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UFABC - UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC

CCNH - CENTRO DE CINCIAS NATURAIS E HUMANAS


BACHARELADO EM FSICA

RENATO FERNANDES DE SOUZA

TRANSPORTE ELETRNICO BALSTICO CONFINADO

SANTO ANDR
2017
RENATO FERNANDES DE SOUZA

TRANSPORTE ELETRNICO BALSTICO


CONFINADO

Trabalho de Concluso de Curso Mono-


grafia submetida Coordenadoria do Curso
de Bacharelado em Fsica da Universidade
Federal do ABC - Campus Santo Andr,
como requisito parcial para obteno do
grau de Bacharel em Fsica.

UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC - UFABC

Orientador: D.r Gustavo Michel Mendoza La Torre

SANTO ANDR-SP
JULHO de 2017
A mente que se abre a uma nova idia jamais voltar
ao seu tamanho original.

Albert Einstein
Resumo
Este trabalho tem como objetivo descrever como se d o transporte de eltrons (ou
quasipartculas) em heteroestruturas de GaAs e AlGaAs. Foram estudados aspectos
da estrutura cristalina, estrutura de bandas alm de alguns mtodos de confinamento,
a destacar o diodo de tunelamento ressonante (RTD) que possui confinamento em uma
direo. (. . . ) o mtodo, os resultados e as concluses (. . . ).

Palavras-chaves: tunelamento ressonante. estrutura de bandas.


Abstract
This is the english abstract.

Keywords:
Lista de ilustraes

Figura 1 Representao do cristal: Composio da rede de Bravais + Base. A


Base informa a composio de cada ponto da rede de Bravais. Pode
ser um nico tomo ou um grupo deles . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Figura 2 Parte de uma rede de Bravais e exemplo de vetores primitivos da
rede em 2 dimenses. Qualquer ponto na rede pode ser descrito
como uma combinao linear dos vetores primitivos ~a1 e ~a2 . . . . . 4
Figura 3 As 14 redes de Bravais em 3 dimenses e suas respectivas clulas
unitrias convencionais. Ateno especial cbica de face centrada
(Cbica F) pois representa a clula convencional das ligas GaAs e AlAs 4
Figura 4 Comparao entre o potencial emprico e o dado pela equao 2.2
para o Ar. O ponto de equilbrio, com menor energia de interao, re-
presenta a distncia interatmica e est relacionada com o parmetro
de rede para um cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Figura 5 Arranjo de tomos de uma rede cbica simples . . . . . . . . . . . . 6
Lista de tabelas
Lista de abreviaturas e siglas

RTD Resonant-tunneling diode


Lista de smbolos

Letra grega Gama

Lambda

Letra grega minscula zeta

Pertence
Sumrio

1 INTRODUO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.1 Motivao e objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Contribuies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.3 Produo cientfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.4 Organizacao da tese . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

2 DESCRIO QUALITATIVA E QUANTITATIVA DO GAAS E


ALAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Slidos Cristalinos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

REFERNCIAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1

C APTULO 1

I NTRODUO

1.1 Motivao e objetivos

1.2 Contribuies

1.3 Produo cientfica

1.4 Organizacao da tese


Capitulo 2: Descrio qualitativa e quantitativa da estrutura dos cristais utilizados para
formao das heteroestruturas
Capitulo ??: descricaoo...
Capitulo ??: descricao...
Capitulo ??: descricao...
2

C APTULO 2

D ESCRIO QUALITATIVA E QUANTITATIVA


DO G A A S E A L A S

Este captulo tem como objetivo apresentar os aspectos da estrutura cristalina


da liga binria GaAs e da liga ternria AlGaAs.
A matria se condensa devido a ao das foras intermoleculares. Os slidos,
por exemplo, se formam quando quando seus tomos, ons e molculas no tem
energia suficiente para escapar da influncia de seus vizinhos (ATKINS, 2006). Eles
se formam em arranjos bem caractersticos. A formao da fase slida tem influncia
direta da temperatura, presso e foras atrativas entre as molculas que compoem
o slido e caraterizada pelo estado fsico uniforme (ATKINS, 2006). O estudo da
estrutura dos slidos importante pois podemos compreender, por exemplo, porque os
metis so maleveis mas alguns cristais como o NaCl se quebra sob presso. Neste
trabalho, o estudo da estrutura cristalina do slido ser importante para compreender
como o transporte de matria(eltrons ou quasipartculas) nos metais.

Estrutura Cristalina
Cristais tem como caracterstica um arranjo interno regular(ou peridico) de
seus tomos. Esta periodicidade foi confirmada atravs de experimentos com uso
de difrao de raios X, pois os raios X possuem comprimento de onda da ordem
da distncia interatmica, ou seja, sofrem difrao e podem interferir destrutiva ou
construtivamente ao refletir nos planos cristalinos. Outro experimento importante, e
mais recente, que auxiliou na confirmao da periodicidade dos cristais foi o STM
(Scanning tunneling microscope ou microscpio de corrente de tunelamento) apesar
deste dar informaes apenas da superfcie dos cristais. Atravs da difrao de raios X,
pode-se estimar o raio atmico dos elementos qumicos. Este raio dito estimado pois
os tomos no so esferas rgidas (KITTEL, 2005).
Com estas observaes experimentais e considerando apenas aspectos geo-
mtricos, determinou-se 14 tipos de arranjos chamados de redes de Bravais. A rede de
Bravais especifica o arranjo peridico no qual as unidades repetidas do cristal esto
Captulo 2. Descrio qualitativa e quantitativa do GaAs e AlAs 3

ordenadas (ASHCROFT; MERMIN, 1993). Tais unidades so conhecidas como clulas


unitrias convencionais dos cristais.
A clula unitria a menor unidade de um cristal que, por repetio em qualquer
direo, reproduz (ou reconstri) todo o cristal. caracterizada pelo nmero de tomos,
fator de empacotamento e parmetro de rede.
A rede de Bravais fornece a geometria da estrutura peridica, mas no fornece
informaes sobre a estrutura real. Para descrever a geometria completa do cristal,
deve-se atribuir uma base rede de Bravais. Cada ponto na rede de Bravais pode
representar tanto tomos individuais quanto grupos de tomos, molculas, ons etc.
(ASHCROFT; MERMIN, 1993), sendo assim, a base tem como objetivo descrever o
que cada ponto da rede de Bravais representa no espao real.

Figura 1 Representao do cristal: Composio da rede de Bravais + Base. A Base


informa a composio de cada ponto da rede de Bravais. Pode ser um nico
tomo ou um grupo deles

A rede de Bravais pode ser definida qualitativamente como um arranjo infinito


de pontos, cujo arranjo e orientao so exatamente os mesmos independentemente
do ponto de referncia. Quantitativamente, podemos dizer que os pontos da rede de
Bravais so construdos com vetores de posio que so invariantes por translao, e
possuem a forma a seguir (ASHCROFT; MERMIN, 1993; KITTEL, 2005):

T~ = n1~a1 + n2~a2 + n3~a3 (2.1)

Os vetores ~a1 ,~a2 e ~a3 so vetores que no esto no mesmo plano e so conhe-
cdos como vetores primitivos. Eles geram toda a rede de Bravais. Os nmeros n1 , n2 e
n3 so os parmetros de rede. Na clula cbica, o parmetro de rede denotado por a.
Captulo 2. Descrio qualitativa e quantitativa do GaAs e AlAs 4

Figura 2 Parte de uma rede de Bravais e exemplo de vetores primitivos da rede


em 2 dimenses. Qualquer ponto na rede pode ser descrito como uma
combinao linear dos vetores primitivos ~a1 e ~a2

Figura 3 As 14 redes de Bravais em 3 dimenses e suas respectivas clulas unitrias


convencionais. Ateno especial cbica de face centrada (Cbica F) pois
representa a clula convencional das ligas GaAs e AlAs

Mas numa rede cristalina h interao entre os tomos da rede. Esta interao
(repulsiva e atrativa) tem uma distncia de equilbrio, para dada temperatura e presso,
e est diretamente relacionada com a forma do cristal e distribuio dos tomos na
rede, inclusive na determinao da rede de Bravais e celula unitria convencional do
cristal.
Em resumo, no so apenas fatores geomtricos que influenciam a forma do
cristal e de sua clula unitria, mas tambm a energia de ligao e raio atmico dos
tomos envolvidos.
Captulo 2. Descrio qualitativa e quantitativa do GaAs e AlAs 5

tomos afastados por uma distncia R muito maior do que seus raios atmicos,
porm a uma distncia na qual possam interagir, sofrem uma atrao entre s devida
a distores na nuvem eletrnica causadas reciprocamente, formando dipolos instan-
tneos. Quando os tomos se aproximam, h superposio da nuvem eletrnica e,
quando a distncia muito pequena, os tomos se repelem (KITTEL, 2005). A energia
potencial entre dois tomos descrita pelo potencial de Lennard-Jones e tem a forma

U (R) = 4[(/R)12 (/R)6 ] (2.2)

O termo de potncia 12 representa o potencial repulsivo, enquanto o termo de


potncia 6 representa o potencial atrativo. Os parmetros  e dependem do elemento
qumico.

Figura 4 Comparao entre o potencial emprico e o dado pela equao 2.2 para
o Ar. O ponto de equilbrio, com menor energia de interao, representa a
distncia interatmica e est relacionada com o parmetro de rede para um
cristal

Definindo a energia de coeso por tomo, podemos escrever a energia potencial


U para um slido de N tomos como

1 X 1 X
U= LJ (rij ) = LJ (rij ) (2.3)
N <ij> 2N i6=j

Para a rede de Bravais, peridica e pode se extender ao infinito, podemos


considerar qualquer ponto na rede como a origem do referencial e contabilizar a
energia potencial deste tomo devido a todos os tomos vizinhos.

N
1X
U= LJ (rij ) (2.4)
2 j=2
Captulo 2. Descrio qualitativa e quantitativa do GaAs e AlAs 6

Numa rede cbica simples (fig:5) o potencial do tomo central dado por:

1
U (a) = [6LJ (a) + 12LJ (a 2) + 8LJ (a 3) + ...] (2.5)
2

Figura 5 Arranjo de tomos de uma rede cbica simples

Cada termo da equao representa a soma da contribuio dos tomos mais


prximos ao tomo referncia. Esta equao deixa explcita a dependncia da energia
potncial com o parmetro de rede. O parmetro de rede que minimiza a energia
potncial dada por


dU
=0 (2.6)
da a0

Para a liga GaAs e AlAs, a energia de coeso um pouco diferente, pois


depende a interao entre os tomos de Ga e As do tipo covalente. (. . .)
7

Referncias

ASHCROFT, N.; MERMIN, N. Solid state physics (brooks cole, 1976). Cited on, p. 26,
1993. Citado na pgina 3.

ATKINS, P. Questionando a Vida Moderna e o Meio Ambiente. [S.l.: s.n.], 2006. Citado
na pgina 2.

KITTEL, C. Introduction to solid state physics. [S.l.]: Wiley, 2005. Citado 3 vezes nas
pginas 2, 3 e 5.