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E=0 E0
+ -
-- +
P
d
Momento dipolar e polarização
p = qd
Momento
M t de
d dipolo
di l p é sempre calculado
l l d
g iguais.
entre cargas g
No cálculo do módulo do dipolo entram os
valores da carga q e da distância entre as cargas
d.
Exercício 1
Calcule
C l l a magnitude
i d
máxima da polarização
espontânea do titanato de
bário, assumindo-se que a
célula unitária no estado
ferroelétrico é
correspondente à
g
desenhada na figura
(Dado: carga elementar do
elétron,
1 6 10-19
qe = 1,6 19 C).
C)
Capacitores
V
C = Q/V
C é a capacitância, medida em
C.V-1 = Farad (F), V é a
voltagem aplicada no capacitor,
Q = carga
q- q+ Veremos a capacitância
V iâ i C
depende da geometria e da
natureza
t do
d material.
t i l
Capacitores de placas paralelas
C = ε0 A/d
C é a capacitância, medida em
C.V-1 = Farad (F), A é a área das
placas, d = distância entre as
placas, 0 é definida como a
permissividade do vácuo e
q- q+ vale 8 85 10-12
l 8,8510 12 F/m
F/
Capacitores de placas paralelas
C = ε A/d
C é a capacitância, medida em
C.V-1 = Farad (F), A é a área das
placas, d = distância entre as
placas, 0 é definida como a
permissividade do vácuo e
q- q+ vale 8 85 10-12
l 8,8510 12 C.V
C V-11.m-11
ε = εo εr onde εr = permissividade
relativa ou constante dielétrica
Capacitores
D = . E = 0 . E + P
D0 = 0 . E D0 = quantidade
tid d ded carga por unidade
id d de
d área
á
D0 = quantidade de carga por (C/m2)
unidade de área (C/m2) E = intensidade do campo ou diferença de
E = intensidade do campo ou
o voltagem
diferença de voltagem P = aumento na densidade de carga acima
daquela para o vácuo
Capacitância e dielétricos
r 0 A
C
d
Em resumo, a capacitância de um capacitor é diretamente
proporcional à constante dielétrica do isolante r e da área das
placas
l A e inversamente
i t proporcional
i l à distância
di tâ i ded separação
ã das
d
placas (d = espessura do dielétrico).
r 0 A
C
d
O valor de εr é uma característica de cada material.
O engenheiro controla a capacitância por meio do
controle de εr e da geometria (A e d) do dielétrico.
Valores típicos de r
Material a 60 Hz a 106 Hz
Vidro sódico 7 7
Alumina 6-9 5
TiO2 - 20 - 50
Ba(TiO3) - 12 - 5000
Nylon 6/6 (PA) 4 3,5
PE 2,3 2,3
PVC (Tg 0oC) 7 34
3,4
Mecanismos
M i de
d polarização:
l i ã
o que controla εr
Dependência
D dê i ded r com a
freqüência
A constante
dielétrica depende
da facilidade com
que os dipolos
di l se
orientam quando o
campo é aplicado
li d
escala de tempo
dos processos
dependência com a
freqüência ().
)
Dielétricos poliméricos
Em
E polímeros
lí a permissividade
i i id d relativa
l ti
p
dependerá da mobilidade da cadeia ((Tg)
Fonte: Adaptado de
http://www.allaboutcircuits.com/vol_1/chpt_12/8.html
(acesso em 13/04/2006)
Ruptura do dielétrico
Exercício 2
Calcule
C l l a máxima
á i dif
diferença d potencial
de i l que pode
d ser
aplicada a uma camada de óxido de tântalo de 200 nm de
espessura sem que ocorra a ruptura do dielétrico,
considerando a rigidez dielétrica deste material como 108
V/m.
Materiais ferroelétricos
Piroeletricidade
Pi l t i id d designa
d i o fenômeno
f ô
observado em certos materiais no qqual uma
diferença de potencial elétrico é produzida
quando o material é aquecido ou resfriado.
resfriado
Piezoeletricidade
Pi l t i id d e
piroeletricidade
O surgimento de piezoeletricidade,
piroeletricidade e ferroeletricidade estão
intimamente relacionadas com a estrutura
cristalina do material.
Todo o material ferroelétrico também é
piezoelétrico mas a recíproca não é
piezoelétrico,
verdadeira.
Aplicações – Materiais Piezoelétricos
Ferroeletricidade:
http://en.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_effect (acesso em 17/4/2006)
http://www.sou.edu/physics/ferro/nsf_wht.htm (acesso em 17/4/2006)
Piezoeletricidade: http://en.wikipedia.org/wiki/Piezoelectricity (acesso em 17/4/2006)
Piroeletricidade: http://en.wikipedia.org/wiki/Pyroelectricity (acesso em 17/4/2006)
Materiais especiais:
PZT: http://en.wikipedia.org/wiki/Lead_zirconate_titanate (acesso em 17/4/2006)
PVDF http://en.wikipedia.org/wiki/PVDF
PVDF: htt // iki di / iki/PVDF (acesso
( em 17/4/2006)
I
Exercício 1 II
“ Plano I ”
III
No plano superior
s perior [I] , temos 4 átomos de bário em cada vértice,
értice cada um
m com valência
alência 2+ . No
entanto, cada Ba2+ é compartilhado com 8 células unitárias. Então, nesse plano temos:
(4x2) x 1/8 = 1 carga positiva
No plano 9 pm abaixo do plano superior [I], temos 1 íon O2-, que é compartilhado com uma
célula vizinha. Então, nesse plano temos:
2 x ½ = 1 carga negativa { dipolo implica em cargas iguais! }
p BaO 1 qe d Ba O 1 1,6 10 19 0.009 10 9 1,44 10 30 C .m
Exercício 1
“ Plano I ”
II
I
“ Plano II ” II
III
6pm abaixo
abai o do plano central [II] , temos 4 átomos de oxigênio,
o igênio cada um m com valência
alência 2-
2 . No
entanto, cada O2- é compartilhado com duas células unitárias. Então, nesse plano temos:
(4x2) x ½ = 4 cargas negativas
No plano 6 pm acima do plano central [II], temos 1 íon Ti4+, que está inteiro dentro da cela
unitária. Então, nesse plano temos:
1 x 4 = 4 cargas positivas { dipolo implica em cargas iguais! }
pTiO 2 1 qe dTi O 4 1,6 10 19 0.012 10 9 7,68 10 30 C.m
I
“ Plano III ” II
III
p BaO 1 qe d Ba O 1 1,6 10 19 0.009 10 9 1,44 10 30 C .m
I
Somatória dos três II
planos
p
III
1 7,68 10 30
2,88 10 30 1,05 10 29
P p P 0,164 C .m 2
0.398 10 9 2
6,39 10 29
i
9
Vc.u . 0.403 10
Exercício 2
Calcule
C l l a máxima
á i diferença
dif de
d potencial
i l que pode
d ser aplicada
li d a uma camada d de
d óxido
ó id de
d
tântalo de 200 nm de espessura sem que ocorra a ruptura do dielétrico, considerando a rigidez
dielétrica deste material como 108 V/m.
V lt
Voltagem = [108 V/m]
V/ ] x [200x10-99 m]]
Voltagem
g = 20 V
Gap de energia
Gap de energia Ef Gap de energia
Estados vazios
Banda Banda de Banda de
Ef preenchida valência valência
Estados
preenchidos preenchida preenchida
Condutores e isolantes
(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, … 3d10 4s1) nos quais se
encontram disponíveis, na mesma banda de energia, estados eletrônicos não preenchidos
acima e adjacentes a estados eletrônicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnésio (Z = 12, 12 1s2 2s2 2p6 3s2) nos
quais ocorre a superposição das bandas de energia mais externas, a preenchida e a não-
preenchida.
(c) Bandas de energia típicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALÊNCIA (banda de energia
preenchida) é separada da BANDA DE CONDUÇÃO ( banda de energia não-preenchida)
por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de
g
largura relativamente ggrande (>2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia é semelhante
à dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).