Acet BJT PDF

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)
O transistor de junção bipolar (BJT)

E C
n p n
• Bipolar – dois tipos de cargas, electrões e Emissor Colector
buracos, envolvidos nos fluxos de corrente

B
• Junção – duas junções pn. Junção Base
base/emissor e junção base/colector

E C
• Tipos – tipos NPN e PNP. p n p
Emissor Colector
• Terminais – Base, Emissor e Colector

B
Base
• Símbolos -
NPN Colector
PNP Emissor
Base Base
Emissor Colector
Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002
Fluxos de corrente num

Injecção de electrões
transistor npn operando na ZAD E C

Injecção de buracos
n p n
• A junção Emissor/Base é directamente iE iC

polarizada iB B
• A junção Base/Colector é inversamente
polarizada VBE VCB
• A espessura da região da base é
tipicamente 150 vezes inferior à
espessura do dispositivo. • E de portadores minoritários
• A polarização directa da junção (buracos) da base para o emissor
base/emissor causa um fluxo de
portadores maioritários (electrões) da • A soma destes dois fluxos conduz
região n para a região p. à corrente de emissor IE.
Fluxos de corrente num Injecção de electrões

E C
transistor npn operando na ZAD Injecção de buracos
n p n
• O transistor é construído de tal forma que iE iC

iB B
praticamente toda a corrente é constituída
pelo fluxo de electrões do emissor para a
base. A região do emissor é muito mais VBE VCB
fortemente dopada do que a região da
base.
antes de haver tempo para a
• A região da base é muito fina comparada
recombinação com os buracos
com a espessura das regiões do emissor e
na base. A corrente no colector
do colector. Os electrões que fluem do
é da mesma ordem de grandeza
emissor para a base, atravessam esta
da corrente no emissor.
região e são atraídos para o colector,
Fluxos de corrente num

transistor pnp operando na ZAD E
Injecção de buracos
C
Injecção de electrões
p n p
• O transistor PNP opera de forma semelhante iE iC

ao descrito para o transistor NPN iB B
• A tensão VEB polariza directamente a junção

EB. A tensão VBC polariza inversamente a VEB VBC
junção CB.
• No transistor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de buracos.
• As correntes de difusão de electrões livres da base para o emissor são muito
pequenas em comparação com as correntes de buracos em sentido contrário.
• A região do emissor, tal como no transistor NPN, é muito mais fortemente
dopada do que a região da base. A espessura da base é muita pequena em
comparação com as dimensões do dispositivo.
Transistor de junção bipolar (BJT)

(convenções)
C E
vCB iC vEB iE
iB iB
B B
vCE vEC
vBE iE vBC iC
E C
NPN PNP
• Os sentidos de referência adoptados para tensões e correntes aos terminais do
transistor são escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa
directa, as correntes são positivas.
• O funcionamento dos dois tipos de transistores é muito semelhante; quando se
passa de um para outro, todos os resultados se mantêm se se trocarem os
sentidos das tensões e correntes.
Transistor de junção bipolar (BJT)

(modos de operação)
Modo de
Junção EB Junção CB Aplicações
operação
Zona Activa
Directa Polarizada Polarizada
Amplificadores
directamente inversamente
(ZAD)
Polarizada
Zona de Corte Polarizada
inversamente Interruptores
(ZC) inversamente
Portas lógicas
Zona de Circuitos TTL
Saturação Polarizada Polarizada
Etc..
directamente directamente
(ZS)
Transistor de junção bipolar (NPN)

(Equações - resumo)
• Zona Activa Directa (ZAD) • Zona de Saturação (ZS)
iC < â . i B
iC = â . i B e i E = ( â + 1). i B
v BE ≅ v BE on = 0 , 7 V
â
i C = á .i E e iC = .i E v CE = V CE sat ≅ 0 , 2 V
â +1
v BE ≅ v BE on = 0 , 7V
v CE > V CE sat • Zona de Corte (ZC)
i B = iC = i E = 0
v BE < 0 , 7 V
Modelos para sinais fortes

C C
iC iC
vBE
ISe VT α.iE
B iB B iB
vBE vBE
iE iE
E E
a) Fonte de corrente controlada por b) Fonte de corrente controlada por

tensão corrente
iB iC iB iC
B C B C
vBE vBE vBE

IS e VT β.i B
iE iE
E E
c) Fonte de corrente controlada por d) Fonte de corrente controlada por

tensão corrente
Transistor de junção bipolar (PNP)
E
Modelos para sinais fortes E
iE iE
vEB vEB
B iB B iB
vEB
IS e V T α.iE
iC iC
C C
a) Fonte de corrente controlada por b) Fonte de corrente controlada por

tensão corrente
E E
iE iE
v BE
vEB ISe VT vEB β.iB
B iB iC B iB iC
C C
c) Fonte de corrente controlada por d) Fonte de corrente controlada por

tensão corrente
Curvas características do BJT (npn)

iB=f(vBE) para vCE constante
iB T1 T2 T3
iB
T 1>T 2>T 3
iC
v BE
i C = I S . exp( )
VT
IS v
iB= . exp( BE )
β VT
0,5 0,8 vBE
0,5 0,8 vBE
Efeito da temperatura na característica
Habitualmente considera-se iB-vBE de um transistor npn.
VBE=VBEon≅ 0,7V vBE decresce aproximadamente 2mV/ºC.
Curvas características do BJT (npn)

iC=f(vCE) para iB constante
.. Zona activa
iC i B=. directa
Zona de
iC saturação
i B=...
VBE VCE
i B=...
iB=...
iB=...
vCE
-V A
Zona de
VA – tensão de Early
corte
Análise de circuitos dc com o BJT (npn)

- (Recta de carga estática) RC
5kΩ
IC
C
IB VBB
RB
Da malha de saída tem-se: 330kΩ
B
+10V
VBB E
− VCC + R C I C + VCE = 0
4V IE
VCC − VCE 1 VCC

IC = ou IC = − +
RC RC RC ..
iC i B=.
VCC
Equação de uma recta, em que:
iB=...
RC
para I C = 0 ==> VCE = VCC
para VCE = 0 ==> I C =

VCC iB=10µA
RC ICQ PFR
(1mA)
iB=...
PFR - ponto de funcionamento em repouso
iB=...
PFR (VCEQ , I CQ )
VCEQ (5V) VCC vCE

(Exemplos)
β=100 +10V
+10V
VBEon=0,7V +10V
RC RC
2,7kΩ 5kΩ
RC iC
5kΩ iC C
C
iC RB iB B
C
RB iB
B
100kΩ E
B VB E iE
330kΩ
E 5V
iE
VB
4V iE RE RE
3,3kΩ 10kΩ
-10V
a) b) c)
Transistor de junção bipolar (PNP)

(Exemplos)
β=100 +10V
+10V
VEBon=0,7V
+10V RE
RE
3,3kΩ 10kΩ
iE iE
E iE E
RB iB RB iB E
B
B B
330kΩ
C
iC VB
100kΩ
C C
iC
VB iC
5V
6V RC
RC RC
5kΩ 5kΩ
2,7kΩ
-10V
a) b) c)
Análise de circuitos dc com o transistor

de junção bipolar (npn) - (Exemplo)
1. Malha de entrada 3. Malha de saída

− V BB + R B .I B + V BEon = 0 − VCC + R C .I C + VCE = 0
V BB − VBEon VCE = VCC − R C .I C
IB =
RB VCE = 10 − 5k.1m
4 − 0, 7 VCE = 5V RC
IB = = 10 µ A
330 k 5kΩ
IC
C
RB IB VBB
2. Equações do BJT IC
+10V
I C = β.I B B
330kΩ
I C = 100 .10µA = 1mA VBB E
I E = I C + I B = (β + 1).I B 4V IB IE
I E = 101 .10µA = 1,01mA
I E ≅ 1mA
Exemplos de polarização dc de circuitos com BJT’s
VCC
RB RC V CC RC IC V CC
RB
iB C iC C
B IB B
V CE
E iE E
V BE E
Malha Base-Emissor Malha Colector-Emissor

− VCC + I B R B + VBE = 0
− VCC + I C R C + VCE = 0
V − VCE I C = β.I B
I B = CC VCE = VCC − I C R C
RB
Exemplos de polarização dc de circuitos com BJT’s

(polarização por divisor de tensão)
V CC
V CC
R B1 RC RC
iB C iC C
R TH B
B R TH = R B1 // R B2
V TH
E iE IB E
R B2 V BE
R B2
VTH = .VCC
R B1 + R B2
Polarização por divisor de tensão

(equivalente de Thévenin da malha Base-Emissor)
RB1 RTH
VCC
VTH
RB2
R B2
VTH = .VCC ∧ R TH = R B1 / / R B2
R B1 + R B2
Electrónica I - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores Luís Veríssimo, Abril de 2002
Polarização por divisor de tensão

e resistência no Emissor
A introdução de uma
VCC
resistência no emissor
traduz-se em circuitos com
RC
RB1 RC IC boa estabilidade do seu
C
ponto de funcionamento
R TH V CC
V BE
em repouso (PFR) e faz
B V TH com que a corrente IC seja
E IB V BE praticamente independente
RB2 do valor de b e a corrente
RE
RE
IB praticamente
independente de RB.
− VTH + R TH I B + VBEon + R E IE = 0 − VCC + R CI C + VCE + R E I E = 0

IC = β.IB
− VTH + R TH I B + VBEon + (β + 1)R E I B = 0 VCE = VCC − R C I C − R E IE
IE = ( β + 1).IB
VTH − VBEon VCE ≅ VCC − (R C + R E ).IC
IB =
R TH + (β + 1)R E
Polarização com resistência de rectroacção

colector-base e resistência no emissor
VCC
RC RC
RC
RB RB
VCC VCC
RB
VCE
VBE
RE
RE RE
− VCC + R C ( I C + I B ) + R B I B + VBE + R E I E = 0 − VCC + R C ( I C + I B ) + VCE + R E I E = 0

− VCC + (β + 1) R C I B ) + R B I B + VBE + (β + 1) R E I B = 0 I C = β.I B − VCC + R C I E + VCE + R E I E = 0
VCC − VBE VCE = VCC − ( R C + R E ) I E
IB =
R B + (β + 1) R C + (β + 1) R E
Polarização com duas fontes de tensão
V CC
RC RC
V CC
RB
IB RE
RB
RE V EE
RE V EE
-V EE
R B I B + VBEon + (β + 1) R E I B − VEE = 0 I C = β.I B − VCC + R C I C + VCE + R E I E − VEE = 0

VEE − VBEon VCE = VCC + VEE − R C IC − R E I E
IB =
R B + (β + 1) R E
Polarização com fonte de corrente
V CC
RC
RC
V CB V CC
RB
RB
I
-V EE IE = I
− VCC + R C IC + VCB + R B IB = 0
I C = α.IE ≅ IE
VCE = VCB + VBE
IE
IB = VCE = VCC − R C IC − R B IB + VBE
β +1
Hipótese: ZAD Verificação da zona de funcionamento

IB>0; IC =β .IB;
VBE=VBEon=0,7V; de um circuito com BJT’s
VCE>VCEsat
Calcular IB • Parte-se da hipótese que o BJT está na ZAD;

(malha base-
emissor) • Calcula-se IB a partir da malha de entrada, ou
base-emissor;
Não • Se o valor obtido para IB for nulo ou negativo
IB>0 conclui-se que o BJT está na ZC - Zona de Corte;
Sim
IB=0; IC=0 e IE=0; o VBE é inferior a 0,7V.
Zona de Corte • Se o valor de IB for positivo calculamos IC=βIB e
Calcular V CE IB=0; IC =0; IE=0
(malha colector- VBE<0,7V calculamos VCE a partir da malha colector-
emissor) PFR(V CE, 0)
emissor.
• Se o valor obtido para VCE for inferior ou igual a
Não
VCE>VCEsat VCEsat, concluímos que o BJT está na ZS- Zona
de saturação. VCE=VCEsat e há que calcular ICsat
Sim da malha de saída (IC≠βIB).
• Se o valor de VCE for superior a VCEsat, então o
Zona Activa Directa Zona de Saturação
VCE=VCEsat =0,2V BJT encontra-se mesmo na ZAD e VCEQ e ICQ são
PFR(V CEQ,ICQ) PFR(V CEsat ,ICsat ) os obtidos nos cálculos anteriores.
Funcionamento do BJT no corte e saturação 5V
iC RC
Zona de Corte : Vi < 0,7V 0 < Vi < 5V 4k Ω
V − VBEon
IB = i < 0 ⇔ Vi − 0,7 < 0 RB = 100k Ω
Vo
RB
IB = 0 ∧ IC = 0 Vi
iB
Zona de Saturação : Vi > 1,9 V
VCC − VCEsat 5 − 0,2 Vo(V)

ICsat = = = 1,2 mA Corte
RC 4k 5
I Csat 1,2mA
I Csat < β.I Bsat ⇒ I Bsat > = = 12µA
β 100
Vi − VBEon V − 0,7
Zona a
I Bsat = = i > 12µ A
vca
it
RB 100 k
Vi > 100k.12µ + 0,7 = 1,9 V
Saturação
Zona Activa Directa : 0,7 < Vi < 1,9V 0,2

0,7 1,9 5 Vi(V)
Funcionamento do BJT no corte e saturação
V − VBEon 6 − 0,7 +10V

I B = BB = = 16µA
(β + 1)R E 101x3,3k
I C = 100.16µA = 1,6mA 4,7k Ω
VCE = VCC − R C I C − R E I E +6V
VCE = 10 − 4,7k.1,6m − 3,3.1, 6m
VCE = −2,8V < VCEsat = 0, 2V ⇒ ZS
VCC − VCEsat − VRE 10 − 0, 2 − 5,3
I Csat = = = 0,96mA
RC 4, 7k
I Bsat = I Esat − ICsat = 1, 6m − 0,96m = 0,64mA 3,3k Ω
O BJT como amplificador IC

• Condições DC RC
As condições de polarização DC obtêm-se VCC
IB
considerando vbe=0
I C = I S exp( vBE / VT ) VBE
VCE
IB = IC / β IE
IE = IC / α
VCE = VCC − RC I C
Condições DC; vbe=0
• Sobreposição de um sinal AC à tensão DC
Se for aplicada uma tensão AC de valor vbe, a tensão vBE, valor total
iC
instantâneo, é:
RC
vBE = VBE + vbe V CC
iB
Da mesma forma tem-se para a corrente iC: v be
vBE V CE
V BE
iC = I S exp( vBE / VT ) = I S exp[( VBE + vbe ) / VT ] = iE
I S exp( VBE / VT ).exp( vbe / VT ) = I C exp( vbe / VT )

Condições AC; vbe≠0
O BJT como amplificador
Utilizando a aproximação ex ≅ 1 + x se x << 1 iC I C 1 I C

iB = = + vbe
vbe v β β β VT
Se vbe << VT tem − se exp( ) ≅ 1 + be 1I g
VT VT ib = C vbe = m vbe
IC β VT β
iC = I C ( 1 + vbe / VT ) = IC + vbe = IC + g m vbe
VT
I vbe β
como iC = I C + ic tem − se ic = C .vbe rπ = =
VT ib gm
ic I 1 IC g
Define − se gm = = C ib = vbe = m vbe
vbe VT β VT β
VT
ou rπ =
gm é designado por transcondutância IB
O BJT como amplificador

iC
iC
IC PFR Operação de um transistor

t em sinais fracos: um sinal
fraco vbe com a forma
sinusoidal sobrepõe-se à
tensão VBE, o que dá origem
a uma corrente no colector
VBE vBE em AC, ic, também de forma
sinusoidal que se sobrepõe à
corrente DC, IC; ic=gm.vbe.
vbe
t
O BJT como amplificador – modelos para sinais pequenos

• O modelo π-híbrido
ib ic ib ic
B C B C
vbe rπ g mvbe vbe rπ β.i b
ie ie
a) E b) E
IC v be VT
ic = g mvbe com gm = ou ic = β.i b e ib = com rπ =
VT rπ IB
As figuras a) e b) representam duas versões ligeiramente diferentes do modelo π-híbrido

simplificado do transistor de junção bipolar operando com sinais pequenos:
• Em a) o BJT é representado por uma fonte de corrente controlada por tensão
[amplificador de transcondutância]
• Em b) o BJT é representado por uma fonte de corrente controlada por corrente
[amplificador de corrente]

C ic C ic
• O modelo em T
IC
ic = g mvbe com gm = g mvbe α.ie
VT ib ib
ou B B
vbe ie
ic = α .ie e ie = vbe re vbe re
re
VT
com re =
IE ie
a) E b) E
As figuras a) e b) representam duas versões ligeiramente diferentes do modelo em T

simplificado do transistor de junção bipolar operando com sinais pequenos:
• Em a) o BJT é representado por uma fonte de corrente controlada por tensão
[amplificador de transcondutância]
• Em b) o BJT é representado por uma fonte de corrente controlada por corrente
[amplificador de corrente]
• Estes modelos explicitam a resistência de emissor re em vez da resistência de base rπ
tal como aparecia nos modelos π-híbrido

i B=..
• Modelo π-híbrido incluindo o efeito de Early iC .
i B=..
.
i B=..
ib ic .
B i B=..
C iB.=..
.
vbe v
C
rπ ro -
gmvbe VA E
ie
E Fazendo incluir o efeito de Early nos modelos
π-híbrido, ele traduz-se pela inclusão de uma
resistência ro, de valor aproximado VA/IC, entre
ib ic o colector e o emissor.
B C
vbe rπ β.ib ro
VA
ro ≅
ie IC
E
O BJT como amplificador – Parâmetros dos modelos para sinais pequenos
• Em termos das condições DC

IC VT βVT VT VA
gm = rπ = = re = ro =
VT IB IC IE IC
• Em termos do parâmetro gm
α 1 β
re = ≅ rπ =
gm gm gm
• Em termos do parâmetro re
α 1 1 1
gm = ≅ rπ = ( β + 1 )re gm + =
re re rπ re
• Relação entre os parâmetros α e β
α β 1
β= α= β+1=
1−α β+1 1− α
O BJT como amplificador – ganho de tensão

iC
A tensão total instantânea no colector do RC
transistor, vCE, é:
iB VCC
vCE = VCC − iC RC = VCC − ( I C + ic )RC =
vbe
= ( VCC − I C RC ) − ic RC = vBE VCE
= VCE + vce VBE
iE
Donde se conclui vce = −ic RC
vbe
Como ic = β ib e ib = tem − se :
Como ic = g mvbe tem − se : rπ
vce = − g m RC vbe − β.RC
vce = −β.RC ib = vbe
vce rπ
ou = − g m RC
vbe vce β.RC
ou =−
vbe rπ
β.RC
Ganho de tensão Av = − g m RC Ganho de tensão Av = −
rπ
O BJT como amplificador – análise de circuitos em ac
• Determinar o ponto de funcionamento em repouso do transistor e, em particular, o valor da

corrente de colector, IC. Esta análise é feita considerando apenas as fontes de tensão e
corrente dc e substituindo os condensadores por circuitos em aberto.
• Calcular o valor dos parâmetros necessários para os modelos incrementais, para pequenos
sinais:
IC VT VT
gm = , rπ = , re = , etc.
VT IB IE
• Representar o esquema incremental equivalente do circuito amplificador, substituindo as

fontes de tensão dc independentes por curto-circuitos e as fontes de corrente dc
independentes por circuitos em aberto.
• Substituir cada um dos condensadores de bloqueamento e contorno por um curto-circuito.
• Substituir o transistor por um dos modelos equivalentes para pequenos sinais. Utilizar-se-á
o modelo que se entenda por mais conveniente para a análise da configuração em questão.
• Analisar o circuito resultante de acordo com as leis e regras da teoria dos circuitos, por
forma a obter o ganho de tensão, o ganho de corrente, a resitência de entrada, etc..
O BJT como amplificador – exemplo VCC=+12V
Pretende-se determinar o ganho de tensão do RC=5kΩ

amplificador representado na figura; β=100.
RB
• Determinemos em primeiro lugar o ponto de
funcionamento em repouso, fazendo vi=0. vi vo
100kΩ
VBB − VBEon 3 − 0,7 VBB

IB = = = 0,023mA
RB 100k 3V
IC = β.IB = 100.0,023m = 2,3mA
VCE = VCC − R C I C = 15 − 5k.2,3m = 3,5V
Transistor na ZAD : PFR(3,5V;2,3mA) VCC=+12V
• Calculemos agora os parâmetros para os RC= 5kΩ

modelos para sinais pequenos
RB
VT 25m
rπ = = = 1087Ω
I B 0,023m 100kΩ
VBB 0,7V
V 25m
re = T = = 10,8Ω 3V
IE 2,32m
I 2,3m
gm = C = = 92mA / V
VT 25m
O BJT como amplificador – exemplo (cont.)

VCC=+15V
• Utilizemos o modelo π-híbrido do transistor, utilizando o
parâmetro β, mas sem ro, e substituamos o circuito pelo seu R C=5kΩ
equivalente incremental.
RB
vi vo
Da análise do circuito temos: 100kΩ
VBB
vo = − RCic = − RCβ.ib
3V
vi vi
ib = ⇒ vo = −β.RC
rπ + RB rπ + RB
v β.RC ib ic
Av = o = − RB B C
vi rπ + RB
100 x5 k vi vbe rπ
Av = − = −4 ,95 β.i b
1,087 k + 100k RC vo
ie
E
O sinal (–) no ganho de tensão representa a
inversão de fase do sinal na saída em relação
ao sinal na entrada
Circuito equivalente incremental
O BJT como amplificador – configurações base
Consideram-se três configurações base para circuitos amplificadores com o

transistor de junção bipolar:
§ Configuração em emissor comum
§ Emissor à massa em AC
§ Sinal de entrada entre a base e o emissor
§ Sinal de saída entre o colector e o emisor (massa)
§ Configuração em colector comum
• Colecotr à massa em AC
• Sinal de entrada entre a base e o emissor
• Sinal de saída entre o emissor e a massa
§ Configuração em base comum
• Base à massa em AC
• Sinal de entrada entre o emissor e a base
• Sinal de saída entre o colector e a base (massa)
Amplificador em Emissor-Comum V CC
RC
Ci, Co – condensadores de acoplamento (bloqueiam R B1 Co
as componentes contínuas na entrada e na saída) RS Ci
CE – condensador de contorno (bypass) RL vo

vs
R B2 CE
A capacidade dos condensadores de acoplamento e RE
de contorno é suficientemente elevada para que a
sua reactância se possa considerar como um curto-
circuito perante as restantes impedâncias do circuito a) Configuração típica do amplificador monoestágio
em Emissor – Comum com componentes discretos
para as frequências de interesse.
O circuito equivalente para pequenos RS ib ic

B C
sinais obtém-se substituindo o BJT pelo
seu modelo equivalente π-híbrido, vs vbe rπ g mvbe
eliminando as fontes de tensão DC e RB RC RL vo
curtocircuitando os condensadores Ci, Rin Ro
ie
E
Co e CE.
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do

amplificador em Emissor – Comum do circuito a)
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)

RS ib ic
B C
• Ganho de tensão (com gm)
vs vbe rπ gmvbe
vo = −g mvbe RC // RL RB RC RL vo
rπ // RB Ri n Ro
vbe = vS ie
E
rπ // RB + RS
v r // RB a) Circuito equivalente incremental – modelo π-híbrido
Av = o = −g m RC // RL . π
vs rπ // RB + RS com gm, desprezando ro face a R C e R L
RS ib ic
B C
• Ganho de tensão (com β)
vs vbe rπ β.ib
vo = −β ib RC // RL RB RC RL vo
1 r // RB Ri n Ro
ib = . π ie
v E
rπ rπ // RB + RS S
v β.RC // RL r // RB
Av = o = − . π b) Circuito equivalente incremental – modelo π-híbrido
vs rπ rπ // RB + RS com β, desprezando ro face a R C e R L
• Resistência de entrada • Resistência de saída

Ri = rπ // RB = rπ // RB 1 // RB 2 Ro = RC ou Ro = ro // RC
Amplificador em Emissor-Comum (cont.)

Rth ib ic
• Ganho de tensão quando se substitui a B C
malha constituída por vs, RS e R B pelo seu

vth vbe rπ β.ib
equivalente de Thévenin
RC//RL vo
RB ie
E
Rth = RB // RS ∧ vth = .v
RB + RS s
vth
vo = −β ib RC // RL ∧ ib = a) Circuito equivalente para pequenos sinais substituindo a malha
rπ + Rth constituida por vs , R S e R B pelo seu equivalente de Thévenin
v β.R // RL RB
Av = o = − C .
vs rπ + Rth RB + RS Rth ib ic
B C
v th vbe rπ
• Ganho de tensão quando se ro
β.ib RC//RL vo
considera o efeito de Early (ro)
ie
E
vth
vo = −β ib ( ro // RC // RL ) ∧ ib =
rπ + Rth
vo β.( ro // RC // RL ) RB a) Circuito equivalente para pequenos sinais quando se
Av = =− . considera o modelo π-híbrido com o parâmetro ro .
vs rπ + Rth RB + RS
Amplificador em colector comum (ou seguidor de emissor)

VCC
• Ganho de tensão
R B1
vo = ie ( RE // RL ) = ( β + 1 )ib ( RE // R L )
RS Ci
vb
ib = Co
rπ + ( β + 1 )( RE // R L ) vs
R B2
RE
RL vo
vo ( β + 1 ).( RE // RL )
Av = =
vs rπ + ( β + 1 )( RE // RL )
a) Configuração típica do amplificador em Colector–Comum
ou Seguidor de Emissor com componentes discretos
Se rπ << ( β + 1 )( RE // RL )
v RS B rπ ib ie E
então Av = o ≅ 1
vs
vs vbe ic
E daqui o nome de seguidor de emissor vb
RB RE RL vo
β.ib
• Resistência de entrada C
Ri = rπ + ( β + 1 )( RE // RL ) b) Circuito equivalente para pequenos sinais do

amplificador em Colector–Comum do circuito a)
Amplificador em Emissor-Comum degenerado VC C
RC
RB 1 Co
• Ganho de tensão RS Ci
RL vo
vs
vth
vo = −βib RC // RL ∧ ib = RE 1
Rth + rπ + ( β + 1 )RE 1 RB2
vth CE
vo = −β.RC // RL . RE2
Rth + rπ + ( β + 1 )RE 1
vo β.RC // RL RB a) Amplificador em Emissor–Comum degenerado

Av = =− .
vs Rth + rπ + ( β + 1 )RE 1 R B + RS Rth ib ic
B C
vth vbe rπ β.ib

• Resistência de entrada RC//R L vo
ie E
Ri = ( rπ + ( β + 1 ) RE 1 ) // RB
RE1
b) Circuito equivalente para pequenos sinais do amplificador em

Emissor–Comum degenerado do circuito a)

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Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

O transistor de junção bipolar (BJT)

buracos, envolvidos nos fluxos de corrente

base/emissor e junção base/colector

• Terminais – Base, Emissor e Colector

Fluxos de corrente num

transistor npn operando na ZAD E C

• A junção Emissor/Base é directamente iE iC

Fluxos de corrente num Injecção de electrões

• O transistor é construído de tal forma que iE iC

Fluxos de corrente num

• O transistor PNP opera de forma semelhante iE iC

• A tensão VEB polariza directamente a junção

Transistor de junção bipolar (BJT)

Transistor de junção bipolar (BJT)

Transistor de junção bipolar (NPN)

• Zona Activa Directa (ZAD) • Zona de Saturação (ZS)

Transistor de junção bipolar (NPN)

Modelos para sinais fortes

a) Fonte de corrente controlada por b) Fonte de corrente controlada por

vBE vBE vBE

c) Fonte de corrente controlada por d) Fonte de corrente controlada por

Transistor de junção bipolar (PNP)

a) Fonte de corrente controlada por b) Fonte de corrente controlada por

c) Fonte de corrente controlada por d) Fonte de corrente controlada por

Curvas características do BJT (npn)

Curvas características do BJT (npn)

Análise de circuitos dc com o BJT (npn)

VCC − VCE 1 VCC

para VCE = 0 ==> I C =

Transistor de junção bipolar (NPN)

Transistor de junção bipolar (PNP)

Análise de circuitos dc com o transistor

1. Malha de entrada 3. Malha de saída

Exemplos de polarização dc de circuitos com BJT’s

Malha Base-Emissor Malha Colector-Emissor

Exemplos de polarização dc de circuitos com BJT’s

Polarização por divisor de tensão

Polarização por divisor de tensão

− VTH + R TH I B + VBEon + R E IE = 0 − VCC + R CI C + VCE + R E I E = 0

Polarização com resistência de rectroacção

− VCC + R C ( I C + I B ) + R B I B + VBE + R E I E = 0 − VCC + R C ( I C + I B ) + VCE + R E I E = 0

Polarização com duas fontes de tensão

R B I B + VBEon + (β + 1) R E I B − VEE = 0 I C = β.I B − VCC + R C I C + VCE + R E I E − VEE = 0

Polarização com fonte de corrente

Hipótese: ZAD Verificação da zona de funcionamento

Calcular IB • Parte-se da hipótese que o BJT está na ZAD;

Funcionamento do BJT no corte e saturação 5V

Zona de Saturação : Vi > 1,9 V

VCC − VCEsat 5 − 0,2 Vo(V)

Zona Activa Directa : 0,7 < Vi < 1,9V 0,2

Funcionamento do BJT no corte e saturação

V − VBEon 6 − 0,7 +10V

O BJT como amplificador IC

I S exp( VBE / VT ).exp( vbe / VT ) = I C exp( vbe / VT )

O BJT como amplificador

Utilizando a aproximação ex ≅ 1 + x se x << 1 iC I C 1 I C

O BJT como amplificador

IC PFR Operação de um transistor

O BJT como amplificador – modelos para sinais pequenos

vbe rπ g mvbe vbe rπ β.i b

As figuras a) e b) representam duas versões ligeiramente diferentes do modelo π-híbrido

O BJT como amplificador – modelos para sinais pequenos