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Fontes de Tenso e Corrente parme tro mais importante de um circuito regulador a regulao ou estabilizao, que
mede a variao da sada regulada (tenso ou corrente) como resultado de mudanas em um
ou vrios parmetros do circuito. A seguir definiremos diversos termos para as fontes de
tenso sendo que eles devem ser reinterpretados para fontes de corrente.
Prof. Dr. Sebastio Gomes dos Santos Filho
2.1 INTRODUO
A regulao quanto a tenso de entrada mede as variaes na tenso de sada quando Esta caracterstica mede a variao da tenso de sada quando a resistncia de carga varia de
variamos o nvel CC na entrada do regulador ou a tenso CA de alimentao na entrada da um valor mnimo (situao de plena carga) a um valor mximo (para fontes de tenso
fonte, isto , na entrada do retificador (figura 1). Em especificaes tradicionais, para facilitar normalmente carga infinita, ou em aberto), considerando a tenso de entrada e a temperatura
a caracterizao da fonte, a regulao de entrada dividida em duas componentes, a constantes.
regulao de linha e a rejeio de ripple. Note porm que estas duas parcelas tm um
significado mais restritivo que a regulao de entrada e portanto no refletem todas as VS R L = R Lmx VS R L = R L min
variaes observadas pela regulao de entrada. RC = 100 % (9)
VS R L = R Lmx
2.2.1.1 Regulao de Linha ( R Li )
Para circuitos reguladores, esta caracterstica refere-se estabilidade da tenso de sada em
importante observar que dois reguladores podem ter exatamente o mesmo valor para
relao a variaes CC numa suposta tenso de entrada CC livre de ondulaes (ripple),
regulao de carga e no entanto comportarem-se de forma totalmente diferente em condies
mantendo-se a resistncia de carga constante (plena carga).
dinmicas, isto , quando cargas transientes so aplicadas.
VS O procedimento habitual para medir a regulao de carga ajustar o valor da carga
R Li = R L =cte (4) correspondente mnima corrente ( em geral zero), medir o valor da tenso de sada, ajustar
VE
o valor da carga para a mxima corrente e medir o valor da tenso de sada. As medidas so
2.2.1.2 Rejeio de Ripple (RR) realizadas com intervalo suficiente para que o regulador se estabilize para cada um dos valores
de corrente de sada.
Esta caracterstica mede, para uma determinada carga de sada, a atenuao ou diminuio da
Infelizmente, na prtica muitas das cargas so menos pacientes. Se um regulador no
ondulao (ripple) de entrada ao passar pelo circuito regulador.
consegue responder rapidamente a variaes na corrente de sada (sua resposta em
VPPS freqncia limitada), variaes instantneas na tenso de sada vo ocorrer. Essa variao
Ripple de Sada
VS Ripple de Sada instantnea causada por uma carga pode afetar o desempenho dos circuitos alimentados e, se
RR = ou RR(dB) = 20 log (5)
Ripple de Entra da VPPE Ripple de Entrada tivermos vrios circuitos alimentados ao mesmo tempo (que podemos encarar como vrias
VE cargas) a variao instantnea causada por uma carga pode afetar as outras atravs da fonte
de alimentao. Isto muito comum em circuitos digitais.
Para ond ulao triangular:
2.2.3 Fator de Rendimento
VPPS
Valor Eficaz da Componente Alternada de Sada 2 3 O Fator de Rendimento ( ) determina a parcela da potncia fornecida na entrada do circuito
Ripple de Sada = = (6) que efetivamente entregue carga. No caso de circuitos reguladores, pode-se estabelecer
Tens o Contnua de Sada VS
que:
VPPE
Valor Eficaz da Componente Alternada de Entrada VS I S
Ripple de Entrada = = 2 3 (7) = 100%
Tenso Contnua de Entrada VE VE I E
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2.3 REGULADORES A TRANSISTOR Os valores da constante variam de transistor para transistor, mas de forma geral situa -se na
faixa de 0,95 1,00. O valor da constante por sua vez varia de 20 a 1000 na maioria dos
transistores. Durante a operao normal do transistor, a juno base-emissor apresenta uma
2.3.1 Relaes Bsicas do Transistor Bipolar tenso constante cujo valor situa-se na faixa de 0,5V a 0,7V para transistores de silcio.
O transistor bipolar apresenta mais duas regies de operao, nas quais as relaes
O transistor de juno consiste em duas junes que esto proximamente interligadas pelo
lineares anteriormente apresentadas deixam de ser vlidas. Dizemos que o transistor est
lado N ou pelo lado P, formando um transistor PNP ou NPN, respectivamente. Na figura 3 saturado , quando as junes base-emissor e base-coletor esto diretamente polarizadas de
temos uma representao dos dois tipos de transistores bipolares bem como seus smbolos e
modo que a tenso coletor-emissor fica prxima de zero. Por outro lado, dizemos que um
os respectivos sentidos da tenso e da corrente.
transistor est cortado quando as junes base-emissor e coletor-base esto ambas
A regio central do transistor chamada de regio de base. Se uma tenso aplicada
reversamente polarizadas e como resultado, a corrente entre o coletor e o emissor prxima
entre o coletor e o emissor do transistor, conforme indicado na figura 3, a juno base
de zero.
emissor ficar diretamente polarizada e a juno base-coletor ficar reversamente polarizada.
Na sua regio de operao normal , o transistor no pode ultrapassar determinados,
Como resultado, tomando o transistor NPN como exemplo, eltrons da regio N cruzam a
limites de tenso, corrente e potncia que so comumente especificados pelo fabricante. Estes
base e lacunas da base passam para regio N. Os eltrons ao entrar na base difundem atravs
limites so os seguintes:
da mesma (praticamente sem se recombinarem) em direo a juno coletor-base
reversamente polarizada. Logo que estes eltrons entram na camada de depleo associada
ICmx Corrente mxima de coletor
com a juno coletor-base, estes so acelerados em direo ao coletor. Se injetarmos uma
corrente na base, uma maior quantidade de eltrons sero atrados e injetados na base em VCemx Tenso mxima entre coletor e emissor
direo ao coletor resultando numa maior corrente de coletor. PCmx Potncia mxima do coletor
Como resultado do efeito transistor, que foi descrito anteriormente de forma simplificada,
podemos estabelecer relaes matemticas que descrevem o funcionamento do transistor na
regio de operao linear (tambm conhecida como normal ou ativa) ou
seja:
IE = IC + I B (10)
IC
cons tan te = (11)
IE
IC
cons tan te = = (12)
IB 1
IE 1
cons tan te = + 1 = (13)
IB 1 Figura 4: Regio ativa de operao do transistor
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2.3.2 Diodo Zener 2.3.3 Fonte Regulada com Diodo Zener
O diodo zener um dispositivo especialmente projetado para operar reversamente polarizado A caracterstica do diodo zener de manter uma tenso constante entre seus terminais pode ser
em uma regio de ruptura controlada por efeito zener. Para que o efeito zener ocorra, utilizada na obteno de uma fonte de tenso regulada. A figura 6 abaixo mostra uma fonte
devemos ter uma juno P-N abrupta com concentraes de dopantes elevadas em cada regulada utilizando diodo zener e resistor.
lado da juno. Como resultado, a barreira de potencial torna-se bastante abrupta de modo
que a aplicao de uma pequena tenso reversa (alguns volts) suficiente para provocar o
tunelamento dos eltrons diretamente da faixa de valncia para a faixa de conduo. Assim,
numa tenso de zener caracterstica, observa-se um aumento substancial da corrente reversa.
A figura 5 mostra a curva caracterstica ID xV D de um diodo zener tpico.
A bateria E na figura 6 representa uma fonte no regulada cuja tenso varia na faixa entre
Emin e Emx . Podemos ento calcular a resistncia R que vai limitar a corrente mxima atravs
do diodo e tambm a resistncia de carga mnima (RLmn ) que corresponde a corrente mxima
Figura 5: Curva caracterstica IDxV D do diodo zener que a sada da fonte pode fornecer.
A resistncia R deve ser dimensionada de forma que mesmo na situao em que a
O diodo zener ideal possui uma resistncia interna RZ nula e tenso de operao caracterstica resistncia de carga infinita, no seja ultrapassada a corrente mxima atravs do diodo,
VZ = VZmn = V Zmax enquanto que o diodo real apresenta uma resistncia interna RZ da ordem portanto:
de dcimos de ohms at no mximo alguns ohms. A tenso de ruptura, tambm chamada de
E mx VZ E VZ
tenso zener (VZ), caracterstica do diodo. Esta tenso apresenta valores desde alguns I Z mx, ou R max (18)
R I Z max
volts, at dezenas de volts para os diodos zener comerciais.
Normalmente, o fabricante especifica no manual de operao a corrente mxima que
pode circular atravs do diodo (IZmx ), a corrente mnima que deve circular atravs do diodo Para calcular o valor da corrente mxima na carga (ILmx ) ou o valor mnimo da resistncia
(I zmin ) para que ele ainda esteja na regio zener, a resistncia interna (RZ), a tenso zener para de carga (RLmn ), temos que considerar a pior condio em relao a fonte no regulada, que
dada corrente de operao, potncia mxima que o diodo pode dissipar (PZ) e a sensibilidade ocorre quando o valor de E mnimo. Nestas condies temos:
de tenso zener com a temperatura (S). O valor da corrente mxima no zener pode ser obtido
E min Vz
aproximadamente a partir de potncia mxima do diodo zener (normalmente um valor I1 =
arredondado) como segue: R
PZmx
I Zmx = (17) Quando a carga mnima (ILmx ) temos que a maior parte de I1 destina-se carga. Nesta
VZ condio deve-se garantir que IZIZmm. Logo:
O valor da corrente mnima do diodo, de modo que a tenso zener ainda seja constante E mi n Vz
em primeira aproximao, geralmente tomado como sendo igual a 5% da corrente mxima I L mx = I Z mi n (19)
permissvel (IZmx ).
R
I Zmn = 5 % I Zmx O valor da resistncia mnima de carga ser ento:
Vz
R L mi n = (20)
I L mx
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O diodo zener na regio de operao reversa pode ser modelado como uma bateria de 2.3.4 Fonte Regulada com Transistor e Diodo Zener
valor VZ0 em srie com uma resistncia de valor RZ (o valor V Z0 pode ser obtido a partir dos
valores nominais VZnom , IZnom e RZ fornecidos no manual do fabricante do diodo zener, como Na figura 8 mostrado um regulador srie de tenso em que o transistor, alm de permitir
ilustra a figura 7). A figura 7 mostra o circuito equivalente a ser analisado. As mudanas na multiplicar a corrente de carga, funciona como um resistor varivel em srie com o resistor de
tenso de entrada VE e da sensibilidade da tenso zener VZ com a temperatura supondo que carga a fim de que a tenso de sada se mantenha constante, por imposio de projeto. Neste
RL e RZ apresentem valores fixos. Nesta situao demonstra-se que a seguinte expresso: circuito foi mantido o diodo zener como regulador, mas foi introduzido o transistor entre o
resistor de carga e diodo zener. Comparado ao caso exposto no item anterior, a corrente
desviada para a base do transistor +1 vezes menor que a corrente na carga (uma vez que
VE
Vs = + Tc T VZnom (21) o transistor opera na regio normal).
Rz + RL
1+ R
Rz RL
Como na anlise feita no item anterior, a corrente mxima na base do transistor obtida
atravs de expresso 19. Portanto a corrente mxima na carga ser +1 vezes maior, ou seja:
IL ' = IE = ( + 1) IB (23)
PCmx
Figura 7: Circuito Equivalente do Regulador de Tenso com diodo zener I L '' I Cmx ' (24) VCE VCEmx (25) IL''' (26)
VCE
onde a tenso entre coletor e emissor dada por: VCE = E mx (V Z V BE ) (27)
e a tenso Emx , corresponde ao valor mximo da bateria E.
A corrente mxima na carga ser portanto o mnimo valor obtido das expresses 23, 24 e
25. Ou seja,
I Lmx = min (I L ', I L '' , I L''' ) (28)
VS
O valor mnimo da resistncia de carga ser portanto: R L mi m =
I L mx (32)
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2.3.5 Fonte de Corrente a Transistor
VZ VBE
IE =
RE
(30)
Considerando que a corrente de coletor praticamente igual a corrente de emissor a corrente
no resistor de carga ser constante e igual a I E (expresso 30).
Neste tipo de regulador, ao contrrio do regulador de tenso, temos a limitao de
resistncia mxima de carga. A queda de tenso sobre o resistor R B dada por:
VR B = E VZ (31)
O circuito deixa de ser uma fonte de corrente no instante em que a queda de tenso sobre
o resistor de carga supera a queda de tenso sobre o resistor RB . Nesta situao, a juno
coletor-base passa a ficar diretamente polarizada e o transistor entra na regio de saturao.
O valor mximo de resistncia de carga pode ser obtida na condio em que a queda de
tenso coletor-base se anula (VR L = VR B ).
E VZ
R Lmx = (32)
IL
2.4 BIBLIOGRAFIA