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DISPOSITIVOS DE MEMRIA

INTRODUO
Um sistema digital capaz de armazenar facilmente uma grande quantidade de informao
por perodos de tempo curtos ou longos, sendo esta a sua principal vantagem sobre os
sistemas analgicos, pois tal caracterstica torna os sistemas digitais bastante versteis e
adaptveis a um sem-nmero de situaes.
Este captulo dedicado ao estudo dos tipos mais comuns de dispositivos e sistemas de
memria empregados no armazenamento de informaes em computadores digitais.
J estamos familiarizados com o flip-flop. Sabemos tambm que grupos de flip-flops
denominados registradores so capazes de armazenar informao estruturada (dados ou
instrues), e que tais informaes podem ser recebidas/transferidas de/para outros
dispositivos de armazenamento.
Os registradores so elementos de memria de alta velocidade, empregados no
armazenamento de informao durante o processo de execuo de instrues pela unidade de
controle da mquina, havendo uma constante movimentao de informaes entre os
registradores e os demais dispositivos componentes do sistema.
Em geral, um sistema de computador usa memria principal (interna) de alta velocidade e
dispositivos de memria secundria (externa ou de massa) lentos, mas com alta capacidade
de armazenamento.

TERMINOLOGIA
CLULA DE MEMRIA - ( Flip-flop, armazenam um nico bit)
PALAVRA DE MEMRIA - (Um grupo de clulas, normalmente 4 a 64 bits )
CAPACIDADE - 1K = 1024 , 1M = 1.048.576 - ( 2K x 8 = 2048 x 8 = 16384 bits )
ENDEREO - Identifica a posio de uma palavra na memria.
OPERAO DE LEITURA - Tambm chamada de busca na memria.
OPERAO DE ESCRITA - Tambm chamada de armazenamento.
TEMPO DE ACESSO - Quantidade de tempo necessria busca ou armazenamento.
MEMRIA VOLTIL - Necessitam de energia eltrica para reter a informao armazenada.
MEMRIA DE ACESSO RANDMICO (RAM) - O tempo de acesso constante para
qualquer endereo da memria.
MEMRIA DE ACESSO SEQUENCIAL (SAM) - O tempo de acesso no constante, mas
depende do endereo. Ex: fitas magnticas.
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MEMRIA DE LEITURA/ESCRITA (RWM) - Qualquer memria que possa ser lida ou


escrita com igual facilidade.
MEMRIA DE LEITURA (ROM) - Uma classe de memrias a semicondutor projetadas para
aplicaes onde a taxa de operaes de leitura infinitamente mais alta do que as de
escrita. So no-volteis.
DISPOSITIVOS DE MEMRIA ESTTICA - Enquanto houver energia eltrica aplicada, no
h necessidade de rescrever a informao.
DISPOSITIVOS DE MEMRIA DINMICA - Necessitam de recarga ( refresh )
MEMRIA PRINCIPAL (INTERNA) - a mais rpida do sistema. ( Instrues e dados ).
MEMRIA DE MASSA - mais lenta que a principal. Grande capacidade de
armazenamento

OPERAO DA MEMRIA
Apesar das diferenas existentes na implementao de cada um dos tipos de memria, um
certo conjunto de princpios bsicos de operao permanece o mesmo para todos os
sistemas de memria.
Cada sistema requer um conjunto de tipos diferentes de entrada e sada para realizar as
seguintes funes:
1.
2.
3.
4.

Selecionar o endereo que est sendo acessado para uma operao de leitura ou escrita.
Selecionar a operao a ser realizada, leitura ou escrita.
Fornecer os dados de entrada para a operao de escrita.
Manter estveis as informaes de sada da memria resultantes de uma operao de
leitura, durante um tempo determinado.
5. Habilitar ( ou desabilitar ) a memria, de forma a faz-la ( ou no ) responder ao endereo
na entrada e ao comando de leitura/escrita.

MEMRIAS DE LEITURA - ROM


As ROMs so usadas para guardar instrues e dados que no vo mudar durante o
processo de operao do sistema.
Uma vez que as ROMs so no-volteis, os dados nela armazenados no se perdem
quando o equipamento desligado.
Uma das principais aplicaes da ROM no armazenamento de alguns programas do
sistema operacional dos microcomputadores, e tambm para armazenar informaes em
equipamentos controlados por microprocessadores, como caixas registradoras eletrnicas,
sistemas de segurana industrial e diversos aparelhos eletrodomsticos.
Para alguns tipos de ROM, os dados que esto armazenados foram gravados durante o
processo de fabricao da memria. Para outros tipos, os dados so gravados eletricamente.
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O processo de gravao de dados chamado de programao, ou queima, da ROM.


Algumas podem apagar e regravar seus dados quantas vezes forem necessrias.

TIPOS DE MEMRIAS DE LEITURA - ROM


ROM PROGRAMADA POR MSCARA - MROM
Este tipo tem suas posies de memria escritas ( programadas ) pelo fabricante de
acordo com as especificaes do cliente. Um negativo fotogrfico, denominado mscara,
usado para especificar as conexes eltricas do chip. Uma mscara diferente requerida para
cada conjunto de informaes a ser armazenado na ROM. Em razo de tais mscaras serem
caras, este tipo de ROM s ser vivel sob ponto de vista econmico, se for produzido um
nmero muito grande de ROMs com a mesma mscara.
A maior desvantagem destas ROMs o fato de elas no poderem ser apagadas e
reprogramadas, quando uma mudana qualquer no projeto do dispositivo exigir modificaes
nos dados armazenados. Neste caso, a ROM com os dados antigos no pode ser
reaproveitada, devendo ser substituda por uma outra com os novos dados gravados.

ROMs PROGRAMVEIS - PROMs


Para aplicaes mais modestas em termos de quantidades de chips a ser produzidos, a
indstria desenvolveu as PROMs a fusvel, programveis pelo usurio, isto , elas no so
programadas durante o processo de fabricao, e sim pelo usurio, de acordo com suas
necessidades. Porm, uma vez programada, a PROM torna-se uma MROM, ou seja, no
pode ser apagada e novamente programada.
O processo de programao de uma PROM com a conseqente verificao dos dados
gravados pode ser muito tedioso e demorado, se realizado manualmente. Existe no mercado
um sem-nmero de dispositivos programadores de PROMs que permitem a entrada da
programao por teclado, para ento realizar a queima dos fusveis e verificao dos dados
gravados, sem a interveno do usurio.

ROM PROGRAMVEL APAGVEL - EPROM


Uma EPROM pode ser programada pelo usurio, podendo, alm disso, ser apagada e
reprogramada quantas vezes forem necessrias. Uma vez programada, a EPROM comportase como memria no-voltil que reter os dados nela armazenados indefinidamente.
Uma vez que uma clula da EPROM tenha sido programada, possvel apag-la
expondo radiao ultravioleta, aplicada atravs da janela do chip. Tal processo de
apagamento requer uma exposio de 15 a 30 minutos aos raios ultravioletas. Infelizmente no
h como apagar clulas selecionadas. A luz ultravioleta apaga todas as clulas ao mesmo
tempo, de forma que, aps a exposio, a EPROM estar novamente armazenando apenas
1s. Uma vez apagada, a EPROM pode ser reprogramada.
As EPROMs esto disponveis numa faixa bem ampla de capacidade e tempos de
acesso. Dispositivos com capacidade de 128K x 8 com tempo de 45 ns so muito comuns.
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ROM PROGRAMVEL APAGVEL ELETRICAMENTE - EEPROM


A EEPROM foi desenvolvida no incio dos anos 80, e apresentada ao mercado como
um aperfeioamento da idia da PROM.
A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM a possibilidade de apagamento e
reprogramao de palavras individuais, em vez da memria toda. Alm disso, uma EEPROM
pode ser totalmente apagada em 10 ms, no prprio circuito, contra mais ou menos 30 minutos
para uma EPROM que deve ser retirada do circuito para submeter-se ao da luz
ultravioleta.
Uma EEPROM tambm pode ser programada bem mais rapidamente do que uma
EPROM, requerendo um pulso de programao de 10 ms para cada palavra, em contraste
com o de 50 ms necessrio a se programar uma palavra da EPROM.

APLICAES DAS ROMs


FIRMWARE ( MICROPROGRAMA )

Programas que no esto sujeitos a mudana.


Sistemas Operacionais, Interpretadores de linguagem, etc.

MEMRIA DE PARTIDA FRIA ( BOOTSTRAP )


Programa que leva o processador a inicializar o sistema, fazendo com que a parte
residente do sistema operacional seja transferida da memria de massa para a memria
interna.

TABELAS DE DADOS

Exemplos: funes trigonomtricas e de converso de cdigo.

CONVERSORES DE DADOS

Recebem um dado expresso em determinado tipo de cdigo, e produzem uma sada


expressa em outro tipo de cdigo.
Por exemplo, quando o microprocessador est dando sada a dados em binrio puro, e
precisamos converter tais dados para BCD de forma a excitar corretamente um display de 7
segmentos.

GERADORES DE CARACTERES

Armazena os cdigos do padro de pontos de cada caracter em um endereo que


corresponde ao cdigo ASCII do caracter em questo.
Por exemplo: Endereo 1000001 ( 41H ) corresponde a letra A.

MEMRIAS DE ACESSO RANDMICO - RAM


O termo RAM usado para designar uma memria de acesso randmico, ou seja, uma
memria com igual facilidade de acesso a todos os endereos, no qual o tempo de acesso a
qualquer um deles constante.
As RAMs so usadas em computadores para armazenamento temporrio de programas
e dados.
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A grande desvantagem reside no fato delas serem volteis. algumas RAMs CMOS tm
a capacidade de operar em standby, consumindo muito pouca energia quando no esto
sendo acessadas. alm disso, algumas podem ser alimentadas por baterias, mantendo seus
dados armazenados na ocorrncia de eventuais interrupes de energia.

RAM ESTTICA (SRAM)


So aquelas que s podem manter a informao armazenada enquanto a alimentao
estiver aplicada ao chip.
As clulas de memria das RAMs estticas so formadas por flip-flops que estaro em
certo estado ( 1 ou 0 ), por tempo indeterminado.
Esto disponveis nas tecnologias bipolar e mos.
bipolar: maior velocidade, maior rea de integrao.
MOS : maior capacidade de armazenamento e menor consumo de potncia.
alto custo.
difcil integrao ( pouca capacidade em muito espao ).
TECNOLOGIAS
medida que o tempo passa, mesmo as memrias estticas esto ficando lentas para
as frequncias de operao utilizadas no barramento local do microcomputador.
A soluo foi o desenvolvimento de novas tecnologias de memria esttica:

ASYNCHRONOUS SRAM
Esse o tipo tradicional de memria esttica, utilizada a partir do 80386. embora seja
rpida, em frequncias de operao acima de 33Mhz, necessita utilizar wait states.
Tem um tempo de acesso tpico de 20 a 12 ns.

SYNCHRONOUS BURST SRAM


Esse o melhor tipo de memria esttica para micros que utilizem at 66Mhz como
frequncia de operao do barramento local, pois no preciso utilizar wait states.
Tem um tempo de acesso tpico de 12 a 8,5ns.

PIPELINED BURST SRAM


Esse novo tipo consegue trabalhar com barramentos de at 133Mhz sem a
necessidade de wait states. Tem um tempo de acesso tpico de 8 a 4,5ns.

RAM DINMICA ( DRAM )


So fabricadas usando a tecnologia MOS.
Apresentam :
alta capacidade de armazenamento.
baixo consumo de energia.
velocidade de operao moderada.
armazenam 1s e 0s como carga de microcapacitores mos.
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baixo custo.
desvantagem:
necessitam de recarga peridica das clulas de memria
operao de refresh de cada clula a cada 2~10 ms.
Sempre que uma operao de leitura for realizada em determinada clula da dram,
todas as clulas desta mesma linha sofrero refresh.
Mesmo no podendo baixar o tempo de acesso da memria dinmica ( sobretudo por
causa da necessidade de ciclos de refresh ), os fabricantes conseguiram desenvolver diversas
novas tecnologias de construo de circuitos de memria RAM.
Embora tenha o mesmo tempo de acesso, circuitos com tecnologias de construo
diferentes podem apresentar velocidades diferentes.
Para entendermos as novas tecnologias de construo de memrias dinmicas e as
suas vantagens, devemos ir um pouco mais a fundo no funcionamento das memrias
dinmicas.
As novas tecnologias so alteraes na estrutura bsica do funcionamento da memria,
que fazem com elas gastem um nmero menor de wait states.
Podemos citar:
Memria Fast Page Mode ( FPM )
Memria Extended Data Out ( EDO )
Memria Burst Extended Data Out ( BEDO )
Memria Synchronous Dynamic RAM ( SDRAM )
Memria Double Data Rate SDRAM ( SDRAM-II )

RAM NO-VOLTIL ( NVRAM )


contm uma matriz de RAM esttica e uma matriz EEPROM no mesmo chip.
cada clula da RAM esttica tem uma correspondente na EEPROM, e a informao
pode ser transferida entre clulas correspondentes em ambas as direes.
elas atuam na ocorrncia de falta de energia, ou quando o computador for desligado. a
operao de transferncia realizada em paralelo e gasta alguns poucos milissegundos.
a NVRAM tem a vantagem de no precisar de bateria.
no esto disponveis em verses de grande capacidade de armazenamento. neste
caso, usa-se RAMs CMOS com bateria.

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