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Emissor Coletor
N P N
Emissor Coletor
Base
Base
Base
Polarização do transistor bipolar
Junção diretamente polarizada:
Fluxo de
elétrons
N P N
Emissor
Ie
Coletor
Base
Ib
N P N
Emissor Coletor
Ic ≈ 0A
Base
Fluxo de
elétrons
N P N
Emissor Coletor
Ie Ic
Ib Base
Ic
Ie = Ic + Ib β=
Ib
β = ganho de corrente Ie = (β+1).Ib
Diagrama esquemático:
Emissor Coletor
Ie
Ic
Ib Base
Configurações
Configuração BC
Configuração CC
5.3 Configuração EC
Ganho de tensão elevado
Ganho de corrente elevado
Ganho de potência elevado
Impedância de entrada baixa
Impedância de saída alta
Configuração emissor comum (transistor de silício)
Vbc = -11,3V C
Vce = 12V
N
12V
B
P
0,7V
N
E
Vbe = 0,7V
Diagrama esquemático:
Vbc
Vce
Vbe
Curvas características do transistor para
configuração emissor comum
Ic
Rc
Ib
Rb
Vce
Vbe
Ib
[µA]
0,7V
Vbe
[V]
Saída:
Ic Região Linear (ativa)
Ib2
Região de
corte Ib1
Vce [V]