Materiais Eletricos

Materiais
Eltricos
Engenharia de Controle e Automao
Prof. Paulo Arce

NDICE
1. Materiais Condutores..3
2. Materiais Semicondutores72
3. Materiais Isolantes128
4. Materiais Magnticos.169
Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 2

Materiais Condutores
Teoria sobre os Materiais

Condutores

INTRODUO
A indstria de eltrica e eletrnicos sempre teve uma grande necessidade de
buscar novos materiais com melhores caractersticas e de fcil utilizao.
O estudo dos Materiais Eltricos permite selecionar esses materiais visando:

Aumento da confiabilidade,
Reduo de custos de fabricao,
Reduo do custos de manuteno
A seleo de Materiais Eltricos se d conforme:

Conhecimento do material e as condies a que estar sujeito.
Propriedades consistentes com as condies de servio.
Efeito das mudanas de condies alm dos limites normais.
Listagem de todos os materiais possveis
Eliminao dos materiais de propriedades inadequadas, tais como fratura,
corroso, segurana, alto custo, disponibilidade, etc

INTRODUO
Materiais Eltricos so divididos em:
Materiais Condutores: So materiais que deixam a corrente eltrica
circular livremente por seu interior. Exemplos: Alumnio, Bronze, Cobre,
Estanho, etc.
Materiais Dieltricos ou Isolantes: So materiais capazes de prover a
separao entre diferentes elementos condutores apresentando grande
oposio a passagem de corrente eltrica em seu interior. Exemplos:
Borracha, Porcelana, PVC, Papel etc.
Materiais Semicondutores: So materiais que possuem condutividade
intermediria entre a dos condutores e isolantes. Exemplos: Germnio,
Silcio.
Materiais Magnticos: So materiais que interagem com campos
magnticos. Exemplos: Ao Silcio, Alnico e Ferrite de Brio.

1. Anlise Geral dos Metais

1. Caractersticas
h) Transformam-se em derivados metlicos:
Presena de Oxignio xidos
Presena de Sais cidos
Derivados metlicos so menos condutores que os os metais originais.
i) Formam Ligas Metlicas: Devido capacidade de se ligarem entre si. Ligas
Metlicas so importantes em aplicaes eltricas.


2. Obteno
Matrias-primas para obteno de metais so os minrios.

Minrios so ligaes de metais com outros elementos: oxignio, enxofre, sais,
cidos, etc..
Na natureza encontra-se em estado puro os metais nobres: Ouro, Prata, Cobre,
Platina.
Estudaremos a obteno dos metais mais utilizados em aplicaes eltricas.
1. Obteno do Cobre
O cobre tem ampla utilizao em aplicaes eltricas
Elevada condutividade eltrica
Baixo custo comparado a outros metais de alta condutividade
Equipamentos que utilizam cobre tornam-se mais compactos
Resistncia Mecnica e Durabilidade
Ex: Instalaes Eltricas (fios, cabos), Cabos Subterrneos,
Condutores de Motores.

2. Obteno

2. Obteno
Cobre com baixo grau de Cobre com alto grau de

pureza (94 97%) pureza (99,9%)
Eletrlito = Soluo aquosa

de Sulfato de Cobre
2. Obteno
2. Obteno de Chumbo, Zinco e Nquel

So encontrados na forma de sulfatos (PbS e ZnS). O nquel
encontrado em minerais associados ao Ferro.
Podem ser obtidos por processos de aquecimento.
No caso do Zinco, o processo deve ser feito em fornos fechados, pois
temperatura de ustulao, o zinco se encontra no estado de vapor.
Purificao eletroltica.
Exemplos de aplicao eltrica: Fusveis (Chumbo), Eletrodomsticos,
Terminais eltricos (ligas de zinco), Baterias (Nquel)...

2. Obteno

2. Obteno

3. Constituio dos Metais Puros
Os metais puros apresentam a caracterstica de possuir estrutura cristalina.
Definio de Cristal:
Slidos cristalinos: Uma substncia pode ser considerada cristalina quando os tomos (ou
molculas) que a constitui esto dispostos segundo uma rede tridimensional bem definida
e que repetida por milhes de vezes. (Ordem de longo alcance). Exemplos: Todos os
metais.
Slidos amorfos ou no-cristalinos: Em geral, no apresentam regularidade na

distribuio dos tomos e podem ser considerados como lquidos extremamente
viscosos. Exemplos: Vidro, piche.
Sistemas Cristalinos: Para avaliarmos o grau de repetio de um estrutura cristalina

necessrio definir qual a unidade estrutural que est sendo repetida, que chamada de
clula unitria. A clula unitria apresenta a descrio completa da estrutura como um
todo.

A clula unitria suficiente

para descrever a estrutura
como um todo

O arranjo mais estvel dos tomos em um cristal aquele que minimiza a energia livre por
unidade de volume e agrupa os tomos da forma mais compacta possvel.
Os tomos no se encontram parados dentro da estrutura. Possuem na verdade um

movimento vibratrio. Este movimento se deve a foras de atrao e repulso existentes
entre os tomos. Ao conjunto das foras que mantm a estrutura cristalina, d-se o nome
de coeso.
Os tomos vibram em torno da

posio representada. Portanto
existe uma probabilidade de
que o tomo esteja na posio
indicada.
Estruturas Cristalinas Tridimensionais

Probabilidade de se encontrar o tomo em funo da distncia W(r)
Cristais: Maior
probabilidade de
encontrar o tomo
prximo da posio
representada (r=1)

Tipos de Sistemas Cristalinos
So todas as formas de
clulas unitrias possveis
que podem ser e preencher
totalmente o espao
tridimensional.

Os sistemas cristalinos podem apresentar um tomo

central

Conforme se diminui a temperatura, a vibrao do sistema cristalino tem sua

amplitude diminuda.
Conforme se aumenta a temperatura, a amplitude da vibrao aumenta, at o

ponto em que a coeso da estrutura rompida, passando o metal ao estado
lquido. Este constitui o ponto de fuso do metal. Nesse ponto a energia cintica
da vibrao supera a energia de coeso.
Por este motivo os metais mais duros, que possuem maior coeso, apresentam
ponto de fuso mais elevado.
Ponto de Fuso

Ligaes Metlicas
Correspondem ligao entre dois metais e entre alguns metais e no-metais.
Responsvel pela formao de ligas metlicas.
Metais so eletropositivos (doam eltrons facilmente)
Teoria do Mar de eltrons: os tomos perdem o eltron de valncia (se torna um

ction), o qual fica em movimento aleatrio dentro da estrutura cristalina. Assim
o metal pode ser considerado como um conjunto de tomos neutros e ctions
imerso em um mar de eltrons.
A teoria do mar de eltrons explica a alta condutibilidade eltrica e trmica dos

metais. Os eltrons livres, quando tm seu movimento aleatrio ordenado por
uma ddp, do origem corrente eltrica (movimento ordenado dos e-)

2. Curvas de Resfriamento
Durante a fuso o metal recebe uma determinada quantidade de calor at atingir um

patamar. Nesse patamar, a temperatura se mantm por um certo tempo, no qual o
metal recebe energia sem variar sua temperatura.
So variaes isotrmicas, onde o metal est em processo de fuso.
No ciclo inverso, em que o metal comea lquido e tem sua temperatura abaixada at a
solidificao, d-se o nome de resfriamento.
Alguns elementos como o Ferro e o Estanho mudam sua forma cristalina conforme
varia sua temperatura.

Ferro = ferromagntico
Ferro = No ferromagntico
O ferro conforme resfriado parra de ferro delta, para ferro gama e finalmente
para ferro alfa.
Com estas mudanas sua estrutura cristalina passa de cbico, para cbico com
tomo central e finalmente cbico novamente, mas com distncia maior entre os
tomos.
Quando o ferro alfa atinge 768, ele se torna ferromagntico (temperatura de
Curie). Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 24
Formao e Crescimento dos Cristais
Os cristais se formam no resfriamento de um metal em fuso.

Durante a fuso chega um ponto em que os tomos assumem sua distncia
definitiva em relao aos outros tomos. Nesse ponto se formam os grmens
cristalinos. Isto vai formando o sistema cristalino.
Este processo nem sempre perfeito, gerando defeitos que influenciam nas
propriedades eltricas do metal.
O processo de resfriamento influencia no processo de formao dos grmens
cristalinos.
Quanto maior a velocidade de resfriamento, maior o nmero de grmens
formados e mais fina a estrutura cristalina.
Esta uma caracterstica desejada do ponto de vista eltrico (condutividade) e
mecnico (maleabilidade, laminao).
Caso seja adequado para determinada utilizao, o processo pode ser revertido
por aquecimento.

3. Anisotropia Cristalina
Um cristal anisotrpico quando suas caractersticas eltricas e mecnicas variam de

acordo com o eixo cristalino em que so medidas.
Exemplo: Cobre (sistema cristalino cbico de elemento central).
Esta propriedade pode levar necessidade de escolher o ngulo mais adequado de
aplicao de esforos do metal em determinado uso eltrico ou mecnico.
Valores de Resistncia Trao em funo

da posio cristalina para o Cobre
Posio Cristalina Resistncia (N/mm2)
Na aresta 1,46
Na diagonal de 2,01
Superfcies
Na diagonal Interna 3,50

4. Processo de Solidificao de Ligas Duplas
Ligas so materiais que contm dois ou mais metais em sua composio, ou um metal e
um no-metal.
Mantm as propriedades metlicas.
So utilizadas para modificar alguma caracterstica de um metal, para determinada

aplicao
Aumento da resistncia mecnica, mudana no ponto de fuso
Mais adiante veremos aplicaes de diversas ligas metlicas.
5. Principais Defeitos na solidificao

Bolhas e Poros
Metais em fuso absorvem grande quantidade de gs (oxignio, nitrognio, gs
carbnico), podendo formar bolhas e poros que podem at inutilizar uma pea.
Quanto maior a velocidade de resfriamento maior a possibilidade de formao de
bolhas e poros.
5. Principais Defeitos na solidificao
Fissuras
Devido presena de materiais que no se combinam com os metais, pode
haver surgimento de fissuras internas ou externas. A velocidade de resfriamento
tambm influencia no aparecimento de fissuras.
Impurezas
No processo de produo das ligas ou de obteno dos metais podem sobrar
impurezas (s vezes provenientes dos prprios minrios do metal sulfetos, xidos).
As impurezas influenciam nas propriedades eltricas dos metais e ligas.
Para evit-las, deve-se processar em ambientes controlados, livre de impurezas.

6. Transformao a Frio e a Quente
O metal pode sofrer dois tipos de deformao

Elstica: o corpo reassume suas condies iniciais quando cessam os esforos
de deformao
Plstica: A deformao permanece depois que cessam os esforos de
deformao.
Coeficiente de deformao:

=

Os metais, sob ao de foras de compresso, trao, flexo, etc podem sofrer

estas deformaes.
Estes processos podem ser realizados a frio ou a quente, dependendo da dureza
do metal, da sua oxidao a quente, do custo desejado e do resultado que se quer
obter.
Exemplo: cobre

6. Transformao a Frio e a Quente
Exemplo: cobre
Tomando um lingote de cobre, aplica-se inicialmente o processo de deformao a

quente para transform-lo em um fio, pois assim ele mais mole.
A quente, o cobre oxida rapidamente, e o xido formado mau condutor. Portanto o

xido removido e posteriormente segue-se com o processo a frio.
Aps o processo a frio, o Cobre se encontra endurecido (encruado). Ento faz-se um

ltimo processo a quente de recozimento, para recristalizar o metal.
Portanto dependendo do objetivo desejado, usa-se o processo a frio ou a quente.
De forma geral, um ganho nas propriedades mecnicas, representa uma perda nas
propriedades eltricas.

4. Caractersticas dos Metais
1. Classificao Geral dos Materiais Eltricos
Os materiais utilizados em eletricidade so basicamente classificados sob dois pontos
de vista:
Eltrico
Condutores: Bons condutores de corrente eltrica
Semicondutores: Condutividade depende da temperatura
Isolantes: Maus condutores de corrente eltrica
OBS: No existem condutores perfeitos nem isolantes perfeitos. Todo material

tem suas limitaes de aplicao. A classificao se d em base a critrios
relativos entre os materiais.
Magntico
Ferromagnticos: Capacidade de um metal de se constituir em m.
Diamagnticos e Paramagnticos: apresentam magnetismo mais fraco e

atrao ou repulso na presena de um campo magntico forte.
2. Materiais sob o ponto de vista eltrico
Classificao Geral
Baseado no valor da resistividade transversal (), os materiais se classificam em:
Condutores: 102 a 10 . 2 /
Semicondutores: 10 a 1012 . 2 /
12 24 2
Isolantes: 10 a 10 .
A diferena no comportamento condutor se d principalmente pelas diferenas

estruturais dos materiais (no caso dos metais, mar de eltrons)

3. A estrutura dos Materiais Condutores
Circulao de corrente se d em slidos, lquidos e gases, em condies favorveis.

Na prtica a maioria dos condutores so slidos, destaque para os metais.
Slidos: Condutores Metlicos
Lquidos: Eletrlitos
Gasos: Se ionizam na presena de campos eltricos muito intensos (Ex: Arco
eltrico).
Classificao dos Metais

Alcalinos: Ltio, Sdio, Potssio
Nobres: Cobre, Prata, Ouro, Platina
Bivalentes: Berlio, Estrncio, Cclio e Brio
Transio: Ferro, Nquel, Cobalto e Tungstnio
Estruturas Cristalinas: Alcalinos (Cbica Elemento Central)

Nobres (Cbico de Face Central)
Demais (Transitam entre ambas as formas)

3. A estrutura dos Materiais Condutores
A Condutividade Metlica
Pela teoria eletrnica clssica, o corpo cristalino possui uma cadeia cristalina
inica, envolvida por um mar de eltrons.
A corrente eltrica consiste no deslocamento desses eltrons por ao de um fator
externo (Ex: ddp).
Nesse movimento, os eltrons se chocam com os ons, perdendo energia de
deslocamento, que se faz notar pelo aquecimento do corpo. Essa transformao
de energia se denomina Lei de Joule-Lenz.
= . 2
Onde:
quantidade de energia transmitida pela nuvem de eltrons por unidade de tempo;
condutividade eltrica;
E campo eltrico aplicado;
Efeito Hall: ocorre quando um condutor colocado em um campo magntico

transversal,criando uma f.e.m. tambm transversal. A medio dessa fem permite
determinar a o sinal da carga e a quantidade de portadores. Esta determinao pode
ser importante para fabricao de dispositivos.
4. Resumo
Anlise geral das caractersticas dos metais (caractersticas fsicas) e classificao
Obteno dos principais metais condutores utilizados em eletricidade.
Anlise da composio dos metais (definio da estrutura cristalina, definio das

ligaes metlicas.
Curvas de resfriamento e formao de cristais.
Anisotropia
Defeitos na solidificao
Transformao a Frio e a Quente
Classificao geral dos materiais eltricos
Condutividade metlica e efeito Hall

CONDUO ELTRICA
1 INTRODUO E OBJETIVOS
Consideraes sobre as propriedades eltricas dos materiais so com

frequncia importantes durante o projeto de um componente.
As propriedades eltricas influenciam no uso que ser feito de determinado

material.
Ex: Alguns materiais precisam ser excelentes condutores de corrente

eltrica (por exemplo em fios de conexo eltrica). Neste caso necessrio que
o material possua alta condutividade eltrica, como no caso dos metais
(cobre, alumnio, prata, ligas metlicas, etc.)
Objetivos: Explorar as propriedades eltricas dos materiais, ou seja, suas

respostas aplicao de um Campo Eltrico. Ser realizado um estudo sobre a
conduo de corrente eltrica nos materiais.

2 CONDUO ELTRICA
LEI DE OHM
Uma das caractersticas eltricas mais importantes de um material slido a

facilidade com a qual ele transmite uma corrente eltrica. A lei de Ohm relaciona a
corrente I tenso V aplicada:
Onde V corresponde tenso em Volts [V], I corresponde corrente em Ampres [A] e

R corresponde Resistncia em Ohms [].
O valor de R influenciado pela configurao da amostra. A resistividade

independente da geometria da amostra e se relaciona com R pela seguinte expresso:
depende do material
rea (A)
Comprimento (l)
Onde a resistividade em [.m], R a resistncia, A a rea da seo transversal
em [m2] e l o comprimento da amostra em [m].
2 CONDUO ELTRICA
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Algumas vezes, a condutividade eltrica usada para especificar a natureza

eltrica de uma material. Ela simplesmente o inverso da resistividade, ou seja:
Onde a condutividade dada em [1/.m].
DENSIDADE DE CORRENTE
Outra forma de representar a lei de Ohm atravs da densidade de corrente, ou

seja, a corrente (I em ampres) por unidade de rea da amostra (em metros
quadrados):
Onde J a densidade de corrente em [A/m2], a condutividade eltrica do material, e

E o campo eltrico aplicado, em [V/m].

2 CONDUO ELTRICA
CAMPO ELTRICO
O Campo Eltrico corresponde diferena de potencial entre dois pontos dividida

pela distncia que os separa:
E corresponde ao Campo Eltrico em [V/m], V corresponde tenso em Volts [V] e l

corresponde distncia entre os dois pontos em metros [m].
Os materiais chamados de condutores so aqueles que possuem elevada

condutividade eltrica :

3 EXERCCIOS
Para os exerccios a seguir, utilize os dados da tabela abaixo:
1. Um fio de alumnio com 10 metros de comprimento deve sofrer uma queda de

tenso de menos de 1,0 V quando uma corrente de 5 A passar atravs dele. Usando
os dados da tabela 18.1, calcule o dimetro mnimo que o fio deve ter.
2. Um fio em ao carbono com 3mm de dimetro deve oferecer uma resistncia de

20. Usando os dados da tabela 18.1, calcule o comprimento mximo do fio.
3 EXERCCIOS
3. Usando os dados da tabela 18.1 calcule:
a. A resistncia de um fio de alumnio com 5 mm de dimetro e 5 m de
comprimento
b. Qual seria o fluxo de corrente se a queda de potencial entre as extremidades
do fio fosse de 0,04 V?
c. Qual a densidade de corrente?
d. Qual a magnitude do campo eltrico atravs das extremidades do fio?
4. Usando os dados da tabela 18.1 calcule:

a. A resistncia de um fio de cobre com 3mm de dimetro e 2m de comprimento.
b. Qual seria o fluxo de corrente se a queda de potencial entre as extremidades
do fio fosse de 0,05 V?
c. Qual a densidade de corrente?
d. Qual a magnitude do campo eltrico atravs das extremidades do fio?
5. Um fio de Cobre com 100m de comprimento deve experimentar uma queda de

tenso de menos de 1.5V quando uma corrente de 2.5A passa atravs dele. Calcule
o dimetro mnimo que esse fio deve ter.

3 EXERCCIOS
6. Um fio metlico cilndrico com 2mm (0.08pol.) de dimetro necessrio para
conduzir uma corrente de 10 A, com uma queda mnima de tenso de 0,03V por p
(300mm) de fio. Quais dos metais e ligas que esto listados na tabela 18.1 so
candidatos para fabricao do fio?
7. Mostrar quanto vale a relao entre os pesos dos condutores de cobre e de alumnio
para as seguintes condies:
- Mesmo comprimento de circuito;

- Mesma corrente de carga;
- Resistividade do cobre = 0.01724 mm2 / m;
- Resistividade do alumnio = 0.02824 mm2 / m;
- Peso especfico do cobre = 8.89 g / cm3;
- Peso especfico do alumnio = 2.7 g / cm3;

4 MOBILIDADE ELETRNICA
Quando um Campo Eltrico aplicado, uma fora atua sobre os eltrons livres.
Como consequncia, todos eles sofrem uma acelerao em uma direo oposta
do campo (em virtude de suas cargas serem negativas).
A condutividade () dos materiais pode ser expressa em funo da mobilidade

eletrnica, do nmero de eltrons livres e da carga do eltron:
Condutividade (1/.m)
Nmero de eltrons livres Mobilidade eletrnica
Carga do eltron

5 RESISTIVIDADE ELTRICA DOS METAIS
Metais so excelentes condutores de eletricidade (alta condutividade, baixa
resistividade), pois possuem grande nmero de eltrons livres.
Existem fatores que influenciam na resistividade dos metais: Temperatura,

Impurezas, Deformao Plstica. A resistividade total de um metal depende da
ao das resistividades de temperatura, impurezas e deformaes:
Resistividade
devido
Temperatura
Resistividade
Total
Resistividade
Resistividade
devido s
devido s
Deformaes
Impurezas
Plsticas

Metais so excelentes condutores de eletricidade (alta condutividade, baixa
resistividade), pois possuem grande nmero de eltrons livres.
Existem fatores que influenciam na resistividade dos metais: Temperatura,

Impurezas, Deformao Plstica. A resistividade total de um metal depende da
ao das resistividades de temperatura, impurezas e deformaes:
Resistividade devido s
Resistividade Total Deformaes Plsticas
Resistividade devido Resistividade devido s
Temperatura Impurezas
5.1. Influncia da Temperatura

A resistividade aumenta linearmente com a temperatura.
A influncia da temperatura se d devido ao aumento das vibraes da estrutura
cristalina dos metais reduzindo a mobilidade eletrnica
Temperatura
Resistividade devido
Temperatura Constantes
5.1. Influncia das Impurezas
A adio de impurezas provoca uma reduo da mobilidade eletrnica e
consequente aumento da resistividade eltrica
Resistividade devido s Concentrao das Impurezas

Impurezas Constante
Aumento percentual da
concentrao de Nquel
(impureza) na liga de Cu-Ni
5.1. Influncia das Impurezas
Outra expresso para resistividade devido influncia das impurezas pode ser
definida em funo das resisitividades dos materiais envolvidos na mistura e da
frao em volume que corresponde a cada material:
Onde os correspondem s resistividade dos materiais da liga e os V

correspondem s fraes em Volume dos materiais da liga.
5.2. Influncia das Deformaes Plsticas
A deformao plstica tambm aumenta a resistividade eltrica como resultado do

maior nmero de discordncias que causam o espalhamento dos eltrons.
No entanto, sua influncia na resistividade total menor do que os fatores

mencionados anteriormente.

6. Efeito Hall
Para calcular a resistividade especfica de cada material, de acordo com a equao (6),
necessrio descobrir a densidade de da nuvem de eltrons N e a mobilidade do eltron
.
Resistividade
1
= . (6)
. .
Para determinar estes parmetros feito o experimento do Efeito Hall.
Aplicao de um campo magntico B.
Surge uma fora magntica Fm perpendicular ao campo, que desloca os eltrons,
comprimindo-os sobre a face do condutor, gerando assim um campo eltrico .
Este processo conhecido como Efeito Hall.

6. Efeito Hall
Em condies de equilbrio:
= (13)
Partindo-se da expresso acima, em Scmidt, W.: Materiais Eltricos tem-se a
demonstrao matemtica completa que leva ao seguinte resultado:
1
= (14)
. .
Onde J a densidade de corrente
1
Chamando . = (coeficiente de Hall), tem-se:

= (15)
.
Substituindo na equao (6), temos:

= (16)

Podemos escrever (16) em funo da condutividade:
= . (17)
O Campo Hall Eltrico Hall ( ) proporciona uma tenso (tenso Hall):

. .
= (18)


Exercicios I
1) Cite 3 caractersticas dos materiais condutores.
2) Cite suscintamente como se d a obteno do Cobre.
3) Descreva os materiais condutores do ponto de vista da estrutura

atmica
4) Qual a relao entre a temperatura de um metal e sua vibrao

atmica? De que forma isto impacta na condutividade/resistividade do
material?
5) Quais os principais fatores que influenciam na resistividade de um

material? Descreva de que forma se d esta influencia.

Exercicios II
1) Um fio de Cobre com 100m de comprimento deve experimentar uma queda de tenso de
menos de 1.5V quando uma corrente de 2.5A passa atravs dele. Calcule o dimetro
mnimo que esse fio deve ter
2)
a) Calcule a resistncia de um fio de cobre com 3mm de dimetro e 2m de comprimento.
b) Qual seria o fluxo de corrente se a queda de potencial entre as extremidades do fio fosse
de 0.05V?

c) Qual a densidade de corrente? (Densidade de corrente: = [ 2 ])

d) Qual a magnitude do campo eltrico atravs das extremidades do fio?
3) temperatura ambiente a condutividade eltrica e a mobilidade eletrnica para o cobre

2
so = 6. 107 (. )1 e = 0,003 . respectivamente. Calcule:
a) Nmero de eltrons livres por metro cbico de cobre
b) Nmero de eltrons livres por tomo de cobre
Dados: = 8,9 3
= 63,6
1 = 1,66. 1027
4) A condutividade eltrica e a mobilidade eletrnica do Alumnio so = 3,8. 107 (. )1 e
2
= 0,0012 . respectivamente. Calcule a tenso Hall para uma amostra de alumnio
com 15mm de espessura no caso da aplicao de uma corrente de 25 A e de um campo
magntico de 0,6 T.
LIGAS METLICAS

Introduo
Materiais condutores se dividem em 2
grandes grupos:
Alta Condutividade: para fins de conduo de
corrente, ligao de aparelhos, etc. Deve
haver pouca perda de energia no transporte
da corrente eltrica. (Ex: cabos de cobre)
Alta Resistividade: para fins de transformar
energia eltrica em trmica pelas por efeito
Joule. (Ex: Fornos eltricos, resistncias)

1. Materiais Condutores com elevada
Condutividade Eltrica
Os principais materiais de alta condutividade eltrica so os
metais nobres e suas ligas.
Na escolha de um material para determinada aplicao
eltrica, nem sempre o critrio decisivo apenas a
condutividade, j que o condutor eltrico est sujeito a
efeitos mecnicos tambm.
Assim, um bom condutor que possua propriedades
mecnicas inferiores pode ser preterido em funo de um
material com menor condutividade mas com melhores
propriedades mecnicas.
Para esta finalidade, usam-se as ligas.
Os metais de alta condutividade mais utilizados so:
Cobre (Cu), Alumnio (Al), Prata (Ag), Ouro (Au), Platina (Pt),
Mercrio (Hg), Ligas destes metais.
1.1. O Cobre (Cu) e suas Ligas

O Cobre possui uma srie de vantagens:
Baixa Resisitividade (Alta condutividade)
Baixa oxidao (Exceto em altas temperaturas)
Fcil deformao a frio e a quente (Caractersticas mecnicas
desejveis).

Cobre utilizado na indstria: Cobre Eletroltico (99.9% de
pureza).
O grau de pureza influencia muito na condutividade.
Impurezas comuns: P (Fsforo), As (Arsnio), Al, Fe, Sb
(Antimnio), Sn (Estanho).
O cobre apresenta a propriedade de formar a ptina, que
corresponde ao depsito de uma camada de carbonato de
cobre na superfcie do metal, que impede a ao das
condies ambientais, preservando o mesmo.

Aplicaes do Cobre Puro
Cobre Encruado ou duro: Resultante de laminao a frio.
utilizado em aplicaes que necessitam de elevada dureza,
resistncia trao e pequeno desgaste. (Ex: Redes Areas
de cabo nu, Fios telefnicos, anis coletores).
Cobre Recozido ou Mole: Para as demais aplicaes usa-se
o cobre recozido. (Ex: cabos isolados, enrolamentos,
barramentos).
Em muitos casos as propriedades do cobre puro no
satisfazem as exigncias de projeto, sendo necessrio o uso
de ligas de cobre. Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 58
Aplicaes das Ligas de Cobre
Bronze
(Cu+Sn)
Alpacas Lato
(Cu+Ni+Zn) (Cu+Zn)
Cobre
Cobre
Cupronquel
Alumnio
(Cu+Ni)
(Cu+Al)

As ligas so feitas com metais escolhidos para alterar uma
propriedade especfica do Cobre. Vale ressaltar que ao
melhorar uma caracterstica, outra caracterstica pode
estar sendo prejudicada.
Exemplo: Em algumas aplicaes, as caractersticas
mecnicas e de oxidao do Cobre podem ser indesejveis.
Nesse caso pode-se adicionar Nquel (Ni) ao cobre,
formando uma liga Cu-Ni. O Nquel melhora a oxidao e
aumenta a dureza do Cu, mas diminui a condutividade do
mesmo.
A figura abaixo mostra a influncia nas propriedades do
cobre conforme a adio de metais na liga:
70
Resistncia Al
Trao
[kg/mm2]
Sn
35
0 8
% de Metal Estranho
1.2. O Alumnio (Al) e suas Ligas
o segundo metal mais usado na eletricidade. Existe
grande esforo em substituir o Cobre por Alumnio por
motivos econmicos (o alumnio mais barato).
Materiais de Alumnio so em geral mais leves que seus
equivalentes em Cobre. Porm o Alumnio mais frgil e
oxida mais rpido (oxidao superficial que protege mas
aumenta a resistividade).
No Brasil: Bauxita mais abundante que os minrios de
Cobre.
O Alumnio utilizado na indstria apresenta pureza de
99.5%. Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 62
1.2. O Alumnio (Al) e suas Ligas
A resistividade do cobre aproximadamente 1.7 vezes
maior que a do cobre. Isto levado em conta no
dimensionamento de condutores eltricos feitos de
alumnio, efetuando uma correo.
As grandes vantagens das Ligas de Alumnio so:
Reduo de peso do equipamento;
Excelente usinabilidade, facilidade de corte
Exemplos:
ALUMOLD (Al-Mg-Zn)
ALCAST (Al-Zn-Mg-Cu)

1.3. A Prata (Ag) e suas Ligas
o metal nobre de maior uso industrial.
Seu principal uso se d em peas de contato.
o metal com maior condutividade eltrica.
Ligas mais comuns da Prata: Prata e Cobre (Ag+Cu)
1.4. O Ouro (Au) e suas Ligas
Apresenta boa condutividade eltrica.
Seu principal uso tambm se d em peas de contato.
Do ponto de vista eltrico, o uso de ligas de ouro no
apresenta vantagens.
O custo do ouro um limitante para seu uso.
1.5. A Platina (Pt) e suas Ligas
Apresenta boa deformao mecnica e fcil soldagem.
Boa resistncia oxidao e alto ponto de Fuso.
Usada como nodo em processos de eletrlise e aplicao
em peas de contato.
Usada em peas termoeltricas pois at 1000 C
resistividade varia proporcional temperatura.
Suas ligas podem apresentar ponto de fuso superior a
1500 C (Ex: Pt-Rdio, Pt-Rutnio)

2. Materiais Condutores com Reduzida
2.1. Chumbo (Pb)
Elevada resistncia contra ao da gua potvel.
Usado em elos fusveis, proteo contra raio X,
acumuladores de chumbo-cido e material de solda.
Liga mais comum: Chumbo Antimnio (Pb-Sb).
2.2. Estanho (Sn)
Alta resistividade eltrica.
Acima de 160 graus, se torna quebradio.
No oxida e no atacado por gua temperatura
ambiente.
Uso frequente em ligas visando revestimento. Ex: Bronze.
2.3. Zinco (Zn)
Apresenta o maior coeficiente de dilatao entre os metais.
Ao contrrio da maioria dos metais (cbicos), o Zn
apresenta estrutura cristalina hexagonal. Assim fica mais
suscetvel anisotropia.
quebradio temperatura ambiente, e se torna p acima
dos 250 C. Entre 100-150 C se apresenta estvel.
usado para revestimento, pois facilmente atacado por
outros elementos.
Aplicao em pilhas.
Ligas mais comuns: Zn-Al-Cu, visando aumentar a
resistncia mecnica do Zinco.
2.4. Nquel (Ni)
Possui propriedades ferromagnticas.
Quando usado em ligas, faz a condutividade cair
rapidamente.
Por isso usado em Resistores, e em lmpadas
incandescentes (alimentador do filamento de tungstnio).
Tambm utilizado em termoelementos em substituio
platina.
Ligas comuns: Konstantan (Ni-Cu-Mn), Monel, Nicrom

3. Ligas Metlicas Resistivas
Possuem resistividade eltrica () entre 0.2 e 1.5 mm/m.
Metais puros dificilmente passam de 0.2
Muitas vezes necessrio que a resistividade se mantenha
constante em funo da variao de temperatura, ou seja,
= 0 (aproximadamente).
As ligas resistivas so formadas para aumentar a
resistividade.
Finalidades:
Fins trmicos ou de aquecimento
Fins de medio
Fins de regulao
Exemplos: Ligas de Cu, Konstantan, Niquelina, Manganin,
Isabelina, Novokonstant
4. Ligas para Peas Laminadas ou
Extrudadas
Visam aumentar a resistncia mecnica do alumnio para
fins de laminao ou extrudao.
Ligas:
Aldrey: Al+Mg+Si+Fe
Usada em fios areos e enrolamentos de motores e
transformadores.
Possui condutividade prxima do Al, e resistncia trao
prxima do cobre encruado.
Duralumnio: Al+Cu+Mg+Mn / Al+Mg+Si
Boa estabilidade Qumica
Utilizado em terminais eltricos.

5. Ligas para Peas Fundidas
Determinadas peas s podem ser moldadas atravs de
processos de fundio.
Alguns metais apresentam alto grau de oxidao a altas
temperaturas, levando a uma queda de qualidade no
processo de fundio e consequentemente da pea
fundida.
Assim, para diminuir a oxidao durante o processo de
fuso, usam-se ligas especficas, onde os metais so
adicionados para diminuir a oxidao do metal original.
Exemplos: Al-Si, Al-Cu-Si

Materiais Semicondutores

1. Introduo
O estudo dos materiais semicondutores de
extrema importncia para a rea de
eletrnica.
O uso de materiais com propriedades
semicondutoras permitiu a reduo do
tamanho de circuitos permitindo o
desenvolvimento da microeletrnica.
Os semicondutores fazem parte de
praticamente todos os componentes
eletrnicos.
1. Introduo
Em termos de Condutividade Eltrica, so
intermedirios entre condutores e isolantes.
No entanto, esta definio de Semicondutores

no suficiente, nem apropriada pra
caracteriz-los fisicamente.
1. Introduo
Para explicar a Semicondutividade
necessrio analisar as caractersticas qumicas
e fsicas dos elementos mais comuns de
semicondutores: Germnio (Ge) e Silcio (Si).
Em seu estado natural, estes elementos so

chamados de Intrnsecos. Quando adicionadas
impurezas para formar ligas semicondutoras
so chamados Extrnsecos.
2. Semicondutividade
1. Semicondutividade Intrnseca
Principais elementos Semicondutores so o Silcio

e o Germnio.
Em seu estado mais puro (99,98%) so chamados
Intrnsecos.
A semicondutividade explicada pelas Bandas
Eletrnicas

BANDAS ELETRNICAS
E
E
Material Isolante Semicondutor

VALNCIA DOS SEMICONDUTORES
Silcio = Tetravalente (4 e- na camada de valncia)
Si

Si Si


Aplicando excitao de um Campo Eltrico (E):
O Campo Eltrico excita
a estrutura, liberando
eltrons livres, conforme
apresentado na figura.
No lugar que o eltron

ocupava, cria-se um
Buraco, que tem carga
positiva.

Aplicando excitao de um Campo Eltrico (E):
Outros Eltrons entram
no Buraco deixado.
Assim, o Buraco se move

ao longo da estrutura.
Portanto,
Semicondutores
possuem dois
portadores de carga:
Eltrons e Buracos
Em metais tnhamos:
Resistividade
1
= .
. .
Ou de maneira anloga:
Condutividade
= . . . 1

Mas, em Semicondutores, tem-se dois tipos de
portadores de carga: eltrons e buracos.
Portanto a Condutividade Intrnseca definida:
= +
Onde:
a condutividade
o nmero de eltrons por metro cbico
o nmero de buracos por metro cbico
a carga do eltron
e so as mobilidades do eltron e do buraco respectivamente

Para semicondutores intrnsecos, cada eltron
deixa para trs um buraco. Assim:
= =
Subtituindo em = + , temos:
= ( + )
Onde chamado de concentrao de
portadores intrnsecos.

2. Semicondutividade Extrnseca
Quase todos os semicondutores comerciais
so extrnsecos.
Semicondutores Extrnsecos so obtidos por
um processo conhecido como dopagem.
A dopagem consiste em inserir impurezas no
semicondutor intrnseco, visando alterar seu
comportamento eltrico.
A alterao no comportamento eltrico se d
pela alterao no nmero de eltrons ou de
buracos. Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 86
Quase todos os semicondutores comerciais
so extrnsecos.
A dopagem um processo fino. As
concentraes de impurezas so diminutas.
Um nico tomo de Fsforo em um conjunto
de 1012 tomos de Silcio torna o mesmo
Extrnseco temperatura ambiente.
Dois tipos de Semiconduo Extrnseca: tipo p,
e tipo n.
Tipo n
realizada adicionando impurezas com
valncia 5 (pentavalentes).
Mais comuns: Fsforo (P), Arsnio (As),
Antimnio (Sb).

Tipo n
O eltron adicional do
fsforo no forma
ligaes, e fica preso
estrutura por uma
atrao eletrosttica
fraca.
Esse eltron
facilmente removido da
estrutura (pouca
energia). Assim, ele se
torna um eltron livre.
temperatura
ambiente, j existe
energia suficiente para
excitar esses eltrons
adicionais
Tipo n
Portanto em Semicondutores Extrnsecos tipo
n, o nmero de eltrons muito maior que o
nmero de buracos.
Logo os eltrons so portadores majoritrios
em tipo n.
Partindo da condutividade intrnseca, vamos
obter a condutividade extrnseca tipo n:
= +
Tipo n
obter a condutividade extrnseca tipo n:
= +
Mas , tornando o lado direito da equao
acima desprezvel. Portanto:


Tipo n
Em termos de Bandas de Valncias, temos:

Tipo p
o oposto do tipo n.
A dopagem feita com elementos trivalentes.
Ex: Alumnio (Al), Boro (B), Glio (Ga)

Tipo p

Tipo p
Como o Boro trivalente,
falta um eltron para
completar a ligao com o
Silcio na estrutura.
Assim, forma-se um buraco.
Os eltrons adjacentes
pulam para cobrir o
buraco, deixando para trs
um novo buraco.
Assim se d a conduo por

lacunas ou buracos.

Tipo p
Portanto em Semicondutores Extrnsecos tipo
p, o nmero de buracos muito maior que o
nmero de eltrons livres.
Logo os buracos so portadores majoritrios
em tipo p.
obter a condutividade extrnseca tipo p:
= +
Tipo p
obter a condutividade extrnseca tipo p:
= +
Mas p , tornando o lado esquerdo da
equao acima desprezvel. Portanto:


Tipo p
Em termos de Bandas de Valncias, temos:

Influncia da Temperatura
Se aumentarmos a temperatura, aumenta a
energia fornecida aos tomos, e aumenta a
energia disponvel para excitar os eltrons da
camada de valncia.
Portanto, conforme aumenta a temperatura,

aumenta o nmero de portadores de carga em
Semicondutores Intrnsecos

Concentrao de Portadores Intrnsecos m3(-1)
Si
Ge
Temperatura (K)


Voltando expresso de Condutividade:
= ( + )
Vamos analisar agora a mobilidade dos eltrons.
Principais Influencias:
Temperatura (Reduz a mobilidade)
Concentrao de Impurezas (Reduz a
mobilidade)

Temperatura (Reduz a mobilidade)

Concentrao de Impurezas (Reduz a mobilidade)

3. Exerccios
1. Para o arseneto de glio intrnseco, a condutividade eltrica
temperatura ambiente de 106 ()1 . As mobilidades dos
eltrons e dos buracos so respectivamente de 0,85 e 0,04
2
. Calcular a concentrao de portadores intrnsecos
temperatura ambiente.
2. Calcular a condutividade do Silcio Intrnseco na temperatura
de 150 C, ou 423K.
3. tomos de arsnio so adicionados a silcio de alta pureza na

proporo de 1023 3 .
a) Esse material tipo p ou tipo n?
b) Calcular a condutividade eltrica desse material
temperatura ambiente
c) Calcular a condutividade
Prof. Paulo Arcena temperatura
- Materiais Eltricos de 100 C, ou 373K
106
Reviso da Aula 1 de
Semicondutores
O que um Semicondutor Intrnseco?
O que so Portadores de Carga?
Em semicondutores intrnsecos quais so os
portadores de carga?
Como se obtm um Semicondutor Extrnseco?
Quais so os tipos de Dopagem?
Em Semicondutores Extrnsecos tipo p, quais so os
portadores de carga majoritrios?
Em Semicondutores tipo n, quais so os portadores
de carga majoritrios?
Reviso da Aula 1 de
Semicondutores
Qual a expresso matemtica que descreve a
condutividade () dos Semicondutores Intrnsecos?
= ( + )
Qual a expresso matemtica que descreve a

condutividade () dos Semicondutores Extrnsecos
tipo p e tipo n?
Tipo p:
Tipo n:

Reviso da Aula 1 de
Semicondutores
Como se comporta a concentrao de portadores
( ) dos semicondutores intrnsecos em relao
temperatura?
Concentrao de Portadores Intrnsecos m3(-1)

OBS:
Aumenta o nmero de
portadores, aumenta a
condutividade.
Aumento da Temperatura,
aumenta a condutividade
Comportamento oposto ao
dos Metais.

Reviso da Aula 1 de
Semicondutores
Como se comporta a concentrao de portadores ( )
dos semicondutores extrnsecos em relao temperatura?
Freeze-out: Regio de Congelamento
A energia trmica insuficiente para excitar
o eltron doador do fsforo. Assim, ele no
recebe energia para passar banda de
Concentrao de eltrons (1021 /3 )

conduo.
Extrinsic: Regio Extrnseca
Nesta faixa de T, o semicondutor se
comporta como extrnseco. Os semicons
slidos so projetados para operar nesta
faixa. Fora da faixa extrnseca, o dispositivo
perde a caracterstica extrnseca e tem sua
funo comprometida.
Intrinsic: Regio Intrnseca
Quando a temperatura se torna muito
elevada, o material se comporta como
intrnseco, pois a contribuio de
condutividade devido a eltrons livres e
buracos do material no dopado supera a
contribuio do estado doador ou receptor
do material dopante. Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 110
Reviso da Aula 1 de
Semicondutores
Como se comporta a mobilidade dos portadores ( )
dos semicondutores extrnsecos em relao temperatura
e concentrao de impurezas ou dopante?
medida que aumenta a temperatura,

diminui a mobilidade dos portadores.
medida que aumenta o teor de

impureza ou dopante, diminui a
mobilidade

Introduo
As caractersticas estudadas at aqui possuem
aplicaes prticas muito variadas e de grande
importncia.
A eletrnica a principal rea de aplicao de
Semicondutores.
Os principais dispositivos Semincondutores
so os Diodos e Transistores

Diodos
So os dispositivos semicondutores mais simples.
Um exemplo da aplicao dos diodos em
circuitos de retificao, devido sua
caracterstica de ser bom condutor de corrente
em apenas uma polaridade, ou seja, permite a
passagem de corrente eltrica em apenas uma
direo. Dessa forma consegue transformar CA
em CC.
So formados por uma juno PN.

Diodos
Juno Retificadora p-n
Corresponde a uma pea semicondutora que
dopada de tal forma que possua dopagem
tipo p em uma das extremidades e tipo n na
outra extremidade.

Diodos
No lado p os portadores majoritrios so os buracos e do
lado n, os eltrons.
Na juno alguns eltrons e alguns buracos se recombinam,

formando a Regio de Depleo. Esta regio funciona como
um isolante.

Diodos
Para conduzir corrente, a Regio de Depleo deve ser
colapsada. Para isso feita a polarizao do Diodo.
A corrente segue o sentido dos portadores positivos e o
sentido contrrio dos portadores negativos.
Polarizao Direta
Consiste em ligar o terminal (+) da fonte na parte p do
Diodo

Diodos
Polarizao Direta
Com o colapso da Regio de Depleo, o Diodo conduz

corrente eltrica.
necessrio uma tenso mnima para romper o
isolamento da Regio de Depleo.
Silcio (Si): 0.7 V //Prof.Germnio (Ge): 0.3 V
Paulo Arce - Materiais Eltricos 117
Diodos
Polarizao Direta
Portanto, quando a tenso direta ( ) aplicada no Diodo
maior do que 0,7V (Si) ou 0,3V (Ge), ocorre a
conduo da corrente direta ( ).

Diodos
Polarizao Reversa
Ocorre quando o terminal (-) da fonte ligado ao lado p
do Diodo.
Nesse caso, ocorre o alargamento da regio de

depleo, aumentando o isolamento proporcionado
pela mesma.
Portanto, o Diodo no conduz.
Diodos
Polarizao Reversa
Uma pequena corrente continua existindo na regio de
depleo devido aos portadores minoritrios.
Portanto, se a tenso reversa exceder um valor crtico,
os portadores minoritrios formam uma avalanche
que leva os portadores minoritrios a excitarem os
eltrons de valncia banda de conduo. Esta tenso
corrensponde tenso de ruptura reversa. Varia de 50V
a 1000V dependendo do Diodo.

Diodos
Caracterstica (V x I) do Diodo Polarizao
Direta
Ruptura Reversa
Polarizao
Reversa

Transistores
Basicamente desempenha duas funes:
Amplificao de sinais e Chaveamento.
O controle da amplificao e do chaveamento
feito por um controle de corrente eltrica.
Para realizar este controle, usa-se a
caracterstica semicondutora dos materiais.
Transistores so formados por dois tipos de
juno: pnp ou npn.

Transistores
Juno pnp
Figura (a): Transistor no-polarizado.
Figura (b): Transistor polarizado.
Juno 1: Polarizao Direta
Juno 2: Polarizao Reversa
FUNCIONAMENTO
A polarizao direta da juno 1 fora
os buracos do Emissor a ir em direo
Base.
Alguns buracos se recombinam com os
eltrons da Base, mas como ela
muito estreita (poucos e-), muitos
buracos chegam ao Coletor.
O Coletor tem a sua concentrao de
portadores (buracos) aumentada.
Assim, um pequeno aumento na
tenso de entrada (Emissor) leva a um
grande aumento na tenso de sada
(Coletor) = AMPLIFICAO
Transistores
Juno pnp
OBS:
Forward-Biasing = Polarizao
Direta
Reverse-Biasing = Polarizao
Reversa Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 124
Exerccios
1. Na temperatura ambiente, a condutividade eltrica do PbS de
25 (1 ), enquanto as mobilidades dos eltrons e dos buracos
2
so de 0,06 e de 0,02 , respectivamente. Calcular a
concentrao de portadores intrnsecos para o PbS
temperatura ambiente.
2. Calcular a condutividade eltrica temperatura ambiente para
um silcio que foi dopado com 1023 3 tomos de arsnio.
3. Estimar a condutividade eltrica na temperatura de 75 graus
Celsius para um Silcio que foi dopado com 1022 3 tomos de
fsforo.
OBS: Para os exerccios 2 e 3, usar as figuras dos prximos slides

Exerccios
Para o Silcio temperatura ambiente, a dependncia das mobilidades (Mobility)

dos eltrons (Electrons) e Buracos (Holes) em relao concentrao de dopante
ou impureza (Impurity Concentration)

Exerccios
Dependncia em relao temperatura das mobilidades de eltrons e buracos, para vrias

concentraes de dopante Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 127
Materiais Isolantes

1. Introduo
Para diversas aplicaes, necessrio o uso de
materiais com elevada resistividade.
A elevada resistividade visa obter a maior
oposio passagem de corrente eltrica
possvel.
Os materiais que realizam este tipo de funo
so os Dieltricos ou Isolantes.

1. Introduo
As principais aplicaes dos materiais
Dieltricos so em Capacitores e em
equipamentos isolantes para aplicaes
eltricas.
Os materiais Dieltricos exibem ou so feitos

para exibirem a estrutura de Dipolos Eltricos.

2. Comportamento Dieltrico
2.1. CAPACITNCIA
Quando uma ddp aplicada atravs de um capacitor, uma
placa se torna positivamente carregada, e outra se torna
negativamente carregada.
A Capacitncia (C) est relacionada quantidade de cargas
(Q) que est armazenada em cada uma das placas atravs
da relao:
+Q
= V
-Q C
Onde:
C a capacitncia em coulomb por volt ou farad [F];
Q a carga nas placas, em coulomb [C]
V a tenso aplicada nasProf.placas.
Paulo Arce - Materiais Eltricos 131
2.1. CAPACITNCIA
possvel representar a Capacitncia em funo da
constante dieltrica dos materiais.
Considerando um capacitor de placas paralelas de rea A
que possuem uma distncia entre si e vcuo na regio
entre elas, tem-se:

= 0

Onde
0 a permissividade do vcuo.
0 = 8,85 1012 /

2.1. CAPACITNCIA
Se um material dieltrico for inserido no lugar do
vcuo tem-se:

=

Onde
representa a permissividade do dieltrico inserido.
+ + + + +
Dieltrico
0
- - - - -

2.1. CAPACITNCIA
A magnitude de ser maior que a magnitude de 0 .
possvel obter uma relao entre e 0 :

=
0
Onde a permissividade relativa, mais conhecida como
constante dieltrica.
A constante dieltrica indica o aumento na capacidade de
armazenamento de cargas pela insero do dieltrico entre
as placas.
Exemplo: constante dieltrica do Polietileno de 2,3. Quer
dizer que inserir o Polietileno no lugar do vcuo, aumenta a
capacidade de armazenamento de cargas em 2,3 vezes.134
Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos
2.2. POLARIZAO
Em condies normais, os tomos
de determinado elemento se
apresentam simtricos, isto , a
distribuio dos eltrons
uniforme em relao ao ncleo
(figura a).
Quando ocorre um desequilbrio
nesta estrutura, surge uma
separao entre a parte positiva e a
parte negativa do tomo, levando
formao do Dipolo Eltrico (figura
b).
O fenmeno da Capacitncia
explicado pela existncia de muitos
dipolos no Dieltrico.
2.2. POLARIZAO
Portanto, em cada dipolo existe uma separao entre a carga positiva e a
negativa.
Associado a cada dipolo, temos um momento dipolo eltrico (p), de
acordo com a relao:
= .
Os dipolos tem a tendencia de se alinharem ao campo eltrico aplicado.

2.2. POLARIZAO
Devido aos dipolos, quando se
insere um dieltrico no lugar do
vcuo, o campo que atravessa o
capacitor diminui. Isso torna o
dieltrico um isolante.

2.2. POLARIZAO
Eo Eo
= 0

2.2. POLARIZAO Portanto para manter a tenso, as
placas devem sofrer um aumento
Uma parte da carga + da placa ser
de cargas, que correspondem a
neutralizada pela carga lquida do
(+Q) e (-Q).
dieltrico. O mesmo ocorre com a
carga - da placa.

2.2. POLARIZAO
Voltando ao Capacitor..
Nas placas, a quantidade de cargas
pode ser representada por uma
densidade de cargas na superfcie
em (/ ). Esta densidade
depende tambm do campo
eltrico aplicado (E):
0 = 0 .
Para um material dieltrico, temos:
= .
Conforme foi analisado, a
polarizao leva a um aumento de
cargas na superfcie do dieltrico.

2.2. POLARIZAO
A polarizao (P) pode ser entendida como um aumento na densidade de
carga inicial (0 ) das plcas na presena do vcuo.
= 0 .

2.2. POLARIZAO
2.2.1. Tipos de Polarizao
a) Polarizao Eletrnica: Ocorre em
todos os dieltricos. Resulta do
deslocamento da nuvem de
eltrons em relao ao ncleo,
devido aplicao de um campo
eltrico (a).
b) Polarizao Inica: Ocorre apenas
em materiais inicos (b).
c) Polarizao de Orientao: Ocorre
apenas em dieltricos que
possuem dipolos permanentes.
Ex: gua pura (c).

2.2. POLARIZAO A polarizao total (P) de uma
substncia igual soma das
2.2.1. Tipos de Polarizao polarizaes eletrnica, inica e de
a) Polarizao Eletrnica: Ocorre em orientao:
todos os dieltricos. Resulta do
= + +
deslocamento da nuvem de
eltrons em relao ao ncleo,
devido aplicao de um campo
eltrico (a).
b) Polarizao Inica: Ocorre apenas
em materiais inicos (b).
c) Polarizao de Orientao: Ocorre
apenas em dieltricos que
possuem dipolos permanentes.
Ex: gua pura (c).

2.2. POLARIZAO existe uma frequncia associada a
um tempo mnimo necessrio para
2.2.1. Dependncia da o dipolo se alinhar ao campo.
Constante Dieltrica em Frequncia de Relaxao.
relao Frequncia
Em diversas aplicaes prticas, a
corrente CA.
Portanto o campo eltrico tambm
CA, muda de sentido com a
corrente.
A orientao do dipolo tende a
seguir este movimento, mas existe
um tempo necessrio para
conseguor esse alinhamento.
Para cada tipo de polarizao,

2.2. POLARIZAO aplicada, os mecanismos de
polarizao vo deixando de
2.2.1. Dependncia da funcionar.
Constante Dieltrica em
relao Frequncia
O dipolo no consegue trocar de
posio para se alinhar ao campo
quando a frequncia de relaxao
foi excedida.
Nesse caso, ele no ir contribuir
para a polarizao total.
Na figura, temos um material
dieltrico que possui os trs tipos
de polarizao.
Dependendo da frequncia

2.3. RESISTNCIA DIELTRICA
Definio: Magnitude de um Campo Eltrico necessria para produzir
uma ruptura no dieltrico
Isto ocorre pois um Campo Eltrico muito grande fornece energia
suficiente para excitar muitos eltrons camada de conduo,
proporcionando corrente atravs do dieltrico.
Ruptura do isolamento.
Unidade:
Em CALLISTER, W., a unidade de Resistncia Dieltrica
E dada em /, onde um mil corresponde a 0,001 pol.
e-
Pode ser dada em outras unidades que relacionam

tenso e espessura. Exemplo: kV/cm

3. Resumo
Dieltricos so isolantes eltricos. Apresentam grande espaamento entre
as bandas.
Se um campo eltrico muito grande for aplicado ao dieltrico, a

resistncia dieltrica ou rigidez dieltrica rompida.
Materiais dieltricos esto sujeitos possibilidade de sofrer polarizao.
A polarizao permite que ocorra um aumento no armazenamento de
cargas nos capacitores por exemplo.

3. Resumo
A polarizao ocorre devido orientao dos dipolos em relao a um
campo eltrico aplicado.
Existem trs tipos possveis de polarizao: eletrnica, inica e de

orientao.
A polarizao dependente da frequncia da corrente CA aplicada.

3. Resumo
Expresses Matemticas e Unidades:
CAPACITNCIA
0 = 8,85 1012 /
= = 0 = =
0
POLARIZAO
0 = 0 = = + 0
=

= + +
Onde,
= [] = /
= = [/]
= [] 0 = [/2 ]
0 = / = [/2 ] = []
4. Exerccios
1. Considerar um Capacitor de placas paralelas que possui uma rea
de 6,45 104 2 e que apresenta uma separao entre as
placas 2 103 2 , atravs do qual aplicada uma diferena de
potencial de 10V. Se um material que possui uma constante
dieltrica de 6,0 for posicionado dentro da regio entre as placas,
calcular:
a) A capacitncia
b) A magnitude da carga armazenada em cada placa
c) A densidade de cargas na superfcie
d) A polarizao
2. Um capacitor de placas paralelas que utiliza um material
dieltrico com de 2,5 possui um espaamento entre placas de
1mm. Se um outro material de constante dieltrica 4,0 for usado
e a capacitncia tiver que permanecer a mesma, qual dever ser
o novo espaamento entre
Prof. Paulo as
Arce -placas?
Materiais Eltricos 150
4. Exerccios
3. A constante dieltrica para um vidro de cal de soda medida a
frequncias muito altas (da ordem de 1015 ) de
aproximadamente 2,3. Qual a frao da constante dieltrica em
frequncias relativamente baixas (1 Mhz) atribuda
polarizao inica? Desprezar qualquer contribuio da
polarizao de orientao. Dado: a 1 Mhz, constante dieltrica
deste material vale 6,9.

1. Reviso Aula 1 de Isolantes
Materiais Dieltricos apresentam baixa condutividade
eltrica, e capacidade de armazenar cargas.
Por esses motivos so utilizados como isolantes e meios
dieltricos em capacitores.
Estas caractersticas se devem propriedade dos materiais
dieltricos de formarem dipolos eltricos quando
polarizados.
Os dipolos eltricos apresentam a propriedade de se
alinharem a campos eltricos externos aplicados.

Os dipolos eltricos podem ser permanentes ou induzidos.
Existem trs formas possveis de polarizar dieltricos:
polarizao inica, eletrnica ou orientao.
O material dieltrico polarizado produz um campo eltrico

contrrio ao campo eltrico original, reduzindo o mesmo.
O Dieltrico aumenta a capacidade de armazenamento de
cargas eltricas nas placas de um capacitor. Tomando-se
como referncia o vcuo, o aumento na capacidade de
armazenamento de cargas (constante dieltrica) dada

por: =
0

; =
0 = 8,851012 / 0

= 0 =

+Q
V
-Q C =

A Polarizao pode ser entendida como um aumento na
densidade de cargas nas placas, devido insero de um meio
dieltrico, em comparao com o vcuo.
0 = 0 .
= .
= 0 .

Um material dieltrico pode apresentar ao mesmo tempo,
mais de uma forma de polarizao.
A Polarizao total de um material corresponde soma das
contribuies individuais dos trs tipos de polarizao.
= + +
A polarizao e a constante dieltrica variam em funo

frequncia CA aplicada ao dieltrico.

Resistncia Dieltrica (ou Rigidez Dieltrica): Corresponde
tenso mxima que pode ser aplicada ao dieltrico sem que
este permita a conduo de corrente. o ponto em que o
dieltrico deixa de atuar como isolante. Dado em unidades de
tenso por espessura (kV/cm, kV/mm, V/mil, etc).
E Quando a tenso aplicada (V)

e- excede um limite (ruptura do
isolante), os eltrons passam da
banda de valncia banda de
conduo.

Questo ENADE 2011

2. Caractersticas Especficas de Isolantes
Os materiais isolantes (assim como os condutores, semicondutores,
etc.) esto em constante desenvolvimento.
Obedecem ao constante avano tecnolgico e de pesquisa.
A escolha adequada do isolante se d em funo de sua aplicao, de

modo que nenhum material superior aos outros em todos os
sentidos.
Dependendo da aplicao alguns isolantes apresentam grande

superioridade sobre os demais. Por outro lado podem ser totalmente
inadequados para outro tipo de aplicao.
Exemplo: Porcelana.
Excelente isolante de linhas areas de transmisso.
Inadequado para isolamento de cabos devido falta de
flexibilidade. Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 159
1. Isolantes Slidos
a) Papel: Apresenta grande flexibilidade e capacidade de obteno
de pequena espessura. Tambm, possui boa resistncia mecnica.
A grande desvantagem apresentar higroscopia. Geralmente
impregnado por leos ou resinas.
b) Fibras Sintticas: Tem sido desenvolvidas em substituio s fibras
naturais. Apresentam melhoras nas propriedades eltricas e
mecnicas em relao s naturais.
Fibras de Poliamida: Inmeras aplicaes. Reforos mecnicos
em cabos. Fitas Isolantes.
Fibras de Vidro: Obtida a partir do vidro isolante,
apresentando uma espessura entre 5 a 10 m. Apresenta boa
estabilidade trmica (200 a 300 C). Utilizado em cmaras de
extino de arcos voltaicos. Podem receber tratamento com
verniz para melhorar suas propriedades.

1. Isolantes Slidos
c) Cermicas: Obtidas a partir de quartzo, feldspato e argila, entre
outros, alm da adio de aditivos. Apresentam baixo custo,
fabricao relativamente simples e boas caractersticas eltricas.
Porcelana de Isoladores: baixa, mdia e alta tenso. Redes
Eltricas.
Cermica de Capacitores: Elevada constante dieltrica.
d) Vidro: Formado a partir de xido de silcio e boro. A composio
varivel, e isto influencia em suas propriedades. Apresenta boa
estabilidade trmica, e boa estabilidade frente umidade.
e) Mica: um mineral. Excelente estabilidade trmica (at 1000 C).
Utilizada em aplicaes de aquecimento eltrico, em isolamentos
de ranhuras de mquinas eltricas, coletores de mquinas
eltricas.

1. Isolantes Slidos
f) Amianto: Material mineral, fibroso. Apresenta boa estabilidade
trmica, porm higroscpico. Assim, seu uso est sujeito
impregnao com vernizes. Pode ser usado em forma de p
(extino de arco voltaico em fusveis).
g) Borracha: Natural ou sinttica. Aplicaes eltricas empregam as
sintticas. Apresentam boa estabilidade perante agentes qumicos.
h) Mica: um mineral. Excelente estabilidade trmica (at 1000 C).
Utilizada em aplicaes de aquecimento eltrico, em isolamentos
de ranhuras de mquinas eltricas, coletores de mquinas
eltricas.

2. Isolantes Lquidos
Alm do isolamento eltrico, promovem a refrigerao dos
equipamentos.
a) leo Mineral: Obtido a partir do petrleo, uma mistura de

hidrocarbonetos e outras deposies. Para uso eltrico devem ser
purificados. O leo pode perder suas propriedades isolantes ao
longo do tempo, sendo necessria a manuteno regular de
equipamentos a base de leo mineral. Exemplo:
Transformadores.
b) Askarel: Desenvolvidos para subtituir os leos minerais.
Apresentam a vantagem de serem no-inflamveis, alm de no se
degradarem ao longo do tempo. No entanto seu manuseio deve
ser controlado devido sua composio txica, e deve ser avaliada
a reao do cloro presente no askarel com os produtos dos
componentes a serem isolados. Apresentam elevado custo.
2. Isolantes Lquidos
c) leo de Silicone: Cadeias de Silcio e Oxignio, juntamente com

grupos metlicos e fenlicos. A viscosidade varia bem menos em
comparao ao leo mineral. Apresentam grande estabilidade
qumica (reagem pouco com outros elementos). Utilizados como
lubrificantes e em tintas e vernizes. Seu alto custo um limitante
do seu uso.

3. Isolantes Gasosos
a) Ar: Amplamente utilizado. Por exemplo em linhas areas. A

distncia entre condutores nus se d pela constante dieltrica do
ar. Diversos fatores devem ser considerados (umidade, vento,
etc.)
b) Hexafluoreto de enxofre ( ) usado em isolamentos de cabos

subterrneos e disjuntores de alta potncia (subestaes);

4. Isolantes Pastosos
a) Parafina: obtido a partir da destilao do petrleo. altamente

anti-higroscpico (repelente gua). Utilizado como
recobrimento de outros isolantes.
b) Pasta de Silicone: Usualmente recebem adio de p de grafita
para melhorar suas caractersticas anti-frico, j que seu uso se
d na maior parte das vezes em aplicaes de lubrificao de
peas de contato, onde se deseja baixa oxidao tambm.
c) Resinas: Podem ser naturais ou sintticas, sendo estas as
utilizadas em aplicaes eltricas. Correspondem a polmeros e
podem ser classificadas em termofixas (rigidez no se altera com
a temperatura ex:baquelite) ou termoplsticas (sofre alterao
na viscosidade em altas temperaturas).

4. Isolantes Pastosos
d) Vernizes: Obtidos a partir de Resinas com solventes.

Vernizes de Impregnao: Em papis, tecidos, sedas,
cermicas porosas, para preencher os espaos deixados
internamente nesses materiais.
Vernizes de colagem: para fornecer consistncia a alguns
materiais que aps a purificao perdem consistncia. Ex:
mica (p) e fibra de vidro.
Vernizes de recobrimento: utilizado para recobrir materiais e
proteger contra ao da umidade e elevao da resistncia
superficial.

3. Exerccios
Uma carga de 3,51011 deve ser armazenada em cada
placa de um capacitor de placas paralelas que possui uma
rea de 160 2 e uma separao entre as placas de 3,5
mm.
a. Qual a tenso necessria se um material com constante
dieltrica de 5,0 for posicionado entre as placas?
b. Qual tenso seria necessria se fosse utilizado o vcuo?
c. Quais so as capacitncias para as partes (a) e (b)?
d. Calcular o deslocamento dieltrico (densidade de cargas)
para a parte (a).
e. Calcular a polarizao para a parte (a).

Materiais Magnticos

1. Introduo
Magnetismo conhecido h sculos. Seus fundamentos so complexos
(teoria quntica).
Aplicaes muito vastas: Geradores Eltricos, Motores Eltricos,

Componentes de udio e Vdeo, Computadores
Principais materiais magnticos: Ferro, Nquel e Cobalto.
Todos os materiais so influenciados em menor ou maior grau pela

presena de um campo magntico.
Alguns conceitos de Materiais Magnticos apresentam analogia com

Materiais Isolantes.

2. Conceitos Bsicos
2.1. Dipolos Magnticos
Anlogos aos dipolos eltricos
Dipolo Eltrico Dipolo Magntico
A origem dos dipolos eltricos se d em funo separao das cargas.
A origem dos dipolos magnticos se d em funo ao movimento orbital do

eltron e ao seu spin.

2. Conceitos Bsicos
Movimento Orbital (a) e Spin (b)
Momento Momento
Magntico Magntico
Linhas de Campo em um
Circuito de Corrente
Eltron: Pequeno circuito de corrente, levando ao surgimento de um

momento magntico devido ao movimento orbital, e um momento magntico
devido ao spin.

2. Conceitos Bsicos
O Momento Magntico Total do tomo a soma dos momentos magnticos

de todos os seus eltrons constituintes (grandeza vetorial).
Pares de eltrons com momentos magnticos opostos se anulam

Eltrons com spins opostos se anulam e com movimento orbital opostos se
anulam
Movimentos Orbitais Opostos (momentos Spins Opostos (momentos magnticos

magnticos opostos) opostos)

2. Conceitos Bsicos
Portanto materiais com camadas eletrnicas totalmente preenchidas, no

podem ser permanentemente magnetizados.
Diamagntico Ferromagntico
Conforme ser visto adiante, isto leva classificao dos materiais em

Diamagnticos, Paramagnticos e Ferromagnticos.

2. Conceitos Bsicos
2.2. Vetores do Campo Magntico
Vamos supor um solenide. Inicialmente no vcuo (a), e
depois com um material slido (b).
Grandezas Importantes:
Intensidade do Campo Magntico (H) [Ampere/metro
(A/m)]
Induo Magntica ou Densidade do Fluxo Magntico
(B) [Tesla (T)]
Permeabilidade () [Weber/ampere*metro (Wb/Am)]
Magnetizao (M) [Ampere/metro (A/m)]
Susceptibilidade Magntica ( ) [Adimensional]
Demais Parmetros:
Corrente Eltrica (I)
Nmero de Voltas do solenide (N)
Comprimento do solenide (l)

2. Conceitos Bsicos
Intensidade do Campo Magntico (H)

=

Induo Magntica ou Densidade do Fluxo Magntico (B)
No vcuo: Material Slido:

0 = 0 =
Onde:
0
0 (4107 ) /

/
Permeabilidade Relativa ( )

=
0
2. Conceitos Bsicos
Magnetizao (M)
Na presena de um Campo (H), os dipolos magnticos
tendem a se alinhar ao mesmo e a refor-lo.
Esse acrscimo dado pela magnetizao (M).
= 0 + 0
A magnitude da magnetizao proporcional ao Campo
(H) aplicado, pela seguinte relao:
=
Susceptibilidade Magntica ( )
= 1

3. Tipos de Magnetismo
1. Diamagnetismo
Forma muito fraca de magnetismo.
No permanente. Persiste somente

na presena de campo magntico.
Na ausncia de Campo Magntico (H = 0),
encontrado em todos os materiais no h dipolos magnticos em materiais
diamagnticos.
com maior ou menor intesnsidade.
menor que 1 ( do material

menor que o do vcuo)
negativa (da ordem de 105 ),

ou seja, a induo (B) menor que
no vcuo. Na presena de Campo Magntico, so
induzidos dipolos magnticos que se
alinham na direo oposta ao campo que
No apresenta importncia prtica.
os deu origem.
2. Paramagnetismo
Presena de dipolos magnticos

devido ao cancelamento incompleto
dos momentos magnticos de spin
ou orbital.
Na ausncia de Campo Magntico (H = 0),
Dipolos esto livres para girar os dipolos magnticos esto sem
orientao em materiais paramagnticos.
Magnetizao Total nula.
encontrado em alguns materiais.
maior que 1 ( do material

maior que o do vcuo)
da ordem de 105 a 102
Na presena de Campo Magntico, os

dipolos magnticos se orientam na
direo do campo
Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos Magnetizao aumenta o campo.
179
3. Ferromagnetismo
Dipolos magnticos permanentes.

Devido aos momentos dos
spins, os quais no se
cancelam.
Dipolos apresentam orientao

mesmo na ausncia de campo.
Dipolos alinhados em
Exemplos: Ferro, Nquel e Cobalto. material Ferromagntico
da ordem de 106 , portanto

, logo:
= 0 + 0 0
0
Ferromagntico

4. Domnios e Histerese
Materiais ferromagnticos so compostos por regies onde os dipolos esto
alinhados entre si.
Estas regies so os Domnios.
Entre os domnios, tem-se as Paredes de Domnios, que os separam.
Ao longo das paredes de domnios, os dipolos mudam sua orientao
gradativamente.

A magnetizao total do material (M)
a soma vetorial das magnetizaes de
todos os domnios, ponderados pela
sua frao volumtrica.
Em uma amostra de material

ferromagntico no magnetizado, a
soma vetorial deve ser zero.
Aumentando-se a magnetizao
(aumento de H), os domnios tendem a
se alinhar na direo do H aplicado,
alterando sua forma e tamanho, at se
tornarem um nico domnio.
Consequentemente, aumenta a
induo magntica (B) e a
magnetizao (M). Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 183
Quando B atinge seu valor mximo,
(no varia mais em funo de H),
tem-se a induo magntica de
saturao ( ).
A magnetizao correspondente a
esse ponto a magnetizao de
saturao ( ).
Ponto Z na figura.
= 0,6

= 9,27 1024 2

=
Exemplo (pg 552 PLT)
b) Densidade do fluxo de
Calcular: saturao
a) A magnetizao de Saturao
b) Induo magntica ou densidade do 0
fluxo magntico de saturao
0
Dados: = 8,90 /3
= 58,71
= 4107 5,1105
Soluo
a) Magnetizao de Saturao = ,
= 0,6
=

8,961023
* = = 9,131028 /3
58,71
* = 0,6 9,271024 9,131028 = , /

HISTERESE
Aps atingida a saturao, possvel remover o campo inicial aplicado (H),
revertendo sua direo de aplicao
Neste processo, a induo magntica (B) no retorna pelo caminho inicial.

Reverso ou Remoo
do Campo Inicial
Magnetizao Inicial
B diminui mais lentamente do que se

percorresse o caminho inicial de
magnetizao. Esse defasamento
corresponde ao fenmeno de Histerese.
Ciclo de Histerese (Induo magntica (B)em

funo do campo aplicado (H) ) Paulo Arce - Materiais Eltricos
Prof. 186
HISTERESE
Quando o campo aplicado 0 (H=0), ainda
existe induo magntica no material
ferromagntico. Remanncia. Corresponde
ao ponto R.
Para fazer que a induo chegue a zero,

necessrio aplicar um campo , chamado
de Coercividade. Corresponde ao C.
Revertendo novamente o campo aplicado

(ponto ), obtem-se uma curva de
magnetizao simtrica, completando
assim o ciclo de histerese.
O ciclo de histerese no precisa ser levado

at a saturao. NP, e LM so exemplos de
ciclos que no chegam saturao.
HISTERESE
O tamanho e a forma da curva de histerese
apresenta grande importncia.
rea da curva no ciclo de desmagnetizao

corresponde a perda energtica, que se
manifesta na forma de calor.
Conforme a curva de histerese os materiais

magnticos podem ser duros ou moles.
Duros: Resistncia ao movimento das
paredes dos domnios. Grandes perdas
por histerese. Alta resistncia
desmagnetizao. ms permanentes.
Moles: Facilidade no movimento das
paredes dos domnios. Baixas perdas
por histerese. Baixa resistncia
desmagnetizao. Ncleos de
transformadores.
5. Influncia da Temperatura
O aumento na temperatura proporciona um aumento na vibrao dos
tomos.
Os dipolos magnticos esto livres para se movimentar.
Portanto um aumento na temperatura torna aleatria a disposio dos

dipolos magnticos, levando a uma diminuio da magnetizao.

5. Influncia da Temperatura
Em 0K, no h vibrao, portanto a
magnetizao mxima.
A temperatura na qual a
magnetizao deixa de existir
(M=0), corresponde Temperatura
de Curie ( ).
Acima da , os materiais
ferromagnticos se tornam
paramagnticos.
Temperaturas de Curie para

Ferro puro e Fe3O4

6. Exerccios
Lista da disciplina, exs 20, 21 e 22
Referncias Bibliogrficas:
Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais,

segunda edio, William Callister Jr PLT
Materiais Magnticos, LabPot - UFSC

Referncias Bibliogrficas
Materiais Eltricos, Vol1, Editora Blucher Walfredo Schmidt
Estrutura Cristalina dos Metais Marcelo F. Moreira
Apostila de Materiais Eltricos Prof. Dr. Fernando Cruz Barbieri
Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais: Uma abordagem
Integrada, 2 edio ; William D. Callister Jr - PLT
Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais: Uma abordagem
Integrada, 7 edio ; William D. Callister Jr
Notas de Aula www.demar.eel.usp.br
Materiais Eltricos , Jacobus W. Swart
Materiais Eltricos, UFSC
Materiais Eltricos, Unioeste
Apostila de Eletrotcnica, CEFET - ES
Materiais Magnticos, LabPot - UFSC

Materiais Eletricos

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Materiais

Prof. Paulo Arce

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 2

Teoria sobre os Materiais

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 3

O estudo dos Materiais Eltricos permite selecionar esses materiais visando:

A seleo de Materiais Eltricos se d conforme:

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 4

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 5

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 6

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 7

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 8

Matrias-primas para obteno de metais so os minrios.

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 9

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 10

Cobre com baixo grau de Cobre com alto grau de

Eletrlito = Soluo aquosa

2. Obteno de Chumbo, Zinco e Nquel

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 12

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 13

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 14

Slidos amorfos ou no-cristalinos: Em geral, no apresentam regularidade na

Sistemas Cristalinos: Para avaliarmos o grau de repetio de um estrutura cristalina

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 15

A clula unitria suficiente

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 16

Os tomos no se encontram parados dentro da estrutura. Possuem na verdade um

Os tomos vibram em torno da

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 17

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 18

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 19

Os sistemas cristalinos podem apresentar um tomo

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 20

Conforme se diminui a temperatura, a vibrao do sistema cristalino tem sua

Conforme se aumenta a temperatura, a amplitude da vibrao aumenta, at o

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 21

Correspondem ligao entre dois metais e entre alguns metais e no-metais.

Responsvel pela formao de ligas metlicas.

Metais so eletropositivos (doam eltrons facilmente)

Teoria do Mar de eltrons: os tomos perdem o eltron de valncia (se torna um

A teoria do mar de eltrons explica a alta condutibilidade eltrica e trmica dos

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 22

Durante a fuso o metal recebe uma determinada quantidade de calor at atingir um

So variaes isotrmicas, onde o metal est em processo de fuso.

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 23

Formao e Crescimento dos Cristais

Os cristais se formam no resfriamento de um metal em fuso.

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 25

Um cristal anisotrpico quando suas caractersticas eltricas e mecnicas variam de

Valores de Resistncia Trao em funo

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 26

Mantm as propriedades metlicas.

So utilizadas para modificar alguma caracterstica de um metal, para determinada

Aumento da resistncia mecnica, mudana no ponto de fuso

Mais adiante veremos aplicaes de diversas ligas metlicas.

5. Principais Defeitos na solidificao

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 28

O metal pode sofrer dois tipos de deformao

Os metais, sob ao de foras de compresso, trao, flexo, etc podem sofrer

Prof. Paulo Arce - Materiais Eltricos 29

Tomando um lingote de cobre, aplica-se inicialmente o processo de deformao a

A quente, o cobre oxida rapidamente, e o xido formado mau condutor. Portanto o

Aps o processo a frio, o Cobre se encontra endurecido (encruado). Ento faz-se um