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ANALÓGICA
MOS~~T
Os HT do canal isolador são mais práticos f vfrsátfis do qUf os df união
É possível realizar um transistor de efeito de cam-
po (FET: Field Effet Transistor) também sem a união
porta-canal característica dos JFET.
Substrato o
Pode ser obtido isolando a porta do canal com um
leve estrato de bióxido de silício, um material de
grande resistência.
1\
Drenagem
A figura mostra o símbolo genérico de um MOSFET,
no qual está indicado claramente o isolamento entre
Porta G B a porta e o canal: até mesmo no desenho não se to-
cam.
~ Para canal
~ n S
Existe ainda um quarto terminal, o do substrato (B,
body: corpo) no qual o dispositivo foi realizado: este
forma uma união com o canal.
G B
Nas aplicações normais está freqüentemente ligado
à origem, mas este fato muitas vezes nem sequer
~ Para canal
~ p S
está indicado; em alguns casos não se pode sequer
aceder a ele através de um contato, pelo menos
~ 22(((((" 2H"222H
neste tipo de MOSFET.
Alguns dos símbolos utilizados para os MOSFET de canal e
de canal p; à direita está a versão que indica a ligação com
o substrato (8).
• •
Devido ao fato de a porta estar isolada, a corrente requerida pelo MOSFET
neste terminal é quase nula: nem sequer existe uma corrente mínima de
perda da união dos JFET.
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ANALÓGICA
Vazamfnto f dfSfnvolvimfnto
Ixistfm dois tipos df MOSUT: um rfduI a corrfntf no canal f o outro aumfnta-a
Consideremos o JFET e o MOSFET já mostrados nu-
ma figura anterior, ambos do canal N: nos dois casos,
se aplicarmos uma tensão negativa à porta, o canal
fica obstruído e a corrente reduz-se.
-v~ +vA
No entanto, com o MOSFET pode-se aplicar uma ten- Si~ Nã~
+v~
A diferença que
este que está vedado aos JFET. existe entre o JFET
-V~ e o MOSFET é que
Enquanto o JFET poderia fazer passar corrente pela este último pode
união da porta, o MOSFET não faz mais do que aplicar tensões
Sim~ Sim~
das duas polaridades
aumentar a corrente no canal: a porta mantém-se
na porta.
isolada.
o comportamento dos JFET e do tipo do MOSFET já necessário aplicar tensão à porta com polaridade
descrito chama-se vazamento: normalmente pelo ca- direta.
nal passa corrente, se
aplicarmos tensão inversa A figura mostra o símbolo usado para indicar explici-
D
à porta, esta reduz-se. tamente um MOSFET deste tipo, de canal N: o canal
interrompe-se para demonstrar que, na ausência da
Também existem MOS- G ~-8 tensão na porta, este permanece aberto.
FET do tipo desenvolvi- ~strato)
mento, pelos quais nor-
malmente não passa cor- S Nos MOSFET do tipo desenvolvimento, não passa corrente pelo
rente; para que passe é canal se não se proporcionar tensão na porta.
SOMENTE UM DISPOSITIVO
Os MOSFET dos dois tipos são distintos, mas o com- com O V da porta, como nos JFET, e um comporta-
portamento é similar, como se pode ver no gráfico mento do tipo vazamento (prefere-se o termo pinch-
que aparece na figura, que mostra a corrente no canal oft ou cutoft para a tensão do limiar).
quando varia a tensão da porta.
Corrente
Os dois MOSFET diferem pela tensão do descarga-origem
86
-----------------------------------------------------------------------------~-----,
MOS~(T de potinda
(m muitas aplica~õfSr fStfS dispositivos OftrfCfm intfrfssantn vantaCJfns
rflativamfntf aos transisteres BJT
CAPACIDADE DA PORTA
Como acontece com os MOSFET nem sequer Carregar esta capacidade requer corrente
necessitam corrente da porta (se a tensão da e tempo: durante este tempo o canal é par-
porta não variar), pareceriam comportar-se cialmente condutor, nos seus extremos
como interruptores perfeitos e quase privados existe tensão e no seu interior circula cor-
de dissipação. rente: o MOSFET dissipa potência.
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ANALÓGICA
(MOS
A utiliIa~ão de MOSnT complementares tem permitido a realiIa~ão dos modernos integrados digitais
A figura mostra duas versões do clássico interruptor
+Vcc +Vcc de MOSFET do tipo aumento do canal N, comparável
com um transistor NPN (ver a lição 10).
In0------.,1--111--'
o segundo interruptor é perfeitamente simétrico: uti-
..----- J Out liza um MOSFET de canal P e tem a origem ligada
Out (junto ao substrato) à alimentação positiva, em vez de
In o-........jl--ll ••• ligado à massa.
INTERRUPTORES COMPLEMENTARES
~
Os inversores de MOSFET complementar ou CMOS +vcc
(complementary MOS), são utilizados para realizar gran- Resistência que
de parte dos circuitos integrados digitais, das simples / limita a corrente
portas lógicas aos complicados microprocessadores.
Perno de Para o
entrada circuito
São compactos, rápidos, facilmente integráveis em
quantidade, não necessitando de componentes passi-
vos e tendo uma dissipação bastante limitada (pratica-
mente nula, na ausência de ligações). Diodo
distribuído ao longo
do resistor
Necessitam, no entanto, nos contatos de entrada e de
saída de proteções adequadas contra as cargas elec-
trostáticas, como por exemplo as que se mostram na Proteções típicas anti-estáticas da série 74HC; diodos e
resistores são realizados com o mesmo silício.
figura.
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~ ~L-_________________________________________ -------------------------------------- -----
DIGITAL
ROM f PROM
o conteúdo de alguns tipos de memória é programado apenas uma vez e não pode ser modificado
Existem diferentes variantes de ROM ou memória
só de leitura (ver a lição 20) que diferem em fun-
ção da técnica utilizada para guardar os dados.
PROM DE FusíVEIS
fusível
• • •
Para programar ou "escrever" uma PROM (deste ou de
outro tipo) parte-se do conteúdo desejado; uma se-
qüência de dados, cada um dos quais ocupará uma
célula da memória.
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DIGITAL
~PROM f afins ~
As PROM qUl' f possíVl'l apagar podl'm ser reutilhada
As PROM de fusíveis têm, para além da sua baixa densidade e do custo
relativamente elevado, o defeito de não serem reprogramáveis: não é
possível recuperar as ligações que estão queimadas.
EPROM: uma tensão elevada que empurra os elétrons para além de uma barreira, da
qual não têm bastante energia para fugir.
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Dfntrodf uma ~PRON
As memórias reprogramáveis podem ser realizadas se utilizarmos um MOSnT r
como acontece com muitos outros integrados digitais
Nas EPROM e E2PROM, cada bit é armazenado por da carga na porta contro-
um transistor MOSFET de um tipo especial, dotado de la a corrente que passa
uma porta adicional totalmente isolada (ver figura). pelo canal que, portanto,
será distinta conforme a
No interior destas portas intercala-se a carga elétri- presença ou ausência
ca, aplicando tensão suficiente para a fazer superar o da carga intercalada.
isolador sem o danificar (aproveitam-se fenômenos
Segunda porta Várias ROM programáveis
físicos bastante complexos). isolada utilizam um MOSFETde porta
duplã, um deles isolado do
Como acontece com todos os MOSFET, a presença resto do circuito.
~
Em qualquer tipo de memória é necessário selecionar
a célula desejada aplicando à entrada o endereço
-
I O
Descodificação das colunas
1 2 3 4 5 6 7
I
correspondente à da própria célula.
O
11 eu 3
'O
o
o- o
Deste modo é possível utilizar decodificadores mais ~
a.>
leu
o-
eu
4
'O <.>
pequenos (no exemplo, dois de 3 bits no lugar de um c
UJ
<;::: 5
15
de 6) e minimizar o número de ligações internas, para o
o 6 Célula
<J)
~
além do comprimento relativo, tão importante para a
velocidade.
o
a.>
7 -, :.; selecionada
As memórias são dispositivos digitais, mas no seu in- Deste modo, os sinais são alterados ao longo do per-
terior realmente são analógicas: por exemplo, os si- curso, como se tivessem atravessado filtros: o trabalho
nais lidos pelas células são muito fracos e são amplifi- dos projetistas de memórias, especialmente se são de
cados. grandes dimensões, não é nada fácil.
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DIGITAL
1
endereço, o
Se associarmos um número para cada letra, como
acontece com o código ASCII (A = 65, B = 66, etc.), é
possível também pôr na ROM textos, por exemplo (Janeiro)
1
O
compartimento
selecionado
contém o seu
número de dias.
Salvat-Jackson Libri.
A----'
ROM de 8 compartimentos
Cada circuito combinatório pode ser realizado com uma de i bit cada um
ROM que tenha suficientes entradas e saídas.
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COMPONENTES
LIMITES MÁXIMOS
A figura mostra os valores que não devem ser supe- Embora o dispositivo seja para 20 A máximos (lp),
rados para evitar danificações; alguns deles, como a pode suportar durante alguns momentos até 80 A
tensão entre a drenagem e a fonte (Vos) a corrente (10M) de maneira que a duração não seja de tal forma
(Ip) ou a potência (Ptot) são similares aos dos BJT. que aqueça a união para além do seu limite (Tj).
tensão entre a porta e a fonte (V GS) que pode ser VOS Voltagem de drenagem-fonte (Vpo = O) 50 V
tanto positiva como negativa, não existindo VDR Voltagem de drenagem-porta (Rpo = 20 KQ 50 V
nenhuma união com a excepção dos JFET. VGS Voltagem de porta-fonte +20 V
10 Corrente de drenagem (contínua) a Te=25 °C 20 A
10M Corrente de drenagem (pulsada) 80 A
Ptot Dissipação total a Te = 25°C 80 W
Valores máximos absolutos que podem ser tolerados pelo
Tstg Temperatura de armazenagem -65 to 175 °C
BUZ10, dados essenciais que devem ser observados com
atenção em qualquer projeto. Tj Temperatura de união operacional máxima 175 °C
Dos dados informados na tabela vê-se, por exem- É muito importante a tensão do limiar VPO(um)
plo, que existe uma determinada corrente de perda alcançada. O MOSFET, quando se trata de um au-
com o interruptor aberto 1000 que depende bastante mento, começa a conduzir.
da temperatura.
Na condução plena, a resistência do
Símbolo Parâmetro Condições do teste Min. Tip. Máx. Ud
canal ROS(on) é de apenas 0,07 Q, neces-
IDss Corrente de drenagem VDO = Valor Máx. 1 /lA
da voltagem da porta VDO = Valor Máx. 10
sitando-se, no entanto, de 10 V na porta
/lA
zero (VOO= O) Tj = 125°C para alcançar esta situação.
IGss Corrente de perda do VDO = ±20 V ±100 nA
corpo da porta (VOO= O)
VGS(th) Voltagem do limiar da porta VDO = Vpo ID = 1 mA 2.1 3 4 V Dados importantes na utilização do MOSFETpara
o controle de cargas onjoff, ou seja,
RDs(on) Resistência ligada da Vpo = 10V ID = 13 A 0.06 0.07 Q
drenagem-origem estática ligadasj desligadas.
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COMPONENTES
Dados dinâmicos
Quando o (anal do MOSHT não está totalmente na (ondu~ão ou totalmente interrompido,
existem outros dados a serem (onsiderados
Cada uma das curvas da figura indica a corrente do
canal conforme a variação entre a drenagem e a fonte, ~VGS=10V
- -9V
para uma certa tensão da porta: acima de um determi- 8V
nado valor de Vos' a corrente é quase constante.
TEMPOS DE COMUTAÇÃO
Um interruptor aberto não dissipa potência porque não Deve-se observar, em particular, o tempo de atraso na
existe corrente, e um que está fechado não a dissipa abertura td(off): as capacidades internas devem ser
porque não existe tensão: somente nas etapas inter- descarregadas antes do canal poder deixar de con-
médiarias estão ambas presentes. duzir.
Um MOSFET de potência deve, portanto, co- Símliolo Parâmetro Condições do teste Min. Tip. Máx. Unids
mutar rapidamente: na figura ficam indicados Td(on) Tempo de estar ligado VDD = 30 V ID = 3 A 45 65 nseg
os tempos do BUZ10 quando estão nas melho- 65 95 nseg
T, Tempo de subida RGS = 50 Q VGS= 10 V
res condições.
Td(off) Tempo de atraso no desligado 115 160 nseg
Tempos de comutação: o tempo de subida é o do
encerramento e o de descida é o da abertura. r, Tempo de descida 80 120 nseg
CAPACIDADE E CARGA
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Dados da (PROM
Vejamos a folha de dados de uma lPROM típica, que poderá ser apagada
com os ultravioletas e programável eletricamente
A 27C2001 é uma EPROM de 2 megabits, r -1
Vcc Vpp
organizada como 256K x 8, ou seja, 256K
compartimentos de 8 bits (um byte) cada
uma. Normalmente diz-se que é de 256 18 8
Kbytes. AO-A17~ ;t::>QO-Q7
~
É importante numa EPROM o tempo necessário para desligado das saídas (tDF): se várias EPROM estive-
ler o conteúdo de um compartimento (aqui um byte); rem ligadas ao mesmo barramento, as saídas devem
a figura mostra que a 27C2001 está disponível em ser desligadas antes de se ativarem as outras saídas.
versões com diferente velocidade. M27C2001
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COMPONENTES
ProCJrama~ão da (PROM
Os procedimentos de programa~ão do conteúdo diferem de uma marca para a outra
Depois de apagada a EPROM com os raios ul-
travioletas, para que seja possível escrever da-
Válido
dos novos o dispositivo programador deve apli-
car uma seqüência exata de sinais, para tempos
QO-Q7 Saída de dados
definidos pelo construtor (ver figura).
Vpp
Normalmente é necessária uma tensão relati-
tGLQV tGHQZ
vamente elevada, por exemplo de 12 V, embora
Vcc
alguns chips sejam capazes de produzir inter-
~---'+-tGHAX
namente partindo dos 5 V (ou menos) de ali-
mentação. Depois da programação efetua-se
sempre uma verificação para se ter a certeza
de que cada bit se encontra armazenado de
forma correta: deste fato encarrega-se, natural-
mente, o programador.
FORMAS DE FUNCIONAMENTO
A figura mostra as possíveis formas em que se pode Modo E G P A9 Vpp QO-Q7
encontrar o 27C2001, em função do estado das Leitura VIL VIL X X Vcc o VSS Saída de
dados
linhas de controle: no caso de que, tanto o E como o Inabilitação da saída VIL VIH X X Vcc o Vss Z Alta
G, estejam baixos (VIL' ou seja, L), está em leitura. Entrada de
Programação VIL VIH VIL Pulso X Vpp
dados
Verificação VIH X Vpp Saída de
É interessante o estado da leitura da assinatura VIL VIL dados
eletrônica que permite ao programador reconhecer Inibição do programa VIH X X X Vpp Z Alta
o dispositivo que foi inserido na sua base. Baixo consumo VIH X X X Vcc o Vss Z Alta
Assinatura eletrônica VIL VIL VIH VID Vcc Côdigos
Este fato requer a aplicação de 12 V sobre A9 e per-
mite ler os bites (em função do valor AO) que identi-
ficam, respectivamente, o construtor e o modelo. Formas de funcionamento do 27C2001: por exemplo, se o E
está alto, o chip entra em modo de baixo consumo.
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APLICAÇÕES
MICROPROCESSADOR E PROGRAMA
o centro de controle da injeção é um microcomputa- As instruções do programa são escritas numa me-
dor típico, no qual um microprocessador (CPU) mória ROM: algumas vezes numa EPROM, e fre-
executa as instruções de um programa: descrevem o qüentemente numa EEPROM ou flash,que se pode
que se pode fazer em cada situação possível. programar novamente para permitir atualizações
sem substituir nenhum fragmento.
Este fato permite evitar o projeto de
um circuito lógico (hardware) comple-
xo e custoso, substituindo este por
um programa (software); o tema é
tratado no curso de Digital.
Entradas
e saídas Para o
automóvel
o programa do centro de controle,
que diz (S/E)
como se devem comportar, está armazenado
de fábrica numa memória especial.
2
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APLICAÇÕES
APRENDIZAGEM E MEMÓRIA
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FERRAMENTAS
Limitfs do osciloscópio
Toda a ferramenta tem as suas limita~ões; portanto, iimportan (onh Cf-
para que possam ser bem utlljil'lZIClH--;;--
As ferramentas são sempre úteis, mas devem ser consi-
deradas pelo que são: ajudas. Em nenhum caso devem
substituir o bom senso. o
SLJ --. j\J Pelo mesmo motivo, uma frente da onda é arredon-
~ --. ~
dada, ao passo que um impulso breve pode ser alar-
gado e enfraquecer, ou mesmo desaparecer total-
mente.
SINAL E INTERFERÊNCIA
Freqüentemente, a sonda do osciloscópio capta (por
via capacitada ou indutiva) interferências produzidas
por circuitos muito próximos, especialmente se a pinça
da massa for ligada longe do ponto na qual é medida.
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FERRAMENTAS
Artffatos
(m determinadas condi~ões podem aparecer na tela acontecimentos que não existem no circuito
Quando a base de tempos é rápida, os diferentes tra- interrupções horizontais ou ondas quadradas que não
ços são desenhados alternativamente: em cada pas- têm nada que ver com o circuito que se está medindo.
sagem é desenhado apenas um: este é o modo alterno.
OSCILAÇÃO AMORTECIDA
Não são somente os sinais digitais que empregam um
certo tempo para mudar de estado (ver lição 8 de
Digital), mas também porque tendem a ter uma breve
oscilação amortecida logo a seguir a cada transição.
OCORRÊNCIAS INViSíVEIS
Trigger Trigger
Pelo contrário, podem nem sequer aparecer na tela
ocorrências que se vérificam no circuito, mesmo aque-
las que têm uma determinada importância, especial-
mente se é difícil utilizá-Ias para fazer saltar o sincro- ~
O período
nismo.
com a interferência
<:
permanece fora
Um exemplo aparece na figura: se a ocorrência se "-~-', da tela
/' I \
I \ I
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PROJETOS
Tfrmostato df 12 V
Um dispositivo para regular automaticamente a temperatura
As preocupações por efeito do ar forte das serras, da altitude, da neve ou
de outras mudanças climáticas, são devidas ao fato de bastarem poucos
graus a mais ou a menos para mudar radicalmente a vida na terra.
~
A palavra termostato indica um ambiente no qual a
temperatura (termo) se mantém constante e, portanto,
no regime estático (stato), mas o termo é utilizado com
freqüência para referir-se ao dispositivo de controle.
APLICAÇÕES
~_ •• ~22
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PROJETOS
Montagfm do drculte
Todos os componentes, com a excepção da sonda tér- o integrado IC1 (para o qual se pode utilizar um so-
mica, o potenciômetro para a configuração e a fonte de quete) pode estragar-se irremediavelmente se a mon-
energia de 9 a 12 Vcc. encontram o seu lugar na tagem estiver ao contrário.
pequena placa que se pode ver na figura.
- +
Disposição dos componentes na placa do circuito 9/14 V
impresso do termos tato eletrônico.
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Para verificar o funcionamento do termostato é sufi-
ciente aplicar a alimentação e rodar lentamente o
comando de controle de um extremo para o outro do Ventilador
percurso. de 12 V
o dispositivopode ser montado numa pequena caixa se montar internamente a campainha, fazendo uns
ou encapsulamento de plástico, não sendo necessá- orifícios para que possa passar o som.
ria nenhuma proteção especial (à parte, como já indi-
camos, sobre o fio do sensor).
HISTERESE
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PROJETOS
Fun(ionam,nto do circulte
o termistor (sonda) forma um divisor com o resistor gunda, a saída está alta: o Q1 conduz e o relê salta.
R1, produzindo nos extre-
mos de C3 uma tensão
+12 V0-...---_-----,
mais alta quanto mais ele-
vada é a temperatura na +6 V RLl
LOl
qual se encontra. --
01
C4 ,,
Um segundo divisor, forma- Ri R2
do pelos R2 e R3, este últi-
rn
mo em série com o poten- 1
ciômetro RV1, produz uma R4 Ql
R6
tensão de referência regu-
R7
ladora variando a posição
do próprio potenciômetro. R5 R9 NC NA C
R3
+12 V
o IC1 funciona como com-
+9/14 vcco-- ....•...
- ....•...
---- ..•
parador, ou seja, compara
(12 V)
as duas tensões: se a pri- +
meira que é controlada pela RVl +6 V
7
temperatura é inferior à se-
Esquema elétrico do
termostato eletrônico.
í
HISTERESE E ESTABILIDADE
A histerese é obtida com uma fraca realimentação estabilizado: faz de buffer para a tensão estabilizada
positiva: o R9 faz com que retroceda uma parte da produzida pelo diodo Zener DZ1 .
tensão da saída, deslocando ligeiramente o limiar de
comparação quando se produz uma ligação. Os capacitores C3 e C4 têm a função de anti-interfe-
rências: formam filtros passa-baixa que evitam liga-
Para assegurar uma alimentação estável com os divi- ções acidentais; não interferem com as variações de
sares da entrada, o IC1 B funciona como alimentador temperatura, que são lentas.
LISTA DE COMPONENTES
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