l ●ヽ__ _ 臆 _  「 √∴∴∴∴l

- -⊥●⊥●嶺′⊥lSI霞もO工

芭酎雷獣0田町等Å⑱ 鴇

′ヽ ふ.__ ○ ○ ′_∴裏 書    ,   ●      ′-
ヽ」 il「つい.、信、lヽIi lI千一l…l、 ′■l1 1 11パI戸lテ●ユー
酬SSOR I COLECTOR  酬SSOR I coLEcTOR
￣  -   - ￣ ノ￣‥i’事￣1￣ ￣￣-‥「’音￣

ende a classe de componentes mais

ut掴zados no comando e controlo de
dispositjvos eIectr6nicos. Ha dois
tipos ge「ais de transistores de jun-

9aO: bipoiares e unipoiares. O tran-

Sistor unipolar se「負objecto de estudo
● Fゆ4.1 - As tres 「egi6es de um t「an-  ●円g・ 4.2 -As tres regi6es de um tran-
em capitulo posterior. く(e†n「 n●∩_n                        《(-●-- - - 輸

Como se mostra na figura 4.1, um tranSistor bipoIar 6 formado por duas junc6es p・n, em que uma das
regi6es 6 comum as duas jun96es. A mesma figura mostra uma 「egiao com impurezas tipo p, ent「e duas
regi6es com impurezas tipo n, designado por transistor bipoIar n-P-n. A figura 4.2, COmPlementar a primei-
ra, designa-Se POr tranSistor bipoIar p-n"P.

A regiao do meio 6 designada por BASE e as restantes sao o EMISSOR e o COしECTO日・ Aparen-
temente, eStaS jun96es parecem sim6tricas, nO entantO, a reqi急o da base. aI6m de ser estreita臆6 fran倉men-
‡質素富甚若妻挙蕪藍奮い欝鴨垂を

te d。申da 。u画dS 「eSPeCtivas impurezas. A regIaO aO emlSSOr e †ortemente dopada e a regiao do coiector e
a de maiores dimens6es, uma VeZ qUe aJ se verifica a maior dissipae急o de potencia, COmO VeremOS nO
Seguimento deste cap請uio.

Pelo facto de as t「台s regi6es terem diferentes nfveis 巨B CB

ZONA ZONA
de dopagem, aS Camadas de deple9aO (ZOnaS de carga
DEDEPLECÅo DEDEPLECÅo
espaciai) possuem Iarguras diferentes. Como a regiao {     一一一へーヽ

da base 6 fracamente doDada. a zona de f:a「〔うa eSrarial

Penetra llgeIramente na reglaO do emissor, Pelo facto de

esta regiao ter uma grande densidade de impurezas. A
figura 4.3 evidencia a diferen9a entre aS larguras das
Varias zonas de carga espaciaI. Para cada uma dessas
regi6es, ta看como acontecia na jun9aO P"n do dfodo, a
barreira de potencia1 6 aproximadamente O,7 V, Para O
transfstor de s冊cio. Para o transistor de germ含nio, eSta
章ensゑ∩ 4白倉∩γ′1em Hnく∩つ¥I Nほ立、 〇〇 ・持つ食hH〔 --」へ-m
_  ○  ○ _  _-_一〇_. . .●_葛 . .ヽ一●ヽ.-ヽ《 ヽ○○ヽ ●ヽ

● Fig. 4.3-Zonas de carga espacial ou zonas de deple-

COnt「ario, COnSideraremos para o nosso estudo o tran-
Sistor de s硝cio. C急O.

a弼駒東餌鯛圃弼㊦弼醒脚鮨餌聴
「葛喜○

○〔 =〔〔ヽr〔rヽ〔 ′、′(r"ヽ箸( {《書㌫,(}.《(I{ふ--」一 へ:--●重’一一 一 一  で  ●. ● ’  ●’ ’

__ …. 、._‥_._、)‥,_〕 _)、,.)I r〕……広口〕)戸・ま・両… ・年裏・・山、臆…-÷可・雪中畦曝墨雲中e亘ens急〇;象S 〇〇「re雷eS
Ser急O nulas, Peio facto de existirem as ba汀eiras de potenciai nas jun96es.

Quando um transistor tem a juneao base-emissor poIar浸ada directamente e a juneao ∞lector-base poIa-
rizada inversamente, diz-Se que eSta a OPerar na ZOna activa.

一・仙籍
 圏
耽4.4 mostra de foma resumida o movimento de portadores num transfstor n"P・n PO-arizado na
音{◆ま、′_  亡と.、●,_ .○○___.;_,__▲_ __重_臆_臆 臆
O臆activa. Este movimento refere-Se
￣ ￣￣ a .- ￣-￣-￣-￣-〉)
electr6es’Pe-o「〉“￣
que 6 ￨場〉
considerado sentido
u.〉I○OiuロIauU eIectr6nico.
Oロl…uU Caso
cItJu=u「llCO.しaSO COn-
こと__ __臆_ 臆

Siderassemos o movimento de Iacunas, Seria natura mente o sentido convencional. Estando a base・emisso「

O FIg. 4.4 - Movimento de e-ec-r6es num trans′sto川-P・n.

POiarizada directamente・ eStamOS a injectar lacunas na base e electr6es no emissor. Como a regiao da base
6 estreita e a regiao do emissor 6 fortemente dopada, a ZOna de carga espaciaI 6 pequena. Existe assim
uma Pequena COrrente de portadores maioritarios, electr6es injectados no emissor e lacunas na base, for-

Como a jun9aO COiector-base esta po-arizada inversamente’Verifica-Se um aumento desta zona de carga
eSPaCiaI, Originando um campo e16ctrico intenso na regi急o do coIector’PeIo que os portadores maioritarjos
tipo n injectados no emissor’aO Penetrarem na base’tOrnam-Se PCmadores minorjtまrios, uma VeZ que eStaO
numa regiao tipo p. Estes portadores at「avessam com faciIidade a regiao estreita da base, difundindo-Se na
regiao do co看ector e ficando sujeitos a uma fo「ca intensa criada pelo campo e16ctrico, Saindo peIo colector

que est会同gado ao terminal positivo da fonte.

TaI como acontecja numa jun9aO叩e Pelo facto de a base ser estreita e estar fracamente dopada,
COmParada com o emisso再necessario uma pequena quantidade de portadores (COrrente) injectados na
base・ Para CO=trOlar a zona de carga espacia- base-emjssor e por conseguinte o fluxo de e-ectr6es que se
desIocam na direce急o emisso「-cOlector・ Assim’Verifica-Se que o fIuxo de portadores emissor.coIector

(tipo n) depende essencjalmente da corrente de base e por sua vez da polariza9aO base-emissor e 6 jnde-
Pendente da intensidade do campo e16ct「jco da zona do coIector.

Gua'l訪u圃用一皿OO CO-eCtOr eSta abertO e a Jun9aO base-emissor pola「izada dlreCtamente, eXiste uma

Pequena COrrente de recombina9急O- COmO ja foi referido・ desjgnada por -BEO. Quando a jun9aO COIector-base
eSta POIarizada inversamente e o emissor esfa aberto, a tenS急O aP-icada entre os dois terminais provoca o
aPareCimento de uma corrente muito pequena’entre O CO-ector e a base como acontecia na jun如P"n

POIarizada inversamente・ Esta corrente 6 designada por -cBO. Se o te「minal da base esta aberto e se se apli-
Car uma tensao positiva entre o coIector e o emissor’embora existindo as barreiras de potencial, a-guns
eIectr6es conseguem atravessar as zonas de carga espacia一・ formando uma corrente designada por lcEO.
Nas desiqnac6es・ O ‘ndice indica o †i申e rnrrpnto aハブaγn inr杭^ +ar品n∩一…一塁*:尋-
￣  ￣  ￣ ￣￣. - ●● ●〇、〇●ヽ-.-- 、"′ ●、-..●-...し一● 、■、〇、● 、-●1.←" ヽ ●●臆臆=-臆、"●ヽ "′「● ヽ● l

Para a poIariza9aO na Zona aCtiva, uma Pequena percentagem de po側OreS injectados no emissor
recOmbinam-Se COm OS POrtadores da base' Pe-o que, na maioria dos t「ansistores, mais de 95% desses por-
tadores que entram no emissor saem peIo coIector. Assim’a COrrente de co-ector 6 da mesma ordem de

grandeza da corrente de emissor, Sendo a corre=te de base normalmente muito mais pequena.
 apenas peIa corrente de base・

Este tipo de componenteS designa"Se POr tranSistores bipolares, Pelo facto de os dois tipos de portado-
れe P. COntr剛rem simu-taneamente Para a CO「rente tOtai do transistor.

como vimos ja na seceaO ante「ior’a maior parte dos portadores injectados E C

海蘭∴叶

葦等霊塁誓藍悪霊警告器蒜盤千二十千￣ 印!B
nida por αcc e O Seu Va-or indica-nOS O quanto a ∞rrente de CO-eCtOr Se aP「OX主
ma da corrente de emissor・ Podemos ent急o definir este valor da seguinte
● Fig・ 4.5 - Cor「entes num tran-

S fsto 「.
ia 吟 O
a 汀

- .' . 1‥・:--二つr.? - C.`-珂一-〈項C}n卒n車a子a a mrrente・ Oe-o aue estamOSa COnSiderarque

a corrente 6 constituida pe-o movimento de cargas positivas (一acunas). De notar tamDem que aS Cu購読t3>
no transfstor p-n-P SaO COmPlementa「eS das do transistor n-P-n.

considerando o transistor como um n6 onde convergem treS ramOS’POdemos relacio=ar aS COrrenteS

entre s主COmO mOstra a figura 4.5.
lE=IB+lc

Esta expressaO e Valida pa「a os dois casos e a corrente de emissor tem SemPre O Vaior mais elevac]O'

c。m。 αc圭 temos ent急o:

一E=霊⇒上二一B十一c ⇒ ⊥-lc=一B ⇒一c・誓=lB ⇒ lc=了等●lB

Designando por T:霊= βcc ’temOS que:

lc = βcciB

Esta e uma exPreSSaO S岬ficada, Sendo o parまmetrO β∞ um dado de fab「icante e dando-nOS a rela一
・工-▲-一字霊尋へ(串〔壷す野手!」恒坤登壇フnn名利璃va・
二 一  〇-▲--〇 一・・〇 (′ヽ章鯵タ、γ「▼′「1〇・ ●1し} l ●一、」● 賀- ● ヽ●- ● ヽ ●●●一● ,●ヽ●●  ヽ■"●ヽ▲● ●ヽ一ヽノ ヽj∴しヽしこヽ.ヽ_、i__〇二、  -

専∪に買-しIC鼠O))-・-…)-霊長一三〇 -- -

como a recombina9aO =a base depende de vまrios factores’entaO αcc POde variar言nclusive para tran-
sfstores do mesmo tipo, O que Origina uma variaeao razoaveI no parametrO βcc.

ーの
 Por ex. Se devido a varia9肴O de temperatura ou a outro factor qualquer, αcc Variar de O,98 para O,99, O

que, aParentemente・ 6 uma pequena varia9aO, temOS OS Seguintes valores para βcc:

0.98 .〈
’￣∪し1-0,98

2"Ocaso αcc=0’99 ⇒ β∞王詰=99

Como se verifica' uma Pequena Va「ia9ゑO na 「ela9aO entre a CO「rente de emissor e a corrente de coIector
…ヽ《● `ヽ「●"1′ヽtヽ●ヽ -ヽ ●`観←、 ←.′“-.-..￣、.“ヽ.“-←“- ●-.、●.←- ●○○へ.○○`.-、 一..- 一〇一一〇一一、 一←●- ○○.〇一∴●-.-●.-・一・一・一- 《←      ● ●- 一 -- _ _   _ `_`- _
￣￣￣ -‥口〉●= - _.輸.-=-ざ輸〉 r-●- …-一〉 -〉 -〉-'〉 ‥- r一'u…、・‘・∪一・CC- , ∪‥O`>u’V ‘aUl一し則'‘。 `Jaト“削C‘ Oeしt=ト′C"a-

me書ro um vaIor m緬mo, um Valor minimo e um valor intemedio, designado por valo「 tfpico,

Uma vez que a corrente de base 6 a grandeza que controla a passagem de corrente de colector, e que POr
isso esta corrente 6 proporcionaI a corrente de base dada por lc = βcc-B, entaO define葛Se eSte ParametrO

COmO Sendo um ganho de corrente c.c.

雷㊨塑造遜遵覆盛轡盛感題の理醸錮蓮騒擾欝㊨覿

Consideremos as june6es n-P-n, COmO mOStra a figura 4.6. Se o E÷ 蒸 着

trans(stor nao estive「 poiarizado, naturaImente que temos as res-

Pectivas zonas de carga espacial' Sem COntudo circular qua-quer

COrrente , B

A figura 4.7 mostra as duas jun?6es inversamente poIa・

rizadas. Devido a existencia da barreira de potenciaI (ZOna
de carga espaciaI) emissor-base, n急O 6 permitida a passa-

gem de portadores. NaturaImente que hまportadores, Produ-

Zidos termicamente・ que Se eSCaPam Pela barreira de poten-
CiaI e por isso d急o origem a uma corrente m面ma, nOrmaI-
mente desprezavel.

A figura 4.8 a) mostra as duas jun96es pola「izadas djrec-

tamente. Nesta situa9aO, aS ZOnaS de carga espaciai dimi-
nuem Ou anuIam-Se e OS POrtadores maiorit釦os (electr6es)
do emissor e do coiector fluem para a base, PeIo que as cor-
rentes poderao ser elevadas, Visto as jun96es estarem a fun-
Cionar como dois dlodos polarizados directamente, COmO
mOStra a figura 4.8 b・ Este tipo de polariza辞o nao 6 vuIgar-
旧。間el uし壷証d, Vislu壷u naver qua-que「 COn{rOIO Ou reIaCaO
entre as varias correntes’Pelo que nさo tem u細dade pratca.

A jun9aO base-emissor polarIzada inversamente e colec。

tor-base polarizada directamente nao 6 u帥Zada, devido a

Pr6pria constru9aO do trans(Stor, em que O COlector 6 de maio-

res dimens6es para permitir maior dissipa9aO de caIor. Esta
b)
POlarizac負o 6 0DOSta a indicada para a zona ac†iva・ Pelo甲e
●「"  ●ヽ○ ○○  ○ 一′. ′.-. -.←←●←′′. ′′.-●′-章、●「′「 ●iヽ●ヽ●一、

Ser!a equIVaIente a trocarmos os terminais emisso「-COIector.

￣ ′    〇    〇 〇￣- ′￣   軍 ￣ ￣ ￣  - - ・・

di 「ec(a

b) Circuito equivalente
 上
Resta-nOS a jun9aO base・emisso「 polarizada

畦
-
ト
ー
割rectamente e a jun9aO CO†ector・barse poIarizada
. ・ I ・臆 ○○_ _I_ __▲..」《 `_:■《 .へ}、+タ、

・丁+呪--I-
.-.●●一   〃 ′′ ′●-  ′′ ノ′ . ′. ′..-′ 一ノ" ノ . -タ イ . -- .′.-● 一〇〇′  ′● ノ●′`」′ ▲●′ ′●○○′

器
α
A figu「a 4.9 mostra o t「ansisto「 COm eSta

`
⊂
POIarizac急o, em que a jun9aO base-emissor funciona

-十世-

-十明-←
como um dfodo, maS a jun辞O COIector・base, COm

ー
ーーー
1○○

ーヒ
POlariza9aO inversa. Da-Se aSSim origem a que a cor-

一-一
鳩nte de colector dependa da corrente de base, COmO
Vimos, PeIo que podemos considerar que esta june急o
funciona como uma fonte de corrente dependente,
e Fia. 4.9 _ Montaoem  ㊤ Fia. 4.1O-Mode10 de
- ノ ー  -   ′      ノ ′    一   一-ノ ● 一      一/   -   ノー′●--.一● ノー● ′′●′0.′`-…′ 1ノー′●′′ ′-

)elUくブ・ lc = HccIB uu Ic - uCCIE U〉…-’J`A.V'〉●-=〉“賀…￣￣●

E,C.            ヒ日ヒHS・MUしし.
Esta montagem costuma designa「-Se POr mOntagem
EMISSOR COMuM, abreviadamente E,C., uma VeZ que O emissor 6 comum as duas alimenta96es. O
esquema da figura 4.10 traduz o que se disse e e designado por MOD軋O DE馳輸S-MOLL.

O mode-o de EB開S"MOしL 6 um esql撃ma Simp冊Cado do transistor・ O=de se desprezam vまrios pa「a-

metros deste, OS Chamados par合metros HIBRiDOS. Em capituio posterior, faremos um estudo (SjmpIifica・
do) destes parametros, PeIa sua面portancia quando o transistor funciona em co汀ente alternada e em altas
(ほし1u割IしI乙も・

Na figura 4.1 1 estao representados os s面boIos dos transfstores n"P-n e P-n・P・ COm O 「eSPeCtivo senti-
do convencionai das correntes. Na figura 4・1 2 estao os mesmos slmboIos’Se=do as correntes rep「esenta-
das com o sentido electr6nico1. NormaImente, 6 u細zado o sentido convencional.

e fig, 4.1 1 - Corren‡es co佃enciooals肥m tranststor O F喝・ 4.12 - Correntes no sentido electrchico

㊨問題弼鑓観鑑弧の雷圃麗璧簿留置醜範囲⑱胃鼠舗簿麗溺雷⑱醗

〇・] ￣ II]帥U調uシ貨U

Pelo facto de os par合met「OS do transistor variarem significativamente com o ambiente de trabaIho, mui-
tas vezes, quando necessitamos de va10reS PreCisos, 「eCOrremOS aS Chamadas curvas caracter(sticas do
trans(stor, que SaO graficos dados pelo fabricante para cada tipo de transistor. Podemos ainda obt釦as em
iaborat6rio.

Como vimos, num tranSisto「 temos varias grandezas relacionadas entre sj, Pelo que, Para Obtermos as
CurvaS CaraCteristicas, temOS de fixar (manter constante) algumas das grandezas, de modo a podermos
「elacionar as outras.

・・{ ……岬--一一着・-「 、 --・-… -一-・…-7-鱒

 Considere o esquema da figura 4.13, que mOStra um circuito
COntendo um transistor n-P・n, reSistencias para limita9aO das
COrrenteS e reSPeCtjvas fontes de polarizaeao,

￣ ￣“￣￣￣●’ ￣￣￣’ロ‥￣“ 〉￣ ’-白)) })=Ir)i.)=.)) )′--∴》・輸‥--←農) --

Seguinteノforma:

UBB ⇔ Tens急o de poiariza9aO de base’Para Se distinguir da UBB

tensao de base UB.

Ucc o Tensao de poIariza9aO de colector. A tensao do coIector

6 natu「aimente Uc. ● Flg.4.13-Montagem E.C. com as res

V倉S nnl倉「iフ倉n戸池亀

RB O BesISt台nCia de polarizagao da base.

IB

Rc ⇔ Resistencia de poIarizaeao do colector.

Como se verifica) O Circuito 6 constituido por duas maIhas e tr台s corren-

teS, aParentemente fac= de resoiver. A dificuldade na an訓se deste cjrcujto
explicase por a tens急o uBE’Sendo constitu(da por um d(odo, COm uma
Deauena Variacao・ dar oriaem a uma variac5n rIa mrrente rla h氷o中er
CaraCteristlCa de transferehcia da base figu「a 4.14) e por conseguinte a
uma grande varia9急O da corrente de coIector・ Visto que `c = βcc IB. Surge
ainda outro probIema’que 6 0 facto de o par釦etro βcc variar signjficativa-
● Fig. 4,14 - Curva caractert
mente de transIstor para transistor.
de base

Para uma analise de circuitos’Sem grande necessidade de precisao, nOrma-mente consideramos est
仝__○○○ _⊥-__ _  臆 臆

Par合metrOS COnStanteS UBE e Bcc. Para uma an訓se mais cuidada, reCO「remOS aS CurvaS CaraCter(sticas
transisto「. aue descrevemos a seQui「.

Para tens6es UcE majs eIevadas, da origem a uma -igeira dim時ao da corrente de base, PeIo
Obtemos outra(S) curva(S), COmO Se indica’na meSma figura, a traCejado.

鼻3 - C〃r昭s ca伯cぬ庵的as くわ○○ねcめr

Para obtermos as curvas de coIector, temOS de

reIacionar as grandezas envoIvidas,一c e =cE"

Fixando IB e fazendo variar ucE atraV6s de Ucc no

Ci「cuito da figura 4"15, Obtemos a figura 4.16, que
rePreSenta uma das curvas Ic(Uc∈) de um trans(stor
●∴∴i◆…=●    一 -...- ′、 ‥′●-′、 ●●.-1-- 一、∴′--一一----一- 一一 一一一一 一_
￣-‥i rしし   ’-葛 } 「、《〇、一 細‥・、- --‥、′=“) 、一ヽ′ 」′」●〕ヽ_ 、一、_

20叫A、 ⊥    ÷  ÷
●円g. 4・15-Circuito ut服ado =a Obten9aO das curvas

COi ecto r
 Pa「a uma tenSaU ucEこV’a ju`一Y場〉 -￣

urva comeea =a Origem dos eixos・

t I l
Fazendo aumentar UcE at6 um va10「 Pr6ximo de U随

taproximadame=te O’7 V)・ a COrrente aumenta 「aPidamen-

.   臆____ ‥__ _.‥′、 .、 ;〃Ih-

e, eStab帥zando a partir deste va-or, uma VeZ que a jun-

臆__ ○ ○ :...{(ス′ヽ

inversamente e a jun9aO
碕O COlector-base fica polarizada
hae○_amis§or com DOlarizaQ急O directa・ Nesta situa9aO’a

corrente de co-ector dePenae qua>きC^読Si‘v’aiT演台∴六二二

co「rente de base, 'ogo Ic mant6m-Se Praticamente COnS-
tante. A pa面deste valor de Uc各(O'7 a l V)' O aumentO
ligeiro de lc 6 devido ao aumentO ligei「O do camPO na
regiao do co-ector, maS na Pratica conSidera-Se a COrrente
臆_ _ _‥.。,__,へ書.、- 1t

constante, lc = βccIB. SeふntinuarmoS a aumentar ucE’

naturainente que, a Partir de certoS Valores isto dまorigem . Flg・ 4.16-Curvadeco‘ecto「Pa「a lB=20 HAe
主宰:真幸。n卒叩r §ua VeZ a destrui蜜o do tranS(s.   βcc=100.
tor, Esta tenSaO 6 designada por tenS急O d冒’uP肯a’
sendo um dado indicado nos catatogOS de fabricante.

A curva caraCter(Stica 6 praticamente用near at6 valores de Uc∈, aPrOXimadamente O’2 a O’3 V・ Esta 6 a
chamada zona de saturaeaO’n急O eXistindo quaIquer re-a9aO entre a COrrente de base e a CO脚te de
colector. 1sto signiftoa que a re-a9aO Ic = βccIB naO Se Verifica・

○○__J《= ,t合∩つIa n(2Vat60.7al V,aPareCe o chamado joelho da curva, Onde nao pOde一

′ .  重 __∴《.{′、 ●ヽ′ヽで、+′⊃

mos tirar quaisquer rela96es entre aS Variまve-S, Pe-O que deve冊e諒a章C J ‘:二・㌢ニ∴……’、 ’… 〉 ‘〉￣￣￣-

para vaIores de ucE maiores que O’7 a l V・ temOS Ic p「aticamente COnStante (CO剛geira subida)・ ZOna
esta designada por ZOna actlva e a que ja f-ZemOS referencia anterio「mente. Esta 6 a zona em que nOrmaI-
mente funciona o tranSistor, Visto termOS uma re-a9aO Itnear entre aS grandezas Ic = βcciB, COmO Vimos・

r中立-ご・ご rJ- `∴こl〇一専一上一日a‘fro oe-ofabrlCante’a COrrente de co-ector sobe drast一-

camente. Trata・Se da zona de ruptura・ que da origem a deStrungaO du岨OISiO詰C;l言::∴十
para valores de UcE inferiores a ze「O VOlts, a COrrente de co-ector 6 praticamente Ze「O’PeIo que na
p「各tica 6 desprezaVe一・ Esta zona de funcionamento 6 designada por zona de corte’ic二0.

se fixarmos IB em OutrOS Valores relativa・

ーbl-I

mente aos utilizados na obte=eaO da curva

descrita, VamOS Obte「 varias curvas・ COmO Se
’、’「’- 60いA

como se verifica na meSma figura) eXiste 50しい

uma curva para -B = 0. 1sto significa que 40いA 30トA 20トム

mesmo com a base do t「ansfstor desligada

temos uma co「rente de colector minima・ desig-
nada por lcEO, COmO ja referimos anteriormente 10いA
aauando do estudo das june6es em que Se 0叫A

considera tamOel冊甲t, ∪論rieiこ:じ; J∵二㌔'

百百百
COれe,
●円g. 4.17 - Curvas Caracteristicas de colector Para Pcc = 100.

・     ___._叶が ---一一u"-一轡
一・n+ ESPEαHCAC6ES DE UM 7槍ANS庵TO層

Como ja referenciamos, eXistem grandezas (maximas) indicadas peIo fabricante e que deve「尋o ser 「es￣
上l●○○ ○○ 〇一 一 一〇-‥:一 一一 -へへ《{:`:〈へ(ス(〈 .ヽ〔ヅ〔 ′1r〔輸_
- - ▲- 一〇 〇 --●-一一一 =●…●-′、m■、′、 ′、′、 .′「′ヽ"ヽ′ヽ"ヽ●▲ヽ=ヽ▲  ●ヽ●ヽ"‥●、●→.●〇一‥●」一」  ‥●● ●、● -●●‥--○○- 一→ ・---●●-… .一 〇 〇- 臆、●●● ←-●"---‥←-、▲、--● ヽ…い▲ ヽ一い一●●

dezas cont「nuas indicadas pelo fabricante, que devemos ter sempre em conta ao u帥zarmos um transistor.

UcEO - tenSaO COIector-emissor com a base em aberto

UcBO - tenSaO COIector-base com o emissor em aberto
UBEO - tenS肴O base-emissor com o colector em aberto
lc - COrrente de coIector
PD - POtenCia dissipada peio trans(stor

As caracteristicas mais importantes que nu=Ca deverao ser ultrapassadas s肴o as duas踊mas, em que
PD, POtenCia dissipada pelo transfstor, e dada por: PD = UcEIc.

e里壁畢博識軍師弼餌師弼⑱醐避雷㊨弼㊨鮮卑壁
Na analise feita, na SeCeaO anterior, relativamente as
curvas caracterlsticas de coIector, aS Variaveis em jogo
eram UcE e lc" O ponto de funcionamento em repouso
6 def冊do como sendo o valor de lc e UcE de qualquer
Circuito com transistor (neste caso), POdendo ser ma「Ca-
do no respectivo gratico Ic(ucE〉・ lc em funeao de UcE.

Consideremos novamente o ci「Cuito da figura 4.13,

representado na figura 4.1 8’Onde estao representadas

議罵言提議扶篭‡譜言霊誓r que . Flg. 4’18-Montagem emlSSOrCOmum.

Para se obter o sistema de equa96es que nos pe「mite determinar as v緬as ∞rrenteS do circuito, VamOS
u輔zar as leis de K旧CHHOFF (iei das maIhas e lei dos n6s).

Conside「ando as malhas indicadas e a circuIa9aO definida, Obtemos o seguinte sistema de equa96es:

1.a malha ===≒ト(1) -UBB+ RBIB+ UBE=0

2.亀maIha ==こト(2) 一Ucc+ RcIc+ UcE=0

N6  一書臆臆臆臆> (3)圧=IB十lc j急definida anterlOrmente

Aparentemente, O Sistema parece indeterminado, uma VeZ que temOS 4 variaveis (lB; lc; lE e UcE) e s6
temos 3 equa96es, maS, Sendo βcc constante, temOS a reIaeao definida anteriormente, 1c = βcciB, que Se「a
a equa辞O que faItava.

〇 三’“三‥-一一一一一一一」-- - ∴-」-- ‥〈記章〈-一〈 r:‥〈 nへil a ^m‘き∩三信am〈C> ''ma eA‘′会riん0l na 9a小I稲Vari5-

●一口一●●、一●●●"● ● 白●一〇●▲-●◆● ●" --●-‥-●i●「● 、……●、-◆● ●、●- ●- ●→- …‥ -  ---一一一一一一〇-i- 〇、一●‥-i- 、一‥●-- -葛   --  臆臆 「 、

Veis e na 3.窒tr合s variまveis.

o sistema COmP‘eto fica da seguinte forma:
-UBB+ PBIB+ UBE=0
f l l   . 「} I

￣ し′¥ノ     “一 ￣

lE=lB十lc

l Ic = βccIB

vamos verifiear que a 3.a equa9aO (neste Sistema) nao 6 neceSSaria・

周⇒蝶理′C丘かDO SIS唯伽DE EQ明徳S

。。 4坤uae急。 tir急mOS IB詰e substituindo eSta Variave- na l.a equae急O temOS:

一∪。。+。B拒=0 ⇒誌・一c=UBB-UBE ⇒一c=呈出

c+∩くe Ve而ica na equae急O aPreSentada・ lc est各Ca-cu-ado porque depende s6 dos valores dos comPO-
nentes do circuito. SubSt…du tふ舌re3演昂じ::二二 '∴′・r∵∵一-. --
- UB巨)
-UBE)
Rcβcc (UBB
ーUcc十 +UcE=0 ⇒ UcE=Ucc- RB
RB

s州“U RACÅ○
Assim, CaIcufamos aS duas grandezas que de帥em aS
duas cOOrdenadas' que nOS Permite rePreSenta「 um POntO nO
一・ --一… …言∴‥∴言∵∵聖早!丁n n軍制NCき〇・ 聞園田
NAMENTO EM REPOUSO abreviadamente (P"師")・ U
ponto esta representado na figura 4.19 com a designa9aO Q.

os valores que rePreSentam O P・F.R・ designam-Se POr lcQ Ico

e ucEQ.“￣￣
ウ ヽ′C巨Q“ De .●￣￣￣葛  ●
nota「 que eSte POntO COrreSPOnde a uma determL
. ,臆__ 重_,〈 …,A aela「負eemore SOb「e uma
nada corrente de base’Pelo que esta「a SemPre
curva qua-quer do gr飾CO.

. Fig. 4"19 - Bep「eSenta9aO do P.F.R

配醒$田配輔弼 醜鼠鋳金

Ao analisarmoS aS equae6es da seC9aO anterior, que nOS

permiti「am determinar o P朋・・ Verific緬os que・ Se aIterar一
㍍ = ÷r’霊霊^掠倉卒de base (UBB) ou a reSistchcia
de base (RB), ObtemOS um Valor d一†erente Pc胴iB e PC丁Lしr
seguinte Out「OS Va-ores Para UcE e 'c. Assim’aO Obte「mOS ucc
outro ponto, POdemos rePreSentar uma reCta (de referir que E
dois pontOS definem uma reCta)・ Esta recta・ Obtida atraV6s de
dois pontOSui011=-)￣,
○○1S PUIlしUe distintos, designa-Se
￣￣￣“ブ’1￣- ￣ “POr reCta
臆_ _ 」と_ ___.《_ de carga’rePre-
^e+各< rOf合嶋nciados

sentada na figura 4.20. Os dois pontOS estaO referenciados

na mesma figu「a POr Q e Q・ e repreSentam dois pontoS de
一-・一……,・言…二∴芋ごつ小m〇年mO Circuit〇・

vamos exe岬fica「, atraVds de dois exerCicios pratCOS’

como se pode obter a reCta de carga de um Circuito.
常置※直配⑥隠口⑥ 4.1
R」

「十二十「
†Ic
figura 4.21 , COm:

園田
RB=20kQ U随=0-7V
Rc=400[2   Pcc= 100
Ucc= 10V UBB=2,7V

Circuiando na maIha da esquerda temos:

massabemosque:一B=βccIB ⇒ lB=富entao‥

-UB。+智。+∪。E=0 → I。=豊・(UBB喜UBE)

lc=z而×(2・7-0,7) ⇒ Ic=0,01A ⇒ lc=10mA

CircuIando na maIha da direita, VamOS Obter o vaIor de UcE

-Uc○+RcIc+UcE=0 → UcE=Ucc-RcIc

UcE=10-4 ×10Zx「OxlO’O → UcE=10-4 ⇒ UcE=OV

concIusao: Q「 = (UcEQ「; lcQ,) → Q「 =(6V; 10mA)

常置※匡聡⑥晦口⑨ 4。2

Em reIacao ao circuito anterior e aos dados do exempIo 4.1 ’aIteramos somente PB Para lO kf2.

Fazendo um raciocfnio identico ao anterior obtemos:

一cこT#×(2・7-0・7) ⇒ Ic=20mA (lcQ2) SATU RACÅo

UcE= lU￣41Xlリ スと∪人iU  ニブリcE-C.V∴∴¥〉CEQ21
半/ Q Qi

Os pontos de funcionamento em repouso para Cada situ-

a9aO e reSPeCtiva recta de carga, eStaO rePreSentados
na fig. 4.22・
 -Ucc+RcIc+UcE=0

se fizermos entao UcE = 0言emos o POntO em que a reCta de carga corta o eixo das ordenadas’

-cMÅx=盲・

Se fizermQS Ic = O, temOS O POntO em que a recta de carga corta o eixo das abcissas, Uc帥Ax = Ucc.

Unindo estes dois pontos, temOS a 「eCta de carga. Qualquer P.F.R・ Obtido para cada circuito encontra-
-Se, SemPre, SObre a respectiva 「ecta・ Os pontos analisados correspondem as ext「emidades da recta de

↑?rla亡はd庵∩ γO「rOくenね小s n亀fioura 4. 22・

∪。E=O⇒ -Ucc+Rc`c+0=O ⇒一c豊⇒一c=蕊⇒ lcMÅ×二25mA

Ic=0 →一Ucc+0+UcE=0 ⇒ UcE=Ucc → UcEMÅx=10V

常圧X直隠⑥晦□⑥ 4.3 (ResoIvido)

Considere o circuito da figura 4.23, em que血roduzimos uma resistchcia no emissor, reIativamente

ao circuito anterior. Consideramos ainda, Para O tranSistor, uBE = 0,7 V e βcc = 1OO (dados de fabricante
l     〇 〇二I_ _.__ヽ

Vamos caIcuIar as v急rias correntes e tens6es que nos permitem dete「minar o P"F.R・ e a recta de carga・
As grandezas de que necessitamos sao Ic e UcE.

Primeiro, VamOS fazer uma an訓Se te6「ica pa「a que o leitor comp「eenda os processos de resolu9各O
deste tipo de p「Oblemas.

_ ll_ ○ ○  __.一.__ _._◆-ヽ-:(}.○○ヽ′ヽ●・ヽ}(
● 〇一一〇"ヽ ′、., }▼ノ【-●◆●-、‥  タ、′………-‥、● ●一 一,,一● . 、‥.「-- ,‥′〇一i●,.-、 - 章i∴←, ●i‥ゝ′ ▲書=Jヽ′′●ヽ一…●1一●●、ヽ一●

ヽノヽノIIIヽノ ●ヽ- Y1.章lIiヽ′嶋) 、ノ、ノ白、-=、一、一・‥-○ ○ ○○1 - - - -

Circulando como se indica na figura, Obtemos:

Malhadaesquerda: -UBB+ RBIB+ UBE+ REIE=O

Malha dadireita: -Ucc + RcIc + UcE + BEIE = 0

lc
Oauel"U叩u。. 1E-1B十・C当u〉 'し￣rしし・b U Pc
1.O - Substituindo IE naS duas equa96es (IE = lB + lc)・ Obtemos:

」∪。F,+R。IB+UBE+ PE(IB+lc)=0

十Ucc+ Hc-c+ UcE川E帰†一c声

-UBB+ BBIB+ UBE+ REIB+ REIc=0

一Ucc+ BcIc+UcE+ R∈lB+ REIc=O

-UBB+ (R。+ BE)lB+ UBE+ REIc=0

-Ucc+ Bc-c+UcE+BEIB+ R∈lc=0

2.O - Substituindo lβ naS duas equa96es (lB = lc / βcc)’temOS:

●円g. 4.23 - Circulto com t「anStstor

ーUBB +豊十UB∈十BEIc =O DADOS:

UBB =2)7V
R古.[, _∩ R。こ82k膿
し 毒‥.し●し ￣レ亡 β。。 Hc こき,JKi∠
RE =1k露
Associando os termOS Semelhantes・ Vem: U∞=15V
β∞ =100

〈中国-c十UBE=0
十JccT半丁。E I p:) -・し‥∴こrf

Na primeira equaeaO temOS uma面ca variavel (一c), que POde ser reso-vida, Para de seguida substituiト
mos o respectivo valor de Ic na segunda equa9aO, ficando:

巨=豊
ucE=Ucc-(Rc十RE+計一c
l
De notar que a棚ma equa9aO que Se Obt6m da ma-ha da direita re-aciona UcE COm lc’Pelo que 6 sufi-
eier座r‘ara∴Ca-curfu a recta de carga, fazendo UcE = O ou lc = O de modo a obtermos os dois pontos extre-

De notar tamb6m que lc, e POr COnSeguinte UcE’dependem de dois par合metroS (βcc e uBE). Como
vimos, eSteS ParametrOS POdem variar com o ambiente de trabalho’Pelo que・ Para uma a圃Se mais cuida-
da de um circuito, devemos ter em COnSidera碑O eSta Variac急o・

Em rela9aO aO Par合metro βcc pode ser muito diferente・ meSmO em tranSfstores do mesmo tipo’Pelo

宰rl。亀rTro ter`d。 C‘ ¥加r dado pe-o fabricante亜de, em CertOS CaSOS, haver neCeSSidade da sua determ主
naeao que 6 objecto de traba旧O de laboratOrIO. U Seu VaIu【叩t描"L’卵S三一● C;こふこC PCr :二:=L:‘芦∴.白…
haver apare-hos de medida para o efeito・
 UBB -UBE Neste caso estamOS a desprezar a queda de tensao em F]B.
Ic=
R戸

b) Uma out「a simp-ifica9aO’POr VeZeS bastante grosSeira e por isso n各o muito u剛Zada, 6 consjderar que
Iとこlc. Neste caso’eStamOS a desprezar IB COmParado com lc ou lE. Assim’O PrObiema fica 「esoMdo na
determina9aO da recta de carga’COm a analise da maIha da direita do circuito, fica=do a expressaO da
Seguinte forma:

-Ucc+FIc-c+UcE+REIc=0 ⇒ UcE=Ucc-(Rc+RE)Ic

Fazendo -c=O temOSumPOntOda rectadecarga UcEMAx= Ucc

」と些_.
Fazendo UcE = O temos O Outro POntO Ic日MÅx =
Rc十RE

_ 臆○ ○  _ _. ÷_ 〇〇〇。_ {〃置置I●-′ 冒テロ′〆ヽ月′ヽ,き
.￣￣了 F書きこeUJ明し〆 且′デモゲ印冒〆「○○さす′運, q一′9沖さき なさ, ○}一--- ￣
●、"m   〇一￣○○-  - "- 置●1●〇〇 〇  - - --   -- -、- -○ ○  -重.○○種  -置○○.-- -  --- 寄○ ○.-●一 ● ."○○嘉

Malhadaesquerda -UBB+ UBE+ REIc=O

Malhada direita  一Ucc + BcIc + UcE+ REic = 0

車掌
UcE=Ucc-(Rc+BE). lc

utilizando os vaIores dos componenteS do circuito, VamOS aP「eSentar OS CalcuIos das equac6es’naO
si岬ficadas e simp臨adas, Para Se COmParar COm O errO COmetido na segunda situa9急O. Segundo a anan
Se feita, temOS:

NÅo sIMPしiF置CADA SIMPしIFICADA

U関-UBE
UBB -UBE
1 〇 一 - - - - 1 -   1 - - - - 、

IcQ =
IcQ = RE

UcE。 =∪。C一(R。+RE). lcQ

UcEQ =Ucc十十RE富子IcQ
一m+ coNS他日棚NDO OS甑LO層ES DOS COMPON即すどら7樹NOS:

IcQ= 1’83mA IcQ=2 mA

Como se verifica para os dados apresentados’O errO COmetido com a simplifica9aO 6 da o「dem de lO%,

Pelo que para prQjectos que exI」am uma Certa PreCisao 6 aconselhaveI utiIizar a an訓se compIeta.

Para o c副culo dos pontos extremos da recta de carga, fazemos Ic = O ou UcE = O na fun9aO de transfe-
rencia do circuito, COmO ja referimos anteriormente:

Ucc=HcIc+UcE+ HEIE

Fazendo a respectiva analise, temOS:

NAO SIMPしIFICADA S書MPしIFICADA (Ic = lE)

し十一早-. ⊥-」上里竣工.早」-
pcc

ParaIcこ0 → UcEMÅx =Ucc Paralc=0 → UcEMÅx =Ucc

Ucc
ParaUcE=0 → lcMÅx = ParaUcE=0 ⇒ IcMck =吉富
RE(βcc十1)

∪帥zando os respectivos vaIores, Obtemos:

UcEMAx= 15 V UcEMAx = 15 V
!cM叔こ3,48 mA IcMAx = 3,49 mA

De notar que para o calculo dos pontos extremos da recta de carga, O e「rO 6 muito pequeno comparado
COm O anterior, desde que o parametro βcctenha um valor razoaveI, Pelo que na pratica podemos u細zar a
-‥・---○○二〇 -∴○○-I:重!一--I- -- -」ふ一・-〇二- 」○○ -〇一 -▲-一 一・-▲-・---一○ ○l_ _ふふふ_ _I_ ○○-___
●-…白--●" ●-"へ▲ ● 、●●ヽ● ●● い▲●●▲ 一1● 、一- ● ●.〇、 … …-… ■-、● ● . ●● -- … ……○○ .- . -●-…● -- ● i一、 ▲●i●-1 ヽ一〇 ● ●〇・- ● ■-}● ● ●一〇

e髄cTA DE aALREA C・c・ (cO耶聖堂92

△ rar†食rla rc‘rrla佃-a †会mne ar`a吊earhムrIaeir'na′十Q r`nr rar+cl rla ^会rrla Qm r‘nrrQnta r`r`nt(mIa /〈 r ¥ rnmn
￣1ヽ￣ヽ ● - 葛〉● 、-ヽ ヽ---- --   -- -- 一、一--十- - ○ ○葛 -- ---○○ ●--   --.-、 -i- --- ←へ-一 -、 、 --  - ‥- --  -1 --● ヽ葛--●●  葛 - ● -

VeremOS em CaP血lo posterior, eXiste tamb6m recta de carga quando trabalhamos com sinais variaveis,
designada por recta de carga c.a。

Podemos representar uma recta de carga no g「afico das curvas caracteristicas de co-ector, Para meihor
Visualizar como funciona o transistor e em que regほo opera.

A figura 4.22 mostra uma recta de carga c"c" SOb「eposta as curvas de ∞一ector. A intersec辞O da recta
COm O eixo vertica=ordenadas1 6 caIculada c。nSiderandoし」 = 0. qLle・ Pa「a O Circuito da fioura 4.23. 6

dado peIa reso山9aO da equa9aO Obtida・ Ci「cuIando na ma旧a da di「eita. A intersec9aO da recta c。C. COm O
eixo ho「izonta1 6 obtida da mesma equa9急O’COnSiderando Ic = 0.
 o ponto de funcionamentO em rePOuSO (P.F.R・) ser急a intersec9aO da recta de carga COm a Curva COr-
responde=te a COrrente de base caIculada no circuito.

Aumentandoacorrente de base・ O P.F.円. deS-OCar-Se-示U読; d '‘請a C;C完:声::= ‘∴‥￣’●・’‥、’、￣￣ ￣●-“￣ ￣:

ordenadas. Com o aume=to da cor「ente de base’a COrrente de colector tamb6m aumenta, e POr COnSeguln-
te aumenta a queda de tensaO em Rc・ O que Origina uma diminu脚de UcE. Quando o P・蘭・ atinge o
ponto malS a eSquerda言ndicado no gr緋o da figura 4.22, O tranSfstor entra na SaturaeaO’PermaneCendo
ucE aPrOXimadamente COnStante num Va教or pr6ximo dos O・2 a O・3V’COmO ja menCionamoS anteriormente.
Quando o transistor ent「a na Satura9aO・ deixa de ser verdadeira a reia9各O lc = DccIB・

∴∴ ∴∵∵∵∵二〇 1 r^rran一〇 1南hase・ O P・F.R" desIocar-Se-a Para a direita at6 atingir a

curva indicada com -B = 0・ Neste casO’O tranSistor entra aO COne.叩uふi i華てa証言∴∴￣ ￣￣

que o p〃F・R. se localize em qua-quer pontO da recta de carga・ desde a saturae急O at6 ao corte.

㊨量感㊨地鴨宮⑬愚 咽曙王墓工露A蜘D O 富鼠血的S壬s冒0東田$

訂
Cirouito comO /nferrupfor

como 6 do conhecimento gera主um COmutador・ aO COrta「 Ou

estabelece「 a COrrente num Circuito’Origina sobreintensidades ou

picos de corrente justificados atrav6s da Iei de Lenz. Estes picos de 豊田町聞出二﹁

一___ ,‥.….∴∴:∴∴二二∵言霊=享二〇 e.lartrAnir捕∴。elo aue

ー
por vezes ha necessidade de diminuir estas variae6es b「uscaS Cla ∞

o esquema da figura 4.24 6 um exemPIo de um circuito que

pode ser u輔Zado como COmutado「 electr6nico.

e Fig. 4.24 - Transisto「 COmO interruPtOr

considerando que a reSist台ncia de colector RL 6 a resis-
- ._. _‥.、…、….、 …‥∴:二〇二・一 -・(」へべき
tenCIa ae Caigcl, =a l1甲a- Yu〉'〉=●￣￣ ’ ￣-

funcionamentO, POdemos dimensiona「 a 「eSistencia FIB Ou

utilizar uma fonte UBB Para que O Circuito' quando em fun-
cionamentO, leve o tranSistor a saturae急O e aSSim quase

閏器
toda a tensaO de a-imenta9急O Ucc caia na resist合ncia de
carga, uma VeZ que UcESAT = O,2 V pode ser desprezada'
se lB = lBSAT’O P.F.R esta na eXtremidade superior da recta
de carqa・ COmO 6 indicado na figura 4.25.

Desligando a base do transistor’este entra aO COrte, Pelo

Uc∈C○R隔 Uc巨
que nao hまcorrente lB e POr COnSeguinte lc = 0. Logo, n急O
ha queda de tensao em FIc’ficando o P.F.R Iocalizado na
extremidade inferior da recta de carga) figu「a 4"25. Este
sera o funcionamento ge「a- de um t「anSistor ut醇ado como
i nterruptOr.
 常圧※直隠⑥絢⑥ 4〃4 (Resoivido)

￣-‥ ●￣’●￣す、￣￣ “￣￣ 〇°’●●)〇一●-) 場、《 =こ)、-●、〈 ●..- - }、《●)、一●、- -

COnSiderando os seguintes dados:

Ucc=10V; Bc=2,7kQ; UBB=3V; βcc=100

加酸⑥』蝉⑨言l
「a「a que O [「anSiS工Or enIre aO COrIe, DaS【a aeSIIgar a TOnle ae lenSaO ae POla旧Za9aO aa base, uBB, uma
VeZ que a COrrente de base 6 nuIa, O que imp=ca Ic = 0.

Para que o transistor entre =a SaturaCaO’a COrrente lc deve「まoriginar uma queda de tensao na resist色n-
Cia de colector Rし) de modo que a tensao coIector-emissor tenha um valor da o「dem dos O'2 V, UcE de satu-
「ac急0.

Circulando na malha da direita. 1emos:

-Ucc+RLIc+UcESAT=0 ⇒一csAT=Le蛙⇒一csAT=芸諾⇒ lcs,T=4・9mA

R」

A co「rente de base minima que leva o transistor a saturaeao 6 dada por:

IBSAT=車工→一BSA,=「㌻- ⇒ IBSAT=49uA
I ヽ、ノヽノ

49 uA sera o vaIor mrnimo da corrente de base, Para garantir que o transistor se encontre na satura9急O.
Entao' CircuIando na maiha da esquerda, Obtemos:

ーUBB+RBIBSAT+UBE=0→RBMÅx=UB B-UBE→RBMÅx=47kQ lBSAT

ー…「… ・--・〕・-‥… )〕‥…… Y…ノ・ …-……) )読売u) uq …9印-の…I種…-)ロ出口uC i小貫0ロeu耳馴∪-願

lBSAT’garantindo que o transrstor, quando em funcionamento’Se enCOntre na Satura9aO.

g-2 - 77ans応めr como fonfe lfe colγenfe

Exjstem ci「cuitos em eIectr6nica que necessitam de u輔zar correntes cons-

ic"lt3D’li-u叫印￨’印し。同訓しC3 UU Vcl一∪用a側sし。冊。 ue C嶺rga u…Zaaa. r`ela leI

de OH叩Sabemos que a cor「ente que circula numa resistencia a-imentada por

uma fonte de tensao, depende do vaior dessa resistencia.

Considere o circuito da figura 4.26. Analisando a equa9aO Obtida peia circu-

1a9aO na maIha da esquerda, Verifica細Se que a queda de tensao em RE 6 cons-
tante e dada peIa seguinte express急o:
 Se U膝6 constante, a CO「rente que Circula nesta resistencia 6 consta=te e POr COnSeguinte lc tamb6m 6
∞nStante, O que Significa que a co「「ente que circula em Rc, 「eSistencia de carga, 6 sempre a mesma, inde-
- l _ ,

Os circuitos deste tipo designam-Se POr fontes de corrente, Visto podermos regular a corrente na carga,
Segu=do as necessidades, at「aV6s da resistencia de emissor ou da fonte de poIarizaeao da base.
Um exempIo de um circuito com utilieaeao de uma fo=te de conente 6 a alimentacao de umしED. Em
funcionamento, OしED o「igina uma diferenea de potencial aos seus terminais na ordem dos l,5 a 3 V,
dependendo do tipo u輔zado・ A intensidade do brilho depende do valor da cor「ente, que 6 da ordem dos lO
a 3O mA, PeIo que necessitamos de manter a corrente sem grandes oscila96es, Para que O b冊o se mante-
nha o mais constante possivel.

常置※匡厩⑥経口⑥ 4.5

27V董
Considere o circuito da figura 4.27, Sabendo que a queda de tens各o no
したDede2V.

a)しa博u竜dしUi嶋。しきllU 」土山
b) Calcule a tens急o Uc∈・

米国匡③⑨』凹餅⑨言 卓1000
●円g. 4.27 - Ci「Cuito com LED.

a) Circulando na ma冊a da esquerda, tiramos a seguinte equa車o:

URE=UBB-UBE ⇒ URE=2,7-0,7 ⇒ URE=2V

Entao: IE=昔⇒一E詰⇒ IE=0,02A ⇒ lE=20mA

Considerando que Ic = lE, temOS entaO que a COrrente de coiector 6 de 20 mA.

b) SeaquedadetensaonoLED6de2Ve URE=2V, logoUcE= l V.

常置X直隠⑥晦口⑨ 4,6

Considere o circuito dafigura4.26, COm OSSeguintesdados: UBB=3V; Bc=390Q e RE= 180Q

a) Calcule a corrente de coIector lc

b) CaIcuIe a tensao UcE

捕国賊』輔(◎害i

a) u日E=2’3V → lE=昔→一E=12・8 mA →一c≡lE=12’8mA

b) URE=Ucc-(Rc+RE)・Ic → UcE=2,704V

--- --一一鱒
 9.3 - aptoaCPpO府dor com hans后めr

トl( (an(◆・・l( ・ei〇台、′〔音ろ・つ∩く三品c・〇月a在(白へO aO+--パim〔O記へi⊂・ (〔mn(nAn‡ぁ○ 〔a嶋an(食n†合で,主(ntヘムid小r人種i(つ (

● ￣￣  ￣.一-￣.￣￣ ￣ - ￣-￣-- - ￣￣ ￣￣ -￣  ￣--￣ ￣  -￣ - ￣ ￣￣￣  ￣￣￣￣--￣一-￣   一-- ---.-- -一〇-  -- -一   --  〇〇〇〇〇一 一一 - -〇  〇一-- -臆●--〇 〇〇 〇-一 -- --〇一〇- - -----  -

LED e o FOTODtoDO.

Um componente muito u帥zado no comando de circuitos de pot台ncia 6 o OPTOACOPしADOR, Cujo

esquema se indica na figura 4.28, COmPOnente eSte que integra na mesma capsuia um d[odo (」ED) e um
fotot「ansfstor,

● Fig. 4.28 - Optoacoplador com transistor

O fototrans[stor tem um funcionamento identico ao fotodfodo. A zona da base, aO reCebe「 a incid台ncia

de um fiuxo Iuminoso, POIariza a base do trans「stor e este entra, nOrmalmente, na Satura9各O. NaturaImente

que o terminal da base tem uma a「ea suficiente para que a energia recebida do feixe luminoso seja su偉
Cjente para poIarizar o transistor. A vantagem do OPTOACOPLADOR com transrstor reside no facto de
uma pequena corrente de base poder originar grandes correntes de colector, Suficientes para comandar
quaIquer circuito.

こ∪…U eC鳴--手近uu eるuu即-dヒ潰せ=車用- しd冊Uしu卑しU寄UUlノー種uU-,竜じき八聞くブ用甲。しUきしUI冊Ie功iしIC Uし。-

Cuito de entrada (Circuito de comando) e 。 Circuito de saida (Circuito de pot合ncia), Pelo que ha isolamento
e16ctrico entre os dois circuitos,

Um exempIo de apIica9aO do optoacoplador 6 o chamado detector de cruzamento de zero, que POde

funcionar como fazendo parte de um frequencrmetro‘ Se determinarmos o面mero de vezes que um sjnaI
alternado passa por zero, dividindo esse numero por dois’uma VeZ que um Sinal deste tipo passa por zero
duas vezes em cada cicIoI Obtemos a frequencia do sina上

A figura 4.29 representa o esquema geraI de um detector de cruzamento de zero e a figura 4.30 a
CaraCterlstica de transferencia, que nOS mOStra a reia9aO entre a COrrente do fotot「ansistor e a corrente do
しED do optoacopIador (4N33). Em rela9aO a figu「a 4.29, POdemos determinar a corrente doし帥no circuito
de entrada e com as curvas da figu「a 4.30 determinamos a cor「ente do fototransistor.

○○

漢萱
I・u+ α千LCuLO DA CO朋EN丁E DE SA丁U膚ACAo DO FO丁O棚ANS庵TO胃

o vaIor cla cOrrente ae COleCtOr que leVd U l刷口もlOlU- a Oouul尋C, C, C:C’こC’詰言立言‥L」二言一二‥=:∴ ∴

direita. Nesta analise despreza・Se a tenSaO Uc.sA,, Visto ser muito pequena (0,2 V) compa「ada com a ten-
sao de aIimentae急o (20 V). A expressao Obtida e a seguinte:

一Ucc + BcIcsAT + Uc∈SAT = O Como fazemos Uc∈SAT= O vem:

しc`∧T=旦墜→ lrcur=〇一一-「 →一csAT=2mA

Este vaIor de corrente de coIector leva o fotodiodo a satura9aO’O que PrOVOCa que a tenSaO COIector○
○emissor seja praticamente zero. Assim temos na saida O V.

AVav6s da curva caracte「istica da figura 4"30, Verificamos que para termOS uma COrrente =O fototransis-

看種看看看看
tor de 2 mA, basta termos uma corrente de LED de aproxinladamente l ,5 mA・

lI調+ αiLCuLO DA CO骨仔EN7E DO LEB

com os dados indicados na figura e desprezando as quedas de tensao dos dfodos e doしED’COmPara-
das com a tensao de 220 V, Sendo a resistencia de 9 kQ o面co componente limitador da corrente no cir-
cuito da esquerda e circulando na malha de entrada・ Obtemos a seguinte equa9aO:

一Ui+BslしED=0 → Ui=Rsl」ED ⇒ Ui=9×103×1,5×10￣J → Ui=1的V

com uma tensao de entrada superior a 13,5 V, OしED produz -uz suficiente para levar o fototransistor a
satura9aO. Deixando ao criterio do aluno o c約ulo do tempo que o fototransistor esta saturado’Verifica-Se

que a maior parte do tempo temos na saida Uo = O V. Com tens6es de entrada pr6ximas de O V o fototran-
sistor entra ao corte, Pe-o que temos na safda picos de tens急o de 20 V’tenSaO de aiimenta9aO.

、‥_… _ _.-_ ・_ (→-二一-一 一㌧輸---‥(--守ぺ
u IemPO e用uue U iuい即納-e-eし∪-お前ここ冨山ふふふ∴十一∴ ---.--
em condu9急O 6 o tempo restante para O Perfodo T (10 ms) da tensao de ent「ada・ De referir que a frequen-
cia do sinal que entra no optoacopIador 6 de lOOHz.

A figura 4.31 mostra uma rePreSenta9aO Simbdica (nao a escaia), da forma do sinal de saida comparado
com o sinaI de entrada. Como se verifica, OS Picos de tensao na saida s急o o dobro relativamente ao n心me-
ro de vezes que o sinaI de entrada passa por zero・

三三二一一
 De referir tamb6m que para qualquer circuito devemos caIcuIar a ∞rrente m納ma de entrada para nao
uItrapassar a corrente maXima indicada pelo fabricante’do optoacopIador utilizado.

匡Ⅹ直配⑥晦日⑥ 4.7

CaIcuIe as correntes e tenS6es no transfsto「 da figura 4.32・

DADOS: RB =2OOkQ
Rc =3k〔ふ
〕cC -二一∵∴

UBB=5V
βcc = 100

●円 432

米隠匿S⑥凹凹鉢⑥呈

しomo aoase esl叩'いal一∠c元clU高しIC"l口言寄・ V ilC`r'5'こ‥こ言こここ.二二一∴一“-二二∴ - -一 〇--

nar na zona activa ou na satura9aO.

Vamos supor que eSt如a ZOna activa; entaO’CircuIando na malha de entrada・ Obtemos:

-UBB+BBIB+UBE=0 → lB=出土昼⇒ IB=0’0215mA

RB

se o trans[stor estiver na zona activa, Segundo a suposi9aO que fizemos Ic = βccIB entaO:

lc=100×0・0215 ⇒ Ic=2,15mA

vamos confirmar a nossa hip6tese, Verificando se a jun9aO COlecto「-base esta inversamente polarizada
ou se atensao ucE 6 maio「que O・2 V’que 6 0 VaIorde UcESAT.

Circulando na malha da direita, PaSSando por C-置・E temosこ

ー∪∞十Bc-c+UcB+UBE=0 → UcB=Ucc-RcIc-UBE → UcB=2,85V

Um valor positivo de Uc日rePreSenta a jun9aO POiarizada inversamente’Pelo que o transfsto「 estateal-

mente na zona activa.

--一〇u鵬A JuSn用CAC月O

Out「a forma de justificar a hip6tese 6 circuIando na malha da direita, Obtendo:

一Ucc+BcIc+UcE=0 → UcE=Ucc-RcIc ⇒ UcE=3,55V
 ResoIva o mesmo problema, agOra COm uma reSistencia de 2 kf2 no emissor.

義盛畳S③醐秘⑥言

Circulando na malha de entrada, Obtemos:

-UBB +RBIB+ UBE + BEIE =O

Mascomo IE= lB+lc

Partindo da hip6tese que o transistor esta a funciona「 na zona activa lc = βcclβ, ent肴O:

L二」+鍬へへし =⇒ L二ltし(十11L こ⇒ L=「01×」

Resolvendo a prlmeIra equa9aO, Obtemos:

IB=0,0107mA ⇒ Ic= 1,07mA

Vamos confirmar se o transisto「 se encontra a funcionar realmente na zona activa, Circulando na maiha
desa(da.

ComoIE=lB+lc ⇒IE=凱c ⇒IE=(計)・lc ⇒一E=旦軋c

ResoIvendo a equacao, Vem:

しcEこUcc「1cIc〇一一E-E -′ UcE-「,、ノ、ノl-V

Como UcE > Uc各SAT, logo o t「ans「sto「 esta na zona activa.

常三栄三宝ままe 4.9

主∴一一∴∴
Continuamos com a hip6tese de o transIstor estar a funcionar na zona activa. Fazendo o mesmo racioc主

-UBB+RBiB+UBE=0 ⇒ iB=豊里BE- → lB=0,086mA

RB

一・- - …〔一-一・-一線
 Estando a jun9aO base-emissor polarizada directamente, COmO a tenS急O UcE minima 6 UcESAT = 0,2 V e

POr isso nao pode ser negativa, Iogo o t「ans予stor est各na satura9急O.

R: a〉lB=50wh b)αcc=O,99; C)βcc=99.

R: a)lB =187,5[tA; b)lE=12,15mA.

ual o valor de

R: a) UcECORTE= 12V; lcsAT=6mA; b) P.F.R" (UcEQ=9・04V, lcQ= 1,48mA); C) βcc= 101; d)一c= lc∈O≡0.

′ -雷-J塾や