CURSO SUPERIOR DE ENGENHARIA

LEANDRO WILLIAM DA SILVA

HELEN CRISTIANE MARTINI

GUILHERME GONÇALVES DE MELLO JUNIOR

ANDREWS DE OLIVEIRA MARCONDES

EDUARDO BRAGA

Trabalho

SEMICONDUTORES E SUAS APLICAÇÕES

Taubaté

2017
 CURSO SUPERIOR DE ENGENHARIAS

LEANDRO WILLIAM DA SILVA

HELEN CRISTIANE MARTINI

GUILHERME GONÇALVES DE MELLO JUNIOR

ANDREWS DE OLIVEIRA MARCONDES

EDUARDO BRAGA

Trabalho

SEMICONDUTORES E SUAS APLICAÇÕES

Trabalho apresentado para a Disciplina Química

tecnológica do Curso Superior de Engenharia da
Universidade de Taubaté.

Orientador: Prof. Edson Vander Pimentel

Taubaté

2017
 Sumário
1 Introdução ............................................................................................................................. 1
2 Objetivo ................................................................................................................................. 1
3 Átomo .................................................................................................................................... 1
3.1 Cargas Eletricamente Negativas e Positivas ........................................................................ 2
3.2 Estruturas Atômicas ............................................................................................................ 2
3.3 Modelo Atômico.................................................................................................................. 3
3.4 Estrutura Atual Do Átomo - 1925 ........................................................................................ 4
3.5 Níveis de energia do Átomo. ............................................................................................... 5
3.6 Estabilidade dos Átomos ..................................................................................................... 6
3.7 Eletrovalência ...................................................................................................................... 7
3.8 Covalência ........................................................................................................................... 8
4 Condutores e Isolantes............................................................................................................... 9
4.1 Condutores .......................................................................................................................... 9
4.2 Isolantes .............................................................................................................................. 9
4 Semicondutores .................................................................................................................... 9
5.1 Estrutura atômica .............................................................................................................. 10
5.2 Pares eletro-lacuna ........................................................................................................... 11
5 Processo de dopagem ......................................................................................................... 12
6.1 Semicondutor tipo P .......................................................................................................... 13
6.2 Semicondutor tipo N ......................................................................................................... 14
6.3 Junção PN .......................................................................................................................... 15
7 Polarização da Junção PN .................................................................................................... 17
7.1 Polarização direta .............................................................................................................. 17
7.2 Polarização inversa ............................................................................................................ 18
8 Aplicações na eletroeletrônica ............................................................................................ 19
8.1 Componentes .................................................................................................................... 19
8.2 Diodo retificador ......................................................................................................... 19
8.3 Transistor Bipolar ........................................................................................................ 20
8.4 Tiristores ..................................................................................................................... 22
8.5 Scr-Diodo controlado de silício................................................................................... 22
8.6 Triac............................................................................................................................. 22
9 Referência bibliográfica....................................................................................................... 24
 1 Introdução

Este trabalho tem por objetivo, o estudo químico dos materiais semicondutores, assim como, suas
principais aplicações na área da Eletroeletrônica entendendo os princípios químicos e físicos
envolvidos em todo o processo de dopagem destes materiais e sua aplicação e importância na evolução
de materiais e equipamentos de uso especifico e de uso cotidiano.

2 Objetivo

Analisar de forma puramente didática a estrutura dos cristais semicondutores evidenciando sua
estrutura química, características elétricas e demonstrar os processos de dopagem para sua aplicação.

3 Átomo

Acredita-se que a química surgiu no século XVII, a partir dos estudos de muitos dos cientistas da
época. Considera-se que os princípios básicos da química se recolhem pela primeira vez na obra do
cientista britânico Robert Boyle, The Sceptical Chymist (1661). Entretanto o primeiro ato que pode ser
considerado uma ciência da química realizada pelo homem é o cozimento dos alimentos.
Segundo a literatura, a cozinha foi o primeiro laboratório de química.
Descobertas importantes como a pólvora negra, durante o século X foram realizadas pelos chinês, pois a
química atual advém das pesquisas e práticas constantes de alquimistas da época, esses tentavam descobrir
o elixir da longa vida.
Com o passar do tempo as experiências, pesquisas e as práticas de laboratórios com diversos
elementos foram evoluindo, até que o homem começou a racionalizar essas experiências e descobertas
dando origem a ciência da química, com técnicas mais avançadas e estudos da matéria mais precisos.
Alguns livros e sites aludem que Leucipo, filosofo grego (478 a.C.), apresentou a primeira teoria
atômica a Demócrito (discípulo) o qual futuramente aperfeiçoou e fez a seguinte analogia "Ao observarmos
a areia da praia de longe vê-se então algo como um “todo”, ou seja, algo contínuo, porém, quando no
aproximamos, podemos observar de perto, que é formada por milhares de pequenos grãos. Demócrito ainda
ressalta que: Na realidade todas as coisas no universo são formadas por “grãozinho” tão pequenos que não
podemos enxergar. Assim, tem-se a impressão de que elas são contínuas ou seja interrupto." Após diversas
pesquisas sobre o assunto, Demócrito denominou essas “estrutura” como átomo.

Para o filósofo Aristóteles (384a.C. – 322a.C.) as substâncias eram formadas por quatro elementos:
terra, fogo, água e ar. Mas ao mesmo tempo, acreditava na existência de uma partícula fundamental, o
átomo.

1
 Figura 1- Aristoteles 384a.C.
Fonte: https://www.google.com.br/search?q=aristoteles&tbm=isch&imgil=JQOFYZz01

3.1 Cargas Eletricamente Negativas e Positivas

Desde a Antiguidade, alguns elementos já eram conhecidos pelo homem, como o carbono, ferro,
enxofre, ouro, prata, cobre, mercúrio, estanho. Para Demócrito a matéria possuía outras menores partes que
não poderia ser dividia. Por essa “teoria” o “grãozinho de área” interpretado por Demócrito passou a ser
denominado átomo, (a = não; tomos = divisões).
Ainda no mesmo sentido, as “outras partes” as quais Demócrito, se referia foram melhor definidas
como prótons e elétrons, proposta após pesquisas por diversos estudiosos como William Crookes Heirich
Geissler (dentre outros), Joseph J. Thomson.
Esses propuseram que a divisibilidade do átomo resultaria nas partículas positivas –prótons e nas
partículas negativas – elétrons. Esses estudos passaram a ser reconhecidos como “a natureza elétrica da
matéria”.
No século XX, Ernest Rutherford, ao realizar uma importante experiência com algumas lâminas de
ouro, descobriu que os átomos não se definiam como Dalton (1766 – 1844) e Thomson (1856 – 1940)
mencionaram, pois ambos tinham plena convecção que a estrutura da molécula embora já ressaltado
anteriormente que essas possuíam cargas eletricamente negativas e positivas, eram “maciças” como “bolas
de bilhar” observou-se no átomo espaços vazios, enquanto se podia perceber um núcleo denso.
Posteriormente a teoria de Max Planck, Niels Bohr aprimoram a teoria de Rutherford.

3.2 Estruturas Atômicas

Embora algumas ideias não estivessem totalmente corretas, ao longo do tempo percebeu-se que
todas as contribuições foram de extrema importância para a humanidade e seu avanço nos diversos
segmentos de pesquisa, da medicina a ida do homem ao espaço. Os anos passaram e a pesquisa sobre o
átomo desencadeou um trabalho continuado desses grandes pesquisadores, somente a partir da ideia criada
por um cientista que o outro pode desenvolver o próximo modelo.

2
 Todos eles elaboram um modelo atômico diferente do seu antecessor, ou seja, uma representação
que não correspondia a realidade, entretanto cada ideia auxiliou o sucessor a dar continuidade e explicar
corretamente o comportamento e a estrutura do átomo.

Supreendentemente o modelo atômico permite o entendimento da matéria e o funcionamento do

átomo, suas propriedades e características, fator fundamental para a evolução da humanidade.

Figura 2 Evolução do modelo atômico

Fonte: www.vanialima.blog.br/2015/08/modelos-atomicos-fisica-
nuclear.html

3.3 Modelo Atômico

O entendimento da estrutura da mecânica quântica atual trilhou diversos estágios até o seu
desenvolvimento atual. Por exemplo, Demócrito, William Crookes Heirich Geissler Ernest Rutherford,
Dalton, Max Planck, Niels Bohr e outros. A mecânica quântica pode se dizer que é a fundamentação de
diversos campos da Física e da Química, como por exemplo o estado físico e químico das matérias, o
estado atômico e molecular e física nuclear. Todos esses campos foram estabelecidos durante a primeira
metade do século XX por esses brilhantes estudiosos e pesquisadores já citados, dentre eles Albert
Einstein.
Segundo a literatura a mecânica quântica nasceu, a partir do momento em que o físico Max Plack,
inverteu o processo de análise da radiação do corpo negro a qual era muito intensa e gerava gráficos para
diferentes temperaturas.
Planck queria demonstrar que era possível chegar a tais gráficos por meio de cálculos matemáticos
partindo das funções conhecidas na física clássica, para isso utilizou fundamentos das teorias da
termodinâmica de Boltzmann justificá-la.

3
 A teoria de Planck foi postulada afim de mostrar que na natureza só existe energia em valores
discretos em quanta de ação, dando à natureza um resultado de caráter descontínuo e inaceitável para a
física clássica conhecida até então.
Os modelos atômicos são teoria baseadas na experimentação feita por cientistas para explicar como
é o átomo dessa forma entende-se que são apenas explicações para mostrar o porquê de um fenômeno.
Muitos cientistas desenvolveram suas teorias. Com o passar dos tempos, os modelos foram evoluindo até
chegar ao modelo atual.
A linha dos tempos demonstrando

Figura 3 Modelo Atômico Linha do Tempo

Fonte: http://www.vanialima.blog.br/2015/08/modelos-atomicos-fisica-nuclear.html

3.4 Estrutura Atual Do Átomo - 1925

A molécula é a menor porção em que um material pode ser dividido sem que venha sofrer
alterações em suas propriedades. Se dividirmos a molécula, chegamos ao átomo que não mais conserva as
propriedades do material original. A Figura... apresenta, como exemplo, a molécula da água.

Figura 4 Molécula de H20

Fonte: http://www.vanialima.blog.br

4
 Átomo é o elemento químico que compõe a molécula, formado por partículas denominadas
elétrons, prótons e nêutrons.

 Os prótons e nêutrons constituem o núcleo; os prótons têm carga elétrica positiva e os nêutrons não
têm carga elétrica.
 Os elétrons têm carga elétrica negativa e giram ao redor do núcleo em órbitas concêntricas, como
mostra a Figura....

Figura 5 Modelo do Atomo

Fonte: http://www.ebah.com.br/content/ABAAAA7x4AE/atomo

3.5 Níveis de energia do Átomo.

As órbitas dos átomos correspondem a sete diferentes níveis de energia em torno do núcleo com as
denominações seguintes: K, L, M, N, O, P e Q, sendo K a órbita mais interna é Q a mais externa, conforme
a Figura...

Figura 6 Niveis de Energia

Fonte: http://www.vanialima.blog.br/2015/08/modelos-atomicos-fisica-nuclear.html

Cada órbita pode conter um número máximo de elétrons, conforme a tabela seguinte:

5
 Figura 7

Fonte: http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAVR4AG/eletronica-basica

Os elementos químicos se distinguem pelo número total de elétrons que possuem distribuídos em
suas órbitas.
A última órbita que contém elétrons é denominada órbita de valência, pois somente ela pode ceder
ou receber elétrons. Logo, os elétrons de valência são os únicos em condição de participar de fenômenos
químicos e/ou elétricos.

3.6 Estabilidade dos Átomos

A estabilidade da maioria dos átomos é obtida quando a sua última órbita contém oito elétrons.
Na natureza, apenas os gases nobres possuem essa característica, como os exemplos seguintes:

Figura 8 Niveis energeticos

Fonte: cfq9.wikispaces.com/%C3%81tomos+muito+est%C3%A1veis+e+%C3%A1tomos+pouco+est%C3%A1veis

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 Figura 9

Fonte: https://brainly.com.br/tarefa/887261

Observe que a última órbita do argônio é a M e a do Criptônio é a N, mas nos dois átomos essas
órbitas apresentam-se com oito elétrons, portanto esses átomos são estáveis.
A maioria dos átomos não atinge a estabilidade sozinha, pois a órbita de valência apresenta menos
de oito elétrons.
Logo, esses átomos precisam se unir com outros, cedendo, recebendo ou compartilhando elétrons, a
fim de atingir a estabilidade.
Essa união pode se dar por eletrovalência ou covalência.

3.7 Eletrovalência

Existe eletrovalência quando um dos átomos de uma molécula doa, definitivamente, elétrons ao
átomo vizinho, que o recebe definitivamente, visando à estabilidade.
A Figura.... mostra a ligação eletrovalente entre os átomos de sódio (Na) e cloro (Cl), formando a
molécula de NaC1 (cloreto de sódio).

Figura 10-Eletrovalência

Fonte: http://www.vanialima.blog.br/2015/08/modelos-atomicos

7
 Figura 11

Fonte: www.vanialima.blog.br/2015/08/modelos-atomicos-fisica

Nessa molécula, o sódio (Na), com M = 1, cede um elétron ao cloro (Cl), com M = 7, de modo que
ambos passam a ter oito elétrons na órbita de valência. Assim, os dois átomos tornam-se estáveis.

3.8 Covalência

Existe covalência quando os átomos compartilham elétrons para atingir a estabilidade.

A Figura... mostra a ligação covalente entre dois átomos de oxigênio (O) e um de carbono (C), formando a
molécula de CO2 (dióxido de carbono).

Figura 12 Ligação covalente na molécula de CO2

Fonte: http:www.vanialima.blog.br/2015/08/modelos-atomicos-fisica-nuclear.html

Nessa molécula, os átomos de oxigênio possuem seis elétrons na órbita de valência, enquanto o
carbono possui quatro. O compartilhamento de dois elétrons de cada átomo de oxigênio com os quatro
elétrons do átomo de carbono forma uma molécula estável, como se os três átomos tivessem oito elétrons
na órbita de valência.

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 4 Condutores e Isolantes

A estrutura atômica dos materiais determina se eles serão condutores ou isolantes elétricos. A
diferença está na chamada camada de valência.
Cotidianamente estamos em contato com elementos que são condutores elétricos e outros que
são isolantes elétricos. O que diferencia esses elementos, permitindo que uns possuam maior facilidade de
conduzir eletricidade do que outro é a estrutura atômica de cada substância.

4.1 Condutores

Os corpos considerados condutores elétricos possuem excesso de elétrons em sua camada de

valência, que é a última camada a receber elétrons em um átomo. Os elétrons presentes na camada de
valência são denominados de elétrons livres, e a força de atração entre eles e o núcleo atômico é pequena,
logo, eles possuem facilidade de se movimentar pelo material, tornando a substância em questão um bom
condutor de eletricidade. De modo geral, os metais são excelentes condutores elétricos.

4.2 Isolantes

Eles são também chamados de dielétricos. Os elétrons que formam esses materiais não têm
facilidade de movimentação, tendo em vista a forte ligação entre eles e o núcleo atômico. Isopor, borracha,
madeira seca, vidro, entre outros, são exemplos de materiais isolantes elétricos.

Todos os materiais isolantes elétricos apresentam um máximo de valor de campo elétrico que
podem suportar. Se esse valor máximo for ultrapassado, o material, mesmo sendo isolante, passará a se
comportar como condutor. Quando isso ocorre, dizemos que a rigidez dielétrica do material foi rompida.
Tomando o papel como exemplo, para romper a sua rigidez dielétrica, é necessários 16 KV/mm, ou seja,
para que a rigidez do papel seja rompida, são necessários 16000 volts para cada milímetro de substância.

4 Semicondutores

Existem materiais, com estruturas moleculares especiais, que se encontram em uma classificação
intermediária entre os dois grupos(condutores e isolantes) e não são considerados bons condutores , nem
bons isolantes. São classificados como Semicondutores, esses materiais possuem elétrons livres, mas em
quantidade bastante diminuta. Dos mais aplicados destacam-se o Silício e o Germânio

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 Os semicondutores são sólidos muito utilizados em equipamentos eletrônicos, pois tem grande
facilidade em mudar de condição isolante para condutores. Isso se deve ao fato de existir em sua
composição uma banda (nível de energia) proibida intermediaria.

Obs. Será abordado como objeto de estudo o átomo de Silício, porém toda característica de
semicondutor aplica-se também ao átomo de Germânio.

5.1 Estrutura atômica

O átomo isolado de silício possui 14 prótons e 14 elétrons.

Figura 13. Eletrosfera

Fonte: http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_120.shtml

Camadas:

1° camada dois elétrons

2° 8 elétrons

3° ou camada de valência possui quatro elétrons.

Ou seja, é tetravalente.

Possui camadas estáveis e são eletronicamente neutros, núcleo e elétron internos à órbita de valência são
denominados âmago do átomo.

Cada átomo do silício se liga a quatro átomos vizinhos através da ligação covalente, ou seja, pares
de elétrons (da última camada do (Si) são compartilhados entre dois átomos). Os elétrons das camadas
internas giram em torno do núcleo.

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 Um fato importante é que tanto o germânio como o silício apresenta exatamente o mesmo tipo de
estrutura que o diamante, variando apenas a dimensão (constante da rede).

5.2 Pares eletro-lacuna

Se aplicarmos uma energia capaz se transferir alguns elétrons da camada inferior à de condução,
através da camada ou banda proibida, estes elétrons encontraram também um numero ilimitado de níveis de
energia para os quais estes elétrons podem ser acelerados ou desacelerados pela ação da energia externa
aplicada, de modo que poderá resultar uma corrente elétrica mesurável. Desta forma, uma sustância
inicialmente isolante, poderá apresentar uma fraca condutividade, sendo este valor diretamente variável
com o numero de elétrons transferidos.

Quando uma transferência ocorre, rompe-se uma ligação de valência e aparece na camada inferior a
falta de um elétron.

Esta falta é designada como lacuna, a qual, por sua vez, pode influir no próprio comportamento
condutor dos elétrons da camada inferior, ao ser ocupado por um elétron de nível menor, e transferindo
assim a lacuna para um nível mais baixo, deslocando-se em sentido inverso do elétron em deslocamento.

Portanto a energia calorifica (calor), influi sensivelmente sobre todos os materiais, dependendo de
sua capacidade de suportar certos níveis de temperatura sem se alterar.

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 6 Processo de dopagem

O semicondutor intrínseco nada mais é do que a estrutura cristalina de materiais semicondutores

formados pela ligação covalente entre seus átomos. Após as ligações seus átomos encontram-se estáveis
com 8 elétrons na camada de valência e fortemente ligados entre si, portanto, não mais será condutor de
elétrons. Com isso seu uso fica restrito a outras aplicações fora da elétrica e eletrônica, sendo considerado
um isolante.

Obs. Para o estudo de dopagem será analisado como semicondutor o silício que é o mais empregado.

Figura 14- Ligações covalentes na estrutura do cristal de silício

Fonte: http://www.radioamadores.net/imagens/sem10.gif

Dopagem

É o processo utilizado para adicionar impurezas a um átomo de material semicondutor com o intuito
de alterar suas características elétricas, após a dopagem o cristal semicondutor passará a ser um extrínseco
e considerado um bom condutor de elétrons.

As impurezas utilizadas nesse processo geralmente possuem 3 ou 5 elétrons na camada de valência

ou seja; são de átomos trivalentes ou Pentavalentes.

Como exemplo de impureza podem-se citar os seguintes átomos.

Trivalentes: Boro, Alumínio, Indio, Gálio.

Pentavalentes: Antimônio, Arsênio, Fósforo.

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6.1 Semicondutor tipo P

Adicionando a estrutura de silício átomos de um material trivalente como o Indio, que possui 3
elétrons na camada de valência, os átomos deste material serão compartilhados com os átomos de silício
em uma ligação covalente, porém como o Indio possui apenas 3 elétrons em sua ultima camada, uma das
ligações de valência formada, possuirá um elétron a menos, como a figura abaixo.

Figura 15- Cristal tipo P

Fonte: http://www.radioamadores.net/imagens/sem10.gif

Isto ocorre, pelo fato da impureza adicionada possuir apenas 3 elétrons para compartilhar.

O espaço onde falta um elétron resulta em uma lacuna, ou seja, espaço que poderá receber um eletron. Esse
material é chamado de tipo P - positivo pois a lacuna é considerada uma carga positiva.

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6.2 Semicondutor tipo N

Adicionando uma impureza pentavalente ao material de silício assim como na ligação anterior
ocorrerá uma ligação covalente entre esses átomos, onde uma das ligações covalente formada possuirá um
elétron a mais.

Exemplo: Adicionando ao Silício o Arsênio que possui 5 eletrons em sua ultima camada, ocorrerá
uma ligação covalente onde o Arsênio possui um elétron de valência extra.

Figura 16- Cristal tipo N

Fonte: http://www.radioamadores.net/imagens/sem10.gif

O elétron que não formou a ligação, não está fortemente ligado como os outros eletrons ao nucleo
do atomo, sendo assim considerado um elétron livre podendo mover-se dentro do cristal perante a
aplicação de uma tensão elétrica.

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6.3 Junção PN

A junção PN forma-se quando um material do tipo P que tem como portadores majoritários as
lacunas e um material do tipo N que possui como portadores majoritários os elétrons unem-se para formar
um único material.

Elétron livre
Lacuna

Figura 17- Junção PN

Fonte: Própria

Observa-se que no lado esquerdo da junção, no material tipo P encontram-se as lacunas que
representam a falta de elétrons, já do lado direito no material tipo N encontram-se os elétrons livres que
sobraram na ligação.

No instante em que os dois materiais são unidos, ocorre um fenômeno chamado de recombinação,
onde os elétrons livres no material tipo N são atraídos pelas lacunas do material tipo P.

Atração de elétrons

Figura 18 – Recombinação Fonte: Própria

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 Este fenômeno ocorre somente com os átomos próximos ao centro da junção, pois, após dar inicio a
recombinação, os átomos do material tipo P próximos ao centro que receberam os elétrons livres se
tornaram estáveis com 8 elétrons na camada de valência e os átomos do material tipo N que doaram
elétrons na recombinação também se tornaram estáveis e já não mais possuem o elétron livre excedente da
ligação covalente. Portanto próximo ao centro surge uma região onde os átomos encontram-se
quimicamente estáveis com 8 elétrons na camada de valência, esta região chama-se Camada de depleção
ou barreira de potencial.

Formado a barreira de potencial entre os materiais, os elétrons livres restantes do material tipo N,
não possuem energia o suficiente para se recombinar com as lacunas do material tipo P.

Camada de

Depleção

Figura 19 – Zona de Depleção Fonte: Própria

Essa barreira de potencial em eletrônica pode ser considerada uma queda de tensão característica
da junção, sendo valores próximos a 0,7 volts na dopagem do silício e 0,3 volts na dopagem do germânio.

16
 7 Polarização da Junção PN

Polarizar a junção implica em aplicar um potencial elétrico em seus polos, ou seja, ligado a uma
fonte de tensão alternada ou continua. Como pode ser visto na figura abaixo, pode-se polarizar direta ou
inversamente o material.

Figura 20: Junção PN polarizada

Fonte: www.mspc.eng.br/eletrn/semic_120.shtml

7.1 Polarização direta

Se um potencial externo com o valor maior que o da barreira de potencial for aplicado conforme a
Figura abaixo, o potencial de barreira será quebrado e a corrente elevada pois existem muitos elétrons em
N. Diz-se então que a junção está diretamente polarizada e haverá a circulação de elétrons e o
semicondutor passará então a ser um bom condutor .

Figura 21 Polarização direta

Fonte: www.mspc.eng.br/eletrn/semic_120.shtml

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7.2 Polarização inversa
No caso de inversamente polarizado como a figura abaixo, o potencial de barreira será aumentado,
impedindo ainda mais a passagem de elétrons e a corrente será pequena. A medida que potência externo vai
aumentando junto a ele aumenta também a barreira de potência oque leva o semicondutor a ponto do
rompimento da junção.

Figura 22 Polarização Inversa

Fonte:www.mspc.eng.br/eletrn/semic_120.shtml

7.3 Curvas de condução

Notar que, acima de um pequeno valor de polarização direta, a corrente aumenta bastante, na
realidade de forma exponencial, dada por: I = C e-e(Vo-V)/kT. Onde C é uma constante que depende da
junção, k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta.

A polarização inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre o efeito avalanche, rompendo a
barreira de potencial e a corrente sobe quase na vertical.

Figura 23: Curva característica do diodo

Fonte: www.mspc.eng.br/eletrn/semic_120.shtml

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 8 Aplicações na eletroeletrônica

São inúmeras as aplicações de componentes formados à partir de semicondutores, e tais aplicações

estão mais presentes no cotidiano do que pode-se imaginar, nas áreas industriais, clinicas, comércio,
ciência, domésticas entre outras. Praticamente tudo que funcione a partir de uma fonte de energia elétrica
possue componentes a base de semicondutores.

8.1 Componentes

Os componentes eletrônicos são produzidos a partir da junção PN, e mais camadas adicionadas
podendo ser dos tipo PN,PNP,NPN.

8.2 Diodo retificador

O diodo foi sem dúvida o componente que mais permitiu a evolução da eletrônica e foi a base para
o desenvolvimento de outros componentes, sendo simplesmente uma junção PN. Conduzindo somente
quando polarizado diretamente, este componente permite a retificação de corrente alternada, com isto
pode-se converter corrente alternada em continua, este é o principio e funcionamento das fontes de
alimentação que é de uso comum para ligarmos equipamentos diversos.

Figura 24-Simbologia do diodo

Fonte: sites.google.com/site/electronica4bys/tipos-de-diodos

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 Figura 25-diodo retificador

Fonte: www.inobot.com.br/pd-1d2a66-diodo-retificador-1n4007.html

8.3 Transistor Bipolar

Acrescentando a junção PN mais uma camada de semicondutor do tipo P ou N, surge um novo

componente que sem dúvida é o mais empregado em eletrônica, trata-se do transistor bipolar, onde não
mais se tem um componente que simplesmente conduz correntes elétrica, mais sim um componente com 3
terminais onde a corrente que flui pelos seus terminais pode ser controlado pelo terceiro terminal chamado
de Base.

Figura 26-Junção NPN ou PNP

Fonte: www.radioamadores.net/transistores.htm

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 Este componente é de grande aplicação no desenvolvimento de equipamentos como exemplo
podem-se citar amplificadores de rádio, televisores, inversores de frequência , Controladores lógico
Programáveis, computadores e inúmeros outros.

Figura 27-Simbologia do transistor

Fonte:www.radioamadores.net/transistores.htm

Figura 28-Principais encapsuloamentos de transistores

fonte:electricconcept.blogspot.com.br/2015/02/simbolo-dos-principais-transistores-da.html

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8.4 Tiristores

São dispositivos que em geral possuem três junções de camadas , possuindo então Quatro camadas
podendo ser PNPN ou NPNP.

8.5 SCR-Diodo controlado de silício

O SCR é um tiristor de 4 camadas onde sua estrutura se assemelha a de dois transistores

conectados de modo a formar uma chave que se regenera ao ser acionada. Onde o controle pode ser feito
pelo terminal de porta identificado com Gate.

Sua aplicação se faz no controle de cargas de potência elevada tais como motores, resistências e
ionização de gases.

Figura 29- Estrutura e simbologia Scr

fonte: eletronicadidatica.com.br/componentes/tiristor/tiristor.htm

8.6 Triac

A estrutura do Triac nada mais é do que dois SCR’s conectados em antiparalelos, sua aplicação em
geral se faz no controle de potência em equipamentos que utilizem somente corrente alternada, pois, pelo

22
fato de serem dois scr’s em antiparalelo, consegue-se utilizar o bloqueio da corrente através de um único
terminal de gatilho para ambos os ciclos da corrente alternada.

Figura 30-Simbologia do Triac

fonte:pt.wikipedia.org/wiki/TRIAC

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 9 Referência bibliográfica

1-Toddai, Claudio Romano. Eletrônica Geral 2. Fundamentos teóricos e práticos. 3° Edição. São Paulo, Eletra, 1976.

2-http://www.coladaweb.com/quimica/eletroquimica/condutores-e-isolantes-semicondutores

3-
https://www.google.com.br/search?q=)+Modelo+de+Bohr+(b)+%C3%81tomo+de+Sil%C3%ADcio&source=lnms&tbm=isch&
sa=X&ved=0ahUKEwjxyLa28OXTAhUGjZAKHc3LB38Q_AUIBigB&biw=1366&bih=662#tbm=isch&q=+%C3%81tomo+de
+Sil%C3%ADcio&imgrc=YfYzUKOXKTzZDM:-imagem

4- http://app.cear.ufpb.br/~asergio/Eletronica/Componentes/Semicondutores.pdf

5- http://www.mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/semicondutores.htm pesquisa em 10/05/17

6- http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_120.html pesquisa em 11/05/17

7- http://www.lsi.usp.br/~eletroni/milton/ger_reco.htm pesquisa em 13/05/17

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