DETERMINAÇÃO DA CONSTANTE DE PLANCK

L.N. de Matos, P. Lopes, A. C. Dutra, M. T. Coelho

Faculdade de Tecnológica Carlos Drummond de Andrade - FTCDA, Engenharia

Eletrônica, São Paulo, SP, Brasil. E-mail: laercio.nmatos@gmail.com

RESUMO

Neste artigo pretende-se efetuar a verificação experimental do efeito

fotoeléctrico e, partindo daí, determinar o valor de uma das constantes
fundamentais da natureza, a constante de Planck ”h”. Observamos que ela é
muito citada nas literaturas, mais pouco demonstrada sua origem experimental,
para o efeito utiliza-se a um equipamento que desenvolvemos para medição de
potencial de corte. Assim viemos demonstrar nossa colaboração pra que esse
estudo sirva de experiência para alunos de engenharia e ciência dos materiais
ou eletrônica que tenham interesse em entender o conceito de semicondutores.

Palavras-chave: constante de Planck, semicondutores, efeito fotoelétrico e

LED.

INTRODUÇÃO

Sabendo da dificuldade que alguns alunos possuem com relação ao assunto

física moderna, e também ao método científico, nosso grupo uniu-se com o
intuito de apresentar experiências simples e objetivas para desmistificar o
assunto, trazendo à tona o desejo de aprender, pesquisar e como os cientistas
comportam-se no seu dia-a-dia. Temos plena convicção de que, no decorrer
esse trabalho, nosso objetivo foi conquistado. Iremos realizar uma breve
revisão sobre componentes e conceitos pois, conhecendo os dispositivos e
componentes teremos o alicerce necessário para entender melhor o assunto.
Aliado a isso, o artigo também tem o objetivo de mostrar que mesmo num
laboratório “amador” é possível simular e comprovar de forma improvisada as
leis da física e seus fenômenos.

MATERIAIS E MÉTODOS

Na experiência seguinte, propomos a determinação da constante de Planck,

utilizando LED’s (Light Emitting Diode) que são dispositivos muito utilizados em
painéis de circuitos eletrônicos. Um LED é composto de uma junção de dois
materiais semicondutores. Numa primeira aproximação, podemos dizer que os
semicondutores são materiais que não conduzem corrente elétricas a baixas
temperaturas, mas que sua condutividade aumenta com a temperatura. Para
entender o principio básico de funcionamento destes
dispositivos, temos que recorrer aos fundamentos da Mecânica Quântica, que
descreve a estrutura eletrônica dos sólidos em termos de bandas e energia
devido ao acoplamento dos níveis de energia atômicos. A banda mais
energética ocupada por elétrons no estado fundamental é chamada banda de
valência e a banda de condução comporta os elétrons que podem movimentar-
se livremente pelo material. (CAVALCANTE et al., 2002) A Figura 1 ilustra a
formação de bandas de energia permitidas, separadas por lacunas (gaps) em
um sistema periódico (sólido) a partir dos níveis de energia de átomos isolados.
A Figura 2 fornece um esboço desta distribuição energética nas bandas de
valência e condução. A energia de Fermi é um nível de referência determinado
pela concentração de elétrons na banda de energia. Temos ainda a
representação, para uma dada temperatura, das funções F(E), função de
distribuição de Fermi, que nos fornece a probabilidade dos
elétrons ocuparem os estados disponíveis de energia; S(E), função que
representa o número de estados possíveis de energia e n(E),
função que representa a concentração de elétrons distribuídos. Para um
semicondutor puro, a diferença energética entre estas bandas é pequena (da
ordem de 1,12 eV para o silício e 0,7 eV para o germânio). Em temperatura
ambiente, alguns elétrons da banda de valência absorvem energia que pode
ser maior que esta diferença, saltando para a banda de condução e deixando
uma lacuna que age como uma carga positiva. Temos, portanto, dois tipos de
portadores de carga: elétrons e buracos, que para um semicondutor puro
(germânio ou silício) estão em igual quantidade. No entanto, para aumentar a
condutividade deste material, podemos misturar pequenas quantidades de
outros elementos (impurezas) liberando elétrons ou buracos nesta associação.
Para o caso do silício, temos Z = 14. Neste caso, sua distribuição eletrônica
oferece 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2. Como consequência, temos quatro elétrons de
valência que se interligam neste material em uma ligação covalente. Se
adicionarmos átomos penta valentes, como fósforo, antimônio e arsênio,
liberaremos nesta ligação um elétron, já que quatro dos cinco elétrons destas
impurezas ocuparão as ligações covalentes e o quinto elétron ficará disponível
para conduzir corrente elétrica. Caso as impurezas sejam materiais trivalentes,
como boro, gálio e o índio terão um lugar vago na quarta ligação covalente,
disponibilizando buracos capazes de aceitar elétrons. No primeiro caso, temos
impurezas aceitadoras e um semicondutor tipo n; no segundo, impurezas
doadoras constituindo um semicondutor tipo p.
Para uma dada concentração de impurezas, ocorre um deslocamento do nível
de Fermi.

Figura 1 – Diagrama energia

a)Diagrama de energia para os elétrons em um átomo isolado, b)
Diagramas de energia para elétrons nas associações em duas moléculas
com distâncias distintas (Figura 1b, 1 e 2) e associação para quatro
moléculas (Figura 1b 3), o que mostra o desdobramento crescente para os
níveis de energia com o aumento do número de associações me diminuição
das distâncias Interatômicas.
Diagrama para um semicondutor puro, mostrando o intervalo para a
banda proibida EG (energia do gap) e o nível de Fermi EF, com um valor
igual à EG/2. (CAVALCANTE; TAVOLARO, 2007)

Figura 2 – Banda de Valência e Banda de Condução

COMPORTAMENTO DE UMA JUNÇÃO P-N

Quando um semicondutor tipo p e um tipo n são colocados em contato,

elétrons em excesso da região n e buracos da região p começam a difundir
e se recombinam. Podemos dizer que o lado p deste semicondutor fica
mais negativo na extremidade da junção, que a parte mais interna do
material, o mesmo ocorrendo com o lado n que fica mais positivo, conforme
ao esquema da Figura 3(a) e 3(b). O deslocamento destas cargas vai
originar um campo elétrico que cria uma barreira ao movimento. Se
aplicarmos um campo elétrico no mesmo sentido que o estabelecido na
junção terá uma corrente elétrica muito pequena, chamada de corrente
térmica. No entanto, se aplicarmos um campo elétrico no sentido oposto ao
 estabelecido na junção, favoreceremos o deslocamento dos portadores
majoritários (elétrons do lado n e buracos do lado p) gerando correntes
tanto maiores quanto maior for o campo externo aplicado. A Figura 3
mostra os diagramas de energia obtidos para o silício tipo p e tipo n antes e
depois da junção (as concentrações são indicadas na figura em cada caso).
(CAVALCANTE; TAVOLARO, 2007)

Figura 3 – Dois semicondutores, um tipo P e outro tipo N, colocados em

contato (a) se recombinam, causando o surgimento de um campo elétrico (b).

DIODO EMISSOR DE LUZ

Um diodo emissor de luz consiste em uma junção entre semicondutores

fortemente dopados. De acordo com o diagrama de energia estabelecido em
uma junção p-n, ao aplicarmos um campo elétrico externo oposto ao local,
estaremos polarizando diretamente o diodo e fazendo-o conduzir; a corrente
elétrica obtida aumenta com a tensão aplicada na junção. Quando aplicamos
uma tensão externa à junção, os elétrons de condução ganham energia
suficiente para vencer a barreira de potencial e caminhar para a região p.

Podemos ver na Figura 4 que para os elétrons de maior mobilidade penetrar

na região p, a quantidade de energia máxima necessária é dada por:

eVaplicada = Eg + ∆EF’ (A)

 Figura 4 – Diagrama de energia para junção p/n

Onde ∆EF incorpora os efeitos do nível de Fermi e a distribuição de elétrons

na banda de condução. Quando o elétron passar para a região p, podemos ter
uma recombinação entre elétrons e buracos, e como consequência para cada
transição terá a emissão de um fóton com energia hv. Em geral, ∆EF é muito
pequeno e pode ser desprezado em primeira aproximação. Admitindo-se isso,
da frequência de radiação de intensidade máxima pode ser escrita em termos
do limiar de tensão (aquele valor para o qual o diodo começa a conduzir
corrente), ou seja, conforme equação. (CAVALCANTE; TAVOLARO, 2007)

hv = eV (B)

DETERMINAÇÃO DA CONSTANTE DE PLANCK

O experimento consiste basicamente nas medidas de corrente e tensão de

cada LED. Inicialmente, o sistema é montado de acordo com a figura 5.

Figura 5 – Circuito do experimento

Medidas de corrente e tensão

As correntes e tensões foram medidas utilizando-se dois multímetros: um na

escala de corrente (A) e outro na escala de tensão (V), alterando-se o valor da
resistência no reostato. Assim, tomado um conjunto de dados de corrente (i) e
tensão (V) para cada um dos LEDs, obtém-se o gráfico de i vs. V, o valor da
tensão de corte Vc. A tensão (ou energia) mínima necessária para que os
elétrons possam vencer a energia do gap pode ser obtida extrapolando-se a
parte linear da curva i vs. V até cruzar o eixo da tensão (V). Esse ponto de
cruzamento da reta com o eixo
da tensão representa o valor da Vc. Abaixo desse valor, o LED não emite Luz.
No processo de condução, o fóton de luz transporta energia Ef expressa
conforme equação (C).

Ef = h = hc/λ , o que implica em λ = hc/Ef. (C)

Considerando a recombinação direta dos elétrons e buracos na junção e toda

a energia envolvida convertida em energia do fóton apenas, pode-se afirmar
que na equação (D):

Eg = Ef (D)

Se a tensão V for exatamente constante na polarização direta, determina-se

imediata da constante de Planck h a partir das medidas de V e de, por meio da
expressão: eV = hv. Na qual e igual á 1, 6×10-19C é a carga do elétron; 1 eV =
1, 6 × 10-19J.

A descrição pormenorizada da propagação de corrente por meio do LED

polarizado diretamente mostra que a corrente apresenta um comportamento
aproximadamente exponencial em função do aumento da tensão (Figura 4),
sendo que a curva i vs V começa a apresentar crescimento apreciável
a partir de um valor de tensão que depende diretamente de EG. Além disso,
deve-se levarem consideração ainda a presença de uma resistência elétrica
intrínseca ao diodo, o que leva a curva e i vs. V a possuir uma contribuição
aproximadamente linear acima do limiar de condução, ou seja, o limite na qual
os elétrons têm energia suficiente para vencera energia do gap. Assim, a
determinação de qual valor V deve ser empregada na equação B é algo
arbitrário. A curva característica i vs. V é obtida variando-se a tensão V e
medindo-se a corrente elétrica i. O método usualmente empregado para a
obtenção da tensão de corte Vc corresponde a traçar uma reta tangente à
porção aproximadamente linear na parte da curva i vs. V logo acima do limiar
de condução, pois é a parte linear do gráfico em que podemos estabelecer um
padrão e assim determinar a precisão dos dados, obtendo-se por extrapolação
do valor da tensão de corte Vc para o qual essa reta corta o eixo horizontal.
Esse valor de tensão não pode ser diretamente empregado na equação B, mas
a variação de Vc com a frequência da radiação emitida pelos LEDs fornece
uma relação linear a partir da qual a constante de Planck h pode ser obtida
através da equação (E):

ℎ
𝑉𝑐 = . 𝑣 (E)
𝑒

Como já discutido, na prática, qualquer valor de tensão medido para uma

mesma corrente dentro de certos limites pode ser utilizado o método acima, já
que a obtenção de h a partir do gráfico de Vc vs. v remove as constantes
aditivas envolvidas entre os diversos valores de Vc.

Medidas de corrente e tensão

Após a obtenção da Vc, uma segunda etapa do experimento consiste em se

determinar o comprimento de onda (λ) da luz emitida por cada LED, de acordo
com o arranjo experimental apresentado com a escala posicionada atrás do
LED, olha-se através da grade de difração para ver o primeiro máximo de luz
difratada simultaneamente à direita e à esquerda do centro, onde está o LED,
medindo a distância ym = +1 e ym = -1 entre os dois máximos de difração, à
direita e à esquerda do LED, bem como a distância D entre a escala e a rede
de difração. Se uma luz com comprimento de onda λ incidir sobre uma grade
de difração, esta será difratada. Os picos de intensidade ocorrem para ângulo
de difração θ dado por:

d senθ = mλ com m = 1, 2, 3 (F)

Na qual d é a constante da grade ou a distância entre as fendas. Tem-se que:

𝑦𝑚é𝑑𝑖𝑜
sen 𝜃 (G)
√𝐷 +(𝑦𝑚é𝑑𝑖𝑜 )2
2

A luz difratada é observada, e λ é determinado por meio da equação (F),

projetando-se o primeiro máximo de difração (m = 1) sobre a escala e medindo-
se as distâncias y e D. Logo após, obtenha a frequência por meio da equação
(H).

𝑐
v = (H)
λ

Na qual c representa a velocidade da luz:

c = 3, 0 × 108ms-1 ( I )

Fazendo-se um gráfico de Vc vs v e com o ajuste da reta que melhor passa

pelos pontos, podemos aplicar diretamente na equação (J) e obter a constante
de Planck A aplicação de uma tensão de corte implica em um fornecimento de
uma energia mínima, necessária para excitar um elétron para a banda de
condução. Assim, temos da equação (E):

𝑉𝑐
ℎ= . 𝑒 (J)
𝑣

Figura 6 – Esquema para medida do comprimento de onda do LED

Assim, a equação (E), na qual Vc é a tensão de corte, é a frequência e a

carga elementar, mostra uma equação de reta de coeficiente de inclinação.
Moura et al. (2011)

Circuito para o experimento

Em nosso circuito, utilizamos os seguintes componentes:

• 1 Fonte de tensão (cabo USB);
• 1 LED de 5mm qualquer cor(apenas para indicar o funcionamento do circuito);
• 1 Chave liga/desliga;
• 1 Potenciômetro de 470Ω;
• 4 bornes para medição de grandezas elétricas;
• 1 resistor de 220Ω;
• 5 LED’s de cores variadas para o teste;
• 1 Caixa externa para tomada com tampa lisa;
• 1(conector de 2-pinos);

Figura 7 – Esquema de teste (circuito em protoboard)

Posicionamos os componentes no protoboard conforme a figura 7, optamos

pela conexão USB, pois quando usamos energia gerada por pilhas ou baterias
a tensão e corrente variam muito e com a conexão USB a energia não oscila
tanto quanto pilhas ou baterias. Nas marcações da figura onde estão as
letras(V) e (A), são locais para encaixes dos bornes onde podemos colocar
multímetros na escala de [V] volts para aferir a tensão e outro na escala de
[mA] Miliampères para aferir a corrente. Transferimos o esquema do circuito da
protoboard para um experimento de maior facilidade de manuseio, onde se
pode testar qualquer LED apena encaixando nos orifícios do (conector de dois
pinos). Facilita também o uso dos multímetros apenas ligando nos bornes do
experimento como nas figuras 8, 9 e 10.

Figura 8 – Montagem do circuito no experimento.

 Figura 10 – Experimento já
Figura 9 – Montagem dos bornes
finalizado.
no experimento.

Gradativamente, alteramos a resistência do potenciômetro de 100mV e

100mV, após o acendimento do Led recomendamos medir de 50mV e 50mV
para obter uma maior precisão. com o auxílio dos multímetros anotamos as
medidas de tensão e corrente para todos os Leds, como demonstra a tabela I:

Tabela 1 – Resultados das tensões (V) e correntes (µA).

LED LED LED LED LED

Vermelho Verde Laranja Azul Branco
V µA V µA V µA V µA V µA
0,1 0 0,1 0 0,1 0 0,1 0 0,1 0
0,2 0 0,2 0 0,2 0 0,2 0 0,2 0
0,3 0 0,3 0 0,3 0 0,3 0 0,3 0
0,4 0 0,4 0 0,4 0 0,4 0 0,4 0
0,5 0 0,5 0 0,5 0 0,5 0 0,5 0
0,6 0 0,6 0 0,6 0 0,6 0 0,6 0
0,7 0 0,7 0 0,7 0 0,7 0 0,7 0
0,8 0 0,8 0 0,8 0 0,8 0 0,8 0
0,9 0 0,9 0 0,9 0 0,9 0 0,9 0
1 0 1 0 1 0 1 0 1 0
1,1 0 1,1 0 1,1 0 1,1 0 1,1 0
1,2 0 1,2 0 1,2 0 1,2 0 1,2 0
1,3 0 1,3 0 1,3 0 1,3 0 1,3 0
1,4 0 1,4 0 1,4 0 1,4 0 1,4 0
1,47 0,1 1,45 1 1,5 0 1,5 0 1,5 0
1,52 0,5 1,5 2 1,6 0,1 1,6 0 1,6 0
1,55 1 1,56 10 1,65 0,7 1,7 0 1,7 0
 1,6 3,7 1,6 33 1,7 2,7 1,8 0 1,8 0
1,65 107 1,71 274 1,75 7,2 1,9 0 1,9 0
1,7 238 1,8 761 1,8 171 2 0 2 0
1,75 498 1,87 1236 1,85 327 2,1 0 2,1 0
1,8 775 1,92 1584 1,9 599 2,2 0 2,2 0
1,85 1058 - - 1,95 913 2,3 0 2,3 0
1,9 1405 - - 2 1281 2,4 0,1 2,35 0,1
1,95 1849 - - 2,05 1641 2,45 0,9 2,4 0,7
2 2000 - - 2,1 2000 2,5 2,8 2,45 3,1
- - - - - - 2,55 5,7 2,5 8,6
- - - - - - 2,6 116 2,55 171
- - - - - - 2,65 188 2,6 318
- - - - - - 2,7 296 2,65 510
- - - - - - 2,75 418 2,7 740
- - - - - - 2,8 614 2,75 997
- - - - - - 2,85 802 2,8 1274
- - - - - - 2,88 934 2,85 1586

RESULTADOS E DISCUSSÃO

Inserimos os valores da tabela em uma planilha do Excel, para cada cor de

LED geramos um de tensão pela corrente da seguinte forma: Após selecionar
todos os valores de uma coluna, com auxilio do Microsoft Excel. seguimos
estes seguintes passos [Menu] Inserir >>Gráficos >>Dispersão >>somente com
marcadores; Gerando então o nosso gráfico, realizar o mesmo procedimento
para todos os LED’s.

Estes gráficos abaixo demonstram o momento da extrapolação, quando se

atinge a energia mínima passando assim da banda de condução para banda de
valência e então emitir luz.
 Gráfico 1 – corrente (µA) vs tensão(V) LED Verde.

Gráfico 2 – corrente (µA) vs tensão(V) LED Laranja.

Gráfico 3 – corrente (µA) vs tensão(V) LED Vermelho.

Gráfico 4 – corrente (µA) vs tensão(V) LED Azul.

 Gráfico 5 – corrente (µA) vs tensão(V) LED Branco.

Mas precisamos ainda obter o valor da tensão limiar, no gráfico gerado pelo
Microsoft Excel, passamos o cursor encima do ponto mais próximo ao eixo X
será demonstrado em uma caixa de dialogo o valor de uma tensão. Partindo
desse valor selecionamos todos os valores abaixo do mesmo, gerando assim
outro gráfico com o mesmo procedimento que os anteriores, após gerar esse
gráfico realizaremos o seguinte procedimento: Selecionar os pontos do gráfico
clicando com botão direito do mouse selecionar opção [Adicionar linha de
tendência] Marcar opção [Exibir equação no gráfico].

Com a solução dessa equação gerada pelo Excel, obtermos o valor da tensão
limiar(Vc), ou seja, a tensão mínima para fazer com que o LED emita luz.

Figura 11 – Equações Lineares obtidas a partir do gráfico

corrente (µA) vs Tensão (V)

Tabela II – Dados necessários para determinação da constante de Planck
utilizando diferentes LEDs.

LED λ nm 𝑉𝑐
Verde 520x10-9 1,62V
Vermelho 620x10-9 1,65V
Laranja 585x10-9 1,79V
Azul 465x10-9 2,58V
Branco 444x10-9 2,53V

Substitui-se todos os valores na equação (K) para determinação da constante

h para todos os LED’s:

λe𝑉𝑐
ℎ= (K)
𝑐

• h = Constante de Planck;
• c = Constante da velocidade da luz 3 × 108ms;
• λ = comprimento de onda (nm);
• e = carga elementar 1, 6 × 10-19C;
• Vc = Tensão de Limiar(Vc);

520x10−9 .1,6x10−19 .1,62

ℎ= (L)
3x108

620x10−9 .1,6x10−19 .1,65

ℎ= (M)
3x108

585x10−9 .1,6x10−19 .1,79

ℎ= (N)
3x108

465x10−9 .1,6x10−19 .2,58

ℎ= (O)
3x108

444x10−9 .1,6x10−19 .2,53

ℎ= 3x108
(Q)
 Encontramos então os seguintes valore para h:

Tabela 3 – Dados necessários para determinação da constante de Planck

utilizando diferentes LED’s.

LED h
Verde 5,4561x10-34Js
Vermelho 4,4928x10-34Js
Laranja 5,5848x10-34Js
Azul 6,3984x10-34Js
Branco 5,9912x10-34Js

A partir desses dados obtemos uma média para a constante de Planck

através da equação abaixo:

∑𝑛
𝑖=1 𝑋𝑖
𝑋̅ = (R)
n

Então Obtemos um valor muito Aproximado 5, 584608 × 10-34Js.

CONCLUSÕES

Através desse artigo, pudemos aprender mais sobre alguns aspectos e

fenômenos que acontecem referentes ao comportamento da luz. Aprendemos
sobre método científico e semicondutores, e verificamos de forma prática, a
sua real eficácia e importância, mesmo com um laboratório improvisado, e com
instrumentos e componentes sem a precisão correta, e também ocorreram
algumas dificuldades em realizar a medição do comprimento de onda de cada
LED, então optamos em utilizar os valores estipulados em seus datasheets.

Mesmo assim foi possível aproximar-se satisfatoriamente da constante de

Planck descrita nas literaturas, com seu valor fixado em aproximado de 6,
6262×10-34Js. Onde conseguimos obter um valor de 5, 584608×10-34Js, assim
então cumprindo nosso objetivo de determinar a constante de Planck.
CAVALCANTE, M. A.; TAVOLARO, C. R. C. Física moderna experimental. v. 2, p.
[77–80], 2007. Disponível em: <http://fisicamodernaexperimental.blogspot.com.br/search/
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CAVALCANTE, M. A. et al. Efeito fotoelétrico. Física na escola, v. 3, n. 1, p. 24–29,

2002. Disponível em: <http://www.sbfisica.org.br/fne/Vol3/Num1/a08.pdf>.

COMPUTING, N. Q. Quantum physics and max planck documentary. YouTube video,

14:29, 2013. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=2UkO_3NC3F4.

LIRA, J. C. L. tomo. Infoescola, 2010. Disponível em: <http://www.infoescola.com/

quimica/atomo/>.

MOURA, S. L. et al. Constante de planck: Uma nova visão para o ensino médio.
Ensino de Química em foco, v. 33, n. 4, p. [246–251], 2011. Disponível em:
<http://qnesc.sbq.org.br/online/qnesc33_4/246-EEQ-6011.pdf>.