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Índice:
Título pág.
Tiristores .................................................................................................. 4
Retificador Controlado de Silício .................................................................................................. 4
Estrutura do SCR .................................................................................................. 5
Circuito Equivalente .................................................................................................. 5
Disparo do SCR .................................................................................................. 6
Comutação do SCR .................................................................................................. 7
Circuito de Controle .................................................................................................. 7
Tabela com alguns SCR .................................................................................................. 9
Prática Testando SCR .................................................................................................. 13
Prática: Controle de Potência com SCR .................................................................................................. 14
Exercícios .................................................................................................. 15
O tiristor GTO .................................................................................................. 15
O tiristor DIAC .................................................................................................. 16
O tiristor TRIAC .................................................................................................. 18
Exercícios .................................................................................................. 19
Aula prática usando TRIAC .................................................................................................. 21
Transistor de Unijunção .................................................................................................. 22
Prática com o UJT .................................................................................................. 26
Regulador de Tensão de Gerador .................................................................................................. 29
Exercícios .................................................................................................. 30
Transistor de Unijunção Programável .................................................................................................. 31
TCA 785 controlando tiristores .................................................................................................. 33
Tiristor acionado por FET (MCT) .................................................................................................. 36
Gráfico comparativo .................................................................................................. 37
Exercícios .................................................................................................. 38
Fotoemissores e fotossensores .................................................................................................. 39
LDR .................................................................................................. 39
Células fotovoltaicas .................................................................................................. 40
Diodo Emissor de Luz .................................................................................................. 41
Fotodiodo .................................................................................................. 42
Fototransistor .................................................................................................. 43
Fotoacopladores .................................................................................................. 43
Exercícios .................................................................................................. 45
Bibliografia .................................................................................................. 45
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Tiristores
O nome tiristor é definido pelo IEC (International Eletrotechnical Comission) como um dispositivo semicondutor biestá-
vel, contendo três ou mais junções, que pode ser chaveado de um estado de corte para um estado de condução e vice-versa. O
termo “tiristor”, além de definir uma classe de componentes eletrônicos, é freqüentemente usado como sinônimo de SCR. A pala-
vra tiristor vem do grego e significa “porta”.
O SCR é um componente da família dos tiristores, e o seu nome significa: Retificador Controlado de Silício.
O retificador controlado de silício ou diodo controlado de silício é um dispositivo semicondutor de 4 camadas alternadas
de dopagem do tipo P e N.
Ao contrário dos transistores bipolares e dos fets (fets = transistores de efeito de campo), que podem trabalhar como am-
plificadores lineares ou como chaves, o SCR só funciona como chave.
Nos últimos anos, tem sido fabricado SCR’s para controlar potências da ordem de 10 M W, com capacidade de corrente
da ordem de 3KA e tensões de bloqueio de até 5KV.
A faixa de freqüência atinge até 10kHz, permitindo aplicações em altas freqüências.
G (Gate)
(Porta)
K (Cátodo)
Princípio de funcionamento:
O SCR é um diodo de silício com um terceiro terminal para fins de controle. Foi escolhido o silício, devido a sua alta
capacidade de suportar altas temperaturas conseqüentemente conseguindo controlar elevada potência. A operação básica do SCR é
pouco diferente da do diodo semicondutor de 2 camadas. Os dois só devem conduzir em apenas um sentido, sendo que o SCR pode
não conduzir também no sentido direto. Nesta situação só passaria conduzir se recebesse um comando (pulso positivo) no gate.
Conduzindo o SCR voltaria a deixar de conduzir, quando a corrente que passa por ele ficasse abaixo da corrente de manutenção
(IH= corrente de manutenção, é a menor corrente de ânodo capaz de manter o SCR no estado de condução).
VAK
(IGT) corrente de
gate que força o Pico não repetitivo
SCR a se compor- da tensão de
tar como um diodo
bloqueio no senti-
comum. do direto.
OBS.: IG4 > IG3 > IG2 > IG1 > IG0=0
Observando a curva característica acima, percebemos que em relação à polarização reversa (VAK<0), não existe nenhuma
novidade, pois o SCR possui, em polarização reversa, comportamento semelhante a de um diodo.
Para polarização direta (VAK>0), pode-se perceber que o ponto onde inicia a condução, depende da corrente aplicada no
gatilho, ocorrendo em um valor de VAK mais baixo à medida que aumenta IG. A justificativa para este fato é que uma injeção
maior de portadores na região de gatilho, permite que o fenômeno de avalanche que dá início ao processo regenerativo que mantém
o SCR em condução, ocorra em um menor valor da tensão VAK.
Para um valor de IG igual a IGT, o SCR se comporta exibindo características semelhantes a um diodo comum, polarizado
diretamente, vencendo facilmente a barreira de potencial, VAK1V.
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ânodo
gate P
(+) catodo
anodo
Polarização Direta:
(+) Em polarização direta haverá duas junções polarizadas diretamente (J1
e J3) e uma polarizada inversamente (J2). Esta polarização reversa em J2 , difi-
P1 culta bastante o fluxo de corrente, havendo apenas uma corrente de fuga de
J1 baixo valor. Se aplicarmos um pulso de corrente no terminal de gatilho, os
N1 portadores injetados causarão um fenômeno de avalanche na junção J2, fazendo
J2 com que a corrente de ânodo aumente bastante, sendo limitada apenas pela
gate P2 impedância externa conectada em série com o SCR (impedância externa é a
J3 carga).
N2
(-)
catodo
A
Reestruturando de uma outra forma a representação em barras do SCR:
T1
P
N N
G T2
P P
Baseado-nos na reestruturação do SCR tiramos o seu circuito equivalente:
N
- transistor T1=PNP Ânodo
- transistor T2=NPN
K
T1
Gate T2
Cátodo
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i = C.dV/dt
A expressão nos diz que para haver corrente em um capacitor, é necessário que haja uma
variação da tensão aplicada. Em outras palavras, se houver uma variação “instantânea” da tensão
aplicada a um capacitor, haverá uma corrente associada.
Com o “capacitor” associado à junção J2 de um SCR diretamente polarizado, pode
ocorrer algo semelhante. Variações bruscas de tensão sobre os terminais de ânodo e cátodo do
SCR, podem provocar correntes de ânodo, com intensidade suficiente, a ponto de provocar o
disparo deste tiristor.
Esta maneira de disparar o SCR, deve ser evitada a todo custo, uma vez que a mesma é de difícil controle. A forma com
que o SCR é disparado por este método, na maioria das vezes tem como causa ruídos na rede de alimentação.
Evita-se este disparo indesejável, com o uso de filtros de rede do tipo passa baixa. Vide FIG A
4) Disparo por aumento de temperatura:
Sabe-se que a corrente que circula por uma junção PN sob polarização inversa, é extremamente dependente da temperatu-
ra. Isto se dá porque esta corrente acontece devido ao fluxo de portadores minoritários, cuja concentração depende da temperatura
da junção. Em termos quantitativos, em dispositivos de silício, esta corrente aproximadamente dobra a cada 10C de aumento do
calor do semicondutor. Aumentando a temperatura de um SCR, aumentaremos a corrente reversa em J2, este acréscimo pode levar
o dispositivo ao disparo. Normalmente não usamos este método de disparo do SCR, na maioria das vezes ele é indesejável.
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1) Comutação natural:
Quando se reduz a corrente de ânodo abaixo de um valor mínimo IH (IH= corrente de manutenção), o SCR comuta (des-
liga). A corrente de manutenção tem um valor baixo, normalmente cerca de 1000 vezes menor que a corrente nominal do dispositi-
vo.
Em um circuito CA, a corrente normalmente passa pelo zero em algum ponto, levando desta forma o SCR ao bloqueio.
Entretanto em circuito CC, uma vez que a tensão entre ânodo e cátodo permanece positiva, a corrente de ânodo só pode ser reduzi-
da pela abertura de uma chave, pelo aumento da impedância de carga ou desviando parte da corrente de carga através de um circui-
to paralelo com o tiristor, ou em outras palavras, curto-circuitando o SCR.
R1 wt
A
R2
VCA V carga
G
D K
wt
Considerando-se o semiciclo positivo, na proporção que a tensão de alimentação cresce, a tensão de gate cátodo cresce.
Surge então uma corrente de gate, que é limitada pela resistência do potenciômetro R. Se esta resistência for de valor pequeno, a
corrente de disparo será atingida com um valor de tensão VCA baixo. Se o valor da resistência for alto, o ângulo será maior.
Este circuito só permite o controle de 0 a 90, porque a corrente de disparo esta em fase com a tensão da rede, que atinge o seu
valor máximo exatamente em = 90. Se o SCR não disparou até este valor, não irá disparar , pois de 90 em diante, a tensão de
gate e a tensão entre ânodo cátodo decrescem, tornando quase impossível o disparo deste tiristor.
O diodo colocado em série com o terminal de gate, serve para proteger a junção gate cátodo, de uma polarização inversa
(corrente contrária de gate). Esta polarização inversa poderia acontecer, durante o semiciclo negativo da rede, fração de período em
que o SCR não deve conduzir.
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CARGA VCA
R1 wt
D2 A
R2
VCA V carga
G
K
D1
C
wt
Circuito que permite o controle dos dois semiciclos de uma rede alternada, utilizando-se retificador em ponte:
carga VCA
opcional
R1 wt
CARGA D2 A
R2
V
G carga
VCA K
D1 wt
C
Percebe-se que os circuitos anteriores só permitem a condução do SCR nos semiciclos positivos, o que se torna inconveni-
ente, para alguns tipos de cargas. Para obter-se controle completo, nos dois semiciclos, adiciona-se uma ponte retificadora ao cir-
cuito.
Note que este circuito, permite que a carga, colocada antes do retificador em ponte, receba uma corrente alternada com
valor de tensão média ajustável, pelo controle do ângulo de disparo do SCR. O circuito do SCR recebe corrente unidirecional pul-
sante, o que garante sua condução nos dois semiciclos da tensão de entrada. A carga pode ser instalada opcionalmente, em série
com o ânodo do SCR, a corrente na carga nesta nova situação seria igual a corrente de ânodo, conseqüentemente, unidirecional
pulsante.
Ao final de cada semiciclo da onda retificada, a tensão cai a zero possibilitando o bloqueio do SCR.
Este tipo de circuito (com ponte retificadora) é confiável para cargas resistivas, mas para cargas reativas torna-se necessá-
ria uma análise mais detalhada, uma vez que o tempo disponível para cortar o SCR (VAK=0) é muito pequeno. Desta forma a
defasagem existente entre a tensão VAK e a corrente IA podem tornar quase impossível a tarefa de provocar o bloqueio do tiristor
SCR.
Outros circuitos retificadores, que empregam o SCR, para controlar o valor médio da tensão retificada
de saída.
Circuito Retificador Trifásico controlado de meia onda:
A SCR1 IO
VA
Vo CARGA
VC VB
SCR2
C B
SCR3 Circuito Retificador Trifásico semicontrolado
de onda Completa ou em Ponte.
IO
S
CARGA
T
D1 D2 D3
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CEFET-RS
Curso de Eletrotécnica Disciplina de Eletrônica Industrial
Professor: Paulo Eduardo Mascarenhas Ugoski
-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................
Introdução
Temos circuitos eletrônicos de potência que utilizam em suas saídas, o tiristor SCR. Um dos defeitos mais corriqueiros
nestes equipamentos, é a “queima” destes tiristores, visto que estes componentes, por estarem na etapa de potência, são muito
mais solicitados que qualquer um outro componente do circuito. Mesmo o componente estando “queimado” nem sempre apresenta
vestígios externos, visíveis, de suas disfunções. Para sabermos se realmente este componente esta ou não funcionando, um dos
métodos é alimentar o circuito, quando possível, e medir as tensões que o mesmo apresenta em seus terminais.
Caso a alimentação do circuito não possa ser restabelecida por algum motivo, por exemplo: o circuito provoca a queima
de fusíveis, componentes pegam fogo e (ou) o circuito provoca queima dos equipamentos ligados em sua saída. Devemos retirar
os componentes suspeitos e testa-los fora do circuito.
Teste:
Introdução:
Para testarmos o componente devemos identificar os seus terminais. Observe os desenhos abaixo:
G (Gate)
(Porta)
A
K A G K A G
K (Cátodo)
Procedimento:
a) Usando o multímetro na escala mais baixa do ohmímetro (R x 1), iremos medir as resistências encontradas entre os terminais
do SCR, dois terminais verificados de cada vez.
b) Medição de resistência elevada (tendendo ao infinito) entre os terminais de Ânodo e Cátodo, quando diretamente ou inversa-
mente polarizados.
c) Polarizando os terminais de Ânodo e Cátodo diretamente, encontraremos resistência elevada. Posicionando o terminal positivo
do ohmímetro de forma a conseguir aplicar um pulso positivo no terminal de gate, sem deixar de continuar tocando no terminal de
ânodo, verificaremos o disparo do SCR (resistência de valor baixo). Mantendo os terminais de Ânodo e cátodo “alimentados”,
vamos desencostar o terminal positivo do gate e o SCR deverá manter-se conduzindo, salvo SCR’s de grande porte, que podem
deixar de conduzir, visto que a corrente fornecida pelo ohmímetro pode ser inferior a corrente IH. O ohmímetro pode não ser capaz
de disparar alguns SCR’s de porte maior. Para efetuarmos o teste podemos fazer uso de uma fonte de tensão CC. Polarizando âno-
do positivo em relação ao cátodo, em série com um resistor, o SCR deve se manter cortado até o momento que aplicamos um pulso
de corrente no gate, situação que o SCR deverá disparar e manter-se conduzindo, mesmo depois de retirado o pulso da porta.
d) A medição de resistência resultará em valor elevado, quando estivermos verificando os terminais de gate e ânodo.
e) Medindo a resistência entre gate e cátodo, encontraremos um valor baixo, quando gate for positivo em relação ao cátodo. Quan-
do gate receber tensão negativa em relação ao cátodo, a resistência será baixa tendo valor superior ao anterior.
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A A
0
0
KA G
K AG
- + - +
SCR 240g
Peso:
IRMS = 1400 A IRMS = 2150 A 2,25kg
IRMS = 1600 A IRMS = 2400 A 2,80kg
IRMS= 600 A IRMS= 700 A
VRMS =1300 V
IRMS = 45A Visão da parte interna de um
módulo:
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CEFET-RS
Curso de Eletrotécnica Disciplina de Eletrônica Industrial
Professor: Paulo Eduardo Mascarenhas Ugoski
-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................
Diagrama Eletrônico:
CARGA
R1
D2 A
VCA R2
D1
R3 G
C
K
Procedimento:
Ensaiar o circuito do controlador de potência, anotando todos os dados obtidos, de forma a apresentar estes resultados em
um relatório, constando em um gráfico as tensões visualizadas no osciloscópio e seus respectivos valores principais
Ensaio:
- acrescentar no diagrama desenhado acima, os valores nominais dos componentes do circuito recebido, certifique-se de
que todos os componentes contidos no circuito impresso, estão representados corretamente no diagrama;
- identificar os pontos de alimentação, deste circuito baseado na observação do seu diagrama esquemático;
- alimentar o circuito utilizando tensão alternada de 60 Volts 60Hz, fornecida pela bancada;
Medições Utilizando o osciloscópio: Regular o potenciômetro para três valores distintos. 1) Potenciômetro com valor má-
ximo, tomando o cuidado para que a carga apresente alguma tensão visível na tela do osciloscópio; 2) Potenciômetro com valor
médio; 3) Potenciômetro com valor mínimo.
- medir as tensões de ânodo em relação a massa;
- medir as tensões de gate em relação a massa;
- medir as tensões na carga e tensões entre ânodo e cátodo.
Usando os dois canais do osciloscópio: (NUNCA USE AS GARRAS JACARÉS EM DOIS PONTOS DISTINTOS)
- observe as formas de ondas encontradas na entrada do circuito e a tensão entre ânodo e cátodo;
- observe as formas de ondas encontradas na entrada do circuito e a tensão sobre o capacitor;
- observe as formas de ondas encontradas sobre a carga e a tensão entre ânodo e cátodo do SCR (use o canal 2 com a
ponteira positiva no cátodo e a garra jacaré no ânodo, o canal 1 com a ponteira positiva do lado da tensão positiva e a garra jacaré
também no ânodo do SCR);
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Desenhe as formas de ondas, tensão em função do tempo, encontradas na observação feita usando os dois canais do ins-
trumento para os três ajustes das tensões de disparo: 1) Máxima tensão na carga; 2) tensão média na carga, disparo aos 90 do SCR
e 3) tensão mínima na carga, disparo próximo aos 180.
VCA
VC
VG
VAK
Vcarga
Conclusões:
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
EXERCÍCIOS:
14 28/02/08 13:42
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R1 L
D2
T ENSÃO SC R
P D1
CA
R2
.
13) Qual o procedimento necessário, realizado com o circuito controlador de fase à SCR, consiga controlar a tensão alternada em
uma carga, aproveitando os dois semiciclos completos fornecidos pela rede? Desenhe o circuito responsável por esta façanha:
O GTO é um tiristor que pode ser disparado por um pulso de corrente positiva de curta duração aplicada ao gatilho e, pode
continuar conduzindo mesmo que se retire esta corrente, como acontece nos SCR’s. O GTO pode ser desligado (comutado) ao
receber um pulso de tensão negativa entre gate e cátodo, conseqüentemente por uma corrente negativa de gate. Esta corrente de
bloqueio aplicada ao gatilho deve ter duração na ordem de poucos micros segundos, mas deve ter uma amplitude grande, tipica-
mente a corrente para desligar o GTO é tão grande como a corrente de ânodo.
Sob polarização reversa o GTO não deve conduzir, chegando a suportar valores de tensão relativamente elevados, depen-
dendo da sua construção.
disparo
VBR
G (Gate)
(Porta)
VAK
K (Cáto-
do)
A tensão que surge nos terminais de ânodo e cátodo do GTO em condução varia de 2 a 3V, muito maior que nos SCR’s.
A velocidade de chaveamento está compreendida na faixa de alguns micros segundos a 25 micros segundos.
O GTO tem capacidade para funcionar com tensões maiores que 4kV, e com correntes na faixa de kA, razão pela qual
justifica seu emprego em circuitos que necessitem de tensões e correntes altas, cuja freqüência de chaveamento varie de algumas
centenas de Hertz à 10kHz.
Aplicações para o GTO: circuitos geradores de forma de onda; circuitos inversores; circuitos reguladores de tensão e ...
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Aplicações:
Os GTO’s são uma das poucas opções do projetista para tensões acima de 1000 V e correntes acima de centenas de ampé-
res, com limitações de emprego, por trabalhar em baixas freqüências de chaveamento. Fora desta faixa os transistores bipolares,
FET ou IGBT são mais utilizados.
O GTO teve seu auge de pesquisas e utilização comercial na década de 70. Exemplo de aplicação: No-break, inversores de
freqüência, controladores de motores CC, ... Recentemente os projetistas têm preferido utilizar um grupo de transistores em parale-
lo, do que um único GTO. A razão é que o desligamento dos GTO exige um circuito condicionador de sinal, de corrente da mesma
ordem de grandeza de IA. Gerar este pulso para GTO’s, com IA da ordem de 1000 A, não é muito comum.
O DIAC é um componente de dois terminais, de baixa potência, basicamente formado por uma associação paralelo-
inversa de camadas semicondutoras, possibilitando o disparo nos dois sentidos. A curva característica do dispositivo mostra clara-
mente que há uma tensão de avalanche em cada sentido de condução. Esta possibilidade de conduzir em ambos os sentidos, é
explorada em aplicações que necessite de corrente alternada para funcionar.
Curva Característica:
(I)
IBR VBR
Corrente de Tensão de
avalanche avalanche
Estrutura em Barras:
Ânodo 1
N1
P1
N2
P2 N3
Ânodo2
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Funcionamento do DIAC:
O DIAC ao ser polarizado, praticamente não conduz, circuito aberto, deixando passar apenas uma corrente de fuga, qua-
se igual a zero, até que a tensão sobre seus terminais, ultrapasse a tensão de avalanche. Deste ponto em diante ele passa a conduzir
intensamente (dispara), sua resistência interna cai consideravelmente e a corrente será máxima. Ele se comporta desta forma, para
correntes que circulem num e noutro sentido O processo de condução é interrompido, quando a corrente que passa pelo DIAC, fica
inferior a um valor mínimo necessário para mantê-lo conduzindo, então ele corta. Cortado o DIAC apresentará resistência quase
infinita e só voltará a conduzir, quando houver um novo disparo. A tensão capaz de provocar o disparo do DIAC está na faixa de
20 a 40 V.
Dz 1
Dz 2
A n odo 1
Estudo do funcionamento do DIAC, pela analise do comportamento de seu circuito equivalente, quando submetido a uma
polarização por fonte de tensão CC variável.
CARGA
Ânodo 2
Bateria Dz 1
c/
tensão Dz2
variável Ânodo 1
O valor de tensão que a bateria entrega ao circuito, inicialmente é próximo de zero e irá aumentando gradualmente. O
circuito do diac deve estar no estado de corte no primeiro instante, mesmo estando o diodo Dz1 polarizado diretamente. A passa-
gem de corrente estará interrompida enquanto o diodo Dz2 receber tensão inferior a tensão zener. A carga terá tensão zero sobre
seus terminais. Quando a tensão da fonte ultrapassar o valor de tensão do diodo zener 2 (tensão zener) somada a tensão do diodo
zener 1 (tensão direta do zener) , fluirá corrente na carga, o diac estará disparado. O diac irá cortar quando a corrente sobre ele, for
inferior a um valor mínimo necessário para mantÊ-lo conduzindo (ou disparado).
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Abaixo temos um circuito que utiliza o DIAC para disparar um outro tiristor de potência, o TRIAC. Este circuito é utiliza-
do para variar a luminosidade de lâmpadas, ele é conhecido por Dimer.
O DIAC tem a função de tornar mais preciso o pulso de corrente de gate, responsável pelo disparo do TRIAC. Segundo o
ajuste de R2, o pulso de corrente de gate acontecerá em um determinador intervalo de tempo após a passagem pelo zero da tensão
de entrada, que controlará o tempo de condução do componente TRIAC, que por sua vez alimentará a carga com uma tensão de
valor ajustável.
CARGA
R1
TRIAC
R2
DIAC
C
F
O TRIAC é fundamentalmente um diac que recebeu um terminal de porta. Este terminal é usado para controlar as condi-
ções de disparo deste componente, que conduz em ambos os sentidos. Em outras palavras, a corrente de porta pode controlar a
condução do dispositivo em qualquer sentido, de maneira parecida com à mostrada para o SCR.
IA ÂNODO 2 POSITIVO
Curva Característica: EM RELAÇÃO AO
ÂNODO 1
Corrente de Corrente de
manutenção IH manutenção
IH
IG4 IG3 IG2 IG1 IG0=0
VBR
|
|
VAK
VBR
IG0=0 IG1 IG2 IG3 IG4
ÂNODO 2 NEGATIVO
EM RELAÇÃO AO
ÂNODO 1
Ânodo 1 Anodo 2
Circuito Equivalente:
N1 N2
P1 A2 (Ânodo2)
gate (porta) N3
P2 gate Anodo 1
N4 N5
G (Gate)
(Porta)
Ânodo2
A1 (Ânodo1)
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Obs.: Os outros métodos de comutação não funcionam com o TRIAC. Exemplo: Comutação por pulso de gate; comutação por
polarização reversa.
Aplicações: Circuitos de controle de intensidade luminosa de lâmpadas de filamento; controle de potência de pequenos motores
universais (exemplo motor de máquina de costura); controle da potência de estufas; controle de potência de chuveiros elétricos;
variador de velocidade de ventiladores; variador de velocidade de furadeiras elétricas; controlador de velocidade de motores de
equipamentos eletrodomésticos (liquidificadores, batedeiras); ...
Circuito aplicativo para o tiristor TRIAC: controle de iluminação externa, utilizando a luz do sol para controlar o acionamen-
to do sistema:
Carga
P DIAC
TRIAC
A1 A2 G
C2
LDR C1
A1 A2 G
19 28/02/08 13:42
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R1
TRIAC
R2
VCA
DIAC
C
F
VCA
VC
t
VG
t
VA2A1
t
V carga
20 28/02/08 13:42
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CEFET-RS
Curso de Eletrotécnica Disciplina de Eletrônica Industrial
Professor: ...............................................................
AVALIAÇÃO PRÁTICA COM CONTROLADOR DE POTÊNCIA COM TRIAC: NOTA:..............
-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................
Introdução: Vamos alimentar o circuito de um dimer, montado com TRIAC, usando uma fonte CA de 60 Volts e observar as
formas de ondas encontradas em diversos pontos. A observação será feita com auxílio do osciloscópio.
Procedimento:
1) Observando o dispositivo eletrônico no circuito impresso, desenhar o seu diagrama esquemático. Coloque no desenho os valores
dos componentes.
2) Ligue a carga (lâmpada de 100W 127V) ao circuito e alimente-o com tensão CA reduzida (60V) ou valor menor.
3) Utilizar o osciloscópio para observar as tensões: no gate; na carga; no capacitor; na entrada do circuito e entre A1 e A2. Ao fazer
as medições nestes pontos, varie o valor do potenciômetro e veja o que acontece observando a tela do osciloscópio.
4) Usando os dois canais do osciloscópio, observar as formas de ondas: VCA e VA2A1; Vcarga e VA2A1; VG e VA2A1; VC e
VCA. Todas estas formas de ondas devem ser desenhadas usando os eixos abaixo. Os valores máximos e mínimos, de tensão, de-
vem vir indicados nos gráficos. O traçado das curvas deve ser feito para três ajustes do potenciômetro segundo o comportamento
do tiristor: 1) TRIAC disparando no final do semiciclo positivo e semiciclo negativo (tensão na carga será quase zero); 2) TRIAC
disparando aos 90 do semiciclo positivo e 270 do semiciclo negativo (tensão na c arga será média) ; 3) TRIAC disparando no
início do semiciclo positivo e início do semiciclo negativo (tensão na carga será máxima).
5) Conclusões: a respeito do circuito; seu funcionamento e dificuldades encontradas. Entregar um relatório correspondente aos
itens acima ensaiados. Um relatório por dupla de trabalho.
VCA
VC
VG
VA2A1
V carga
21 28/02/08 13:42
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TRANSISTORES DE UNIJUNÇÃO
O transistor de unijunção ( UJT- Unijuncion Transistor), como o próprio nome sugere, é um dispositivo semicondutor de
três terminais possuindo apenas uma junção P-N. O UJT é fundamentalmente, um dispositivo de chaveamento (liga ou desliga)
com propriedades diferentes em relação aos demais componentes semicondutores.
D
Base 1 rB1
Base 1
Base 1
DADOS CONSTRUTIVOS
Em uma barra de material tipo N, levemente dopado, é soldado um terminal de alumínio, que é um dopante aceitador. No
processo de soldagem a difusão de átomos de alumínio na barra N, faz com que surja uma região do tipo P de dopagem elevada
que dará origem ao emissor. Os dois outros terminais colocados nos extremos da barra N, serão chamados de Base 1 e Base 2. Em
relação aos terminais de base, a barra N nada mais é que um simples resistor cuja resistência depende das dimensões e da dopagem
desta barra, cada UJT possui um valor característico seu, acontecimento normal, visto que estes valores dependem do processo
construtivo, que não possui muita precisão.
FUNCIONAMENTO DO UJT:
O circuito equivalente do UJT, alimentado por duas fontes CC, uma maior fixa e outra menor variável, mostra a resistên-
cia entre bases representando simples divisor de tensão, formado por resistências, com o emissor entre as mesmas, as de valor mais
significativo são rB1 e rB2 (resistência interna do UJT).
VX = rB1 . VB2B1
rB1+rB2
RB2
B2
D rB 2
E X Vx +
VBB
-
rB 1
+
VE B1
-
R B1 OBS.: Como usualmente as resistências dos resistores de polari-
zação das bases 1 e 2, são de valores pequenos, desprezíveis, em
relação a resistência interna deste componente, podemos substitu-
ir o valor da tensão VB2B1 por VBB.
O diodo de emissor comporta-se como um diodo normal, ou seja, quando polarizado inversamente, flui pelo mesmo ape-
nas uma corrente de fuga de baixo valor. Quando polarizado diretamente conduz pequena corrente, até antes de vencer a barreira de
potencial (0,7 volts para o silício). Depois de ultrapassar a barreira de potencial, a corrente que flui pelo diodo passa a ser elevada.
A resistência rB1 é conhecida por “resistência negativa”. Por “resistência negativa” entende-se, uma resistência que de-
cresce de valor à medida que a corrente que a atravessa aumenta. Em resistores convencionais acontece ao contrário, se a corrente
aumenta a resistência tende a aumentar.
A operação normal do UJT consiste em aumentar VE até que seja atingido o valor da tensão de pico Vp. Neste valor da
tensão de emissor, o diodo passa a ficar diretamente polarizado, e é dito então que o UJT foi disparado. A tensão Vp portanto Vale:
Vp = Vx + VD
OBS.: VD é a queda de tensão do diodo do emissor, com valor aproximadamente igual a 0,7 volts.
A partir de VE = Vp, o UJT entra na região que exibe resistência negativa. Com a junção P-N (o diodo do emissor) polari-
zado diretamente, a injeção de portadores em ambos os lados da junção. O aumento do número de portadores na região entre o
22 28/02/08 13:42
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IB2 =0
Vv
Ip Iv IE
* (letra grega eta) representa a razão intrínseca de equilíbrio, definido por:
= rB1
rB1 + rB2
O valor de pode variar entre 0,4 a 0,9 dependendo do tipo do transistor. A razão determina o valor da tensão do ponto
de disparo Vp:
Vp = VB2B1 + VD = Vx + Vp
Vp = VBB + VD ( se R1 e R2 <<RBB)
1) sua tensão de disparo é aproximadamente uma fração fixa da tensão de alimentação, o que permite que um oscilador de relaxa-
ção, tenha freqüência de oscilação independente da tensão da fonte;
2) o UJT possui uma região de “resistência negativa” bastante estável, o que sugere o seu uso em osciladores e circuitos de disparo;
3) freqüentemente, o uso do UJT em um circuito que se destine a implantar uma determinada função, reduz à metade o número de
componentes que seriam necessários se fosse utilizado um transistor bipolar. Isto implica em simplicidade e maior confiabilidade
do circuito;
4) sua resistência interna na condição de “desativado” é relativamente elevada (5K ohms à 10 k ohms);
5) o dispositivo necessita de baixos valores de corrente de disparo: 2 A à 10 A;
6) o UJT tem elevada capacidade de corrente de pulso (2A);
7) são disponíveis à saída B1, tensões de pico relativamente elevadas (3 à 5 Volts), que podem ser usadas no chaveamento de
tiristores.
Obs.: Tiristores são componentes eletrônicos, utilizados para controlar equipamentos de potência elevada. Por exemplo: grandes
motores.
23 28/02/08 13:42
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R1
RB2
R
S2
R2 Emissor Base 2
VCC
Base 1
C S1
RB1
Gráfico das tensões em função do tempo: de emissor, da saída 1 e da saída 2 do circuito desenhado acima:
VE
t
VS1
t
VS2
Cálculo de RB2:
0,4. RBBmin. (1 )
RB2 . RB1
. Vcc
1 1 1
R. C. ln f
1 1
RC. ln
1
24 28/02/08 13:42
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Abaixo temos o circuito do oscilador de relaxação com o sinal de saída retirado de um transformador
de pulso .
R1
RB2
S2
R2
Emissor Base 2
VCC
Base 1
D2 OBS.: a finalidade do diodo D1 é de proteger o
C S1 circuito do UJT da força contra eletromotriz gerada
pelo primário do transformador de pulso, sempre
D1 que a corrente sobre ele for interrompida. O diodo
D2 tem a função de bloquear pulsos negativos que
surjam no secundário do transformador, evitando
queimar o tiristor
25 28/02/08 13:42
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-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................
Procedimento: A prática deve ser feita em duplas. A dupla deve executar os ensaios solicitados, nos itens abaixo e relatar as con-
clusões que a dupla chegou, ao cumprir cada um dos itens apresentados.
1) Desenhe o circuito eletrônico do oscilador de relaxação que vocês receberam na chapa de circuito impresso. No desenho devem
constar todos os componentes encontrados no circuito, com seus respectivos valores. Anote também o número do circuito recebido.
2) Calcule o período máximo e mínimo do circuito. Determine a faixa de freqüência que o circuito deve operar:
3) Utilizando a fonte CC, ajustada para [X+ (N do circuito)] Volts, alimente o circuito corretamente.
26 28/02/08 13:42
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t
VB1
t
VB2
t
a) Anotar período máximo e mínimo, faixa de freqüência, medidos com o osciloscópio. Comparar com os valores já cal-
culados. Tirar conclusões.
c) Meça o tempo de carga e descarga do capacitor, anotando na curva de VE os respectivos valores encontrados. (Só para
fazer as medições dos valores de tempo, utilize a forma de onda de B1)
t
e) Desenhe a forma de onda de VB1 e anote na mesma os valores das tensões mínimas e máximas encontradas.
VB1
t
f) Desenhe a forma de onda de VB2 e anote na mesma os valores das tensões, com o UJT no corte e com o UJT conduzin-
do ao máximo.
VB2
t
g) Variar a tensão da fonte cc de 5 V até no máximo 30 V. Observar se o período da forma de onda se modificou. Caso
tenha mudado, qual a modificação ocorrida? Tire conclusões:
27 28/02/08 13:42
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h1)
VE
t
VB1
t
h2)
VE
t
VB2
t
h3)
VB2
VB1
28 28/02/08 13:42
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D1
R8
R R1
D2 R12
L
S R2
D 6
D 4
T R3
D3
C1 R9
R4
R10
T1
R5
SCR
T2
R6
C5
D5
C2 C3
R7
R11
N C4
N R S T
Campo do
gerador
Enrolamento que
recebe tensão do
circuito eletrônico.
Enrolamento do estator
29 28/02/08 13:42
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1) Diga em poucas palavras , o que é um UJT? Como ele é constituído? Qual o significado da sigla UJT?
2) Desenhe a estrutura em barra e o circuito equivalente do UJT. Identifique todos os terminais, com os respectivos
nomes:
3) Desenhe á curva característica do UJT identificando nesta curva as regiões de: saturação; corte e resistência nega-
tiva. Também assinale na curva, os pontos de tensão de pico e tensão de vale:
VB2 t
8) Desenhe o circuito de um oscilador de relaxação, que
funcione sincronizado com a rede CA que o alimenta:
t
9) Desenhe o circuito de um oscilador de relaxação a UJT,
que me entregue em sua saída, um pulso de tensão “negativa”. Identifique no circuito, claramente, onde se localizará
esta saída:
T1
d) Se o capacitor, do circuito, entrasse em curto-circuito.
Qual seria o comportamento do oscilador ?
e) Tenho um oscilador de relaxação que trabalha em uma determinada faixa de freqüência. Nesta faixa de fre-
qüência encontramos valores máximos e mínimos. Qual seria a alteração aceitável, nos valores dos componentes,
para se conseguir que os valores das freqüências, mínima e máxima, tenham os valores iguais a 1/4 dos valores
originais?
30 28/02/08 13:42
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D 1
R8
R R1
D 2 R1 2
L
S R2
D 6
D 4
T
R3
D 3
R9
C 1
R4
R1 0
T 1
R5
S CR
T 2
R6
C 5
D 5
C 2 C 3
R7
R1 1
N C 4
T2. .
O PUT é um componente de 4 camadas, da família dos tiristores, com características semelhantes ao SCR. O PUT difere
do SCR, na posição do terminal de gate, no SCR o gate é colocado no material tipo P mais próximo do cátodo, no PUT o gate fica
colocado no material tipo N mais próximo do ânodo.
Tendo características parecidas com o SCR, mesmo assim o PUT é chamado de transistor de unijunção, pois o mesmo é
utilizado em circuitos onde poderiam ser usados UJT convencionais. O PUT possui características semelhantes ao UJT, com a
vantagem de ser mais rápido, mais sensível e possuir a tensão de disparo programável, podendo a mesma ser estabelecida pela
escolha de um divisor resistivo adequado.
A (Ânodo)
ânodo anodo
G (Gate)
P (Porta) gate
T1
N gate
P
T2
N K (Cátodo)
cátodo catodo
Princípio de funcionamento
O PUT trabalha como um transistor de Unijunção, desde que exista um circuito externo de polarização, que estabeleça a
tensão de disparo Vp. A figura abaixo mostra o divisor resistivo de tensão, responsável pelo estabelecimento da tensão de disparo e
o seu circuito Thevenin equivalente.
VBB carga
carga
A RG
RB2
A
G
V
G
V VS
RB1 k
k
Divisor resistivo Circuito equivalente
31 28/02/08 13:42
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Quando VA iguala-se a VP, definido na equação acima, será estabelecido o processo regenerativo que manterá T1 e T2
saturados, o terminal de gate deixa de proporcionar o controle do PUT. Para que o mesmo retorne ao estado de bloqueio, é necessá-
rio que a corrente de ânodo caia abaixo de IV, aqui análoga a corrente de manutenção. O PUT é considerado programável por pos-
sibilitar a fixação do valor de eta () externamente.
VP
OBS.: Pela observação da figura ao lado
percebe-se que a característica de um PUT
é semelhante a de um UJT.
VV
IP IV IA
1 V BB
T RT C T ln
1 RT
R B2
1 A G
T RT CT ln
R B1
1 CT PU T
R B1 R B 2 k
R B1
RS
R RB 2
T RTCT ln B1
RB 2
R
T R T C T ln 1 B 1
RB2
32 28/02/08 13:42
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SCR
CT PUT RB1
k
Figura 1
Funcionamento:
33 28/02/08 13:42
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b) Controle de onda completa para dois SCR de alta potência. Os SCR estão ligados na configuração antipara-
lela de forma que seja aproveitada a tensão da rede de maneira integral, ciclo completo.
c) Circuito de controle de potência em fase única usando retificação em ponte semicontrolada e transformador
de pulso.
35 28/02/08 13:42
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É um novo tipo de dispositivo semicondutor de potência que associa as capacidades de densidade de corrente e de blo-
queio de tensão típicas dos tiristores, com um controle de disparo e de comutação baseados em dispositivos MOS. Enquanto o
GTO tem o gate controlado em corrente , o MCT funciona comandado por tensão. Existe MCT que pode funcionar com correntes
de 600 A e 2000 V (dados de 1996).
A
A
on-FET
G off-FET
off-FET G
on-FET
K K
MCT de canal P (P-MCT)
MCT de canal N (N-MCT)
Princípio de funcionamento
Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsável pela entrada em condução do tiristor (on-FET) é também de
canal P, sendo levado à condução pela aplicação de uma tensão negativa no terminal de gate.
Estando o ânodo positivo, a condução do on-FET realiza uma injeção de portadores na base do transistor NPN, levando o
componente à condução.
Uma vez que o componente é formado pela associação de dezenas de milhares de células, e como todas elas entram em
condução simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt. O MCT permanecerá em condução até
que a corrente de ânodo caia abaixo do valor da corrente de manutenção (como qualquer tiristor), ou então até que seja ativado o
off-FET, o que se faz pela aplicação de uma tensão positiva no gate.
A condução do off-FET, ao curto-circuitar a junção base-emissor do transistor PNP (é possível também uma estrutura que curto-
circuita as junções base-emissor de ambos os transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao
bloqueio do MCT. A queda de tensão deve ser menor que Vbe. Esta capacidade de desligamento está associada a uma intensa in-
terdigitação entre o off-FET
e as junções, permitindo absorver portadores de toda superfície condutora do ânodo (e do cátodo).
Assim como um GTO assimétrico, o MCT não bloqueia tensão reversa acima de poucas dezenas de volts, uma vez que as
camadas n+ ligadas ao ânodo curto-circuitam a junção J1, e a junção J3, por estar associada a regiões de dopagem elevada, não têm
capacidade de sustentar tensões mais altas. É possível, no entanto, fazê-los com bloqueio simétrico, também sacrificando a
velocidade de chaveamento.
O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de evitar comutações (por "latch-
down" ou por dv/dt) indesejáveis.
O gate necessita de baixíssimas correntes de comando, visto que seu gate funciona feito minúsculo capacitor, drenando
corrente muito pequena, ao se carregar.
É possível construir MCTs que são ligados por um MOSFET de canal N, e desligado por um MOSFET de canal P, como
mostrado nas figuras acima (N-MCT). Este componente entra em condução quando um potencial positivo é aplicado ao gate,
desligando com uma tensão negativa. Como o ânodo está em contato apenas com uma camada P, este dispositivo é capaz de sus-
tentar tensões com polarização reversa.Sabe-se que um MOSFET canal N é mais rápido e apresenta menor queda de tensão do que
um MOSFET canal P.
Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N é capaz de comutar uma corrente de ânodo 2 a 3 vezes
maior do que a que se obtém em um N-MCT. Em contraposição, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em condução é
mais lenta do que a que se tem em um N-MCT. A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP não con-
duza. Esta queda de tensão se dá com a passagem da totalidade da corrente de ânodo pelo MOSFET.
Símbolos:
A A
K
K MCT de canal N
MCT de canal P
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EXERCÍCIOS:
1) Descreva o componente GTO, falando do seu funcionamento:
2) Vamos supor que um GTO esteja conduzindo, entre que valores de tensão eu poderia encontrar o seu VAK?
3) O GTO é um componente elaborado para controlar elevadas potências. Qual o limite, aproximado, de tensão e corrente máxima
que este componente consegue suportar?
4) Que faixa de freqüência o GTO consegue trabalhar?
5) Cite três aplicações para o GTO:
6) O GTO ainda é utilizado na atualidade, aos poucos vem perdendo “terreno” para os: BJT, Hexfet e IGBT. Qual o motivo desta
perda?
7) Comparando os componentes de potência estudados até aqui (SCR, TRIAC, GTO, BJT, HEXFET e IGBT). Responda os se-
guintes itens listados abaixo:
a) Quais destes componentes pode trabalhar com potência mais alta?
b) Destes componentes qual trabalha com potência mais baixa (por volta de 2000W)?
c) Qual o componente que funciona com freqüência de chaveamento superior a 50 k Hz ?
d) Liste os componentes que apresentam custo mais baixo que os demais:
e) Liste os componentes que apresentam custo mais elevado que os demais:
f) Liste os componentes que necessitam de circuitos externos de desligamento:
g) Cite os componentes que possuem comando por pulso de corrente:
h) Cite os componentes que possuem comando por pulso de tensão: VBB
8) O que significa a sigla PUT?
9) Desenhe o símbolo do PUT: RT
10) Desenhe o símbolo o circuito equivalente do PUT: RB2
11) Descreva o princípio de funcionamento do oscilador ao lado.Calcule a freqüência de oscilação:
Dados: RB2= 2,2 k; RB1= 1,8 k; RT=75 k ; CT= 0,022F e RS= 100. A G
12) Descreva detalhadamente o funcionamento do circuito desenhado abaixo:
a) PU T
CT RB1
+ k
VI saída
- R1 RS
GTO
P +
DZ C Vo
R2 -
38 28/02/08 13:42
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Os dispositivos optoeletrônicos são divididos em dois grupos básicos. Classificam em dispositivos sensíveis à luz e dis-
positivos emissores de luz. Os mais importantes componentes em ambas as categorias serão por nós estudados.
A necessidade de conhecermos os dispositivos optoeletrônicos esta crescendo em importância, uma vez que eles estão
sendo cada vez mais usados e, novas aplicações são constantemente encontradas, na indústria, no comércio, no lar, no automóvel,
na informática,...
| | | | | | | | | | | | |
2000 3000 4000 6000 5000 7000 8000 9000 10000 11000 12000 13000 14000 (A )
1,5x106 1,0x106 7,5x105 6,0x105 5,0x105 4,3x105 3,8x105 3,3x105 3,0x105 2,7x105 2,5x105 2,3x105 2,1x105
| |
ULTRAVIOLETA CORES VISÍVEIS PARA O SER HUMANO INFRAVERMELHO
v
f
= comprimento de onda em metros OBS.: 1 A = 10-10 m
V= velocidade da luz 3x108 m/s
f = freqüência Hertz
A célula fotocondutiva é um dos mais antigos componentes sensores optoeletrônicos. Basicamente não passa de um resis-
tor sensível a luz, conhecido por LDR (Resistência Dependente da Luz), cuja resistência interna varia quando a luz que o atinge é
alterada em intensidade. A variação da resistência não é linear pois varia em proporções diferentes da luz incidente.
TERM IN AIS
Desvantagem:
Ela responde lentamente as variações na iluminação.
Tensão de alimentação:
A maioria das células fotocondutivas é capaz de suportar tensões de operação relativamente altas. Dispositivos típicos
deverão ter valores máximos de tensão de 100, 200, ou 300 volts contínuos.
Consumo máximo:
Potência máxima de 30 mW a 300 mW são típicas.
39 28/02/08 13:42
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NA
LDR
RELÉ
F REDE CA N
220V
Funcionamento do circuito:
A luz incidente sobre o LDR faz com que sua resistência diminua e acione o relê, o relê ao acionar abre o contato NF e
fecha o contato NA, a lâmpada é desligada. A ausência de luz incidente sobre o LDR, faz com que sua resistência aumente, desa-
cionando o relê. O relê desacionado, o contato NA abre e o contato NF fecha, permitindo a energização da lâmpada.
CÉLULAS FOTOVOLTAICAS
A célula fotovoltaica é um dispositivo que converte diretamente energia luminosa em elétrica. Quando exposta à luz ela
gera uma tensão entre seus terminais, esta tensão aumenta quando a luz cresce em intensidade. A célula fotovoltaica foi usada por
muitos anos em várias aplicações militares e espaciais. É comumente empregada a bordo de satélites, aeronaves, centrais telefôni-
cas desprovidas de rede elétrica, bóias navais de sinalização, ... Converte energia solar em elétrica que pode ser usada para operar
vários tipos de equipamentos elétricos e eletrônicos. Este dispositivo é normalmente chamado de célula solar.
A célula fotovoltaica é basicamente um dispositivo feito de materiais semicondutores, usualmente o silício e o selênio.
ESTRUTURA SÍMBOLO
ANEL METÁLICO
CAMADA
ENTRADA DE
P LUZ
ANEL METÁLICO
P
N
SUPORTE METÁLICO
TERMINAIS
Nos últimos anos tem havido um interesse crescente pela célula solar como fonte alternativa de energia. Porém, se consi-
derarmos que a densidade de energia recebida do sol ao nível do mar é em torno de 100 m W/ cm 2 ( 1 kW/m2 ), veremos que cer-
tamente é uma fonte de energia que ainda requer pesquisa e desenvolvimento, a fim de maximizar a eficiência de conversão de
energia solar para elétrica.
A geração de tensão, na célula fotovoltaica, depende da incidência de fótons (partículas de luz) na superfície da célula.
Nem todos os fótons que atingem a célula fotovoltaica criam pares elétron-lacuna e muitos dos elétrons e lacunas que separam-se
para formar pares, eventualmente se recombinam. A célula é, portanto um dispositivo altamente ineficiente com relação à conver-
são da energia luminosa em energia elétrica. Comparando a potência de saída com a potência de total contida na energia luminosa
da entrada, a maioria das células apresenta eficiência que varia de 3% até no "máximo" 15%.
Esses dispositivos geralmente requerem altos níveis de luz para fornecer potência de saída útil. A 2000 pés-candelas, a
tensão média de saída em circuito aberto (sem carga) de uma célula comum é aproximadamente 0,45 volts, Quando carregada, uma
célula típica pode fornecer 50 mA a 60 mA de corrente de saída à carga. Entretanto, conectando-se um grande número de células
em série ou paralelo, qualquer valor desejado de tensão ou corrente poderá ser obtido.
40 28/02/08 13:42
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Os LEDs são dispositivos semicondutores que produzem luz quando submetidos a uma corrente ou tensão externa, ou
seja, simplesmente convertem energia elétrica em energia luminosa. É um componente de estado sólido, e é fisicamente mais forte
que as lâmpadas encapsuladas em vidro ( incandescentes, neons,...). Como todos os dispositivos semicondutores, apresenta uma
expectativa de vida ilimitada.
Um diodo de junção pode emitir luz em resposta a uma corrente elétrica. Nesse caso, a energia luminosa é produzida de-
vido aos elétrons lacunas forçados a se recombinarem. Quando um elétron e lacuna se recombinam pode ser liberado energia na
forma de fótons. A freqüência (ou comprimento de onda) dos fótons emitidos dessa maneira é determinada pelo tipo de material
semicondutor empregado na construção do diodo.
Construção do LED:
Muitos LEDs são feitos de arseneto de gálio (Ga As). Os LEDs feitos desse material emitem luz mais eficientemente no
comprimento de onda próximo a 9000 angstrons (9000x10-10 m), que situa-se na região infravermelha do espectro da luz e não é
visível ao olho humano. Outros materiais também são usados tal como o fosfeto arseneto de gálio (Ga As P) , que emite uma luz
vermelha visível a aproximadamente 6600 angstrons (6600x10-10 m) e o fosfeto de gálio (Ga P) que produz uma luz visível verde
em mais ou menos 5600 angstrons. O dispositivo de Ga As P oferece ainda uma gama relativamente extensa de possíveis compri-
mentos de onda de saída, pelo ajuste da quantidade de fosfeto nele presente. Variando-se a quantidade de fosfeto, o LED pode
emitir luz em qualquer comprimento de onda de 5600 à 9100 angstrons.
Construção Básica:
raios de luz contato de
alumínio
contato de
camada alumínio
isolante
GaASP
camada iso-
P lante
Ga As P N
contato de
substrato Ga substrato GaAS ouro
lente plás-
tica
contato de ouro
pastilha Fio condutor
semicon-
Uma típica cápsula de LED: dutora do Símbolo do LED:
LED
cátodo
terminal
de ânodo ânodo
chanfro
terminal de cátodo
Gráfico mostrando intensidade relativa x comprimento de onda para LEDs de diversas cores
GaAsP verme-
verde amarelo lho
(intensidade relativa)
1,0
vermelho de
alta eficiência
0,5
Obs.: 1 A0 = 10-10 m
0,0
5000 5500 6000 6500 7000 7500 (A 0 )
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P P
I
+ N + NN
OBS.: I material intrínseco possui resistência muito alta (uma baixa condutividade) porque possui algumas impurezas.
O acréscimo da camada I resulta numa região de depleção muito maior para uma certa tensão de polarização reversa. A
região de depleção mais extensa faz o fotodiodo PIN responder melhor as freqüências menores (fótons penetram mais fundo) e
maiores (por possuir menor capacitância, dielétrico maior).
50 100 W
40
50 W
30
20
10
5 10 15 20 25 30 tensão reversa (volts)
SÍMBOLOS:
catodo catodo
anodo +
anodo
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FOTOTRANSISTOR:
O fototransistor é também um dispositivo de junção PN. Porém ele apresenta duas junções ao invés de uma.
emissor
N
P base
coletor N
Circuito equivalente:
coletor
tensão de
polarização
base
emissor
Curva característica Vc x IC
corrente de coletor (mA)
Símbolo do fototransistor:
C 5
4 m W/cm2
B
4
3 m W/cm2
E 3
2 m W/cm2
2 1 m W/cm2
1
5 10 15 20 25 30 tensão de coletor (volts)
Uma diferença importante entre o fototransistor e o fotodiodo, está na quantidade de corrente que cada dispositivo pode
controlar. O fototransistor pode conduzir muito mais corrente de saída que o fotodiodo, para uma certa intensidade luminosa, de-
vido à capacidade de amplificação do fototransistor.
O fototransistor não possui uma resposta muito rápida para mudanças de intensidade de luz e portanto não é adequado a
aplicações onde uma resposta muito mais rápida seja exigida.
OPTO-ISOLADORES (Fotoacopladores)
O opto-isolador é uma unidade que contém um LED infravermelho e um fotodetetor tal como um diodo de silício, um par
Darlington de transistor, ou um SCR. As respostas a comprimentos de onda dos dispositivos são feitas o mais parecido possível
para se obter a máxima medida de acoplamento.
ISO - LIT 1
6
1
5
2
4
3
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Diagrama eletrônico:
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EXERCÍCIOS:
NA
LDR
RELÉ
F REDE CA N
220V
Referências Bibliográficas:
GMBH, Dr. Fritz Martin & Co. KG. SEMIKRON Semicondutores de Potência ‘90. Carapicuiba,
SEMIKRON, 1990.
BOYLESTAD, Robert. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Editora Prentice Hall do Brasil. Rio de
Janeiro, 1994.
MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. Volume I, 4ª edição. Pearson Education do Brasil. São Paulo, 1997.
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