Capitulo 3 - Lacunas e Impurezas Nos Solidos PDF

 O mais simples dos defeitos pontuais é a
lacuna
 Posição atômica na qual falta um átomo;
 Todo sólido cristalino contém lacunas;
 Aumento da entropia.
 O número de lacunas em equilíbrio depende da
temperatura
 N = nº total de sítios atômicos;

 Q = energia para formação de uma lacuna;
 T = temperatura em ºK;
 k = constante de Bolztman
 Número de lacunas aumenta exponencialmente
em função da temperatura.
 Átomo que se encontra comprimido em um
sítio intersticial
 Ocorrem em quantidade significativamente

menor que as lacunas
 Presentes em todos metais – máximo de
99,9999% de pureza
 Ligas – átomos de impurezas

intencionalmente adicionados para conferir
características específicas
 Adição de átomos – solução sólida

 Átomos do soluto são adicionados no
solvente sem formar uma nova estrutura
 Defeitos pontuais devido a presença de
impurezas
 Substitucional
 Intersticial
 Fator do tamanho atômico
 Pequena diferença entre os tamanhos atômicos
 Estrutura Cristalina
 Ambos metais devem ter a mesma estrutura cristalina
 Eletronegatividade
 Quanto maior a diferença maior a probabilidade de
formar um composto metálico
 Valência
 Maior tendência de dissolver outro de maior valência
 Materiais metálicos com fator de
empacotamento alto tem posições intersticiais
pequenas
 Diâmetro atômico da impureza intersticial tem que
ser pequeno
 Quantidade inferior a 10%

 Átomos de impurezas geralmente são maiores
que os vazios
 Induzem deformações
IMPUREZAS NAS CERÂMICAS
CERÂMICAS DEFINIÇÃO:
Cerâmicas são compostos entre elementos metálicos e
não-metálicos: eles são muito frequentemente óxidos,
nitretos e carbetos. A larga faixa de materiais que caem
dentro desta classificação inclui cerâmicas que são
compostas de minerais de argilas, cimento e vidro
(CALLISTER, 2011);
IMPUREZAS:
Átomos de impureza podem formar soluções sólidas em
materiais cerâmicos da mesma forma que em metais
(CALLISTER, 2011);
Essas soluções podem ser tanto substitucional quanto
intersticial (CALLISTER, 2011);
Intersticial: o raio iônico da impureza deve ser relativamente

pequeno em comparação com o ânion (CALLISTER, 2011);
Substitucional: Este tipo de solução sólida em materiais
cerâmicos se dá quando há similaridade de carga entre os
cátions e ânions da estrutura e as impurezas; ou seja, uma
impureza substitucional irá substituir um íon hospedeiro que
seja mais semelhante a ela no aspecto elétrico (CALLISTER,
2011)
EXEMPLO: no cloreto de sódio, íons de impureza Ca2+ e O2- ,

eles provavelmente substituiriam os íons Na+ e Cl-,
respectivamente.
Solubilidade sólida apreciável de impureza substitucional: o

tamanho e a carga iônica da impureza devem ser muito
próximos daqueles dos íons hospedeiros;
Íon de impureza com carga diferente do hospedeiro: o
cristal deve compensar para que a eletroneutralidade seja
mantida. Um meio de realizar isto é pela formação de
defeitos de rede - vacâncias ou intersticiais de ambos os
tipos de íons (CALLISTER, 2011)
EXEMPLO DE IMPUREZAS EM CERÂMICAS: Pequenas

adições de íons de cobalto, cromo, cobre, manganês e ferro
causam grandes mudanças de cor em vidros.
Figura 01 – Apresentações das formas

de impurezas.
DEFEITO: É uma imperfeição ou um "erro" no arranjo
periódico regular dos átomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade:

•na posição dos átomos;
•no tipo de átomos.
O tipo e o número de defeitos dependem do material,

do meio ambiente, e das circunstâncias sob as quais o
cristal é processado.
DEFEITOS NOS POLÍMEROS
DEFINIÇÃO:
Polímeros são macromoléculas formadas a partir de
unidades estruturais menores (monômeros - que é um
pequeno segmento de uma cadeia, que consiste em
moléculas de carbono e hidrogênio, entre outras.);
São normalmente combinações de elementos orgânicos,
como o Carbono, Hidrogênio além de outros materiais não
metálicos.
DEFEITOS NOS POLÍMEROS
DEFEITOS:
Os defeitos nos polímeros são diferentes dos metais, isso
devido as macromoléculas, e à natureza do estado
cristalino polimérico (BERTUCCIO et. al, 2012).
Defeitos são detectados em lacunas, átomos intersticiais,
átomos/íons de impureza e grupos átomos/íons como
intersticiais na região cristalina (BERTUCCIO et. al, 2012).
Podem ser também: defeitos nas cadeias, cadeias
pendentes ou soltas, assim como discordâncias
(BERTUCCIO et. al, 2012).
DEFEITOS PLANOS OU INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimensões) e

normalmente separam regiões dos materiais de
diferentes estruturas cristalinas ou orientações
cristalográficas.
1.Superfície externa;
2.Contorno de grão;
3.Maclas ou Twins;
4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento).
 É um tipo de defeito pontual de uma
estrutura de cristal;
 Envolve um par composto por uma lacuna
catiônica e uma lacuna aniônica;
 É formado pela remoção de um cátion e de
um ânion do interior do cristal, seguido pela
colocação de ambos os íons em uma
superfície externa;
Representações esquemáticas de lacunas
catiônicas e aniônicas e de um cátion intersticial
 É um tipo de defeito pontual de uma
estrutura de cristal;
 Envolve um par composto por uma lacuna
catiônica e uma cátion intersticial;
 É formado quando um cátion deixa seu lugar
na estrutura, criando uma lacuna e ocupando
um espaço intersticial;
 Também pode ser chamado de par de Frenkel
ou desordem de Frenkel;
Diagrama esquemático mostrando defeitos de
Frenkel e Schottky em sólidos iônicos
DEFEITO DE FRENKEL DEFEITO DE SCHOTTKY
 Sólidos iônicos com grande  Compostos altamente

diferença de tamanho iônicos;
entre cátions e ânions;  Compostos altamente
 Exemplos: ZnS, AgCl, AgBr, organizados;
Agl;  Compostos onde existe
uma pequena diferença de
tamanho entre cátions e
ânions;
 Exemplos: NaCl, KCl, KBr,
CsCl, AgCl.
DEFEITO DE FRENKEL DEFEITO DE SCHOTTKY
 Não afeta a densidade do  O número total de íons em

sólidos pois envolve um cristal com esse defeito
apenas a migração de íons é menor que o valor teórico
dentro do cristal, então de íons, então a densidade
preservam tanto o volume deste sólido é menor que o
quanto a massa; normal;
1.DEFEITOS NA SUPERFÍCIE EXTERNA
•Um dos contornos mais óbvios;

•Na superfície os átomos não estão completamente
ligados;
•O estado de energia dos átomos na superfície é maior que
no interior do cristal;
•Os materiais tendem a minimizar está energia
•A energia superficial é expressa em unidades de energia
por unidade de área (erg/cm2 ou J/m2).
2.CONTORNO DE GRÃO
•Corresponde à região que separa dois ou mais cristais

de orientação diferente;
•No interior de cada grão todos os átomos estão
arranjados segundo um único modelo e única orientação,
caracterizada pela célula unitária.
Fonte: Costa E.M. –

IMPERFEIÇÕES CRISTALINAS –
Notas de aula - PUC-RS.
2.CONTORNO DE GRÃO
•Há um empacotamento ATÔMICO menos

eficiente;
•Há uma energia mais elevada;
•Favorece a nucleação de novas fases
(segregação);
•Favorece a difusão;
•O contorno de grão ancora o movimento das
discordâncias.
CONTORNO DE PEQUENO ÂNGULO
•Ocorre quando a desorientação dos cristais é

pequena;
•É formado pelo alinhamento de discordâncias
Ângulo de
desalinhamento
Contorno de grão de alto
ângulo
Contorno de grão de baixo

ângulo
Fonte: Ciência e Engenharia de Materiais:

uma introdução –
Callister, JR.,William D., 1940.
Ângulo de
3.MACLAS OU CRISTAIS GÊMEOS
•É um tipo especial de contorno de grão;

•Os átomos de um lado do contorno são imagens
especulares dos átomos do outro lado do contorno;
•A macla ocorre num plano definido e numa direção
específica, dependendo da estrutura cristalina.

3.MACLAS OU CRISTAIS GÊMEOS
O seu aparecimento está geralmente associado

com A PRESENÇA DE:
•tensões térmicas
e mecânicas;
•Impurezas;
•Etc.

4.Defeitos interfaciais diversos (empilhamento).
Corresponde a interrupção de uma seqüência regular

de empacotamento de planos em uma rede cristalina.
As falhas de
empacotamento são
encontradas em metais
CFC quando existe uma
interrupção na
sequencia de
empilhamento ABABAB.

 É um defeito linear ou unidimensional
em torno do qual alguns átomos estão
desalinhado. (Callister, 2011)
 É uma porção extra de um plano de átomos, ou semi
plano, cuja aresta termina no interior do cristal.
(Callister, 2011).
Representação esquemática de um defeito

linear do tipo discordância em aresta.
 A discordância em aresta está centralizada em
torno de uma linha definida ao longo da
extremidade do semi plano adicional de átomos,
conhecida como a linha da discordância.
 A discordância em aresta pode ser representada

pelo símbolo ( ), que também indica a posição
da linha da discordância. Também pode ser
formada por semi plano adicional de átomos que
esteja incluído na fração inferior do cristal, sendo,
neste caso representada pelo símbolo ( ).
Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-

rio.br/cursos/cemat_mv/Aula9.pdf
 Considerada como a consequência da tensão de
cisalhamento que aplicada para produzir a
distorção. (Callister, William D,.1940).
Representação esquemática de um defeito

linear do tipo discordância em espiral.
 A distorção atômica associada com uma
discordância em espiral também é linear ao longo da
linha da discordância e está associada com a
trajetória helicoidal que é traçada em torno da sua
linha pelos planos atômicos;
 O símbolo é usado para designar este tipo de

discordância;
 Na discordância em espiral, a linha da discordância,

a direção do cisalhamento e o vetor de Burgers são
paralelos
Formação de discordância por cisalhamento: a linha da
discordância, D, se expande pelo cristal até que o
deslizamento se complete.

 As discordâncias encontradas nos materiais
cristalinos provavelmente não saem puramente
arestas ou puramente espiral, mas exibirão
componentes de ambos os tipos, denominadas
mistas. (Callister, William D,.1940).
Discordância mista (caráter simultâneo de aresta
e espiral).
Efeito de deformação da rede cristalina
provocada por discordância mista.

 A magnitude e a direção da distorção da rede
associada a uma discordância são expressadas
em termos de um vetor de Burgers. (Callister,
2011).
 Para materiais metálicos, o vetor de Burgers irá
apontar para uma direção cristalograficamente
compacta e terá uma magnitude igual ao
espaçamento interatômico;
Determinação do
vetor de Burgers
em cristal
perfeito (a) e em
cristal na presença
de discordância
(b).
 Na discordância em aresta, a linha da
discordância e o vetor de Burgers são
perpendiculares.

DETERMINAÇÃO DO TAMANDO DO GRÃO
O tamanho do grão d
e metais policristalinos é importante, já que a superfície dos contornos

entre os grãos tem um efeito importante em muitas propriedades dos
metais, especialmente na resistência mecânica.
Em temperaturas baixas (inferiores a cerca de metade da temperatura

absoluta de fusão), a região do contorno provoca um aumento da
resistência mecânica dos metais, porque sob tensão dificulta o
movimento das discordâncias.
Em temperaturas elevadas pode ocorrer o escorregamento ao longo

dos contornos e estes se tornam regiões vulneráveis nos metais
policristalinos.
O tamanho do grmétodo de interseção:
Uma série de segmentos de linhas retos (todos com o mesmo

comprimento) são desenhados sobre uma microfotografia.
O comprimento da linha é dividido pelo número médio de

interseções de grãos por linha.
O diâmetro médio do grão é tomado como sendo esse

resultado dividido pela ampliação da fotomicrografia.

Na tabela abaixo, indicam-se os números de tamanho de grão, assim como o
número de grãos por pol², numa ampliação de 100X, e o número de grãos por
mm², com uma ampliação de 1X.
Em geral, um material pode ser classificado como grosseiro quando n < 3, de

grão médio, 4 < n < 6; de grão refinado, 7 < n < 9, e com grão ultrafino, n > 10
Na figura abaixo, mostram-se exemplos do tamanho de grão de
amostras de chapa de aço de baixo teor de carbono:
Exercício
Fez-se a determinação do tamanho de grão ASTM, em uma fotomicrografia de um

metal com uma ampliação de 100X. Se existirem 64 grãos por polegada quadrada,
qual é o número ASTM de tamanho de grão do metal?
N = 2n-1
N = número de grãos por polegada quadrada em 100X

n = número de tamanho de grão ASTM
64 grãos/pol² = 2n-1
log 64 = (n – 1)(log 2)
1,806 = (n – 1)(0,301)
n=7
Exercício
Se existem 60 grãos por polegada quadrada, em uma fotomicrografia de um metal

obtida com uma ampliação de 200X, qual é o número ASTM de tamanho de grão do
metal?
Se com uma ampliação de 200X existem 60 grãos por polegada quadrada,

com uma ampliação de 100X, teremos:
log 240 = (n – 1)(log 2)

2,380 = (n – 1)(0,301)
n = 8,91
A razão entre as ampliações tem de ser elevada ao quadrado, porque

estamos interessados no número de grãos por polegada quadrada.
 Para uma liga que contém dois átomos hipotéticos
identificados como 1 e 2, a concentração do átomo
1 em %p é dada por:
m1
C1  100
m1  m2
 Onde:
 C1 → Concentração do átomo 1
 m1 + m2 → massa dos elementos 1 e 2
 m1 → massa dos elementos 1 e 2
 A base para os cálculos é o número de mols
de um elemento em relação ao número total
de mols de todos os elementos de uma liga, é
dado por: m1'
nm1 
A1
 Onde:
 m1’ → massa (em gramas)
 A1 → peso atômico
 A Concentração para o elemento 1 em termos
da porcentagem atômica em uma liga
contendo os átomos dos elementos 1 e 2, é
definida por: nm1
C1'  100
nm1  nm 2
 Onde:
 nm1 → número de mols
 Para converter a % em peso em % atômica,
em elementos hipotéticos 1 e 2, as
expressões de conversões são:
C1 A2 C1' A1
C1'  100 C1  100
C1 A2  C2 A1 C1' A1  C2' A2
C2 A1 C2' A2
C2 '  100 C2  100
C1 A2  C2 A1 C1' A1  C2' A2
 Uma vez que estamos considerando apenas
dois elemementos, os cálculos envolvendo as
equações anteriores podem ser simplificados
quando se observa que:
C1  C2  100
C1'  C2'  100
 As concentrações em termos dessa base
serão representadas com a utilização ode
“duas linhas” (isto é C”1 e C”2), e as equações
relevantes são as seguintes:
   
   
C1 
"  C1 
103 C2 
"  C2 
103
 C1 C2   C1 C2 
     
 1 2   1 2 
 Onde: massa específica (ρ) → g/cm³
 A massa específica e o peso atômico de uma
liga binária tendo sido dada a composição em
termos ou da % em peso ou da % atômica:
100 C1' A1  C2' A2
 méd   méd 
C1 C2 C1' A1 C2' A2
 
1 2 1 2
 Onde: massa específica → (ρméd)

 A massa específica e o peso atômico de uma
liga binária tendo sido dada a composição em
termos ou da % em peso ou da % atômica:
100
Améd  C1' A1  C2' A2
C1 C2 Améd 
 100
A1 A2
 Onde: Peso atômico → (Améd)

 Determine a composição, em porcentagem
atômica, de uma liga com 97%p alumínio e
3%p cobre.
 Solução:
▪ Se representarmos as respectivas composições em
porcentagem em peso como Cal= 97 e Ccu= 3, a
substituição nas Equações:
C1 A2 C1' A1
C1'  100 C1  100
C1 A2  C2 A1 C1' A1  C2' A2
C Al ACu
C 
'
100
C Al ACu  CCu AAl
Al
(97)(63,55 g / mol )
C 
'
100
(97)(63,55 g / mol )  (3)(26,98 g / mol )
Al
C Al'  98,7%a
CCu AAl
C'
  100
CCu AAl  C Al ACu
Cu
(3)(26,98 g / mol )
C '
  100
(3)(26,98 g / mol )  (97)(63,55 g / mol )
Al
'
C Al  1,30%a
 A Microscopia óptica, também denominada
“microscopia de luz”, consiste em uma técnica de
observação de objetos e sistemas com ampliações
de algumas dezenas até milhares de vezes das
dimensões físicas, tipicamente 10X a 1500X.
 O microscópio óptico mais simples consiste de duas
lentes montadas em uma estrutura, com um
suporte para anteparo do material a ser observado.
O equipamento conta ainda com um sistema de
iluminação, filtros, colimadores, e outras partes, no
sentido de otimizar a qualidade da imagem obtida.
 Existem diversas variações de modelos,
com imagem por luz refletida
(materiais opacos), luz transmitida
(materiais translúcidos), imagem por
fluorescência, dentre outras.
 A ampliação final de um microscópio
óptico será o resultado do produto
obtido pela ampliação da lente ocular
pela objetiva, situando-se na faixa de
~40X a ~1000X.
 A microscopia óptica utiliza as
propriedades ondulatórias da radiação
eletromagnética, principalmente na
faixa de energia da luz visível.
 Alguns fenômenos de interação da
radiação com a matéria são
importantes, tais como:
 Absorção;
 Refração;
 Difração.
 Na microscopia óptica, para materiais
opacos à luz visível, apenas sua
superfície é submetida à observação,
sendo necessário o uso no modo de
reflexão.
 Para que se possa fazer uma análise
estrutural no material, é preciso realizar
o processo de preparação das amostras
previamente. As etapas do processo de
preparação são formadas pela
separação da amostra, embutimento,
lixamento, polimento e ataque
químico.
SOUZA, V.C.G; SAMPAIO H.S.; e TAVARES, M.M.L - 2002
• Utiliza feixes de elétrons ao invés de
radiação luminosa (microscópio
óptico);
• Existem três tipos:
– De transmissão (MET): usado para a
observação de cortes ultrafinos;
– De varredura (ou MEV): capaz de produzir
imagens de alta ampliação para a
observação de superfícies;
– De varredura por sonda (MVS): para
visualização de átomos.
FONTE: CONTEUDO, 2014.
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012.
• A imagem é formada por um feixe de
elétrons que passa através da amostra;
• Os contrastes na imagem são obtidos pelas
diferenças na disperção ou difração do feixe
produzidas entre os vários elementos da
microestrutura ou defeitos;
• A amostra deve ser preparada na forma de
uma folha muito fina, o que assegura a trans
missão através da amostra de uma fração
aprecíavel do feixe incidente.
FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012
 O feixe transmitido é
projetado sobre uma tela
fluorescente ou um filme
fotográfico;
 Ampliações de até
1.000.000 de vezes;
 Empregada no estudo das
discordâncias.

• É uma versão mais recente;
• A superfície da amostra a ser examinada é
varrida com um feixe de elétrons e o feixe de
elétrons refletido (retroespalhado) é coletado e,
então exibido na mesma taxa de varredura em
um tubo de raios catódicos (semelhante a tela
de uma TV);
• A superfície da amostra pode ou não estar polida
e ter sido atacada quimicamente, porém deve
ser condutora de eletricidade; um revestimento
metálico superficial muito fino deve ser aplicado
sobre materiais não condutores;
FONTE: DEDAVID et. al, 2007.
Microscopia Eletrônica de
Varredura (MEV)

Esquema de componentes do MEV

• Ampliações variam de 10 a 50.000 vezes;
• São também possíveis profundidades de campo
muito grandes;
• Permitem análises qualitativas e semi-
quantitativas da composição elementar em
áreas muito localizadas da superfície.
• O MEV é um aparelho que pode fornecer
rapidamente informações sobre a morfologia e
identificação de elementos químicos de uma
amostra sólida. Sua utilização é comum em
biologia, odontologia, farmácia, engenharia,
química, metalurgia, física, medicina e geologia.
• Existem diversas variedades;
• Difere dos opticos e eletrônicos pelo fato de que
nem a luz nem a elétrons são usados para formar
uma imagem;
• O microscópio gera um mapa topográfico, um
uma escala atômica, que é uma representação
dos detalhes e das características da superfície
da amostra que está sendo examinada.
• Emprega uma sonda minuscula de extremidade
muito fina que é colocada muito próxima
(distância em nanometros) da superfície da
amostra.
• Durante a varredura , a sonda sofre deflexões
perpendiculares a esse plano, em resposta a
interrações eletrônicas ou de outra natureza,
entre a sonda e a superfície da amostra;
• Os movimentos da sonda no plano da superfície
e para fora do plano são controlados por
componentes cerâmicos piezelétricos;
• Adicionalmente, esses movimentos da sonda
são monitorados eletronicamente e transferidos
e armazenados em um computador, o que gera
entao a imagem tridimensional da superfpície.

• Análise na escala nanométrica;
• Ampliações de até 109 vezes;
• São geradas imagens
tridimensionais ampliadas;
• Alguns MVS podem ser
operados em diversos
ambientes: vácuo, ar, líquidos;
• Permitem o exame da
superfície dos materiais nos
níveis atômicos e molecular;
• Alavancou a entrada na era dos
nanomateriais.

FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012
• CALLISTER, William D.; RETHWISCH, David G. Ciência e
engenharia de materiais: uma introdução. 8. ed. Rio de Janeiro,
RJ: LTC, 2012. xxi, 817 p.
• DEDAVID, Berenice Anina; GOMES, Carmem Isse; MACHADO
Giovanna. Microscopia Eletrônica De Varredura - Aplicações E
Preparação De Amostras: Materiais Poliméricos, Metálicos E
Semicondutores. Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande
do Sul. EDIPUCRS. Porto Alegre, 2007.
• CONTEÚDO aberto. In: Wikipédia: a enciclopédia livre.
Microscópio eletrônico. Disponível em:
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Mi
crosc%C3%B3pio_eletr%C3%B4nico>. Acesso em: 01 de maio de
2014
REFERÊCIAS
BERTUCCIO, Antonio; MICHELLINE, Isadora;
ROLLA, Lucas; ZAIDAN, Ludmila. Polímeros
Estrutura. Trabalho Acadêmico. 2012.
Disponível em:<
http://prezi.com/l0wwangplykm/polímeros-
estrutura>. Acesso em março de 2014.
JEDYN, Felipe. Materiais Não Metálicos. Aula
01: Revisão de Estrutura Atômica e Ligação
Interatômica e Introdução aos Materiais
Cerâmicos. Curitiba. Disponível em:
<http://ftp.demec.ufpr.br/.../Introducao_e_Conteud
o_Ceramicos_V02.pptx‎>. Acesso em março de
2014.
Referências
Shackelford, James F. Introdução à ciência dos materiais para

engenheiros / James F. Schackelford; tradução Daniel Vieira; revisão
técnica Nilson C. Cruz. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008.
Smith, Willian F.; Hashemi, Javad. Fundamentos de Engenharia e
Ciência dos Materiais. Porto Alegre; AMGH Editora, 2012.
Ciência dos Materiais Multimídia.
http://www.cienciadosmateriais.org
 http://projetocienciando.blogspot.com.br/2012/
12/microscopia-optica-aplicada-ao-estudo.html
 http://www.biomaterial.com.br/capitulo7part01.
pdf
 http://www.angelfire.com/crazy3/qfl2308/1_mult
ipart_xF8FF_6_Microscopia_otica.pdf
 SOUZA, V.C.G; SAMPAIO H.S.; e TAVARES, M.M.L. - Estudo por
microscopia óptica e lupa das características mineralógicas e
microestruturais do clínquer aplicado ao processo de moagem e qualidade do
cimento - Rev. Esc. Minas vol.55 no.2 Ouro Preto - MG - 2002.

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Capitulo 3 - Lacunas e Impurezas Nos Solidos PDF

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 O mais simples dos defeitos pontuais é a

 N = nº total de sítios atômicos;

 Ocorrem em quantidade significativamente

 Ligas – átomos de impurezas

 Adição de átomos – solução sólida

 Quantidade inferior a 10%

Intersticial: o raio iônico da impureza deve ser relativamente

EXEMPLO: no cloreto de sódio, íons de impureza Ca2+ e O2- ,

Solubilidade sólida apreciável de impureza substitucional: o

EXEMPLO DE IMPUREZAS EM CERÂMICAS: Pequenas

Figura 01 – Apresentações das formas

Podem envolver uma irregularidade:

O tipo e o número de defeitos dependem do material,

Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimensões) e

 Sólidos iônicos com grande  Compostos altamente

 Não afeta a densidade do  O número total de íons em

•Um dos contornos mais óbvios;

•Corresponde à região que separa dois ou mais cristais

Fonte: Costa E.M. –

•Há um empacotamento ATÔMICO menos

•Ocorre quando a desorientação dos cristais é

Contorno de grão de baixo

Fonte: Ciência e Engenharia de Materiais:

•É um tipo especial de contorno de grão;

Fonte: Costa E.M. –

O seu aparecimento está geralmente associado

Fonte: Costa E.M. –

Corresponde a interrupção de uma seqüência regular

Fonte: Costa E.M. –

Representação esquemática de um defeito

 A discordância em aresta pode ser representada

Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-

Representação esquemática de um defeito

 O símbolo é usado para designar este tipo de

 Na discordância em espiral, a linha da discordância,

Dpto de Ciência dos Materiais e Metalurgia – PUC Rio – Disponível: http://www.dcmm.puc-

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e metais policristalinos é importante, já que a superfície dos contornos

Em temperaturas baixas (inferiores a cerca de metade da temperatura

Em temperaturas elevadas pode ocorrer o escorregamento ao longo

Uma série de segmentos de linhas retos (todos com o mesmo

O comprimento da linha é dividido pelo número médio de

O diâmetro médio do grão é tomado como sendo esse

Em geral, um material pode ser classificado como grosseiro quando n < 3, de

Fez-se a determinação do tamanho de grão ASTM, em uma fotomicrografia de um

N = número de grãos por polegada quadrada em 100X

Se existem 60 grãos por polegada quadrada, em uma fotomicrografia de um metal

Se com uma ampliação de 200X existem 60 grãos por polegada quadrada,

log 240 = (n – 1)(log 2)

A razão entre as ampliações tem de ser elevada ao quadrado, porque

 Onde: massa específica → (ρméd)

 Onde: Peso atômico → (Améd)

FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012.

FONTE: CONTEUDO, 2014.

FONTE: DEDAVID et. al, 2007.

FONTE: CALLISTER e RETHWISCH, 2012.

FONTE: CONTEUDO, 2014.

Shackelford, James F. Introdução à ciência dos materiais para

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