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Materiaiscap18 PDF
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CAPTULO 18
MATERIAIS DIELTRICOS
Sumrio
18 MATERIAIS DIELTRICOS
18.1 Introduo
18.3.1 Capacitncia
0 = 0 = 0 (18.1)
C=Q/V (18.2)
= = (18.3)
( / )
= = = (18.4)
0 0 ( / ) 0
1
0 =885 x 10 12 C2/J.m; F=C/V; V=J/C
2
Em 1837, Michael Faraday a quem se deve todo o conceito de capacitncia e, por isso, teve seu
nome escolhido como unidade SI de capacitncia, usando aparatos simples verificou que a
capacitncia de um capacitor completamente preenchido por um dieltrico aumentava por um
numrico k, que ele chamou de constante dieltrica do material introduzido. A constante dieltrica do
vcuo, por definio, igual a (01) um. A medida da constante dieltrica do ar apenas um pouco
maior que 1 (um); geralmente a diferena insignificante. Isto se deve ao fato de ser o ar,
essencialmente um vazio do ponto de vista de um dieltrico. Para o ar seco a 0 C e presso
atmosfrica normal k 1,0006.
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C= (L) (18.5)
C = K 0 L = K Car (18.6)
Cilndrico 2 0
ln( / )
Esfrico 4 0
ln( )
Esfera isolada 4 0
D0 = 0 E (18.7)
D=E (18.8a)
D = KE (18.8b)
D = 0 E + P (18.9)
P = 0 ( r 1 ) E (18.10a) ou
P = 0 ( k 1 ) E (18.10b)
Figura 18.3 - Capacitor de placas paralelas (a) separadas por um vcuo e (b)
separadas por um material dieltrico.
Figura 18.4 - Esforo para ruptura de diversos dieltricos com campos uniformes.
Tenso de ruptura em funo da espessura do dieltrico.
Exemplo 1: Em um capacitor plano e com ar entre suas placas se aplica uma DDP
fixa. Se introduzirmos entre as placas um dieltrico a quantidade de carga por ele
armazenada aumentar? Explique.
Sim, uma carga maior Q, acumulada entre as placas, neste caso, = =
placas. Mas, C = K 0 L ou = 0 ;
0 = 8,854 10 12 F/m
0 12000 * 2100 * 8,854 10 12 * 5 10 5
= 0 = = 5
= 0,159 10 3
7 10
6,5 10 5 * 0,18 10 3
= 0 = = = 3674
0 12000 * 3,0 10 5 * 8,854 10 12
"
b) =
'
tg o fator de dissipao; ' a permissividade relativa; " o fator de perda
dieltrica
' = ' = 644,8408 x 10 3 e " = 46,4285 x 10 6
0
c) = 1
0
0 = 8,885 x 10 12 F/m
= 5,295 x 10 6 F/m
3
= 644,8586 x 10
d) r + j
efc =
efc a permissividade efetiva complexa; o fator de perda dieltrica;
r permissividade eltrica relativa [F/m].
= = 644,8408 x 10 3
0
3 6
efc = 644,8408 x 10 + j 46,4285 x 10
8,0 10 9
b) = = = = 180[ ]
44,25 10 12
180
= = = 90,3x10 V/m
2 10 3
-11
Exemplo 9: Uma carga de 3x10 C deve ser armazenada em cada placa de um
capacitor de placas paralelas que possui uma rea de 160 mm e uma separao
entre as placas de 3,5 mm.Qual a voltagem necessria se um material com
constante dieltrica de 5,0 for posicionado entre as placas? Qual a voltagem
necessria se fosse no vcuo? Quais so as capacitncias para as partes a e b?
Calcule o deslocamento dieltrico para a parte a. Calcule a polarizao para a
parte a.
= .
3,5 10 11 .3,5 10 3
= = = 17,3
. 5.8,85 10 12 / .160 2
.1 2 / 10 6 2
3,5 10 11 .3,5 10 3
= = = 86,5
8,85 10 12 / .160 10 16 2
3,5 10 11
Para a parte a: = = = 2 10 12
17,3
3,5 10 11
Para a parte b: = = = 4 10 13
86,5
= + ( 1)
=
=
8,85 10 12 / .5.17,3
=
3,5 10 3
= 2,2 10 3
= ( 1)
= 0
(18.11)
Figura 18.5 - Dieltrico polar, h alinhamento dos mesmos por um campo eltrico
externo.
Figura 18.6 - (a) Uma lmina dieltrica, indicando os tomos neutros no interior da
lmina. (b) Um campo eltrico externo aplicado, esticando os tomos e separando
os centros de carga positiva e negativa. (c) O efeito resultante o aparecimento de
cargas superficiais. Estas cargas criam um campo E, que se ope ao campo
externo E0 aplicado.
18.5 Polarizao
Figura 18.9 - (a) Foras impostas (torque) agindo sobre um dipolo eltrico devido a
um campo eltrico. (b) Alinhamento final do dipolo como o campo.
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Pe = e (18.12)
(a) (b)
Figura 18.10 - (a) Sem campo eltrico aplicado e (b) com campo eltrico aplicado.
= . (18.13)
522
= * = * * (18.14)
523
= * * (18.15)
(a) (b)
Figura 18.16 - Polarizao inica o campo distorce a rede: (a) sem campo eltrico
aplicado e (b) com campo eltrico aplicado.
(a) (b)
Figura 18.17 - Polarizabilidade por carga espacial (a) sem campo eltrico aplicado e
(b) com campo eltrico aplicado.
= + + + (18.15)
os dipolos podem invertir seu alinhamento com cada inverso de campo Em muitas
situaes prticas a corrente alternada, e a voltagem, ou campo eltrico que
aplicado, muda de direo com o tempo. Assim no material dieltrico, a cada
reverso de sentido, os dipolos tentam se reorientar com o campo, ou seja, um
processo que requer um tempo finito. Para cada tipo de polarizao, algum tempo
mnimo de reorientao existe, o qual depende da facilidade com que cada
particular dipolo capaz de realinhar-se. Uma freqncia de relaxao resultado
de um tempo mnimo de reorientao. Todos os tipos de polarizao que podem
ocorrer em dieltricos possuem uma certa inrcia de momento, isto , existe um
certo tempo necessrio para que os dipolos sejam induzidos ou para que os que j
existam ento que se alinhem com o campo eltrico externo aplicado. Esse tempo
denominado de tempo de relaxao da polarizao. Um dipolo no pode manter as
trocas de direo de orientao quando a freqncia do campo eltrico aplicado
excede a freqncia de relaxao, e, alm disso, no proporcionar nenhuma
contribuio para a constante dieltrica. Deste modo, esses mecanismos podem
no ocorrer se houver uma inverso suficientemente rpida da tenso aplicada.
A dependncia de r da freqncia do campo representada na Figura 18.19
para um meio dieltrico que exibe trs tipos de polarizao; note que o eixo da
freqncia est plotado de forma logartmica. Como indicado na Figura 18.19,
quando o mecanismo de polarizao cessa de operar, h uma queda abrupta na
constante dieltrica; por outro lado r est virtualmente independente da freqncia.
A absoro da energia eltrica por um material dieltrico que est sujeito um
campo eltrico alternado chamada perda dieltrica. Esta perda pode ser
importante nas freqncias de campo eltrico localizadas nas vizinhanas da
freqncia de relaxao para cada tipo operativo de dipolo de um material
especfico. Uma baixa perda dieltrica desejada na freqncia de utilizao.
Figura 18.19 - Polarizao (r) versus freqncia do campo para um meio dieltrico
que exibe trs tipos de polarizao. As polarizaes com resposta mais rpida
prosseguem nas freqncias mais elevadas.
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(a) (b)
Figura 18.22 - (a) Permissividade relativa do nitro benzeno em funo da
temperatura. (b) Variao da constante dieltrica em funo da temperatura para
polietileno tereftalato (PET) e outros polmeros.
2+
Figura 18.23 - Cela unitria perovskita (Ca ). ons por clula unitria:5
4+ 2+ 2- 2+ 2-
(distribuio:1Ti , 1Ba e 3 O ). Cada Ba em coordenao 12 com o O , Ti
4+ 2- 2+ 2-
em coordenao 6 com o O . Apenas Ba O ,formam FCC.
Figura 18.24 - O titanato de brio (BaTiO3), cbico (a) e (c) passa a ter uma
estrutura tetragonal (b, d, e), abaixo de 120C (temperatura de Curie) na qual o on
central Ti4+ pode situar-se em duas posies.
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necessrio um certo tempo uma vez que uma certa energia necessria
para mover o on Ti4+ de sua posio de mais baixa energia. A Figura 18.26 ilustra
os domnios ferroeltricos, sendo assim denominados por que a propriedade de
alinhamento espontneo de dipolos eltricos recebe o nome de ferroeletricidade.
Como mostrado na figura, em contraste com o material cbico, a estrutura de dipolo
da clula tetragonal permite elevada polarizao em resposta ao campo eltrico
aplicado. Isso mostrado como um efeito macroestrutural e cristalogrfico. O
material ferroeltrico pode apresentar polarizao nula sem campo aplicado devido
orientao aleatrio dos domnios a escala microscpica, regies essas nas quais
o eixo c das clulas unitrias adjacentes tem uma direo em comum. Quando se
aplica um campo, so favorecidas as orientaes dos dipolos das clulas unitrias
que esto mais ou menos paralelos direo do campo aplicado. Neste caso os
domnios com essas orientaes crescem as custas dos domnios orientados menos
favoravelmente. O mecanismo especfico do movimento da parede do domnio
simplesmente o pequeno deslocamento das posies dos ons dentro da clula
unitria, dando como resultado a mudana de orientao do eixo c tetragonal. Tais
movimentos da parede do domnio do como resultado a polarizao espontnea.
Em contraste com o material paraeltrico a campo apenas provoca um pequeno
dipolo induzido (ctions puxados ligeiramente em direo do eletrodo negativo e
anions para o eletrodo positivo).
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Figura 18.26 - Polarizao, P, versus campo eltrico aplicado, E,. Para o material
paraeltrico apenas observa-se modesta polarizao, j o material ferroeltrico
apresenta polarizao espontnea na qual os domnios das clulas unitrias
orientadas similarmente crescem ao aumentar os campos de igual orientao.
3
O Tartrato misto de potssio e sdio (KNaC4H4Ou64H2Ou) chamado comummente Sal de Seignette
ou Sal da Rochelle foi descoberto em 1672 por Pierre Seignette, farmacutico da Rochelle.
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18.13.5.1 O ar atmosfrico
18.13.5.2 Nitrognio
18.13.5.3 O gs SF6
Sintetizado pela primeira vez no ano de 1900, em Paris, teve suas pesquisas
para aplicao industrial iniciadas em 1937. Em 1939, o uso em cabos e capacitores
foi patenteado. Pesquisas para sua utilizao como meio interruptor so de 1950 e
equipamentos blindados e isolados SF6 surgiram a partir de 1970.
O SF6 gs um dos gases de maior densidade (6,16 kg/m), quase 5 vezes
maior que a do ar. um gs incolor, inodoro, no txico, quimicamente inerte e
estvel e no inflamvel. Sua estrutura molecular est representada na Figura
18.29.
18.18.3 Vidro
18.18.6 Porcelana
18.20.1 Papel
18.20.2 Fenolite
18.20.3 Presspan
18.20.4 Permawood
WULFF, J.: SHEPARD, L. A.; ROSE, R. M. Electronic properties. Vol. IV, J. Wiley
& Sons, Inc. 1965.
Exerccios