Capítulo 11 • JFETs 459
Resumo
SEÇÃO 11-1 IDEIAS BÁSICAS
O FET de junção abreviado por JFET tem os
terminais de fonte porta e dreno. O JFET
tem dois diodos: o diodo porta-fonte e o
diodo porta-dreno. Para o funcionamento
normal, o diodo porta-fonte é polarizado
reversamente. Depois a tensão na porta
controla a corrente no dreno.
SEÇÃO 11-2 CURVAS DO DRENO
A corrente no dreno é máxima quando a
tensão porta-fonte é zero. A tensão de
estrangulamento separa as regiões ativa e
ôhmica para VGS = 0. A tensão porta-fonte
de corte tem o mesmo valor da tensão de
estrangulamento. VGS(corte) faz com que o
JFET entre em corte.
SEÇÃO 11-3 CURVA DE
TRANSCONDUTÂNCIA
Ela é o gráfico da corrente no dreno versus
tensão porta-fonte. A corrente no dreno
aumenta rapidamente à medida que VGS se
aproxima de zero. Pelo fato de a equação
da corrente no dreno conter uma grandeza
quadrática, os JFETs são chamados de dis-
p ositivos quadráticos. A curva de transcon-
dutância normalizada mostra que ID é igual
a um quarto de seu valor máximo quando
VGS for igual à metade do valor da tensão
de corte.
SEÇÃO 11-4 POLARIZAÇÃO NA REGIÃO
ÔHMICA
A polarização da porta é usada para pola-
rizar o JFET na região ôhmica. Quando ele
opera na região ôhmica, o JFET é equiva-
lente a uma resistência de baixo valor RDS.
Para garantir a operação na região ôhmica,
o JFET é levado para a saturação forte pelo
uso de VGS = 0 e ID(sat) << IDSS.
Definições
(11-1) Resistência ôhmica no estrangulamento:
ID
IDSS
R DS =
VDS
VP
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SEÇÃO 11-5 POLARIZAÇÃO NA REGIÃO
ATIVA
Quando a tensão porta-fonte for muito
maior que VGS, a polarização por divisor de
tensão pode estabelecer um ponto Q está-
vel na região ôhmica. Quando uma fonte
simétrica for disponível, a polarização da
fonte pode ser usada para encobrir as va-
riações em VGS e estabelecer um ponto Q
estável. Quando as tensões de alimentação
não forem muito altas, pode ser usada a
polarização da fonte por corrente para se
obter um ponto Q estável. A autopolariza-
ção é usada somente para amplificadores
de pequenos sinais porque o ponto Q é
menos estável do que com os outros mé-
todos de polarização.
SEÇÃO 11-6 TRANSCONDUTÂNCIA
A transcondutância gm nos indica a eficácia
que a tensão na porta tem sobre a corrente
no dreno. A grandeza gm é a inclinação da
curva de transcondutância, que aumenta à
medida que VGS se aproxima de zero. As fo-
lhas de dados podem listar o valor de gfs em
siemens que é equivalente a gm em mhos.
SEÇÃO 11-7 AMPLIFICADORES COM
JFET
Um amplificador em FC tem um ganho de
tensão de gmrd e produz um sinal de saída
invertido. Uma das aplicações mais impor-
tantes de um amplificador com JFET é no
circuito seguidor de emissor, que é quase
sempre usado no estágio inicial dos sistemas
devido a sua alta resistência de entrada.
SEÇÃO 11-8 JFET COMO CHAVE
ANALÓGICA
Nesta aplicação, o JFET age como uma
chave que transmite ou bloqueia um pe-
(11-5) Saturação forte:
ID
IDSS
VP
I DSS
ID(sat)
queno sinal CA. Para se obter este tipo de
ação, o JFET é polarizado na saturação for-
te ou no corte, dependendo de a condição
do valor de VGS ser baixo ou alto. Podemos
usar o JFET com chave em paralelo ou em
série. Em série sua relação de liga-desliga
é maior.
SEÇÃO 11-9 OUTRAS APLICAÇÕES PARA
O JFET
Os JFETs são usados como multiplexadores
(ôhmica), amplificadores recortadores ou
chop p er (ôhmica), amplificadores reforça-
dores ou buffer (ativa), resistores controla-
dos por tensão (ôhmica), circuitos de AGC
(ôhmica), amplificadores cascode (ativa) e
limitadores de corrente (ôhmica e ativa).
SEÇÃO 11-10 INTERPRETAÇÃO DAS
FOLHAS DE DADOS
Os JFETs são dispositivos utilizados princi-
palmente em baixos sinais porque a maio-
ria dos JFETs tem potências nominais na
faixa de menos de 1 W. Quando interpre-
tar folhas de dados, comece com os valo-
res nominais máximos. Algumas vezes as
folhas de dados omitem o valor mínimo de
VGS(corte) ou outros parâmetros. A grande
extensão nos parâmetros do JFET justifica
o uso das aproximações ideal para as aná-
lises preliminares e verificação de defeitos.
SEÇÃO 11-11 TESTE DO JFET
Os JFETs podem ser testados usando-se
um ôhmímetro ou um voltímetro digital
calibrados na faixa de teste de diodos. De-
ve-se tomar cuidado para não exceder os
valores limites de corrente dos JFETs. Pode-
mos usar os traçadores de curvas e circui-
tos para exibir as características dinâmicas
dos JFETs.
VGS = 0 ID(sat) << IDSS
VDS
VDD
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(11-13) Transcondutância: (11-19) Resistência ôhmica próximo da origem:

ID

ID VDS
Q rds =
id
ID
VDS
VGS
vgs

Derivações
(11-2) Tensão porta-fonte de corte: (11-12) Polarização da fonte:
ID +VDD

RD
VGS(corte) VGS(corte) = –VP
VSS − VGS V
ID = ≈ SS
VDS RS RS
VP
RG RS
(11-3) Corrente de dreno:
IDSS
–VSS

(11-13) Polarização por corrente na fonte:

2
Q ⎛ VGS ⎞⎟ +VDD
ID ID = I DSS ⎜⎜⎜1 − ⎟⎟
⎜⎝ VGS (corte) ⎟⎟⎠

VGS(corte) VGS RD

(11-7) Autopolarização:
VEE − VBE
VDD ID =
RE
RG
RD VGS = –IDRS

RE

–VEE
RG RS
(11-15) Tensão na porta de corte:

ΙD
(11-10) Polarização por divisor de tensão: Inclinação= gm0
ΙDSS
−2 I DSS
+VDD VGS(corte) =
gmo
R1 RD
+VG
VG − VGS VG V
ID = ≈ VGS(corte)
RS RS

R2 RS

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