So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a

passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia so rigidamente ligados aos
seus tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos
para se transformarem em eltrons livres.
Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas
(borracha, mica, baquelita, etc.).

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas

(borracha, mica, baquelita, etc.).
MATERIAL SEMICONDUTOR

Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como

exemplo temos os germnio e o silcio.

ESTUDO DOS SEMICONDUTORES

Os tomos de germnio e silcio tm uma camada de valncia com 4 eltrons.
Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma
estrutura cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao,
formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro
outros tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro
eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo
que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons, ver Figura 1.1.1.

Figura 1.1.1. Estrutura cristalina do tomo.

Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper

ligaes covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento
temperatura algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para
romperem, fazendo com que os eltrons das ligaes rompidas passem a
movimentar livremente no interior do cristal, tornando-se eltrons livres.

as
da
se
se

Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de

valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era
neutro e um eltron o abandonou. Essa regio recebe o nome de lacuna, sendo
tambm conhecida como buraco. As lacunas no tm existncia real, pois so apenas
espaos vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes
rompidas.

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

Figura 1.1.2. Estrutura cristalina com eltrons livres.

Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um

eltron e uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o
lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao).
Como tanto os eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos
pares, pode-se afirmar que o nmero de lacunas sempre igual a de eltrons livres.
Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potenci
al, os eltrons livres se movem no sentido de maior potencial eltrico e as lacunas por
conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons.
IMPUREZAS

Os cristais de silcio (ou germnio: mas no vamos consider-lo, por

simplicidade e tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so
encontrados na natureza misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se
encontrar as caractersticas destes cristais feito um processo de purificao do
cristal e em seguida injetado atravs de um processo controlado, a insero
proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 de tomos de cristal, com a
inteno de se alterar a produo de eltrons livres e lacunas. A este processo de
insero d-se o nome de dopagem.
As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de
dois tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras.
IMPUREZA DOADORA

So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de

valncia. Ex.: Fsforo e antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo
de silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia

suficiente para se tornar livre).

Figura 1.1.3. Estrutura do tomo pentavalente.

IMPUREZA ACEITADORA

So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia.

Ex.: Boro, alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio
dentro do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa
que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.

Figura 1.1.4. Estrutura do tomo trivalente.

Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou

excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores: tipo N e tipo P.
SEMICONDUTOR TIPO N

O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo
n, onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

as lacunas num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritri

os e as lacunas portadores minoritrios.
SEMICONDUTOR TIPO P

O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor

tipo p, onde p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero
os eltrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores
majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios.

1.2

DIODO

A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que
um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

Figura 1.2.1. Estrutura do diodo semicondutor de juno.

Devido repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas as

direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto
ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente
(um on negativo).

Figura 1.2.2. Camada de depleo do diodo semicondutor de juno.

Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ons
so fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o
nmero de ons aumenta, a regio aproxima juno que fica sem eltrons livres e
lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo.
Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo
a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo
aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio.

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de

potencial. A 25C, esta barreira de 0,7V para o silcio de 0 ,3V para o germnio.
O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:

Figura 1.2.3. Smbolo do diodo retificador.

POLARIZAO DO DIODO
Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas
extremidades. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao
direta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o
plo negativo em contato com o material tipo n.
POLARIZAO DIRETA

No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e

empurrado para a juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo
terminal e tendem a penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para
haver fluxo livre de eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada
de depleo.
POLARIZAO REVERSA

Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando-se o

plo positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica
polarizada inversamente.
No material tipo n os eltrons so atrados pelo terminal positivo, afastando-se
da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer
que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o
deslocamento de eltrons de uma camada para outra.
CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO
A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da
tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo.

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

POLARIZAO DIRETA

Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no
um componente linear.

Figura 1.2.4. (a) Diodo polarizado diretamente, (b) Curva caracterstica do diodo na
polarizao direta.

A tenso no diodo uma funo do tipo:

U = RF .I +

kT 1
. ln + 1
q
IS

(Eq. 1)

TENSO DE JOELHO

Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se

ultrapasse a barreira de potencial. medida que a bateria se aproxima do potencial da
barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes
quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente
chamada de tenso de joelho. (No Silcio aproximadamente 0,7V).
POLARIZAO REVERSA DO DIODO

Figura 1.2.5. (a) Diodo polarizado reversamente, (b) Curva caracterstica do diodo na
polarizao reversa.

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

Pelo diodo polarizado reversamente, passa

extremamente pequena (chamada de corrente de fuga).

uma

corrente

eltrica

Se for aumentando a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um

momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir
da qual a corrente aumenta sensivelmente.
GRFICO COMPLETO

Figura 1.2.6. Curva caracterstica do diodo nas polarizaes direta e reversa.

ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO

Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada

multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo:

P = U .I

(Eq. 2)

No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois

haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia
mxima ou corrente mxima suportada por um diodo.
Ex.: 1N914: PMAX = 250mW
1N4001: IMAX = 1A
Usualmente os diodos so divididos em duas categorias: os diodos para
pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores
(PMAX > 0,5W).

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE

Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode gerar
uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie com o diodo
para limitar a corrente eltrica que passa atravs dele.

Figura 1.2.7. Circuito com resistor limitador de corrente e com diodo na polarizao
direta.

RS chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior o RS, menor a

corrente que atravessa o diodo e o RS.
RETA DE CARGA

Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar

atravs de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e o resistor.Um
mtodo para determinar o valor exato da corrente e da tenso sobre o diodo, o uso
da reta de carga. Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da curva do resistor.
Na Figura 1.2.7, a corrente I atravs do circuito a seguinte:

I=

UR US UD
=
US
RS

(Eq. 3)

No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem

dadas a tenso da fonte e a resistncia RS, ento so desconhecidas a corrente e a
tenso sob o diodo. Se, por exemplo, no circuito da Figura 1.2.7, US = 2V e
RS = 100, temos:
Se UD = 0V, ento I = 20mA. Esse ponto chamado de ponto de saturao,
pois o mximo valor que a corrente pode assumir.
Se I = 0A, ento UD = 2V. Esse ponto chamado corte, pois representa a
corrente mnima que atravessa o resistor e o diodo.
Na curva caracterstica da Figura 1.2.8, podemos observar as regies de
saturao e corte, a curva do diodo, a reta de carga e o ponto de operao (ponto
quiescente Q).

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

Figura 1.2.8. Reta de carga do circuito a diodo na polarizao direta.

(I = 0V, U = 2V - Ponto de corte

Corrente mnima do circuito.

(I = 20mA, U = 0V) - Ponto de saturao

Corrente mxima do circuito.

(I = 12mA, U = 0,78V) - Ponto de operao ou quiescente

Representa
a corrente atravs do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma tenso de 0,78V.

1.3

DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO

O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado diretamente

emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou infravermelha. Ao
contrrio de diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de
elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usado em equipamentos
devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de
chaveamento.
A polarizao do LED similar ao de um diodo comum, ou seja, acoplado em
srie com um resistor limitador de corrente, como mostrado na Figura 3.1. A corrente
que circula no LED :

ID =

VS V D
R

Figura 1.3.1. Polarizao do LED.

(Eq. 4)

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica

de 1,5V a 2,5V para correntes entre 10mA e 50mA.
FOTODIODO

um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado que

sensvel luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa, aumenta sua corrente
reversa.
Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores
minoritrios.
Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia
suficiente para alguns eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando
eltrons livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma
energia luminosa incide numa juno pn, ela injeta mais energia ao eltron de valncia
e com isto gera mais eltrons livres. Quanto mais for intensa a luz na juno, maior
ser a corrente reversa num diodo.

1.4

APROXIMAES DO DIODO

Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva

do diodo, mas dependendo da aplicao podem-se fazer aproximaes para facilitar
os clculos.
1 APROXIMAO (DIODO IDEAL)

Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no

sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como
uma chave aberta.

Figura 1.4.1. Curva caracterstica da 1 aproximao do diodo na condio ideal.

2 APROXIMAO (DIODO COM V)

Leva-se em conta o fato de que o diodo precisa de 0,7V para iniciar a conduzir.

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

Figura 1.4.2. Curva caracterstica da 2 aproximao do diodo com V.

Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7V.

3 APROXIMAO (COM V E RESISTNCIA INTERNA DO DIODO)

Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.

Figura 1.4.3. Curva caracterstica da 3 aproximao do diodo com V e RS.

Exemplo: Utilizar a 2 aproximao para determinar a corrente do diodo no

circuito da figura a seguir:

Soluo: o diodo est polarizado diretamente, portanto age como uma chave fechada
em srie com uma bateria.

I D = I RS =

U RS
RS

U S U D 10V 0,7V
=
= 1,86mA
RS
5k

Captulo 1 Diodo semicondutor e retificao

RESISTNCIA CC DE UM DIODO

a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Podem-se

considerar dois casos:
RD - Resistncias cc no sentido direto;
RR - Resistncia cc no sentido reverso.
RESISTNCIA DIRETA

a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo.

varivel pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear.
Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus
terminais existir uma corrente I = 10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V
a corrente correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a
corrente ser de 50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada
tenso aplicada.

RD1 = 0,65V / 10mA = 65

RD 2 = 0,75V / 30mA = 25
RD 3 = 0,85V / 50mA = 17
Nota-se que a resistncia cc diminui com o aumento da tenso.
RESISTNCIA REVERSA

Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de - 20V a

corrente ser de 25A, enquanto uma tenso de - 75V implica numa corrente de 5A.
A resistncia reversa ser de:

RS1 = 20V / 25A = 800M

RS 2 = 75V / 5A = 15M
A resistncia reversa diminui medida que se aproxima da tenso de ruptura.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

CIRCUITOS ANALGICOS A DIODOS

2.1

RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA

comum em circuitos eletrnicos o uso de baterias de alimentao. Devido

ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia eltrica, torna-se
necessrio a criao de um circuito que transforme a tenso alternada de entrada com
uma tenso contnua compatvel com as bateria. O diodo um componente importante
nesta transformao. o que se ver neste item.

ONDA SENOIDAL

A onda senoidal um sinal eltrico bsico. Sinais mais complexos podem ser
representados por uma soma de sinais senoidais.

Figura 2.1.1. Forma da onda senoidal.

A equao da curva que representa a Figura 2.1.1 a seguinte:

U = U p .sen
onde,
U - tenso instantnea;
Up - tenso de pico.

(Eq. 5)

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

Algumas maneiras de se referir aos valores da onda:

Valor de pico Up - Valor mximo que a onda atinge.
Valor de pico a pico Upp - Diferena entre o mximo e mnimo que a onda
atinge:

U pp = U p ( U p ) = 2.U p

VALOR EFICAZ (URMS) (RMS em ingls, Root Mean Square).

O valor rms o valor indicado pelo voltmetro quando na escala ca. O valor rms
de uma onda senoidal, definido como a tenso cc que produz a mesma quantidade
de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que:

V RMS = 0,707.U p

(Eq. 6)

VALOR MDIO

O valor mdio a quantidade indicada em um voltmetro quando na escala cc.

O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque cada
valor da primeira metade do ciclo, tem um valor igual mas de sinal contrrio na
segunda metade do ciclo.
O TRANSFORMADOR

As fontes de tenses utilizadas em sistemas eletrnicos em geral so menores

que 30VCC, enquanto que a tenso de entrada de energia eltrica costuma ser de
127VRMS ou 220VRMS. Logo preciso um componente para abaixar o valor desta
tenso alternada. O componente utilizado o transformador. O transformador , a
grosso modo, constitudo por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). A energia
passa de uma bobina para outra atravs do fluxo magntico. Abaixo um exemplar de
transformador.

Figura 2.1.2. O transformador.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

A tenso de entrada U1 est conectada ao que se chama de enrolamento

primrio e a tenso de sada ao enrolamento secundrio.
No transformador ideal:

U2 N2
=
U 1 N1

(Eq. 7)

onde,
U1
U2
N1
N2

Tenso no primrio.
Tenso no secundrio.
Nmero de espiras no enrolamento primrio.
Nmero de espiras no enrolamento secundrio.
A corrente eltrica no transformador ideal :

I1 N 2
=
I 2 N1

(Eq. 8)

Exemplo: Se a tenso de entrada for 115VRMS, a corrente de sada de 1,5ARMS

e a relao de espiras 9:1, qual a tenso no secundrio, em valores pico a pico, de um
transformador? E a corrente eltrica no primrio?
Soluo:

115VRMS
N1 V1RMS 9 115VRMS
=
=
V2 RMS =
= 12,8VRMS
N 2 V2 RMS 1
V2
9

U RMS = 0,707.U p U p =
;

RRMS 12,8VRMS
=
U p = 18V p
0,707
0,707

U 2 pp = 2 .U p = 2 .18V p = 36V pp

I1 N 2
I
1
=
1 = I 1 = 0,167 A RMS
I 2 N1 1,5 9
Obs.: A potncia eltrica de entrada e de sada no transformador ideal igual a

P = U * I = 115 * 0,167 = 12,8 * 1,5 = 19,2W

RETIFICADOR DE MEIA ONDA
O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (USECUNDRIO) ca numa

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

tenso pulsante positiva UR. Este processo de converso de CA para cc, conhecido
como retificao. Na Figura 21 mostrado um circuito de meia onda.

Figura 2.1.3. Retificador de meia onda.

Considerando o diodo como ideal, as curvas so como as mostradas na Figura

2.1.4. A sada do secundrio tem dois ciclos de tenso: um semiciclo positivo e um
negativo. Durante o semiciclo positivo o diodo est ligado no sentido direto e age como
uma chave fechada e pela lei das malhas, toda a tenso no secundrio incide no
resistor R. Durante o semiciclo negativo o diodo est polarizado reversamente e no
h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando implica em no ter
tenso sob o resistor e toda a tenso do secundrio fica no diodo. Este circuito
conhecido como retificador de meia onda porque s o semiciclo positivo aproveitado
na retificao.
O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao
retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e
normalmente ele chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.

Figura 2.1.4. Formas de onda do retificador de meia onda.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

VALOR CC OU VALOR MDIO

A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro

dada por:

VCC = 0,318.U p (diodo ideal).

VCC = 0,318.(U p V ) (diodo na 2 aproximao).

(Eq. 9)
(Eq. 10)

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

A Figura 2.1.5 mostra um retificador de onda completa. Observe a tomada
central no enrolamento secundrio. Por causa dessa tomada, o circuito equivalente a
dois retificadores de meia onda. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da
tenso do secundrio, enquanto que o retificador inferior retifica o semiciclo negativo
da tenso do secundrio.

Figura 2.1.5. Retificador de onda completa.

As duas tenses denominadas de U2/2 na Figura 2.1.5. so idnticas em

amplitude e fase. O transformador ideal pode ser, portanto, substitudo por duas fontes
de tenso idnticas, como mostra a Figura 21.5 direita, sem alterao no
funcionamento eltrico da rede. Quando U2/2 positiva, D1 est diretamente
polarizado e conduz mas D2 est reversamente polarizado e cortado. Analogamente,
quando U2/2 negativa, D2 conduz e D1 cortado.
Considerando os dois diodos ideais, temos a curva de tenso sobre o resistor
de carga, como o mostrado na Figura 2.1.6.
VALOR CC OU VALOR MDIO

A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

similar ao do retificador de meia onda com a observao de que agora se tem um ciclo
completo e o valor ser o dobro. dado por:

VCC = 2 * 0,318.(U p / 2) = 0,318.U p (diodo ideal).

(Eq. 11)

VCC = 0,636.(U p / 2 V ) (diodo na 2 aproximao).

(Eq. 12)

FREQNCIA DE SADA

A freqncia de sada de onda completa o dobro da freqncia de entrada,

pois a definio de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo
quando ela comea a repeti-lo. Na Figura 2.1.6, a forma de onda retificada comea a
repetio aps um semiciclo da tenso do secundrio. Supondo que a tenso de
entrada tenha uma freqncia de 60Hz, a onda retificada ter a freqncia de 120Hz e
um perodo de 8,33ms.

Figura 2.1.6. Formas de onda do retificador de onda completa.

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

Na Figura 2.1.7 mostrado um retificador de onda completa em ponte. Com o
uso de quatro diodos no lugar de dois, elimina-se o uso da tomada central do trafo.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

Durante o semiciclo positivo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial

positivo em seu anodo e o diodo D2 um potencial negativo no catodo. Dessa forma, D2
e D3 conduzem, os diodos D1 e D4 ficam reversamente polarizados e o resistor de
carga R recebe todo o semiciclo positivo da tenso U2.
Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D4 recebe um sinal positivo
em seu anodo e o diodo D1 um potencial negativo no catodo, devido inverso da
polaridade de U2. Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam
reversamente polarizados.

Figura 2.1.7. Retificador de onda completa em ponte.

A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Portanto

a tenso UR sempre positiva. Na Figura 2.1.8 so mostradas as formas de onda
sobre o resistor de carga e os diodos, considerando os diodos ideais.
Na Tabela 1 feito uma comparao entre os trs tipos de retificadores. Para
diodos ideais.
Tabela 1 Comparao entre os trs tipos de retificadores.

ONDA COMPLETA
MEIA ONDA

ONDA COMPLETA

Um

Dois

Quatro

sada

Up

0,5.Up

Up

Tenso CC de sada

0,318.Up

0,318.Up

0,636.Up

inversa no diodo

Up

Up

Up

Freqncia de sada

fent

2.fent

2.fent

Tenso de sada

0,45.Up

0,45.Up

0,9.Up

N de diodos

EM PONTE

Tenso de pico de

Tenso de pico

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

Figura 2.1.8. Formas de onda do retificador de onda completa em ponte.

2.2

CIRCUITOS COM DIODOS

MULTIPLICADORES DE TENSO

Formado por dois ou mais retificadores que produzem uma tenso cc igual a
um mltiplo de tenso de pico da entrada (2Vp, 3Vp, 4Vp).
DOBRADOR DE TENSO DE MEIA ONDA

No pico do semiciclo negativo, D1 est polarizado diretamente e D2

reversamente. Isto faz C1 carregar at a tenso Vp.
No pico do semiciclo positivo, D1 est polarizado reversamente e D2
diretamente. Pelo fato da fonte e C1 estarem em srie, C2 tentar se carregar at 2Vp.
Depois de vrios ciclos, a tenso atravs de C2 ser igual a 2Vp.

Figura 2.2.1. Circuito dobrador de tenso de meia onda.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

Redesenhando o circuito e ligando uma resistncia de carga teremos:

Figura 2.2.2. Circuito dobrador de tenso de meia onda equivalente.

DOBRADOR DE TENSO DE ONDA COMPLETA

Figura 2.2.3. Circuito dobrador de tenso de onda completa.

TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE TENSO

Figura 2.2.4. Circuito dobrador e quadruplicador de tenso.

LIMITADORES
Retira tenses do sinal acima ou abaixo de um dado nvel.
Serve para mudar o sinal ou para proteo.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR)

Figura 2.2.5. Circuito limitador positivo (ou ceifador).

LIMITADOR POLARIZADO

Figura 2.2.6. Circuito limitador polarizado.

ASSOCIAO DE LIMITADORES

Figura 2.2.7. Circuito e forma de onda da associao de limitadores.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

USO COMO PROTEO DE CIRCUITOS

Figura 2.2.8. Diodo utilizado como proteo de circuitos.

- 1N914 conduz quando a tenso de entrada excede a 5,7V.

- Este circuito chamado grampo de diodo, porque ele mantm o sinal num
nvel fixo.
GRAMPEADOR CC
O grampeador cc soma uma tenso cc ao sinal. Por exemplo, se o sinal que
chega oscila de -10V a +10V, um grampeador cc positivo produziria uma sada que
idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo produziria uma sada entre 0
e -20V). Ver Figura 2.2.9.

Figura 2.2.9. Grampeador CC.

Figura 2.2.10. Anlise do Grampeador CC na polarizao direta e reversa.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

Exerccios de fixao sobre Diodo Retificador

1) Num dado circuito, quando um diodo est polarizado diretamente, sua
corrente de 50mA . Quando polarizado reversamente, a corrente cai para
20A. Qual a razo entre a corrente direta e a reversa?
2) Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta, se a
tenso do diodo for de 0,7V e a corrente de 100mA?
3) Faa o grfico I x V de um resistor de 2k. Marque o ponto onde a corrente
de 4mA. Considere, no circuito, um diodo ideal em srie com o resistor.
4) Suponha VS = 5V e que a tenso atravs do diodo seja 5V. O diodo est
aberto ou em curto?

5) Uma fonte de tenso de 2,5V leva o diodo a ter um resistor limitador de

corrente de 25. Se o diodo tiver a caracterstica I x V abaixo, qual a corrente
na extremidade superior da reta de carga? Qual a tenso na extremidade mais
baixa da reta de carga? Quais os valores aproximados da tenso e da corrente
no ponto Q?

6) Alguma coisa faz com que R fique em curto no circuito abaixo. Qual ser a
tenso do diodo? O que acontecer ao diodo?

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

7) Voc mede 0V atravs do diodo do circuito anterior. A seguir voc testa a

tenso da fonte, e ela indica uma leitura de +5V com relao ao terra ( - ). O
que h de errado com o circuito?
8) Repetir o exerccio anterior para uma resistncia de 50. Descreva o
que acontece com a reta de carga.
9) Repetir o exerccio anterior para uma fonte de tenso de 1,5V. O que
acontece com a reta de carga?
10) Um diodo de silcio tem uma corrente direta de 50mA em 1V. Utilizar a
terceira aproximao para calcular sua resistncia.
11) A tenso da fonte de um circuito de 9V e a da resistncia da fonte de
1k. Calcular a corrente atravs do diodo.
12) Um transformador de campainha reduz a tenso de 100V para 11V.
Se houver 20 espiras no secundrio, qual o nmero de espiras no primrio e a
razo de espiras?
13) O primrio de 110V de um transformador de potncia tem 220 espiras. Trs
secundrios fornecem (a) 600V, (b) 35V e (c) 12,5V. Calcular o nmero de
espiras necessrias em cada secundrio.
14) Um transformador abaixador com uma razo de espiras de 50.000:500 tem
o seu primrio ligado a uma linha de transmisso de 20.000V. Se o secundrio
for ligado a uma carga de 25, calcular (a) a tenso do secundrio, (b) a
corrente do secundrio, (c) a corrente do primrio e (d) a potncia de sada.
15) A especificao de um transformador de fonte de alimentao que deve
funcionar numa linha de alimentao de 60Hz e 120V precisa indicar o
seguinte: 600V TC (terminal central) em 90mA; 6,3V em 3A; 5V em 2A.
Calcular a especificao de potncia desse transformador.

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

2.3

DIODO ZENER

O diodo zener um diodo construdo especialmente para trabalhar na tenso

de ruptura. Abaixo mostrada a curva caracterstica do diodo zener e sua simbologia.

Figura 2.3.1. Curva caracterstica e smbolo do diodo zener.

O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado

diretamente. Mas ao contrrio de um diodo convencional, ele suporta tenses reversas
prximas tenso de ruptura.
A sua principal aplicao a de conseguir uma tenso estvel (tenso de
ruptura). Normalmente ele est polarizado reversamente e em srie com um resistor
limitador de corrente. Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o zener
com o uso de reta de carga.

Figura 2.3.2. Circuito e reta de carga correspondentes do diodo zener.

DIODO ZENER IDEAL

O zener ideal aquele que se comporta como uma chave fechada para

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

tenses positivas ou tenses negativas menores que -VZ. Ele se comportar como
uma chave aberta para tenses negativas entre zero e VZ. Veja o grfico abaixo.

Figura 2.3.3. Curva caracterstica do diodo zener na condio ideal.

SEGUNDA APROXIMAO

Uma segunda aproximao consider-lo como ideal mas que a partir da

tenso de ruptura exista uma resistncia interna.

Figura 2.3.4. Curva caracterstica do diodo zener em uma 2 aproximao.

CORRENTE MXIMA NO ZENER

PZ = VZ X IZ

(Eq. 13)

Exemplo: Se um diodo zener de 12V tem uma especificao de potncia

mxima de 400mW, qual ser a corrente mxima permitida?
Soluo:

I Z MAX =

400mW
= 33,33mA
12V

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

Este zener suporta at 33,33 mA.

REGULADOR DE TENSO COM ZENER
Objetivo: manter a tenso sobre a carga constante e de valor VZ.

Figura 2.3.5. Circuito regulador de tenso com zener.

Tenso na carga:
Enquanto o diodo cortado:

VRL =

RL
.VS
RS + R L

(Eq. 14)

Com o diodo conduzindo reversamente:

VRL = VZ

(Eq. 15)

Corrente sob RS:

IS =

VS VZ
RS

(Eq. 16)

Corrente sob RL:

IL =

VZ
RL

(Eq. 17)

Corrente sob o zener:

IS = IZ + IL IZ = IS IL

(Eq. 18)

Considerando RZ << RL, RS e a tenso de Ripple na carga ( V L ), temos:

Captulo 2 Circuitos analgicos a diodos

VL =

RZ
.VS
RS

(Eq. 19)

onde,
VS - variao de entrada;
RZ - resistncia do zener;
RS

- resistncia de entrada.

CLCULO DA RESISTNCIA DE ENTRADA RS

RS <

VS MIN VZ
I LMAX + I Z MIN

(Eq. 20)

Garante a corrente mnima para a carga.

RS >

VS MAX VZ
I LMIN + I Z MAX

(Eq. 21)

Garante que sob o zener no circule uma corrente maior que I Z MAX .
Exemplo: Um regulador zener tem uma tenso de entrada de 15V a 20V e a
corrente de carga de 5mA a 20mA. Se o zener tem VZ = 6,8V , IZMAX = 40mA e
IZMIN = 4mA, qual o valor de RS?

RS <

15V 6,8V
20V 6,8V
= 342 e RS >
= 293 293 < RS < 342
20mA + 4mA
5mA + 40mA

Captulo 3 Transistor bipolar

TRANSISTOR BIPOLAR

Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muito

fracos, como por exemplo, as correntes eltricas que circulam no corpo humano, o
sinal de sada de uma cabea de gravao, etc., e para transform-los em sinais teis
torna-se necessrio amplific-los. Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento
principal desta tarefa. Em 1951, foi inventado o transistor. Ele foi desenvolvido a partir
da tecnologia utilizada no diodo de juno, como uma alternativa em relao s
vlvulas, para realizar as funes de amplificao, deteco, oscilao, comutao,
etc. A partir da o desenvolvimento da eletrnica foi imenso.
Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao
diodo estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas
junes pn, enquanto o diodo por apenas uma juno.
3.1

FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES

O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutores dopados.

Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro
chamado de transistor npn e o segundo de pnp. Na Figura 3.1.1 so mostrados, de
maneira esquemtica, os dois tipos:

Figura 3.1.1. Transistor bipolar nas configuraes NPN e PNP.

Cada um dos trs cristais que compem o transistor bipolar recebe o nome
relativo sua funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos
outros dois cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade
recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga e fortemente dopado.

Captulo 3 Transistor bipolar

Finalmente o ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de

carga e tem uma dopagem mdia.
Apesar de na Figura 3.1.1 no distinguir os cristais coletor e emissor, eles
diferem entre si no tamanho e dopagem. O transistor tem duas junes: uma entre o
emissor e a base e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se
assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo
emissor-base (ou s emissor) e o da direita de coletor-base (ou s coletor).
Ser analisado o funcionamento do transistor npn. A anlise do transistor pnp
similar ao do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do
emissor so lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica isto significa tenses e
correntes invertidas se comparadas com o npn.
CAMADAS DE DEPLEO NAS JUNES DO TRANSISTOR NPN

A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de

depleo. Cada camada tem aproximadamente uma barreira de potencial de 0,7V
(silcio) em 25C.
Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo
tem larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra
pouco na regio do emissor, bastante na regio da base e mdio na regio do coletor.
A Figura 3.1.2 mostra as camadas de depleo nas junes do transistor npn.

Figura 3.1.2. Camada de depleo do transistor na configurao NPN.

POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN

As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente.
JUNES COM POLARIZAO DIRETA

Na Figura 3.1.3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor e a bateria

B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no
coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica
alto nas duas junes.

Captulo 3 Transistor bipolar

Figura 3.1.3. Juno do transistor NPN com polarizao direta.

JUNES COM POLARIZAO REVERSA

Na Figura 3.1.4 os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizados. A

corrente eltrica circulando pequena (corrente de fuga).

Figura 3.1.4. Juno do transistor NPN com polarizao reversa.

JUNES COM POLARIZAO DIRETA-REVERSA

Na Figura 3.1.5 o diodo coletor est reversamente polarizado e o diodo emissor

diretamente polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e
uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece. Nos dois diodos as
correntes so altas.

Figura 3.1.5. Juno do transistor NPN com polarizao direta-reversa.

No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os

eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre a

Captulo 3 Transistor bipolar

base e o emissor (VBE) for maior do que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na
regio da base. Estes eltrons na base podem retornar ao plo negativo da bateria B1
ou atravessar a juno do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a
partir da base retornam a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao.
Ela pequena porque a base pouco dopada.
Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno
base-coletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos
portadores majoritrios as do cristal da base (lacunas) para o coletor, mas no dos
eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo e penetram
na camada do coletor. L os eltrons livres so atrados pelo plo positivo da bateria
B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetada uma alta
corrente em direo a base. Na base uma pequena parcela de corrente , por
recombinao, retorna ao plo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para
o coletor e da para o plo positivo da bateria B2. Ver Figura 3.1.6.
Obs.: Considerar a tenso coletor-base (VCB) bem maior que a tenso emissorbase (VBE).

Figura 3.1.6. Direcionamento dos eltrons no transistor NPN.

TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn.
Isso significa que as lacunas so os portadores majoritrios no emissor em vez dos
eltrons livres.
O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior
parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor
quase igual a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas
correntes.
Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor
pnp. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os
diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao do modelo npn.

AS CORRENTES NO TRANSISTOR
A Figura 3.1.7 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A

Captulo 3 Transistor bipolar

diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A

Figura 3.1.7. As correntes no transistor NPN e PNP.

A Figura 3.1.7 mostra o smbolo esquemtico para um transistor pnp e npn. A

diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A
direo da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura tambm mostrado
o sentido das correntes convencionais IB, IC e IE.
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes que
chegam num n igual soma das que saem. Ento:

I E = IC + I B

(Eq. 22)

A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base

chamada de ganho de corrente CC:

CC =

IC
IB

(Eq. 23)

Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente
de emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro CC de um
transistor indica a relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de
emissor:

CC =

IC
IE

(Eq. 24)

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o CC.

Pode-se relacionar o CC com o CC:

CC = CC .(1 + CC )

(Eq. 25)

MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR

Na Figura 3.1.8, o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao
emissor. Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm

Captulo 3 Transistor bipolar

da montagem em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base

comum. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a
tenso VBE e a malha da direita com a tenso VCE.

VS = RS .I B + VBE

(Eq. 26)

VCC = RC .I C + VCE

(Eq. 27)

Figura 3.1.8. Circuito transistorizado na configurao emissor comum.

RELAO IB VERSUS VBE

Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tenso VBE
correspondente (Figura 3.1.9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do
diodo.

Figura 3.1.9. Relao IB BBE.

RELAO IC VERSUS VCE

A partir de VCC e VS possvel obter diversos valores de IC e VCE. A Figura

3.1.10 mostra esta relao, supondo um IB fixo.

Figura 3.1.10. Relao IC VCE.

Captulo 3 Transistor bipolar

A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva

entre a origem e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma
variao de VCE no influencia no valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB.CC.
A parte final a regio de ruptura (ou regio de corte) e deve ser evitada.
Na regio de saturao, o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso,
perde-se o funcionamento convencional do transistor e passa a simular uma pequena
resistncia hmica entre o coletor e o emissor. Na saturao no possvel manter a
relao IC = IB.CC. Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa,
necessria uma polarizao reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em
torno de 0,7V, isto requer um VCE maior que 1V.
A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quanto IB = 0
(equivale ao terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base
aberto designada por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta
corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB = 0 ento IC = 0.
O grfico da Figura 3.1.10 mostra a curva IC x VCE para um dado IB.
Habitualmente o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs.
Um exemplo est na Figura 3.1.11.
Notar no grfico que, para um dado valor de VCE, existem diversas
possibilidades de valores para IC. Isto ocorre porque necessrio ter o valor fixo de IB.
Ento para cada IB h uma curva relacionando IC e VCE.
No grfico do exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V, e na regio
ativa para, um IB = 40A, tem-se que o CC = IC/IB, isto , CC = 8mA/ 40A = 200.
Mesmo para outros valores de IB, o CC se mantm constante na regio ativa.
Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a
temperatura ambiente e o mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1
ao longo da regio ativa do transistor. Na Figura 3.1.12 mostrado um exemplo de
variao de CC.

Figura 3.1.11. Curvas caractersticas IC VCE.

Captulo 3 Transistor bipolar

Os transistores operam na regio ativa quando so usados como

amplificadores. Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base
(entrada), designa-se o circuito com transistores na regio ativa de circuitos lineares.
As regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de
base, so amplamente usados em circuitos digitais.

Figura 3.1.12. Variao de CC determinada temperatura.

O MODELO DE EBERS-MOLL

Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em

trabalhar com o transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito
equivalente para o transistor usando componentes mais simples como fonte ou
resistor.
O modelo de Ebers-Moll um circuito equivalente do transistor levando em
considerao que ele esteja trabalhando na regio ativa, ou seja: o diodo emissor
deve estar polarizado diretamente; o diodo coletor deve estar polarizado reversamente
e a tenso do diodo coletor deve ser menor do que a tenso de ruptura. Veja Figura
3.1.13.
O modelo faz algumas simplificaes:
a. VBE = 0,7V; b. IC = IE ; IB = IE/CC

Figura 3.1.13. Modelo de Ebers-Moll.

Captulo 3 Transistor bipolar

3.2

POLARIZAO DE TRANSISTORES

Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os

transistores, para cada funo, tem um ponto de funcionamento correto. Este item
estuda como estabelecer o ponto de operao ou quiescente de um transistor, isto ,
como polariz-lo.
3.2.1

RETA DE CARGA

A Figura 3.2.1 mostra um circuito com polarizao de base. O problema

consiste em saber os valores de correntes e tenses nos diversos equipamentos. Uma
opo o uso da reta de carga.

Figura 3.2.1. Circuito transistorizado com polarizao de base.

O conceito de reta de carga estudado no captulo sobre diodos, tambm se

aplica a transistores. Usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e
VCE, considerando a existncia de um RC. A anlise da malha direita fornece a corrente
I C:
(Eq. 28)
I C = (VCC VCE ) / RC
Nesta equao existem duas incgnitas: IC e VCE. A soluo deste impasse
utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta calcular os extremos da reta
de carga:

VCE = 0 I C = VCC / RC (ponto superior)

(Eq. 29)

I C = 0 VCE = VCC (ponto inferior)

(Eq. 30)

A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC

e VCE.

Captulo 3 Transistor bipolar

42

Exemplo: No circuito da Figura 3.2.1 suponha que RB = 500k . Construir a reta

de carga no grfico da Figura 3.2.2 e medir IC e VCE de operao.
Soluo: Os dois pontos da reta de carga so:

VCE = 0 I C =

VCC
15V
=
= 10mA (ponto superior)
RC 1,5k

I C = 0 VCE = VCC = 15V (ponto inferior)

A corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB:

IB =

VCC VBE
15V 0,7V
IB =
= 29A
RB
500k

Figura 3.2.2. Reta de carga do circuito na configurao emissor comum.

Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores

de IC = 6mA e VCE = 5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto Q ponto
quiescente).
O ponto Q varia conforme o valor de IB. Um aumento no IB aproxima o transistor
para a regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor para a regio de
corte. Ver Figura 3.2.3.
O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB = 0 conhecido como corte.
Nesse ponto a corrente de base zero e a corrente do coletor muito pequena (ICEO).
A intercesso da reta de carga e a curva IB = IB(SAT) chamada saturao.
Nesse ponto a corrente de coletor mxima.

Captulo 3 Transistor bipolar

Figura 3.2.3. Determinao das regies de CORTE, SATURAO E ATIVA e do ponto quiescente Q.

3.3

O TRANSISTOR COMO CHAVE

A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando

uma operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de
carga. Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do
coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta.
CORRENTE DE BASE

A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de

coletor prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou maior, a
corrente de coletor mxima e o transistor satura.
Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a
corrente de base apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior
da reta de carga. No aconselhvel a produo em massa de saturao fraca devido
variao de CC e em IB(SAT).
Saturao forte significa dispor de corrente de base suficiente para saturar o
transistor para todas as variaes de CC. No pior caso de temperatura e corrente, a
maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem um CC maior do que 10.
Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar um
CC(SAT) = 10, ou seja, dispor, de uma corrente de base que seja de aproximadamente
um dcimo do valor saturado da corrente de coletor.
Exemplo: A Figura 3.3.1 mostra um circuito de chaveamento com transistor
acionado por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada?
Soluo: Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte.

Captulo 3 Transistor bipolar

Neste caso, ele se comporta como uma chave aberta. Sem a corrente pelo
resistor de coletor, a tenso de sada iguala-se a +5V.

Figura 3.3.1. Circuito de chaveamento com transistor.

Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:

IB =

5V 0,7V
= 1,43mA
3k

Supondo o transistor com um curto entre o coletor e o emissor (totalmente

saturado). A tenso de sada vai a zero e a corrente de saturao ser:

I C ( SAT ) =

5V
= 15,2mA
330

Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja,

certamente h uma saturao forte no circuito.
No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de 5V e
uma tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este circuito
chamado de porta inversora.
Exemplo: Recalcule os resistores RB e RC no circuito da Figura 3.3.1 para
um IC = 10mA.
Soluo:
a) Clculo de IB:
Se I C = 10mA I B ( SAT ) =
b) Clculo de RC:

IC

CC ( SAT )

10mA
= 1,0mA .
10

Captulo 3 Transistor bipolar

Ao considerar o transistor saturado, o VCE de saturao prximo de zero.

RC =

VCC
5V
=
= 500 .
IC
10mA

c) Clculo de RB:

RB =

3.4

VE V BE 5V 0,7V
=
= 4k 3
IB
1mA

TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE

A Figura 3.4.1 mostra um transistor como fonte de corrente. Ele tem um

resistor de emissor RE entre o emissor e o ponto comum. A corrente de emissor circula
por esse resistor produzindo uma queda de tenso RE.IE.

Figura 3.4.1. Transistor como fonte de corrente.

A soma das tenses da malha de entrada :

VBE + RE .I E VS = 0
logo,

IE =

VS VBE
RE

Como VBE, VS e RE so aproximadamente constantes, a corrente no emissor

constante. Independe de CC, RC ou da corrente de base.

3.5

O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

CIRCUITOS DE POLARIZAO EM EMISSOR COMUM
Fontes de alimentao e resistores polarizam um transistor, isto , eles

Captulo 3 Transistor bipolar

estabelecem valores especficos de tenses e correntes nos seus terminais,

determinando, portanto, um ponto de operao no modo ativo (o ponto de operao).
A Figura 3.5.1 mostra o circuito de polarizao por base. A principal
desvantagem dele a sua susceptibilidade variao do CC. Em circuitos digitais,
com o uso de CC(SAT), isto no problema. Mas em circuitos que trabalham da regio
ativa, o ponto de operao varia sensivelmente com o CC, ou seja, IC = CC.IB.

Figura 3.5.1. Circuito de polarizao por base.

POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO

O circuito mais usado em amplificadores chamado de polarizao por
divisor de tenso (ver Figura 3.5.2).
A principal evoluo do circuito em relao ao de polarizao por base de
fixar uma tenso na base, via os resistores R1 e R2. O valor de I deve ser bem maior
que IB para a corrente IB no influenciar na tenso sob R2. Como regra prtica
considerar a corrente I 20 vezes maior que IB.
Para a anlise da tenso em VR2, observar que R1 e R2 formam um divisor de
tenso. Supondo I >> IB:

VR2 =

R2
.VCC
R1 + R2
Obs.: A tenso VR2 no depende de CC.

(Eq. 31)

Captulo 3 Transistor bipolar

Figura 3.2.5. Circuito de polarizao por base.

Com o valor de VR2 simples o clculo de IE. Deve-se olhar a malha de

entrada:

VR = VBE + VE

(Eq. 32)

como VE = RE .I E
ento:

IE =

V R2 V BE
RE

(Eq. 33)

Anlise da malha de sada:

VCC = RC .I C + VCE + RE I E
Considerando I E = I C

VCC = I C .( RC + RE ) + VCE
IC =

VCC VCE
RC + RE

(Eq. 34)

(Eq. 35)

Notar que CC no aparece na frmula para a corrente de coletor. Isto quer

dizer que o circuito imune a variao em CC, o que implica um ponto de
operao estvel. Por isso a polarizao por divisor de tenso amplamente utilizada.

Captulo 3 Transistor bipolar

Exemplo: Determinar os valores de VB , VE , VCE e I E para o circuito da Figura

3.2.6.
Soluo:
Clculo de VR2 a partir da Equao 31:

V B = V R2 =

1k
.30V = 3,85V .
6k 8 + 1k

Clculo de IE a partir da Equao 33:

IE =

3,85V 0,7V
= 4,2mA .
750

Clculo de VE:

VE = RE .I E = 750.4,2mA = 3,15V .
Clculo de VCE a partir da Equao 34:

VCE = 30V 4,2mA.(3k + 750) = 14,25V .

Figura 3.2.6.

REGRAS DE PROJETO
Sempre ao polarizar um transistor, deseja-se manter o ponto Q de operao
fixo independente de outros parmetros externos, ou seja, espera-se um divisor de
tenso estabilizado. Para minimizar o efeito de CC, considerar:

R2 0,01. CC .RE

(Eq. 36)

onde o valor de CC o do pior caso, isto , o menor CC que o transistor pode ter.
O defeito desta regra o fato de um baixo R2 influenciar negativamente na
impedncia de entrada. Ento, como opo, podemos considerar

R2 0,1. CC .RE

(Eq. 37)

assim R2 ser maior, mas com possibilidade de degradao na estabilidade do ponto

Q. Quando se segue a regra da Equao 37, designa-se o circuito de polarizao por
divisor de tenso firme e quando se segue a regra da Equao 36, designa-se por
polarizao por divisor de tenso estabilizado.

Captulo 3 Transistor bipolar

Na escolha do ponto de operao da curva IC x VCE, deve-se dar preferncia a

um ponto central, isto , VCE = 0,5.VCC ou IC = 0,5.IC(SAT), de forma que o sinal possa
excursionar ao mximo tanto com o aumento de IB quanto com a diminuio.
Por ltimo, aplicar a regra de VE ser um dcimo de VCC.

VE = 0,1.VCC

(Eq. 38)

Exemplo: Polarizar um transistor por diviso de tenso firme.

Dados:VCC = 10V, IC = 10mA e CC = 100.
Soluo:
Clculo de RE aplicando a regra da Equao 38:

I E = IC

VE = 0,1.10V = 1V
VE
1V
=
= 100 .
I E 10mA

RE =

Clculo de RC a partir da Equao 35 e VCE = 0,5.VCC:

IC =

VCC VCE
10V 5V
10V 5V
10mA =
RC =
100 = 400 .
RC + RE
RC + 100
10mA
Clculo de R2 a partir da Equao 37:

R2 0,1.100.100 = 1000 .
Clculo de R1 utilizando a Equao 31:

VR 2 VBE RE .I E = 0 VR 2 = VBE + RE .I E VR 2 = 0,7V + (100x10mA)

VR 2 = 0,7V + 1V = 1,7V
VR2 =

R2
1000
.VCC 1,7V =
.10V R1 = 4882 = 4k 7 (Comercial)
R1 + R2
R1 + 1000

Captulo 3 Transistor bipolar

Exerccios de fixao sobre Transistor Bipolar

1. No circuito da figura abaixo, encontrar as tenses VE e VCE de cada estgio.

2. Projete um circuito de polarizao por divisor de tenso com as seguintes

especificaes: VCC = 20V, IC = 5mA, 80 < < 400.
Considere VE = 0,1.VCC e VCE = VCC/2

3. O transistor da figura abaixo tem um CC = 80.

a) Qual a tenso entre o coletor e o terra?
b) Desenhe a linha de carga;
c) Para CC = 125, calcular a tenso na base, a tenso no emissor e a tenso no
coletor.

Captulo 3 Transistor bipolar

4. Qual a tenso do emissor e do coletor (os dois em relao ao terra) para cada
estgio do circuito abaixo, sendo VCC = 10V.

5. No exerccio anterior, suponha VCC = 20V e calcule, para cada estgio, os valores
de VB, VE, VC e IC.

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS:
MALVINO, Albert P. Eletrnica. 4 ed. So Paulo. Makron Books. 1995.