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02-EletPot Dispositivos Semicondutores PDF
02-EletPot Dispositivos Semicondutores PDF
Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica
Aula 8
DEE
Sumário
Diodos
Transistores
Tiristores
Aplicações
DEE
2/80
1. Dispositivos Semicondutores
DEE
3/80
Principais Dispositivos Semicondutores
Transistor Bipolar
de Potência:
TRIAC:
MOSFET de Potência:
GTO (Gate Turn
Off Thyristor):
DEE
4/80
Principais Dispositivos Semicondutores
Os dispositivos são
escolhidos considerando a
potência máxima e a
frequência de chaveamento
necessárias para a
aplicação
DEE
6/80
Diodos de Potência
A -> Anodo
K -> Catodo
Quando:
VA > VK (VAK > 0) -> polarização direta -> condução
VA < VK (VAK < 0) -> polarização reversa -> bloqueio
DEE 7/80
Diodos de Potência
Região de
depleção
DEE 8/80
Diodos de Potência
Estrutura interna:
- O lado N é dividido em dois, com
diferente intensidade da dopagem.
DEE 9/80
Diodos de Potência
Características estáticas:
∂V
r=
∂I
DEE 10/80
IF -> Corrente de pol. direta
Características dinâmicas:
Diodos de potência
apresentam um tempo
finito (não-nulo) para passar
do estado desligado (pol.
reversa) para o estado
ligado (polarização direta) e
vice-versa.
Sobre-tensão durante o
ligamento (VFP)!
Pico de corrente reversa no
desligamento (Irr) !
DEE 11/80
Diodos de Potência
DEE 12/80
Diodos de Potência
Do gráfico temos:
1 diR t 2rr
Qrr ≈ I rr t rr então: Qrr =
dt 2 (S+ 1 )
2
Substituindo chega-se a:
2Qrr (S +1 ) 2Qrr diR / dt
trr = I rr =
DEE diR / dt S +1 13/80
Diodos de Potência
DEE 14/80
Perdas em Diodos de Potência
Perdas:
t ON
Perdas no estado ligado: P Ligado= V F I F
T
tOFF
Perdas no estado desligado: P Desligado= V R I R
T
Exemplo:
Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:
Taxa de queda da corrente = 20 A/μs
Tempo de recuperação reversa = 5 μs
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t 4 >> t5 (recuperação
abrupta).
DEE 16/80
Diodos de Potência
Exemplo:
Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:
Taxa de queda da corrente = 20 A/μs
Tempo de recuperação reversa = 5 μs
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t 4 >> t5 (recuperação
abrupta).
Resolução:
diR t rr2
Como t4 >> t5 , então S → 0, assim: Qrr = = 1 / 2 20 A / μs ( 5μμ )2 = 50 μC
dt 2
A
I rr = 2Qrr diR / dt = 20 2 50 μC = 44,72 A
μs
DEE 17/80
Diodos Schottky
DEE 18/80
Diodos Schottky
DEE 19/80
Diodos de Potência
DEE 20/80
3. Transistores Bipolares de Potência
DEE
21/80
TBJ de Potência
DEE 22/80
TBJ de Potência
Estrutura orientada na
vertical maximiza a área da
Simbologia
seção transversal.
As resistências elétrica e
térmica são minimizadas.
Os níveis de dopagem e as
larguras das camadas
influenciam nas
características do dispositivo.
Estrutura interna
DEE 23/80
TBJ de Potência
O coletor tem dois níveis de dopagem distintos (de modo semelhante ao diodo de
potência).
DEE 24/80
TBJ de Potência
Quando a junção B-E está diretamente polarizada (VBE > 0), um fluxo de portadores
de carga (elétrons e lacunas) é estabelecido entre a base e o emissor.
Como a região da base é fina, os portadores acabam sendo atraídos para a junção
coletor emissor que está inversamente polarizada (VBC > 0) e enfraquecendo a
região de depleção.
DEE 25/80
TBJ de Potência
Princípio de operação:
Como iE = iC+iB :
DEE 26/80
TBJ de Potência
Curvas de operação
Em aplicações de chaveamento o TBJ opera entre as regiões
(emissor-comum): de corte (corrente IC nula para qualquer valor de VCE) e de
saturação (alta corrente IC para baixos valores de VCE).
DEE 27/80
TBJ de Potência
Curvas de operação :
A região de quase-saturação
TBJ de potência vertical só existe nos diodos de
potência devido à região de
baixa dopagem no coletor.
DEE 28/80
TBJ de Potência
ConexãoDarlington:
= 1x 2 + 1 + 2
DEE 29/80
TBJ de Potência
Região de Operação Segura (Safety Operation Area – SOA)
Indica os valores de tensão e corrente que podem ser aplicados ao dispositivo:
Polarização Polarização
DEE direta reversa 30/80
TBJ de Potência
Características
dinâmicas: Carga
Resistiva
Sendo:
ton = td + tn : tempo de ativação
toff = ts + tf : tempo de desativação
td : tempo de atraso devido ao
efeito capacitivo da junção B-E
tn : tempo de subida de Ic
tS : tempo necessário p/ neutralizar
os portadores da junção C-B
tf : tempo de descida de Ic
DEE 31/80
TBJ de Potência
DEE 32/80
TBJ de Potência
Perdas:
DEE 34/80
TBJ de Potência
DEE 35/80
TBJ de Potência
DEE 36/80
TBJ de Potência
Resolução:
VCC I C(MAX)
PLigado VCE(SAT) I C tLigado f S Pcomutação τ fS
6
DEE 37/80
TBJ de Potência
Exemplo:
VCC I C(MAX)
>> Perdas na comutação: Pcomutação τ fS
6
como: então:
VCC 200 200 10
I C( MAX ) =
RC
=
20
= 10 A Pcomutação 2,5 106 120 = 0,1W
6
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TBJ de Potência
200 10
Pcomutação 2,5 106 5000 = 4,167W
6
Aplicações:
Acionamento de um
motor de corrente
contínua:
DEE 40/80
4. Transistores de Efeito de Campo de
Potência
DEE
41/80
MOSFET de Potência
São intrinsecamente mais rápidos que os TBJs pois não apresentam excesso de
portadores minoritários a serem removidos durante os transitórios de ligamento e
desligamento, as únicas cargas a serem removidas são das capacitâncias internas.
DEE 42/80
Simbologia
MOSFET de Potência
Canal-n
Características:
Estrutura interna de
um MOSFET canal-n
Curvas de
Operação:
DEE 44/80
MOSFET de Potência
Funcionamento:
Bloqueio
Duas junções p-n, não há passagem de corrente qualquer que seja a polarização.
DEE 45/80
MOSFET de Potência
Funcionamento:
Efeito de
campo.
Um capacitor
de alta
qualidade é
formado.
DEE 46/80
MOSFET de Potência
Funcionamento:
Condução
Transitórios de chaveamento:
DEE 48/80
MOSFET de Potência
Transitórios de chaveamento:
Desligado – Ligado:
DEE 49/80
Perdas no MOSFET de Potência
Perdas:
2
t ON
Perdas no estado ligado: P Ligado= I D R DS(ON )
T
t OFF
Perdas no estado desligado: P Desligado= V DS( MAX ) I DSS
T
DEE 50/80
MOSFET de Potência
Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parâmetros: RDS(ON)=0,3 Ω, ciclo
de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t(off-on)=100 ns e t(on-off)=200 ns e que a frequência de
chaveamento é 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.
DEE 51/80
MOSFET de Potência
Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parâmetros: RDS(ON)=0,3 Ω, ciclo
de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t(off-on)=100 ns e t(on-off)=200 ns e que a frequência de
chaveamento é 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.
Resposta:
Como o ciclo de trabalho d=0,5 -> tLigado = 0,5 x (25 – 0,1 – 0,2) = 12,35 µ s
DEE 52/80
5. Transistores Bipolares de Gate
Isolado (IGBT)
DEE
53/80
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Mescla características de baixa queda de tensão no estado ligado (do TBJ) com o
excelentes características de chaveamento (do MOSFET).
Embora a velocidade de chaveamento dos IGBT seja maior que a dos TBJ, são
inferiores à alcançada pelos MOSFET.
DEE 54/80
IGBT
Simbologia Modelo equivalente
Estrutura interna
DEE 55/80
IGBT
Características estáticas:
DEE 56/80
IGBT
Perdas:
DEE 57/80
6. Tiristores
DEE
58/80
Tiristores
DEE
59/80
Tiristores
Outros tiristores:
DIAC
DEE
60/80
Funcionamento Básico
Sentido de
condução
Modelo equivalente
com dois transistores
DEE
62/80
Modos de Disparo de um Tiristor
DEE
64/80
Parâmetros Básicos de Tiristores
DEE
65/80
Associação de Tiristores
DEE
66/80
Circuitos de Acionamento (Disparo)
É um dos tipos mais comuns de tiristor (em alguns casos os termos SCR
e tiristor são usados como sinônimos).
Encapsulamentos
DEE
68/80
Tiristor Comutado pelo gate (GTO)
Condução Desligamento
DEE
69/80
Tiristor Comutado pelo gate (GTO)
Embora criado desda a década de 1960, não era muito utilizado devido ao
baixo desempenho.
Desvantagens do GTO:
O disparo é condicionado à
aplicação de tensão no gate;
É limitado a frequências de
operação mais baixas.
Simbologia Estrutura
interna
DEE
71/80
Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)
Curva Característica
DEE
72/80
Tiristor Diodo Bidirecional (DIAC)
Curva Característica
Estrutura
interna
Ânodo 1 Ânodo 2
Simbologia
DEE
73/80
Aplicações (SCR)
Retificadores Controlados:
Retificador monofásico de
meia onda controlado Sendo o ângulo de disparo
DEE
74/80
Aplicações (Transistores / GTO)
Conversão DC-DC:
Conversor Abaixador
(Step-down ou Buck)
DEE
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Aplicações (Transistores / GTO)
DEE
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Aplicações (DIAC e TRIAC)
Controle de Iluminação:
DEE
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Exercícios de Fixação (parte 1 de 2):
1. Compare os diversos semicondutores de potência considerando a potência máxima e a frequência de chaveamento.
2. Comente a respeito da estrutura interna de um diodo de potência e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.
3. Considerando um circuito com um diodo de potência em série com um resistor de 100 Ω sendo alimentado por uma fonte de tensão em onda
quadrada (± 300V) de frequência igual a 1kHz e ciclo de trabalho 50%, sabendo que o tempo de recuperação reversa é de 2 µs, a taxa de subida
de corrente é 40 A/micro s, a taxa de queda de corrente é 30 A/µs, calcule as perdas no dispositivo considerando que VF=1,1V e IR = 0,2 mA.
Figura 1
4. Compare o diodo Schottky com o diodo de potência de junção p-n.
5. Comente a respeito da estrutura interna de um transistor bipolar de potência e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.
6. Para o circuito da Figura 1, sabendo que VCC = 150 V, VCE (sat) = 0,9 V, VBE(sat) = 1,1 V, RC = 100 Ω e RB = 1 kΩ, sabendo que a tensão VB é uma onda
quadrada simétrica, encontre o valor máximo necessário para produzir a configuração de polarização em saturação (conforme especificado).
7. Para o transistor da questão 06, encontre a perda no dispositivo se a frequência do sinal VB for 2 kHz e o ciclo de trabalho 60%. Considere que os
tempos de ligamento e desligamento do dispositivo são respectivamente 0,5 µs e 0,9 µs e que a corrente de fuga é aproximadamente 0,1 mA.
8. Comente a respeito da estrutura interna de um MOSFET de potência e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.
9. Considerando que um MOSFET tem os seguintes parâmetros: RDS(ON)=0,4 Ω, ciclo de trabalho 80%, ID=7 A, VDS=170V, t(off-on)=130 ns e t(on-off)=150 Figura 2
ns e que a frequência de chaveamento é 30 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.
10. Repita a questão 09 para uma frequência de chaveamento igual a 300 Hz e compare os resultados obtidos.
11. Comente a respeito da estrutura interna de um IGBT e dos seus efeitos nas características dinâmicas do dispositivo.
12. No circuito da Figura 2, Vs = 220 V, RL = 10 Ω, fs = 1 kHz e d= 0,6. Considerando as características do IGBT: tON = 2,5 µs, tOFF = 1 µs e VCE (sat) = 2 V,
determine:
a. A corrente média na carga.
b. As perdas no dispositivo.
DEE
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Exercícios de Fixação (parte 2 de 2):
13. Compare os transistores TBJ de potência, MOSFET de potência e IGBT em termos das perdas , dos tempos e transitórios
de chaveamento.
+
14. Compare os diversos dispositivos tiristores estudados considerando a estrutura interna, o funcionamento, as curvas Vs
características, etc. -
15. Um SCR tem os seguintes valores nominais: tensão ânodo-cátodo no estado ligado ≈ 1,5 V, tensão porta-cátodo no
estado ligado 0,6 V. Considerando o circuito da Figura 3 e que a tensão VIN = 4 V, determine a perda de potência total no
Figura 3
estado ligado.
16. A perda de potência durante o chaveamento num SCR pode ser estimada a partir de Pchav = (Vbloq x IDireta x tchav x fs)/6 .
Considerando ainda o circuito da Figura 3, se uma fonte em onda quadrada (Vs) de ± 100 V e frequência 250 Hz é
conectada ao resistor RL, estime as perdas de chaveamento sabendo que tON = 5 µs, tOFF = 25 µs e que o SCR é disparado
uma vez a cada dois ciclos da tensão.
17. Esboce a forma de onda da tensão na carga do circuito da questão 16 sabendo que o SCR é disparado com um atraso de
0,5 ms em relação à subida da tensão de alimentação.
Leitura indicada:
Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and Applications, Segunda Edição, Elsevier, 2007.
Mohan, Undeland and Robins, Power Electronics, Converters, Applications and Design, Wiley
Pomilio, José Antenor. Eletrônica de Potência , Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, UNICAMP, 1998,
Revisado em 2002.
A. Ahmed. Eletrônica de Potência. Prentice Hall, 2006.
Algumas figuras utilizadas nesta apresentação foram retiradas das referências citadas acima.
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