PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 1

Amplificador de Potência
N. S, G ABRIEL ; M. T. S, S AMUEL
P ROFESSOR : RUBEM D REHER
Universidade do Vale do Rio dos Sinos

Resumo: O amplificador de potência é um circuito
eletrônico capaz de amplificar um pequeno sinal em grandes
nı́veis de tensão e corrente por meio de circuitos amplifi-
cadores transistorizados, tratanto o sinal em dois segmentos
de amplificação, etapa de pré amplificação e potência, onde
o pré contém dois conjuntos dedicados especificamente para
uso de microfone dinâmico e smartphone, fornecendo potência
máxima de 5,36W
ao smartphone. Os dois sistemas são formados por amplifica-
dores transistorizados nas configurações emissor comum (EC)
e coletor comum (CC), para o microfone dois estágios EC-CC
e apenas um EC-CC para o smartphone, devido as diferentes
amplitudes dos sinais.

I. I NTRODUÇ ÃO
O amplificador conjuntura um circuito em duas etapas
onde o sinal de baixa amplitude é pré amplificado para um
valor médio e acoplado a etapa de potência, etapas essas que
Figura 2. Pré amplificador para microfone.
diferem-se basicamente no ganho de corrente, isso é, capaz
de amplificar um pequeno sinal de entrada em um sinal de
saı́da com alta maginute de tensão e corrente, sendo capaz de
acionar cargas de baixa impedância.

II. R EFERENCIAL T E ÓRICO

A estrutura analı́tica do amplificador é dividida em dois
segmentos: amplificador de potência e o pré amplificador.

Figura 3. Pré amplificador para smartphone.

A. Microfone

Diferentemente do smartphone (150 mV) a amplitude do

sinal emitido pelo microfone gira em torno de 50 mV e possui
impedância de saı́da de 600 Ω, por especificação de projeto a
impedância de entrada desse pré amplificador deve estar entre
100 Ω e 1 kΩ, considerando a perda de amplitude do sinal de
Figura 1. Diagrama do amplificador. entrada o circuito é formado por quatro amplificadores (etapas)
ajustados para um ganho total de 48,29 dB.
As especificações do projeto são relacionados conforme a
tabela abaixo:
Tabela I
E SPECIFICAÇ ÕES DO A MPLIFICADOR

Requisito Valor
Tensão DC 15V
Impedância de Entrada entre 100Ω e 1kΩ
Carga (RL) 4Ω
Potência AC 3W

Figura 4. Circuito pré amplificador do microfone.

III. P R É A MPLIFICADOR
O pré amplificador trata-se de dois conjuntos dedicados, 1) Emissor Comum (1): A primeira etapa do pré amplifi-
uma pré amplificação voltada ao microfone dinâmico e outra cador trata-se do emissor comum abaixo:
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 2

Figura 7. 1a Etapa - Equivalente AC.

Figura 5. 1a Etapa - Emissor Comum.

VT 25 mV
r0 e = = = 6,17 Ω (7)
Por meio do equivalente DC podemos obter os valores de IE 4,04 mA
polarização:
1
Zin = 1 1 1 (8)
R1 + R2 + β(R4+r 0 e)

Considerando o hfe=100:
1
Zin = 1 1 1 = 981 Ω (9)
8,2 kΩ + 1,2 kΩ + 100(150 Ω+6,17 Ω)

Zout ≈ R3 = 1,8 kΩ (10)

Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
1 1
rc = 1 1 = 1 1 = 1,64 kΩ (11)
R3 + RL 1,8 kΩ + 19,55 kΩ

rc 1,64 kΩ
A= 0
= = 10, 55 (12)
R4 + r e 150 Ω + 6,17 Ω
Figura 6. 1a Etapa - Equivalente DC. Zin
V out = ( ∗ V mic) ∗ A (13)
Zin + RF

981 Ω
R2 1,2 kΩ V out = ( ∗ 23 mV) ∗ 10, 55 (14)
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (1) 981 Ω + 600 Ω
R2 + R1 1,2 kΩ + 8,2 kΩ
V out = 150,44 mV (15)

V B = 1,91 V (2) O dimensionamento dos capacitores segue a regra de projeto

em que a reatância capacitiva deve ser entre 10 e 100 vezes
menor que a resistência associada a ele, considerando a
V E = V B − 0, 7 = 1,21 V (3) frequência de corte 1 kHz mesmo os sinais sonoros que variam
na faixa audı́vel de 20 Hz à 20 kHz serão reproduzidos pelo
amplificador.
VE 1,21 V Para o capacitor de acoplamento:
IE = = = 4,04 mA (4)
R4 + R5 150 Ω + 150 Ω Zin 981 Ω
XC2 = = = 9,81 Ω (16)
100 100
V CE = V dc − (V E + RC ∗ IE) (5) 1 1
C2 = = (17)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 9,81 Ω
V CE = 15 − (1, 21 + 1, 8k ∗ 4, 04m) = 6,5 V (6)
C2 = 16,2 µF (18)
Considerando o equivalente AC temos: Pela disponibilidade do laboratório C2=22 µF.
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Para o capacitor de by-pass:

Re
XC3 = (19)
100
Onde Re é a resistência ca vista pelo capacitor, RF a
resistência da fonte (microfone 600 Ω) e RB o paralelo entre
os resistores de polarização (R1//R2).
1
Re = 1 1 (20)
R5 + RF //RB
R4+(r 0 e+ β )

1
Re = 1 1 = 77,41 Ω (21)
150 + 600//1,04k
150+(6,17+ 100 )

77,41 Ω Figura 8. Retas de Carga da 1a Etapa

XC3 = = 0,774 Ω (22)
100
A máxima excursão de pico a pico é dada por:
1 1
C3 = = (23)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 0,774 Ω M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (36)

C3 = 205,58 µF (24)
M P Pesquerda = 2 ∗ 6,5 V = 13 Vpp (37)
Por disponibilidade laboratorial C3=220 µF.
Para o capacitor de desacoplamento:
RL + Zout//RC 19,55 kΩ + 1,8 kΩ/2 M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ rc (38)
XC4 = = (25)
100 100

XC4 = 204,5 Ω (26) M P Pdireita = 2 ∗ 4,04 mA ∗ 1,64 kΩ = 6,62 Vpp (39)

1 1 Pelo fato das excursões nãos serem iguais, a MPP está

C4 = = (27)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 204,5 Ω limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
esse circuito isso é 6,62 Vpp, porém o sinal excursionado é
C4 = 778,26 nF (28) Vout=300 mVpp, sendo os valores obtidos suficientes.
O capacitor C4 como dimensionado oferece uma reatância
2) Coletor Comum (2): A segunda etapa do pré amplifica-
capacitiva de 204,5 Ω, o que mesmo pela regra de projeto
dor trata-se do coletor comum abaixo:
pode-se considerar alta, buscando um valor menor utilizou-se
C4=33 µF, cuja reatância é de 4,82 Ω.

As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações

abaixo:
ICQ = IE = 4,04 mA (29)

V ECQ = V CE = 6,5 V (30)

V dc − V E 15 V − 1,21 V
ICsat = = = 7,66 mA (31)
RC 1,8 kΩ

V CEQ
Icmax = ICQ + (32)
rc

6,5 V
Icmax = 4,04 mA + = 7,99 mA (33)
1,64 kΩ
Figura 9. 2a Etapa - Coletor Comum.
Vcea = V CEQ + ICQ ∗ rc (34)
Por meio do equivalente DC podemos obter os valores de
Vcea = 6,5 V + 4,04 mA ∗ 1,64 kΩ = 13,17 V (35) polarização:
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 4

Considerando a ligação Darlington o ganho total (hfe) é o

produto entre os ganhos individuais de cada transistor, sendo
então:
hf e = β(Q20) ∗ β(Q21) = 1002 = 10k (49)

1
Zin ≈ 1 1 = 19,55 kΩ (50)
33 kΩ + 48 kΩ

R38//R39 Zin
Zout = R40//(r0 e + ) ≈ r0 e + (51)
hf e hf e

Figura 10. 2a Etapa - Equivalente DC. 19,55 kΩ

Zout ≈ 0,5 Ω + = 2,45 Ω (52)
10k
Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
R39 48 kΩ 1 1
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (40) re = 1 1 = 1 1 = 133,33 Ω (53)
R39 + R38 48 kΩ + 33 kΩ R40 + RL 150 Ω + 1,2 kΩ

V B = 8,88 V (41) re 133,33 Ω

A= = = 0, 996 (54)
re + r0 e 133,33 Ω + 0,5 Ω
V E = V B − 1, 4 = 7,48 V (42) Zin
V out = ( ∗ V in) ∗ A (55)
Zin + Zout
VE 7,48 V
IE = = = 49,92 mA (43) 19,55 kΩ
R40 150 Ω V out = ( ∗ 150,44 mV) ∗ 0, 996 (56)
19,55 kΩ + 1,8 kΩ
V CE = V dc − V E = 15 V − 7,48 V = 7,51 V (44)
V out = 149,84 mV (57)

P RE = IE 2 ∗ RE (45) De semelhante modo o dimensionamento segue a mesma

regra:
Para o capacitor de desacoplamento:
P RE = 49,92 mA2 ∗ 150 Ω = 373,9 mW (46)
Zin 1,2 kΩ
XC12 = = = 12 Ω (58)
Considerando o equivalente AC temos: 100 100
1 1
C12 = = (59)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 12 Ω

C12 = 13,26 µF (60)

Pela disponibilidade do laboratório C12=22 µF.

As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações

abaixo:
ICQ = IE = 49,92 mA (61)

V ECQ = V CE = 7,51 V (62)

V dc 15 V
Figura 11. 2a Etapa - Equivalente AC. ICsat = = = 100 mA (63)
RE 150 Ω
V CEQ
Iemax = ICQ + (64)
VT 25 mV re
0
re= = = 0,5 Ω (47)
IE 49,92 mA 7,51 V
Iemax = 49,92 mA + = 106,16 mA (65)
133,33 Ω
1
Zin = 1 1 1 (48)
R38 + R39 + hf e(R40+r 0 e) Vcea = V CEQ + ICQ ∗ re (66)
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 5

Vcea = 7,51 V + 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 14,15 V (67)

Figura 14. 3a Etapa - Equivalente DC.

Figura 12. Retas de Carga da 2a Etapa

R7 1,5 kΩ
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (72)
A máxima excursão de pico a pico é dada por: R7 + R6 1,5 kΩ + 11 kΩ
M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (68) V B = 1,8 V (73)

M P Pesquerda = 2 ∗ 7,51 V = 15 Vpp (69) V E = V B − 0, 7 = 1,1 V (74)

VE 1,1 V
M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ re (70) IE = = = 3,66 mA (75)
R9 + R10 150 Ω + 150 Ω

M P Pdireita = 2 ∗ 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 13,31 Vpp (71) V CE = V dc − (V E + RC ∗ IE) (76)

Pelo fato das excursões não serem iguais, a MPP está V CE = 15 − (1, 1 + 1, 8k ∗ 3, 66m) = 7,3 V (77)
limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
esse circuito isso é 13,31 Vpp, porém o sinal excursionado é Considerando o equivalente AC temos:
Vout=299,68 mVpp, sendo os valores obtidos suficientes.

3) Emissor Comum (3): A terceira etapa do pré amplifica-

dor trata-se do emissor comum abaixo:

Figura 15. 1a Etapa - Equivalente AC.

VT 25 mV
r0 e = = = 6,81 Ω (78)
IE 3,66 mA

1
Zin = 1 1 1 (79)
R6 + R7 + β(R9+r 0 e)
Figura 13. 3a Etapa - Emissor Comum.
Considerando o hfe=100:
1
Por meio do equivalente DC podemos obter os valores de Zin = 1 1 1 = 1,2 kΩ (80)
+ + 100(150 Ω+6,81
polarização: 11 kΩ 1,5 kΩ Ω)
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 6

Zout ≈ R8 = 1,8 kΩ (81) C6=33 µF, cuja reatância é de 4,82 Ω.

Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações
1 1 abaixo:
rc = 1 1 = 1 1 = 1,64 kΩ (82)
R8 + RL 1,8 kΩ + 19,55 kΩ
ICQ = IE = 3,66 mA (97)
rc 1,64 kΩ
A= 0
= = 10, 51 (83)
R9 + r e 150 Ω + 6,81 Ω V ECQ = V CE = 7,3 V (98)

Zin
V out = ( ∗ V mic) ∗ A (84) V dc − V E 15 V − 1,1 V
Zin + RF ICsat = = = 7,72 mA (99)
RC 1,8 kΩ
1,2 kΩ
V out = ( ∗ 149,84 mV) ∗ 10, 51 (85) V CEQ
1,2 kΩ + 2,45 Ω Icmax = ICQ + (100)
rc
V out = 1,57 V (86)
7,3 V
Os capacitores são dimensionados abaixo: Icmax = 3,66 mA + = 8,09 mA (101)
1,64 kΩ
O capacitor de acoplamento é o mesmo capacitor de
desacoplamento da etapa anterior (CC), C12=22 µF.
Vcea = V CEQ + ICQ ∗ rc (102)
Para o capacitor de by-pass:
Re Vcea = 7,3 V + 3,66 mA ∗ 1,64 kΩ = 13,34 V (103)
XC3 = (87)
100
Onde Re é a resistência ca vista pelo capacitor, RF a
impedância de saı́da do último estágio (2,45 Ω) e RB o paralelo
entre os resistores de polarização (R6//R7).
1
Re = 1 1 (88)
R10 + RF //RB
R9+(r 0 e+ β )

1
Re = 1 1 = 76,67 Ω (89)
150 + 2,45//1,32k
150+(6,81+ 100 )

76,67 Ω
XC5 = = 0,766 Ω (90)
100

1 1
C5 = = (91)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 0,766 Ω Figura 16. Retas de Carga da 3a Etapa

C5 = 207,58 µF (92)
A máxima excursão de pico a pico é dada por:
Por disponibilidade laboratorial C5=220 µF.
Para o capacitor de desacoplamento: M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (104)
RL + Zout//RC 19,55 kΩ + 1,8 kΩ/2
XC6 = = (93) M P Pesquerda = 2 ∗ 7,3 V = 14,6 Vpp (105)
100 100

XC6 = 204,5 Ω (94)

M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ rc (106)
1 1
C6 = = (95) M P Pdireita = 2 ∗ 3,66 mA ∗ 1,64 kΩ = 6,00 Vpp (107)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC6 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 204,5 Ω

C6 = 778,26 nF
O capacitor C6 como dimensionado oferece uma reatância
capacitiva de 204,5 Ω, o que mesmo pela regra de projeto
pode-se considerar alta, buscando um valor menor utilizou-se
(96) Pelo fato das excursões nãos serem iguais, a MPP está
limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
esse circuito isso é 6,00 Vpp, porém o sinal excursionado é
Vout=3,14 Vpp, sendo os valores obtidos suficientes.
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 7

4) Coletor Comum (4): A quarta etapa do pré amplificador P RE = 49,92 mA2 ∗ 150 Ω = 373,9 mW (114)
trata-se do coletor comum abaixo:
Considerando o equivalente AC temos:

Figura 19. 4a Etapa - Equivalente AC.

Figura 17. 4a Etapa - Coletor Comum.

VT 25 mV
r0 e = = = 0,5 Ω (115)
Por meio do equivalente DC podemos obter os valores de IE 4,04 mA
polarização: 1
Zin = 1 1 1 (116)
R11 + R12 + hf e(R13+r 0 e)

Considerando a ligação Darlington o ganho total (hfe) é o

produto entre os ganhos individuais de cada transistor, sendo
então:
hf e = β(Q3) ∗ β(Q4) = 1002 = 10k (117)

1
Zin ≈ 1 1 = 19,55 kΩ (118)
33 kΩ + 48 kΩ

R38//R39 Zin
Zout = R13//(r0 e + ) ≈ r0 e + (119)
hf e hf e

19,55 kΩ
Zout ≈ 0,5 Ω + = 2,45 Ω (120)
10k
Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
Figura 18. 4a Etapa - Equivalente DC. 1 1
re = 1 1 = 1 1 = 142,11 Ω (121)
R150 + RL 150 Ω + 2,7 kΩ

R12 48 kΩ re 142,11 Ω
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (108) A= 0
= = 0, 996 (122)
R12 + R11 48 kΩ + 33 kΩ re + r e 142,11 Ω + 0,5 Ω

V B = 8,88 V (109) Zin

V out = ( ∗ V in) ∗ A (123)
Zin + Zout
V E = V B − 1, 4 = 7,48 V (110) 19,55 kΩ
V out = ( ∗ 1,57 V) ∗ 0, 996 (124)
19,55 kΩ + 1,8 kΩ
VE 7,48 V
IE = = = 49,92 mA (111)
R13 150 Ω V out = 1,56 V (125)

V CE = V dc − V E = 15 V − 7,48 V = 7,51 V (112) As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações

abaixo:
P RE = IE 2 ∗ RE (113) ICQ = IE = 49,92 mA (126)
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 8

V ECQ = V CE = 7,51 V (127)

V dc 15 V
ICsat = = = 100 mA (128)
RE 150 Ω

V CEQ
Iemax = ICQ + (129)
re

7,51 V
Iemax = 49,92 mA + = 106,16 mA (130)
133,33 Ω

Vcea = V CEQ + ICQ ∗ re (131) Figura 21. Circuito pré amplificador do smartphone.

Vcea = 7,51 V + 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 14,15 V (132) 1) Emissor Comum (1): A primeira etapa do pré amplifi-
cador trata-se do emissor comum abaixo:

Figura 20. Retas de Carga da 4a Etapa Figura 22. 1a Etapa - Emissor Comum.

A máxima excursão de pico a pico é dada por: Por meio do equivalente DC podemos obter os valores de
polarização:
M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (133)

M P Pesquerda = 2 ∗ 7,51 V = 15 Vpp (134)

M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ re (135)

M P Pdireita = 2 ∗ 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 13,31 Vpp (136)

Pelo fato das excursões não serem iguais, a MPP está

limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
esse circuito isso é 13,31 Vpp, porém o sinal excursionado é
Vout=3,13 Vpp, sendo os valores obtidos suficientes.

B. Smartphone
Figura 23. 1a Etapa - Equivalente DC.
O sinal oriundo do smartphone tem amplitude maior em
relação ao sinal do microfone, por isso, não é necessário am-
plificar o sinal tantas vezes. Assim o circuito pré amplificador
dedicado do smartphone é formado por dois amplificadores (2 R2 15 kΩ
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (137)
etapas) ajustados para um ganho total de 32,73 dB. R2 + R1 15 kΩ + 110 kΩ
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 9

1 1
V B = 1,8 V (138) C7 = = (153)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 71,67 Ω
V E = V B − 0, 7 = 1,1 V (139)
C7 = 2,2 µF (154)
VE 1,1 V Buscando uma reatância capacitiva em menor do que 10 Ω o
IE = = = 3,66 mA (140)
R17 + R18 150 Ω + 150 Ω capacitor escolhido foi de C7=22 µF, cuja reatância é 7,23 Ω.
Para o capacitor de by-pass:
V CE = V dc − (V E + RC ∗ IE) (141)
Re
XC8 = (155)
V CE = 15 − (1, 1 + 1, 8k ∗ 3, 66m) = 7,3 V (142) 100
Onde Re é a resistência ca vista pelo capacitor, RF a
Considerando o equivalente AC temos:
resistência da fonte (telefone 300 Ω) e RB o paralelo entre
os resistores de polarização (R14//R15).
1
Re = 1 1 (156)
R18 + RF //RB
R17+(r 0 e+ β )

1
Re = 1 1 = 77,35 Ω (157)
150 + 300//1,2k
150+(6,81+ 100 )

77,35 Ω
XC3 = = 0,773 Ω (158)
100

Figura 24. 1a Etapa - Equivalente AC. 1 1

C3 = = (159)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 0,773 Ω

VT 25 mV C3 = 205,73 µF (160)
r0 e = = = 6,81 Ω (143)
IE 4,04 mA Por disponibilidade laboratorial C3=220 µF.
Para o capacitor de desacoplamento:
1
Zin = 1 1 1 (144) RL + Zout//RC 19,55 kΩ + 1,8 kΩ/2
R14 + R15 + β(R17+r 0 e) XC9 = = (161)
100 100
Considerando o hfe=100:
1 XC9 = 204,5 Ω (162)
Zin = 1 1 1 = 7,1 kΩ (145)
110 kΩ + 15 kΩ + 100(150 Ω+6,81 Ω)
1 1
C9 = = (163)
Zout ≈ R16 = 1,8 kΩ (146) 2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 204,5 Ω
Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
C9 = 778,26 nF (164)
1 1
rc = 1 1 = 1 1 = 1,64 kΩ (147) O capacitor C9 como dimensionado oferece uma reatância
R16 + RL 1,8 kΩ + 19,55 kΩ
capacitiva de 204,5 Ω, o que mesmo pela regra de projeto
rc 1,64 kΩ pode-se considerar alta, buscando um valor menor utilizou-se
A= = = 10, 51 (148) C9=33 µF, cuja reatância é de 4,82 Ω.
R17 + r0 e 150 Ω + 6,81 Ω

Zin As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações

V out = ( ∗ V tel) ∗ A (149) abaixo:
Zin + RF
ICQ = IE = 3,66 mA (165)
7,1 kΩ
V out = ( ∗ 150 mV) ∗ 10, 55 (150)
7,1 kΩ + 300 Ω
V ECQ = V CE = 7,3 V (166)
V out = 1,53 V (151)
V dc − V E 15 V − 1,1 V
Seguindo a regra de dimensionamento dos capacitores: ICsat = = = 7,72 mA (167)
RC 1,8 kΩ
Para o capacitor de acoplamento:
Zin 7,1 kΩ V CEQ
XC7 = = = 71,67 Ω (152) Icmax = ICQ + (168)
100 100 rc
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 10

7,3 V
Icmax = 3,66 mA + = 8,09 mA (169) Por meio do equivalente DC (Figura 10) podemos obter os
1,64 kΩ valores de polarização:

Vcea = V CEQ + ICQ ∗ rc (170)

Vcea = 7,3 V + 3,66 mA ∗ 1,64 kΩ = 13,34 V (171)

Figura 27. 2a Etapa - Equivalente DC.

Figura 25. Retas de Carga da 1a Etapa R19 48 kΩ

VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (176)
R19 + R20 48 kΩ + 33 kΩ
A máxima excursão de pico a pico é dada por:
V B = 8,88 V (177)
M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (172)
V E = V B − 1, 4 = 7,48 V (178)
M P Pesquerda = 2 ∗ 7,3 V = 14,6 Vpp (173)
VE 7,48 V
IE = = = 49,92 mA (179)
M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ rc (174) R21 150 Ω

V CE = V dc − V E = 15 V − 7,48 V = 7,51 V (180)

M P Pdireita = 2 ∗ 3,66 mA ∗ 1,64 kΩ = 6,00 Vpp (175)

Pelo fato das excursões nãos serem iguais, a MPP está P RE = IE 2 ∗ RE (181)
limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
esse circuito isso é 6,00 Vpp, porém o sinal excursionado é P RE = 49,92 mA2 ∗ 150 Ω = 373,9 mW (182)
Vout=3,1 Vpp, sendo os valores obtidos suficientes.
Considerando o equivalente AC temos:
2) Coletor Comum (2): A segunda etapa do pré amplifica-
dor trata-se do coletor comum abaixo:

Figura 28. 2a Etapa - Equivalente AC.

VT 25 mV
r0 e = = = 0,5 Ω (183)
Figura 26. 2a Etapa - Coletor Comum. IE 49,92 mA
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 11

1
Zin = 1 1 1 (184)
R19 + R20 + hf e(R21+r 0 e)

Considerando a ligação Darlington o ganho total (hfe) é o

produto entre os ganhos individuais de cada transistor, sendo
então:

hf e = β(Q9) ∗ β(Q10) = 1002 = 10k (185)

1
Zin ≈ 1 1 = 19,55 kΩ (186)
33 kΩ + 48 kΩ

R19//R20 Zin
Zout = R21//(r0 e + ) ≈ r0 e + (187)
hf e hf e Figura 29. Retas de Carga da 4a Etapa

19,55 kΩ A máxima excursão de pico a pico é dada por:

Zout ≈ 0,5 Ω + = 2,45 Ω (188)
10k
M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (201)
Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
1 1 M P Pesquerda = 2 ∗ 7,51 V = 15 Vpp (202)
re = 1 1 = 1 1 = 142,11 Ω (189)
R21 + RL 150 Ω + 2,7 kΩ

M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ re (203)

re 142,11 Ω
A= = = 0, 996 (190)
re + r0 e 142,11 Ω + 0,5 Ω M P Pdireita = 2 ∗ 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 13,31 Vpp (204)

Zin Pelo fato das excursões não serem iguais, a MPP está
V out = ( ∗ V in) ∗ A (191) limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
Zin + Zout
esse circuito isso é 13,31 Vpp, porém o sinal excursionado é
Vout=3,1 Vpp, sendo os valores obtidos suficientes.
19,55 kΩ
V out = ( ∗ 1,53 V) ∗ 0, 996 (192)
19,55 kΩ + 1,8 kΩ

IV. A MPLIFICADOR DE P OT ÊNCIA

V out = 1,52 V (193)
A. Chave+Volume
As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações Trata-se de uma chave com duas posições e um comum, em
abaixo: que é possı́vel alterar entre duas posições, fazendo com que
haja a escolha do sistema dedicado de pré amplificação. Em
ICQ = IE = 49,92 mA (194)
seguida um potenciômetro cuja função é controlar a amplitude
do sinal entre os segmentos de potência e pré-amplificação, em
V ECQ = V CE = 7,51 V (195) que na faixa de variação o componente atua como um divisor
resistivo juntamente com a impedância de entrada do inversor.
V dc 15 V
ICsat = = = 100 mA (196)
RE 150 Ω

V CEQ
Iemax = ICQ + (197)
re

7,51 V
Iemax = 49,92 mA + = 106,16 mA (198)
133,33 Ω

Vcea = V CEQ + ICQ ∗ re (199)

Vcea = 7,51 V + 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 14,15 V (200) Figura 30. Defasador

PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 12

Quando o potenciômetro está ajustado para o menor valor: C. Buffers CC

Zin Os dois buffers são circuitos idênticos utilizados para aco-
V out = ∗ V int (205)
Zin + Rpot plar as saı́das dos defasadores aos acionadores dos amplifica-
dores classe AB.
2,75 kΩ
V out = ∗ 1,51 V = 1,5 mV (206)
2,75 kΩ + 1,2 Ω
Quando o potenciômetro está ajustado para o maior valor:
Zin
V out = ∗ V int (207)
Zin + Rpot
2,75 kΩ
V out = ∗ 1,51 V = 40,06 mV (208)
2,75 kΩ + 100,2 kΩ
B. Defasador
O defasador é composto por amplificador emissor comum
(EC), e tem como função defasar 180o o sinal oriundo do pré
amplificador. O sinal defasado é ligado em um lado da ponte.
O amplificador foi dimensionado para ganho unitário, servindo Figura 32. Buffers CC.
apenas para defasar o sinal.
Por meio do equivalente DC (Figura 10) podemos obter os
valores de polarização:

Figura 31. Defasador

Figura 33. Buffers CC’s - Equivalente DC.

R24 4,2 kΩ
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (209)
R24 + R23 4,2 kΩ + 10 kΩ Como os circuitos são idênticos usaremos referências
padrões para identificação nos cálculos do amplificador.
V b = 4,44 V (210)
RB2 48 kΩ
V E = V B − 0, 7 = 3,74 V (211) VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (216)
RB2 + RB1 48 kΩ + 33 kΩ
Ve
Ie = = 9,6 mA (212) V B = 8,88 V (217)
390
Análise AC:
VT 25 mV V E = V B − 1, 4 = 7,48 V (218)
r0 e = = = 2,6 Ω (213)
Ie 9,6 mA
VE 7,48 V
Com o valor da resistência dinâmica é possı́vel calcular a IE = = = 49,92 mA (219)
impedância de entrada do defasador: RE 150 Ω

V CE = V dc − V E = 15 V − 7,48 V = 7,51 V (220)

1
Zin = 1 1 1 (214)
+ + hf e(R26+r 0 e)
R23 R24
P RE = IE 2 ∗ RE (221)
1
Zin = 1 1 1 = 2750 Ω (215) P RE = 49,92 mA2 ∗ 150 Ω = 373,9 mW (222)
10k + 4k2 + 100∗(390+2,6)
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 13

Considerando o equivalente AC temos: C7 = 7,57 µF (236)

Buscando uma reatância capacitiva em menor do que 10 Ω
o capacitor escolhido foi C11=C13=33 µF, cuja reatância é
4,82 Ω.

As retas de carga DC e AC são obtidas pelas equações

abaixo:
ICQ = IE = 49,92 mA (237)

V ECQ = V CE = 7,51 V (238)

V dc 15 V
Figura 34. Buffers CC’s - Equivalente AC. ICsat = = = 100 mA (239)
RE 150 Ω

V CEQ
VT 25 mV Iemax = ICQ + (240)
r0 e = = = 0,5 Ω (223) re
IE 49,92 mA
7,51 V
1 Iemax = 49,92 mA + = 103,57 mA (241)
Zin = (224) 140,32 Ω
1 1 1
RB1 + RB2 + hf e(RE+r 0 e)

Considerando a ligação Darlington o ganho total (hfe) é o Vcea = V CEQ + ICQ ∗ re (242)
produto entre os ganhos individuais de cada transistor, sendo
então: Vcea = 7,51 V + 49,92 mA ∗ 133,33 Ω = 14,50 V (243)
2
hf e = β(1Q) ∗ β(2Q) = 100 = 10k (225)

1
Zin ≈ 1 1 = 19,55 kΩ (226)
33 kΩ + 48 kΩ

RB1//RB2 Zin
Zout = RE//(r0 e + ) ≈ r0 e + (227)
hf e hf e

19,55 kΩ
Zout ≈ 0,5 Ω + = 2,45 Ω (228)
10k
Sendo RL a impedância de entrada da próxima etapa:
1 1
re = 1 1 = 1 1 = 140,32 Ω (229)
RE + RL 150 Ω + 2,1 kΩ

re 140,32 Ω
A= 0
= = 0, 996 (230) Figura 35. Retas de Carga dos Buffers CC
re + r e 140,32 Ω + 0,5 Ω

Zin A máxima excursão de pico a pico é dada por:

V out = ( ∗ V in) ∗ A (231)
Zin + Zout M P Pesquerda = 2 ∗ V CEQ (244)
19,55 kΩ
V out = ( ∗ 1,64 V) ∗ 0, 996 (232) M P Pesquerda = 2 ∗ 7,51 V = 15 Vpp (245)
19,55 kΩ + 390 Ω

V out = 1,5 V (233) M P Pdireita = 2 ∗ ICQ ∗ re (246)

Seguindo a regra de dimensionamento dos capacitores:
Para o capacitor de acoplamento: M P Pdireita = 2 ∗ 49,92 mA ∗ 140,32 Ω = 14,01 Vpp (247)
Zin 2,1 kΩ Pelo fato das excursões não serem iguais, a MPP está
XC11 = XC13 = = = 21,00 Ω (234)
100 100 limitada a duas vezes o menor dentre esse dois valores, para
esse circuito isso é 14,01 Vpp, porém o sinal excursionado é
1 1 Vout=3 Vpp, sendo os valores obtidos suficientes.
C7 = = (235)
2 ∗ π ∗ f c ∗ XC2 2 ∗ π ∗ 1 kHz ∗ 21,00 Ω
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D. Acionador+Classe AB
O acionador consiste em um amplificador emissor comum,
cuja função polarizar o estágio de potência (classe AB) e dar
ganho ao sinal originado do pré amplificador.

Figura 37. Sinal de saı́da do pré amplificador 3 Vpp

Figura 36. Amplificação de potência em Ponte

Para ambos os lados da ponte o dimensionamento segue as

mesmas condições abaixo:
R33 650 Ω
VB = ∗ V dc = ∗ 15 V (248)
R33 + R48 650 Ω + 3,3 kΩ

V B = 2,46 V (249)

V E = V B − 0, 7 = 1,76 V (250)

VE 1,76 V
IE = = = 21,56 mA (251)
R35 82 Ω

VT 25 mV
r0 e = = = 1,16 Ω (252) Figura 38. Sinal do lado R da ponte 6,5 Vpp
Ie 21,56 mV

1
Zin = 1 1 1 (253)
R33 + R48 + β(R35+r 0 e)

1
Zin = 1 1 1 = 509 Ω (254)
3,3 kΩ + 650 Ω + 100∗(82+1,16)

O ganho do acionador é calculado abaixo:

R34 238 Ω
A= = = 2, 9 (255)
R35 82 Ω

V. D ESENVOLVIMENTO P R ÁTICO
A. Simulações
Com o uso do Multisim pode-se obter os valores de
simulação abaixo:
Figura 39. Sinal do lado L da ponte 6,5 Vpp
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 15

Figura 43. Lado R da ponte

Figura 40. Sinal somado da ponte 13 Vpp

Figura 44. Lado L da ponte

Figura 41. Sinal somado da ponte 13 Vpp e nı́vel DC 57,7 mV

B. Medidas do Osciloscópio
Usando o osciloscópio obtivemos os sinais abaixo:

Figura 45. Sinal da ponte

C. Dificuldades gerais
Durante a montagem foram encontradas as seguintes difi-
culdades:
(a) Aquecimento dos diodos de polarização: inicialmente
foram utilizados diodos 1N4148 para polarização dos
transistores do classe AB, porém os diodos aqueciam
por serem de baixa potência, assim queda de tensão
nos diodos (tipicamente 0,7 V) diminuı́a cortando o sinal
Figura 42. Sinal de saı́da do pré amplificador de saı́da. Buscando solucionar este problema utilizou-se
PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 16

pares de transistores (TIP142 e TIP 147) operando como
diodo, colocados no mesmo dissipador dos transistores
de potência para obter o mesmo aquecimento entre os
transistores de potência e polarização.
(b) Alto ganho na etapa de potência: atendendo a
especificação do projeto de que a potência mı́nima na
carga era de 3Wencontrou-se dificuldade em obter-se
com apenas um circuito simples de amplificador de
potência, partindo para o uso do circuito em ponte.
(c) Uso de buffers CC: o principal uso do coletor comum é
no isolamento de cargas de baixa impedância para um
amplificador emissor comum, se o houvesse a tentativa
do acoplamento direto, o amplificador EC seria sobre-
carregado devido a baixa resistência ca.
(d) Nı́veis de referência do microfone: o nı́vel de referência
do microfone é menor do que a referência data em pro-
jeto, essa constatação origina-se da questão de diferenças
de volume sonoras entre o uso do microfone dinâmico
e smartphone, considerando assim um nı́vel menor para
o microfone.
(e) Potenciômetros nos acionadores: o uso dos po-
tenciômetros se deu para ajustes finos na polarização dos
acionadores, o que acarretava em nı́veis DC inaceitáveis
na carga, provocados por diferenças entre os lados da
ponte.
D. Especificações alcançadas
VI. C ONCLUS ÃO
Amplificadores transistorizados são usados em alta escala
para diversas finalidades, uma delas a amplificação de áudio,
estes que basicamente podem ser divididos em duas etapas
fundamentais, a pré amplificação do sinal de entrada e o seu
tratamento, e em seguida a etapa de potência que acopla
esse sinal aos alto falantes. Este amplificador possui dois
conjuntos dedicados de pré amplificação para uso especifico
de microfones dinâmicos e smartphones, com ganhos
diferentes para os nı́veis de sinal de cada um, possuindo
o estágio de potência na configuração de amplificadores
classe AB, altamente usados, com uso de acionadores para
os mesmo, onde se é capaz de fornecer 5,36 W de potência
para a saı́da do amplificador.
VII. R EFER ÊNCIA
MALVINO, A. P. - Eletrônica. Vol 1. 4a edição Ed. Makron
Books - São Paulo.
NASHELSKY, L e BOYLESTAD, R. L - Dispositivos
Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 8a edição E. Prentice
Hall - São Paulo.

O amplificador recebe o sinal de duas fontes distintas: o mi-

crofone e o smartphone, com o sinal procedente do microfone
foi obtido uma ganho de aproximadamente 48,29 dB, já com
o sinal do smartphone o ganho é de 32,73 dB. VIII. A NEXOS
A potência do amplificador é calculada conforme equação
abaixo, com base na tensão pico a pico (Vpp) e a carga (RL)
utilizada:

V pp2 13, 12
P ac = = = 5, 36W (256)
8 ∗ RL (8 ∗ 4)

A eficiência é mensurada pela razão da potência AC pre-

senta na carga (Pac) pela potência DC fornecida pela fonte
(Pdc):

r r
P ac 5, 36
Iac = = = 1,157 A (257)
RL 4

2 ∗ Iac 2 ∗ 1,155 A
Idc = = = 736,94 mA (258)
π π

P ac 1,76 V
η= ∗ 100 = = 48, 48% (259)
P dc 15 V ∗ 736,94 mA

Figura 46. Montagem

PROJETO GB - ELETRÔNICA II  MAIO DE 2017 17

Figura 48. Análise de Frequência

Figura 47. Circuito completo