Memoria Interna

Jefferson Fontinele da Silva

Ci
encia e Tecnologia
Universidade Federal do Maranh
ao - UFMA/Campus Balsas

9 de dezembro de 2015

Jefferson Fontinele (UFMA)

Mem
oria

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Tipos de memoria de semicondutor

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Memoria de semicondutor

RAM:
I

I
I
I
I

Nome incorreto, pois toda mem

oria de semicondutor tem acesso
aleat
orio.
Leitura/escrita.
Volatil.
Armazenamento temporario.
Estatica ou dinamica

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Operacao da celula de memoria

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RAM dinamica

Bits armazenados com carga em capacitores.

As cargas vazam.
Precisa de renovacao mesmo se alimentada.
Construcao mais simples.
Menor por bit.
Mais barata.
Precisa de circuitos de refresh.
Mais lenta.
Memoria principal.
Dispositivo basicamente anal
ogico.
I

Nvel de carga determina o valor

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Operacao da DRAM
Linha de endereco ativa quando bit e lido ou escrito.
I

Chave de transistor fechada (corrente flui).

Escrita:
I
I
I
I

Voltagem na linha de bit.

Alta para 1 baixa para 0.
Depois sinaliza linha de endereco.
Transfere carga ao capacitor.

Leitura:
I

Linha de endereco selecionada.

F

Carga do capacitor alimentada por linha de bit para amplificador

comparar.
F

Transistor liga.

Compara com valor de referencia para determinar 0 ou 1.

Carga do capacitor deve ser restaurada

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Read Only Memory (ROM)

Armazenamento permanente.
I

Nao volatil.

Microprogramacao (veja mais adiante).

Sub-rotinas de biblioteca.
Programas do sistema (BIOS).
Tabelas de funcao.

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Tipos de ROM
Gravada durante a fabricacao:
I

Muito cara para pequenas quantidades.

Programavel (uma vez):

I
I

PROM.
Precisa de equipamento especial para programar.

Lida na maioria das vezes:

I

Erasable Programmable (EPROM).

F

Electrically Erasable (EEPROM):

F

Apagada por UV.

Leva muito mais tempo para escrever que para ler.

Mem
oria flash:
F

Apaga mem
oria inteira eletricamente

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Correcao de erro

Falha permanente.
I

Defeito permanente.

Erro nao permanente:

I
I

Aleat
orio, nao destrutivo.
Sem dano permanente `a mem
oria.

Detectado usando codigo de correcao de erro de Hamming

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