17/02/2015 Eletrônica Analógica I

Universidade do Estado de Santa Catarina ­ UDESC
Centro de Ciências Tecnológicas ­ CCT
Departamento de Engenharia Elétrica ­ DEE
Professor Celso José Faria de Araújo

         

PLANO DE ENSINO
DEPARTAMENTO: Engenharia Elétrica
DISCIPLINA: Eletrônica Analógica I    SIGLA: ELA1001
CARGA HORÁRIA TOTAL: 72
CURSO: Engenharia Elétrica
  SEMESTRE/ANO: 02/2014
PROFESSOR: Celso José Faria de Araújo, Dr.
         OBJETIVO GERAL DA DISCIPLINA
o    Analisar o comportamento de circuitos com elementos não lineares tais como diodos e transistores.
         EMENTA
o    Diodos de Junção PN;
o    Transistor de Efeito de Campo ­ MOSFET;
o    Transistor Bipolar ­ BJT;
o    Modelos e Aplicações Básicas;
o    Amplificador Classe A;
o    Amplificador de Múltiplos Estágios;
o    Amplificador de Potência.
         OBJETIVOS ESPECÍFICOS/DISCIPLINA
o    Conhecer o funcionamento de diodos de junção PN e seus modelos;
o    Analisar algumas aplicações de diodos;
o    Conhecer o funcionamento e a modelagem do transistor de efeito de campo;
o    Conhecer o funcionamento e a modelagem do transistor de junção bipolar;
o    Conhecer os modelos dos transistores;
o    Identificar a região de operação do transistor baseado na sua polarização;
o    Analisar a aplicação dos transistores como amplificadores de sinais;
o    Analisar a amplificação de sinais em múltiplos estágios;
o    Analisar o balanço de potência nas etapas de amplificação de sinais.

 
         CRONOGRAMA DE ATIVIDADES
Carga
Conteúdo Programático Avaliação  
Horária
TEORIA 72hs/aulas 3 testes Local
1. Diodos 
1.1. O Diodo ideal; 
1.2. Características elétricas dos diodos de junção; 
1.3. Modelos matemáticos para a curva característica do diodo na região de polarização
direta; 
1.4. Operação na região de ruptura inversa – Diodos zener; 
1.5. Circuitos Retificadores; 
1.6. Circuitos limitadores e grampeadores; 
1.7. Operação física dos diodos; 
1.8. Tipos especiais de diodos;  Teste Escrito
1.9. O modelo SPCICE para diodos e exemplos de simulação. 25hs/aulas
(04/09/2014)
2. Transistores de efeito de campo MOS (MOSFET)
2.1. Introdução; 
2.2. Estrutura e operação física do dispositivo; 
2.3. Características de corrente­tensão; 
2.4. Circuitos com MOSFET em cc; 
2.5. O MOSFET como amplificador e como chave; 
2.6. Polarização de circuitos amplificadores MOS; 
2.7. Operação em pequenos sinais e modelos; 
2.8. Amplificadores MOS de estágio simples; 

2.9. Capacitâncias internas do MOSFET e o modelo para altas frequências; 
2.10. Resposta em frequência do amplificador Fonte Comum; 
2.11. O modelo SPICE do transistor MOSFET e exemplos de simulação. 
3. Transistores bipolares de junção (BJT) 
3.1. Introdução; 
3.2. Estrutura do dispositivo e operação física ; 
3.3. Característica corrente­tensão;  Sala K­
Teste Escrito 102
3.4. O BJT como amplificador e como chave;  23hs/aulas
(16/10/2014)
3.5. Circuito BJT em cc; 
3.6. Polarização de circuitos amplificadores BJT; 
3.7. Operação em pequenos sinais e modelos; 
3.8. Amplificadores BJT de estágio simples; 
3.9. As capacitâncias internas de um BJT e modelo para altas frequências; 
3.10. Resposta em frequência do amplificador emissor comum; 
3.11. O modelo SPICE do transistor BJT e exemplos de simulação. 
4. Amplificadores de múltiplos estágios 
4.1. Introdução; 
4.2. Conexão em cascata; 

http://www2.joinville.udesc.br/~dee2cjfa/ElaI/ElaI.htm 1/2
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4.3. Amplificador cascode; 
4.4. Amplificador Darlington; 
4.5. Circuitos inversores CMOS; 
4.6. Espelhos de corrente; 
4.7. Exemplos e aplicações com o SPICE.  Teste Escrito
23hs/aulas
5. Amplificadores de potência  (27/11/2014)
5.1. Introdução; 
5.2. Classificação dos estágios de saída; 
5.3. Amplificador classe A; 
5.4. Amplificador classe B; 
5.5. Amplificador classe AB; 
5.6. Os BJTs de potência; 
5.7. Os MOS de potência; 
5.8. Os amplificadores de potência em CIs; 
5.9. Exemplos de simulação com o SPICE. 
Exame 3hs/aulas 02/12/2014

         METODOLOGIA PROPOSTA
o    A disciplina será trabalhada através da temática teórica, com teoria e exercícios ministrados em sala
de aula com auxílios de projetor e quadro­negro e exercícios.
         AVALIAÇÃO
o    Do desempenho do aluno: A qualidade do desempenho do aluno será avaliada com base no
rendimento obtidos em 3 testes escritos igualmente ponderados e um exame final;
o    Do desempenho da disciplina e do professor: Os estudantes terão, igualmente, a oportunidade
de fazer, ao andamento da disciplina uma avaliação mais completa do desempenho do professor e da
disciplina. O formulário para esta atividade será preparado para a ocasião ou fornecido pelo
coordenador do curso.
         BIBLIOGRAFIA (GERAL) OU DE USO DA DISCIPLINA:
o    Microeletrônica,  SEDRA. Adel S. e SMITH, Kenneth C. Oxford University Press, 5a Edição
o    Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, BOYLESTAD, Robert e NASHELSKY, Louis. Prentice Hall
do Brasil.
o    Circuitos Eletrônicos Discretos e Integrados, SCHILLING, Donald L. e BELOVE, Charles. Guanabara
Dois.
o    Eletrônica, MALVINO, Albert P.. Volume I. McGraw­Hill.
         DATAS DAS AVALIAÇÕES:
o    1O TESTE – 04 de Setembro de 2014 – 09:20Hs ­ Sala K­102
o    2O TESTE – 16 de Outubro de 2014 – 09:20Hs ­ Sala K­102
o    3O TESTE – 27 de Novembro de 2014 – 09:20Hs ­ Sala K­102
o    EXAME – 02 de Dezembro de 2014 – 07:30Hs ­ Sala K­102
 
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