ELETRNICA BSICA

Jos Fernando Xavier Faraco

Presidente da FIESC
Srgio Roberto Arruda
Diretor Regional do SENAI/SC
Antnio Jos Carradore
Diretor de Educao e Tecnologia do SENAI/SC
Antnio Demos
Diretor do CTV Blumenau

SENAI CTV Blumenau

Eletrnica Bsica

Federao das Indstrias do Estado de Santa Catarina

Servio Regional de Aprendizagem Industrial
Centro de Tecnologia do Vesturio de Blumenau

ELETRNICA
BSICA

Blumenau
2002
SENAI CTV Blumenau
Eletrnica Bsica

 autorizada a reproduo total ou parcial deste material, por qualquer meio ou

sistema, desde que a fonte seja citada.
Organizador
DJorge Milan

Reviso 00
Maro/2002

S474e
SENAI/CTV
Eletrnica bsica / DJorge Milani (Org.) Blumenau : SENAI/CTV,
2002. 40 p. : il.

1. Eletrnica I. MILANI, DJorge II. Ttulo

CDU: 621.38

Servio Nacional de Aprendizagem Industrial

Centro de Tecnologia do Vesturio de Blumenau
e-mail: blumenau@senai-sc.ind.br
site: www.senai-ctv.ind.br
Rua So Paulo, 1147 Victor Konder
CEP: 89012-001 Blumenau SC
Fone: (0XX47) 321-9600
Fax: (0XX47) 340-1797
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SUMRIO
LISTA DE FIGURAS....................................................................................
LISTA DE TABELAS....................................................................................
1 NOTAAO CIENTFICA...........................................................................
1.1 Regra geral............................................................................................
2 RESISTORES: CLASSIFICAO E IDENTIFICAO............................
2.1 Caractersticas dos resistores................................................................
2.2 Resistores fixos......................................................................................
2.3 Resistores ajustveis.............................................................................
2.4 Resistores variveis...............................................................................
2.5 Cdigo de cores para resistores............................................................
2.6 Interpretao do cdigo de cores...........................................................
2.7 Casos especiais do cdigo de cores......................................................
3 CAPACITOR.............................................................................................
3.1 Capacitncia..........................................................................................
3.2 Unidade de medida................................................................................
3.3 Tenso de trabalho................................................................................
3.4 Tipos de capacitores..............................................................................
3.5 Cdigo de cores para capacitores.........................................................
3.6 Reatncia capacitiva..............................................................................
3.7 Relao de fase entre tenso e corrente num capacitor.......................
3.8 Associao de capacitores....................................................................

07
08
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16
16
16
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19
20

4 INDUTOR..................................................................................................
4.1 Auto-induo..........................................................................................
4.2 Fator de qualidade.................................................................................
4.3 Associao de indutores........................................................................
4.4 Relao de fase entre corrente e tenso...............................................

20
21
23
23
23

5 TRANSFORMADOR.................................................................................
5.1 Princpio de funcionamento....................................................................
5.2 Relao de transformao.....................................................................
5.3 Tipos de transformadores......................................................................
5.4 Relao de fase entre as tenses do primrio e do secundrio............

24
24
25
25
26

6 SEMICONDUTORES................................................................................
6.1 Estrutura qumica dos semicondutores..................................................
6.2 Dopagem................................................................................................

26
26
27

7 DIODO SEMICONDUTOR........................................................................
7.1 Estrutura bsica.....................................................................................
7.2 Comportamento dos cristais aps a juno...........................................
7.3 Aplicao de tenso sobre o diodo........................................................
7.4 Parmetros mximos do diodo..............................................................
7.5 Corrente mxima direta..........................................................................
7.6 Tenso reversa mxima.........................................................................
7.7 Teste de diodos semicondutores...........................................................

28
28
29
29
31
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8 TRANSISTOR BIPOLAR..........................................................................
8.1 Tipos de transistores bipolares..............................................................
8.2 Teste de transistores..............................................................................
8.3 Transistor como chave...........................................................................
8.4 Determinao dos resistores.................................................................
8.5 Transistor como amplificador.................................................................
8.6 Determinao dos resistores polarizados..............................................

32
32
33
33
34
34
35

9 COMPONENTES ELETRNICOS ESPECIAIS.......................................

9.1 Termistores............................................................................................
9.2 PTC (Positive Temperatura Coeficient).................................................
9.3 NTC (Negative Temperature Coeficient)................................................
9.4 LDR........................................................................................................
9.5 Fotodiodo...............................................................................................
9.6 Fototransistor.........................................................................................
9.7 LED........................................................................................................
9.8 Varistor...................................................................................................

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LISTA DE FIGURAS
Figura 1
Figura 2
Figura 3
Figura 4
Figura 5
Figura 6
Figura 7
Figura 8
Figura 9
Figura 10
Figura 11
Figura 12
Figura 13
Figura 14
Figura 15
Figura 16
Figura 17
Figura 18
Figura 19
Figura 20
Figura 21
Figura 22
Figura 23
Figura 24
Figura 25
Figura 26
Figura 27
Figura 28
Figura 29
Figura 30
Figura 31
Figura 32
Figura 33
Figura 34
Figura 35
Figura 36
Figura 37

Resistores de 4 e 5 anis..........................................................
Simbologia de um resistor.........................................................
Simbologia de um resistor ajustvel..........................................
Simbologia de um potencimetro e trimpot...............................
Resistores de 4 anis................................................................
Capacitores despolarizados.......................................................
Capacitores ajustveis...............................................................
Capacitores variveis.................................................................
Capacitores eletrolticos.............................................................
Cdigo de cores para capacitores.............................................
Relao entre tenso e corrente em um capacitor....................
Princpio da induo magntica.................................................
Relao entre tenso e corrente em um indutor........................
Transformador isolador..............................................................
Transformadores de ferro silcio e ferrite...................................
Relao de fase nos transformadores.......................................
Germnio...................................................................................
Silcio.........................................................................................
Ligao covalente......................................................................
Material tipo N............................................................................
Material tipo P............................................................................
Juno PN (diodo).....................................................................
Juno PN (diodo).....................................................................
Polarizao direta na juno PN................................................
Polarizao inversa na juno PN.............................................
Simbologia do diodo..................................................................
Constituio do transistor bipolar...............................................
Simbologia dos transistores bipolares.......................................
Polarizao do transistor bipolar com chave.............................
Polarizao do transistor bipolar por divisor de tenso na
base...........................................................................................
Simbologia do termistor PTC.....................................................
Simbologia do termistor NTC.....................................................
Simbologia do LDR....................................................................
Simbologia do fotodiodo............................................................
Simbologia do fototransistor......................................................
Smbolo do LED.........................................................................
Smbolo do varistor....................................................................

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7

LISTA DE TABELAS
Tabela 1
Tabela 2
Tabela 3
Tabela 4

Notao cientfica.......................................................................
Decodificao de resistor de 4 anis.........................................
Decodificao de resistor de 5 anis.........................................
Cdigo de cores para capacitores.............................................

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1 NOTAO CIENTFICA

Nos clculos de eletroeletrnica, utiliza-se a notao numrica

denominada notao cientfica para exprimir nmeros da ordem de milhares ou
milsimos da unidade.
Tal notao facilita o uso e a compreenso desses nmeros quando
utilizados na matemtica aplicada naquelas cincias.
1.1 Regra geral
Para grandes nmeros, anotao cientfica consiste em escrever o
nmero sempre em algarismos menores do que dez, e em seguida, multiplicalos por dez, tantas vezes quantas forem necessrias para localizar a vrgula
decimal.
O nmero de vezes que a vrgula deslocou-se para a direita indicar-se-
como expoente da base dez.
Exemplo
4.000.000.000 = 4 x 109
6.250.000 = 6,25 x 106
452.683 = 4,52683 x 105
Para nmeros menores do que 1 (um) escreve-se o nmero sempre
menor do que dez, multiplicando-se por uma potncia de dez com expoente
negativo.
O expoente sempre igual ao nmero de casa que a vrgula deslocou-se
para a direita.
Exemplo
0,00000000295 = 2,05 x 10-9
0,000195 = 0,195 x 10-3
0,4523 = 4,523 x 10-1
conveniente expressar das potenciais de dez em mltiplos e
submltiplos do nmero 3 (trs), sempre que possvel.
Essas potncias passam a receber designao prpria, tomada do idioma
grego ou latino e adotado pelo sistema internacional (SI), conforme visto na
tabela 1.
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Tabela 1 Notao cientfica

NOME
Exa
Penta
Ter
Giga
Mega
Kilo
Hecto
Deca
Deci
Centi
Mili
Micro
Nano
Pico
Femto
Atto

SMBOLO
E
P
T
G
M
K
h
da
d
c
m
u
n
p
f
a

FATOR MULTIPLICATIVO
1018 = 1000000000000000000
1015 = 10000000000000000
1012 = 1000000000000
109 = 1000000000
106 = 1000000
103 = 1000
102 = 100
101 = 10
10-1 = 0,1
10-2 = 0,01
10-3 = 0,001
10-6 = 0,000001
10-9 = 0,000000001
10-12 = 0,000000000001
10-15 = 0,000000000000001
10-18 = 0,000000000000000001

2 RESISTORES: CLASSIFICAO E IDENTIFICAO

So componentes utilizados em eletrnica com a finalidade de limitar a

corrente eltrica. A figura 1 mostra alguns resistores.

Figura 1 Resistores de 4 e 5 anis

Obs: pelo controle possvel reduzir ou dividir tenses.
2.1 Caractersticas dos resistores
Os resistores possuem caractersticas eltricas importantes, atravs das
quais se distinguem uns dos outros:
Resistncia hmica: o valor especfico de resistncia do
componente. Os resistores so fabricados em valores
padronizados, estabelecido por norma, nos seguintes valores base:
10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 62, 68, 82. a faixa completa
de valores de resistncia se obtm multiplicando-se os valores
base por: 0,1, 1, 10, 100, 1K, 10K, 100K
Percentual de tolerncia: os resistores esto sujeitos a
diferenas no seu valor especfico de resistncia, devido ao
processo de fabricao. Estas diferenas situam-se em 5 faixas:

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Mais ou menos 20% de tolerncia;

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Mais ou menos 10% de tolerncia;

Mais ou menos 5% de tolerncia;
Mais ou menos 2% de tolerncia;
Mais ou menos 1% de tolerncia.

Os resistores com 20%, 10% e 5% de tolerncia so

considerados comuns, 2% e 1% so considerados de preciso.
O percentual de tolerncia indica a variao que o
componente pode apresentar em relao ao valor padronizado
impresso em seu corpo.
Potncia: define a capacidade de dissipao de calor do
resistor sendo esse valor uma funo da tenso e da corrnete a
que ele est submetido.
Simbologia
A figura 2 mostra o smbolo oficial a BANT, para representao de
resistores em circuitos eletrnicos.

Figura 2 Simbologia de um resistor

Tipos de resistores
Existem trs tipos de resistores quanto a constituio:
Resistor de filme de carbono: tambm conhecido como
resistor de pelcula, sendo constitudo de um corpo cilndrico de
cermica que serve como base para uma fina camada espiral de
material resistivo (filme de carbono) que determina seu valor
hmico.
O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que do
acabamento na fabricao e isola o filme de carbono da ao da
umidade. Suas principais caractersticas so a preciso e
estabilidade do valo r resistivo.
Resistor de carvo: constitudo por um corpo cilndrico de
porcelana. No interior da porcelana so comprimidas partculas de
carvo que definem a resistncia do componente. Os valores de
resistncia no so precisos.
Resistores de fio: constitui-se de um corpo de porcelana ou
cermica que serve como base. Sobre o corpo enrolado um fio
especial (por exemplo, nquel-cromo) cujo comprimento e seo
determinam o valor do resistor. Os resistores de fio tm capacidade
para trabalhar com maiores valores de corrente, produzindo
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normalmente uma grande quantidade de calor quando em

funcionamento.
Cada um dos tipos tem, de acordo com a sua constituio, caractersticas
que os tornam mais adequados que os outros em sua classe de aplicao.
Quanto construo os resistores so divididos em trs grupos:
2.2 Resistores fixos
So resistores cujo valor hmico j vem definido de fbrica, no sendo
possvel altera-los.
2.3 Resistores ajustveis
So resistores que permitem que se atue sobre seu valor hmico,
alterando-o conforme for necessrio. Uma vez definido o valor, o resistor
lacrado e no se atua mais sobre o mesmo.
utilizado em pontos de ajuste ou calibrao de equipamentos.

Figura 3 Simbologia do resistor ajustvel

Em baixa potncia temos tambm esse tipo de resistor, sendo
denominado de trimpot, podendo ser de uma ou vrias voltas (multivoltas).
2.4 Resistores variveis
So resistores que permitem que se atue sobre o seu valor hmico, sendo
utilizados onde se necessite de um constante ajuste da resistncia. Estes
resistores so empregados no controle de volume de televisores, rdios, etc.

Figura 4 Simbologia de potencimetro e trimpot

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2.5 Cdigo de cores para resistores

O valor hmico dos resistores e sua tolerncia podem ser impressos no
corpo do componente, atravs de anis coloridos.
A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do
componente seja lido de qualquer posio.
2.6 Interpretao do cdigo de cores
Existem no mercado atualmente resistores de quatro e cinco anis, neste
item estudaremos a decodificao do cdigo de cores para esses
componentes.
Resistores de quatro anis: O cdigo se compe de trs
anis utilizados para representar o valor hmico, e um para
representar o percentual de tolerncia.
O primeiro anel a ser lido aquele que estiver mais prximo de uma das
extremidades do componente. Seguem na ordem 2, 3, 4 anel colorido.

Figura 5 Resistor de 4 anis

Sendo assim:
1 anel 10 nmero significativo;
2 anel 20 nmero significativo;
3 anel multiplicador (nmero de zeros);
4 anel tolerncia.
Tabela 2 Decodificao de resistores de 4 anis
COR
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
Prata
Sem cor

N SIGNIFICATIVO MULTIPLICADOR
0
x1
1
x 10
2
x 100
3
x 1K
4
x 10K
5
x 100K
6
7
8
9
x 0,1
x 0,01
-

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TOLERNCIA
5%
10%
20%
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Exemplo
1 anel amarelo = 4;
2 anel violeta = 7;
3 anel vermelho = 2 zeros (00);
4 anel ouro = 5% de tolerncia.

4700 ohms 5% = 4K7 5%

2.7 Casos especiais do cdigo de cores

Resistores de 1 a 10 ohms: Para representar resistores e 1
a 10 ohms, o cdigo estabelece o uso da cor dourado no terceiro
anel. Esta cor no terceiro anel indica a existncia de uma vrgula
entre os dois primeiros nmeros.
Exemplo: Marro, cinza, dourado, dourado = 1,8 ohms 5%.
Resistores abaixo de 1 ohm: Para representar resistores
abaixo de 1 ohm, o cdigo determina o isso do prateado no terceiro
anel. Esta cor no terceiro anel indica a existncia de um 0 (zero)
antes dos dois primeiros nmeros.
Exemplo: marrom, cinza, prato, ouro = 0,18 ohms 5%.
Resistores de cinco anis: em algumas aplicaes so
necessrios resistores com valores mais precisos, que se situam
entre os valores padronizados. Estes resistores tm seu valor
impresso no corpo atravs de cinco anis coloridos. Nestes
resistores, trs primeiros anis so dgots significados, o quarto
anel representa o nmero de zeros (fator multiplicativo) e o quinto
anel a tolerncia.
Exemplo: laranja, branco, branco, laranja, marrom = 39900 ohms 1.
Tabela 3 Decodificao de resistores de 5 anis
COR
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
Prata

N SIGNIFICATIVO MULTIPLICADOR
0
x1
1
x 10
2
x 100
3
x 1K
4
x 10K
5
x 100K
6
7
8
9
x 0,1
x 0,01

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TOLERNCIA
1%
2%
-

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3 CAPACITOR

O capacitor um componente capaz de armazenar cargas eltricas,

sendo largamente empregado nos circuitos eletrnicos. composto
basicamente de duas placas de material condutor, denominadas de armaduras,
isoladas eletricamente entre si por um material isolante chamado dieltrico.
Quando um capacitor conectado a uma fonte de tenso, o campo
eltrico far com que os eltrons da armadura que estiver ligada ao positivo da
fonte de alimentao seja por estarem atrados e conseqentemente os
eltrons presentes na armadura que estiver ligada ao negativo da mesma fonte
de alimentao sejam por ela repelidos.
Quando a tenso de um capacitor atingir 99,3% da tenso da fonte a que
ele esteja submetido, diz-se que o capacitor est carregado, nesta situao
mesmo que se desconecte o capacitor da fonte de tenso ele permanecer
com uma tenso em seus terminais de valor praticamente igual ao da fonte de
tenso que o carregou.
3.1 Capacitncia
a grandeza que exprime a quantidade de cargas eltricas que um
capacitor pode armazenar. Seu valor depende de alguns fatores:
rea da armadura: quanto maior a rea das armaduras,
maior a capacitnia;
Espessura do dieltrico: quanto mais fino o dieltrico, mais
prximo estaro as armaduras. O campo eltrico gerado entre as
armaduras ser maior e conseqentemente a capacitncia ser
maior.
Natureza do dieltrico: quanto maior a capacidade de
isolao do dieltrico, maior a capacitncia do capacitor.
3.2 Unidade de medida
A unidade de medida da capacitncia a Farad representado pela letra F,
entretanto a unidade Farad muito grande, o que leva ao uso de submltiplos
tais como:
Microfarad = F = 10-6
Nanofarad = F = 10-9
Picofarad = F = 10-12
3.3 Tenso de trabalho
a mxima tenso que o capacitor pode suportar entre suas armaduras
sem danifica-lo. A aplicao de uma tenso no capacitor superior a sua tenso
de trabalho mxima, pode provocar o rompimento do dieltrico fazendo com
que o capacitor entre em curto, perdendo suas caractersticas.
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3.4 Tipos de capacitores

Os capacitores podem ser classificados basicamente em quatro tipos:
Capacitores fixos despolarizados: apresentam um valor de
capacitncia especfico, no podendo ser alterado. Por ser
despolarizado podem ser utilizados tanto em CA como em CC.

Figura 6 Capacitores despolarizados

Capacitores ajustveis: so capacitores que permitem que
se atue sobre sua capacitncia, alterando-a dentro de certos
limites, por exemplo 10F a 30F. so utilizados nos pontos de
calibrao dos circuitos como por exemplo, na calibrao de
estgios osciladores de receptores ou transmissores de ondas de
radio.

Figura 7 Capacitores ajustveis

Capacitores variveis: so capacitores que tambm
permitem que se atue na sua capacitncia, sendo utilizados em
locais onde a capacitncia constantemente modificada. Como por
exemplo, nos circuitos de sintonia de rdios receptores.

Figura 8 Capacitores variveis

Capacitores Eletrolticos: So capacitores fixos cujo
processo de fabricao permite a obteno de altos valores de
capacitncia com pequeno volume. O fator que diferencia os
capacitores eletrolticos dos demais capacitores fixos o dieltrico.
Nos capacitores fixos comuns o dieltrico de papel, mica,
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cermica ou ar. O dieltrico dos capacitores eletrolticos um

preparo qumico chamado de eletrlito que oxida pela aplicao de
tenso eltrica. Esses capacitores apresentam polaridade, que
dever ser observada, a no observncia dessa polaridade implica
na total destruio do componente. Sendo assim estes capacitores
no podem ser aplicados em circuitos alimentados por tenso C.A.
Eletroltico

Tntalo

Figura 9 Capacitores eletrolticos

3.5 Cdigo de cores para capacitores
Para capacitores de polister, o valor da capacitncia vem impressa no
corpo do componente em forma de anis coloridos.
A interpretao do cdigo de cores para capacitores feita de maneira
anloga ao cdigo de cores para resistores. A figura 12 mostra o cdigo e a
ordem de interpretao.

Figura 10 Cdigo de cores de capacitores

Tabela 4 Cdigo de cores para capacitores
COR
Preto
Marrom
Vermelho
Laranja
Amarelo
Verde
Azul
Violeta
Cinza
Branco
Ouro
Prata
Sem Cor

1 ALGARISMO 2 ALGARISMO N DE ZEROS

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9

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0
1
2
3
4
5
6
7
8
9

TOLERNCIA

TENSO

20%
0
00
000
0000
00000

250V
400V
600V
10%

X 0,1
X 0,01

18

Exemplo
Amarelo, violeta, laranja, branco, azul.
4 7 000 + / -10% 630V
47000pF = 47nF
Laranja, branco, amarelo, branco, vermelho.
3 9 0000 + / - 10% 250V
390000pF = 390nF = .39F
3.6 Reatncia Capacitiva
Quando um capacitor alimentado com tenso CA, a corrente que circula
por esse capacitor ser limitada pela reatncia capacitiva (Xc). Sendo assim a
reatncia capacitiva a grandeza que se ope a passagem de corrente CA por
um capacitor, e medida em ohms. Matematicamente teremos:
Xc =

1
2. . f .C

Onde:

Xc = reatncia capacitiva em ohms;

2 = 6,28
f = freqncia em Hertz;
C = capacitncia em Farads.

Exemplo: A reatncia capacitiva de um capacitor de 100 F aplicado a

uma rede C A de freqncia 60Hz :

Xc =

1
2. f .C

Xc =

1
6,28.60.0,1

Xc = 26,539

3.7 Relao de fase entre tenso e corrente num capacitor

Devido ao fato da reatncia capacitiva dos capacitores estarem
diretamente relacionadas com a freqncia dos sinais a que so submetidos ir
surgir uma defasagem da ordem de 900 entre tenso e corrente, estando esta
adiantada dos referidos 900 graus eltricos.

Figura 11 Relao entre tenso e corrente em um capacitor

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3.8 Associao de capacitores

Os circuitos srie, paralelo e srie-paralelo constitudos de capacitores
possuem as mesmas formas que os circuitos constitudos de resistores.

Associao Srie: A frmula matemtica que exprime a

capacitncia equivalente (Ceq) :
1
1
1
1
1
=
+
+
+ ........ +
Ceq C1 C 2 C 3
Cn
A reatncia capacitiva dada por:
XCeq = XC1+ XC2+ XC3+...+ XCn

Associao Paralelo: A frmula matemtica que exprime a

Ceq num circuito paralelo dada por:
Ceq = C1+ C2+ C3+...+ Cn
A reatncia capacitiva dada por:

1
1
1
1
1
=
+
+
+ ........ +
XCeq XC1 XC 2 XC 3
XCn
4 INDUTOR

Os indutores como os capacitores tambm podem armazenar energia

eltrica. Nos indutores este armazenamento feito graas ao campo
magntico que surge em torno de componente sempre que percorrido por
uma corrente.
Devido a esta caracterstica podemos tambm gerar uma corrente em um
indutor. O princpio da gerao de energia baseia-se no fato de que toda vez
que um condutor se movimenta no interior de um campo magntico gerado
neste condutor uma corrente eltrica.
O cientista ingls Michael Faraday, ao realizar estudos com o
eletromagnetismo, determinou as condies necessrias para que uma tenso
seja induzida em um condutor. As observaes de Faraday podem ser
resumidas em duas concluses:

Quando um condutor eltrico sujeito a um campo

magntico varivel tem origem neste condutor uma tenso
induzida. importante notar que para ter-se um campo magntico
varivel no condutor pode-se:

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20


Manter-se o campo magntico estacionrio e
movimentar o condutor perpendicularmente ao campo
conforme visto na figura 12;

Manter o conduto estacionrio e movimentar o

campo magntico conforme ilustra a figura 12.
A magnitude da tenso induzida diretamente proporcional
intensidade do fluxo magntico, isto significa:

Campo mais intenso= maior tenso induzida;

Variao do campo mais rpida = maior tenso

induzida.

Movimento do condutor

Movimento do campo magntico

Figura 12 Princpio da induo magntica

4.1 Auto-induo
A aplicao de uma tenso em uma bobina provoca o aparecimento de
um campo magntico em expanso que gera na prpria bobina uma tenso
induzida.
A tenso gerada na bobina por auto-induo tem como caracterstica, a
polaridade oposta tenso aplicada aos seus terminais, razo pela qual
denominada de fora contra eletromotriz (Fcem).
Como o Fcem atua contra a tenso da fonte, a tenso aplicada a bobina,
na realidade:
Vresultante = Vfonte Fcem
A corrente no circuito causada por esta corrente resultante:
I=
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V Fcem
R
21

Esta capacidade de se opor s variaes de corrente denominada de

indutncia e representada pela letra L.
Quando se aplica um indutor em um circuito de CC a sua indutncia se
manifesta apenas nos momentos em que existe variao de corrente.
J em CA, como os valores de tenso e corrente esto em constante
modificao o efeito da indutncia se manifesta permanentemente.
Esta manifestao permanente da oposio a circulao de uma corrente
varivel denominada de reatncia indutiva, representada pela notao XL.
A reatncia Express em ohms e pode ser determinada atravs da
equao:
XL = 6,28 . f . L
Onde:

XL = reatncia indutiva em ohms;

2PI = constante (6,28);
f = freqncia da corrente CA em Hz;
L = indutncia do indutor em Henrys.

Exemplo: a reatncia de um indutor de 600mH aplicado a uma rede CA de

60Hz :
XL = 2 x f x L

XL = 6,28 x 60 x 0,6

XL = 226,08

A corrente que circula em um indutor (IL) aplicado a CA pode ser

calculada com base na Lei de Ohm, substituindo-se R por XL.
VL
I = XL
Onde:

IL = corrente eficaz no indutor em ampres;

VL = tenso eficaz em volts;
XL = reatncia indutiva em ohms.
Exemplo: qual a corrente que circula por um indutor de 600mh quando
aplicado a uma rede CA de 110V/60Hz?
XL = 2 x f x L

I=

XL = 6,28 x 60 x 0,6

XL = 226,08

110
VL
=
= 0,486A
XL
226

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22

4.2 Fator de qualidade

Todo o indutor apresenta, alm da reatncia, uma resistncia hmica que
se deve ao condutor com o qual confeccionado. O fator de qualidade Q a
relao entre a reatncia indutiva e a resistncia hmica de um indutor.
Q=

XL
R

Um indutor ideal deve apresentar resistncia hmica zero. Isto determina

um fator de qualidade infinitamente grande. No entanto na prtica, este indutor
no existe.
4.3 Associao de indutores
Os indutores podem ser associados em srie, paralelo e at mesmo de
forma mista, embora esta ltima no seja muito utilizada.

Associao srie: a associao srie utilizada como

forma de se obter uma maior indutncia, que dada pela equao:
LT = L1 + L2 + ... + LN

Associao paralela: utilizada como forma de obter

indutncias menores ou como forma de dividir uma corrente entre
diversos indutores, sendo expressa por:

1
1
1
1
1
=
+
+
+ ........ +
XT X 1 X 2 X 3
XN
4.4 Relao de fase entre corrente e tenso
Devido ao fenmeno de auto-induo ocorre um defasamento entre
corrente e tenso nos indutores ligados em CA. A auto-induo provoca um
atraso na corrente em relao tenso de 900 (um quarto de ciclo). A
representao senoidal deste fenmeno vista na figura 13.

UL

90

IL
180

270

360

Figura 13 Relao entre tenso e corrente em um indutor

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23

5 TRANSFORMADOR

O transformador um dispositivo que permite elevar ou rebaixar os

valores de tenso ou corrente em um circuito de CA.
5.1 Princpio de funcionamento
Quando uma bobina conectada a uma fonte de tenso CA, surge um
campo magntico varivel ao seu redor. Aproximando-se outra bobina a
primeira o campo magntico varivel gerado na primeira bobina corta as
espiras da segunda bobina.
Como conseqncia da variao do campo magntico sobre suas espiras
surge na segunda bobina uma tenso induzida.
A bobina na qual se aplica a tenso CA denominada de primrio do
transformador e, a bobina onde surge a tenso induzida denominada de
secundrio deste transformador.

Tenso
aplicada

Tenso
induzida

Figura 14 Transformador isolador

A tenso induzida no secundrio de um transformador proporcional ao
nmero de linhas magnticas que corta a bobina secundria. Por esta razo, o
primrio e o secundrio de um transformado so mostrados sobre um ncleo
de material ferromagntico.
O ncleo diminui a disperso do campo magntico, fazendo com que o
secundrio seja cortado pelo maior nmero de linhas magnticas possveis,
obtendo uma melhor transferncia de energia entre primrio e secundrio.
Com a incluso do ncleo o aproveitamento do fluxo magntico gerado no
primrio maior. Entretanto, surge um inconveniente: o ferro macio sofre
grande aquecimento com a passagem do fluxo magntico.
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24

Para diminuir este aquecimento utiliza-se fero silicioso laminado para a

construo do ncleo.
O ncleo de ferro empregado em transformadores que funcionam em
baixas freqncias (50Hz, 60Hz, 120Hz). J os transformadores que trabalham
em freqncias mais altas (KHz) so montados em ncleos de ferrite, haja visto
que sua permeabilidade magntica superior a do ferro.

Ncleo de ferro silcio

Figura 15 Transformadores
de ferro silcio e ferrite

Ncleo de ferrite

5.2 Relao de transformao

a relao que expressa a interao entre primrio e secundrio de um
transformador, ou seja, expressa a relao entre a tenso aplicada ao primrio
e tenso induzida no secundrio.
Relao de transformao = VS
VP

NS
NP

Onde:

VS = tenso no secundrio do transformador;

VP = tenso no primrio do transformador;
NS = nmero de espiras no secundrio do transformador;
NP = nmero de espiras no primrio do transformador.

5.3 Tipos de transformadores

Quanto relao de transformao os transformadores podem ser
classificados em trs grupos:

Transformador elevador: todo transformador que possui

uma relao de transformao maior que 1, NS > NP, sendo assim
a tenso no secundrio ser superior a tenso no primrio;
Transformador abaixador: todo transformador com
relao de transformao menor que 1, NS < NP. Neste tipo de
transformador a tenso no secundrio menor que a tenso no
primrio;
Transformador isolador: denomina-se de isolador o
transformador que tem uma relao de transformao igual a 1, NS
= NP. Como o nmero de espiras no secundrio e no primrio
igual, a tenso no secundrio e no primrio tambm ser igual.
25
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5.4 Relao de fase entre as tenses do primrio e do secundrio

A tenso no secundrio de um transformador gerada quando o fluxo
magntico varivel do primrio corta as espiras do secundrio.
Como a tenso induzida sempre oposta a tenso indutora, se conclui que a
tenso no secundrio tem sentido contrrio a do primrio.
Isto significa que a tenso no secundrio esta defasada 1800 da tenso
no primrio.
Durante um
semiciclo

Durante outro
semiciclo

Figura 16 Relao de fase nos transformadores

6 SEMICONDUTORES

So materiais que podem apresentar caractersticas de isolante ou de

condutor, dependendo da forma como se apresenta a sua estrutura qumica.
6.1 Estrutura qumica dos semicondutores
Os semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos
que tem quatro eltrons na camada de valncia (tetravalentes). As figuras 17 e
18 mostram a configurao de dois tomos que do origem a materiais
semicondutores.

Figura 17 Germnio
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Figura 18 Silcio
26

Os tomos que possuem quatro eltrons na ultima camada tem tendncia

a se agruparem segundo uma formao cristalina. Neste tipo de ligao cada
tomo se combina com quatro outros, fazendo com que cada eltron pertena
simultaneamente a dois tomos. Este tipo de ligao qumica denominada de
ligao covalente, e representada simbolicamente por dois traos que
interligam dois ncleos.

Figura 19 Ligao covalente

As estruturas cristalinas de elementos tetravalentes so eletricamente
isolantes.
6.2 Dopagem
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir
tomos estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina.
Cristal N
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma
quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na ultima camada, formase uma nova estrutura cristalina denominada cristal N.
Exemplo: A introduo de tomos de fsforo que possu cinco (5) eltrons
na ultima camada. Dos cinco eltrons externos do fsforo apenas quatro
encontram um par no cristal que possibilite a ligao covalente. O quinto
eltron por no encontrar um par para formar uma ligao, tem a caracterstica
de se libertar facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro da
estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre de carga eltrica.

Figura 20 Material Tipo N

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27

Cristal P
A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons na ultima camada
para o processo de dopagem d origem a um tipo de estrutura chamada cristal
P.
Exemplo: O tomo de ndio que tem trs eltrons na ultima camada, d
origem a um cristal P.
Quando os tomos de ndio so colocados na estrutura do cristal puro
verifica-se a falta de um eltron para a formao de ligaes covalentes, esta
falta denominada de lacuna, sendo representada por uma carga eltrica
positiva na estrutura qumica.

Figura 21 Material Tipo P

Obs: A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a
ausncia de uma carga negativa.
7 DIODO SEMICONDUTOR

O diodo semicondutor um componente que apresenta a caracterstica de

se comportar como um condutor ou como um isolante eltrico dependendo da
forma como a tenso seja aplicada a seus terminais.
7.1 Estrutura Bsica
O diodo se constitui na juno de duas pastilhas de material
semicondutor: uma de cristal do tipo P e outra de cristal do tipo N.

Figura 22 Juno PN (Diodo)

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28

7.2 Comportamento dos cristais aps a juno

Aps a juno das pastilhas que formam o diodo ocorre um processo de
"acomodamento" qumico entre os cristais.
Na regio da juno alguns eltrons livres saem do material N e passam
para o material P, recombinando-se com as lacunas das proximidades.
O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o
material N e se recombinam com os eltrons livres.
Forma-se na juno uma regio onde no existem portadores de carga,
porque esto todos recombinados, neutralizando-se.
Esta regio denominada de regio de deplexo, e verifica-se que nela
existe uma diferena de potencial proporcionada pelo deslocamento dos
portadores de um cristal para o outro.
Essa barreira de potencial da ordem de 0,7V para diodos de silcio e de
0,3V para os diodos de germnio.

Figura 23 Juno PN (Diodo)

7.3 Aplicao de tenso sobre o diodo.
A aplicao da tenso sobre o diodo estabelece a forma como o
componente se comporta eletricamente.
A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes,
denominadas tecnicamente de:

Polarizao Direta: A polarizao do diodo considerada

direta quando a tenso positiva da fonte de alimentao aplicada
ao cristal P e a tenso negativa da referida fonte aplicada ao
cristal N.

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29

Figura 24 Polarizao direta na juno PN

Efeitos da Polarizao Direta Sobre o Diodo
O plo positivo da fonte repele as lacunas do cristal P em direo ao plo
negativo, enquanto os eltrons livres do cristal N so repelidos pelo plo
negativo em direo ao positivo da fonte.
Se a tenso da bateria externa for maior que a tenso da barreira de
potencial as foras de atrao e repulso provocadas pela fonte de tenso
externa permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar
a regio onde h ausncia de portadores.
Nesta situao o diodo permite a circulao de corrente no circuito e, dizse que o diodo est em conduo ou saturado.
importante observar que a seta do smbolo do componente indica o
sentido de circulao (convencional) da corrente eltrica.

Polarizao Inversa: A polarizao inversa de um diodo

consiste na aplicao de tenso positiva no cristal N e negativa no
cristal P.
Nesta condio os portadores livres de cada cristal so atrados pelos
potenciais da bateria para os extremos do diodo.
Observa-se que a polarizao inversa provoca um alargamento da regio
de deplexo, porque os portadores so afastados da juno.
Portanto conclui-se que a polarizao inversa faz com que o diodo impea
a circulao de corrente no circuito eltrico ao qual ele est inserido.
Diz-se que nesta situao o diodo est cortado ou em bloqueio.

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30

Figura 25 Polarizao inversa na Juno PN

Figura 26 Simbologia do diodo

7.4 Parmetros mximos do diodo
Os parmetros mximos estabelecem os limites da tenso e corrente que
podem ser aplicados ao diodo, sem provocar danos a sua estrutura.
7.5 Corrente mxima direta
A corrente mxima de cada diodo dada pelo fabricante em folhetos
tcnicos.
Este o valor mximo admissvel para a corrente, devendo-se trabalhar
com valor em torno de 20% inferiores ao mximo, para garantir a vida til do
componente.
7.6 Tenso reversa mxima
As tenses reversas colocam o diodo em corte. Nesta situao toda
tenso aplicada ao circuito fica sobre o diodo.
Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor
de tenso reversa, que nunca dever ser ultrapassado, sob pena da destruio
do componente.
Aqui tambm aconselhvel trabalhar-se com valores em torno de 20%
inferiores ao valor mximo.
7.7 Teste de diodos semicondutores
Os testes realizados para se determinar as condies de um diodo se
resumem a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de
conduo e bloqueio.
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31

A tenso de polarizao para teste do diodo ser fornecida pelo prprio

multmetro.
Sendo assim o diodo ser considerado em bom estado, quando
polarizado diretamente, apresentar uma resistncia baixa (na casa das
dezenas de ohms) e, quando polarizado inversamente, apresentar uma
resistncia alta (vrios K ohms).
Se nas duas polarizaes o diodo apresentar uma baixa resistncia,
significa que o mesmo est em curto. Mas se nas duas polarizaes o diodo
apresentar uma alta resistncia, diz-se que ele est aberto.
8 TRANSISTOR BIPOLAR.

O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo por materiais

semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita
o seu uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico.
A estrutura bsica do transistor bipolar se compe de duas pastilhas de
material semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira
pastilha, mais fina de material semicondutor com tipo diferente de dopagem.

Figura 27 Constituio do transistor bipolar

8.1 Tipos de transistores bipolar
A configurao da estrutura, em forma de sanduche, permite que se
obtenha dois tipos distintos de transistores de transistores:

Um com pastilhas externas do tipo N e interna do tipo P,

denominado NPN;
Outro com pastilhas externas do tipo P e interna do tipo N,
denominado PNP.
Simbologia
A diferena entre os smbolos dos transistores apenas no sentido da
seta no terminal de emissor.

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32

Figura 28 Simbologia dos transistores bipolares

8.2 Teste de transistores
Analisando-se a estrutura dos transistores observa-se que entre a BASE e
o COLETOR forma-se uma juno PN, que para fins de teste pode ser tratada
como um diodo.
Da mesma forma, entre BASE e EMISSOR forma-se outra juno PN, que
para fins de teste pode ser tratada como um diodo.
Sendo assim testar um transistor verificar se h um curto ou abertura
entre cada par de terminais (BE, BC e CE).
8.3 Transistor como chave
O transistor como chave utilizado na substituio de interruptores, com a
vantagem de no possuir contatos mecnicos e poder ser chaveado por
freqncias elevadas.
O transistor funcionando como chave opera na regio de corte e
saturao, sendo assim ir trabalhar segundo a lgica tudo ou nada. A regio
de corte caracterizada por:
Juno BE

Juno BC

} inversamente polarizadas.

VCE = VCC
A regio de saturao caracterizada por:
Juno BE

}
} diretamente polarizadas.

Juno BC

VBE > VCE

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33

Assim para que um transistor atue como chave basta que se aplique
corrente ou no ao terminal base.
8.4 Determinao dos resistores
O resistor RC calculado em funo da corrente de coletor desejada. O
valor de RC dado por:

Rc =

Vcc
Ic

PRc =

Vcc 2
Rc

O resistor RB tem por funo limitar a corrente de base. Adota-se para IB

um valor igual a 10% de IC, e calculado segundo a equao:

RB =

VB VBE
0,1.Ic

PRB =

(VB VBE )2
RB

A escolha da chave (transistor) feita da seguinte forma:

VCE > VCC

IC

VCC
RC

PDT

VCEsat .VCC
RC

-> Na prtica

Figura 29 Polarizao do transistor bipolar com chave

8.5 Transistor como amplificador
O transistor como amplificador tem seu emprego na amplificao de sinais
que podero ser fornecidos por sensores ou quaisquer outras fontes de sinais
de baixa intensidade.
Como amplificador o transistor atua na regio ativa, que caracterizada
por:

Juno BE diretamente polarizada;

Juno BC inversamente polarizada;
VBE < VCE < VCC.
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34

8.6 Determinao dos resistores polarizadores

Para simplificar a analise matemtica, podemos considerar algumas
aproximaes e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos,
tais como:

> 100

IC = IE

A tenso sobre o resistor de coletor RC e a tenso de alimentao esto

relacionadas entre si.
Neste tipo de estgio adota-se normalmente uma tenso no resistor de
coletor igual ou prximo a metade da tenso de alimentao.

V RCO =

Vcc
2

A corrente ICO nestes estgios assumem, normalmente, valores que

variam entre 1 a 10mA.
V
Rc = RCO
Ico

PRC

2
(
Vcc )
=

RC

Os resistores de base tm por funo fornecer a tenso de base do

transistor.
Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida a base deve
ser a tenso de conduo da juno mais a tenso VRE.
Para que variaes de corrente na base no interfiram na polarizao do
circuito, adota-se para a corrente no divisor tenso (ID) um valor igual a 10%
de ICQ.

RB1 =

RB 2

VCC VRB 2
ID

V + VBE
= RE
ID

PRB1 =

PRB 2

(VCC VRB 2 )
RB1

2
VRE + VBE )
(
=

RB 2

ID = 0,1.ICQ
O capacitor C1 tem por finalidade melhorar o ganho de tenso CA, que
sensivelmente prejudicado pela incluso de RE.
No circuito amplificador a entrada de sinal ser feita na base, atravs de
um capacitor de acoplamento, e o sinal ser retirado do coletor tambm atravs
de um capacitor de acoplamento.
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A resistncia de emissor dimensionada pelas seguintes equaes:

RE

(0,1.VCC )
=
I CQ

PRE

2
0,1.VCC )
(
=

RE

A escolha do transistor feita da seguinte forma:

VCE > VCC

VCC
IC
RC + RE

PDT

(VCC )2

( RC + RE )

Figura 30 Polarizao do transistor bipolar por divisor de tenso na base

9 COMPONENTES ELETRNICOS ESPECIAIS

9.1 Termistores
Este um dispositivo muito importante para os circuitos que trabalham em
locais de grande amplitude trmica.
O termistor um resistor dependente da temperatura, ou seja, seu valor
de resistncia varia com a temperatura a que est submetido. Esta variao
no linear.
Na fabricao dos termistores difcil conseguir uniformidade.
As caractersticas de um termistor pode variar com o tempo e com a
temperatura. Se a temperatura for elevada aumenta o processo de difuso,
portanto, no fcil utilizar um termistor como transdutor de preciso.
Os termistores no podem suportar temperaturas muito elevadas, por isso
seu emprego muito limitado. Geralmente, a temperatura mxima que um
termistor pode suportar , aproximadamente, 400C.
Os termistores podem ser de dois tipos: PTC e NTC.
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36

9.2 PTC (Positive Temperature Coeficient)

Os PTCs so resistores cuja resistncia eltrica aumenta com o aumento
da temperatura.
Dados que devem acompanhar todo termistor:

A resistncia (W) a 25C;

A mxima tenso admissvel;
A corrente mxima suportvel.
Os dados para se reconhecer um termistor so fornecidos pelo fabricante.
Exemplo: P50/80/30/01
Onde:

P = Termistor PTC;
50 = Sigla da nomenclatura de fabricao;
80 = Corrente mxima em mA;
30 = Coeficiente de variao (30%C);
01 = Sigla da nomenclatura de fabricao.

O teste deste componente feito da seguinte forma: com um ohmmetro

mede-se a resistncia do componente a temperatura ambiente, em seguida
aproxima-se do componente uma fonte de calor e dever ser notado um
acrscimo na resistncia hmica do mesmo.
Os termistores PTC so utilizados mais freqentemente em:

Termostatos;
Proteo de bobinados de motores;
Estabilizao de temperatura de um lquido.
Simbologia

Figura 31 Simbologia do termistor PTC

9.3 NTC (Negative Temperature Coeficient)
Os NTCs so resistores formados por semicondutores cermicos feitos
de xidos metlicos, cuja resistncia eltrica diminui com o aumento da
temperatura. Os NTCs so usados em faixas de temperatura que esto entre
0C e 400 C.
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37

Estes componentes se destacam nas aplicaes tais como:

Medidores de temperatura;
Proteo de circuitos;
Circuitos de alarme.
Para test-los deve-se medir a sua resistncia a temperatura ambiente,
em seguida, aproximar o componente de uma fonte qualquer de calor.
Observar no multmetro que o valor da resistncia diminui, com o aumento da
temperatura.

Figura 32 Simbologia do termistor NTC

9.4 LDR
O LDR (Light Dependent Resistor - Resistor Dependente de Luz), o um
resistor cuja resistncia eltrica diminui com o aumento da luz incidente na sua
superfcie sensvel.
Este efeito fotoeltrico (fotocondutividade) se baseia no seguinte princpio:
quando um semicondutor recebe a luz, incide sobre ele ftons com energia
suficiente para arrancar eltrons da banda de valncia e passar a banda de
conduo. A resistncia de uma clula LDR depende do nmero de ftons
incidentes e, portanto, da intensidade luminosa.
Por no necessitarem de amplificadores os LDRs simplificam em muito os
circuitos de controle industriais, uma vez que podem atuar diretamente sobre
os rels de comutao.
Para testar este componente, usa-se o multmetro em ohms.
Primeiramente mede-se sua resistncia na presena de luz em seguida tapa-se
a regio sensvel e dever se observar que a resistncia aumenta
sensivelmente.

Figura 33 Simbologia do LDR

9.5 Fotodiodo
Trata-se de uma juno P-N, com uma abertura, com lente, para a entrada
dos raios de luz. Quando polarizado inversamente, a luz libera mais portadores
minoritrios e conseqentemente h um aumento da corrente de fuga.
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38

Para testar este componente, coloca-se o multmetro em uma alta escala

de resistncia e mede-se com e sem luz incidente sobre a abertura. A medida
efetuada com luz deve ter valor consideravelmente inferior medida sem luz.

Figura 34 Simbologia do fotodiodo

9.6 Fototransistor
Componente com a mesma estrutura do transistor bipolar convencional,
porm deixada uma abertura com lente, na regio da juno base-coletor.
Com a incidncia de luz, diminui consideravelmente a resistncia desta
juno.
A principal diferena entre um fotodiodo e um fototransistor reside no fato
de que no fototransistor a corrente mais intensa, uma vez que o transistor j
fornece uma amplificao deste sinal.
Para testar este componente, mede-se o valor da resistncia entre coletoremissor, com e sem luz. A medida efetuada com luz deve apresentar valor bem
mais baixo do que a medida efetuada com a superfcie sensvel escurecida.

Figura 35 Simbologia do fototransistor

9.7 Diodo Emissor de Luz (LED)
O LED (Ligth Emission Diode - Diodo Emissor de Luz) um componente
utilizado para sinalizao. Sua juno P-N, acrescida de certas ligas, como
por exemplo o arsianeto de glio, que tem a propriedade de emitir luz, quando
diretamente polarizado.
O LED substitui as tradicionais lmpadas piloto, com as vantagens de no
aquecer, possuir vida til muito maior, apresentar baixo consumo, etc.
Para testar o LED deve-se liga-lo a uma fonte de tenso CC, no
esquecendo de ligar em srie com o mesmo um resistor que limite a corrente
em 20mA.

Figura 36 Smbolo do Led

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9.8 Varistor
Os varistores de xido de zinco ou SIOV so componentes bipolares
passivos, destinados a proteger circuitos de surtos ou transientes de tenso.
A resistncia dos varistores diminui sempre que a tenso aplicada aos
seus terminais atinge um valor limite, fazendo com que o componente passe a
conduzir corrente e conseqentemente mantendo a um nvel mais baixo o valor
da tenso.
muito utilizado na proteo de contatos de interruptores para evitar as
sobretenses, em circuitos retificadores com diodos de silcio e na entrada de
equipamentos eletrnicos com a finalidade de protege-los de possveis
sobretenses.

Figura 37 Smbolo do varistor

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