Webster, “Medical Instrumentation”, Cap.

Sensores Básicos e Princípios de

Funcionamento

José A. Soares Augusto

Departamento de Fisica
∆επαρταµεντο δε Φισιχα
• Transdutor: dispositivo
que converte uma forma
de energia noutra forma de
energia
• Sensor: converte um
parâmetro físico num sinal
eléctrico
• Actuador: converte um
sinal eléctrico numa
‘saída’ física
Medidas de deslocamento:
o médico e o biomédico
medem o tamanho, a
forma e a posição de
órgãos e tecidos no corpo.
Sensores de deslocamento
podem ser usados em
medições directas (e.g.
alteração num diâmetro de
um vaso) ou indirectas
(e.g. diafragma do
estetoscópio)
 Sensores Básicos
Sensores Resistivos
Materiais: fio condutor enrolado; filme de carbono; filme
metálico; plástico condutor; material cerâmico
Três tipos de potenciómetros para medir deslocamentos
(a) de translação (b) 1 volta (c) Multi-volta.
STRAIN GAGES (2) Diferencial de R
ρ dL L
(1) A resistência R de um dR = − ρA L dA + dρ
−2

fio com resistividade ρ A A

(em Ω.m), comprimento L
e secção A é (3) Variação percentual em R
ρL ∆R ∆L ∆A ∆ρ
R= = − +
A R L A ρ
(4) Variação percentual em R
Coeficiente de Poisson, µ ∆R ∆L ∆ρ
= (1 + 2µ ) +
∆D ∆L R L ρ
= −µ
D L
 ∆A ∆D  Efeito Efeito
 =2  dimensional piezoresistivo
 A D 
 ∆R / R ∆ρ / ρ
S =G= = (1 + 2µ ) +
∆L / L ∆L / L
('Gage Factor') Sensibilidade S = G = (∆R/R)/(∆L/L)

A sensibilidade dos semicondutores (p: 100 a 170; n: -100 a -140) é 50 a 100 vezes
maior que a dos metais ou ligas metálicas, mas é muito dependente da temperatura.
Nos metais, G depende essencialmente de efeitos dimensionais; nos semicondutores
depende do efeito piezo-resistivo. Note que µ = 0,3 na maioria dos metais
 Strain Gages
• Usadas em pesquisas dentárias (força de dentadas); medidas
de pressão sanguínea (podem ser colocadas na ponta de
catéteres e inseridas directamente nos vasos sanguíneos);
sensores de pressão na medida de ritmos cardíacos;
• As SGs semicondutoras são mais sensíveis mas menos
lineares que as metálicas, e mais dependentes de T. O
sensor integrado da figura c) dois slides adiante apresenta
elevada sensibilidade e boa compensação de temperatura se
os 8 sensores forem ligados em ponte da forma indicada.
• SGs elástico-resistivas são usadas em biomedicona (cardio,
pulmonar…); tubo de borracha silicónica preenchido com
electrólito, pasta condutiva ou mercúrio e selado com
eléctrodos nas pontas. 0.02-2 W/cm; lineares até 1%, com
10% de extensão (4% com 30%); f - dezenas Hz, é a
resposta dinâmica.
 'Strain-gages' (aferidores/medidores de esforço) ligados
(depositados/colados sobre o material esforçado) (a) Fio resistivo. (b) zigue-
zague. (c) Fio helicoidal. As setas indicam a direcção do esforço correspondente
a uma máxima sensibilidade.
 Sensores Resistivos

'strain gages'
semicondutores (a)
solto, dopagem
uniforme. (b) Medidor
difundido, tipo p. (c)
Sensor de pressão
integrado. (d) Sensor de
força integrado do tipo
cantilever.
Circuito de condicionamento de sinal para um sensor de pressão piezoresistivo de
silício. Os quatro elementos do sensor estão ligados em ponte e a deformação
altera simetricamente pares de resistências. Assim, a sensibilidade é máxima.
 c
Diafragma
R2 R1
Rx
A
υi a b B
Ry
R3 R4
Armadura

d C
D

∆ υo Ri (a)
(b)
Fios da 'strain-gage'

(a) Sensor de pressão ('strain-gage') livre. O diafragma está directamente

acoplado à SG por uma armadura. Com pressão crescente, o esforço no par B
e C é aumentado, enquanto que no par A e D diminui. (b) Ponte de
Wheatstone com 4 elementos activos R1 = A, R2 = B, R3 = D, e R4 = C quando
o dispositivo está ligado para movimento de translacção. A resistência Ry e o
potenciómetro Rx são usados para equilibrar a ponte no início. Vi é a tensão
aplicada e ∆V0 é a tensão lida num voltímetro de resistência interna Ri.
Pontes de medida (e.g. Wheatstone - PW)
• A PW é ideal para medir pequenas variações de resistência
(Vi aplicada, Vo lida). A ponte está equilibrada se
R1/R2=R4/R3
• São calibradas para a condição neutra, ou de equilíbrio
(resistência de calibração no braço oposto ao do sensor)
• Se inicialmente R1=R2=R4=R3=R0 então ∆V0=0. Um
aumento ∆R em todas as resistências mantém o equilíbrio;
• Se R1 e R3 aumentam de ∆R e R2 e R4 decrescem de ∆R,
então
∆R
∆V0 = Vi
R0
 Ponte com resistências iguais em equilíbrio e
variação ∆R apenas no sensor (R1)
• se R1 = R2 = R3 = R4 = R ⇒ Vab = 0
 Vi 
 pois Va = Vb = , supondo a massa em d 
SENSOR  2 

• se R1 ⇒ R + ∆R então
c
R1  
Vi  1 
R2
Vi R Vi
+ Vab - Vab = − = 1 − ≈
υi a b
2 2R + ∆R 2  ∆ R 
R3 R4 1+
 2R 
V  ∆R   ∆R
≈ i 1 −  1 −
d
 na hipótese de <<1
Ri
2   2R  2R
∆ υo
∆R
Vab = Vi
4R
 Pletismografia (medição de variações de volume) com SG de Mercúrio-em-
borracha (a) SG de quatro contactos aplicada à manga (braço) humana. (b) Tensão
de saída da ponte quando usada em pletismografia de oclusão venosa. (c) Tensão de
saída da ponte quando usada em pletismografia de pressão arterial no pulso.
Sensores indutivos

A indutância é dada por L = n2Gµ sendo

• n = número de voltas do enrolamento
• G = factor de forma (tem a ver com a geometria do sensor)
• µ = permeabilidade magnética efectiva do meio

• Qualquer destes parâmetros pode ser alterado por meios

mecânicos.
• Os sensores indutivos não são afectados pelas propriedades
dieléctricas do meio, mas são-no pela proximidade de materiais
magnéticos ou por campos magnéticos externos
• São aplicados em medição de volumes cardíacos, em
monitorização de respiração de crianças e na verificação de
diâmetros de vasos sanguíneos.
 a a c

c c a
b

c c d
b
d d d d e

(a) (b) (c)

Sensores de deslocamento indutivos (a) Por auto-indutância. (b) Por indutância

mútua. (c) Transformador diferencial (LVDT). O LVDT serve para medir
deslocamentos, pressão e força em aplicações biomédicas. f=60 a 20 KHz. Tem uma
sensibilidade muito maior do que as Strain Gages (0.5-2 mV por 10µm/V no primário)
Os sensores indutivos LVDT
têm a desvantagem de
necessitar de circuitos de
processamento complexos (a)
Quando x se move para o zero,
a fase muda 180°, enquanto
que a magnitude de vo é
proporcional à magnitude de x.

(b) Um rectificador-
desmodulador vulgar não
consegue distinguir entre (a) e
(b), sendo necessário usar um
desmodulador sensível à fase.
Sensores capacitivos
A capacidade entre dois pratos paralelos de área A separados
da distância x é dada por C = εo εr A / x sendo
• εo = constante dieléctrica do vazio
• εr = constante dieléctrica relativa do meio (1.0 no ar)

• Qualquer dos parâmetros de C pode ser alterado por meios

mecânicos, mas o mais vulgar é fazer variar a separação entre
os pratos, x.
• A sensibilidade é K, concluindo-se que, para pequenos
deslocamentos, a variação percentual em C é simétrica da
variação percentual em x. ∆C dC A
K= = = −ε 0ε r 2
Exemplo: ∆x dx x
microfone capacitivo dC C dC dx
=− ⇒ =−
dx x C x
Sensor capacitivo, e amplificador, para medir
deslocamentos dinâmicos
Sensores piezoelécticos
A carga induzida q no sensor piezoeléctrico é proporcional à força f
aplicada: q = k f
• k = constante piezoeléctrica em C/N
• Usam-se para medir deslocamentos fisiológicos e gravar sinais do coração.
• Geram uma d.d.p. quando esforçados mecanicamente, e vice-versa, isto é,
um potencial aplicado causa deformação física no material. O princípio físico
subjacente consiste numa alteração da malha cristalina provocar um
rearranjo de carga. Há vários modos de operação geométrico-mecânica
• A variação em tensão, V, é calculada modelando o sensor como um
condensador de pratos paralelos. Há uma resistência de fugas RS que vale
tipicamente 100 GΩ
• Se A = 1 cm2, x = 1 mm, uma força de 10 g causa V=0,23 mV no quartzo e
V=14 mV no titanato de Bário.

k: 2,3 pC/N no quartzo e

140 pC/N no titanato de Bário. kf kfx
Há sensores de filmes poliméricos V= =
C ε 0ε r A
(e.g. polyvinylidene fluoride - PVDF)
(a) Circuito equivalente do sensor
piezoeléctrico, onde Rs = resistência
de fugas do sensor, Cs = capacidade x Cabo e Amplificador
do sensor, Cc = capacidade do
Cristal
cabo, Ca = capacidade de entrada do
amplificador, Ra = resistência de Amplificador
+
entrada do amplificador, e q é o iAmplificador = 0
Gerador
gerador de carga. (b) Circuito de carga Rs Cs Cc Ca Ra υo
equivalente simplificado e q = Kx
modificado com um gerador de -
(a)
corrente a substituir o gerador de
carga; q = Kx se a deflecção x fôr
Gerador
proporcional a f, com K em C/m, e, de corrente
is ia= 0
+
então, se iS=Kdx/dt temos is = Kdx/dt iC
iR
C R υo
K S = K / C ( sensibilid ade em V / m)
-
τ = RC (const . de tempo ) R = Ra Rs /(Ra+ Rs ) ≅ Ra
1 1  dx VO  C = Cs + Cc + Ca
∫ ∫
(b)
VO = iC dt = K −  dt
C C  dt R 
V ( jω ) K S j ωτ
=
X ( j ω ) j ωτ + 1
Resposta do sensor piezoeléctrico a um deslocamento em
'degrau'
 ressonância
mecânica
Tensão na saída
Força na entrada
Lm

Cm Cs Rt

Rm
Gama
utilizável
fc Frequência
(a) (b)

Figure 2.11 (a) Modelo de circuito de um sensor piezoeléctrico em altas-

frequências. Rs é a resistência de fugas do sensor e Cs é a capacidade. Lm, Cm, e
Rm representam o sistema mecânico. (b) Resposta na frequência do sensor
piezoeléctrico.
Sensores de temperatura
• A temperatura do corpo humano dá indicações sobre:
choque (acompanhado de baixa pressão arterial);
infecções; a anestesia faz diminuir a temperatura; a
hipotermia é induzida quando se pretende reduzir o
metabolismo dos pacientes; o seu controlo é muito
importante em incubadoras; a temperatura de articulações
com artrite dá informação sobre o seu estado;
• É necessário escolher cuidadosamente o local onde se
mede a temperatura pois, e.g. a pele e a mucosa oral têm a
temperatura (bem) diferente da verdadeira temperatura do
corpo.
• Termopares + termistores + detectores de radiação e
detectores de fibra óptica ⇒ sensores de temperatura
Termopares
• Princípio de funcionamento: Seebeck descobriu em 1821
que uma emf se desenvolve numa junção entre dois metais
diferentes. Ela deve-se a dois efeitos.
• Ao efeito de Peltier onde a emf se deve somente ao
contacto de dois metais diferentes, e à temperatura da
junção;
• e ao efeito de Thomsom (Lord Kelvin) em que a emf se
deve ao gradiente de temperatura ao longo de cada
condutor isolado.
• Na prática para cada tipo de junção verifica-se que (T é em
ºC e a junção de referência é mantida a 0 ºC)

E = aT + (1/ 2)bT 2 + ...

A sensibilidade termoeléctrica (ou coeficiente de Seebeck) α é
α = dE / dT = a + bT + ...
• A emf do termopar é uma função das propriedades dos metais
e da diferença de temperaturas nas junções. Na prática, uma
das junções é mantida a uma temperatura constante (ou, de
forma equivalente, essa compensação é feita por circuitos
electrónicos). Três Leis:
2. (circuitos homogéneos) num circuito composto apenas por um
metal não se pode manter uma corrente apenas pelo efeito de
variação de temperatura
3. (metais intermédios) a emf total num circuito que consiste da
interconexão de vários metais é nula se estes estiverem todos à
mesma temperatura.
4. (temperaturas intermédias) Se E1 é medida com junções a
temperaturas T1 e T2 e se E2 é medida com as mesmas
junções a temperaturas T2 e T3, então com as junções a
temperaturas T1 e T3 mede-se E1+E2 (usa-se em calibrações).
 Ligações de termopares (a) FEM de Peltier. (b) Lei dos circuitos
homogéneos. (c) Lei dos metais intermédios. (d) Lei das temperaturas
intermédias.
1. Exemplo: Calcular a temperatura em 0C na junção sensora
de um termopar tipo K se a temperatura na junção de
referência é 20 0C e a tensão medida é 23.63 mV.
Tensão a 200C = 0.8 mV
Tensão medida = 23.63 mV
Tensão total = 0.8 mV + 23.63 mV = 24.43 mV
Da tabela:
24.44 mV a 5890 C (aproximação suficiente)
Termístores
• São semicondutores, feitos de materiais cerâmicos, que se
comportam como termo-resistências com elevado
coeficiente negativo de temperatura (oposto ao dos metais)
• Em aplicações biomédicas a resistividade dos termistores
varia entre 0.1 e 100 Ω.m.
• Têm pequenas dimensões e grande sensibilidade às
variações de temperatura (-3%R a -5%/ºC) e têm excelente
t

estabilidade a longo prazo (0.2% de variação máxima de

resistência nominal por ano)
A resistência RT, a potência zero, é (β é a constante material
do termistor, em K, e T0 é a temperatura de referência, em K)
 β ( T0 −T ) / ( TT0 ) 
RT = R0 e
(β entre 2500 e 5000 K, na maioria dos dispositivos)
 1000
Coeficiente de
temperatura α 1 dRT β
100
α= =− 2 (% / K )
Rácio de resistência, R/R25º C (variação não RT dT T
10
linear com T)
B
1

kΩ
Ω

Ω
100

10

kΩ
M

k
A

Ω
0
1

1
10
C

0
10
0.1 Água
10

kΩ
10
0.01 Ar
1
0. 1 10 W
1.0 1 m 10
m W m 0
0.001 W W m
W

0.1
− 50 0 50 100 150 200 0.10 1.0 10.0 100.0
Temperatura, ° C Corrente, mA
(a) (b)

(a) Características típicas do rácio resistência relativa-temperatura para vários

materiais. (b) Característica tensão-corrente para um termístor no ar e na água.
As linhas diagonais de declive positivo marcam valores lineares de resistência e
ilustram o grau de linearidade do termístor com correntes baixas. A
intersecção das curvas do termístor com as diagonais de declive negativo dão a
potência dissipada no dispositivo. O ponto A indica a corrente máxima sem efeito
de auto-aquecimento apreciável. O ponto B é a tensão de pico. O ponto C indica
a corrente contínua máxima segura no ar.  
• Sem (auto) aquecimento significativo, os termístores são
bastante lineares. Com aquecimento apreciável podem
apresentar resistências incrementais negativas e, mesmo,
atingir a auto-destruição térmica.
• As constantes de tempo associadas aos termístores podem
variar de alguns ms até alguns minutos.
• Há processos de corrigir (ou melhorar) a não linearidade
intrínseca na relação RT-T. Nos instrumentos modernos
existem tabelas de correcção armazenadas nos
computadores de controlo dos instrumentos.
• Usam-se pontes, amplificadores e técnicas similares
àquelas usadas com os sensores resistivos para processar
os sinais provenientes dos termístores. São de pequenas
dimensões e podem ser ligados a catéteres.
 Termometria de Radiação
• PRINCÍPIO: há uma
relação conhecida entre a
temperatura de uma
superfície e a potência que
radia. Isto permite medir a
temperatura sem entrar em
contacto com o corpo.
• A termografia consiste em
fazer um mapa da
tempertura superficial do
corpo. Tem sido usada
(com alguma controvérsia)
para diagnosticar certas
doenças.
• CORPO NEGRO: radiador
térmico ideal: absorve toda a
radiação incidente e emite a
radiação térmica máxima
possível.
• A radiação emitida por um
corpo é dada pela Lei de
Planck:
ε C1
Wλ = C / λT
(W/cm 2 . µ m)
λ 5 (e 2 − 1)
C1 = 3, 74 × 104 (W.µ m4 /cm2 )
C2 = 1, 44 ×104 (µ m.K)
T=Temperatura do corpo negro
ε =emissividade, mede o desvio entre a
superfície e o corpo negro ( ε =1)
 100%

Emitância radiante espectral, W-cm-2·mm-1

(a) Emitância radiante espectral λm= 9.66 µm
0.00312
versus comprimento de onda 0.003 80

para um corpo negro a 300 K no 60

eixo esquerdo vertical; 0.002
percentagem da energia total no 40

eixo vertical direito. (b)

% Potência total
0.001
20
Transmissão espectral para T = 300 K
alguns materiais ópticos. (c)
5 10 15 20 25
Sensibilidade espectral de Comprimento de onda, µm
(a)
detectores térmicos e de fotões. Sílica fundida
100
Safira
Trisulfido de Arsénico
λm = 2898 / T (µ m) Iodeto
50 Brometo
é o comprimento de onda correspondente De Tálio

a Wλ máximo (Lei de Wien) 10

0
1 10 100
(b) Comprimento de onda, µm

Wt é a potência radiante total 100

Todos os detectores térmicos

Indium antimonide (InSb)

(Lei de Stefan-Boltzmann) 60
Lead sulfide (PbS)
(fotovoltaico)

20
Wt =εσ T 4 0
1 2 3 4 5 6 7 8
Comprimento de onda, µm
σ =5,67 ×10-12 (W/(cm 2 .K 4 )) (c)

é a constante de Stefan-Boltzmann
 Figure 2.15 Termómetro de radiação, estacionário, de feixe modulado
('chopped-beam'). A amplitude dos pulsos é proporcional à intensidade da
fonte radiante. Usa o mesmo princípio do amplificador ‘lock-in’.
Os sensores e a fibra neste exemplo são muito pequenos, e compatíveis com
implantação biológica após a sua superfície ser tratada. Alguma potência
óptica é absorvida no semicondutor devido à promoção de electrões de
valência. O hiato de energia é uma função da temperatura, a potência
absorvida aumenta com a temperatura.

Detalhes de uma sistema fibra/sensor numa sonda de temperatura semiconductora

em GaAs.  
Os sistemas de medida
óptica são muito
usados em medicina. A
figura descreve os
vários blocos destes
sistemas

(a) Diagrama de blocos

genérico de um
instrumento óptico. (b)
Obtém-se a maior
eficiência pelo uso de
uma lâmpada de alta
intensidade, lentes para
focar a luz na amostra
na cuvette e um detector
sensível. (c) Lâmpadas
e detectores de estado-
sólido podem
simplificar o sistema.
 Características espectrais de fontes, filtros,
detectores, e combinações (a) Light sources,
Tungsten (W) at 3000 K has a broad spectral output.
At 2000 K, output is lower at all wavelengths and
peak output shifts to longer wavelengths. Light-
emitting diodes yield a narrow spectral output with
GaAs in the infrared, GaP in the red, and GaAsP in the
green. Monochromatic outputs from common lasers
are shown by dashed lines: Ar, 515 nm; HeNe, 633
nm; ruby, 693 nm; Nd, 1064 nm; CO2 (notshown),
10600 nm. (b) Filters. A Corning 5-65 glass filter
passes a blue wavelength band. A Kodak 87 gelatin
filter passes infrared and blocks visible wavelengths.
Germanium lenses pass long wavelengths that cannot
be passed by glass. Hemoglobin Hb and
oxyhemoglobin HbO pass equally at 805 nm and have
maximal difference at 660 nm. (c) Detectors. The S4
response is a typical phototube response. The eye has
a relatively narrow response, with colors indicated by
VBGYOR. CdS plus a filter has a response that
closely matches that of the eye. Si p-n junctions are
widely used. PbS is a sensitive infrared detector. InSb
is useful in far infrared. Note: These are only relative
responses. Peak responses of different detectors differ
by 107. (d) Combination. Indicated curves from (a),
(b), and (c) are multiplied at each wavelength to yield
(d), which shows how well source, filter, and detector
are matched. (e) Photon energy: If it is less than 1 eV,
it is too weak to cause current flow in Si p-n junctions.
 Características eléctricas de junções p-n (LEDs). Os díodos de silício
vulgares têm um 'band gap' (fosso de energia, hiato) de 1.1 eV e são radiadores
ineficientes no infravermelho próximo. O GaAs tem um hiato de 1.44 eV e radia
a 900 nm. O GaP tem um hiato de 2.26 eV e radia a 700 nm. 
• Feixes de fibras não coerentes (transmissão de radiação)
• Feixes de fibras coerentes (visão - endoscópio)

Revestimento

Ar n2
θ2
n = 1.0

θic Fibra
θ1
θ4
θ3
n1

Óptica dentro da fibra. A linha sólida mostra a refracção

dos raios que escapam pela parede da fibra. A linha a
tracejado indica reflexão interna total dentro da fibra. Pela
Lei de Snell, n2 sin θ2 = n1 sin θ1. O ângulo crítico θic é
quando sin θ2 = 1, que dá θic = arcsin(n2/n1).
 Fotomultiplicador Um fotão incidente choca com o fotocátodo e liberta um
electrão. Este electrão é acelerado até ao primeiro dínodo, que está 100 V mais
positivo do que o cátodo. O impacto liberta alguns electrões por emissão
secundária. São acelerados até ao segundo dínodo, que está 100 V mais
positivo que o primeiro dínodo. Esta multiplicação de electrões continua até se
atingir o ânodo, onde correntes de cerca de 1 µA fluem em RL.
 Características I-V de uma junção p-n de silício iluminada. Para
irradiância 0, ambas as características directa e inversa são as do díodo
normal. Para uma radiação de 1 mW/cm2, a tensão em aberto é 500 mV
(Thévenin) e a corrente de curto-circuito (Norton) é 0.8 µA. Para 10 mW/cm2
a tensão em aberto é 600 mV e a corrente de curto-circuito é 8 µA. 
 Outros elementos ópticos
• Cristais líquidos: reflectividade varia com um campo eléctrico
• Filtros: controlam a distribuição de energia radiante por
comprimento de onda: luz polarizada; cores; redes de difracção;
• Lasers: e.g. He-Ne (633 nm-red), Ar (515 nm), CO2 (potência).
Aplicações oftalmológicas e cirúrgicas.
• Sensores térmicos: absorvem radiação e transformam-na em
calor (e.g. sensor piroeléctrico, termístor, termopar)
• Sensores quânticos: absorvem energia de fotões e libertam
electrões (olho, fotodíodo, emulsão fotográfica, fototubo)
• Outros: sensores fotoemissivos (fototubo , fotomultiplicador);
células fotocondutivas (fotoresistências); sensores baseados em
fotojunções; sensores fotovoltaicos.
• Combinações ópticas: Ec=Σ(SλFλDλ)∆λ é a irradiância efectiva
total (saída da fonte, transmissão do filtro, eficiência do detector,
todos relativos)