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Teoriados Semicondutores
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Teoriados Semicondutores
CONDUTOR - Material que mantém um fluxo de carga quando uma tensão, de amplitude
limitada, é aplicada em seus terminais.
Bandas de Energia
Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por prótons
e nêutrons.
Ne = 2n2 Ge Si
K = (n=1) = 2 2 2
L = (n=2) = 8 8 8
M = (n=3) = 18 18 4
N = (n=4) = 32 4 0
32 14
Elétrons livres – Órbita mais externa ou Banda de Condução, qualquer tensão faz com
um elétron livre circule de um átomo para o outro.
Banda proibida – região entre uma órbita e outra onde não é possível existir elétrons. A
largura dessa banda, define o comportamento elétrico do material.
FATORES QUE INFLUENCIAM NA DIFERENÇA ENTRE DIVERSOS
MATERIAIS:
MATERIAIS SEMICONDUTORES
Obs.: Existem também materiais conhecidos como semicondutores III-V que são formados
a partir da ligação entre um elemento trivalente e um pentavalente. Os mais comuns são o
arseneto de gálio (GaAs) e o fosfeto de índio (InP).
O Silício (Si) por ser o mais abundante na natureza é o material mais utilizado (pode ser
obtido a partir de quartzo que é encontrado na areia da praia e na terra) e portanto, é mais
barato.
Obs.: A Energia térmica pode causar uma Corrente no cristal pela agitação dos elétrons,
quanto maior a temperatura, maior será as vibrações mecânicas.
SEMICONDUTOR EXTRÍNSICO
Forma de se aumentar a condutibilidade de um semicondutor, isso significa adicionar
impurezas aos átomos. Um condutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco.
Tipo N Tipo P
Diodo não polarizado – No momento da junção haverá uma corrente de difusão, criando
uma região de íons negativos e positivos não combinados chamado de Região de Depleção
e a distribuição da carga nessa área é chamado de Carga Espacial.
O Campo elétrico que aparece na região de depleção devido aos íons positivos e negativos
é chamada de Barreira de potencial.
SIMBOLOGIA
O lado P da junção PN é conhecido como anodo (A) do diodo e o lado N como catodo (K).
Nesse tipo de polarização, o pólo positivo atrairá os elétrons e o pólo negativo as lacunas,
aumentando assim a barreira de potencial, não havendo, portanto condução de corrente
elétrica devido aos portadores majoritários, existindo apenas uma corrente devido aos
portadores minoritários – corrente de Saturação (Is), que para o Silício é da ordem de
nanoamperes (nA), tornando-se desprezível e muito menor que a do Germânio, daí o silício
ser muito mais utilizado.
Valor de tensão reversa que um diodo pode suportar. Ao se aumentar a tensão reversa os
portadores minoritários são acelerados e colidem com os átomos do cristal liberando
elétrons de valencia, ou seja, produzem elétrons livres, que por sua vez colidem com outros
átomos liberando mais elétrons livres, que vão se somando aos já existentes até que a
corrente se torne muito alta e o diodo conduz intensamente. A tensão de ruptura depende do
nível de dopagem. Diodos retificadores possuem tensão de ruptura geralmente maior que
50V.
.
O EFEITO ZENEER
Diodos fortemente dopados a camada de depleção é muito estreita fazendo com que a
tensão de ruptura ocorra para valores de tensão mais baixos, significa dizer que a tensão
permanece constante independente da corrente (reversa) que circule por ele. Diodos que
utilizam esta propriedade são chamados de diodo Zener, muito utilizados como referencia
de tensão.
Vs Vd
I
R
R é chamado de resistor de limitação de corrente, pois a corrente que circula nele é a
mesma que circula no diodo.
O produto da corrente pela tensão direta determinará a potência máxima, no entanto, uma
vez respeitada a corrente nominal máxima o diodo não queimará.
O DIODO IDEAL
Considerando que o diodo só conduz após ter vencido a barreira de potencial de 0,7V.