FAMÍLIAS DE CIRCUITOS LÓGICOS

Famílias lógicas consistem de um conjunto de circuitos

integrados implementados para cobrir um determinado grupo de
funções lógicas que possuem características de fabricação e elétricas
similares.
O desenvolvimento das famílias lógicas é uma conseqüência
da evolução das técnicas de fabricação e necessidades de aplicação
(velocidade, potência, etc.).

CLASSIFICAÇÃO PELO ELEMENTO CHAVEADOR:

• Transistor Bipolar
• Transistor MOS

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Transistor Bipolar:

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Transistor MOS:

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SUB FAMÍLIAS:

• BIPOLAR:
-DTL (Diode Transistor Logic, Lógica de Diodos e Transistores);
-DCTL (Direct Coupled Transistor Logic, Lógica de Transistores
diretamente acoplados);
-RTL (Resistor Transistor Logic, Lógica de Transistores e
Resistores);
-RCTL (Resistor Capacitor Transistor Logic, RTL com
Capacitores);
-HTL (High Threshold Logic, Lógica de alto Limiar);
-TTL (Transistor Transistor Logic, Lógica Transistor-transistor);
-ECL (Emitter Coupled Logic, Lógica de Emissores Acoplados);.

• MOS (Metal Oxide Semiconductor Logic, Lógica de MOSFETs):

-pMOS (MOSFET canal P);
-nMOS (MOSFET canal N);
-CMOS (Complementary MOS Logic, Lógica MOS
complementar)

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SUB FAMÍLIAS:

• BICMOS:

-É uma terceira tecnologia que ganha campo hoje em dia

mesclando os dois elementos chaveadores em um mesmo
componente.

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Volume x Tempo x Custo:

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PARÂMETROS ELÉTRICOS E NÍVEIS LÓGICOS:

• IIH: corrente de entrada para nível alto;

• IIL: corrente de entrada para nível baixo;
• ioh: corrente de saída para nível alto;
• IOL: corrente de saída para nível baixo;
• VIH: tensão de entrada para nível alto;
• VIL: tensão de entrada para nível baixo;
• VOH: tensão de saída para nível alto;
• VOL: tensão de saída para nível baixo;
• TPD: tempo de propagação de uma transição da SAÍDA EM
relação a entrada (TPHL, TPLH).

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PARÂMETROS ELÉTRICOS E NÍVEIS LÓGICOS:

CONDIÇÕES DE COMPATIBILIDADE:
VOH ≥ VIH; VOL ≤ VIL; IOH ≥ N.IIH; IOL ≥ N.IIL;

Tecnologias-Demantova 8
IMUNIDADE À RUÍDO: Representa o maior grau de ruído que pode
ser adicionado ao sinal lógico presente em uma interconexão de portas
lógicas, sem que acarrete que um nível lógico fornecido na saída seja
interpretado erroneamente na entrada em que está conectada.

PARA A DETERMINAÇÃO DA IMUNIDADE AO RUÍDO, DEVE-SE

CONSIDERAR O PIOR CASO, OU SEJA, O MENOR VALOR ENTRE
(VOHMÍN - VIH MÍN ) E (VIL MÁX - VOLMÁX).

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CORRENTES DE ENTRADA E SAÍDA: DETERMINA COM CERTEZA
A MÁXIMA CARGA QUE CADA PORTA PODE SUPORTAR
RESPEITANDO SUAS CARACTERÍSTICAS DE IMUNIDADE A
RUÍDO. SINAIS NEGATIVOS SIGNIFICAM CORRENTES SAINDO DA
PORTA LÓGICA.

FAN OUT:
CORRESPONDE AO
NÚMERO DE ENTRADAS PADRÃO
QUE UMA SAÍDA CONSEGUE
& EXCITAR COM GARANTIA. É UM
NÚMERO ADIMENSIONAL.
& &
ex. TTL Standard

&

Tecnologias-Demantova 10
TEMPO DE PROPAGAÇÃO:

tPLH – Tempo de atraso do estado lógico “0” para o “1”.

tPHL – Tempo de atraso do estado lógico “1” para o “0”.

PRINCIPAIS CAUSAS:
• ATRASOS DE COMUTAÇÃO INTERNA
• CAPACITÂNCIAS INTERNAS E PARASITAS
• TEMPO DE RECOMBINAÇÃO DE PORTADORES

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FREQÜÊNCIA MÁXIMA DE OPERAÇÃO:

É a máxima freqüência de um sinal aplicado a entrada de uma

porta lógica sendo que esta ainda consegue comutar de maneira
correta a sua saída:

1
fmax 
TPHL  TPLH 

Tecnologias-Demantova 12
TEMPERATURAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS:

Faixa Militar -55 a +125 °C

Operação Faixa Meio-Militar 0 a +100 °C

ao ar livre Faixa Profissional 0 a +75 °C
Faixa Industrial 15 a +55 °C
Temperatura de armazenamento -65 a +150 °C

Tecnologias-Demantova 13
TEMPERATURAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS:

Faixa Militar -55 a +125 °C

Operação Faixa Meio-Militar 0 a +100 °C

ao ar livre Faixa Profissional 0 a +75 °C
Faixa Industrial 15 a +55 °C
Temperatura de armazenamento -65 a +150 °C

Normalmente o fabricante especifica a potência máxima de

dissipação a uma dada temperatura (ex:110mw a 25°c) e um fator de
decréscimo ( 1mw/°c).

Tecnologias-Demantova 14
EXIGÊNCIAS DE ALIMENTAÇÃO:

Em geral ICCH e ICCL têm valores diferentes, sendo a potência

média consumida pelo integrado calculada como:

PD Média  I CCmédia  VCC

Tecnologias-Demantova 15
TIPOS DE ENCAPSULAMENTOS:

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 A EVOLUÇÃO DAS FAMÍLIAS LÓGICAS:

LÓGICA COM DIODOS (DIODE LOGIC):

Tecnologias-Demantova 17
FAMÍLIA RTL (RESISTOR TRANSISTOR LOGIC):

Vcc

R1
Z
A

B
R2

-É de simples confecção e muito utilizada em componentes discretos.

-É a primeira família considerada de tecnologia saturada.
-Apresenta como limitações:
baixa freqüência de corte devido aos resistores (5MHz).
resistência de carga => „1‟ ideal é baixa.
=> „0‟ ideal é alta.
-Resistência de entrada reduzem o fan-out para 5.
-Uma derivação desta família é a RCTL

Tecnologias-Demantova 18
FAMÍLIA DTL (DIODE TRANSISTOR LOGIC):
Vcc Vcc

R R
D1
Vx
D3
Z
&
A T1
Vd3 Vbe
B
D2

-É uma extensão da lógica com diodos.

- Aumento da velocidade (baixa resistência em polarização direta).
-Aumento de fan-out (alta resistência em polarização inversa).
-Entrada em zero => diodo conduzindo => transistor cortado
(Vx=VD1=VD2<(VD3+VBE).
- Quando a=b=1, transistor saturado (saída igual a zero).
- Pincipais características: bloco lógico básico ne, tempo de atraso da
ordem de 30ns, fan-out  8, potência/bloco  10mW, imunidade ao
ruído da ordem de 1,4V.

Tecnologias-Demantova 19
FAMÍLIA HTL (HIGH THRESHOLD LOGIC):

- Apresenta maior imunidade ao ruído. qualquer ruído precisa ter

energia suficiente para polarizar o diodo zener e a junção base-
emissor do transistor antes de causar alteração no estado da porta.
- Fan-out típico igual a 10, consumo aproximado de 60 mW/bloco.
apresenta o maior tempo de atraso entre as famílias de tecnologia
bipolar.

Tecnologias-Demantova 20
FAMÍLIA TTL (TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIC):

- Derivada da família DTL. usa transistores multiemissores.

- Vantagens: eliminação da rede de diodos e resistores de entrada,
maior velocidade de comutação e maior facilidade de construção
em escala integrada, tornando-se menor o custo por unidade.

Tecnologias-Demantova 21
 FAMÍLIA TTL (TRANSISTOR-TRANSISTOR LOGIC):

Para a polarização de uma junção base-emissor, precisa-se de

um Vbe=0,6V, então existirá uma corrente de coletor que passará pelo(s)
emissor(es) polarizado(s) e que irá drenar corrente da base do transistor
de saída, cortando-o e fazendo a saída ficar em nível lógico um.
Quando as duas junções base-emissor não estiverem
polarizadas, existirá uma corrente de fuga ICBO (corrente base-coletor com
emissor em aberto), que será suficiente para polarizar o transistor da
saída, levando a mesma para o nível zero.

Entrada em aberto: Quando deixamos uma entrada em aberto, teremos

a respectiva junção base-emissor não polarizada. Isto tem o mesmo efeito
de se colocar o nível lógico um na entrada. Na prática, onde problemas
de acoplamento de ruído de HF são bem conhecidos, sempre devemos
garantir o nível um ligando-o fisicamente a Vcc, i.e., não devemos confiar
no expediente de deixar entradas em aberto, geralmente aparecerão
problemas.

Tecnologias-Demantova 22
ESPECIFICAÇÕES DA FAMÍLIA TTL

SÉRIES 74/54 SIMBOLOGIA:

ZZ 74 AC XXX NT

- ZZ é geralmente o código do fabricante (ex. SN da Texas Inst.).

- Faixa de Temperatura: 74[0..75C] e 54 [-55..125C].
- As letras que aparecem após o 74/54 especificam a subfamília:
- Os números XXX especificam a função do CI.
- NT identifica o tipo de encapsulamento. Ex: N=300mil DIP Dual in
Pine; NT é 300 mil DIP para 24/28 pinos; D=150 mil SO; DW 300
mil SO 20/24/28 pinos; DL 300 mil SSOP (Shrink Small Outline
Package) 48/56 pinos 300 mil cerâmico DIL.

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 ESPECIFICAÇÕES DA FAMÍLIA TTL

ALIMENTAÇÃO:

- A versão comercial tem tolerância de 5% na alimentação [de 4,75 a 5,25V].

NÍVEIS DE ENTRADA E SAÍDA:

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ESPECIFICAÇÕES DA FAMÍLIA TTL

SAÍDAS PADRÃO:

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ESPECIFICAÇÕES DA FAMÍLIA TTL

PORTA NE TTL PADRÃO:

- R3 caracteriza o active pull-up resistor.
- Q3 e Q4 a saída toten-pole.
- A e/ou B em nível zero, Q2 corta, levando
Q4 ao corte.
- Q3 conduz, aparecendo na saída s um,
igual a +Vcc.
- Com A e B em nível um, por R1 fluirá
uma corrente (ICBO) que irá saturar Q2 e
consequentemente Q4.
- Devido queda de tensão em D, o
transistor Q3 cortará e teremos na saída
a tensão VCESAT de Q4, ou seja, 0,2V.

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ESPECIFICAÇÕES DA FAMÍLIA TTL
COLETOR ABERTO:

Tecnologias-Demantova 27
FUNÇÃO ENABLE, TRI-STATE / ESTADO DE ALTA IMPEDÂNCIA:

Este tipo de porta apresenta 3 estados de saída: o estado zero (Q4

saturado e Q3 cortado), o estado um (Q4 cortado e Q3 saturado) e um
terceiro estado de alta impedância (Q4 e Q3 cortados), conhecido
como terceiro estado. Diz-se que esta saída é do tipo tri-state (3S ou
3z).
Se aplicarmos um nível zero (0V) na entrada E no enable
(entrada de habilitação), Q5 será cortado e o circuito funcionará
normalmente como uma porta NE. Se aplicarmos nível um (Vcc), o
transistor Q5 saturará e o potencial no ponto X cairá para um valor
baixo, levando Q3 e Q4 para a situação de corte. O terminal de saída
S, neste caso, estará praticamente desconectado do circuito e
ocasionará o estado de alta impedância.
Na prática, as aplicações das saídas tri-state são muitas,
principalmente em sistemas com micro-processadores, onde vários
circuitos integrados compartilham um mesmo conjunto de, formando o
que se denomina barramento de dados (Data Bus). Nesta situação,
enquanto um dispositivo utiliza os dados do barramento, todos os
outros dispositivos ligados ao mesmo barramento permanecem em
estado de alta impedância.

Tecnologias-Demantova 28
 FAMÍLIAS TTL (Exemplos):

Tp Pd/
Versão Identif. Obs. IOH IOL IIH IIL
/porta porta
10
Standard 54/74 10 ns padrão
mW
Low power 54L /74L 33 ns 1 mW baixo consumo -200μA 3.6mA 10μA -0.18mA
22
High speed 54H /74H 6 ns alta velocidade
mW
20
Schottky 54S / 74S 3 ns alta velocidade -1mA 20mA 50μA -2mA
mW
Low power
54LS / 74LS 10 ns 2 mW baixo consumo -400μA 8mA 20μA -0.36mA
Schottky

Advanced Motorola
54ALS/74ALS 4ns 1mW -400μA 4mA 20μA -0.2mA
Low power F(Fairchild)

Advanced Características
54AS/74AS 2ns 15mW -2mA 20mA 200μA -2mA
Schottky Construtivas

Tecnologias-Demantova 29
CIRCUITOS INTERNOS DAS DIVERSAS SUB-FAMÍLIAS TTL:

Tecnologias-Demantova 30
CIRCUITOS INTERNOS DAS DIVERSAS SUB-FAMÍLIAS TTL:

Tecnologias-Demantova 31
FAMÍLIA ECL (EMITTER-COUPLED LOGIC):

A família ECL utiliza o acoplamento direto entre emissores. Esse fato

faz com que os transistores não trabalhem na região de saturação,
possibilitando um menor tempo de resposta, ou seja, uma velocidade
de trabalho alta. Dentre as famílias lógicas aqui estudadas, possui a
maior velocidade de comutação (1,55 ns).
Tem desvantagem de um alto consumo, fabricação
complicada e baixa densidade de integração.

Tecnologias-Demantova 32
 Família MOS (Metal-Oxide Semiconductor)
São circuitos formados a partir de transistores MOSFETs. Estes
transistores de efeito de campo são construídos a partir da
tecnologia MOS (semicondutor de óxido metálico).
Canal n Canal p
D D -MOS canal n (nMOS): VGS  0V
e 0 transistor está cortado.
G
n
G
p -VGS ≈ 1,5 V começa a formação
do canal entre o dreno e a
S S fonte.

- Quanto maior o valor de VGS  maior o canal de condução

-Resistências de corte de 10 G e de saturação de 1 k.
-Transistor pMOS (canal p) funciona de maneira complementar.
-nMOS=>2 vezes mais rápido; pMOS=> maior nível de integração.
-tecnologia MOS=> maior densidade de integração (memórias e
microprocessadores); baixo custo de fabricação; menor
consumo; desvantagem: menor velocidade de operação.

Tecnologias-Demantova 33
 Portas utilizando nMOS:

O gate de Q1 => +5 V. q1 faz a função de um resistor de 100 k.

-Q2 é o transistor de comutação, condição de corte (G) ou saturação
(k).

Tecnologias-Demantova 34
Família CMOS (Complementary MOS):
-Nesta família CMOS sempre haverá um transistor pMOS trabalhando
com um outro nMOS em simetria complementar.
-Possui grande escala de integração, consumindo uma baixa potência
e tendo um grande Fan-out devido a alta impedância de entrada.

Tecnologias-Demantova 35
Características de tensão das entradas e saídas:
-Alimentação: desde 3V até 15V (série 40XX) ou de 3V até 18V (série
40XXB).

Tecnologias-Demantova 36
Porta Lógicas Básicas CMOS:

Tecnologias-Demantova 37
 Características Principais da Família CMOS:

- Fan-out maior que 50.

- Potência dissipada por bloco da ordem de 10 mW:
Pt=Pq + CV2f. (Pq ≈ nW e PDN = 10mW a 10MHz)
- Alta imunidade a ruído: 45% Vdd (típica) e 30% Vdd (garantida).
- Desvantagem: tempo de atraso que é da ordem de (30-100ns).
- Cuidados com o manuseio, devido à eletricidade estática.

Principais Características das Sub-famílias:

HC High Speed CMOS CMOS de Alta Velocidade

HCT High Speed CMOS with TTL inputs CMOS de Alta Velocidade com entradas TTL

AC Advanced CMOS CMOS de Alta Velocidade-versão avançada

ACT Advanced CMOS com TTL inputs CMOS com entradas TTL - versão avançada

BCT BiCMOS Technology Tecnologia BiCMOS (Bipolar/CMOS)

ABT Advanced BiCMOS Technology Tecnologia BiCMOS Avançada

LVT Low Voltage Technology Tecnologia de Baixa Tensão

Tecnologias-Demantova 38
 FAMÍLIAS CMOSxTTL (Exemplos):

Parâmetros CMOS TTL

4000B 74HC 74HCT 74 74LS 74AS 74ALS
VIH(min) 3,5V 3,5V 2,0V 2,0V 2,0V 2,0V 2,0V
VIL(máx) 1,5V 1,0V 0,8V 0,8V 0,8V 0,8V 0,8V
VOH(min) 4,95V 4,9V 4,9V 2,4V 2,7V 2,7V 2,7V
VOL(máx) 0,05V 0,1V 0,1V 0,4V 0,5V 0,5V 0,4V
Alimentação de 5V
IIH(máx) 1uA 1uA 1uA 40uA 20uA 200uA 20uA
IIL(máx) 1uA 1uA 1uA 1,6mA 0,4mA 2mA 100uA
IOH(máx) 0,4mA 4mA 4mA 0,4mA 0,4mA 2mA 400uA
IOL(máx) 0,4mA 4mA 4mA 16mA 8mA 20mA 8mA

Tecnologias-Demantova 39
Familia BiCMOS:

BiCMOS combina as vantagens das tecnologias Bipolar

(Alta velocidade) e CMOS (Baixo Consumo). Esta tecnologia de alto
desempenho tem uma maior facilidade de projeto, uma vez que a
minimização dos problemas de ruído intrínseco, ruídos de
chaveamento e consumo em altas freqüências, juntamente com
outras características desta tecnologia híbrida, reduz os esforços de
projeto.
Algumas das vantagens desta tecnologia são: alta
velocidade; consumo reduzido tanto em operação dinâmica quanto
estática; saídas bipolares que provêem 48-64 mA; ruído de
chaveamento menor; saída puramente bipolar e estágios de entrada e
funcional usam tecnologia CMOS.

Tecnologias-Demantova 40
 Aplicações básicas para as diversas famílias:
BICMOS BIPOLAR-COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR
ABT ALTA VELOCIDADE, ALTAS CORRENTES DE SAÍDA, BAIXO RUÍDO
ALTA VELOCIDADE E ALTAS CORRENTES DE SAÍDA PARA
LVT
APLICAÇÕES DE 3,3 VOLTS.
CMOS COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR
ALTA VELOCIDADE POSSIBILITANDO INTEROPERACIONALIDADE
LCX
ENTRE SISTEMAS DE 5 E 3,3V COM SAÍDAS TOLERANTES A 5 V
LVX TRANSLAÇÃO DE DE NÍVEIS DE TENSÃO (5/3,3)
LVQ IDEAL PARA APLICAÇÕES EXCLUSIVAMENTE DE 3,3V.
PROPÓSITOS GERAIS (VERSÃO MILITAR DISPONÍVEL COM ALTA
AC
RESISTÊNCIA À RADIAÇÃO)
ACQ PROJETADA PARA APLICAÇÕES SENSÍVEIS A RUÍDOS
ACT IDEM AC
ACTQ IDEM ACQ
SUBSTITUTA DA HCMOS. ALÉM DE TER BAIXA POTÊNCIA, BAIXO
VHC
RUÍDO E BAIXA CORRENTE DE SAÍDA, É MAIS VELOZ.
VHCT IDEM VHC

Tecnologias-Demantova 41
BICMOS BIPOLAR-COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR
HC SUBSTITUÍDA PELAS VHC/VHCT, VELOCIDADE MODERADA.

HCT IDEM HC

74C INDICADA PARA TENSÕES ALTAS (NÍVEL CMOS) E ALTOS RUIDOS.

CD4K ALTAS VOLTAGENS E ALTOS RUÍDOS. CMOS PADRÃO.

BIPOLAR TECNOLOGIA BIPOLAR

FASTR A MAIS RÁPIDA COM TECNOLOGIA TTL. MELHORADA DA FAST.
FAST MELHOR RAZÃO VELOC./CONS. DENTRE TTL-SCHOTTKY.

AS TECN. TTL DE ALTA VELOCIDADE E ALTAS CORRENTES DE SAÍDA.

BAIXO RUÍDO DE SAÍDA E O MENOR CONSUMO DENTRE AS SUB-
ALS
FAMÍLIAS AVANÇADAS TTL.
LS SUPORTE EM EXTINÇÃO.

S IDEM LS, MAS NÃO RECOMENDADA PARA NOVOS PROJETOS.

N (TTL) IDEM LS, MAS NÃO RECOMENDADA PARA NOVOS PROJETOS.

Tecnologias-Demantova 42