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Ra» saézú..
Prof. Roberto de Souza Salgado, Ph.D.
Coordenador do curso de Pós-Graduação
V
em Engenharia Elétrica
BANCA EXAMINADORA
O
Ivo Barbi, Dr. Ing.
'
-
of.
.do
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rof. Arn JoséP r ,D'. Ing.
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`_ -.ÍF$C
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...._¬,__h
¬¬HL, __,__E _
AGRADECIMENTOS
RESUMO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..ix
ABSTRACT . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..X
sIMBoLoCIA . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..×i
INTRoDUCAo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..×vi
1.1.INTRoDUCÃo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..2
1.2.EsTUDo Do CoNvERsoR BoosT TRADICIONAL . . . . . . . . . . . ..2
1.2.1.CoNvERsoR CC-CC BoosT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..2
1.2.1.1.oPERACÃo .Ç . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..3
1.2.2.CoNVERsoR CA-CC BoosT, ANÁLISE
QUALITATIVA PARA DCM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..7
1.2.2.1.CoRREÇÃo Do EATQR DE POTÊNCIA . . . . . . ..7
1.2.2.3.HIPÓTEsEs SIMPLIFICATIVAS ..; . . . . . . ..12
1.2.2.4.CoMPoRTAMENTo DAS PRINCIPAIS GRANDEZAS
ELÉTRICAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..12
1.2.2.5.RELACÃo DAS TENsÕEs . . . . . . . . . . . . . . ..13
1.2.2.6.CoRRENTE MEDIA NA CHAVE . . . . . . . . . . . ..13
1.2.2.7.CoRRENTE MÉDIA No DIoDo
‹CoRRENTE DE SAIDA) . . . . . . . . . . . . . . . ..14
1.2.2.a.CoRRENTE EEICAZ NA CHAVE . . . . . . . . . . ..15
1.2.2.9.CoRRENTE EPICAZ No DIoDo BoosT . . . . ..15
1.2.2.1o.CoRRENTE EEICAZ No INDUTOR . . . . . . . . ..16
1.2.2.I1.CoRRENTE EEICAZ NA ENTRADA . . . . . . . ..16
1.2.2.12.PoTENC1A DE SAIDA
E PATOR DE POTENCIA . . . . . . . . . . . . . . ..17
l.2.2.13.INDUTANCIA CRÍTICA . . . . . . . . . . . . . . . ..l8
l.2.2.13.ESTIMAÇÃO DO CAPACITOR DE SAÍDA ....l8
l.2.2.14.TENSAO MÉDIA EFETIVA EM FONTES
CHAVEADAS EM DCM . . . . . . . . . . . . . . . ....l9
l.3.ESTUDO DA ESTRUTURA PROPOSTA PARA
DUPLA-TENSÃO (110-220) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..2l
1.3.1.ESTRUTURA PROPOSTA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..2l
1.3.2.ToPoLoG1A EM 22ov . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..23
1.3.3.ToPoLoGIA EM 11ov . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..23
1.4.GERAÇÃo DE ÁBAÇOS . . . . . ., . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..25
l.4.l.COMENTÁRIO SOBRE OS ÁBACOS ...... . . . . . . . . . ..33
l.5.CONCLUSAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..34
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . .f.6l
3.2.4.cIRcUITo LIMITADOR DA CORRENTE DE
PARTIDA ("INRUSH") . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-.62
3.2.5.cIRcUITo DE PARTIDA PROGRESSIVA . . . . . ... ..63
3.2.6.cIRcUITo DE coMANDo DE "GATE" Do MoSEET.....õ4
3.2.7.EoNTE AUXILIAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..õ5
3.2.8.cIRcUITo DE coMANDo E PoTENcIA coMPLETo ....ee
3.3.CONCLUSÃO . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..69
RESUMO
ABSTRACT
Ae .
Área efetiva da perna central do núcleo em
cm2.
C
rede.
Íínnd
- Corrente média no diodo para um período de
chaveamento.
- Corrente média no diodo para um período de
IDmd4
rede.
fnv
- Corrente instantânea de entrada.
Inu
- Corrente eficaz na entrada.
IL - Corrente através do indutor boost.
- Corrente eficaz no diodo para um período de
Íizf
chaveamento.
- Corrente eficaz na indutância para um
Íizf
período de rede.
- Corrente média no diodo para um período de
Ííinó
chaveamento.
- Corrente média na indutância para um
ILmd
período de rede. _
1s1
- Corrente pela chave 1.
- Corrente eficaz na chave para um período de
Ísef
chaveamento.
- Corrente eficaz na chave para um período de
ISef
rede. .
'
chaveamento.
ISmd - Corrente média na chave para um período de
rede.
IO - Corrente média na saida.
Ip - Corrente de pico.
- Corrente de pico média instantânea no
ICMm1
capacitor.
J - Máxima densidade de corrente.
JK - Constante definida segundo (3.4).
K - Constante menor que 1.
TJ
tô. Tempo da chave aberta.
tf Tempo de condução da chave.
tz Tempo de decrescimento a zero da corrente
no diodo.
THD Taxa de distorçao harmônica.
VÀUmax Tensão máxima da fonte auxiliar.
Vc Tensão sobre o capacitor de saída.
Vcc Tensão continua de entrada.
VD Tensão sobre o diodo.
Ve Volume do núcleo.
VIN Tensão de entrada.
VIN Tensão eficaz na entrada.
Vmde Tensão média efetiva.
Vo Tensao no barramento DC.
VP Tensão de pico na entrada.
vph Tensão de pico para topologia em 220V na
entrada.
vp, Tensão de pico para topologia em 110V na
entrada .
AT - Elevação da temperatura.
¢ - Ângulo de defasagem entre as fundamentais
de tensão e corrente.
- Resistividade do condutor.
p
- Permeabilidade do vácuo.
uo
n - Rendimento.
xvi
|NTRoDuÇÃoz
O presente trabalho é uma síntese dos resultados
obtidos a partir do estudo e realização de um circuito
corretor de fator de potência usando o conversor Boost,
para dupla-tensão na entrada (110-220V), operando no modo
descontínuo.
Na atualidade os sistemas de alimentação CA
alimentam uma grande quantidade de cargas não lineares;
As cargas não lineares, além de degradar a tensão na
rede, reduzem o fator de potência, não devido ao
deslocamento da corrente fundamental em relação á tensão,
. xvii
2
L 0
Vcc .
Ro
C
S1
Fig. 1.1 : .
Estrutura básica do conversor Boost
'1.2.1.1. OPERAÇÃO:
A tensão de saída é maior que a tensão CC de
entrada, logo pode-se avaliar qualitativamente que quando
o interruptor S1 conduz por um tempo tf, Dgé inversamente
polarizado e a corrente no indutor cresce linearmente até
um valor de pico (Ip). o qual representa uma energia
armazenada dada por:
t
I,,=VCC-Ê' (1.1)
I2
_
W=L--21 ‹1.2›
'
3
energia armazenada no indutor é transferida ao capacitor
e à carga.
IL
-___-
_
Ip-
m
Ís1 F-4
U
V
A P0 Q
Fig. 1.2 N
_
Forma de onda da corrente .para o conversor
Boost (DCM)
'
4
está operando no modo descontínuo. A quantidade de
energia (VV) transferida à carga no tempo T (período de
chaveamento) representa a potência. Se toda a energia
(equação (1.2)) é levada à carga uma vez por jperiodo,
então a potência desnvolvida pela indutância e pela carga
é ( assumindo 100% de eficiência ):
1 L-I*
= §"`“:í“g
.
EZ (1.3)
Assim:
PDc =l._Z_
I t -
cc 1_4
[2 .T1
( )
L-12
P0 :PL +Par ::í...L+ Ú 5
I t
.Vcc
}T
._!.........Â
[2 T1
.
v0=vcC.,f-¡-ÍÊÂLL'-' ‹1.v›
5
Assim, o laço de realimentação responderá segundo a
relação (l§7) para manter a tensão de saída constante.
Toda a análise acima é valida só para o modo de
operação descontínuo, "Discontinuous Conduction Mode“
‹DcM›
`
`V
Definindo a==í§9, pode-se obter.para DCM:
. 0 .
¢z=¢,-3-Ê: ‹1.s›
H U2
U
1-I
H
I
3 V
Tf |
Ta
T
6
1.2.2. CONVERSOR CA-CC BOOSTL ANÁLISE QUALITATIVA PARA DCM
O Conversor Boost aparentemente não teria um amplo
uso pelo fato de, em poucas ocasiões, se precisar de
altas tensões de saída obtidas a partir de baixas tensões
de entrada. Mas com a necessidade de tornar as fontes
chaveadas como uma carga de alto fator de potência para
a rede, o conversor Boost tornou-se bastante popular no
mundo intero.
7
(reduz a corrente no neutro), e melhora a forma de onda
da tensão e a regulação -sob carga. Ainda permite
incrementar a densidade de carga numa instalação
existente sem nenhuma troca na fiação. Esses benefícios
trarão uma substancial redução de custos que gerarão os
fundos necessários para pagar os circuitos de correção do
fator de potência (PFC). .
1
FP = -591 - cos ¢(1) (1.9›
Ieft
TDH = ---“EI
2
“W ‹1.1o )
Ief(1)
Assim
FP = -cl-¢-“3- <1.11›
«(1 +THn2 .-
8
costo, mais 'eficiente e de menor peso que os filtros
passivos. '
9
corrente, de acordo coux a sinal_ de erro da' tensão de
saída (Fig. 1.4).
lur
mal
L
`
II
~
~ ~
.L
~
Êš %Ê“v'W%l~.
1
muulrucànon
' '
. _
Vreí
10
Em contrapartida o seguidor de tensão apresenta um valor
eficaz maior na chave, portanto as perdas em condução,
quando se usa transistores de tecnología MOSFET, são
maiores que no caso do multiplicador.
`
|>'í
++ 1% %~- .L
.
w ‹ Wei
11
1
V
.
.
chaveamento; vm = V, -Sen(¢) Vw = -É
z Carga constante;
. Semicondutores ideais.
.~
r
1,, =-V, -Ê'-Sen(¢) 11.12)
tZ=t|_
I-a-Sen(¢)
(LB)
12
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vp szf-l¢11 ".'š°"“21
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VpSen[¢2] Vp en[¢3]
e da tensão na chave
a=~`-Il ‹1.14›
V0
ISm,,=-Ê.-1-t_L (1.15)
D=-L
t
‹1.1õ›
T
e substituindo (l.13) e (1.l6) em (1.15) tem-se:
13
-D* -sen(¢)
ISmd = V, (1.l7)
.L .fs
z
-
V -D
=i3-_~-
2 :r
S en(¢) -d ¢
I smu (1.l8)
2_”_L_fs £_
=_____VP'D`2
. 1 sm" (l.l9)
2-ir-L-fs
(l.2l)
V, -D2 a-Sen2(¢)
[Dm = -L r (l.22)
2 -fs I -a-Sen(¢)
Num período da rede
= vP z1›2
*
‹z~szn2(¢)
I °'“" z
. .
(l.23)
2-zz-L-fs !,1~‹z»sen(¢)
_
\7'D2
-2--n x '1 a
u
= Io =-----P 2
I uma - -+¢ g (l.24)
A
2.7:-'L-fs
[
a+a_J1_a2{2 ;á_a2
14
Normalizando Ínmd =Í0 = D2 -y(a) -a (l . 26)
= -›~.
v -sen(¢)
2
~.
lszf
§'_;¬¬"'
-dx (1.27›
›-1
3
Isa-_
_
(1_28)
'
P3.
L-fsr
Num período da rede
2
Nú
v -s D3
.( »;;‹¢›.,g)
~
I Sef ...
§
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L
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s
v D
'sf “~3°>
t
7§".Í.T'\¡“í
S
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~
Normallzando
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Isa,
= Ir- -T
2-D”
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(l.31)
¡D=]P_~.¡
V -V -S
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(1,132)
Nú
ID,¡= *-
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Q'-ui”
Ín
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(l.33)
15
Mv
_
v,, [fz _
(134)
-fs 3 1 -a-Sen(¢)
i
VP a-D3 2
e
I ”°' =
L.f rn V 3
L*
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è Sen3(¢)
1-ea-sen fx `$~ af
\í_/
.
M (1 0 35)
-v D*
s
E normalizando:
_ 1)*
I¡,e,=2- ---7r- gi)-E (l.37)
›
3 a 2
'
V -D3
IM = fi_L"_fs
Ir-
‹1.39›
J
3
Normalizando Im =2 -.ff-yí-Q-IL
-a
(1 . 40)
3
16
,LM VP-Di Sen‹¢›
(M1)
2-L-fs 1-zz-sen(¢)
V,-D2_ Sen(wt)
i'N ____
(L42)
2~L-fs 1-zz-Sen(wt) l
v-.D2 sen(w¢)
2
= W
.dt
l
P
J1zz£1-zz-Sen(wt)) (143)
T
1 *N
'-
-
.
2-L-fs
Z(a)=
Sn t
2
'dwt
'
Q*-nã
(1.44)
fr' -a'2- 1: a
z(a)=[a.(12_a2)_+a,+af_(1_;,¡-`/Í%{;+tg
_,
(l.45)
Im:
V -D2
fz(a)
(1.46)
V
"""7'r-
17
PIN = 2 Y(¢)
fP _.: (1 . 50)
a
í
Vw -Im I `
1r~z(a) .
12.2.13. |NDuTÃNc|AcRíT|cAz À
D,,=(1-‹z) (1.51)
v 2-D2
l
L= 2-_;-*_-Pífš-a-y(a) (1.52)
V 2
1- )*'
O S
18
v-D2 zz y(zz)
'‹=»~««=5f'*f.'z(zTzz*”'3z" “~55>
AV 2-I
"f='¢-›=«-'X~= °=í;ši`ä <1~56>
_
Assim: -›
V»° -D'-a
'
a-1:
C ° _; ~
-y(a)] ‹1.57›
4-zf.L-fs-f,,-Ava { (1-zz)
Onde AVCr é a ondulação máxima no capacitor de saída
e fr a frequência da rede, fazendo fr= 60 Hz e usando
(l.24), tem-se:
H
Co;-
1° um ‹1.5e)
-1)
120-zr-AVG { (1 -a) -y(a)
Normalizando para
_
_--
IO
tem-se:
AVC.,
-----1
(
c° z---
-_ 1 a-1:
(1 . 59)
120~fi{‹1-‹z›-y‹‹z› )
19
entrada, O valor médio da tensão na entrada poderia ser
qualquer, maior ou menor que E, mas o produto v.i só é
possível na presença de ambas magnitudes no tempo. Assim,
quando se diz que o produto da tensão média pela corrente
média é igual á potência consumida, isto é válido quando
ambas magnitudes estão presentes em todo' ou periodo de
estudo. _
s V.
E
,
°" ffÍ:i
Ífff:.]
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.....
H..- H...
.--
§ .-0.....
.....-..-z.
-.
z.
H.
. ...-
...
z
.z
.
VO
.
20
A fonte só fornece energia em pequenos intervalos de
tempo e o valor médio efetivo é possível de se obter se
for conhecida a potência de saída (1.48) e ea corrente
média no indutor (l.6l)-:
2
V
vma = (--VP) ‹1.õo›
If
'
V -D2
11...... =¡f;¡'1_-I:f:(2+y(‹r)) v
(1. õ1›
P
=-'-”-
‹
V....z, ‹1.õ2›
Ilzmd
V y(‹1)
V,mk =__Ê_.___.._; (1 63)
a
_
L3J.ESTRUTURAPROPOSTA `
A
21
foi dividido em duas partes, assim como, o capacitor de
saída. Comutando o interruptor S3 fazsse a troca de
topologia necessária em concordância com a tensão de
entrada. As chaves Sl e S2 -
são acionadas
simultaneamente para abrir e fechar, com frequência
Db
i
LL/2
(VY\
J DLL
~
'_¿
V
uv 2:00
V
axu
'
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Etapa 2
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Etapa 3 D2
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‹ ‹
L2 °2 L2 .
Ecâpâi Ecâpâ 2 02
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>
os 4 V
ns ^
‹
L2
nz
Etapa 3
Fig. 1.10 Etapas de funcionamento em 110V
Conduz Bloqueio
Etapa 1 S1,S2,D3 D1,D2,D5
Etapa 2 121,193 s1,s2,D5
Etapa 3 -- S1,S2,D1,D2,D3,D5
Relação de tensões
V V
a¿=-"-'=-fl=a ‹1.õ9›
Vol Vo
'
24
D,=¬/Í-D, .
_
(1.7o›
ler, .
'
Imdl=ImdI› '
(1572)
I,,,=«/Ê-1,, ‹1.73›
l¡ef!=2°I¡eIl
25
uma em relação à corrente de saída (Ío)(1.26), assim é só
tomar os dados do ábaco e multiplicar por Io para obter o
valor em Amperes. A margem da relação de tensões é
mostrada de 0,3 até 1, faixa esta aceitável para o
projeto de um Boost tradicional PFC. Apresenta-se a
seguir as equações e os ábacos respectivos.
Potência de saída:
Reescreve-se aqui a equação (l.49)
É›=D'-y(‹1)-a ‹1.49›
Fator de normalizaçao =
._ ---
Vá
2vhLfS
Na Fig. 1.11 é mostrado o resultado gráfico da
equação (l.49) com D como parâmetro, a linha tracejada
indica o limite entre condução contínua e descontínua.
F0 U2
4
5
Sšz' 5 z`z š
f ` "
: É
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E E = 2 = * 5
: 2 2 = *
: :
F ~ ea z aaaaa
na
_.
26
Indutância crítica:
._Obtem-se aqui o-valor da indutância total
Reescreve-se a equação (1.54) ›
V2
Fator de normalização = .
--¿-
V
a
2-zz~P,, -fs
flu gz
U
: 1
É É ¿
03 GA 05 05 0] 03 U3 l
, a
Fig. 1.12 Indutância crítica total normalizada
para o Boost tradicional
27
Corrente eficaz e de pico na entrada; -
'-
=-----_
'
,/zt-z(a)
I '"° ‹1.7õ
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Corrente eficaz no diodo Boost
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=
1 .
z
: 1
~ 2
3
3. 2 E EI
1
:
3 .... ........... ..... .... ¡. ............ ....... .. ¿.......................§......... .... .. . 2 3 ‹'.~ .--I
...........¿....
ä
..............§.
: 1
r
5
‹
¬___
2
...
-› .... ........................................ ..
,
.Li.4z_ z
`: «
«
:
z É
: :
z 1
l I 2 z
1
03 0.4 05 -
0.8 07 0.8 0.9 1
a
Fig. 1.-17 Corrente média no indutor.
Corrente média na chave:
Lmdo =--2%
Ísma 0 3 ¡ * I ^ ‹\ r
.................... ...; .......... ....................................... .. ................. .., ..................... __., _____________________ ..‹
¡ .,
. . ; 2
¡ ¡
1
U
03 &4 &5 US 0? OB 03 1
m
Fig.l.18 Cbrrente média na chave.
:mo as
Z! V
4
E
\
\
\
~.
\ \
\ 1.
\
« 1
`
1›=š` ~ *
......
zs .15 z
5
na 04 as os uv na os 1
G.
F1 g.1.19 Cbrrente de pico normalizada na indutancia.
-
e
31
!
Capacitor na saída:
_
C°=~_
j ‹z-fz
V
“'81”
120-ff{‹1-‹z›~y‹‹z› 1)
a
Fator de normallzaçäo
,
-9-
I
AVCT
:
cc, om
unos Í Í a a a a z z
Í Í Í Í Í Í Í ao
,
.
°”mas dâ 05 ds da da Â; 1
G.
'
Fator de potência:
PIN = 2
fp =
y(‹1)
(1 . -50)
a
_
Vm -Im
f
1:-z(a) -
fP1
E É
*.-«_
üfi "ff 4
E9'
035
o
HB
03 üâ 05 &S Q? OB &9 l
u
Fig.1.2l fator de potência.
32
Taxa de distorção harmônica:
1
TDH=};-,/1-fp' ‹1.s5›
-
Í
50
TDHXNÚ
L
'
~
ao
› e e e e a a a a a e f e f e e e f - e e f ff f
......................................................................................................................
20 ..,. ..................... ..
É z š
“ua ,
114 6.5 as diz da da
11
-u
.Fig.l.22 Taxa de distorção harmõnica.`
33
de 0,6, o projett› do indutor crítico é feito para a
máxima tensão na entrada e os esforços .máximos de
corrente para a mínima tensão. Para relação de tensões
menor que 0,6 todo o projeto é para mínima tensão
j
.15. CONCLUSÃO
- O conversor Boost em DCM permite fazer a correção
ativa do fator de potência.
- O modo de operação descontinuo tem as seguintes
ventagens: -
34
- Rara se obter alto fator de potência tem-se que
usar tensões de saída elevadas, em relação a tensão de
entrada. .
35
V cAPíTu|_o2 -
37
com a norma necessita de uma análise harmônica da
corrente, o que escapa ck) objetivo deste capítulo e ,é
feita no captulo 5. _
g
Para o conversor Boost 'em DCM , fp e TDH são
decorrentes das especificações de tensão de entrada e
saída dadas, segundo os ábacos da Fig 1.20 e Fig. 1.2l.
23J.BOOSTTRADKHONAk
Com os dados acima tem-se:
Io = 1,25-Amp
Vpmin= 136 V
Vpmax= 350 V V
aM¡N = 0,340
4002 À
Lc,=-_-¬_-----0,1 = 91 un
2-fz-5oo~5oooo .
É, = o,oo55 Co z eso pr
38
Com esses resultados tem-se definidos os valores dos
componentes passivos do Boost tradicional. Para definir
os semicondutores e as características do indutor é
'
D E 0,62
Assim dos ábacos das Fig. 1.13 a Fig 1.19 tem-se :
= 4›38 Amp
Ímdo -E 3,5 I|.m‹|
= Amp
ima z2,s 18...., 3,13
'
se
extremos .da tensão num dos níveis de tensão de entrada,
segundo (1.64). Assim:
Vpmin= 272 V, Vpmax== 350 V,
a normalização
tem-se: .
~
Com esses resultados define-se os valores dos
C*-«imponentes passivos da estrutura proposta. Para definir
os semicondutores e as caraterísticas dos indutores é
40
Segundo (1.65)
D. = o, oes
Do ábaco da Fig. 1.11 tem-se f0= 0.05 decorrente de
amx e D ,_
. Contudo ,
`
a pior condiçao
'
em corrente é para
`
'
Dpc,_ E 0,17
'
z_25 Amp
.ÍSMO 5 .8 lsmú=l 1' Amp
5 =
ÍLPKO 15 ILP ,, 1s;s 26.6 Amp
A tensão de pico, para os diodo Boost e as chaves
principais, fica definida pela metade da- tensão de saída
e na ponte retificadora é igual ao tradicional-`
41
deslocamento da corrente. A estrutura apresenta maior
solicitacão de corrente para a topologia em 110V. Fixando
L e C para esta condição ter-se-rá um pequeno
deslocamento da corrente para a topologia em 220V. A
resistência equivalente apresentada em 110V é:
'H =5 Q
ro =%,i=--216326 ‹2.2›
,
p 0
f
V
i
›
_
Valor do capacitor:
C,=-_~
I
= 3 mf ‹2.4›
Qy21vS
V
,
_
~
L,=-;-
1
= 340 pu
.
‹2.5›
¢”s(;
V
fc = 50 KHz .
Frequência de chaveamento
L¿¡= 5,7 Amp Corrente eficaz `
42
Kw = 0,7 Fator de utilização da janela
Estimação do núcleo:
AeAw=~=
1
L-I -I -10'
0,619 cm4
.
_ _
(2.6p)
4
_»
>; ,Adotando o núcleo E 42/15, cujos dados são:
V- -
'
L-1 -10'
N=--'-*¿-- = 14,6 (2 _ 7)
Bm-Az
adotou-se N = 14
Íg-~
, V
Cálculo do entreferro:
_4-zz-N*-Az-10* = 0,093 Cm (2.8)
Escolha do condutor:
“âVA seção total do condutor será:_
S, =-Q
I
= o,01629 cm2 (2,9)
Jm
43
Levando, em. conta o efeito Skin, a jprofundidade de
penetração para 75°C será;
7
_
será:
na
. s..
ü
.
_
`
K9
¬ s
ns-.=-1 ê 8 fios ., (2.11›
. SC
Cálculo térmico: ~
44
Perdas nos enrolamentos:
Perdas no núcleo:
A
Elevação da temperatura
AT-=(P¢ +.Pw)~RT = 30,9 °c ‹2.15›
fc = 60 Hz Frequência da rede
L¿¡= 5,7 Amp Corrente eficaz
Lmk= 9,3 Amp Corrente de pico
L = 350 uH Indutância ~
45
Kw = 0,7 Fator de utilizacâo da janela
Estimação do núcleo:
AeAw=~=
m
L-I -1.
w- m-
-10'
*
1,473 ¢m4
~
‹2.1õ›
N=-_--
L-Im-10'»
Bm-Ae
= 44,9-6 (2.17›
~
adotou-se N = .45
Cálculo do entreferro:
-
lg -----.__
_ 4-zz-N'-Ae-10-9
2-L
.
= 0,06 Cm (2.l8)
Jnl
_
p=o,ooo17õ Q/cm.
Perdas nos enrolamentos:
V
(2.22)
elevação aceitável.
46
2.3.6. PROJETO DOS SEMÍCONDUTORES É CÁLCULO DE PERDAS:
Mostra-se aqui o projeto dos componentes para a
estrutura proposta.
Ponte retificadora:
Para selecionar' a ponte precisa-se conhecer sua
corrente média e tensão de pico. A corrente média nos
diodos da ponte é igual à corrente média no indutor Boost
para a topologia* em llOV e igual _à metade para' a
topologia em 220V; assinl o pior caso é para 110V. A
tensão de pico é igual ao pico máximo da rede; aqui, o
1f=-“-l=3.9Am-
-
e
I
P 2.23
JE
( )
Rcd=.0,3 t°C-/w
TJ= 120 °c
Ta= 55 °C
PR
47
Rd,=R,,-RN = 1 °c/w ‹2.2õ›
~ r
A
Diodo Boost:
Para o projeto do diodo Boost precisaëse conhecer sua
corrente média, corrente e tensão de pico, além disso, o
diodo deve ser rápido. À corrente média é igual a
VF = 1,12 VOltS
VRRM = 300 volts
Assim:
PDB=2-Im-VF E 2,8 watts (2.27)
R¡c= 1,5 °C/w
`
T,= 129 °c
Ta= 55 °C
ja
PDB
Rd,=R¡,-R¡‹,= 40 °C/w
48
×
Chave principal:
Os dados nesessários para a seleção das chaves são
sua corrente eficaz, sua corrente de pico, assim como sua
tensão de pico. Tomando-as da Tabela 2.2 e acresentando
'
'
_
IX maior' preocupação na seleção da chave CMOSFEI),
dado o elevado valor eficaz da corrente, é usar aquela
com a menor resistência de condução, para garantir um bom
rendimento. Uma chave IRF644 ou similar poderia aplicar-
se aqui.JSuas caraterísticas são:
Im= 12,5 Amp 0
tr = 200 nseg
tf = 200 nseg
49
tr e tf são estimações levando em conta os possíveis
retardos no comando. Como a entrada em condução é sob
corrente nula, no cálculo de perdas não se toma o tempo
tr.
TJ= 110 °C
Ta= 55 °C
_
4Rc_,V= l -°C/w (pasta térmica e mica isolante)
As perdas na chave são :
~
Perdas em condução: .
Pc=1f,=r,,S,on,
= 7,6 watts.
Perdas de comutação: “
*PCM=f-š-tf-Im-V0 = 1 watts.
Perdas adicionais:
1
= 0,35 watts.
'
Pm,=--Coss-Vfn-fc
2
_
Potência de perdas totais: .
=(T¢-Ta) =
Rh 3 °C/ w .
2'PTc
R da =R ja
-É-11 = 2 °c/w
2
Pelo fato de. se ter no mesmo dissipador os diodos
Boost, eles vão contribuir para a temperatura no
dissipador aumentar. Assim, usa~se um dissipador com
.5O
resistência térmica menor do que a calculada. Escolhe-se
um dissipador Kp 1,25 da SEMIKRON ou similar.
'Correntes‹[Amp)- '
Componentes Perdas(Watt)
Po=5OV0 w Tradicional Proposto 'Tradicional Proposto Tradicional Proposto
.
INDUTOR Pico 16,3 26,6 97 uH 24 uH 2X
Boost RMS _ô,25 5,55 E55 2× 27 2
E42n5
'
_
Dissipador* --- Kp 0.4 Kp 1.25
2000 9 420
Perdas Totais 46,2 32
_
O dissipador (onde estão colocados os diodos e as chaves)
V
A
p _
_
*
V
é único, ponte
retificadora tem seu próprio dissipador e é. igual para as duas estruturas ,
51
Análise e comentários da Tabela 2.3
A seleção dos MOSFET foi feita para se ter um custo
similar nas chaves (IRF451 E 9.75$ IRF644 5 4.4$ x 2)
Z4. CONCLUSAO
A- - As normalizações usadas facilitam o uso dos
ábacos. ç.
`
'
V .
.
- O projeto é simples.
- As principais grandezas na escolha dos
semicondutores são a corrente de pico, corrente eficaz e
tensão de pico.
'
52
- A corrente de pico é maior na estrutura proposta.
- A corrente eficaz em cada chave é menor na
estrutura proposta.
- As perdas na chave principal da estrutura proposta
sao reduzidas.
`
53
_ .
CAPÍTULO 3
DEFINIÇÃO LE PROJETO DOS CIRCUIITOSPDE COMANDO, CONTROLE E
-
'
'
PROTEÇÃO
54
3.1. INTRODUÇAO: _
'
-
- Compensação.l
Modulação por largura de pulso (PWM).
Limitação do valor da razão cíclica.
Limitação da corrente na partida.
Partida progressiva.
Comando de "gate" dos MOSFETS.
Fonte Auxiliar.
carga.
"I
6
V
Išãfl *_
In Rio vu
.
C0 _
T .
I
f,,=----- (3.1)
.
24hRo(b
=-¿--
\
fz (3 . 2)
C0
.
2-zz-RSE .
56
na saída uma ondulação de i12OHz, a qual, se for
compensada, geraria uma distorção na corrente de entrada.
Para evitar isto coloca-se, no compensador, um pólo
dominante uma década abaixo de 120 Hz.
Para se obter a função de transferência do
conversor é -necessárioiconhecer o ganho estático do
'
P0=-kl
V2 V pode-se
mesmo. Fazendo em (1.48)
-
e D=í,9 ,
O S
kz Vs-Un-JK
VP .
1/
Y ( fi)
a
(3.3)
Vc
Vo C2 R2
R1 c¡ .
Rb
Vc
45-----*
* ref
Ganho KdB]
A Í
P G [ s ] Conversor
I 1 1 1 1 1 1 1 I III 1 1 1 1 1 1 111 I o 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 1 1 I
fz-
I=
---_--4---
AH _' fl
_-
H
1-n
' ' ' ' ' ' ' ' 'U
( s] Compensadot
--_:;-
Nfl
Frequência
-
Fig. 3.3 Diagramas de Bode generalizados
57
JK zíc
2J4Í
RO
(3-4)
=~
L = 50 pH, CO= 800 uF, RSe=0.l Q, ROmin= 320 Q
ROmaX= 3200 Q, vp = 350 v, vs = 10 v, fc = 50 KHz
a.- Baixa carga e máxima tensão na entrada:
45. _ 08 I
G(§) ( 3 . 5)
(.25ó 4 +1)
V
G(S) =---*-_
1427‹o.ooo0s@+1)
(256-s+1)
(.3 , 6)
58
Para que o produto tenha -40 dB a 120Hz, o ganho do
compensador deve ser de -50 dB a l2OHz; colocando o pólo
do compensador em 12 Hz, o ganho AH fica em -30 dB.
Z
80 z..¬`__tff¬-h_._¿
5 ~ ~.`
0
/I J
_
_ 102 Carga 1682 Çarga
\` " 1
W!'W
Í
so
"h ,_× \-ea
SGIW
4#::` 08
Ófl
L
40 1
-129
KG
_ z
_
862 Carga `
_
N
20 e
-130
4 182 Carga _
B
ø -249
-20 -aaa
-49 4'36°
10-: 10 2 10 1
10 ø 10 1 10 2 10 3 10
Frequency (Hz J
Frequência do zero, 1
fm =ñT '7¡'
1
2 2
(3.7)
V
Frequência do polo,
. ,
f,C=m '”'
1
2' 1
(3.8)
AH:-Iii
I
H(s)=--Â--if-1
0.04527 0.705- 1
‹3.1o›
(0015-s+1)
59
\
\\
'20 eg
1-- _ .
,,
,.
_
i
\,
` _
8
/
]"" ` -69
00)flIB"fl
\t\\\\\;L,v1
V
Ilê-Bñv--SQDI
-za R
-120
-40 _ 180
d ¬- 4
B
--65 l
-240
- _
\.
"300
A
'_ '
-100 -360
10 3 10': 10'* 10° 101 102 103 104
Frequency (Hz)
.
Fig. 3.5 Diagrama de Bode do compensador
~
O circuito é implementado aproveitando o amplifica-
dor de transcondutância interno do CI 3524.
~,
OO O
6011
,_
š. ___--J*
_'-'__' l
1882 Carga
-
_OO OfÂ!¡I"fl
_ --za: *`
flãnflfir-I-SGH
-sa -24°
\
É ' "
Carga
\
188'/.
`
-60 f '
-300
__
187. Carga _
_90 -asa
-120 -420
10'3 10 2 10 1 10 O 10 1 10 2 103 104
Frequency (Hz)
Fig. 3.6 Diagrama de Bode do produto GxH
60
pulso de saída de largura modulada por uma tensão ~de
controle. As funções necessárias são obtidas pelo uso do
CI 3524 que ten: duas saídas complementares; usando uma
só, pode-se obter" uma razão cíclica náxima próxima de
0.5, que é suficiente para este caso. O oscilador interno
é fixado por uma rede RC externa, a uma frequência de 100
KHz, o que dará _5OKHz em cada saída. Na Fig. 3.7 é
mostrado o CI com os componentes usados no oscilador
(pinos 6 e 7) e os componentes do compensador e limitador
(pinos 1 e 9).
Vo
470 K
¡g K Vref Vcc
Vref wwZH|
III
xox x Comando Vref
IIII
de gate
ÕN
VE 10x
:SK
_
Limiteši
_
Razão
"# Í Im cíclica
Fig. 3.7 CI 3524, usado para gerar o controle PWM
61
cíclica projetada. Embora o CI 3524 já tenha um limite
próprio para a razão cíclica (50.45). Para o projeto
feito, o valor da máxima razão cíclica teórica é 0,24;
dando uma margem para o rendimento, colocou-se o
62
\
1152'
1o‹~ =f__:f_
SKB 7/08
SEMIKRON '
VO
Voo
4?0K
_
7 Amp
VOC
0,0 1
3
Vref
1K
in K
:I
' 311 1K
Pino 10 do
4K7 CI 3524
u
O2
qui A
V
Fig. 3.8
:Ê o
Q;
-1
r'H
1s1< ' 01
V§eE
Q1
3123 F! _
86
.Í
0.4?/z '5K âwmwzfi
IIII
63
o sinal ao transistor Q1 para colocar tensão na
referência, o capacitor é carregado, assim a razão
cíclica cresce lentamente e a tensão de saída
incrementar-se-á também lentamente, evitando assim o
risco de se colocar o conversor em CCM.
64
rapidamente o capacitor de "gate".
1N4936 L.
1: IRF
É 8 10K `UIk Nr: 74U
ä
.
ä 3
lN49
1:
IRF
`
¿ GJ
2 E 1m<
U|k
Nr:
,_u
740
E *S "`<
Tp
zazaoz ao
E 20/15
D1
IRF
513
ôau
g
ä
“'01
22
Q1
z
“'01
K2»
22
(Pino 11
_
do CI 3524
-i
Thornton "_¬3_
lux 02 lx
Fig. 3.10 Comando de "gate" ,
65
3.2.7.
_
FONTE ~: _
MUR153U
H
.
J IRF
740
_
ER152
Jzišfãlá
H
MUR153U
FRl52 '
_..-ff'
5 60
47K 5w
3w Q3 15V
LM7B15
`
1W
Q3;TIP 48
4wÊ`l'J T 1on
'
'lim
Fig. 3.11 Fonte Auxiliar
66
enrolamento auxiliar igual à tensão instantânea de linha
dividido por rt. Para conhecer rt é só estabelecer os
limites da tensão na fonte auxiliar. Assim, a mínima
tensão para garantir que o transistor do reguladog da
partida (Q3) não trabalhe em regime é de 16 V. Dando'uma
margem pela ondulação da tensão no capacitor da saída,
tomoufse Já? V; então, para a núnima tensão de pico na
entrada, tem-se: _ _
»
V 5
¡1=_JflL_=lÊ__;7.
(3.l1)
Vkmm 19
v 175
vAUm=4%=~5-525 1'
volt ‹3.12›
67
pela- 'chave seletora llOV-220V e a fonte auxiliar
implementada terá na sua entrada o equivalente a uma onda
completa de tensão de ll_OV e a variação da'tensão ficaria
só á admissível num dos níveis de tensão (exemplo. 110
+/- 15%). . .
»
_
`
›$'n
°=f› snow
Qu;
Gl: mx nox
3
NI-I
ä
I.”
I °
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[-›~:--››-
3 UHQ36 .._r.+r_....r-4;.
51
i
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.
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um 1;;
i IX
I
‹ ^v _
nn
u
03022 mx
. 812 _
41'! 01
.O1 1
.
_
47
-
.oa
-
68
Diodos : DZ, Zener 16 V Vlw
Dl, lN4001
D2, FRl52
Transistores:
Ql, BC 337
_
Q2, Bc 327
Q3,'T1P 48
Indutor Boost e enrolamento auxiliar:
Np = 14 espiras x 17 fios 25 AWG
Ns = 2 espiras x 2 fios 25 AWG
Núcleo E 42/15 THORNTON
Transformador de pulsos: (Tp)
33. CONCLUSÃO:
-O compensador projetado permite manter regulada a
tensão na saída.
-O estudo do compensador mostra que o sistema é
estável. .
69
`
70
cAPíTu|.o 4
72
Tabela 4.1 Estrutura em 220 V
4,75 42
350 0,875 250 0,065 9,3 2,38 42
136 0
0,68 500 0,226 26,5 _ 9,5 22
0,875 500
(
73
O volume fisico dos componentes não é problema em
uma simulação numérica, além dos filtros poderem ser
ideais. Assim, para reduzir o tempo de computação e
Co = 800 pF
Ro = 320 Q ou 640 Q
fs = 5 KHz
As simulações são feitas assumindo chaves ideais.
Nas Fig. 4.1 a 4.6 são mostrados; o comportamento
74
õoo vo ao IL
20
'
Vin '
O 10
-500 |
|
1
|
-10 | |‹ | |
| |
so 400
11.
2° Av
5. s
:IO 200
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Fig. 4.1 Resultados da 'simulação para Vp=136V,
estrutura para 110V e 100% de carga
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Fig. 4.2 Resultados da simulação para Vp=272V,
estrutura para 220V, e 100% de carga.
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Fig. 4.4 Resultados da simulação para Vp=350V,
estrutura para 110V e 100% de carga.
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Fig. 4.10 Analise harmônica da corrente na entrada de conversor
_
para Vp=272V,estrutura para 220V e 100% de carga
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TDI-I=43%
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Fig. 4.11 Análise harmônica da corrente na entrada de conversor
para Vp=350V,estrutura para 220V e 100% de carga
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TDI-!==43%
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0.00 0.01 0-02 O 5 10 15
Fig. 4.12 Análise harmônica da corrente na entrada de conversor
para Vp=350V,estrutura para 220V e 50% de carga
Nas Fig. 4.7 à Fig. 4.12 mostra-se a corrente na
entrada para cada caso, com sua respectiva análise
harmônica. Os resultados mostram como a análise teórica
da TDH e da corrente de pico na entrada, são validas.
Na Fig. 4.13 é mostrado o resultado de simulação da
estrutura para' 220V com to
compensador, para carga
variando de 50% a 100%.
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D l(l1)
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nO resultado mostra, a lenta dinâmica do conversor,
que demora de lOOmseg à 150mseg para estabilizar a tensão
de saída, mas não produz sobretensões, mostrando um bom
desempenho e confirmando o estudo feito por teoria.
Com o software usado (PSPICE), para a obtenção do
resultado mostrado na» Fig. 4.13, usando _um
microcomputador PQ 80486, de 5OMHz, o resultado foi
obtido »após de 8 horas de simulação, além do arquivo
resultante ser difícil de manejar.
É importante ressaltar que, se forem usados os dados
reais de projeto, ficaria complicado de se manejar, num
microcomputador tipo PC, os resultados de simulação com
frequência de comutação igual a 5OKHz. -
4.3. . coNc|_usÃo
'
81
cAPíTuLo 5
RESULTADOS ExPER|MENTA|s
5.1. |NTRonuçÃo
IRF 644, foi usado o MOSFET IRF 740, que tem uma
resistência de condução maior; isto faz com que o
83
Observou-se que os principais componentes geradores
de calor são as chaves, os indutores, a ponte
retificadora e o regulador da fonte auxiliar, com
importância na mesma ordem.
Deve-se ter cuidado na disposição dos componentes de
potência ( Chave principal e diodo de saída) para evitar
a presença, entre, eles, de indutâncias parasitas' que
possam gerar picos elevados de tensão. Se for o caso do
pico da tensão ser incompatível conl os semicondutores,
pode-se acrescentar um pequeno circuito grampeador, dado
que a energia envolvida na comutação é muito pequena.
VEmbora no protótipo procurou-se obter a menor
distância entre os componentes, observou-se inn pico de
250 volt sobre a chave, no bloqueio. A sobretensão foi
obtida para o pior caso, isto é, para a máxima corrente
de bloqueio na chave. Assim, em função desses dados, o
resultado não chega a comprometer seriamente o
funcionamento dos semicondutores usados .
84
Verifica-se uma frequência de 50 KHz. A relação entre os
valores de pico de da razão cíclica estão próximos dos
valores, obtidos na teoria (0,70), e a tensão sobre a
chave é cerca de 50% da tensão de saída. Ainda tendo na
saída os 400 V, a divisão das tensões nos capacitores da
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Time (ms)
Fig. 5.1 Aquisição da partida para Vin= 124 V
e 100% carga, Vout (Volt) Iin (Anp)
86
é provocado pelo circuito de partida progressiva. Se for
necessário uma partida mais rápida, é -só ajustar os
VâlOI`€S CÍOS COI`l1pO1'1€1'1t€S
'
523.FONTEAUfiLMR2 '
525.COMPENSADOR:
O funcionamento foi estável para toda a faixa de
variação da tensão de entrada, mantendo a tensão de saída
automaticamente regulada em 400 Volt.
Para mostrar o funcionamento da compensação foi feita
uma aquisição da tensão na saída e da corrente na
entrada variando~se a carga de 45% para 95% e retornando
87
a 45%, conforme Fig. 5.2 e Fig. 5.3. O resultado mostra o
bom desempenho do compensador. Como era de se esperar a
malha de controle é lenta, embora não apresente elevadas
sobretensões _ Assim o controle é robusto.
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Tirne (ms)
Fig. 5.3 Aquisição da corrente na entrada do conversor
ao variar a carga de 45% a 95% para Vin= 124 V
88
para diferentes condições de tensão «de` entrada e de
carga
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Vin
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96 5.45 18.7 485 400 1.10
96 _
6 17.9 530 400 1.20
124 5.3 34 530 400 1.30
90
Com os resultados experimentais pode-se obter a
seguintes tabelas: _
200»
". 210 95.2 0.979
Z
300 Í
330 93.7 0.978
440 Í
470 93.6 0.978
520 55o 95.5 0.977
Os resultados mostram:
-O rendimento da estrutura é acima de 90%,
-O fator de potência independe da carga.
-O fppé o mesmo para as duas topologias.
de“carga
Kf
Tabela 5.5 : Comparação dos resultados experimentais
da tensão na entrada com a norma, V1n= 248.
» |
_
1 345,8 100,00
3 0,450 0,1301 0,9 Satisfaz
5 6,320 1,8277 0,4 Não satisfaz;
2,l1013 -(_
92
5.3. coNc|.usÃo
Em geral o sistema é bem comportado.
Os resultados obtidos confirmam as análises
teóricas.
O circuito de comando e controle obtido cumpre suas
funções.
V
.
.
93
CONCLUSÃO GERAL.
94
\~
C
- C) protótipo implementado é robusto apresentando um
comportamento estável.
'
~
.
Desvantagens: V
Q.
95
Para continuidade deste trabalho sugere-se:
O estudo com maiores frequência a fim de diminuir
perdas e volume. -
96
Ç
REFERÊNc|As B|BL|oGRÁ|cAs
October 1987.
`
A, _
“F
97
[10]. Ivo Barbi, S.A. Oliveira da Silva, "sinusoidal Line
Current Rectification-at United Power Factor With Boost Quasi-
Resonant c0nverters", DEEL - LAMEP, UFSC-Florianópolis
Brazil, 1990.
(111. C. Zhou, R. B. , Ridley and F. C. Lee, "Design and
Analysis of an Active Unity Power` Factor Correction
Circuit", VPEC, 1989.
'
P
98
-
_
UÍÍI
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Vfifsftáfik
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