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DE SÃO PAULO
São Paulo
2007
Carlos Alberto Ribeiro de Araújo
São Paulo
2007
Carlos Alberto Ribeiro de Araújo
Orientador:
Luis da Silva Zambom
Co-orientador
Alexandre Marques Camponucci
São Paulo
2007
DEDICATÓRIA
11
2 Fundamentos teóricos
2.1 Litografia
12
pelo polímero sensível à radiação. Ao receber essa radiação, o filme polimérico é
sensibilizado. Uma solução, mais conhecida como revelador, é utilizada para retirar
da lâmina parte do material sensibilizado ou não, dependendo diretamente do
material sensível utilizado no processo e deixando as regiões que serão usadas em
processos seguintes.
A litografia é considerada a etapa mais importante na produção de um circuito
integrado, por ser realizada diversas vezes no processo de produção. Essa etapa é
considerada um limitante no processo, pois uma vez executada de forma
inadequada, implicará no funcionamento inadequado dos componentes produzidos e
até mesmo a perda de todo um lote de produção.
O material que é utilizado como base para as formas que se deseja transferir
para o substrato é chamado de fotorresiste. Esse material é um polímero que
recebendo determinado tipo de radiação tem sua estrutura química modificada, ou
sensibilizada, para posterior remoção com uma solução básica ou solvente orgânico
mais conhecido como revelador. Os fotorresistes são conhecidos também como
resistes e são classificados de acordo com o resultado obtido após a revelação.
13
processo de revelação. A Figura 1 mostra as imagens reveladas com cada tipo de
resiste:
2.4 Resolução
Quando o termo resolução (R) é usado, isso quer dizer sobre a habilidade do
processo óptico de distinguir objetos com espaçamento bem próximo. Em
microeletrônica, especificamente refere-se à resolução mínima do processo
litográfico, que é a medida mínima de uma linha ou geometria que todo o sistema
pode produzir, englobando o tipo de resiste utilizado, o comprimento de onda da
radiação incidida e do conjunto óptico que o equipamento possui.
14
Para se compreender melhor o que é limite de resolução utiliza-se a equação
1, conhecida como equação de Rayleigh:
λ
R = k1 * (1)
NA
15
2.5 Alinhamento
Outro ponto importante que deve ser abordado é a correta posição das
máscaras entre um processo e outro. Esse processo de colocar a máscara sobre a
lâmina é chamado de alinhamento. Todos os alinhamentos devem seguir o máximo
de precisão possível, caso contrário trará problemas no dispositivo que será
produzido. Como o alinhamento é feito por uma máquina, algumas medidas devem
ser tomadas para que o alinhamento não interfira na produção dos circuitos
integrados.
Normalmente quando é feito o alinhamento segue-se um gabarito, que é uma
copia dos padrões desenvolvidos sobre a máscara, que mostra as geometrias que
deverão ser projetadas sobre as lâminas. Para auxiliar o alinhamento, estruturas
específicas também são impressas. Essas estruturas são chamadas de estruturas
de alinhamento, normalmente posicionadas nas extremidades das máscaras. As
estruturas auxiliam o operador do equipamento fotoalinhador no momento de alinhar
as máscaras às lâminas.
Na Figura 3, temos um exemplo de como deve ser feito um alinhamento entre
substrato e máscara.
16
Figura 3 - Alinhamento entre máscara e substrato[5]
17
lâmina e as regiões onde não há esse filme metálico permitem a passagem da
radiação, gerando sobre o filme fotossensível os padrões necessários para as
etapas seguintes de produção dos circuitos integrados.
A deposição do metal sobre a lâmina de vidro é feita pelos processos de
evaporação[7], ou sputtering[7]. A espessura desses filmes metálicos pode ser da
ordem de 800Å[8]
As máscaras utilizadas na produção de circuitos são feitas de uma forma que
não contenham nenhum tipo de defeito estrutural em ambas as superfícies, assim
como em sua estrutura interna, além de possuir um alto nível de transmissão óptica,
para que haja a menor quantidade de radiação absorvida pelo material durante a
exposição do resiste. Por se tratar de um processo que usa radiações, qualquer
defeito na estrutura atômica da máscara poderá gerar barreiras para essa radiação
atravessar as máscaras, e com isso não transferir as imagens de forma fiel ao que
foram projetadas.
Todos esses cuidados devem ser levados em consideração ao se produzir
uma máscara, para que haja uma alta resolução do processo de exposição, baixas
taxas de defeitos e ser opticamente compatível com os equipamentos de exposição,
resistes, processos de limpeza e deposição.
Há dois tipos de máscaras, as de campo claro e as de campo escuro. As
máscaras de campo claro permitem a maior passagem da luz, por possuírem poucas
regiões cobertas pelo metal. As máscaras de campo escuro têm a maior parte de
sua área coberta por metal, tendo poucas regiões em que a luz possa passar. A
Figura 4 mostra como são esses tipos de máscaras.
18
2.7 Expositora / Alinhadora
19
2.8 Tipos de exposição
20
O sistema não difere muito do sistema por contato e o que o torna diferente é um
mecanismo, que distância a máscara do filme de resiste, fazendo com que as
máscaras tenham uma vida útil maior e não gerem problemas devido à sujeita.
A distância entre máscara e resiste pode causar problemas de definição das
imagens, já que há uma dispersão natural da luz até alcançar o resiste. Ao mesmo
tempo esse contato suave ou distanciamento reduz muito o número de defeitos
associados a resistes danificados. Normalmente a distância típica entre máscara e
substrato é de 20-50µm[8], e assim nesse processo a resolução mínima pode
chegar entre 2 e 3µm[8].
Como mostrado na figura 6, o processo de exposição por projeção deve
possuir um conjunto óptico constituído por lentes e espelhos, que focalizarão as
imagens das máscaras na superfície do substrato. Por esse processo ter como
diferencial focar a luz sobre o substrato, o feixe de luz tem que percorrer toda a área
da lâmina, e assim um novo parâmetro deve ser considerado e controlado, o tempo
de varredura.
Uma desvantagem desse processo é o tempo de varredura que o sistema
necessita para percorrer toda área do substrato, não tornando esse processo muito
usado em escala industrial. Outros problemas encontrados são: a distorção da luz,
defeitos induzidos pelas máscaras quando há poeira ou sujeira sobre elas e
prováveis defeitos do vidro utilizado para produzir as máscaras.
A técnica por projeção permite a estruturação de superfícies curvas, aliada à
possibilidade de fazer impressões diretamente nas superfícies "sem contato" estão
entre as principais qualidades dessa técnica.
2.9 Revelação
21
A revelação é outra etapa crítica na litografia, pois é um processo difícil de ser
controlado e medido. Durante esse processo deseja-se: manter a espessura original
do filme não exposto (quando o resiste é o positivo), o tempo de revelação deve ser
curto e quando revelado, o filme não pode sofrer distorções e por fim as dimensões
específicas dos padrões devem ser transferidas e reproduzidas com exatidão[9].
O sucesso da revelação depende do tipo de resiste utilizado, já que cada tipo
tem suas particularidades estruturais e também dependerá dos mecanismos de
exposição.
O resiste negativo, quando sensibilizado torna-se resistente à solução
reveladora. A taxa de revelação entre as regiões sensibilizadas e não sensibilizadas
é alta. Soluções de xileno são usadas como solvente e seguido de enxágüe em
solução n-butil acetato, para que não haja a absorção de solvente pelo fotorresiste.
Quando o resiste usado é o positivo, o processo de revelação funciona ao
contrário do resiste negativo, ou seja, as regiões sensibilizadas saem e as que não
foram sensibilizadas ficam. Em condições ideais, todo o resiste sensibilizado deve
ser retirado das lâminas.
O resiste positivo é revelado com soluções alcalinas em água. As soluções
alcalinas podem ser o hidróxido de sódio ou hidróxido de potássio
Outro fator muito importante na revelação é o tempo de exposição. Se o
tempo de exposição não for muito bem controlado, resultados não esperados podem
ocorrer, a Figura 7 expõe claramente essa idéia, mostrando resultados após
diferentes tempos de exposição, sendo esse tempo curto ou longo. O tipo de resiste
utilizado é o negativo.
22
Figura 7 - Resultados após revelação[5]
23
2.10 Tipos de Litografia
24
2.10.1 Litografia óptica
Desde seu início, essa técnica tinha data para ser descontinuada e
substituída por algo diferente. Mas como a tecnologia dos sistemas ópticos, dos
materiais fotossensíveis e dos tipos de radiação utilizadas, faz com que atualmente
continue sendo utilizada, conseguindo atingir resoluções de até 45nm[13].
A Figura 11 nos mostra como evoluiu a tecnologia no tempo e como o
espectro de radiação utilizada.
25
Figura 11 - Evolução de tecnologia[4]
26
Figura 12 - Esquema de um sistema de litografia por feixe de elétrons[9]
27
que é duas ordens de grandeza menor que a radiação ultravioleta[15], usada no
processo fotolitográfico. A Figura 13 ilustra como é o sistema.
Litografia por raios-X tem um custo alto, porque boa parte desse custo está no
equipamento que gera o raio X, normalmente um synchrotron. Dependendo do
equipamento, o custo por hora de trabalho, pode chegar a centenas de dólares e o
investimento inicial para aquisição de equipamentos na ordem de milhões de
dólares.
Atualmente esse processo tem como desafio se firmar como processo
industrial, já que experimentalmente tem-se conseguido bons resultados com
demonstrações de resoluções menores que 100 nm[16].
28
2.10.4 Litografia por feixe de íons
Essa técnica é uma variação do processo feito pela litografia por feixe de
elétrons, somente utilizando um feixe de íons ao invés de elétrons. Mais conhecido
como FIBL, Focused Ion Beam Lithography. Essa variação do processo também
chega ao esquemático do processo que também é parecido com um microscópico
de varredura por feixe de elétrons, assim emitindo um feixe de íons sobre a
superfície de um substrato que tem um filme sensível aos tipos de íons que serão
incididos.
O princípio da litografia por projeção iônica consiste de um feixe de íons hélio,
gerados pela ionização do gás. Tal feixe é dirigido e modificado por um sistema de
lentes eletrostáticas, o qual permite projetar sobre a placa de silício um feixe quatro
vezes mais fino que a fonte. Essa técnica utiliza íons de átomos leves (hidrogênio,
hélio), podendo também funcionar com elementos como o argônio ou o xenônio.
As vantagens desse processo; os resistes são mais sensíveis devido as
massas desses íons serem maiores, não penetrarão em profundidade como os
elétrons, há a possibilidade de corrosão e implantação sem máscaras e o feixe pode
ser focado sobre linhas finas.
29
3 Etapas de processo no LSI
3.1.1 Desidratação
O resiste deve ser depositado agora, uma vez que toda a preparação foi
executada para que haja a melhora adesão entre silício e polímero.
31
Usando o mesmo equipamento, o spinner, uma quantidade de resiste é
colocada sobre a lâmina que novamente é rotacionada, para permanências de filmes
espessos, velocidades de rotação baixas são utilizadas, já para que filmes finos
permaneçam sobre a lâmina, velocidades altas devem ser utilizadas. A quantidade
de resiste depositado e o tipo de resiste também influenciam na espessura do filme
resultante desse processo.
3.2 Pré-cura
Pre bake ou soft bake, são os termos utilizados para a etapa que tem como
objetivo remover o máximo de solvente contido na solução do resiste previamente
depositado e preparar esse mesmo filme para a etapa de alinhamento e exposição.
A retirada de solvente visa também o endurecimento do filme resistivo e
melhorar as ligações de interface silício resiste. A lâmina é colocada sobre um hot
plate, ou prato quente, que é uma chapa transfere o calor gerado por resistências
para as lâminas. O tempo de permanência do substrato sobre a chapa é indicado
pelo fabricante do resiste, para que o filme não tenha sua estrutura danificada pelo
calor e assim prejudique o restante do processo litográfico.
3.3 Alinhamento/Exposição
3.4 Revelação
32
3.5 Cura
33
4 Equipamento fotoalinhador AL4-2
4.1 Descrição
34
4.2 Infra-estrutura
35
4.3 Funcionamento resumido
36
Durante esse processo, uma parte do equipamento, denominada castelo, se
direciona automaticamente até a posição onde se encontra a máscara e substrato. É
recomendada a utilização de óculos protetores, já que a radiação UV prejudica a
visão.
Ao terminar a exposição, o castelo retorna a posição inicial, o mask holder se
distancia da lâmina, assim poderá ser retirada e revelada, dando seqüência no
processo de litografia.
Quando o equipamento for desligado, deve-se observar o tempo mínimo de
resfriamento da lâmpada (20min).
37
4.4 Análise dos problemas
38
4.4.1 Metodologia
39
4.5 Manutenção
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Após a limpeza e mapeamento detalhado da linha de ar comprimido, os
sensores e válvulas pneumáticas que controlam a movimentação do mask holder
foram ajustados.
Dentro do equipamento, as tubulações de ar comprimido, nitrogênio e vácuo
são centralizadas em um bloco de distribuição composto de válvulas solenóides,
reguladores de pressão, atuadores e sensores pressão e posicionamento.
Cada válvula deste bloco tem uma função específica no equipamento, e está
identificada com a sigla MV. A Figura 16 mostra, esquematicamente, o
posicionamento das válvulas.
41
Seguindo a metodologia descrita no item 3.4.1, foi realizado um detalhamento
do sistema pneumático do equipamento. Após a inicialização e com a correta
movimentação do mask holder, a máscara e a lâmina são fixas a vácuo mediante
acionamento da teclas V-mask e V-chuck, respectivamente, no painel de controle.
A movimentação do mask holder foi ajustada através das válvulas agulhas
(Mask↑ e Mask↓). Esse conjunto de válvulas é controlado pelo solenóide MV11.
Após a fixação do substrato, a base do chuck (chuck stage) é deslocada até a
posição inicial, que é sob a máscara e pressionada ativando um sensor pneumático
e permitindo a continuidade do processo.
O sensor de vácuo posicionado abaixo da base do chuck é da empresa
FESTO[19], modelo EV15/64. Se a pressão for insuficiente para ativá-lo, a
mensagem no pressure é indicada no display e o equipamento precisa ser reiniciado
através da tecla reset do painel de controle. O ajuste do switch de posição foi feito
através de seus terminais (sysin-4) localizados na placa mãe, baseando-se nos
diagramas esquemáticos desenvolvidos durante este trabalho.
Todos os procedimentos realizados envolveram o acúmulo de água no
sistema pneumático do equipamento, o que causou alteração no ajuste das válvulas,
modificando parâmetros importantes para o funcionamento básico da alinhadora.
Estes procedimentos não alteraram a ignição da lâmpada mercúrio, necessária na
etapa de exposição.
Durante o deslocamento da máscara em direção a lâmina, foi identificada
uma mensagem SOFT CONTACT ERROR no display do equipamento, impedindo o
processo de proximidade.
Quando um usuário muda o tempo de exposição, automaticamente o valor do
diâmetro da lâmina retorna a zero e T=0 aparecerá no display. A configuração do
diâmetro da lâmina corrige esse erro. O anexo B detalha esse procedimento.
A pressão que o equipamento exerce quando a máscara é levada em direção
ao substrato, é controlada pela válvula HARD CONTACT localizada no painel. O
valor nominal dessa pressão é de 930 mbar (697 Torr), mas alguns processos
poderão necessitar de valores diferentes.
O ajuste adequado desse valor evita que a máscara não se solte do mask
holder com uma pressão baixa, ou danifique o filme fotossensível com uma pressão
alta, que também poderá danificar a própria máscara.
42
A etapa de exposição compreende a incidência de radiação UV produzida por
uma lâmpada do tipo incandescente com atmosfera de vapor de mercúrio em alta
pressão[17]. Esta é alimentada por uma fonte que possui controles de intensidade
de iluminação e potência aplicada. A Figura 17 mostra uma foto da fonte da
lâmpada.
Figura 17 - Fonte
43
Figura 18 - Região de testes de intensidade luminosa
44
Uma linha dedicada de nitrogênio foi implementada a partir do vaporizador de
nitrogênio líquido, eliminando as interferências mencionadas.
Paralelamente, a linha de ar comprimido foi alterada com a substituição de
filtros e a elaboração de um novo painel de controle, facilitando a visualização dos
valores de pressão e drenagem do sistema.
45
5 Resultados
• Resolução de 1µm
• Pre bake: 90 °C / 90 seg
• Hard bake 110 °C / 90 seg
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• Solução reveladora de KOH (C = 17 g/L) 1:1 de água, 500ml
• Tempos de revelação Lâmina 1: 20seg
Lâmina 2: 15seg
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• Rotação: 3500 RPM
• Exposição: 3, 6, 9 e 12 segundos
• Revelação: solução de KOH (C = 17 g/L)
48
Tabela 4 - Primeiro teste de exposição.
Região Lâmina 1 (Å) Lâmina 2 (Å)
1 1478 1282
2 5227 6197
3 6599 5998
4 13037 12576
Para finalizar os testes com lâminas inteiras, foi proposto analisar o processo
litográfico sobre filme de alumínio. As lâminas utilizadas foram denominadas 5 e 6.
49
Tabela 6 - Terceiro teste de exposição
Região Lâmina 5 (Å) Lâmina 6 (Å)
1 994 555
2 4009 3393
3 8935 6822
4 10710 10496
50
Tabela 8 - Perfis de litografia
Grupo 2
Tempo (s) 8 10 12 14
Média (Å) 6315 7200 5485 9022
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A figura 22 mostra o resultado de revelação após 10 segundos de exposição.
52
A figura 23 mostra o resultado de revelação após 12 segundos de exposição
53
Após a revelação cada pedaço de lâmina recebeu o processo de corrosão seca do
silício e posteriormente o resiste foi retirado utilizando o mesmo processo. Os
parâmetros do processo foram:
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Terminado o processo de corrosão, para finalizar o processo de analise e
caracterização de exposição, foi proposto o cálculo da seletividade do processo. Os
valores obtidos são determinados pela formula (3). As tabelas 13 e 14 mostram os
valores de seletividade calculados para cada tempo de exposição:
H 1−( H 2 − H 3 )
S= (3)
t
Onde: H1 é a medida do degrau sem corrosão
H2 é a medida do degrau medido após a corrosão do substrato
H3 é a medida do degrau medido após a corrosão do fotorresiste
t é o tempo do processo de corrosão.
55
e) exposição à luz ultravioleta por 12 s;
f) revelação do fotorresiste por cerca de 50 s na solução de 1 parte de água + 1
parte de KOH;
g) cura de 5 minutos a 130 °C;
Etapas posteriores:
• Corrosão do silício poly por plasma.Parâmetros:
- 25 sccm de SF6
- pressão de 100 mTorr
- Potência de 50 W
- tempo de corrosão = 7 minutos
• Retirada do fotorresiste utilizando plasma de O2 por um tempo de 4 minutos.
56
Após as etapas de corrosão, algumas fotos foram feitas e com isso pode-se
observar a qualidade do processo que teve o valor mínimo de largura de linha 50µm.
Abaixo são mostrados os resultados após a corrosão.
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6 Conclusão
58
7 Referências
[1] http://www.babylon.com/definition/Lithography/Portuguese
Retirado 24/06/2007
[2] http://www.glatt.com.br/tec_lito.asp
Retirado em 21/06/2007
[3] http://www.njnano.org/pasi/event/talks/cirelli.pdf
Retirado em 21/08/2007
[4] http://www.labelectron.org.br/artigos/eventech_012.pdf
Retirado em 15/11/2007
[5] http://www.memsnet.org/mems/processes/lithography.html
Retirado em 05/07/2007
[7] , Sorab K., “VLSI Fabrivation Principles”, Silicon and Gallium Arsenide
[11]http://www.ece.nus.sg/stfpage/eleaao/EE6504/2007_EE6504_Nanofabrication_1
_double.pdf
Retirado em 10/07/2007
59
[12]http://liqcryst.chemie.uni-
hamburg.de/lcionline/training/train_01/topics/2DSPT3.htm
Retirado em 10/07/2007
[13]http://www.smalltimes.com/Articles/Article_Display.cfm?Section=ARTCL&PUBLI
CATION_ID=109&ARTICLE_ID=260007&C=Feats
Retirado em 15/08/2007
[14] http://www_raith/nanolithography/nano_faqs2.html
Retirado em 14/09/2007
[15] J.G Chase and B. W. Smith, “Overview of Modern Lithography Techniques and a
MENS-Based Approach to High Thoughput Rate Electron Beam Lithography,”
[16] J. P. Silverman, “Challenges and Progress in X-ray Lithography,”
[17] http://www.msscientific.de/mercury_lamps.htm
Retirado em 30/08/2007
[18] http://www.edwardsvacuum.com/brasil/
Retirado em 03/07/2007
[19] http://www.festo.com.br
Retirado em 15/06/2007
60
Anexos
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B. Manual detalhado
62
INICIALIZAÇÃO DA ALINHADORA:
63
4. FONTE
Displays da Fonte
Nessa fonte existem dois displays, um para mostrar a potência e intensidade (direita)
da lâmpada e outro para mostrar a corrente e a tensão da lâmpada (esquerda. Antes
de qualquer exposição, a lâmpada deve ter sua corrente e tensão estabilizadas por
10 minutos. Ao se ligar a lâmpada, a tensão de trabalho máxima é de 60 V e a
corrente máxima é de 5,9 A. Quando a tensão e a corrente estiverem estabilizadas,
seus valores devem ser respectivamente de 55 V e entre 3,5 a 4 A.
64
PROCEDIMENTO DE ALINHAMENTO DA MÁSCARA COM OBJETIVAS:
1. O castelo (é a torre que compreende o sistema da lâmpada) deve estar
totalmente para trás antes de iniciar o equipamento.
Caso o castelo não esteja na sua posição, aguarde até o castelo se mover ate a
posição inicial.
2. POWER ON
6. Máscara é colocada
7. Pressionando V MASK, o vácuo para prender a máscara é ligado
9. A lâmina é colocada
65
10. Liga-se o vácuo da lâmina, pressionando V CHUCK
Confira se a lâmina se encontra presa ao chuck por vácuo, fazendo uma pequena
pressão com o auxilio de uma pinça. Ao se certificar da fixação da lâmina, o conjunto
chuck stage deve ser empurrado ate ser situado abaixo da mascara.
Ao exercer uma pressão no base do chuck stage, note um som de alivio de válvula.
Se esse som não for notado, pressione novamente ate ouvi-lo.
Essa etapa é feita para que a máscara pressione a lâmina, assim promovendo um
proximidade e retirando qualquer inclinação entre mascara e lâmina.
66
CONFIGURANDO O TEMPO DE EXPOSIÇÃO
Antes de expor sua lâmina a radiação UV, deve-se configurar o tempo dessa
exposição. Os passos são os seguintes:
Obs 1.: Os tempos selecionados são em segundos, variando de 001 ate 999
segundos.
Obs 2.: Se algum erro for cometido na seqüência descrita acima, pressione MENU 2
vezes, a primeira para sair do modo de configurações e a segunda para retornar a
esse modo, já que as etapas devem ser feitas em seguida da outra.
67
CONFIGURANDO O TAMANHO DA LÂMINA:
Obs 1.: Note em seu display que o valor do tempo escolhido aparecerá ao lado da
palavra TIME e o tamanho da lâmina será uma unidade menor do que a
selecionada, no caso ET será igual a 3 e não a 4. Isso não acarretará em erros
futuros.
Obs 2.: Ao configurar o tempo de exposição, note que o valor T ao lado do tempo
muda para 0, esse valor deverá ser mudado em seguida, pois se o processo
continuar ocorrerá um erro chamado SOFT CONTACT ERROR.
Obs 3.: Se algum erro for cometido na seqüência descrita acima, pressione MENU 2
vezes, a primeira para sair do modo de configurações e a segunda para retornar a
esse modo, já que as etapas devem ser feitas em seguida da outra.
68
PROCEDIMENTOS PARA EXPOSIÇÃO:
Essa tecla serve para aproximar mas a lâmina da mascara, para que haja um melhor
alinhamento entre elas. Essa distancia pode ser configurada antes dessa etapa.
A tecla scan pode ser usada nesse instante para um melhor alinhamento entre
mascara e lâmina, pois o castelo fica solto para uma movimentação manual e com a
ajuda do microscópio, pode-se observar o que for necessário.
As teclas H-Cont e V-Cont também podem ser utilizadas. H-Cont significa Hard
Contact, isso faz com que a mascara seja forçada sobre a lâmina para haver um
melhor contato, já usando o V-Cont ou Vaccum Contact, assim através do vácuo
formado entre máscara e lâmina proporcionando o contato sob a lâmina.
69
DESLIGANDO O EQUIPAMENTO
1. POWER ON
2. Desligue e ligue a fonte
3. Após 20min (tempo mínimo para resfriamento da lâmpada), coloque o MAIN
SWITCH na posição OFF
4. Feche a válvula do ar comprimido
5. Feche a válvula do nitrogênio
6. Feche a válvula da bomba de vácuo
7. Desligue a bomba de vácuo
70
C. Diagrama esquemático da placa mãe
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E. Placa secundária nº2
72
G. Placa secundária nº4
73
I. Placa secundaria nº6
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