UNIVERSIDADE FEDERAL DO ESPRITO SANTO

CENTRO TECNOLGICO
DEPTO DE ENGENHARIA ELTRICA

ELETRNICA DE POTNCIA I
PROF. WILSON ARAGO FILHO

SEMICONDUTORES DE POTNCIA

So tambm chamados de dispostivos de chaveamento ou dispositivos de comutao ou, ainda

dispositivos de potncia (power devices).

Numa classificao quanto aplicao em conversores, pode-se ter:

DIODOS e TIRISTORES Conversores CA/CC

GTO, BJT, MOSFET, IGBT Demais conversores (CC/CC; CA/CA, CC/CA)

O DIODO um dispositivo ativo, mas no-controlado. Os demais so ativos e controlados.

Entenda-se: no controlado ou controlado pelo usurio.

A Controlabilidade do dispositivo especialmente til em fontes do tipo chaveada ou comutada.

A Figura abaixo ilustra um conversor CC/CC elementar, construdo por meio de um transistor
bipolar (ou qualquer interruptor totalmente controlado).
A relao entre o tempo ligado (TON) e a soma do tempo ligado com o desligado (TON +TOFF),
denomiada razo cclica (duty cycle):

D= TON/(TON+TOFF) = TON/T, onde T = perodo da freqncia de comutao.

A tenso mdia sobre o resistor de carga (R) resulta igual a: Eo = D . Ei

Quando a razo cclica mxima (D=1), tem-se a tenso de entrada (Ei) sempre aplicada sada e
Eo = Ei. Quando se tem D = 0, a tenso de sada resulta nula, pois o dispositivo estar sempre aberto
(ou em estado de bloqueio), no deixando passar qualquer corrente.

Esses dispositivos de chaveamento somente sero vistos em Eletrnica de Potncia II. Neste curso
de Eletrnica de Potncia I sero estudados todos os retificadores (ou conversores CA/CC)
monofsicos e trifsicos, no-controlados e controlados.

1) DIODO, Fig. 2: unidirecional em corrente e em tenso. Isto : somente suporta corrente em

um sentido e, da mesma forma, somente suporta tenso com uma polaridade. Se uma tenso
negativa for aplicada ao anodo (A), este a suportar e no entrar em conduo. Caso contrrio,
ele entrar em conduo, deixando-se percorrer por corrente.

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Fig. 1 Conversor CC/CC elementar e formas-de-onda do comando e das tenses Ei e Eo .

Fig. 2 DIODO, smbolo, modelo em conduo e caracterstica esttica de sada.

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2) TIRISTOR, Fig. 3: unidirecional em corrente e bidirecional em tenso, isto , suporta a
tenso em ambas as polaridades: tenses positiva e negativa no anodo. semicondutor de
potncia semi-controlado, na medida em que o usurio somente tem controle sobre o disparo
do dispositivo.

Fig. 3 TIRISTOR: smbolo, modelo em conduo e caracterstica esttica de sada.

3) GTO (Gate Turn-Off Thyristor), Fig. 4: um tiristor totalmente controlado: dispara sob pulso
de corrente positiva no gate e bloqueia sob corrente negativa. No to rpido quanto o tiristor,
nem capaz de manipular potncias to elevadas , em relao ao tiristor.

Fig. 4 GTO: smbolo, modelo em conduo e caracterstica esttica de sada.

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4) BJT (Bipolar Junction Transistor), Fig. 5: o conhecido transistor bipolar muito usado em
circuitos de eletrnica de sinal. Mas tambm bastante usado, ainda, em eletrnica de potncia
chaveada. Est sendo, paulatinamente, substitudo pelo prximo semicondutor, o MOSFET.
unidirecional em corrente e em tenso. Tenso reversa (postiva no emissor em relao ao
coletor, proibida!).

Fig. 5. BJT: smbolo, modelo em conduo e caracterstica esttica de sada.

5) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Fig. 6: Como o BJT,
unidirecional em tenso e em corrente. normalmente usado, em Eletrnica de Potncia, como
chave interruptora, funcionando ou ligado ou desligado; ora em situao de quase-saturao, ora
em modo bloqueado. Observao vlida para todos os semicondutores de potncia totalmente
controlados.

Fig. 6. MOSFET: smbolo, modelo em conduo e caracterstica esttica de sada.

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6) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Fig 7: um hbrido entre o BJT e o MOSFET.
Rene as melhores caractersticas desses ltimos. Resulta um dispositivo de alta freqncia de
chaveamento (ou de comutao), devido ao comando de gate por tenso (e no por corrente,
como no BJT), e com baixas perdas em conduo (possui uma bateria equivalente, em estado
de conduo, como o BJT). Alm de tudo isso, pode ser fabricado para altas tenses e altas
correntes. Tende a susbstituir os dois transistores citados para aplicaes de potncias mais
elevadas (superior a 3kW).

Fig. 7. IGBT: smbolo, modelo em conduo e caracterstica esttica de sada.

7) QUADRO-RESUMO (PRINCIPAIS CARACTERSTICAS):

(Usurio controla...)

Semicondutor Freq. Control. ON OFF Corrente Unidir. Tenso Uni.

1. Diodo * N S S
2. Tiristor (SCR) 5kHz S S N S N
3. GTO 3kHz S S S S N
4. BJT 10kHz S S S S S
5. IGBT 40kHz S S S S S
6. MOSFET 100kHz S S S S S

* Lentos, rpidos, e ultra-rpidos.

DEL/CT/UFES Prof. Wilson Arago Filho (2004/1)

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