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26/4/2010

Sistemas Eletrônicos

Prof. Murilo Plínio

www.muriloplinio.eng.br

UNIFACS – Universidade Salvador Engenharia Mecânica Aula 8 - Diodos
UNIFACS – Universidade Salvador
Engenharia Mecânica
Aula 8 - Diodos
Condutividade Elétrica poliestireno σσσσ [ 1/ΩΩΩΩ m] polietileno concreto (seco) grafite SiO 2 mica NaCl Mn
Condutividade Elétrica
poliestireno
σσσσ [ 1/ΩΩΩΩ m]
polietileno
concreto
(seco)
grafite
SiO 2
mica
NaCl
Mn
Fe
porcelana
Si dopado
Ag
madeira
Cu
borracha
vidro
Ge
quartzo seca
GaAs
Si
10 -20
10 -18
10 -16
10
-14
10 -12
10 -10
10 -8
10 -6
10 -4
10 -2
10 0
10
2
10 4
10 6
10 8
isolantes
semicondutores
condutores

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Elementos Semicondutores • Carbono; • Silício; Principais • Germânio; • Todos possuem quatro elétrons na camada
Elementos Semicondutores
Carbono;
Silício;
Principais
Germânio;
Todos possuem quatro
elétrons na camada de
valência:
– Possibilitando a formação de
excelentes cristais;
– Ligação covalente com átomos
vizinhos.
Germânio • É um semi-metal sólido, duro, cristalino, de coloração branco acinzentada, lustroso e quebradiço; •
Germânio
• É um semi-metal sólido, duro, cristalino, de
coloração branco acinzentada, lustroso e
quebradiço;
• Apresenta a mesma estrutura cristalina do
diamante;
• É um importante material semicondutor
utilizado em transistores e fotodetectores.

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Silício • Abundante na natureza: – Elemento principal na areia e quartzo;
Silício
• Abundante na natureza:
– Elemento principal na areia e quartzo;
• Impurezas e imperfeições afetam as propriedades elétricas do semicondutor • Adição de Boro => Silício:
• Impurezas e imperfeições afetam as
propriedades elétricas do semicondutor
• Adição de Boro => Silício:
1 átomo de B para 10 5 átomos de Si
– Aumento da condutividade no fator 10 3

26/4/2010

Dopagem • Ao processo de adição de impurezas em um semicondutor dá-se o nome de DOPAGEM
Dopagem
Ao processo de adição de
impurezas em um
semicondutor dá-se o nome
de DOPAGEM
• Tipos de semicondutores:
– Tipo “n” Impurezas Doadoras
– Tipo “p” Impurezas Aceitadores
Dopagem • Inserção de impurezas para moldar um comportamento condutor nos elementos: – Tipo N: •
Dopagem
Inserção
de
impurezas
para
moldar
um
comportamento condutor nos elementos:
– Tipo N:
• Elementos
que
possuem
5
elétrons
na
camada
de
valência (Fósforo ou Arsenio) são inseridos na estrutura
do material em pequenas quantidades.
O
quinto elétron
fica livre
para iteragir no material.
Sendo a carga do elétron negativa, explica-se a
denominação tipo N (negativo);

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Tipo N
Tipo N
Dopagem • Inserção de impurezas para moldar um comportamento condutor nos elementos: – Tipo P: •
Dopagem
Inserção
de
impurezas
para
moldar
um
comportamento condutor nos elementos:
– Tipo P:
• Elementos
que
possuem
3
elétrons
na
camada
de
valência (Boro ou Galium) são inseridos na estrutura do
material em pequenas quantidades.
• Neste caso “sobra” um buraco para iteragir no material.
Considerando que o buraco possui carga positiva,
explica-se a denominação tipo P (positiva);

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Tipo P
Tipo P
Dopagem • Os elementos tipo P individualmente. ou N não são “grande coisa” • Quando unidos
Dopagem
Os elementos tipo P
individualmente.
ou
N
não são “grande coisa”
Quando unidos cria-se um efeito interessante na
junção dos materiais.

26/4/2010

Tipos de ligações semicondutoras • Por: – Junção: • Corresponde ao contato das superfícies dos dois
Tipos de ligações semicondutoras
Por:
– Junção:
• Corresponde ao contato das superfícies dos dois ou mais
semicondutores, através das quais se dará a circulação das cargas
elétricas;
– Pontas:
• Tem-se nesse caso o contato entre as partes de um componente,
por meio de pontas de contato (desenvolvido para correntes
menores, devido à menor seção de contato);
– Difusão:
• Consiste na dopagem de um certo volume de material de base
numa polaridade ou concentração de cargas diferentes do material
de suporte.
Por junção • Junção: – PN; – PNP; Transistores – NPN;
Por junção
• Junção:
– PN;
– PNP;
Transistores
– NPN;

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Componentes semicondutores típicos • Componentes típicos: – LEDS; – Transistores; – Diodos retificadores; – Diodos zener;
Componentes semicondutores típicos
• Componentes típicos:
– LEDS;
– Transistores;
– Diodos retificadores;
– Diodos zener;
– Diodos de capacitância;
– Termistores;
– Varistores;
– Fotoelementos;
LED – Light Emitting Diode
LED – Light Emitting Diode

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LED – Light Emitting Diode • A recombinação de lacunas e elétrons, na junção P-N polarizada
LED – Light Emitting Diode
A recombinação de lacunas e elétrons, na junção P-N
polarizada diretamente, exige que a energia possuída por esse
elétron, que até então era livre, seja liberada, o que ocorre na
forma de calor ou fótons de luz.
• No silício e no germânio, a maior parte da energia é liberada
na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida, e os
componentes que trabalham com maior capacidade de
corrente chegam a precisar de irradiadores de calor
(dissipadores) para ajudar na manutenção dessa temperatura
em um patamar tolerável.
LED – Light Emitting Diode • A luz emitida é monocromática – A cor depende do
LED – Light Emitting Diode
A luz emitida é monocromática
– A cor depende do cristal e da impureza de dopagem com
que o componente é fabricado.
– Existem LEDs que emitem radiações infravermelhas.
Em geral, os LEDs operam com nível de tensão de 1,6 a 3,3V. A
potência necessária está na faixa típica de 10 a 150 mW, com
um tempo de vida útil de 100.000 ou mais horas.
Como o LED é um dispositivo de junção P-N, sua característica
de polarização
direta
é
semelhante
à
de
um diodo
semicondutor.

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LED – Observações • Como o diodo, o LED não pode receber tensão diretamente entre seus
LED – Observações
Como
o
diodo, o
LED não pode receber tensão
diretamente entre seus terminais,uma vez que a
corrente deve ser limitada para que a junção
não
seja danificada. Assim, o uso de um resistor limitador
em série com o
utilizam.
LED é comum nos circuitos que o
– Tipicamente, os LEDs grandes (de aproximadamente 5 mm
de diâmetro, quando redondos) trabalham com correntes
da ordem de 12 a 20 mA;
– Os pequenos (com aproximadamente 3 mm de diâmetro)
operam com a metade desse valor (de 6 a 10 mA).
Termistor • Semicondutores sensíveis a temperatura: – NTC - termistores cujo coeficiente de variação de resistência
Termistor
• Semicondutores sensíveis a temperatura:
– NTC - termistores cujo coeficiente de variação de
resistência
com
a
temperatura
é
negativo:
a
resistência
diminui
com
o
aumento
da
temperatura.
– PTC - termistores cujo coeficiente de variação de
resistência
com
a
temperatura
é
positivo:
a
resistência
aumenta
com
o
aumento
da
temperatura.

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Termistor
Termistor
Varistor • Valor de resistência varia de acordo com diferença de potencial aplicada nos seus terminais.
Varistor
• Valor de resistência varia de acordo com
diferença de potencial aplicada nos seus
terminais.
Geralmente utilizados como
elemento de proteção contra
transientes de tensão em
circuitos.

26/4/2010

Fotoelementos • Fotodiodo • Fototransistor • LDR
Fotoelementos
• Fotodiodo
• Fototransistor
LDR
Diodos Positivo Negativo • Dispositivo que permite a corrente fluir em único sentido – Criado a
Diodos
Positivo
Negativo
• Dispositivo que permite a
corrente fluir em único
sentido
– Criado a partir da junção de
um material tipo P e outro
do tipo N;

26/4/2010

Diodos • Sendo os materiais tipo P e N condutores, a combinação dos elementos como mostrado
Diodos
• Sendo os materiais tipo P e N condutores, a
combinação dos elementos como mostrado
na figura anterior não conduz eletricidade.
– Os elétrons no material tipo N são atraídos pelo terminal
positivo da bateria.
– Os “buracos” no material tipo P são atraídos pelo terminal
negativo da bateria.
– Não haverá corrente elétrica na junção, pois os buracos e
os elétrons movem-se em direção opostas.
Diodo inversamente polarizado
Diodo inversamente polarizado

26/4/2010

Diodo diretamente polarizado
Diodo diretamente polarizado
Diodo Ideal • Quando inversamente polarizado não flui corrente no diodo – o diodo comporta-se como
Diodo Ideal
Quando inversamente polarizado não flui corrente no
diodo
– o diodo comporta-se como um circuito em aberto
Quando diretamente polarizado, obtém-se uma queda
de tensão nula nos terminais do diodo
– o díodo comporta-se como um curto-circuito.

26/4/2010

Diodo ideal – Ligação Inversa
Diodo ideal – Ligação Inversa
Diodo ideal – Ligação Direta
Diodo ideal – Ligação Direta

26/4/2010

Diodo Ideal
Diodo Ideal
Diodos Zona de trabalho Polarização Direta Polarização Reversa
Diodos
Zona de trabalho
Polarização Direta
Polarização Reversa

26/4/2010

Diodos • Um diodo ideal bloqueia a passagem de corrente quando polarizado inversamente. Um diodo real
Diodos
Um diodo ideal bloqueia a passagem de corrente
quando polarizado inversamente. Um diodo real
permite a passagem de 10 micro amperes.
• Quando polarizado diretamente o diodo proporciona
uma queda de tensão na faixa de 0,7 V, para o silicio,
0,3 V, para o germânio, para que o processo de
passagem de elétrons e buracos comecem a ser
realizados.
Aplicação
Aplicação

26/4/2010

Retificador Meia-Onda
Retificador Meia-Onda
• Ao utilizar-se um diodo num circuito deve-se atender, principalmente, às seguintes especificações: – Tensão de
• Ao utilizar-se um diodo num circuito deve-se
atender, principalmente, às seguintes
especificações:
– Tensão de condução: V D ≥ V γ (Barreira de Potencial)
– Corrente direta máxima: I DM
– Potência máxima dissipada: P DM = V D x Ι DM
– Máxima tensão reversa ou tensão de ruptura: V BR
– Corrente reversa ou de fuga: Ι R

26/4/2010

• Especificações do diodo 1N4001 – Corrente direta máxima Ι DM = 1A – Corrente de
• Especificações do diodo 1N4001
– Corrente direta máxima Ι DM = 1A
– Corrente de fuga Ι R = 10μA
– Tensão de ruptura V BR = 50V
– Potência máxima P DM = 1W
Retificador Onda Completa Ponte de Diodos
Retificador Onda Completa
Ponte de Diodos

26/4/2010

Retificador Onda Completa Tap Central
Retificador Onda Completa
Tap Central
Tabela Comparativa Retificadores
Tabela Comparativa Retificadores

26/4/2010

Diodos Zener • O terminal que se encontra mais próximo do anel é o cátodo (K).
Diodos Zener
• O terminal que se encontra mais próximo do
anel é o cátodo (K).
Tensão de zener (U Z = 27 V)
K
K
A
K
A
A
Tensão de zener (U Z = 8,2 V)
Diodos Zener – Curva característica Zona de trabalho O Zenner funciona polarizado inversamente!
Diodos Zener – Curva característica
Zona de trabalho
O Zenner funciona polarizado
inversamente!

26/4/2010

Diodos Zener - Utilização • O díodo zener quando polarizado inversamente (ânodo a um potencial negativo
Diodos Zener - Utilização
O
díodo
zener
quando
polarizado inversamente
(ânodo a um potencial negativo em relação ao
cátodo) permite manter uma tensão constante aos
seus terminais, sendo por isso muito utilizado na
estabilização/regulação da tensão nos circuitos.
Diodos Zener – Curva característica
Diodos Zener – Curva característica

26/4/2010

Diodos Zener - Utilização • Para que o diodo zener estabilize a tensão nos seus terminais:
Diodos Zener - Utilização
Para que o diodo zener estabilize a tensão nos seus terminais:
– O diodo zener tem que se encontrar polarizado inversamente
A tensão de alimentação do circuito tem que ser superior à
tensão de zener (UZ) do diodo.
– A carga ou cargas do circuito têm que estar ligadas em paralelo
com o diodo zener.
Transistor Bipolar de Junção TBJ • O princípio básico de operação é o uso de uma
Transistor Bipolar de Junção
TBJ
• O princípio básico de operação é o uso de uma
tensão entre dois terminais para controlar o
fluxo de corrente no terceiro terminal.
– NPN
– PNP

26/4/2010

Transistor Bipolar de Junção TBJ • NPN
Transistor Bipolar de Junção
TBJ
NPN
Transistor Bipolar de Junção TBJ • NPN
Transistor Bipolar de Junção
TBJ
NPN

26/4/2010

Transistor Bipolar de Junção TBJ • PNP
Transistor Bipolar de Junção
TBJ
PNP
• PNP
PNP

26/4/2010

Regiões de Operação
Regiões de Operação
• NPN: Vbe X Ic
NPN: Vbe X Ic

26/4/2010

• A tensão Vbe diminui 2 mV para cada 1 o C de aumento de temperatura
A tensão Vbe diminui 2 mV para cada 1 o C de
aumento de temperatura (considerando corrente
constante)
Diodos Zener • Um díodo zener é constituído por uma junção PN de material semicondutor (silício
Diodos Zener
• Um díodo zener é constituído por uma junção
PN de material semicondutor (silício ou
germânio) e por dois terminais, o Ânodo (A) e
o Cátodo (K).